JP7779093B2 - 慣性計測装置 - Google Patents

Description

本発明は、慣性計測装置に関する。

加速度センサーや角速度センサーなどの慣性センサーを有する慣性センサーモジュールを備えた慣性計測装置が知られている。慣性計測装置は、様々な電子機器や機械に組み込まれ、または自動車などの移動体に搭載され、角速度や角速度などの慣性量のモニタリングを行うことに用いられる。

例えば特許文献１では、封止樹脂により樹脂封止された慣性センサーを備えたセンサーデバイスを有するセンサーユニットが記載されている。

特開２０１７－４９１２２号公報

上記のような封止樹脂に外部から水分が侵入すると封止樹脂の応力が変動する場合がある。封止樹脂の応力が変動すると、慣性センサーが変形し、センサーデバイスの計測に影響を及ぼす。

本発明に係る慣性計測装置の一態様は、
基板と、
封止部材と、
第１慣性センサーと、前記第１慣性センサーを収容する第１パッケージと、を含む第１慣性センサーモジュールと、
第２慣性センサーと、前記第２慣性センサーを収容する第２パッケージと、を含む第２慣性センサーモジュールと、
を備え、
前記第１パッケージの材質は、樹脂を含み、
前記第２パッケージの材質は、樹脂ではなく、
前記第１慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の空間に収容されることで気密封止され、
前記第２慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の前記空間の外側に設けられる。

第１実施形態に係る慣性計測装置を模式的に示す図。 第１実施形態に係る慣性計測装置の製造工程を模式的に示す図。 第１実施形態に係る慣性計測装置の製造工程を模式的に示す図。 第１実施形態の変形例に係る慣性計測装置を模式的に示す図。 第２実施形態に係る慣性計測装置を模式的に示す図。 第２実施形態に係る慣性計測装置の製造工程を模式的に示す図。 第２実施形態に係る慣性計測装置の製造工程を模式的に示す図。 第２実施形態の変形例に係る慣性計測装置を模式的に示す図。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 第１実施形態
１．１． 慣性計測装置
まず、第１実施形態に係る慣性計測装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る慣性計測装置１００を模式的に示す図である。

慣性計測装置１００は、図１に示すように、例えば、基板１０と、端子１６と、キャップ３０と、第１慣性センサーモジュール４０と、第２慣性センサーモジュール５０と、半導体素子６０と、電子部品６２と、を備える。

基板１０は、第１基板１２と、第２基板１４と、を有している。第１基板１２は、例えば、酸化アルミニウムなどのセラミック基板である。第１基板１２は、複数のセラミック層が積層されて構成されていてもよいし、１層のセラミック層で構成されていてもよい。

第２基板１４は、第１基板１２上に設けられている。第２基板１４は、第１基板１２と第１慣性センサーモジュール４０との間に設けられている。第２基板１４は、例えば、半田によって、第１基板１２に接合されている。第１基板１２の上面の垂線Ｐ方向からみて、第２基板１４の面積は、第１基板１２の面積よりも小さい第２基板１４は、板状部材１５を備える。板状部材１５は、例えば、酸化アルミニウムなどのセラミック基板である。板状部材１５は、複数のセラミック層が積層されて構成されていてもよいし、１層のセラミック層で構成されていてもよい。また、第２基板１４は凹部を有してもよいし、この場合、第２基板１４は複数のセラミック層が積層されて構成されてもよい。

端子１６は、第１基板１２の下に設けられている。端子１６は、第１基板１２から突出している。端子１６は、複数設けられている。端子１６の数は、特に限定されない。端子１６の材質は、例えば、銅、アルミニウム、金などの金属である。慣性計測装置１００は、端子１６によって、図示せぬ外部部材に搭載可能である。

第２基板１４は、端子電極２０を備える。端子電極２０は、板状部材１５を垂線Ｐ方向に貫通している。具体的には、板状部材１５には貫通孔が設けられ、端子電極２０は、該貫通孔に設けられている。端子電極２０は、複数設けられている。端子電極２０の数は、特に限定されない。端子電極２０の材質は、例えば、銀、銀パラジウム、白金銀、銅などの金属である。

キャップ３０は、特許請求の範囲における封止部材である。キャップ３０は、基板１０上に設けられている。図示の例は、キャップ３０は、第２基板１４上に設けられている。キャップ３０は、例えば、半田によって、第２基板１４に接合されている。キャップ３０の形状は、下方が開放されたケース状である。キャップ３０の材質は、例えば、アルミニウム、ステンレスなどの金属である。キャップ３０は、例えば、金属材料をプレス成型することによって形成される。また、第２基板１４が凹部を有する場合には、キャップ３０は平板であってもよい。すなわち、キャップ３０は凹部を有していなくてもよい。

キャップ３０は基板１０とともに、第１慣性センサーモジュール４０を気密封止している。図示の例では、第１慣性モジュールは、基板１０とキャップ３０との間の空間３２に収容される。具体的には、第２基板１４と、キャップ３０と、で囲まれる空間３２が気密封止され、空間３２に第１慣性センサーモジュール４０が位置している。キャップ３０は、空間３２の気密性を保持した状態で、第１慣性センサーモジュール４０を封止している。

第１慣性センサーモジュール４０は、基板１０上に設けられている。図示の例では、第１慣性センサーモジュール４０は、第２基板１４上に設けられている。第１慣性センサーモジュール４０は、例えば、半田によって、第２基板１４に接合されている。第１慣性センサーモジュール４０は、キャップ３０の内側に位置している。

第１慣性センサーモジュール４０は、第１慣性センサー４２を有している。第１慣性センサー４２は、加速度を検出する加速度センサーであってもよいし、角速度を検出するジャイロセンサーであってもよい。第１慣性センサーモジュール４０は、６ＤｏＦ（Six-degrees of freedom）センサーであってもよい。この場合、第１慣性センサーモジュール４０は、第１慣性センサー４２の他に、図示しない複数の慣性センサーを有する。これにより、第１慣性センサーモジュール４０は、互いに直交する３軸を検出軸として、加速度および角速度を検出することができる。第１慣性センサー４２は、例えば、シリコンＭＥＭＳ（Micro Electric Mechanical Device）である。

第１慣性センサーモジュール４０は、第１パッケージ４４を有している。第１パッケージ４４は、第１慣性センサー４２を収容している。第１パッケージ４４は、第１慣性センサーモジュール４０の外形を成型している。第１パッケージ４４の材質は、樹脂を含む。具体的には、第１パッケージ４４の外側の材質は、エポキシ樹脂である。第１パッケージ４４のうち、樹脂の内側は、ガラスやシリコンなど無機材料であってもよい。

第１慣性センサーモジュール４０は、例えば、２つ設けられている。２つの第１慣性センサーモジュール４０で検出された検出値を平均化することにより、第１慣性センサーモジュール４０が１つしか設けられていない場合に比べて、慣性計測装置１００の検出精度を高めることができる。なお、第１慣性センサーモジュール４０の数は、特に限定されず、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。

第２慣性センサーモジュール５０は、基板１０上に設けられている。図示の例では、第２慣性センサーモジュール５０は、第１基板１２上に設けられている。第２慣性センサーモジュール５０は、例えば、半田によって、第１基板１２に接合されている。第２慣性センサーモジュール５０は、キャップ３０の外側に位置している。第２慣性センサーモジュール５０は、第２基板１４と離間している。

第２慣性センサーモジュール５０は、第２慣性センサー５２を有している。第２慣性センサー５２の検出精度は、例えば、第１慣性センサー４２の検出精度よりも高い。第２慣性センサー５２は、例えば、水晶ジャイロセンサーである。なお、第２慣性センサー５２は、加速度センサーであってもよい。また、第２慣性センサーモジュール５０は、第２慣性センサー５２の他に、図示しない複数の慣性センサーを有していてもよい。

第２慣性センサーモジュール５０は、第２パッケージ５４を有している。第２パッケージ５４は、第２慣性センサー５２を収容している。第２パッケージ５４は、第２慣性センサーモジュール５０の外形を成型している。第２パッケージ５４の外側の材質は、樹脂ではない。第２パッケージ５４の材質は、樹脂よりも水分を透過し難い無機材料である。第２パッケージ５４の材質は、例えば、セラミック、金属である。

半導体素子６０は、基板１０上に設けられている。図示の例では、半導体素子６０は、第１基板１２上に設けられている。半導体素子６０は、例えば、半田によって、第１基板１２に接合されている。半導体素子６０は、キャップ３０の外側に位置している。半導体素子６０は、第２基板１４と離間している。半導体素子６０は、ＩＣ（Integrated Circuit）を含んで構成されている。

半導体素子６０は、第１慣性センサー４２を駆動させる。半導体素子６０は、例えば、第１基板１２上に設けられた図示しない配線、および端子電極２０を介して、第１慣性センサー４２と電気的に接続されている。半導体素子６０は、例えば、第１基板１２を貫通する図示しないビアを介して、端子１６と電気的に接続されている。さらに、半導体素子６０は、第２慣性センサー５２を駆動させる。半導体素子６０は、例えば、第１基板１２上に設けられた図示しない配線を介して、第２慣性センサー５２と電気的に接続されている。

なお、半導体素子６０は、第２慣性センサー５２と電気的に接続されていなくてもよい。この場合、慣性計測装置１００は、第２慣性センサー５２と電気的に接続された図示しない半導体素子を含む。

電子部品６２は、基板１０上に設けられている。図示の例では、電子部品６２は、第１基板１２上に設けられている。電子部品６２は、例えば、半田によって、第１基板１２に接合されている。電子部品６２は、キャップ３０の外側に位置している。電子部品６２の数は、特に限定されない。電子部品６２は、例えば、第１基板１２を貫通する図示しないビアを介して、端子１６と電気的に接続されている。電子部品６２は、例えば、第１基板１２上に設けられた図示せぬ配線を介して、第１慣性センサー４２と電気的に接続されている。電子部品６２は、例えば、コンデンサーなどである。

１．２． 慣性計測装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る慣性計測装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２および図３は、第１実施形態に係る慣性計測装置１００の製造工程を模式的に示す図である。

図２に示すように、端子電極２０を備えた第２基板１４、キャップ３０、および第１慣性センサーモジュール４０を準備する。次に、第２基板１４に第１慣性センサーモジュール４０を接合させる。次に、第２基板１４にキャップ３０を接合させ、第１慣性センサーモジュール４０を気密封止する。

図３に示すように、端子１６が設けられた第１基板１２、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を準備する。次に、キャップ３０と第１慣性センサーモジュール４０とが設けられた第２基板１４、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を、第１基板１２に接合させる。なお、第２基板１４、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２の接合の順序は、特に限定されない。

以上の工程により、図１に示すような慣性計測装置１００を製造することができる。

１．３． 作用効果
慣性計測装置１００では、第１慣性センサーモジュール４０は、基板１０とキャップ３０（封止部材）との間の空間３２に収容されることで気密封止される。第２慣性センサーモジュール５０は、基板１０とキャップ３０（封止部材）との間の空間３２の外側に設けられる。

そのため、慣性計測装置１００では、第１慣性センサーモジュールが気密封止されていない場合に比べて、材質が樹脂を含む第１パッケージ４４に水分が侵入する可能性を小さくすることができる。これにより、慣性計測装置１００では、第１パッケージ４４に水分が侵入することにより第１パッケージ４４の応力が変動して第１慣性センサー４２が変形することを抑制することができる。したがって、第１慣性センサー４２は、良好な特性を有することができる。

さらに、慣性計測装置１００では、第２慣性センサーモジュールがキャップの内側に設けられている場合に比べて、キャップ３０の大きさを小さくすることができる。これにより、慣性計測装置１００では、低コスト化を図ることができる。

慣性計測装置１００では、基板１０は、第１基板１２と、第１慣性センサーモジュール４０と第１基板１２の間に配置された第２基板１４と、を有する。第１慣性センサーモジュール４０は、第２基板１４とキャップ３０（封止部材）との間の空間３２に収容され、第２慣性センサーモジュール５０は、第１基板１２上に設けられ、第２基板１４と離間している。そのため、慣性計測装置１００では、第２基板１４とキャップ３０とで、第１慣性センサーモジュール４０を容易に気密封止することができる。例えば、第２基板が設けらず、第１基板とキャップとで第１慣性センサーモジュールを気密封止する場合は、第１慣性センサーと電気的に接続される図示せぬ配線を、第１基板とキャップとの間で引き回さなければならないため、気密封止が困難になる。さらに、慣性計測装置１００では、第２慣性センサーモジュールが第２基板に設けられている場合に比べて、第２基板１４の大きさを小さくすることができる。これにより、低コスト化を図ることができる。

慣性計測装置１００では、第１慣性センサー４２を駆動させる半導体素子６０を備え、第２基板１４は、板状部材１５と、板状部材１５を貫通する端子電極２０と、を備え、半導体素子６０は、端子電極２０を介して、第１慣性センサー４２と電気的に接続されている。そのため、慣性計測装置１００では、第１慣性センサーモジュール４０を気密封止させつつ、半導体素子６０と第１慣性センサー４２とを電気的に接続させることができる。

慣性計測装置１００では、第２パッケージ５４の材質は、セラミックである。そのため、慣性計測装置１００では、第２慣性センサー５２に水分が侵入することを抑制することができる。

慣性計測装置１００では、第１慣性センサーモジュール４０は、互いに直交する３軸を検出軸とする。そのため、慣性計測装置１００では、互いに直交する３軸を検出軸として、慣性量を検出することができる。

慣性計測装置１００では、第１慣性センサーモジュール４０は、加速度および角速度を検出する。そのため、慣性計測装置１００では、互いに直交する３軸を検出軸として、加速度および角速度を検出することができる。

慣性計測装置１００では、第２慣性センサー５２の検出精度は、第１慣性センサー４２の検出精度よりも高い。そのため、慣性計測装置１００では、第２慣性センサー５２によって、高い精度で慣性量を検出することができる。

１．４． 変形例
次に、第１実施形態の変形例に係る慣性計測装置について、図面を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態の変形例に係る慣性計測装置１１０を模式的に示す図である。以下、第１実施形態の変形例に係る慣性計測装置１１０において、上述した慣性計測装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

慣性計測装置１１０では、図４に示すように、モールド樹脂７０を備える点において、上述した慣性計測装置１００と異なる。

モールド樹脂７０は、第１基板１２、第２基板１４、キャップ３０、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を覆っている。図示の例では、モールド樹脂７０は、第１基板１２の側面および下面を覆っている。端子１６は、モールド樹脂７０から突出している。モールド樹脂７０の材質は、例えば、エポキシ樹脂である。モールド樹脂７０は、例えば、スピンコート法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによって形成される。

慣性計測装置１００では、キャップ３０および第２慣性センサーモジュール５０を覆うモールド樹脂７０を備える。そのため、慣性計測装置１００では、キャップ３０および第２慣性センサーモジュール５０に加えられる外的なダメージを低減させることができる。これにより、キャップ３０および第２慣性センサーモジュール５０の破損や脱落を抑制することができる。なお、外的なダメージとしては、図示せぬ外部部材との接触などが挙げられる。

２． 第２実施形態
２．１． 慣性計測装置
次に、第２実施形態に係る慣性計測装置について、図面を参照しながら説明する。図５は、第２実施形態に係る慣性計測装置２００を模式的に示す図である。以下、第２実施形態に係る慣性計測装置２００において、上述した慣性計測装置１００，１１０の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

上述した慣性計測装置１００では、図１に示すように、第２基板１４およびキャップ３０は、第１慣性センサーモジュール４０を気密封止していた。

これに対し、慣性計測装置２００では、図５に示すように、キャップ３０は、設けられておらず、第１慣性センサーモジュール４０は、基板１２の凹部１８と第３基板１４との間の空間３２に収容されることで気密封止される。第３基板１４は、特許請求の範囲における封止部材である。

基板１２には、凹部１８が設けられている。凹部１８は、基板１２の上面に設けられている。図示の例では、基板１２は、５層のセラミック層２で構成されている。５層のセラミック層２のうちの、下から３層目、４層目、および５層目のセラミック層２の一部を除去することにより、凹部１８が形成されている。セラミック層２は、例えば、酸化アルミニウム層である。セラミック層２の数は、特に限定されない。

第２基板１４は、凹部１８を塞いでいる。凹部１８が設けられた空間３２は、基板１２と第３基板１４により気密封止されている。第３基板１４は、互いに反対方向を向く第１面１４ａおよび第２面１４ｂを有している。第３基板１４は、第１面１４ａを第１基板１２に向けて、基板１２に接合されている。図示の例では、第３基板１４は、３層のセラミック層４で構成されている。セラミック層４は、例えば、酸化アルミニウム層である。セラミック層４の数は、特に限定されない。

第１慣性センサーモジュール４０は、第３基板１４の第１面１４ａ上に設けられている。図示の例では、第１慣性センサーモジュール４０は、１つだけ設けられている。第１慣性センサーモジュール４０は、空間３２に位置している。図示の例では、４つの電子部品６２が設けられている。４つの電子部品６２のうち２つの電子部品６２は、第２基板１４の第１面１４ａ上に設けられて、空間３２に位置している。他の２つの電子部品６２は、基板１２上に設けられて、空間３２に位置していない。

半導体素子６０は、第２基板１４の第２面１４ｂ上に設けられている。半導体素子６０は、凹部１８に位置していない。なお、図示はしないが、半導体素子６０は、基板１２上に設けられていてもよい。

２．２． 慣性計測装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る慣性計測装置２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６および図７は、第２実施形態に係る慣性計測装置２００の製造工程を模式的に示す図である。

図６に示すように、端子電極２０を備えた第３基板１４、第１慣性センサーモジュール４０、および電子部品６２を準備する。次に、第３基板１４の第１面１４ａに、第１慣性センサーモジュール４０および電子部品６２を接合させる。次に、第３基板１４の第２面１４ｂに、半導体素子６０を接合させる。なお、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２の接合の順序は、特に限定されない。

図７に示すように、凹部１８が設けられた基板１２、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を準備する。次に、第１慣性センサーモジュール４０と電子部品６２とが設けられた第３基板１４、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を、基板１２に接合させる。第３基板１４は、第１面１４ａを基板１２に向けて接合され、凹部１８を気密封止する。なお、第３基板１４、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２の接合の順序は、特に限定されない。

以上の工程により、図５に示すような慣性計測装置２００を製造することができる。

２．３． 作用効果
慣性計測装置２００では、第１慣性センサーモジュール４０は、基板１２の凹部１８と第３基板１４との間の空間３２に収容されることで気密封止される。

そのため、慣性計測装置２００では、慣性計測装置１００と同様に、材質が樹脂を含む第１パッケージ４４に水分が侵入する可能性を小さくすることができる。さらに、慣性計測装置２００では、第２慣性センサーモジュールが基板の凹部と第３基板との間の空間に位置する場合に比べて、第３基板１４の大きさを小さくすることができる。これにより、慣性計測装置２００では、低コスト化を図ることができる。

２．４． 変形例
次に、第２実施形態の変形例に係る慣性計測装置について、図面を参照しながら説明する。図８は、第２実施形態の変形例に係る慣性計測装置２１０を模式的に示す図である。以下、第２実施形態の変形例に係る慣性計測装置２１０において、上述した慣性計測装置１００，１１０，２００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。

慣性計測装置２１０では、図８に示すように、モールド樹脂７０を備える点において、上述した慣性計測装置２００と異なる。

慣性計測装置２１０では、モールド樹脂７０は、基板１２、第３基板１４、端子電極２０、第２慣性センサーモジュール５０、半導体素子６０、および電子部品６２を覆っている。

慣性計測装置２１０では、上記のように、基板１２、第３基板１４、第２慣性センサーモジュール５０を覆うモールド樹脂７０を備える。そのため、慣性計測装置２１０では、基板１２、第３基板１４、第２慣性センサーモジュール５０に加えられる外的なダメージを、慣性計測装置１１０と同様に、低減させることができる。

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。

慣性計測装置の一態様は、
基板と、
封止部材と、
第１慣性センサーと、前記第１慣性センサーを収容する第１パッケージと、を含む第１慣性センサーモジュールと、
第２慣性センサーと、前記第２慣性センサーを収容する第２パッケージと、を含む第２慣性センサーモジュールと、
を備え、
前記第１パッケージの材質は、樹脂を含み、
前記第２パッケージの材質は、樹脂ではなく、
前記第１慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の空間に収容されることで気密封止され、
前記第２慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の前記空間の外側に設けられる。

この慣性計測装置によれば、材質が樹脂を含む第１パッケージに水分が侵入する可能性を小さくすることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記基板は、第１基板と、前記第１慣性センサーモジュールと前記第１基板の間に配置された第２基板と、を有し、
前記封止部材は、キャップであり、
前記第１慣性センサーモジュールは、前記第２基板と前記キャップとの間の前記空間に収容され、
前記第２慣性センサーモジュールは、前記第１基板に設けられ、前記第２基板と離間していてもよい。

この慣性計測装置によれば、第２基板と封止部材とによって、第１慣性センサーモジュールを容易に気密封止することができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記キャップおよび前記第２慣性センサーモジュールを覆うモールド樹脂を備えてもよい。

この慣性計測装置によれば、キャップおよび第２慣性センサーモジュールに加えられる外的なダメージを低減させることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第１慣性センサーを駆動させる半導体素子を備え、
前記第２基板は、板状部材と、前記板状部材を貫通する端子電極と、を備え、
前記半導体素子は、前記端子電極を介して、前記第１慣性センサーと電気的に接続されていてもよい。

この慣性計測装置によれば、第１慣性センサーモジュールを気密封止させつつ、半導体素子と第１慣性センサーとを電気的に接続させることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記基板には、凹部が設けられており、
前記封止部材は、第３基板であり、
前記第１慣性センサーモジュールは、前記基板の前記凹部と前記第３基板との間の前記空間に収容されることで気密封止されてもよい。

この慣性計測装置によれば、材質が樹脂を含む第１パッケージに水分が侵入する可能性を小さくすることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記基板、前記第３基板、および前記第２慣性センサーモジュールを覆うモールド樹脂を備えてもよい。

この慣性計測装置によれば、基板、第３基板、および第２慣性センサーモジュールに加えられる外的なダメージを低減させることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第１慣性センサーを駆動させる半導体素子を備え、
前記第３基板は、板状部材と、前記板状部材を貫通する端子電極と、を備え、
前記半導体素子は、前記端子電極を介して、前記第１慣性センサーと電気的に接続されていてもよい。

この慣性計測装置によれば、第１慣性センサーモジュールを気密封止させつつ、半導体素子と第１慣性センサーとを電気的に接続させることができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第２パッケージの材質は、セラミックであってもよい。

この慣性計測装置によれば、第２慣性センサーに水分が侵入することを抑制することができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第１慣性センサーモジュールは、互いに直交する３軸を検出軸としてもよい。

この慣性計測装置によれば、互いに直交する３軸を検出軸として、慣性量を検出することができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第１慣性センサーモジュールは、加速度および角速度を検出してもよい。

この慣性計測装置によれば、互いに直交する３軸を検出軸として、加速度および角速度を検出することができる。

慣性計測装置の一態様において、
前記第２慣性センサーの検出精度は、前記第１慣性センサーの検出精度よりも高くてもよい。

この慣性計測装置によれば、第２慣性センサーによって、高い精度で慣性量を検出することができる。

２，４…セラミック層、１０…基板、１２…第１基板，基板、１４…第２基板，第３基板、１４ａ…第１面、１４ｂ…第２面、１５…板状部材、１６…端子、１８…凹部、２０…端子電極、３０…キャップ、３２…空間、４０…第１慣性センサーモジュール、４２…第１慣性センサー、４４…第１パッケージ、５０…第２慣性センサーモジュール、５２…第２慣性センサー、５４…第２パッケージ、６０…半導体素子、６２…電子部品、７０…モールド樹脂、１００，１１０，２００，２１０…慣性計測装置

Claims (11)

1. 基板と、
   封止部材と、
   第１慣性センサーと、前記第１慣性センサーを収容する第１パッケージと、を含む第１慣性センサーモジュールと、
   第２慣性センサーと、前記第２慣性センサーを収容する第２パッケージと、を含む第２慣性センサーモジュールと、
   を備え、
   前記第１パッケージの材質は、樹脂を含み、
   前記第２パッケージの材質は、樹脂ではなく、
   前記第１慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の空間に収容されることで気密封止され、
   前記第２慣性センサーモジュールは、前記基板と前記封止部材との間の前記空間の外側で気密封止されることなく、前記基板上に設けられる、慣性計測装置。
2. 請求項１において、
   前記基板は、第１基板と、前記第１慣性センサーモジュールと前記第１基板の間に配置された第２基板と、を有し、
   前記封止部材は、キャップであり、
   前記第１慣性センサーモジュールは、前記第２基板と前記キャップとの間の前記空間に収容され、
   前記第２慣性センサーモジュールは、前記第１基板に設けられ、前記第２基板と離間している、慣性計測装置。
3. 請求項２において、
   前記キャップおよび前記第２慣性センサーモジュールを覆うモールド樹脂を備える、慣性計測装置。
4. 請求項２または３において、
   前記第１慣性センサーを駆動させる半導体素子を備え、
   前記第２基板は、板状部材と、前記板状部材を貫通する端子電極と、を備え、
   前記半導体素子は、前記端子電極を介して、前記第１慣性センサーと電気的に接続されている、慣性計測装置。
5. 請求項１において、
   前記基板には、凹部が設けられており、
   前記封止部材は、第３基板であり、
   前記第１慣性センサーモジュールは、前記基板の前記凹部と前記第３基板との間の前記空間に収容されることで気密封止される、慣性計測装置。
6. 請求項５において、
   前記基板、前記第３基板、および前記第２慣性センサーモジュールを覆うモールド樹脂を備える、慣性計測装置。
7. 請求項５または６において、
   前記第１慣性センサーを駆動させる半導体素子を備え、
   前記第３基板は、板状部材と、前記板状部材を貫通する端子電極と、を備え、
   前記半導体素子は、前記端子電極を介して、前記第１慣性センサーと電気的に接続されている、慣性計測装置。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項において、
   前記第２パッケージの材質は、セラミックである、慣性計測装置。
9. 請求項１ないし８のいずれか１項において、
   前記第１慣性センサーモジュールは、互いに直交する３軸を検出軸とする、慣性計測装置。
10. 請求項９において、
    前記第１慣性センサーモジュールは、加速度および角速度を検出する、慣性計測装置。
11. 請求項１ないし１０のいずれか１項において、
    前記第２慣性センサーの検出精度は、前記第１慣性センサーの検出精度よりも高い、慣性計測装置。