JP7843741B2 - 吸着プレート、切断装置、及び、電子部品の製造方法。 - Google Patents

Description

本発明は、吸着プレート、切断装置、及び、電子部品の製造方法の技術に関する。

特許文献１には、ブレードを用いて、テーブルに配置された切断対象物にハーフカット及びフルカットを施すことが可能な切断装置が開示されている。特許文献１に記載の切断装置は、ブレードの磨耗量に基づいてブレードの高さ方向の位置を補正することができる。このようにブレードの高さ方向の位置を補正することによって、切断対象物に形成されるハーフカット溝の深さのばらつきを抑制することができる。

特開２０２２－１５１２４３号公報

ここで、一般的にハーフカット溝には高い寸法精度が求められるため、より高精度にハーフカット溝を形成することが可能な技術が求められている。

本発明は以上の如き状況に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、高精度にハーフカット溝を形成することが可能な吸着プレート、切断装置、及び、電子部品の製造方法を提供することである。

本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、この課題を解決するため、本発明に係る吸着プレートは、基板及び樹脂層を有する切断対象物を保持する吸着プレートであって、吸引機構が設けられた基台上に配置される基部、及び、前記基部から上方に突出するように形成され、前記樹脂層を吸着可能な吸着面が形成された突出部を具備するベース部材と、前記突出部の周囲を囲むように配置され、前記吸着面より上方に位置するように形成された前記基板を載置可能な載置面を具備する枠状部材と、を具備し、前記ベース部材及び前記枠状部材の少なくとも一方には、前記突出部及び前記枠状部材により規定される規定空間内の異物を、前記規定空間外へと排出可能な排出通路が形成されているものである。

また、本発明に係る切断装置は、前記吸着プレートと、前記吸引機構が設けられた前記基台と、を具備するものである。

また、本発明に係る電子部品の製造方法は、前記切断装置を用いて前記切断対象物にハーフカットが施されるハーフカット工程と、前記切断装置を用いて、前記ハーフカット工程においてハーフカットが施された前記切断対象物にフルカットを施すフルカット工程と、を含むものである。

本発明によれば、高精度にハーフカット溝を形成することができる。

（ａ）パッケージ基板を示す底面図。（ｂ）パッケージ基板を示す側面図。 段差部が形成された半導体パッケージを示した斜視図。 切断装置の構成を模式的に示した平面図。 切断装置の構成を模式的に示した側面図。 切断装置の電気的な接続関係を示したブロック図。 テーブルの構成を示した側面断面図。 （ａ）パッケージ基板に形成されたハーフカット溝を模式的に示した平面図。（ｂ）パッケージ基板に形成されたハーフカット溝を模式的に示した側面図。 ハーフカットの手順を示したフローチャート。 吸着プレートを示した分解斜視図。 吸着プレートを示した平面図。 ベース部を示した平面図。 （ａ）図１０におけるＸ１－Ｘ１断面を模式的に示した図。（ｂ）図１０におけるＸ２－Ｘ２断面を模式的に示した図。 吸着プレートにおいて異物が排出される経路を示した斜視図。 ベース部を示した底面図。 （ａ）面取り部が形成された吸着プレートを示した平面図。（ｂ）第１変形例に係る吸着プレートを示した平面図。 第２変形例に係る吸着プレートを示した平面図。

以下の説明では、図中に矢印で示した方向に従って説明を行う。また、以下の説明で用いる図は、便宜上、適宜形状及び個数等を省略又は誇張して模式的に描いている。

＜パッケージ基板７０の構成＞
以下では、まず切断装置１による切断の対象である切断対象物の一例として、パッケージ基板７０について説明する。

図１に示すパッケージ基板７０は、例えばウェッタブルフランクＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ－ｌｅａｄｅｄ）パッケージ基板である。パッケージ基板７０は、銅板等の金属で形成された基板７１と、基板７１の一方の面を樹脂封止した矩形状の樹脂層７２と、を具備する。基板７１としては、リードフレーム、プリント配線板等を用いることができる。本実施形態では、一例として、基板７１としてリードフレームを用いるものとする。なお、以下では、基板７１の両面のうち、樹脂層７２が形成された面を第１面、第１面の反対の面を第２面とそれぞれ称する。

基板７１の第１面には、半導体チップ搭載部（ダイパッド）（不図示）が行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列されている。ダイパッドには、半導体チップ、抵抗素子、キャパシタ素子等の電子素子７３が固定されている。基板７１は、銅（Ｃｕ）又は４２アロイ（Ｆｅ－Ｎｉ）等の金属により形成され、導電性を有している。基板７１の表面には、鉛フリーの金属めっき層又は鉛フリーのはんだめっき層（不図示）が予め形成されていてもよい。各ダイパッドの周囲には、外部との接続用端子である多数のリードが配置される。これら多数のリードは、基板７１において格子状に配列された金属枠であるタイバーにそれぞれつながっている。各電子素子７３に設けられた複数の電極（不図示）は、金線又は銅線からなるボンディングワイヤを介して、ダイパッドの周囲に配置されたそれぞれのリードに電気的に接続される。

本実施形態の基板７１は、矩形状の使用領域７１ａと、使用領域７１ａの周囲を囲む非使用領域７１ｂと、を具備している。非使用領域７１ｂは、基板７１の外縁を含む領域であり、製品としては使用されず、後に除去される。一方、使用領域７１ａは製品として使用される領域であり、上述したリードフレームのダイパッド、リード、及びタイバーを含む領域である。樹脂層７２は、基板７１の使用領域７１ａと、使用領域７１ａの外側の非使用領域７１ｂの一部とを覆うように矩形状に成形されている。すなわち、使用領域７１ａに配置される電子素子７３及びボンディングワイヤは樹脂層７２によって封止される。樹脂層７２が形成されることで、基板７１の第１面と樹脂層７２の端面（図１（ｂ）における下側の面）との間には、樹脂層７２の厚さだけ段差が形成されている。

なお、パッケージ基板７０を構成する基板７１としては、上述した例のほか、半導体製基板、金属製基板、セラミック製基板、ガラス製基板、樹脂製基板等を用いることができる。基板が金属製でなく導電性を有さない場合、基板において、後述の吸着プレート１００の枠状部材１５０と接触する部分（後述の外周部）は、導電性を有するように構成されていればよい。また、パッケージ基板７０を構成する基板７１には、配線が施されていてもよいし、施されていなくてもよい。

図１に示すパッケージ基板７０にハーフカット及びフルカットを施すことで、図２に示すような半導体パッケージ（電子部品）８０が製造される。なお、パッケージ基板７０にハーフカット及びフルカットを施す具体的な方法については、後述する。

図２に示す半導体パッケージ８０には、上面（端子８２が形成されている面）と側面との境界部分に段差部８１が形成されている。半導体パッケージ８０が面実装された場合には、半田が段差部８１に入り込む。これにより、半導体パッケージ８０に関して、フィレット状の半田接続構造を実現し、接続を確実にすることができる。また、半田が段差部８１に入り込んでフィレット状となっているため、実装後の外観検査において、半導体パッケージ８０の側面から半田の接続状態を容易に観察することができる。このように、半導体パッケージ８０には、様々な利点が存在する。段差部８１の形成方法については後述する。

＜切断装置の構成＞
次に、図３から図５を用いて、切断装置１の構成について説明する。

切断装置１は、パッケージ基板７０を切断することで、切断品である複数の半導体パッケージ８０を製造するものである。なお、本実施形態において「切断」とは、切断対象物を分離して複数の個片化された切断品とすること、及び、切断対象物の一部を除去することを含む。以下、切断対象物を複数の個片化された切断品に分離する切断をフルカットと称し、切断対象物を分離せず、その一部を厚み方向に除去する切断をハーフカットと称する。切断装置１は、主として切断ユニット１０、保持ユニット２０、検出ユニット３０及び制御ユニット４０等を具備する。

＜切断ユニット１０の構成＞
図３及び図４に示す切断ユニット１０は、パッケージ基板７０を切断するためのものである。切断ユニット１０は、主としてブレード１１及びスピンドル部１２等を具備する。なお、切断装置１は、一対のスピンドル部１２を具備するツインスピンドル構成であってもよいし、１つのみのスピンドル部１２を具備するシングルスピンドル構成であってもよい。

ブレード１１は、円環状の刃である。ブレード１１は、スピンドル部１２の先端部に着脱可能に取り付けられる。ブレード１１は、Ｘ軸周りに回転することができる。

スピンドル部１２は、ブレード１１を支持すると共に、ブレード１１を回転させるものである。スピンドル部１２は、Ｘ軸方向に延びるように配置される。スピンドル部１２は、移動機構（不図示）によって、図３及び図４のＸ軸及びＺ軸に沿って移動することができる。スピンドル部１２の移動（移動機構の動作）は、後述する制御ユニット４０によって制御される。なお、以下では図３及び図４のＺ軸方向を、スピンドル部１２及びブレード１１の高さ方向と称する場合もある。

スピンドル部１２に取り付けられたブレード１１は、スピンドル部１２から回転を伝えられて高速回転することによって、パッケージ基板７０にハーフカット及びフルカットを施すことができる。以下では、ハーフカット用のブレードを第１ブレード１１Ａ、フルカット用のブレードを第２ブレード１１Ｂと称し、第１ブレード１１Ａ及び第２ブレード１１Ｂを総称してブレード１１と称する。第１ブレード１１Ａは第１の厚みを有し、第２ブレード１１Ｂは第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する。つまり、第２ブレード１１Ｂの厚みは第１ブレード１１Ａの厚みよりも薄い。本実施形態では、スピンドル部１２に対し、第１ブレード１１Ａ及び第２ブレード１１Ｂのいずれかが取り付けられ、切断が行われる。

第１ブレード１１Ａは、導電性を有する材料により形成される。第１ブレード１１Ａは、スピンドル部１２に取り付けられた状態において、スピンドル部１２と導通している。スピンドル部１２は、後述する検出回路３２に電気的に接続される。

パッケージ基板７０にハーフカットを施す場合、第１ブレード１１Ａが後述するテーブル５０に対して移動することによって、パッケージ基板７０が切断される。具体的には、パッケージ基板７０は厚さ方向において一部が除去される。パッケージ基板７０上において、長手方向及び短手方向に沿ってハーフカットを行うことによって、パッケージ基板７０の長手方向に延びるハーフカット溝Ｇ１及びパッケージ基板７０の短手方向に延びるハーフカット溝Ｇ２が形成される（図７（ａ）参照）。一方、パッケージ基板７０にフルカットを施す場合、第２ブレード１１Ｂがテーブル５０に対して相対的に移動することによって、パッケージ基板７０が溝パターンに沿って切断される。これによってハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２の部分が切り離され、パッケージ基板７０が、複数の分離した半導体パッケージ８０（図２参照）に個片化される。

＜保持ユニット２０の構成＞
図３及び図４に示す保持ユニット２０は、パッケージ基板７０を保持するものである。保持ユニット２０は、主としてテーブル５０及び移動機構６０等を具備する。なお、切断装置１は、２個の保持ユニット２０を具備するツインカットテーブル構成であってもよいし、１個の保持ユニット２０を具備してもよいし、３個以上の保持ユニット２０を具備してもよい。

図６に示すテーブル５０は、主として基台５１、吸着プレート１００及び吸引機構５２等を具備する。

基台５１は、吸着プレート１００が固定されるものである。基台５１は、吸着プレート１００の下面に接する第１部位５１ａ、及び、第１部位５１ａの下面に絶縁層５１ｂを介して固定される第２部位５１ｃを具備している。第１部位５１ａ及び第２部位５１ｃは、例えばステンレスなどの導電性を有する材料で形成される。

第１部位５１ａには、後述する吸着プレート１００の凹部１６１と接続される通気路５１ｄが形成される。通気路５１ｄは、第１部位５１ａの上面から下面までを貫通するように形成される。第２部位５１ｃには、第１部位５１ａの通気路５１ｄと接続するように、貫通孔５１ｅが形成される。貫通孔５１ｅには、後述する吸引機構５２の配管５２ａが配置される。

吸着プレート１００は、主としてベース部材１１０及び枠状部材１５０等を具備する。

ベース部材１１０は、矩形板状に形成される板状部１１１、及び、板状部１１１から上方に突出する突出部１１２等を具備する。なお、板状部１１１は、本発明に係る基部の実施の一形態である。板状部１１１の上下方向の厚さは、突出部１１２の上下方向の厚さよりも厚く形成されている。突出部１１２の上面は、パッケージ基板７０の樹脂層７２を吸着可能な吸着面１１２ａを構成している。図６の拡大図に示すように、吸着面１１２ａには、薄膜状の樹脂製フィルム１１３が設けられている。なお、説明の便宜上、他の図においては樹脂製フィルム１１３の図示を省略している。また、樹脂製フィルム１１３は必ずしも設けられる必要はなく、省略したり、代わりに他の部材（例えば、可撓性を有する板状の部材等）を配置することも可能である。

ベース部材１１０の底面には、凹部１１４が形成されている。凹部１１４は、底面視において、吸着面１１２ａと概ね同様の形状に形成される。またベース部材１１０には、複数の吸着孔１１５が形成される。吸着孔１１５は、ベース部材１１０を上下に貫通するように形成される。より具体的には、吸着孔１１５の上端は吸着面１１２ａにおいて開口され、吸着孔１１５の下端は凹部１１４において開口される。なお、樹脂製フィルム１１３には、吸着孔１１５に対応する位置に貫通孔（不図示）が形成される。

凹部１１４を形成することによって、吸着孔１１５の全長を短くすることができる。これによって、吸着孔１１５を介する吸着力の向上を図ることができる。凹部１１４には、上下に延びる複数の柱状部１１６が形成される。なお、柱状部１１６の構成については後述する。

枠状部材１５０は、突出部１１２の周囲を側方から囲むように形成される。具体的には、枠状部材１５０には、突出部１１２に対応する開口部１５１が形成されている。枠状部材１５０の開口部１５１の内側に突出部１１２が挿入された状態で、枠状部材１５０がベース部材１１０の上に載置される。この状態で、枠状部材１５０の上面は、突出部１１２の吸着面１１２ａよりも上方に位置している。枠状部材１５０の上面は、パッケージ基板７０の基板７１を載置可能な載置面１５２を構成している。

このように、突出部１１２の周囲を囲むように枠状部材１５０が配置されることで、突出部１１２及び枠状部材１５０によって凹部１６１が形成される。またこの凹部１６１によって、パッケージ基板７０の樹脂層７２が配置される配置空間１６２が規定される。なお、配置空間１６２は、本発明に係る規定空間の実施の一形態である。

凹部１６１の平面視における形状は、パッケージ基板７０の樹脂層７２の形状（矩形形状）と概ね同じ形状、又は、若干大きい形状に形成される。また、凹部１６１（配置空間１６２）の深さは、樹脂層７２の厚みと概ね同じ、又は、若干大きく形成される。なお、凹部１６１の深さとは、枠状部材１５０の載置面１５２から、吸着面１１２ａ（より詳細には、吸着面１１２ａに設けられた樹脂製フィルム１１３の上面）までの深さを意味する。凹部１６１をこのように構成することによって、枠状部材１５０にパッケージ基板７０を載置した際に、凹部１６１内に樹脂層７２を収容することができる。

樹脂層７２が凹部１６１に収容されると、基板７１の非使用領域７１ｂ（以下、「外周部」とも称する）（図１参照）が、凹部１６１の外側にある枠状部材１５０の載置面１５２の上面に接する。枠状部材１５０及びベース部材１１０は、例えばステンレスなどの導電性を有する材料で形成されているため、パッケージ基板７０の外周部が枠状部材１５０に配置されると、枠状部材１５０及びベース部材１１０と、パッケージ基板７０とが導通する。

なお、吸着プレート１００には、凹部１６１（配置空間１６２）から異物を排出するための排出通路が形成されている。排出通路に関する具体的な構成については後述する。

吸引機構５２は、吸着孔１１５を介して吸引を行うことで、テーブル５０上にパッケージ基板７０を吸着するものである。吸引機構５２は、主として配管５２ａ及びポンプ５２ｂ等を具備する。

配管５２ａは、少なくとも一部が第２部位５１ｃの貫通孔５１ｅに配置され、通気路５１ｄの下端と接続される。配管５２ａには、ポンプ５２ｂが接続される。ポンプ５２ｂを駆動することで、貫通孔５１ｅ及び凹部１１４を介して複数の吸着孔１１５から空気が吸引される。これにより、樹脂層７２が吸着面１１２ａに吸着され、パッケージ基板７０が吸着プレート１００に保持される。仮に樹脂層７２の厚みが想定より薄く、パッケージ基板７０を吸着プレート１００に配置したときに樹脂層７２が吸着面１１２ａの上面に接触していない場合でも、パッケージ基板７０によって閉じられた凹部１６１内の空気が吸引されることによって凹部１６１内が負圧になり、基板７１が下方に吸着され樹脂層７２が吸着面１１２ａに接触し保持される。

図３及び図４に示す移動機構６０は、テーブル５０を移動させるためのものである。移動機構６０は、テーブル５０を下方から支持する。移動機構６０は、テーブル５０を図３のθ方向に（すなわち、水平面上で）回転させることができる。また移動機構６０は、図３のＹ軸に沿って移動させることができる。保持ユニット２０の動作は、後述する制御ユニット４０によって制御される。

＜検出ユニット３０の構成＞
図３及び図４に示す検出ユニット３０は、スピンドル部１２及び第１ブレード１１Ａの高さ方向（Ｚ軸方向）の位置を検出するためのものである。検出ユニット３０は、主としてＣＣＳ（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｃｕｔｔｅｒ Ｓｅｔｕｐ）ブロック３１、検出回路３２及び検出装置３３等を具備する。

ＣＣＳブロック３１は、テーブル５０の側方に取り付けられ、テーブル５０とともに移動することが可能である。ＣＣＳブロック３１は導電性を有し、吸着プレート１００と導通している。したがって、パッケージ基板７０が吸着プレート１００に配置されると、パッケージ基板７０とＣＣＳブロック３１とが導通する。

検出回路３２は、第１ブレード１１ＡがＣＣＳブロック３１の上面に接触すると第１ブレード１１Ａ及びＣＣＳブロック３１を介して通電するように構成されている回路である。検出回路３２は、ＣＣＳブロック３１及びスピンドル部１２に電気的に接続されている。検出回路３２には、検出装置３３が組み込まれている。また、吸着プレート１００は導電性を有し、ＣＣＳブロック３１に接触しているため（図６参照）、第１ブレード１１Ａがパッケージ基板７０の導電性を有する部分に接触した場合も、検出回路３２は通電する。

検出回路３２は、図示しない電源により、ＣＣＳブロック３１及びスピンドル部１２間に一定の電圧を印加するように構成される。検出装置３３は、検出回路３２における通電の有無の変化を検知する。より具体的には、検出装置３３は、第１ブレード１１Ａ（より正確には、第１ブレード１１Ａの外縁）とＣＣＳブロック３１との接触、及び、第１ブレード１１Ａとパッケージ基板７０との接触を検知し、後述する制御ユニット４０に通知する。

＜制御ユニット４０の構成＞
図３から図５に示す制御ユニット４０は、切断ユニット１０、保持ユニット２０、及び検出ユニット３０に電気的に接続され、各ユニット１０～３０の動作を制御するものである。制御ユニット４０は、各ユニット１０～３０と一体的に構成されてもよいし、各ユニット１０～３０とは別体として構成されてもよい。図５に示すように、制御ユニット４０は、主として制御部４１、表示部４２、入力部４３及び記憶部４４等を具備する。

制御部４１は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、及び、ＲＯＭ等を含む。ＲＯＭには、各ユニット１０～３０の動作を制御するための動作プログラム４１ａが記憶される。ＣＰＵは、ＲＯＭから動作プログラム４１ａを読み出して実行する。ＲＯＭは、ＣＰＵの演算処理に適宜使用される。なお、動作プログラム４１ａはＲＯＭではなく、記憶部４４に記憶されていてもよい。

表示部４２は、例えば各種の情報をユーザに対して表示するように構成されるとともに、ユーザから後述する切断パラメータ及び検出パラメータの入力を受け付けるためのユーザインターフェース画面を表示するように構成される。表示部４２は、液晶表示素子、液晶表示ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、及びタッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。

入力部４３は、例えば、各種の固定値を入力したり、切断のための各種パラメータを入力するものである。入力部４３は、キーボード、プッシュ式のボタン、タッチパネルディスプレイ等、任意の態様で実現することができる。入力部４３がタッチパネルディスプレイで実現される場合、入力部４３は表示部４２を兼ねていてもよい。

切断のためのパラメータは特には限定されないが、例えば、パッケージ基板７０が切断されるべき位置を指定する切断パラメータが含まれる。パッケージ基板７０は、通常、格子状の切断パターンに従って切断されるため、切断パラメータを決定することにより縦、横の切断ラインが定まる。

＜ハーフカット高さの算出＞
次に、制御部４１によるハーフカット高さの算出について説明する。ハーフカット高さとは、パッケージ基板７０に対してハーフカットを行うときの第１ブレード１１Ａの最下端の位置である。制御部４１は、スピンドル部１２の高さ方向の位置を制御し、第１ブレード１１ＡをＣＣＳブロック３１の上面に向かって近づける。制御部４１は、新品の摩耗のない第１ブレード１１ＡとＣＣＳブロック３１との接触が検出されたときのスピンドル部１２の高さ方向の座標を基準のＺ座標（以下、基準座標という）と認識する。これにより、ＣＣＳブロック３１の上面を基準として、スピンドル部１２の高さ位置、更には、第１ブレード１１Ａの高さ位置が検出される。さらに、制御部４１は、第１ブレード１１Ａをパッケージ基板７０の上面に向かって近づけるようにスピンドル部１２の高さ方向の位置を制御する。なお、制御部４１が制御するスピンドル部１２の高さ位置は、具体的には、例えば、スピンドル部１２の回転軸のＺ軸方向の位置であり、制御部４１は、ボールネジに沿ってスピンドル部１２を移動させるモータの回転方向、回転数をＺ軸座標の移動距離に換算してスピンドル部１２のＺ軸方向の位置を決定することができる。

一例として、ハーフカット高さは以下のように算出ができる。まず、基準座標（Ａ）に、ＣＣＳブロック３１の上面から吸着プレート１００の上面までの距離（固定値Ｂ）とパッケージ基板７０の厚さ（固定値Ｃ）を加えて、ハーフカットの切り込み量（固定値Ｄ）とハーフカット開始時の第１ブレード１１Ａの摩耗によって生じている補正量（測定値Ｅ）を引いた高さ方向の座標（Ａ＋Ｂ＋Ｃ－Ｄ－Ｅ）を算出する。そして、算出した座標（以下、加工基本座標という）に、第１ブレード１１Ａの最下端部分が配置されるようにスピンドル部１２の高さ方向の位置を制御する。なお、固定値は予め切断装置１に入力され記憶されている。ハーフカット開始時の第１ブレード１１Ａの摩耗によって生じている補正量（測定値）は、第１ブレード１１ＡがＣＣＳブロック３１と接触したときの高さ方向の座標と、上述の基準座標から算出することができる（第１ブレード１１Ａの摩耗、及び、その摩耗によって生じる第１ブレード１１Ａの高さ方向の位置の補正については、特開２０２２―１５１２４３公報を参照）。

さらに、実際のパッケージ基板７０の厚さを考慮して、スピンドル部１２の高さ方向の位置を制御する。具体的には、制御部４１は、第１ブレード１１Ａをパッケージ基板７０と接触させる。このときの高さ方向の座標（Ｆ）から、実際のパッケージ基板７０の厚さとパッケージ基板７０の厚さ（固定値Ｃ）との差分をパッケージ基板７０の高さのオフセット量（Ａ＋Ｂ＋Ｃ－Ｆ）として算出する。そして、このオフセット量を考慮して、加工基本座標を修正し、第１ブレード１１Ａの最下端部分が配置されるようにスピンドル部１２の高さ方向の位置を制御する。

さらに、ハーフカットを行うことによって生じる第１ブレード１１Ａの摩耗による補正を、例えば、ハーフカットした長さ又はハーフカットした時間が設定値を超えたタイミングで行う。すなわち、ハーフカットした長さ又はハーフカットした時間が設定値を超えた時（１本の切断ラインのハーフカットが終了した後のタイミングでもよいし、ハーフカットの途中のタイミングでもよい）に、第１ブレード１１ＡをＣＣＳブロック３１と接触させ、この時の高さ方向の座標を得る。そして、これと上述の基準座標から、第１ブレード１１Ａの摩耗によって生じている補正量を算出し（特開２０２２―１５１２４３公報を参照）、スピンドル部１２の高さ方向の位置を補正する。

＜パッケージ基板７０の個片化＞
次に、パッケージ基板７０を切断し、半導体パッケージ８０を形成する方法について、図７を参照して説明する。まず、スピンドル部１２に、第１の厚みを有する第１ブレード１１Ａを取り付ける。この第１ブレード１１Ａを用いて、切断ラインに沿って、パッケージ基板７０をハーフカットし、図７（ａ）に示すような、複数のハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２から構成される溝パターンを形成する。一本のハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２の形成が完了する度に、例えば、後述する切断距離の判定を行ってもよい。なお、第１ブレード１１Ａが切断するパッケージ基板７０の最も外側の部分は、使用領域７１ａと非使用領域７１ｂの境界線（図７（ａ）に示す一点鎖線）である。非使用領域７１ｂは、フルカット後に半導体チップ等を含まず、半導体パッケージ８０とはならない領域である。第１ブレード１１Ａが切断するこの境界線は、樹脂層７２の上方にあり、平面視で凹部１６１内にある。

図７（ｂ）はパッケージ基板７０のハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２の付近の側面模式図である。溝パターンの形成後、スピンドル部１２に、第１の厚みよりも小さい第２の厚みを有する第２ブレード１１Ｂを取り付け、第２ブレード１１Ｂにより、位置Ｐ１においてパッケージ基板７０をフルカットし、パッケージ基板７０を個片化する。位置Ｐ１は、ハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２の中心であることが好ましい。これにより、図２に示すような段差部８１が形成された複数の半導体パッケージ８０が製造される。なお、ハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２の断面形状は、図７（ｂ）に示す形状に限定されない。

ハーフカットによりパッケージ基板７０に溝パターンを形成する場合、なるべく均一な深さのハーフカット溝Ｇ１、Ｇ２がパッケージ基板７０上に形成されることが重要であり、高い精度が求められる。そこで、本実施形態では、以下のようにハーフカットの制御を行う。以下、図６、並びに、図８に示すフローチャートを参照しつつ、パッケージ基板７０のハーフカットを行う工程（ハーフカット工程）について説明する。

＜パッケージ基板７０のハーフカット＞
まず、パッケージ基板７０を保持ユニット２０の凹部１６１に位置合わせをしたうえで配置し、ベース部材１１０の吸着孔１１５から空気を吸引してパッケージ基板７０を吸着プレート１００に保持する（ステップＳ１）。これにより、パッケージ基板７０の基板７１の非使用領域７１ｂが吸着プレート１００の上面（枠状部材１５０の載置面１５２）と接するため、パッケージ基板７０と吸着プレート１００とが導通する。

次に、スピンドル部１２及び移動機構６０を動作させ、第１ブレード１１Ａとパッケージ基板７０との位置合わせ（アラインメント）を行う（ステップＳ２）。続いて、スピンドル部１２を移動させ、第１ブレード１１ＡをＣＣＳブロック３１に接触させ、このときの第１ブレード１１Ａの高さ位置を記憶部４４に記憶する。これにより、上述したように、第１ブレード１１Ａの摩耗によって生じる補正量が算出され、記憶部４４に記憶される（ステップＳ３）。

続いて、パッケージ基板７０の上面の高さの測定が行われていなければ（ステップＳ４のＮＯ）、スピンドル部１２を移動させ、第１ブレード１１Ａを、パッケージ基板７０の基板７１の第２面に接触させる。より具体的には、第１ブレード１１Ａを、パッケージ基板７０の基板７１の第２面の非使用領域７１ｂであって、その下方の第１面側には樹脂層７２が形成されている部分に接触させる。パッケージ基板７０の外周部は吸着プレート１００に接触しているため、第１ブレード１１Ａ及び基板７１を介して電流が流れ、検出装置３３によって通電が検出される。これにより、第１ブレード１１Ａの高さ位置が算出され（ステップＳ５）、記憶部４４に記憶される。これに基づき、上述したオフセット量が算出され、記憶部４４に記憶される。一方、パッケージ基板７０の上面の高さの測定が行われていれば（ステップＳ４のＹＥＳ）、次のように、ハーフカット高さの算出（ステップＳ６）を行う。

すなわち、上記のように算出した補正量及びオフセット量と、加工基本座標とから、第１ブレードの１０１Ａによるハーフカット高さが算出される（ステップＳ６）。これに基づき、第１ブレード１１Ａの最下端部分の高さ位置を、第１ブレード１１Ａがパッケージ基板７０と接触した高さ位置からハーフカットの切り込み量だけ下げた位置に調整する。

その後、スピンドル部１２を移動させ、パッケージ基板７０を、上述した切断ラインに沿ってハーフカットする（ステップＳ７）。このとき、第１ブレード１１Ａの下端の刃先は、上述したハーフカット高さに保持されハーフカットが行われる。この工程において、１つの切断ラインにおけるハーフカットが完了したときに、この第１ブレード１１Ａによる切断距離が設定値を超えたときには（ステップＳ８のＹＥＳ）、第１ブレード１１Ａに摩耗が生じていると判断して上述した補正量の算出を行う（ステップＳ３）。一方、切断距離が設定値を超えていない場合は（ステップＳ８のＮＯ）、パッケージ基板におけるすべての切断ラインにハーフカットが施されたか否かが判断される（ステップＳ９）。なお、ステップＳ８では、第１ブレード１１Ａによる切断距離の代わりに、第１ブレード１１Ａによる切断時間が設定値を超えたかを判断してもよい。

ステップＳ９において、すべての切断ラインにハーフカットが施されていなければ（ステップＳ９のＮＯ）、別の切断ラインハーフカットが行われる（ステップＳ７）。すべての切断ラインにハーフカットが施されれば（ステップＳ９のＹＥＳ）、パッケージ基板７０を洗浄し、乾燥した後、吸着プレート１００から取り外して搬出する（ステップＳ１０）。これに続いて、洗浄水を用いてテーブル５０を洗浄し、乾燥させる（ステップＳ１１）。なお、テーブル５０を洗浄する際には、後述する排出通路を介して、吸着プレート１００の凹部１６１内の異物（例えば、切削屑等）が外部へと排出される。これによって、吸着プレート１００の吸着面１１２ａとパッケージ基板７０との間に異物が挟まることを抑制することができ、高精度にハーフカットを施すことができる。

その後、すべてのパッケージ基板７０のハーフカットが完了すれば（ステップＳ１２のＹＥＳ）、切断装置１の動作を終了し、ハーフカットすべきパッケージ基板７０が残っていれば（ステップＳ１２のＮＯ）、新たなパッケージ基板７０を吸着プレート１００に保持し（ステップＳ１）、ハーフカットを継続する。

その後、切断装置１は、さらにフルカットを行う工程（フルカット工程）を実施することができる。この場合、ブレード交換が行われ、スピンドル部１２には第１ブレード１１Ａに代えて第２ブレード１１Ｂが取り付けられる。そして、交換後の第２ブレード１１Ｂによるフルカットが行われる。第２ブレード１１Ｂは、形成された溝パターンに従って厚さ方向にパッケージ基板７０を切断し、分離する。これにより、個片化された複数の電子部品である半導体パッケージ８０が得られる。フルカット終了後の半導体パッケージ８０は、切断装置１が備える他のユニットに送られてもよい。

なお、切断装置１には、切断（特に、ハーフカット）されるパッケージ基板７０を押さえるための押さえ機構を設けることも可能である。押さえ機構によってパッケージ基板７０を押さえて、パッケージ基板７０の反りや浮き上がりを解消した状態でハーフカットを施したり、第１ブレード１１Ａを接触させてパッケージ基板７０の上面の高さを測定することで、より高精度にハーフカット溝を形成することができる。なお、押さえ機構としては、例えば特開２０２２－７９９１０公報に記載の機構を用いることが可能である。

＜吸着プレート１００の構成＞
以下では、吸着プレート１００の構成についてより詳細に説明する。

図９から図１２に示す吸着プレート１００には、凹部１６１（配置空間１６２）内の異物（例えば、切削屑等）を排出するための排出通路が形成されている。具体的には、排出通路は、主としてベース部材１１０に形成された段差部１２１、面取り部１２２、第１溝部１２３及び第２溝部１２４等により構成されている。

段差部１２１は、突出部１１２の上端部（吸着面１１２ａ）の外周縁部に沿って形成される。段差部１２１は、突出部１１２の全周に亘って形成される。これによって、段差部１２１は、吸着面１１２ａの周囲を囲むように形成される。段差部１２１は、突出部１１２の中央部分（吸着面１１２ａ）に対して若干低くなるように形成される。なお、段差部１２１は、本発明に係る第３通路の実施の一形態である。

面取り部１２２は、平面視矩形状に形成された突出部１１２の四隅を切り欠くように形成される。面取り部１２２は、突出部１１２の上端から下端に渡って形成される。面取り部１２２を形成することにより、突出部１１２と枠状部材１５０の内側面（開口部１５１）との間には、上下に亘る隙間が形成される。面取り部１２２の上端部は、段差部１２１と接続される。なお、面取り部１２２は、本発明に係る第１通路の実施の一形態である。

図９及び図１１に示す第１溝部１２３は、平面視矩形状に形成された突出部１１２の短辺に沿って形成される。第１溝部１２３は、板状部１１１の上面において、突出部１１２の一対の短辺に沿う部分を凹ませることで形成される。これによって第１溝部１２３は、吸着プレート１００に保持されるパッケージ基板７０の短辺と平行な方向に延びるように形成されている。

図９、図１０及び図１１に示す第２溝部１２４は、平面視矩形状に形成された突出部１１２の長辺に沿って形成される。第２溝部１２４は、板状部１１１の上面において、突出部１１２の一対の長辺に沿う部分を凹ませることで形成される。これによって第２溝部１２４は、吸着プレート１００に保持されるパッケージ基板７０の長辺と平行な方向に延びるように形成されている。また第２溝部１２４の長手方向両端部は、板状部１１１の端部まで延びるように形成されている。これによって第２溝部１２４の両端部は、板状部１１１の側面に開口するように形成されている。なお、第２溝部１２４は、本発明に係る第２通路の実施の一形態である。

第２溝部１２４の中途部は、突出部１１２の角部近傍において、第１溝部１２３と接続される。また、この部分において、第１溝部１２３及び第２溝部１２４は、面取り部１２２と接続される。このようにして、段差部１２１、面取り部１２２、第１溝部１２３及び第２溝部１２４は互いに接続される。

このように段差部１２１等が形成されたベース部材１１０に枠状部材１５０が取り付けられる場合、突出部１１２の側面と、枠状部材１５０の内側面（開口部１５１）と、が互いに嵌め合わされることで、ベース部材１１０に対する枠状部材１５０の位置決めを行うことができる。

ベース部材１１０に枠状部材１５０が取り付けられた状態では、図１２及び図１３に示すように、凹部１６１（配置空間１６２）が排出通路（段差部１２１、面取り部１２２、第１溝部１２３及び第２溝部１２４）を介して吸着プレート１００の外部と接続される。従って、図８のステップＳ１１においてテーブル５０（吸着プレート１００）が洗浄される際には、凹部１６１内の異物が洗浄水と共に排出通路を介して外部へと排出される（例えば、図１２（ｂ）の点線矢印に沿って排出される）。これによって、吸着プレート１００の吸着面１１２ａとパッケージ基板７０との間に異物が挟まることを抑制することができ、高精度にハーフカットを施すことができる。

また、図１２（ａ）及び図１４に示すように、凹部１１４には、上下に延びる複数の柱状部１１６が形成される。柱状部１１６は、例えば角柱状に形成される。柱状部１１６は、凹部１１４の上面から下方に延びるように形成される。柱状部１１６の上下長さは、凹部１１４の深さと概ね同一に形成される。柱状部１１６は、吸着孔１１５と重複しない位置に形成される。柱状部１１６の下端は、基台５１の上面に接する（図６参照）。柱状部１１６によって、凹部１１４が形成されたベース部材１１０を支えることができる。これによって、吸引機構５２により空気が吸引されて凹部１１４内が負圧となった際に、ベース部材１１０が変形することを抑制できる。

なお、柱状部１１６の形状及び個数等は特に限定するものではない。例えば柱状部１１６を角柱以外の形状（円柱状等）に形成することも可能である。また、柱状部１１６の配置及び個数は任意に変更することが可能である。

また、上記排出通路を介した異物の排出を促すように、排出通路を適宜傾斜するように形成することも可能である。例えば、図１１に示す第２溝部１２４を、板状部１１１の左右中央から左右両端部に向かって下降するように形成してもよい。これによって、洗浄水と共に第２溝部１２４を流通する異物を外部へ排出するように促すことができる。また、第２溝部１２４に限らず、その他の部分（例えば、段差部１２１、第１溝部１２３等）を傾斜させてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の技術的思想の範囲内で適宜の変更が可能である。

例えば上記実施形態では、図１５（ａ）に示すように、突出部１１２の角部に面取り部１２２を形成することで、凹部１６１（配置空間１６２）と、突出部１１２の下部に形成された第１溝部１２３及び第２溝部１２４とを接続する例を示したが、本発明はこれに限るものではない。

一例として、図１５（ｂ）には、第１変形例に係る吸着プレート１００Ａ（ベース部材１１０Ａ）を示している。第１変形例に係るベース部材１１０Ａでは、突出部１１２の角部付近の段差部１２１を残すと共に、平面視矩形状の突出部１１２の一辺の中途部に切り欠き部１２５を形成している。このような構成では、切り欠き部１２５を介して、凹部１６１（配置空間１６２）と、突出部１１２の下部に形成された第１溝部１２３及び第２溝部１２４とが接続される。また、この構成では、突出部１１２の角部に残された段差部１２１の側面と、枠状部材１５０の内側面（開口部１５１）と、が互いに嵌め合わされることで、ベース部材１１０Ａに対する枠状部材１５０の位置決めを行うことができる。

このように、凹部１６１（配置空間１６２）から異物を排出するための排出通路の構成は特に限定するものではなく、凹部１６１から異物を排出できるものであれば、任意に構成（通路の形状、位置、個数等）を変更することが可能である。

例えば、上記実施形態では突出部１１２の外周縁部に段差部１２１を形成した例を示したが、突出部１１２の外周縁部以外の部分（例えば、中央付近）にも適宜段差部１２１（溝部）を形成してもよい。また、突出部１１２に必ずしも段差部１２１を形成する必要はなく、面取り部１２２と凹部１６１を直接接続してもよい。

また、上記実施形態では第２溝部１２４の端部がベース部材１１０（板状部１１１）の側面に開口するように形成し、この開口から外部へと異物を排出する例を示したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、第２溝部１２４に代えて第１溝部１２３をベース部材１１０の側面に開口するように形成してもよいし、第１溝部１２３及び第２溝部１２４の両方をベース部材１１０の側面に開口するように形成してもよい。

また、上記実施形態では、平面視矩形状の突出部１１２の各辺に平行に延びる第１溝部１２３及び第２溝部１２４を形成した例を示したが、溝部の形状及び延びる方向はこれに限定するものではなく、任意の形状及び方向に溝部を形成することが可能である。

また、上記実施形態では、ベース部材１１０（板状部１１１）の側面に開口する第２溝部１２４を介して異物を外部（ベース部材１１０の側方）に排出する例を示したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、排出通路に異物を回収可能な回収部を形成し、凹部１６１（配置空間１６２）から排出された異物を回収するように構成することも可能である。

また、上記実施形態では、長方形状のパッケージ基板７０を切断することを想定して、長方形状に形成された吸着プレート１００（図１０等参照）を例示したが、本発明はこれに限るものではなく、吸着プレート１００の形状は切断対象物（パッケージ基板７０等）の形状に応じて任意に変更することが可能である。

一例として、図１６には、第２変形例に係る吸着プレート１００Ｂ（ベース部材１１０Ｂ）を示している。第２変形例に係るベース部材１１０Ｂは、突出部１１２が平面視正方形状に形成される。また図示は省略するが、枠状部材１５０にも、突出部１１２に対応した形状（平面視正方形状）の開口部１５１が形成される。これによって、吸着プレート１００Ｂは、正方形状のパッケージ基板７０を保持することができる。このような形状の吸着プレート１００Ｂは、比較的大型のパッケージ基板７０を吸着するのに適している。

なお、図１６に示す第２変形例に係るベース部材１１０Ｂでは、第１変形例に係るベース部材１１０Ａ（図１５（ｂ）参照）と同様に、突出部１１２の角部に段差部１２１を残し、突出部１１２の各辺に切り欠き部１２５を形成している。また第２変形例に係るベース部材１１０Ｂでは、第１溝部１２３の中途部に接続するように、第２溝部１２４と平行な複数の第３溝部１２６を形成している。第３溝部１２６の端部はベース部材１１０Ｂの側面に開口するように形成される。このように、ベース部材１１０Ｂの側面に開口する溝部を増やすことで、異物の排出を効率的に促すことができる。

このように、吸着プレート１００Ｂ（ベース部材１１０Ｂ）の形状は、切断対象物（パッケージ基板７０等）を吸着して保持することができる形状であれば、任意に変更することが可能である。

また、上記実施形態では、ベース部材１１０に適宜の加工を施すことで排出通路（段差部１２１、面取り部１２２、第１溝部１２３及び第２溝部１２４等）を形成しているが、排出通路は必ずしもベース部材１１０に形成する必要はない。例えば、ベース部材１１０ではなく枠状部材１５０に適宜の溝部等を形成すること、又は、ベース部材１１０及び枠状部材１５０の両方に適宜の溝部等を形成することで、排出通路を形成してもよい。

また、上記実施形態に係る切断装置１は、上記以外のユニットを備えていてもよい。例えば、切断装置１は、パッケージ基板７０を供給する基板供給ユニット、パッケージ基板７０及び／又は半導体パッケージ８０検査する検査ユニット、切断された半導体パッケージ８０を洗浄及び／又は乾燥させる洗浄ユニット、切断された半導体パッケージ８０を収容部に搬送する搬送ユニット等を備えていてもよい。

＜付記＞
本開示の第１側面の吸着プレート１００は、
基板７１及び樹脂層７２を有するパッケージ基板７０（切断対象物）を保持する吸着プレート１００であって、
吸引機構５２が設けられた基台５１上に配置される板状部１１１（基部）及び、前記板状部１１１から上方に突出するように形成され、前記樹脂層７２を吸着可能な吸着面１１２ａが形成された突出部１１２を具備するベース部材１１０と、
前記突出部１１２の周囲を囲むように配置され、前記吸着面１１２ａより上方に位置するように形成された前記基板７１を載置可能な載置面１５２を具備する枠状部材１５０と、
を具備し、
前記ベース部材１１０及び前記枠状部材１５０の少なくとも一方には、前記突出部１１２及び前記枠状部材１５０により規定される配置空間１６２（規定空間）内の異物を、前記配置空間１６２外へと排出可能な排出通路（段差部１２１、面取り部１２２、第１溝部１２３及び／又は第２溝部１２４）が形成されているものである。
本開示の第１側面の吸着プレート１００によれば、高精度にハーフカット溝を形成することができる。具体的には、配置空間１６２内の異物を外部へと排出することができるため、吸着面１１２ａとパッケージ基板７０との間に異物が挟まることを抑制できる。

第１側面に従う第２側面の吸着プレート１００において、
前記排出通路は、前記突出部１１２と、前記枠状部材１５０と、の間に形成され、前記配置空間１６２と接続された面取り部１２２（第１通路）を含むものである。
本開示の第２側面の吸着プレート１００によれば、面取り部１２２を介して、配置空間１６２内の異物を外部へと排出することができる。

第２側面に従う第３側面の吸着プレート１００において、
前記排出通路は、前記面取り部１２２と、前記板状部１１１の側面と、を接続する第２溝部１２４（第２通路）を含むものである。
本開示の第３側面の吸着プレート１００によれば、配置空間１６２から排出された異物を、ベース部材１１０の外部へと排出することができる。

第３側面に従う第４側面の吸着プレート１００において、
前記パッケージ基板７０は矩形状に形成され、
前記第２溝部１２４は、前記吸着面１１２ａによって吸着された前記パッケージ基板７０の少なくとも１つの辺（長辺）と平行な方向に延びるように形成されているものである。
本開示の第３側面の吸着プレート１００によれば、パッケージ基板７０の形状に応じた方向に第２溝部１２４を形成することで、吸着プレート１００を比較的コンパクトに形成することができる。特に上記実施形態では、ベース部材１１０の側面に開口する第２溝部１２４を、パッケージ基板７０の長辺に平行な方向（一方向）にのみ形成しているため、ベース部材１１０の剛性の低下を抑制することができる。
なお、「平行」は、厳密な意味だけではなく、実質的な意味を含む。従って、パッケージ基板７０の辺と第２溝部１２４とが完全な平行ではない場合であっても、たとえばパッケージ基板７０の配置等による誤差の範囲内であるとき、両者は平行である。

第２から第４側面のいずれかに従う第５側面の吸着プレート１００において、
前記排出通路は、前記吸着面１１２ａの周囲に形成され、前記面取り部１２２と接続される段差部１２１（第３通路）を含むものである。
本開示の第５側面の吸着プレート１００によれば、段差部１２１を介して異物を面取り部１２２へと案内することができ、異物の排出を効果的に促すことができる。

第１から第５側面のいずれかに従う第６側面の吸着プレート１００において、
前記板状部１１１の上下方向の厚さは、前記突出部１１２の上下方向の厚さよりも厚く形成されているものである。
本開示の第６側面の吸着プレート１００によれば、前記板状部１１１の上下方向の厚さを比較的厚く形成することで、吸着面１１２ａの平坦度を確保し易くなる。

第１から第６側面のいずれかに従う第７側面の吸着プレート１００において、
前記ベース部材１１０の底面には、前記吸着面１１２ａに形成された吸着孔１１５と接続される凹部１１４が形成され、
前記凹部１１４の内側には、前記基台５１と接触可能な少なくとも１つの柱状部１１６が形成されているものである。
本開示の第７側面の吸着プレート１００によれば、パッケージ基板７０に伴って発生する負圧によって、ベース部材１１０が変形することを抑制できる。

また、本開示の第８側面の切断装置１は、
第１から第７側面のいずれかの吸着プレート１００と、
前記吸引機構５２が設けられた前記基台５１と、
を具備するものである。
本開示の第８側面の切断装置１によれば、高精度にハーフカット溝を形成することができる。

また、本開示の第９側面の電子部品の製造方法は、
第８側面の切断装置１を用いて前記パッケージ基板７０にハーフカットが施されるハーフカット工程と、
前記切断装置１を用いて、前記ハーフカット工程においてハーフカットが施された前記パッケージ基板７０にフルカットを施すフルカット工程と、
を含むものである。
本開示の第９側面の切断装置１によれば、高精度にハーフカット溝を形成することができる。

１ 切断装置
５１ 基台
５２ 吸引機構
７０ パッケージ基板
７１ 基板
７２ 樹脂層
１００ 吸着プレート
１１０ ベース部材
１１１ 板状部
１１２ 突出部
１１２ａ 吸着面
１１４ 凹部
１１５ 吸着孔
１１６ 柱状部
１２１ 段差部
１２２ 面取り部
１２３ 第１溝部
１２４ 第２溝部
１５０ 枠状部材
１５２ 載置面
１６２ 配置空間

Claims (9)

1. 基板及び樹脂層を有する切断対象物を保持する吸着プレートであって、
   吸引機構が設けられた基台上に配置される基部、及び、前記基部から上方に突出するように形成され、前記樹脂層を吸着可能な吸着面が形成された突出部を具備するベース部材と、
   前記突出部の周囲を囲むように配置され、前記吸着面より上方に位置するように形成された前記基板を載置可能な載置面を具備する枠状部材と、
   を具備し、
   前記ベース部材及び前記枠状部材の少なくとも一方には、前記突出部及び前記枠状部材により規定される規定空間内の異物を、前記規定空間外へと排出可能な排出通路が形成されている、
   吸着プレート。
2. 前記排出通路は、前記突出部と、前記枠状部材と、の間に形成され、前記規定空間と接続された第１通路を含む、
   請求項１に記載の吸着プレート。
3. 前記排出通路は、前記第１通路と、前記基部の側面と、を接続する第２通路を含む、
   請求項２に記載の吸着プレート。
4. 前記切断対象物は矩形状に形成され、
   前記第２通路は、前記吸着面によって吸着された前記切断対象物の少なくとも１つの辺と平行な方向に延びるように形成されている、
   請求項３に記載の吸着プレート。
5. 前記排出通路は、前記吸着面の周囲に形成され、前記第１通路と接続される第３通路を含む、
   請求項２に記載の吸着プレート。
6. 前記基部の上下方向の厚さは、前記突出部の上下方向の厚さよりも厚く形成されている、
   請求項１に記載の吸着プレート。
7. 前記ベース部材の底面には、前記吸着面に形成された吸着孔と接続される凹部が形成され、
   前記凹部の内側には、前記基台と接触可能な少なくとも１つの柱状部が形成されている、
   請求項１に記載の吸着プレート。
8. 請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の吸着プレートと、
   前記吸引機構が設けられた前記基台と、
   を具備する切断装置。
9. 請求項８に記載の切断装置を用いて前記切断対象物にハーフカットが施されるハーフカット工程と、
   前記切断装置を用いて、前記ハーフカット工程においてハーフカットが施された前記切断対象物にフルカットを施すフルカット工程と、
   を含む、
   電子部品の製造方法。