JP7646397B2

JP7646397B2 - ディスプレイ装置

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Publication number: JP7646397B2
Application number: JP2021036692A
Authority: JP
Inventors: ビュングクハン; チュンギユ
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-03-09
Filing date: 2021-03-08
Publication date: 2025-03-17
Anticipated expiration: 2041-03-08
Also published as: JP2021141067A; US20210280647A1; US20240040852A1; US11785807B2; CN113380857A; KR20210114094A; US12200978B2

Description

本発明は、ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には、高解像度において画質が改善されたディスプレイ装置に関する。

最近、ディスプレイ装置は、その用途が多様化されている。また、ディスプレイ装置の軽量化及び薄板化によって、その使用範囲が広範囲になっている傾向にある。

ディスプレイ装置において、有機発光ディスプレイ装置は、視野角が広く、コントラスト(contrast)に優れ、かつ応答速度が速いという長所を有しており、次世代ディスプレイ装置として脚光を浴びている。

一般に、有機発光ディスプレイ装置は、基板上に薄膜トランジスタ及び有機発光素子を形成し、有機発光素子が自ら発光して作動する。そのような有機発光ディスプレイ装置は、携帯電話のような小型製品のディスプレイ部で使用されたり、テレビのような大型製品のディスプレイ部で使用されたりもする。

しかし、そのような従来のディスプレイ装置は、解像度が高くなるにつれて、画素間距離が短くなり、画素間に混色が発生するという問題点が存在した。

本発明は、前記のような問題点を含め、多くの問題点を解決するためのものであって、高解像度において画質が改善されたディスプレイ装置を提供することを目的とする。しかし、このような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一観点によれば、基板上に互いに離隔して配置され、互いに異なる色を発光する第１画素、第２画素、及び第３画素と、前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素のそれぞれに対応する開口を含んで発光領域を定義する画素定義膜と、前記第１画素と前記第２画素との間の前記画素定義膜上に位置した第１ダム部と、前記第２画素と前記第３画素との間の前記画素定義膜上に位置した第２ダム部と、を備える、ディスプレイ装置が提供される。

本実施例によれば、前記第１画素、前記第２画素、及び前記第１ダム部は、第１方向に沿って配置され、前記第２画素、前記第３画素、及び前記第２ダム部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置されうる。

本実施例によれば、前記第１画素と前記第２画素との最短距離は、前記第１画素と前記第３画素との最短距離よりも短い。

本実施例によれば、前記第１画素と前記第２画素との最短距離は、１７μｍ未満であってもよい。

本実施例によれば、前記第１画素と前記第３画素との最短距離は、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、前記画素定義膜と同一物質を含んで一体に備えられてもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、前記画素定義膜と互いに異なる物質を含んでもよい。

本実施例によれば、前記画素定義膜上に配置されるスペーサをさらに含み、前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、スペーサと同一物質を含んでもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、逆テーパ状を有してもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部のそれぞれは、第１距離に離隔して配置された第１サブダム及び第２サブダムを含んでもよい。

本実施例によれば、前記第１距離は、１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。

本実施例によれば、前記第１サブダムと前記第２サブダムとの間に位置するバレー(Valley)をさらに含んでもよい。

本実施例によれば、平面上において、前記第１ダム部及び前記第２ダム部のそれぞれは方形であり、第１軸方向に８μｍ以上１２μｍ以下の第１幅を有し、前記第１軸と垂直な第２軸方向に４μｍ以上８μｍ以下の第２幅を有してもよい。

本実施例によれば、前記画素定義膜の前記開口と前記第１ダム部または前記第２ダム部との最短距離は、３μｍ以下であってもよい。

本実施例によれば、前記第１画素は、赤色光を発光し、前記第２画素は、緑光を発光し、前記第３画素は、青色光を発光することができる。

本実施例によれば、前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素は、それぞれ複数個備えられ、前記複数の第１画素及び前記複数の第２画素は、第３方向に沿って交互に配置され、前記複数の第２画素は、前記第３方向と交差する第４方向に沿って配置されうる。

本実施例によれば、前記第３方向に沿う前記第１ダム部と前記第２ダム部との最短距離は、３μｍ以下であってもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、それぞれ複数個備えられ、前記第４方向に沿う、前記複数の第１ダム部間の最短距離及び前記複数の第２ダム部間の最短距離は、３μｍ以下であってもよい。

本実施例によれば、前記第１ダム部及び前記第２ダム部の高さは、２μｍ以上であってもよい。

本実施例によれば、平面上において、前記第１ダム部及び前記第２ダム部のそれぞれは、短軸方向に突出した突出部を含んでもよい。

本実施例によれば、前記突出部は、前記短軸方向に沿う１μｍ以上５μｍ以下の第３幅を有し、長軸方向に沿う１μｍ以上５μｍ以下の第４幅を有してもよい。

本発明の他の観点によれば、基板上に互いに離隔して配置される第１色発光用第１画素電極及び第２色発光用第２画素電極と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれの中央部を露出させる第１開口及び第２開口を備え、前記第１開口及び前記第２開口によって発光領域を定義する画素定義膜と、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記画素定義膜上に配置される第１ダム部と、を備え、前記第１開口と前記第２開口との最短距離は、１７μｍ未満であるディスプレイ装置が提供される。

本実施例によれば、前記基板上に配置される第３色発光用第３画素電極と、前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の前記画素定義膜上に配置される第２ダム部と、をさらに含み、前記画素定義膜は、前記第３画素電極の中央部を露出させる第３開口を有し、前記第２開口と前記第３開口との最短距離は、１７μｍ未満であってもよい。

本実施例によれば、前記第１画素電極、前記第１ダム部及び前記第２画素電極は、第１方向に沿って配置され、前記第２画素電極、前記第２ダム部、及び前記第３画素電極は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置されうる。

前述したところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の発明を実施するための具体的な内容、請求範囲及び図面から明確になるであろう。

前述したようになされた本発明の一実施例によれば、高解像度において画質が改善されたディスプレイ装置を具現することができる。もちろん、そのような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。

本発明の一実施例によるディスプレイ装置を概略的に示す斜視図である。本発明の一実施例によるディスプレイパネルを概略的に示す平面図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置に含まれる画素の等価回路図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置に含まれる画素の等価回路図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の一画素の概略的な断面図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の一画素の概略的な断面図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。図５のＡ１－Ａ１’線に沿って見た概略的な断面図である。図５の変形例である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。図８のＡ２－Ａ２’線に沿って見た概略的な断面図である。図９の変形例である。図５の変形例である。図５の変形例である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す断面図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す断面図である。本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。

本発明は、多様な置換えを加えて様々な実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、そして、それらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、後述する実施例に限定されるものではなく、多様な形態によっても具現される。

以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明し、図面を参照して説明するとき、同一であるか、対応する構成要素は、同一である図面符号を付し、それらについての重複説明は省略する。

以下の実施例において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を、他の構成要素と区別する目的として使用された。

以下の実施例において、単数表現は、文脈上、明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施例において、「含む。」または「有する。」などの用語は、明細書上に記載された特徴、または構成要素が存在することを意味するものであり、１つ以上の他の特徴、または構成要素が付け加えられる可能性を予め排除するものではない。

以下の実施例において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上に、または上部にあるとするとき、他の部分の直上にある場合だけではなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。

以下の実施例において、膜、領域、構成要素などが接続されたとするとき、膜、領域、構成要素が直接接続された場合、または／及び膜、領域、構成要素中間に他の膜、領域、構成要素が介在されて間接的に接続された場合も含む。例えば、本明細書で膜、領域、構成要素などが電気的に接続されたとするとき、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続された場合、及び／またはその中間に他の膜、領域、構成要素などが介在されて間接的に電気的接続された場合を示す。

図面において、説明の便宜上、構成要素がその大きさが誇張または縮小されてもいる。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したものであって、本発明が必ずしも図示されたところに限定されない。

ある実施例が異なって具現可能な場合に、特定の工程順序は、説明順序とは異なって行われてもよい。例えば、連続して説明される２工程が、実質的に同時に行われてもよく、説明順序とは逆順にも進められる。

本明細書において、「Ａ及び／またはＢ」は、Ａであるか、Ｂであるか、ＡとＢである場合を示す。そして、「Ａ及びＢのうち、少なくとも１つ」は、Ａであるか、Ｂであるか、ＡとＢである場合を示す。

ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸は、直交座標系上の３軸に限定されず、それを含む広い意味として解釈されてもよい。例えば、ｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸は、互いに直交してもよいが、互いに直交しない互いに異なる方向を指称してもよい。

図１は、本発明の一実施例によるディスプレイ装置１を概略的に示す斜視図である。

図１を参照すれば、ディスプレイ装置１は、イメージを具現する表示領域ＤＡとイメージを具現しない非表示領域である周辺領域ＰＡを含む。ディスプレイ装置１は、表示領域ＤＡに配置された画素Ｐからの放出光を用いて外部にイメージを提供することができる。

図１では、表示領域ＤＡが方形であるディスプレイ装置１を図示しているが、本発明は、それに限定されない。表示領域ＤＡの形状は、円形、楕円形、または三角形や五角形のような多角形であってもよい。また、図１のディスプレイ装置１は、フラット(flat)状の平板ディスプレイ装置を図示するが、ディスプレイ装置１は、フレキシブル、ベンダブル、ホルダブル、ローラブル(flexible、bendable、foldable、rollable)ディスプレイ装置など多様な形態に具現されるということは言うまでもない。ディスプレイ装置１がフレキシブル、ベンダブル、ホルダブルに具現される場合、表示領域ＤＡの一部または全体がフレキシブル、ベンダブル、ホルダブルにも具現される。

図示されていないが、ディスプレイ装置１は、ディスプレイパネル１０（図２）の一側に位置したコンポーネント(component)（図示せず）を含んでもよい。コンポーネントは、光や音響を用いる電子要素であってもよい。例えば、電子要素は、赤外線センサーのように光を受光して用いるセンサー、光を受光してイメージを撮像するカメラ、光や音響を出力し、感知して距離を測定するか、指紋などを認識するセンサー、光を出力する小型ランプであるか、音を出力するスピーカなどであってもよい。

以下では、本発明の一実施例によるディスプレイ装置１として、有機発光ディスプレイ装置を例として説明するが、本発明のディスプレイ装置は、それに制限されない。他の実施例として、本発明のディスプレイ装置１は、無機発光ディスプレイ装置（Inorganic Light Emitting Displayまたは無機ＥＬディスプレイ装置）であるか、量子点発光ディスプレイ装置(Quantumdot Light Emitting Display)のようなディスプレイ装置であってもよい。例えば、ディスプレイ装置１に備えられた表示要素の発光層は、有機物を含んだり、無機物を含んだり、量子点を含んだり、有機物と量子点を含んだり、無機物と量子点を含んだりもする。

図２は、本発明の一実施例によるディスプレイパネル１０を概略的に示す平面図である。

図２を参照すれば、ディスプレイ装置１は、基板１００の表示領域ＤＡに配置された画素Ｐを含む。画素Ｐは、有機発光ダイオードＯＬＥＤのような表示要素を含んでもよい。画素Ｐは、複数個備えられ、有機発光ダイオードＯＬＥＤを通じて、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。本実施例において、画素Ｐは、実質的に副画素を意味し、表示領域ＤＡから画素Ｐは、少なくとも１つ以上グルーピング(grouping)されて一単位画素を構成することができる。

表示領域ＤＡは、薄膜封止層３００を通じてカバー(cover)されて外気または、水分などから保護されうる。薄膜封止層３００は、表示領域ＤＡの全面に対応するように一体に備えられ、周辺領域ＰＡ上にも一部配置されうる。薄膜封止層３００は、後述する第１スキャン駆動回路１２０、第２スキャン駆動回路１３０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０の一部または全部を覆うように備えられてもよい。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、水分及び酸素など外部要因に脆弱な特性を有するところ、薄膜封止層３００を通じて有機発光ダイオードＯＬＥＤを密封することで、ディスプレイパネル１０の信頼性を向上させうる。ディスプレイパネル１０が後述する封止基板の代わりに、薄膜封止層３００を備える場合、ディスプレイパネル１０の厚さを減少させると共に、可撓性(flexibility)を向上させうる。

選択的実施例において、薄膜封止層３００の代わりに、基板１００上部に封止基板（図示せず）が備えられてもよい。封止基板は、基板１００上に形成された構成要素を挟んで基板１００と対向して配置されうる。封止基板は、周辺領域ＰＡ上に位置したシーラント(sealant)（図示せず）を通じて基板１００と密着し、表示領域ＤＡを外部から密封して有機発光ダイオードＯＬＥＤのような表示要素が外気及び水分に露出されることを防止することができる。

画素Ｐは、周辺領域ＰＡに配置された外郭回路と電気的に接続される。周辺領域Ｐａには、第１スキャン駆動回路１２０、第２スキャン駆動回路１３０、端子１４０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０、及び第２電源供給配線１７０が配置されうる。

第１スキャン駆動回路１２０は、スキャンラインＳＬを通じて各画素ＳＰにスキャン信号を提供することができる。第１スキャン駆動回路１２０の一側には、発光制御駆動回路１２２が位置する。発光制御駆動回路１２２は、発光制御線ＥＬを通じて各画素に発光制御信号を提供することができる。第２スキャン駆動回路１３０は、表示領域ＤＡを挟んで第１スキャン駆動回路１２０と並んで配置されてもよい。表示領域ＤＡに配置された画素Ｐのうち、一部は、第１スキャン駆動回路１２０と電気的に接続され、残りは、第２スキャン駆動回路１３０に接続される。他の実施例において、第２スキャン駆動回路１３０は省略されてもよい。

端子１４０は、基板１００の一側に配置されてもよい。端子１４０は、絶縁層によって覆われず、露出されて印刷回路基板ＰＣＢと電気的に接続される。印刷回路基板ＰＣＢの端子ＰＣＢ－Ｐは、ディスプレイパネル１０の端子１４０と電気的に接続される。印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号または電源をディスプレイパネル１０に伝達する。

制御部で生成された制御信号は、印刷回路基板ＰＣＢを通じて第１及び第２スキャン駆動回路１２０、１３０にそれぞれ伝達されうる。制御部は、第１及び第２電源伝達１６１、１７１を通じて第１及び第２電源供給配線１６０、１７０にそれぞれ第１及び第２電源電圧ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳを提供することができる。第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、第１電源供給配線１６０と接続された駆動電圧ラインＰＬを通じて各画素Ｐの画素回路に提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、第２電源供給配線１７０と接続された各画素Ｐの対向電極に提供されうる。

データ駆動回路１５０は、データラインＤＬに電気的に接続される。データ駆動回路１５０のデータ信号は、端子１４０に接続された信号送信配線１５１及び信号送信配線１５１と接続されたデータラインＤＬを通じて各画素Ｐに提供されうる。図２は、データ駆動回路１５０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されたところを図示するが、他の実施例において、データ駆動回路１５０は、基板１００上に配置されてもよい。例えば、データ駆動回路１５０は、端子１４０と第１電源供給配線１６０との間に配置されてもよい。

第１電源供給配線１６０は、表示領域ＤＡを挟んでｘ方向に沿って平行に延びた第１サブ配線１６２及び第２サブ配線１６３を含んでもよい。第２電源供給配線１７０は、一側が開放されたループ状であり、表示領域ＤＡを部分的に取り囲んでいる。

図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の一実施例によるディスプレイ装置に含まれる画素の等価回路図である。

図３Ａを参照すれば、各画素Ｐは、駆動電圧ラインＰＬ、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続された画素回路ＰＣ及び画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。

画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴｄ、スイッチング薄膜トランジスタＴｓ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴｓは、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続され、スキャンラインＳＬを介して入力されるスキャン信号ＳｎによってデータラインＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴｄに伝達する。

ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴｓ及び駆動電圧ラインＰＬに接続され、スイッチング薄膜トランジスタＴｓから伝達された電圧と駆動電圧ラインＰＬに供給される駆動電圧、すなわち、第１電源電圧ＥＬＶＤＤの差に該当する電圧を保存する。

駆動薄膜トランジスタＴｄは、駆動電圧ラインＰＬとストレージキャパシタＣｓｔに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して駆動電圧ラインＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御することができる。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流によって所定の輝度を有する光を放出することができる。

図３Ａでは、画素回路ＰＣが２個の薄膜トランジスタ及び１個のストレージキャパシタを含む場合を説明したが、本発明は、それに限定されない。他の実施例において、画素回路ＰＣは、図３Ｂのように７個の薄膜トランジスタ及び１個のストレージキャパシタを含んでもよい。他の実施例において、画素回路ＰＣは、２個以上のストレージキャパシタを含んでもよい。

図３Ｂを参照すれば、画素Ｐは、画素回路ＰＣ及び画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。画素回路ＰＣは、複数の薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７及びストレージキャパシタＣｓｔを含んでもよい。薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７及びストレージキャパシタは、信号ラインＳＬ、ＳＬ－１、ＥＬ、ＤＬ、初期化電圧ラインＶＬ及び駆動電圧ラインＰＬに接続されうる。

図３Ｂでは、各画素Ｐが信号ラインＳＬ、ＳＬ－１、ＥＬ、ＤＬ、初期化電圧ラインＶＬ及び駆動電圧ラインＰＬに接続されているところを図示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施例として、信号ラインＳＬ、ＳＬ－１、ＥＬ、ＤＬのうち、少なくともいずれか１本、初期化電圧ラインＶＬと駆動電圧ラインＰＬなどは、隣接する画素で共有されうる。

複数の薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７は、駆動薄膜トランジスタ(driving TFT, T1)、スイッチング薄膜トランジスタ(switching TFT, T2)、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含んでもよい。

信号ラインは、スキャン信号Ｓｎを駆動薄膜トランジスタＴ１と補償薄膜トランジスタＴ３に伝達するスキャンラインＳＬ、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７に以前スキャン信号Ｓｎ－１を伝達する以前スキャンラインＳＬ－１、動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６に発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御ラインＥＬ、スキャンラインＳＬと交差し、データ信号Ｄｍを伝達するデータラインＤＬを含む。

駆動電圧ラインＰＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１に駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達し、初期化電圧ラインＶＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１及び画素電極を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する。

駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１ストレージ蓄電板Ｃｓｔ１に接続されている。駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１は、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経て駆動電圧ラインＰＬに接続されている。駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１は、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極と電気的に接続されている。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作によってデータ信号Ｄｍを伝達されて有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤを供給する。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２は、スキャンラインＳＬに接続されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２は、データラインＤＬに接続されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に接続されており、かつ動作制御薄膜トランジスタＴ５を経て下部駆動電圧ラインＰＬに接続されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データラインＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を行う。

補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３は、スキャンラインＳＬに接続されている。補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１に接続されており、かつ発光制御薄膜トランジスタＴ６を経て有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極と接続されている。補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１ストレージ蓄電板Ｃｓｔ１、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。補償薄膜トランジスタＴ３は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と駆動ドレイン電極Ｄ１とを電気的に接続して駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード接続(Diode connection)させる。

第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４は、以前スキャンラインＳＬ－１に接続されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７と初期化電圧ラインＶＬに接続されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、ストレージキャパシタＣｓｔの第１ストレージ蓄電板Ｃｓｔ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンラインＳＬ－１を介して伝達された以前スキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に伝達して駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を行う。

動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御ラインＥＬに接続されている。動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ソース電極Ｓ５は、下部駆動電圧ラインＰＬと接続されている。動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２と接続されている。

発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御ラインＥＬに接続されている。発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１及び補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３に接続されている。発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極に電気的に接続されている。

動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御ラインＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが有機発光ダイオードＯＬＥＤに伝達され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤが流れるようにする。

第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７は、以前スキャンラインＳＬ－１に接続されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７は、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極に接続されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４及び初期化電圧ラインＶＬに接続されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、以前スキャンラインＳＬ－１を介して伝達された以前スキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極を初期化させる。

図３Ｂでは、初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とが以前スキャンラインＳＬ－１に接続された場合を図示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施例として、初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンラインＳＬ－１に接続されて以前スキャン信号Ｓｎ－１によって駆動し、第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、別途の信号ライン（例えば、以後スキャンライン）に接続され、前記信号ラインに伝達される信号によって駆動されうる。

ストレージキャパシタＣｓｔの第２ストレージ蓄電板Ｃｓｔ２は、駆動電圧ラインＰＬに接続されている。有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極は、共通電圧ＥＬＶＳＳに接続されている。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤを伝達されて発光することで、画像を表示することができる。

図３Ｂでは、補償薄膜トランジスタＴ３と初期化薄膜トランジスタＴ４がデュアルゲート電極を有すると図示しているが、補償薄膜トランジスタＴ３と初期化薄膜トランジスタＴ４は、１つのゲート電極を有することができる。

図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の一実施例によるディスプレイ装置の一画素の概略的な断面図である。

まず、図４Ａを参照すれば、表示領域ＤＡに位置した画素Ｐは、画素回路ＰＣを含み、画素回路ＰＣは、薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。図４Ａの薄膜トランジスタＴＦＴは、図３Ａの薄膜トランジスタＴｄ、Ｔｓのうちの１つであってもよく、例えば、駆動薄膜トランジスタＴｄであってもよい。

画素回路層１１０は、基板１００上に順次に位置するバッファ層１０１、ゲート絶縁層１０３、第１層間絶縁層１０７及び平坦化層１０９を含んでもよい。

バッファ層１０１は、不純物の浸透を防止するため、基板１００上に配置され、ゲート絶縁層１０３は、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層２１１とゲート電極２１３との間に介在されうる。第１層間絶縁層１０７は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極２１３とソース電極２１５ｓ及びドレイン電極２１５ｄとの間に介在される共に、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極２１７と上部電極２１９との間に介在されて誘電体として機能しうる。

バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０３、第１層間絶縁層１０７はいずれも絶縁性無機物によって形成される。例えば、バッファ層１０１、ゲート絶縁層１０３、及び第１層間絶縁層１０７は、それぞれシリコン窒化物、シリコン酸化物、及び／またはシリコン酸窒化物によって形成されうる。

図４Ａでは、画素回路ＰＣの薄膜トランジスタＴＦＴがトップゲートタイプである場合を説明したが、本発明は、それに制限されない。他の実施例において、薄膜トランジスタＴＦＴは、ボトムゲートタイプであってもよい。

また、図４では、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極２１７と上部電極２１９がそれぞれゲート電極２１３とソース電極２１５ｓ及びドレイン電極２１５ｄと同一物質を含むように同一層に位置する場合を説明したが、本発明は、それに制限されず、多様に変更可能である。

有機発光ダイオードＯＬＥＤは、コンタクトホールを有する平坦化層１０９を挟んで画素回路ＰＣと電気的に接続された画素電極２１０、画素電極２１０と対向する対向電極２３０及びそれらの間に介在される中間層２２０を含む。一実施例において、平坦化層１０９は、絶縁性有機物によっても形成される。

画素電極２１０は、画素定義膜２４０に備えられた開口ＯＰを通じて露出され、画素電極２１０の縁部は、絶縁性有機物によって形成された画素定義膜２４０によってカバーされうる。一実施例として、画素電極２１０は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）またはそれらの化合物を含んでもよい。

対向電極２３０は、一体に形成されて表示領域ＤＡを全体としてカバーすることができる。一実施例として、対向電極２３０は、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを含む薄膜金属層、または酸化インジウムスズ(ITO; indium tin oxide)、酸化インジウム亜鉛(IZO; indium zinc oxide)、酸化亜鉛(ZnO; zinc oxide)、酸化インジウム(In₂O₃ indium oxide)、酸化インジウムガリウム(IGO; indium gallium oxide)、またはアルミニウム酸化亜鉛(AZO; aluminum zinc oxide)のような透光性導電層(TCO、transparent conductive oxide）であってもよい。

中間層２２０は、赤色、緑色及び青色の光を放出する蛍光またはリン光物質を含む有機物によって形成され、表示領域ＤＡのうち、画素Ｐに対応してパターニングされうる。

本実施例において、中間層２２０は、発光層２２３を含んでもよい。発光層２２３の上／下部には、発光層２２３を挟んで発光層２２３と画素電極２１０との間に介在される第１機能層２２１及び中間層２２０と対向電極２３０との間に介在される第２機能層２２２のうち、少なくともいずれか１つの機能層を含んでもよい。第１機能層２２１と第２機能層２２２は、画素電極２１０上にパターニングされて形成される発光層２２３とは異なって、表示領域ＤＡの全面にわたって形成される共通層であってもよい。

第１機能層２２１は、例えば、正孔注入層(HIL: Hole Injection Layer)及び正孔輸送層(HTL: Hole Transport Layer)のうち、少なくともいずれか１つを含んでもよい。正孔注入層は、アノードから正孔を容易に放出させ、正孔輸送層は、正孔注入層の正孔を発光層まで伝達させる。第２機能層２２２は、電子輸送層(ETL: Electron Transport Layer)及び電子注入層(EIL: Electron Injection Layer)のうち、少なくともいずれか１つを含んでもよい。電子注入層は、カソードから電子を容易に放出させ、電子輸送層は、電子注入層の電子を発光層まで伝達させる。

有機発光ダイオードＯＬＥＤ上には、薄膜封止層３００が配置される。図４Ａでは、薄膜封止層３００が表示領域ＤＡ上に位置したところを図示しているが、薄膜封止層３００は、図２のように周辺領域ＰＡ上にも一部配置されうる。

薄膜封止層３００は、第１及び第２無機封止層３１０、３３０と有機封止層３２０を含む。例えば、薄膜封止層３００は、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０、及び第２無機封止層３３０が順次に積層されて形成されうる。第１及び第２無機封止層３１０、３３０は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、錫酸化物、セリウム酸化物、及びシリコン酸窒化物のうち、少なくともいずれか１つの物質を含んでもよい。第１及び第２無機封止層３１０、３３０は、例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程によっても形成される。

有機封止層３２０は、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリイソプレン、ビニル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、セルロース系樹脂及びペリレン系樹脂からなる群から選択された１つ以上の物質を含んでもよい。一実施例として、有機封止層３２０は、HMDSO(hexamethyldisiloxane)またはTEOS (tetraethly orthosilicate)のような物質を原料ガスとして使用した原子層蒸着(ALD: Atomic Layer Deposition)工程によって形成されうる。さらに他の実施例において、有機封止層３２０は、液状のモノマーを蒸着した後、熱や紫外線のような光を用いて硬化させることで形成されうる。

本実施例では、薄膜封止層３００が２つの第１及び第２無機封止層３１０、３３０及び１つの有機封止層３２０を備える場合を説明したが、無機封止層と有機封止層の積層順序及び個数は、その限りではない。

一方、図４Ｂの画素回路ＰＣは、図４Ａの画素回路ＰＣ構造とは相違する。その他の構成は、図４Ａと同一であるところ、以下では、画素回路構造の相違点を中心に説明する。

図４Ｂを参照すれば、表示領域ＤＡに位置した画素Ｐ’は、画素回路ＰＣ’を含み、画素回路ＰＣ’は、薄膜トランジスタＴＦＴ’及びストレージキャパシタＣｓｔ’を含む。図４Ｂの薄膜トランジスタＴＦＴ’は、図３Ｂの薄膜トランジスタＴ１～Ｔ７のうち、１つであってもよく、例えば、駆動薄膜トランジスタＴ１であってもよい。

画素回路ＰＣ’は、薄膜トランジスタＴＦＴ’及びストレージキャパシタＣｓｔ’を含む。画素回路層１１０’は、基板１００上に順次に位置するバッファ層１０１’、ゲート絶縁層１０３’、誘電体絶縁層１０５’、第２層間絶縁層１０７’、及び平坦化層１０９’を含んでもよい。

バッファ層１０１’は、不純物の浸透を防止するために、基板１００上に配置される。ゲート絶縁層１０３’は、薄膜トランジスタＴＦＴ’の半導体層２１１’とゲート電極２１３’との間に介在される。誘電体絶縁層１０５’は、ストレージキャパシタＣｓｔ’の下部電極２１７’と上部電極２１９’との間に介在される。第２層間絶縁層１０７’は、薄膜トランジスタＴＦＴ’のゲート電極２１３’とソース電極２１５ｓ’及びドレイン電極２１５ｄ’との間に介在される。

バッファ層１０１’、ゲート絶縁層１０３’、誘電体絶縁層１０５’、層間絶縁層１０７’及び平坦化層１０９’はいずれも絶縁性無機物によって形成される。例えば、バッファ層１０１’、ゲート絶縁層１０３’、誘電体絶縁層１０５’、層間絶縁層１０７’、及び平坦化層１０９’は、それぞれシリコン窒化物、シリコン酸化物、及び／またはシリコン酸窒化物によっても形成される。

図４Ｂでは、薄膜トランジスタＴＦＴ’とストレージキャパシタＣｓｔ’とが重畳するように配置され、薄膜トランジスタＴＦＴ’のゲート電極２１３’がストレージキャパシタＣｓｔ’の下部電極２１７’である場合を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。

図５は、本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図であり、図６は、図５のＡ１－Ａ１’線に沿って見た概略的な断面図である。

図５を参照すれば、表示領域ＤＡには、複数の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が配置されうる。複数の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３を含んでもよい。図５では、複数の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３がダイヤモンドペンタイル型(pentile type)として配置された構成を図示しているが、本発明が必ずしもそれに限定されるものではない。複数の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３は、例えば、ストライプ型(stripe type)または一般ペンタイル型によっても配置される。

第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２、及び第３画素Ｐ３は、それぞれ複数個備えられ、互いに異なる色を発光することができる。一実施例において、第１画素Ｐ１は、赤色光を発光し、第２画素Ｐ２は、緑光を発光し、第３画素Ｐ３は、青色光を発光することができる。一実施例において、赤色光を発光する第１画素Ｐ１の発光領域及び青色光を発光する第３画素Ｐ３の発光領域は、緑光を発光する第２画素Ｐ２の発光領域よりも大きくなる。

図６を参照すれば、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２、及び第３画素Ｐ３のそれぞれは、基板１００上に配置された画素回路ＰＣに接続され、それぞれが第１ないし第３画素電極２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂを含んでもよい。第１ないし第３画素電極２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂ上には、それぞれ第１ないし第３中間層２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂが配置されうる。詳細には、第１ないし第３画素電極２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂ上には、共通層としての第１機能層２２１及び第２機能層２２２が配置され、第１機能層２２１及び第２機能層２２２の間には、それぞれ第１ないし第３発光層２２３Ｒ、２２３Ｇ、２２３Ｂが配置されうる。

本実施例において、複数の第１画素Ｐ１と複数の第２画素Ｐ２は、ｘ、ｙ軸と交差する斜線方向である第１方向ａｘ１に沿って交互に配置されうる。また、複数の第３画素Ｐ３と複数の第２画素Ｐ２は、ｘ、ｙ軸と交差する斜線方向である第２方向ａｘ２に沿って交互に配置されうる。第１方向ａｘ１と第２方向ａｘ２は、互いに交差する方向に、例えば互いに直交する。

このような画素配置構造を有する任意の４個の画素は、菱形に配置されてもよい。すなわち、最隣接の１個の第１画素Ｐ１、２個の第２画素Ｐ２、及び１個の第３画素Ｐ３を接続した仮想の線は、菱形であってもよい。したがって、第１方向ａｘ１、または第２方向ａｘ２に沿って配置された画素間の間隔（例、ｄ１）は、第３方向ａｘ３（すなわち、ｘ方向)、または第４方向ａｘ４（すなわち、ｙ方向）に沿って配置された画素間の間隔（例、ｄ１’）よりも狭く配置される。さらに、表示領域ＤＡが高解像度化されることにより、画素間の間隔は、徐々に狭くなる。

その場合、相対的に画素間の最短距離が近く配置される第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間に漏れ電流が発生し、これにより、画素間の混色が発生する問題点があり得る。漏れ電流は、複数の画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３に共通層として配置される有機物層、すなわち、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２を通じて隣接画素に伝達されるので、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２に沿って伝達される電流経路を増加させることが要求される。

これにより、本実施例では、図５及び図６に図示されたように、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に第１ダム部ＤＭ１を配置し、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間に第２ダム部ＤＭ２を配置する。これを通じて、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との水平距離、すなわち、有機物層の経路を増加させることで、漏れ電流を最小化して、画素間の混色の発生を防止することができる。

図６を参照すれば、例えば、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に第１ダム部ＤＭ１を配置することで、第１ダム部ＤＭ１がない場合に比べて、おおよそ第１ダム部ＤＭ１の高さｈの２倍ほどの水平距離、すなわち、有機物層の経路を増加させうる。そのような有機物層の経路は、後述する図９のように第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２のそれぞれが第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２を備える場合、おおよそ第１ダム部ＤＭ１の高さｈの４倍ほど有機物層の経路を増加させうる。また、後述する図１０のように第１サブダムＳＤＭ１と第２サブダムＳＤＭ２との間にバレーＶを形成する場合、図９の実施例に加えて、最小バレーＶの深さｈ２の２倍ほど有機物層の経路をさらに増加させうる。一方、後述する図１３及び図１４のように、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２が逆テーパ状を有する場合、断面が順テーパ状を有する図６または図９の実施例に比べて、有機物層の経路を小幅ながらにさらに増加させうる。

また、図５を参照すれば、図５のような平面上において、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２のそれぞれは、ほぼ多角形を有することができる。一実施例において、図５では、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２がそれぞれ方形に備えられたことを図示している。他の実施例において、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２のエッジは、面取りされた形状にも備えられる。そのような面取り形状は、工程的側面で示されるものであるが、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２のエッジは、必ずしも面取り形状ではない。

第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２は、それぞれ長軸方向に第１幅Ｗ１を有し、短軸方向に第２幅ｗ２を有することができる。図５において、第１ダム部ＤＭ１の長軸方向は、第１方向ａｘ１を意味し、短軸方向は、第２方向ａｘ２を意味することができる。また、第２ダム部ＤＭ２の長軸方向は、第２方向ａｘ２を意味し、短軸方向は、第１方向ａｘ１を意味することができる。

一実施例において、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２の第１幅Ｗ１は、８μｍ以上１２μｍ以下であり、第２幅ｗ２は、４μｍ以上８μｍ以下であってもよく、望ましくは、第１幅Ｗ１は、１０μｍ以上１１μｍ以下であってもよく、第２幅ｗ２は、６μｍ以上７μｍ以下であってもよい。図６を参照すれば、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２のそれぞれの高さｈは、２μｍ以上に形成されればよい。一実施例において、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２のそれぞれの高さｈは、２μｍ以上３．５μｍ以下であってもよく、望ましくは、２．５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。

第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２、及び第１ダム部ＤＭ１は、第１方向ａｘ１に沿って配置され、第２画素Ｐ２、第３画素Ｐ３、及び第２ダム部ＤＭ２は、第２方向ａｘ２に沿って配置されうる。上述したように、平面上で、第１方向ａｘ１に沿う第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との最短距離ｄ１は、第３方向ａｘ３（すなわち、ｘ方向）に沿う第１画素Ｐ１と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１’よりも短い。同様に、平面上で、第２方向ａｘ２に沿う第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１は、第３方向ａｘ３（すなわち、ｘ方向）に沿う第１画素Ｐ１と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１’よりも短い。一実施例において、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との最短距離ｄ１と、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１は、同一であってもよい。

このように第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１が第１画素Ｐ１と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１’よりも短いので、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間にそれぞれ第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２を配置することで、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との間の水平距離、すなわち、有機物層の経路を増加させうる。

一実施例において、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との最短距離ｄ１は、１７μｍ未満であってもよく、例えば、１５μｍ以下であってもよい。また、第１画素Ｐ１と第３画素Ｐ３との最短距離ｄ１’は、１７μｍ以上であってもよく、例えば、２０μｍ～２５μｍであってもよい。

実験的に導出した結果によれば、画素間の最短距離が１７μｍ以上である場合には、漏れ電流による混色問題が発生されず、一方、画素間の最短距離が１７μｍ未満である場合には、漏れ電流による混色問題が発生した。漏れ電流は、共通層として備えられる第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２を通じて発生することができる。本発明の一実施例によるディスプレイ装置１では、画素定義膜２４０上に第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２を配置して第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との水平距離、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との水平距離を増加させることで、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２が形成される有機物層の経路を増加させ、それを通じて隣接画素に伝達される漏れ電流を最小化して画素間の混色問題を効果的に防止することができる。

一例として、画素間の最短距離を約１２μｍに設計した場合、上述したように画素間に混色問題が発生した。この際、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間に高さｈが約２．５μｍである第１ダム部ＤＭ１を配置することで、約５μｍほどの有機物層の経路を増加させうる。これを通じて、画素間の最短距離を十分に減らしつつも、画素間に配置される構造物（例、第１ダム部ＤＭ１、第２ダム部ＤＭ２）を通じて画素間の有機物層の経路を制御することが非常に容易である。

一方、画素定義膜２４０の開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３と、それらに隣接した第１ダム部ＤＭ１、または第２ダム部ＤＭ２との最短距離ｄ２は、３μｍ以下であってもよい。この際、最短距離ｄ２が３μｍ以下であるということは、最短距離ｄ２は０にもなるということを意味する。すなわち、第１ダム部ＤＭ１、または第２ダム部ＤＭ２は、開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３と離隔空間なしに連続して備えられてもよい。但し、最短距離ｄ２は、３μｍを超過する場合、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２の第１幅Ｗ１が相対的に細くなって画素間の水平距離、すなわち、有機物層の経路を十分に確保できない恐れがある。したがって、画素定義膜２４０の開口ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３と、それらに隣接した第１ダム部ＤＭ１、または第２ダム部ＤＭ２との最短距離ｄ２は、３μｍ以下であり、望ましくは、２μｍ以下であってもよい。

また図５を参照すれば、第３方向ａｘ３（すなわち、ｘ方向)、または第４方向ａｘ４（すなわち、ｙ方向）に沿う第１ダム部ＤＭ１と第２ダム部ＤＭ２との最短距離ｄ３は、３μｍ以下であってもよい。この際、最短距離ｄ３が３μｍ以下であるということは、最短距離ｄ２は、０にもなるということを意味する。すなわち、第１ダム部ＤＭ１と第２ダム部ＤＭ２は、互いに接するようにも備えられる。その場合、各画素Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の発光領域は、複数個の第１ダム部ＤＭ１と第２ダム部ＤＭ２によって完全に取り囲まれる。

第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２は、絶縁性有機物によって形成されうる。第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２は、画素定義膜２４０と同一物質を含んでもよく、他の物質を含んでもよい。図６では、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２が画素定義膜２４０上に配置された別途の層として画素定義膜２４０と異なる物質を含むことを図示する。例えば、第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２は、画素定義膜２４０上に配置されたスペーサ（図示せず）と同一物質を含んでもよい。

一方、図７のように第１ダム部ＤＭ１及び第２ダム部ＤＭ２は、画素定義膜２４０と一体にも備えられる。その場合、画素定義膜２４０と第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、ハーフトーン(half-tone)マスクを用いて形成してもよい。

図８は、本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図であり、図９は、図８のＡ２－Ａ２’線に沿って見た概略的な断面図である。

図８及び図９は、前述した図５及び図６の変形例に該当する。図８及び図９の実施例は、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の構造において図５及び図６の実施例と相違する。その他の構成は、前述した図５及び図６と同一であるところ、以下では、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の構造上の相違点を中心に説明する。

第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、それぞれ第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２を含んでもよい。第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２は、第１幅ｃ１を有し、第１距離ｃ２から離隔して形成されうる。この際、第１ダム部ＤＭ１の場合、第１幅ｃ１及び第１距離ｃ２は、第１方向ａｘ１に沿う幅及び距離を意味し、第２ダム部ＤＭ２の場合、第１幅ｃ１及び第１距離ｃ２は、第２方向ａｘ２に沿う幅及び距離を意味することができる。

一実施例において、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２の第１幅ｃ１は、２μｍ以上５μｍ以下に形成され、望ましくは、３μｍ以上４μｍ以下に形成されうる。図８及び図９では、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２の第１幅ｃ１が同一に形成されたところを図示するが、本発明が必ずしもそれに限定されるものではない。第１サブダムＳＤＭ１の第１幅ｃ１と第２サブダムＳＤＭ２の第１幅ｃ１は、互いに異なっても形成される。

また、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２の間の第１距離ｃ１は、１μｍ以上３μｍ以下に形成されうる。もちろん、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２間の第１距離ｃ１が０である場合は、前述した図５及び図６の実施例と同一である。

本実施例によるディスプレイ装置１は、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれ第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２を備えることで、画素間の水平距離をさらに増加させうる。これを通じて、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２が形成される有機物層の経路を増加させ、隣接画素に伝達される漏れ電流を最小化して画素間の混色問題を効果的に防止することができる。

一方、図８では、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれ２個のサブダムＳＤＭ１、ＳＤＭ２を含むところを図示するが、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、それぞれ３個以上のサブダムを含んでもよい。例えば、図１１は、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれ３個のサブダムＳＤＭ１、ＳＤＭ２、ＳＤＭ３を含む実施例を図示し、図１２は、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれ４個のサブダムＳＤＭ１、ＳＤＭ２、ＳＤＭ３、ＳＤＭ４を含む実施例を図示する。図１１及び図１２において、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との最短距離ｄ１及び第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２のそれぞれの第１幅Ｗ１及び第２幅ｗ２は、前述した図５または図８の実施例と同一であってもよい。

一方、図１０を参照すれば、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２の間にはバレーＶがさらに位置してもよい。バレー(Valley)Ｖは、画素定義膜２４０の一部が基板１００方向に引込まれたリセス（ｒｅｃｅｓｓ）またはグルーブ（ｇｒｏｏｖｅ）の形状を有することができる。バレーＶの深さｈ２は、画素定義膜２４０厚さｈ２’の約１／２以上であることが望ましいが、本発明が必ずしもそれに限定されるものではない。バレーＶの幅ｗ３は、最大第１サブダムＳＤＭ１と第２サブダムＳＤＭ２との間の第１距離ｃ２にも形成される。

図１０の実施例による本発明の一実施例によるディスプレイ装置１では、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２の間にバレーＶが備えられることにより、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との水平距離、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との水平距離をバレーＶの深さｈ２ほどさらに増加させうる。これを通じて、画素間の有機物層の経路、すなわち、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２が形成される経路を増加させて第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２を通じて隣接画素に伝達される漏れ電流を最小化し、画素間の混色問題を効果的に防止することができる。

図１３及び図１４は、本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す断面図である。

図１３及び図１４は、前述した図５及び図６の変形例に該当する。図８及び図９の実施例は、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の構造において図５及び図６の実施例と差がある。その他の構成は、前述した図５及び図６と同一であるところ、以下では、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の構造上の相違点を中心に説明する。

図１３を参照すれば、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、それぞれ逆テーパ状を有するように備えられてもよい。第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２が逆テーパ状を有するということは、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の断面が逆テーパ状を有するものであって、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２のそれぞれの上面ｂの幅が下面ｃの幅よりも広く形成され、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２のそれぞれの側面ｃと画素定義膜２４０の上面がなす角度が９０゜を超過する鈍角によって形成されることを意味する。この際、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の下面ｃは、画素定義膜２４０と直接接する面であってもよい。

このように第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２がそれぞれ逆テーパ状を有する場合、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２を介在した画素間の水平距離をさらに増加させうる。

図１４を参照すれば、第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、それぞれ第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２を含んでもよく、第１サブダムＳＤＭ１及び第２サブダムＳＤＭ２は、それぞれ逆テーパ状に備えられてもよい。前に説明した図１１または図１２の実施例のように、逆テーパ状に備えられた図１４の第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、３個以上のサブダムを含んでもよい。

図示されていないが、逆テーパ状による第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の側面ｃの角度によって第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の側面ｃには、第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２が配置されない。すなわち、逆テーパ状を通じて第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の側面ｃで第１機能層２２１及び／または第２機能層２２２が断絶されて形成されうる。このような構造を通じて画素間の漏れ電流をさらに効果的に遮断することができる。

図１５は、本発明の一実施例によるディスプレイ装置の表示領域の一部を概略的に示す平面図である。

図１５を参照すれば、平面上で第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２は、図５の実施例とほぼ同一であるが、一側及び他側に突出した第１及び第２突出部ＤＭ１ａ、ＤＭ２ａを含んでもよい。第１ダム部ＤＭ１は、短軸方向、すなわち、第２方向ａｘ２に突出した第１突出部ＤＭ１ａを含み、第２ダム部ＤＭ２は、短軸方向、すなわち、第１方向ａｘ１に突出した第２突出部ＤＭ２ａを含んでもよい。

第１及び第２突出部ＤＭ１ａ、ＤＭ２ａは、突出方向、すなわち、短軸方向に沿う第３幅ｗ３を有し、長軸方向に沿う第４幅ｗ４を有することができる。例えば、第３幅ｗ３は、１μｍ以上５μｍ以下に形成され、第４幅ｗ４は、１μｍ以上５μｍ以下に形成されうる。その他、図１５に記載された数値ｗ１、ｗ２、ｄ１、ｄ２、ｄ３は、図５と同一であるところ、図５の説明に代える。

このように第１及び第２ダム部ＤＭ１、ＤＭ２の形状は、平面上で特定の形状に限定されず、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との間、第２画素Ｐ２と第３画素Ｐ３との水平距離、すなわち、有機物層の経路を増加させうる形状であれば、十分である。

以上、ディスプレイ装置を中心に説明したが、本発明がそれに限定されるものではない。例えば、そのようなディスプレイ装置を製造するためのディスプレイ装置の製造方法も、本発明の範囲に属するとも言える。

本発明は、図面に図示された実施例を参照に説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、これにより、多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によってのみ決定されなければならない。

１００基板
１１０画素回路層
２１０、２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂ画素電極
２２１第１機能層
２２２第２機能層
２２３、２２３Ｒ、２２３Ｇ、２２３Ｂ発光層
２３０対向電極
２４０画素定義膜
ＰＣ画素回路
ＯＬＥＤ有機発光ダイオード
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３第１画素、第２画素、第３画素
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３第１開口、第２開口、第３開口
ＤＭ１第１ダム部
ＤＭ２第２ダム部
ＳＤＭ１第１サブダム
ＳＤＭ２第２サブダム
Ｖバレー
ＤＭ１ａ、ＤＭ２ａ突出部

Claims

基板上に互いに離隔して配置され、互いに異なる色を発光する、第１画素、第２画素、及び第３画素と、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素のそれぞれに対応する開口を含んで発光領域を定義する画素定義膜と、
前記第１画素と前記第２画素との間の前記画素定義膜上に位置した第１ダム部と、
前記第２画素と前記第３画素との間の前記画素定義膜上に位置した第２ダム部と、
前記画素定義膜上に配置されるスペーサと、を備え、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第１ダム部は、第１方向に沿って配置され、前記第２画素、前記第３画素、及び前記第２ダム部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置され、
平面上において、前記第１ダム部及び前記第２ダム部のそれぞれは方形であり、
前記第１ダム部の長軸方向は、前記第１方向であり、
前記第２ダム部の長軸方向は、前記第２方向であり、
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、スペーサと同一物質を含む、ディスプレイ装置。
基板上に互いに離隔して配置され、互いに異なる色を発光する、第１画素、第２画素、及び第３画素と、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素のそれぞれに対応する開口を含んで発光領域を定義する画素定義膜と、
前記第１画素と前記第２画素との間の前記画素定義膜上に位置した第１ダム部と、
前記第２画素と前記第３画素との間の前記画素定義膜上に位置した第２ダム部と、
前記画素定義膜上に配置されるスペーサと、を備え、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第１ダム部は、第１方向に沿って配置され、前記第２画素、前記第３画素、及び前記第２ダム部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置され、
前記第１ダム部及び前記第２ダム部のそれぞれは、第１距離に離隔して配置された第１サブダム及び第２サブダムを含み、
前記第１サブダムと前記第２サブダムとの間に位置するバレー（Ｖａｌｌｅｙ）をさらに含み、
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、スペーサと同一物質を含む、ディスプレイ装置。
基板上に互いに離隔して配置され、互いに異なる色を発光する、第１画素、第２画素、及び第３画素と、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素のそれぞれに対応する開口を含んで発光領域を定義する画素定義膜と、
前記第１画素と前記第２画素との間の前記画素定義膜上に位置した第１ダム部と、
前記第２画素と前記第３画素との間の前記画素定義膜上に位置した第２ダム部と、を備え、
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第１ダム部は、第１方向に沿って配置され、前記第２画素、前記第３画素、及び前記第２ダム部は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置され、
前記第１ダム部の長軸方向は、前記第１方向であり、
前記第１ダム部の短軸方向は、前記第１ダム部の長軸方向と交差する方向であり、
前記第２ダム部の長軸方向は、前記第２方向であり、
前記第２ダム部の短軸方向は、前記第２ダム部の長軸方向と交差する方向であり、
前記第１ダム部は、前記第１ダム部の短軸方向に突出した突出部を含み、
前記第２ダム部は、前記第２ダム部の短軸方向に突出した突出部を含み、
前記第１ダム部の突出部は、前記第１ダム部の短軸方向に沿う１μｍ以上５μｍ以下の第３幅を有し、前記第１ダム部の長軸方向に沿う１μｍ以上５μｍ以下の第４幅を有する、ディスプレイ装置。
前記第１画素と前記第２画素との最短距離は、前記第１画素と前記第３画素との最短距離よりも短い、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１画素と前記第２画素との最短距離は、１７μｍ未満である、請求項４に記載のディスプレイ装置。
前記第１画素と前記第３画素との最短距離は、２０μｍ以上２５μｍ以下である、請求項４に記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、前記画素定義膜と同一物質を含んで一体に備えられる、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、前記画素定義膜と互いに異なる物質を含む、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、逆テーパ状を有する、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１距離は、１μｍ以上３μｍ以下である、請求項２に記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部および前記第２ダム部のそれぞれの前記長軸方向は、第１軸方向であって、
前記第１ダム部および前記第２ダム部は、前記第１軸方向に８μｍ以上１２μｍ以下の第１幅を有し、前記第１軸方向と垂直な第２軸方向に４μｍ以上８μｍ以下の第２幅を有する、請求項１または３に記載のディスプレイ装置。
前記画素定義膜の前記開口と前記第１ダム部または前記第２ダム部との最短距離は、３μｍ以下である、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１画素は、赤色光を発光し、
前記第２画素は、緑光を発光し、
前記第３画素は、青色光を発光する、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素は、それぞれ複数個備えられ、
前記複数の第１画素及び前記複数の第３画素は、第３方向に沿って交互に配置され、
前記複数の第２画素は、前記第３方向と交差する第４方向に沿って配置される、請求項１３に記載のディスプレイ装置。
前記第３方向に沿う前記第１ダム部と前記第２ダム部との最短距離は、３μｍ以下である、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部及び前記第２ダム部は、それぞれ複数個備えられ、
前記第４方向に沿う、前記複数の第１ダム部間の最短距離及び前記複数の第２ダム部間の最短距離は、３μｍ以下である、請求項１５に記載のディスプレイ装置。
前記第１ダム部及び前記第２ダム部の高さは、２μｍ以上である、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記第１画素は、第１色発光用であり、第１画素電極を有し、
前記第２画素は、第２色発光用であり、第２画素電極を有し、
前記第１画素に対応する開口は、第１開口であって、前記第１画素電極の中央部を露出させ、
前記第２画素に対応する開口は、第２開口であって、前記第２画素電極の中央部を露出させ、
前記第１開口と前記第２開口との最短距離は、１７μｍ未満である、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。
前記基板上に配置される第３色発光用第３画素電極と、
前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の前記画素定義膜上に配置される第２ダム部と、をさらに含み、
前記第３画素は、前記第３色発光用第３画素電極を有し、
前記画素定義膜は、前記第３画素電極の中央部を露出させる第３開口を有し、
前記第２開口と前記第３開口との最短距離は、１７μｍ未満である、請求項１８に記載のディスプレイ装置。
前記第１画素電極、前記第１ダム部、及び前記第２画素電極は、前記第１方向に沿って配置され、
前記第２画素電極、前記第２ダム部及び前記第３画素電極は、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置される、請求項１９に記載のディスプレイ装置。
前記画素定義膜は、前記第１ダム部および前記第２ダム部のいずれから露出する部分を有し、
前記露出する部分の前記基板からの高さは、前記第１ダム部および前記第２ダム部の前記基板からの高さと異なる、請求項１～３のいずれか一つに記載のディスプレイ装置。