JP7842680B2 - ヒータ寿命予測方法、加熱処理装置およびヒータ寿命予測プログラム - Google Patents

ヒータ寿命予測方法、加熱処理装置およびヒータ寿命予測プログラム

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Description

本発明は、ヒータ寿命予測方法、加熱処理装置およびヒータ寿命予測プログラムに関する。
主として水素（Ｈ２）ガスを雰囲気とする環境下において使用されるカーボン等で構成される抵抗加熱式ヒータ（以下、ヒータとも呼ぶ）は、ヒータと反応性ガスとの化学反応の進行により、劣化して最終的に破断に至ることが多い。基板の表面に成膜を行う成膜装置に備えられたヒータが予期せずに破断すると、不良品の発生や突発的な装置復旧の対応等の様々な問題が発生する。その結果、成膜装置の生産性が大幅に低下する。したがって、予期せぬヒータの破断を未然に防止することができる手法を確立することが求められている。
予期せぬヒータの破断を未然に防止するため、これまでにも、例えば、特許文献１および特許文献２では、ヒータの抵抗値を用いてヒータの寿命を予測する技術が提案されている。
すなわち、特許文献１では、ヒータへの通電時においてヒータの連続的な抵抗値の変化を読み取り、読み取られた抵抗値が予め設定した閾値を超えると、アラームを発報するシステムが提案されている（例えば、段落００２９参照）。しかしながら、ウェハ処理のステップは、ウェハの昇温ステップ、降温ステップ、およびウェハごとに条件が変化し得る成膜ステップ等から構成されており、ウェハ処理のステップ全体を通してヒータの温度は変化し、ヒータの抵抗値も変動する。したがって、ヒータへの通電時において全てのステップに対して適切なヒータ破断の目安となる閾値を設定することは困難である。
また、特許文献２では、ヒータの抵抗値の実測値と、ヒータの抵抗値の初期値または理論値との差を求め、差を予め設定されたヒータ破断の目安となる閾値と照合することにより、ヒータの寿命を予測している（例えば、段落００６３および００６４参照）。しかしながら、ヒータの抵抗値の理論値の算出には、ヒータの任意の温度における抵抗温度係数を求める必要があり、ヒータの温度の測定には熱電対が用いられる（例えば、段落００２３参照）。成膜装置内に熱電対を設置することで、余計なコストが発生し、更に熱電対が装置内の金属汚染の発生源となる可能性がある。
特開２００９－２４５９７８号公報 特開２０１１－１０８５９６号公報
本発明の目的は、予期せぬヒータの破断を未然に防止することができるヒータ寿命予測方法、加熱処理装置およびヒータ寿命予測プログラムを提供することにある。
本発明の一態様であるヒータ寿命予測方法は、
基板の処理が行われる処理室と、前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、を備える半導体製造装置における前記ヒータの寿命を予測することを備え、
前記ヒータの寿命の予測は、
異なる基板への前記処理の間において前記ヒータが一定出力制御される工程中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分である抵抗変化量、または前記抵抗変化量を前記初期値で除した抵抗変化率を算出し、
前記算出された抵抗変化量または抵抗変化率に基づいて前記ヒータの寿命を予測する、
ことを備える。
上述のヒータ寿命予測方法において、前記ヒータの寿命は、前記抵抗変化量または前記抵抗変化率と、予め設定された閾値との関係により予測されることを備えてもよい。
上述のヒータ寿命予測方法において、前記ヒータが寿命に近いことをユーザに通知することを更に備えてもよい。
上述のヒータ寿命予測方法において、前記一定出力制御が行われる工程は、前記基板に成膜を行う成膜工程と、前記基板の温度を下降させる降温工程と、前記処理室から前記基板を搬出する搬出工程と、の少なくとも１つであってもよい。
本発明の一態様である加熱処理装置は、
基板の処理が行われる処理室と、
前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、
前記ヒータの寿命を予測する寿命予測部と、を備え、
前記寿命予測部は、
異なる基板への前記処理の間において前記ヒータが一定出力制御される工程中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分である抵抗変化量または前記抵抗変化量を前記初期値で除した抵抗変化率を算出し、
前記算出された抵抗変化量または抵抗変化率に基づいて前記ヒータの寿命を予測する。
本発明の一態様であるヒータ寿命予測プログラムは、
コンピュータに、
基板の処理が行われる処理室と、前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、を備える加熱処理装置における前記ヒータの寿命を予測する手順であって、
異なる基板への前記処理の間において前記ヒータが一定出力制御される工程中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分である抵抗変化量または前記抵抗変化量を前記初期値で除した抵抗変化率を算出し、
前記算出された抵抗変化量または抵抗変化率に基づいて前記ヒータの寿命を予測すること、
を備える手順を実行させる。
本発明によれば、予期せぬヒータの破断を未然に防止することができる。
第１実施形態による成膜装置を示す図である。 ウェハ処理のステップ全体のウェハ温度と皮相電力を示す図である。 搬入ステップおよび昇温ステップにおけるラン毎のウェハ温度の時間変化を示すグラフである。 比較例であるヒータ毎のラン数に応じた抵抗値の変化を示すグラフである。 本実施形態のヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加量の変化を示すグラフである。 本実施形態のヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加率の変化を示すグラフである。 比較例であるヒータ毎のラン数に応じた抵抗値の変化を示すグラフである。 本実施形態のヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加量の変化を示すグラフである。 本実施形態のヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加率の変化を示すグラフである。 本実施形態によるヒータ寿命予測方法を示すフローチャートである。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。実施形態は、本発明を限定するものではない。
図１は、本実施形態による成膜装置１を示す図である。図１に示すように、成膜装置１は、処理室の一例であるチャンバ（成膜室）２と、ガス供給部３と、原料放出部４と、サセプタ５と、回転部６と、ヒータ７と、ヒータ駆動部８と、ガス排出部９と、排気機構１０と、放射温度計１１と、寿命予測部の一例である制御部１２とを備える。
チャンバ２は、基板の一例であるウェハＷに処理の一例である成膜を行う。チャンバ２は、１枚ずつウェハＷに成膜を行う枚葉式のチャンバである。ウェハＷは、例えば、ＳｉＣおよびＧａＮなどの化合物半導体を含有する化合物半導体ウェハである。化合物半導体ウェハに限定されず、ウェハＷは、例えば、単結晶シリコンを含有するシリコンウェハであってもよい。チャンバ２は、成膜対象のウェハＷを収納可能な形状（例えば、円筒形状）を有している。チャンバ２の内部には、サセプタ５、ヒータ７、回転部６の一部などが収容されている。チャンバ２には、制御部１２によって開閉が制御されるゲートバルブ（図示せず）が設けられている。ゲートバルブを開放させることで、チャンバ２に対して搬送ロボット（図示せず）がウェハＷを搬入および搬出可能となっている。
ガス供給部３は、チャンバ２内のウェハＷに原料ガスを供給する。ガス供給部３は、複数のガスを個別に貯留する複数のガス貯留部３ａと、これらガス貯留部３ａと原料放出部４とを接続する複数のガス管３ｂと、これらガス管３ｂを流れるガスの流量を調整する複数のガスバルブ３ｃとを有する。各ガスバルブ３ｃは、対応するガス管３ｂに接続されている。複数のガスバルブ３ｃは、制御部１２により制御される。実際の配管は、複数のガス管を結合したり、１本のガス管を複数のガス管に分岐したり、ガス管の分岐や結合を組み合わせるなどの複数の構成を取りうる。
原料放出部４は、チャンバ２の上部に位置する。ガス供給部３から供給される原料ガスは、原料放出部４を通って、チャンバ２内に放出される。チャンバ２内に放出された原料ガス（プロセスガス）は、ウェハＷ表面に供給され、これにより、ウェハＷ表面に所望の膜が形成される。なお、使用する原料ガスの種類は、特に限定されない。成膜する膜の種類により原料ガスは種々変更されうる。
原料放出部４の底面側には、シャワープレート４ａが設けられている。シャワープレート４ａは、ステンレス鋼およびアルミニウム合金等の金属材料を用いて構成することができる。複数のガス管３ｂからのガスは、原料放出部４内で混合されて、シャワープレート４ａのガス噴出口４ｂを通ってチャンバ２内に供給される。原料放出部４にガス流路を複数設け、複数種類のガスを分離しノズル等を用いてチャンバ２内のウェハＷに供給してもよい。
原料放出部４の構造は、成膜された膜の面内均一性、供給された原料ガスの消費効率、再現性、製作コストなどを勘案して選定されるべきであるが、これらの要求を満たすものであれば特に限定されるものではなく、公知の構造のものを適宜用いることもできる。
サセプタ５は、チャンバ２内でウェハＷを支持する。サセプタ５は、サセプタ５を保持して回転する回転部６の上部に設けられている。サセプタ５は、サセプタ５の内周側に設けられた座ぐり内にウェハＷを載置して支持する構造を有する。なお、図１に示される例において、サセプタ５は、その中央に開口部を有する環状形状を有するが、これに限定されず、サセプタ５は、開口部のない略平板形状を有してもよい。また、複数のパーツが組み合わされたものであってもよい。
ヒータ７は、サセプタ５およびウェハＷを加熱する。ヒータ７は、チャンバ２内に搬入されたウェハＷを加熱する。ヒータ７には、カーボン等で構成される抵抗加熱式ヒータが用いられる。
ヒータ駆動部８は、ヒータ７に電力を供給することでヒータ７を駆動する。例えば、ヒータ駆動部８は、ヒータ７に対して電源電圧を供給してヒータ７に電流を流し、ヒータ７を発熱させる。ヒータ駆動部８は、ヒータ７を駆動できるものであれば、具体的な態様は特に限定されない。例えば、ヒータ駆動部８は、変圧器と、変圧器の一次側に接続された一次回路と、変圧器の二次側に接続された二次回路とを有していてもよい。一次回路は、サイリスタを有し、一次回路には例えば商用電源電圧が印加されてもよい。変圧器は、一次回路側の交流電圧と、二次回路側の交流電圧との電圧変換を行ってもよい。ヒータは二次回路に接続されていてもよい。また、二次回路には、電圧計と電流計とが接続されていてもよい。電圧計は、ヒータに印加する電圧を測定し、電流計は、ヒータに流れる電流を測定してもよい。電圧計と電流計の測定値は、制御部１２に供給されてもよい。
ガス排出部９は、チャンバ２内のガスを排出する。排気機構１０は、ガス排出部９からガスを排気する。排気機構１０は、ガス排出部９を介してチャンバ２の内部から反応後の原料ガスを排気し、排気バルブ１０ａと真空ポンプ１０ｂにより、チャンバ２内を所望の圧力に制御する。
放射温度計１１は、ウェハＷの温度を測定する。放射温度計１１は、原料放出部４の上面に設けられている。放射温度計１１は、不図示の光源からの光をウェハＷに照射し、ウェハＷからの反射光を受光して、ウェハＷの反射光強度を測定する。また、放射温度計１１は、ウェハＷの膜成長面からの熱輻射光を受光して、熱輻射光強度を測定する。図１では、一つの放射温度計１１のみを図示しているが、複数の放射温度計１１を原料放出部４の上面に配置して、ウェハＷの膜成長面の複数箇所（例えば、中央側と外周側）の温度を計測するようにしてもよい。
原料放出部４の上面には、光透過窓（図示せず）が設けられている。放射温度計１１の光源からの光と、ウェハＷからの反射光および熱輻射光は、光透過窓を通過する。光透過窓は、スリット形状、矩形状、または円形状などの任意の形状を取り得る。光透過窓には、放射温度計１１で計測される光の波長範囲に対して透明な部材を用いる。例えば、室温から１５００℃程度の温度を測定する場合には、可視領域から近赤外領域の光の波長を計測するのが好ましく、その場合には光透過窓の部材としては石英などが好適に用いられる。放射温度計１１によるウェハＷの温度の測定結果は、温度調節器として機能する制御部１２が、ウェハＷの温度に基づいてヒータ駆動部８によるヒータ７への電力供給を制御することに用いられる。
制御部１２は、成膜装置１を集中的に制御するコンピュータ（不図示）と、プロセス制御プログラムや装置履歴などを記憶する記憶部（不図示）とを備えている。制御部１２は、記憶部に記憶されたプロセス制御プログラムを実行することで、ガス供給部３や回転部６の回転機構、排気機構１０、ヒータ７によるウェハＷの加熱などを制御する。制御部１２は、ヒータ７を、放射温度計１１により測定された温度を所望の温度に維持する出力や、予め求められた一定出力となるように制御する。
制御部１２は、さらにヒータ７の寿命を予測し、必要に応じて寿命が近いことをユーザに通知する。
以下、ヒータ７の寿命の予測方法について説明する。
図２は、ウェハＷの処理のステップ全体のウェハ温度と皮相電力を示す図である。図２に示すように、ウェハＷの処理は、搬入ステップ、昇温ステップ、成膜ステップ、降温ステップおよび搬出ステップの一連の処理ステップで構成される。搬入ステップは、チャンバ２に成膜対象のウェハＷを搬入するステップである。昇温ステップは、ヒータ７によってウェハＷを加熱することでウェハＷの温度を上昇させるステップである。成膜ステップは、ウェハＷに成膜を行うステップである。例えば、成膜ステップでは、加熱されたウェハＷの表面において、チャンバ２内に供給された原料ガスの化学反応が生じることで、ウェハＷ表面にエピタキシャル膜が形成される。降温ステップは、ヒータ７の出力をゼロ、または非常に小さくすることでウェハＷの温度を下降させるステップである。搬出ステップは、ヒータ７の出力を一定に制御しチャンバ２からウェハＷを搬出するステップである。
本発明者らが図１と同様の構成を有する成膜装置で複数枚のウェハＷを連続して枚葉処理したところ、処理ステップ（すなわち、搬入ステップ、昇温ステップ、成膜ステップ、降温ステップ、および搬出ステップ）によっては、異なるウェハＷの成膜処理間（ラン間）においてヒータ７の抵抗値にばらつきが生じることが確認された。
搬入ステップと昇温ステップにおいては、図３に示すように、最初の１枚目の成膜処理と、チャンバ２内が保温されている状態で搬送された２枚目以降の成膜処理とで同一時刻におけるウェハＷの温度が異なっている。これは直前の成膜処理においておよそ８００℃から１６００℃に及ぶ昇温をしたことによって、チャンバ２内の反射板や断熱材の温度が高い状態となっているためと考えられる。最初の１枚目の成膜処理と、それ以降の成膜処理とで同時刻におけるウェハＷの温度が異なることは、同時刻のヒータ７の温度も異なることを示唆している。ヒータの抵抗値はヒータ温度に依存するため、ヒータ７の抵抗値のばらつきは、同時刻のヒータ７の温度が異なることによると考えられる。
また、他のヒータの抵抗値のばらつきの要因としては、ウェハの個体差が考えられる。例えば、ウェハの反り、ウェハのキャリア濃度、もしくはそれらの面内分布等に差が生じている場合は、ウェハとサセプタとの接触、またはウェハにおける赤外線吸収係数のばらつき、もしくはこれらの双方が生じている可能性があり、この結果、温度調節器を介したウェハ温度制御におけるヒータ出力のばらつきを生じることが考えられる。したがって、ウェハＷの温度制御を適用した成膜ステップにおいては、ヒータ７の抵抗値にばらつきが生じる。
降温ステップにおいては、ウェハＷの温度はウェハＷ間で同じ挙動を示すが、ヒータ７をＯＦＦにして降温させることから、ヒータ７の皮相電力が０［ｋＶＡ］または非常に小さな値となり、ヒータ７の抵抗値を計算することができない、もしくは計算精度が著しく悪くなる。一方、搬出ステップにおいては、ヒータ７は一定の出力になるように出力制御されており、異なるウェハＷの成膜処理間（ラン間）でのヒータ７の温度のばらつきが小さく、ヒータ７の抵抗値の変動も小さい。すなわち、一定出力制御された搬出ステップにおいてヒータの寿命を予測することが好適であるといえる。
図４～図６に、いずれも搬出ステップにおいて算出されたヒータの抵抗値、抵抗増加量、および抵抗増加率の変化をそれぞれ示す。図４は、比較例として、ヒータ毎のラン数（処理回数）に応じた抵抗値の変化を示すグラフである。図５は、本実施形態によるヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加量の変化を示すグラフである。図６は、本実施形態によるヒータ毎のラン数に応じた抵抗増加率の変化を示すグラフである。図４～図６は、いずれもヒータが破断に至る直前までのデータを示しており、横軸は破断に至る直前のラン数を１とした際の相対値としている。
図４に示すように、ヒータの抵抗値を用いた場合は、異なるヒータ間における抵抗値の初期値にずれが生じていることで、破断に至る直前のヒータ抵抗値にばらつきが生じている。このように、ヒータの寿命の予測に単にヒータの抵抗値を用いた場合は、ヒータの製作時の寸法公差等の要因から抵抗値の初期値が異なるため、一義的に閾値を設定することはできない。一方で、図５および図６に示すように、抵抗増加量または抵抗増加率を用いた場合には、異なるヒータ間における抵抗値の初期値のばらつきの影響を排除することができ、適切なヒータ破断（寿命）となる抵抗増加量または抵抗増加率の閾値を設定することができる。また、抵抗増加量または抵抗増加率の変化と閾値を照合することにより、ヒータ破断となるラン数（ヒータの寿命）を予測することができる。なお、寿命に到達する前に、例えば、図６に示すように、注意レベルの閾値を０．１１３、警報レベルの閾値を０．１２７などと設定することができる。ここでの閾値の設定基準は、破断直前の抵抗増加率が最も小さい事例の数値（本事例では事例３の数値）に対して、注意レベルを８５％、警報レベルを９５％としている。これらの閾値は、ヒータの破断に対するリスクを考慮して低めに設定したり、生産コストを低減することを期待して高めに設定したりと、ユーザが任意に設定することができる。閾値を注意レベルと警戒レベルの２段階に分けて設定することにより、ユーザに対して十分な注意喚起を促すことができる。以上のように、適切なヒータ破断の閾値を設定することで、ヒータの寿命を予測することができる。
また、例えば、基材の表面に成膜された導電性の薄膜（例えば、熱分解黒鉛および熱分解窒化ホウ素）から構成されるヒータの場合、薄膜の厚みのばらつきによって抵抗値の初期値が１０％、２０％と容易に変化することから、抵抗変化量が１．１倍、１．２倍と変化する場合がある。このような場合、図７、図８に示すように、抵抗値、抵抗増加量の変化は、事例によって異なる。しかし、図９に示すように、抵抗増加率の変化を用いることにより、上述に起因するヒータの個体差の影響を排除することができ、適切なヒータ破断の閾値を設定することができる。例えば、注意レベルの閾値を０．１６３、警報レベルの閾値を０．１８２などと設定することができる。
図１０は、本実施形態によるヒータ寿命予測方法を示すフローチャートである。以上の知見に基づいて、本実施形態において、制御部１２は、搬出ステップ中に抵抗増加率を算出し、算出された抵抗増加率に基づいてヒータ７の寿命を予測する。具体的なヒータ７の寿命の予測方法は、以下のとおりである。
図１０は、本実施形態によるヒータ寿命予測方法を示すフローチャートである。
先ず、図１０に示すように、制御部１２は、ウェハＷの処理の進行状況に基づいてウェハＷの搬出ステップの開始を検知する（ステップＳ１）。
搬出ステップの開始を検知した後、制御部１２は、ヒータ７の抵抗値を算出する（ステップＳ２）。
ヒータ７の抵抗値を算出した後、制御部１２は、算出されたヒータ７の抵抗値と、予め算出されているヒータ７の抵抗値の初期値との差分を計算することで、抵抗増加量を算出する（ステップＳ３）。
抵抗増加量を算出した後、制御部１２は、抵抗増加量をヒータ７の抵抗値の初期値で除することで、抵抗増加率を算出する（ステップＳ４）。なお、ステップＳ２～ステップＳ４の処理は、1つのステップで行われてよい。
抵抗増加率を算出した後、制御部１２は、抵抗増加率が予め設定された第１の閾値を初めて超えたか否かを判定する（ステップＳ５）。第１の閾値は、例えば、上述した注意レベルの閾値である。
抵抗増加率が第１の閾値を初めて超えた場合（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、制御部１２は、ヒータ７が寿命に近いことを予測して、第１の通知処理をユーザに行う（ステップＳ６）。制御部１２は、例えば、制御部１２に接続された不図示のアラーム音源や表示装置などを用いて第１の通知処理を行う。第１の通知処理は、例えば、アラーム音源を鳴動させて、音声により、ヒータ７の破断時期が近いことを注意喚起すること、あるいは、表示装置に、ヒータ７の破断時期が近いことを表示して注意喚起することである。
一方、抵抗増加率が第１の閾値を超えていない場合（ステップＳ５：Ｎｏ『＜第１の閾値』）、制御部１２は、再び搬出ステップの開始を検知した後にヒータ７の抵抗値の算出を繰り返す（ステップＳ２～ステップＳ４）。
第１の通知処理を行った後、制御部１２は、次の搬出ステップの開始の検知後に、ステップS５において、抵抗増加率が第１の閾値を初めて超えたわけではない場合（ステップＳ５：Ｎｏ『＞第１の閾値が初めてではない』）として、抵抗増加率が予め設定された第２の閾値を超えたか否かを判定する（ステップＳ７）。第２の閾値は、第１の閾値よりも大きい閾値であり、例えば、上述した警報レベルの閾値である。
抵抗増加率が第２の閾値を超えた場合（ステップＳ７：Ｙｅｓ）、制御部１２は、ヒータ７がさらに寿命に近いと予測して、第２の通知処理をユーザに行う（ステップＳ８）。制御部１２は、例えば、制御部１２に接続された不図示のアラーム音源や表示装置などを用いて第２の通知処理を行う。第２の通知処理では、ヒータ７の破断がより近づいたことが分かるような鳴動のさせ方や表示を行うことで、ヒータ７の寿命の終期がより近いことを報知することが考えられる。第２の通知処理ではヒータ駆動部８に対してヒータ７への電源供給を停止させてもよい。
一方、抵抗増加率が第２の閾値を超えていない場合（ステップＳ７：Ｎｏ）、制御部１２は、再び搬出ステップの開始を検知した後にヒータ７の抵抗値の算出を繰り返す（ステップＳ２～ステップＳ４）。
以上述べたように、本実施形態によれば、ヒータ７への出力制御が行われる搬出ステップにおいて抵抗増加率を算出し、算出された抵抗増加率に基づいて、ヒータ７の寸法公差および劣化傾向の個体差の影響を殆ど受けることなく、ヒータ７の寿命を高い精度で予測することができる。これにより、予期せぬヒータ７の破断を未然に防止し、ヒータ破断による不良品の発生や突発的な装置復旧の対応によるダウンタイムを抑制することができる。
本実施形態は、上述した例に限定されず、以下に示されるような様々な変形例に適用することができる。
（第１変形例）
ヒータ劣化の傾向が変化しない場合は、搬出ステップにおいて算出された抵抗増加量に基づいてヒータ７の寿命を予測してもよい。このとき、実施形態と同様に、抵抗増加量の閾値として複数の閾値を設定してユーザへの通知を行ってもよい。実施形態と同様に、ヒータ７の寿命を高精度に予測することができる。
（第２変形例）
一定の条件下であれば、抵抗算出が搬出ステップ以外であってもよい。例えば成膜ステップにおいて、ヒータを一定出力制御する期間がある場合、一定出力制御期間において、成膜ステップにおいて算出されたヒータ７の抵抗増加率または抵抗増加量に基づいてヒータ７の寿命を予測することができる。この場合においても、実施形態と同様に、ヒータ７の寿命を高精度に予測することができる。
（第３変形例）
また、降温ステップにおいてヒータ出力をゼロではなく例えば、段階的に減少させるように、異なるウェハＷの処理間でヒータ７を一定出力制御する場合、降温ステップにおいて算出されたヒータ７の抵抗増加率または抵抗増加量に基づいてヒータ７の寿命を予測することができる。この場合においても、実施形態と同様に、ヒータ７の寿命を高精度に予測することができる。また、ヒータ７出力を段階的に減少させることで、炉内環境を緩やかに変化させ、ウェハＷに生じる負荷を抑制することができる。これにより、ウェハＷ面内の温度差による熱応力に起因するウェハＷの変形を低減できる。
上述の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。なお、成膜装置を実施形態として説明したが、抵抗加熱ヒータを備えた加熱処理装置であれば適用することができ、これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１ 成膜装置、２ チャンバ、７ ヒータ、１２ 制御部

Claims (4)

  1. 基板の処理が行われる処理室と、前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、を備える半導体製造装置における前記ヒータの寿命を予測することを備え、
    前記ヒータの寿命の予測は、
    異なる基板への前記処理の間において前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程に前記ヒータへの供給電力を皮相電力が一定に維持されるように出力制御を行う期間中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分を前記初期値で除した抵抗増加率を算出し、
    前記算出された抵抗増加率が、注意レベルおよび警報レベルの複数の閾値のうちいずれかの閾値を初めて超えた場合に、超えた閾値に該当する通知をユーザに行うことにより、前記ヒータの寿命を予測する、
    ことを備えるヒータ寿命予測方法。
  2. 前記ヒータの寿命は、
    前記抵抗増加率と、予め設定された閾値との関係により予測されることを備える、請求項１に記載のヒータ寿命予測方法。
  3. 基板の処理が行われる処理室と、
    前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、
    前記ヒータの寿命を予測する寿命予測部と、を備え、
    前記寿命予測部は、
    異なる基板への前記処理の間において前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程に前記ヒータへの供給電力を皮相電力が一定に維持されるように出力制御を行う期間中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分を前記初期値で除した抵抗増加率を算出し、
    前記算出された抵抗増加率が、注意レベルおよび警報レベルの複数の閾値のうちいずれかの閾値を初めて超えた場合に、超えた閾値に該当する通知をユーザに行うことにより、前記ヒータの寿命を予測する、
    加熱処理装置。
  4. コンピュータに、
    基板の処理が行われる処理室と、前記処理室に搬入された前記基板を加熱するヒータと、を備える加熱処理装置における前記ヒータの寿命を予測する手順であって、
    異なる基板への前記処理の間において前記基板を前記処理室から搬出する搬出工程に前記ヒータへの供給電力を皮相電力が一定に維持されるように出力制御を行う期間中に、前記ヒータの抵抗値と前記抵抗値の初期値との差分を前記初期値で除した抵抗増加率を算出し、
    前記算出された抵抗増加率が、注意レベルおよび警報レベルの複数の閾値のうちいずれかの閾値を初めて超えた場合に、超えた閾値に該当する通知をユーザに行うことにより、前記ヒータの寿命を予測すること、
    を備える手順を実行させるための、ヒータ寿命予測プログラム。
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