JPH01100463U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図本考案半導体レーザの一つの
実施例を示すもので、第１図は半導体レーザの全
体を示す一部切欠斜視図、第２図は要部を拡大し
て示す斜視図、第３図は背景技術を説明するため
のヒートシンンクの斜視図、第４図Ａ乃至Ｃは考
案が解決しようとする問題点を示すためのヒート
シンクの断面図で、同図Ａはラツピングによるエ
ツジのだれを示し、同図Ｂはケラレを示し、同図
Ｃはチツプの不完全なボンデイングを示す。 符号の説明、８……ヒートシンク、１０……レ
ーザダイオードチツプ、１０ａ……レーザビーム
出射端面、１１……溝、１１ａ……溝の底面。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 良熱伝導性材料からなるヒートシンクのラツピ
   ングされたボンデイング用ラツピング面にレーザ
   ダイオードチツプがボンデイングされた半導体レ
   ーザにおいて、 上記ヒートシンクのボンデイング用ラツピング
   面と１つのエツジを共有する別の面に、該エツジ
   からそれと反対側のエツジ側に向けて延びる溝が
   形成され、 上記溝の底面と上記レーザダイオードチツプの
   レーザビーム出射端面とが略同一平面上に位置す
   るようにボンデイング用ラツピング面の上記溝を
   臨む位置にレーザダイオードチツプがボンデイン
   グされてなる ことを特徴とする半導体レーザ。