JPH01100915A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプラズマＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｕｒ　ＤｅｐＯ３ｉｔｉＯｎ）法により、基板上に
薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置に関するものである
。

［従来技術］ 従来のプラズマＣＶＤ装置は、第４図に示すように、真
空反応容器１内の基板ヒータ２の上に処理すべき基板３
を寝かせて設置し、基板３の上方には基板ヒータ２に対
向させて電極４を設冒し、該電極４と基板ヒータ２との
間に高周波電源５から高周波電力を印加し、また真空反
応容器１内にはパイプよりなる原料ガス供給手段６で原
料ガスを供給し、プラズマＣＶＤ法で基板４の表面に薄
膜を形成する構造であった。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような構造では、基板３の片面（上
側となった而）にしか薄膜を形成できないので、もう一
方の面にも１ｄｌｌｌｌｌを形成する作業をもう一度行
わなければならず、能率が悪い問題点があった。

本発明の目的は、基板の両面に同時に薄膜を形成できる
プラズマＣＶＤ装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明のプラズマＣＶＤ装置は真空反応容器内に１対
の原料ガス流出電極が相互にＯい合せに配置され、前記
両原料ガス流出電極間に１対のメツシュ電極が前記各原
料ガス流出電極に向い合せて配置され、前記両メツシュ
電極間には処理用の基板を位置させる基板設置空間が設
けられ、前記両原料ガス流出電極にはこれら電極の各原
料ガス流出孔から原料ガスを前記メツシュ電極に向けて
流出させるように原料ガス供給手段が設けられているこ
とを特徴とする。

［作用］ このようにすると、基板の両側のメツシュ電極とこれに
対向する原料ガス流出電極間にプラズマを発生させるこ
とができ、且つこれらメツシュ電極を通して原料ガス流
出電極からの原料ガスを基板の両面に受けて、基板の両
面に同時に薄膜が形成できる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を参照して詳
細に説明する。本実施例のプラズマＣＶＤ装置において
は、真空反応容器１内に１対の原料ガス流出電極７が垂
直向きで向い合せにして互に平行に配管されている。各
原料ガス流出電極７は、金Ｂ’＃であって多数のガス流
出孔８が分散して設けられている。各原料ガス流出電極
７の褒面には、金ｍ製で漏斗状をした分配室形成体９Δ
と、これに原料ガスを供給する金属製の配管９Ｂとから
なる原料ガス供給手段９が設けられている。原料ガス流
出電橋７は原料ガス供給手段９を介してアースされてい
る。向い合せの原料ガス流出Ｔｉ極７問には、網目状を
なす１対のメツシュ電極１０が垂直向きで向い合せにし
て原料ガス流出電極７に対して平行に配置されている。

各メツシュ電極１０は高周波電ＷＡ５から図示しないマ
ツチングボックスを介して高周波電力が印加されるよう
になっている。両メツシュ電極１０間には、処理用の基
板３を位置させる基板設置中Ｂ１１が設けられている。

この基板設置空間１１内には、処理用の基板３が垂直向
きで、両側のメツシュ電極９に平行で且つ等間隔となる
ように配置されるようになっている。基板３はボルダ−
１２に支持され、ホルダー１２は台！１１３上に固設さ
れ、台車１３はベース１４上に走行するようになってい
る。真空反応容器１の下部には図示しない真空ポンプで
真空引きするための排気管１５が接続されている。

このようなプラズマＣＶＤ装置では、両側の原料ガス供
給手段９からキャリアガスと共に供給された原料ガスを
、両原料ガス流出電極７のガス流出孔８からメツシュ電
極１０を経て基板３の両面側に流出させる。両メツシュ
電極１０に高周波電力を印加すると、プラズマは両メツ
シュ電極１０とそれに対向する原料ガス流出電極７との
間に起こり、これらの間で原料ガスが活性化され、基板
３の両面に共に成膜される。この場合、メツシュ電極１
０にかける高周波の周波数は１３．５６　Ｈｌｌｚとす
る。基板３とメツシュ電極１０との間の距離は１０ｓｌ
ＩＩ以下とし、プラズマ中に基板３が存在するようにす
る。なお、上記実施例のようにメツシュ電極１０に高周
波をかける方が、原料ガス流出電極７をアースしない電
極にして高周波をかけるより、硬い薄膜を基板３上に成
膜できる。柔かい成膜を必要とする場合には、原料ガス
流出電極７に高周波をかけるようにすればよい。

実験例 基板３は８．８９　ｃＩＲ（３，５”　）のＡｉ製ハー
ドディスクとした。原料ガスはＡｒガスをキャリアガス
として搬送させた。高周波電源のパワーは１００Ｗとし
た。原料ガス流出電極７間の距離は４０〜５０履とし、
メツシュ電極１０間の距離は２０〜１０１１ｍとした。

基板３は台車１３で図示しない予備室から移動させてき
て、メツシュ電極１０間の中央にセットし、ここで停止
させ、約３０秒間プラズマ中で成膜を行った。３０秒後
に台車１３を駆動して基板３を別室に移動させた。なお
、ホルダー１２は絶縁物で構成した。原料ガス流出Ｔｉ
極７及びメツシュ電極１０はステンレス製とし、キャリ
アガスＡｒはマス７０−コントローラで流量が一定とな
るようにｉ、ＩＪ　ｌ　ｔ、、た。

成膜する前に基板３は、図示しない予備室で加熱を行い
、真空反応容器１内に移動させるようにした。真空反応
容器１内での成膜模に、基板３を後処理室に移動し、酸
素雰囲気に入れ、その後、後処理型から取り出した。予
備室では、輻射加熱により加熱を行った。

メツシュ電極１０のメツシュ数は、数が少ないと、プラ
ズマが均一とはならない。また、メツシュ数が多過ぎる
と、基板３にモノマが届がない。

そこで種々検討の結果、メツシュ数は５〜５０メツシユ
／　２．５４　ｔｓとした。

ホルダー１２は、基板３を１対のメツシュ電極１０間の
中央に安定して供給するため、基板３の外周全体をホー
ルドする構造のものが好ましい。

原料ガス流出電極７及びメツシュ電極１ｏを大型化する
と、複数枚の基板３の同時両面成膜を行うことができる
。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明に係るプラズマＣＶＤ装置で
は、１対の原料ガス流出電極間に１対のメツシュ電極を
配置し、両メツシュ電極とこれに対向する原料ガス流出
ＴＩ極周に高周波電力を印加してプラズマを発生するよ
うにし、両メツシュ電極聞に基板を配置して成膜を行わ
せるようにしたので、基板の両面に同時に成膜を行わせ
ることができる。従って、本発明によれば、プラズマＣ
ＶＤ法による成膜を能率よく行うことができる。また、
本発明では、メツシュ電極を用いたので、基板には高周
波電力を印加する必要がなくなり、従って基板を移動し
【の成膜処理も可能となり、大ａ生産も工業的に可能に
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るプラズマｃｖｏｉｉｍの一実施例
を示す縦断面図、第２図及び第３図は第１図で用いてい
る原料ガス流出電極及びメツシュ電極の各正面図、第４
図は従来のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図である。 １・・・真空反応容器、３・・・紙板、５・・・高周波
電源、７・・・原料ガス流出電極、８・・・原料ガス流
出孔、９・・・原料ガス供給手段、９Ａ・・・分配室形
成体、９Ｂ・・・配管、１０・・・メツシュ電極、１１
・・・基板設置空筒１図 ノー １１０１１００ヨし９ ↓ ＠４ ＠２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　真空反応容器内に１対の原料ガス流出電極が相互に向
   い合せに配置され、前記両原料ガス流出電極間に１対の
   メッシュ電極が前記各原料ガス流出電極に向い合せて配
   置され、前記両メッシュ電極間には処理用の基板を位置
   させる基板設置空間が設けられ、前記両原料ガス流出電
   極にはこれら電極の各原料ガス流出孔から原料ガスを前
   記メッシュ電極に向けて流出させるように原料ガス供給
   手段が設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ
   装置。