JP7493543B2 - ガス処理システム - Google Patents

Description

本発明は、ガス処理システムに関する。

半導体製造装置は、装置内の環境を高度の真空状態にすることが必要である。これらの装置の内部を高度の真空状態とするために、真空ポンプが用いられている。真空ポンプから排出される排気ガスは、除害する必要がある除害ガスを含んでいる。このため、排気ガスは、排気ラインを通って除害装置へ送られて除害処理される。

排気ラインには、三方弁が配置されて、三方弁から主排気ラインとバイパスラインが分岐する場合がある（例えば、特許文献１を参照）。主排気ラインの下流側には除害装置が配置され、バイパスラインの下流側には、除害装置の異常発生時に一時的に除害処理を行う緊急除害装置が接続される。排気ラインを流れる排気ガスは、通常時には、三方弁によってバイパスラインへ送られずに、主排気ラインを通って除害装置へ送られて除害処理される。そして、除害装置の異常発生時に三方弁が切り替えられて、排気ガスが主排気ラインではなくバイパスラインを通って緊急除害装置へ送られて、簡易的に除害処理される。

特開２０２０－２５０９６号公報

ところで、排気ラインおよび三方弁は、除害ガスが内部で固化して堆積しないように、高温に設定されている。すなわち、対象の除害ガスを高温とすることで、蒸気圧曲線での気相側に除害ガスの状態を位置させて、除害ガスの固化を抑制している。

三方弁が高温になると、三方弁のシール性能が低下して内部リークが生じる可能性がある。この場合、除害ガスを除害処理するために、三方弁を主排気ライン側に開いているにも関わらず、バイパスラインに除害ガスが流れてしまう現象が生じる。バイパスラインに接続される緊急除害装置は、基本的に除害性能が高くないため、大量の除害ガスが流入すると処理しきれない可能性がある。

三方弁の内部リークを抑制するために、三方弁のシールの耐熱温度を高くする対策も可能であるが、耐熱温度を高くしても、三方弁の高温化によるシール性能の低下は必ず発生する。このため、三方弁の内部リークを正確に検知できることが望まれる。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、排気ガスの流路を分岐させる三方弁における内部リークを正確に検知できるとともに、三方弁からバイパスラインへの排気ガスのリークを抑制できるガス処理システムを提供することを目的とする。

上記目的を達成する本発明に係るガス処理システムは、排気ガスをガス処理装置へ導く主排気ラインと、前記ガス処理装置以外の設備へ前記排気ガスを導くバイパスラインと、前記主排気ラインおよび前記バイパスラインへ前記排気ガスを導く上流側排気ラインと、前記上流側排気ラインからの前記排気ガスの流れを前記主排気ラインまたは前記バイパスラインに切り替えることが可能な三方弁と、を備えたガス処理システムであって、前記バイパスラインは、仕切弁と、前記三方弁および前記仕切弁の間へ第２のガスを導入するガス導入管と、前記三方弁および前記仕切弁の間の圧力を検出する圧力計と、を有し、前記三方弁が前記主排気ラインへの排気となっている場合、前記仕切弁を閉じて前記仕切弁と前記三方弁との間に閉流路を形成し、更に前記閉流路内に前記ガス導入管から前記第２のガスを導入した状態で、前記圧力計により検出される圧力の変化によって、前記三方弁における内部リークを検知可能であることを特徴とする。

上記のように構成したガス処理システムは、圧力計により検出される閉流路の圧力の変化によって、三方弁における内部リークを正確に検知可能であるとともに、閉流路へ導入される第２のガスによって、バイパスラインへの排気ガスのリークを抑制できる。

前記ガス導入管は、第２の仕切弁を有し、前記ガス導入管から前記第２のガスを導入した後、前記第２の仕切弁を閉じることで、前記閉流路内の圧力を維持でき、かつ前記圧力計により検出される前記閉流路内の圧力の変化によって、前記三方弁における内部リークを検知可能であってもよい。ガス処理システムは、第２の仕切弁を閉じることで閉流路内の圧力を維持できるため、内部リークにより生じる閉流路の圧力の変化を検出しやすくなり、三方弁における内部リークを正確に検知できる。

前記三方弁における内部リークを検知可能とした状態において、前記第２のガスを前記ガス導入管より連続的に導入し続けてもよい。これにより、ガス処理システムは、閉流路内の圧力が経時的に低下することを防止できるため、時間が経過しても、閉流路の圧力の変化を検出できる状態を適切に維持できる。

前記三方弁における内部リークを検知可能とした状態において、前記第２のガスを前記ガス導入管より所定時間のみ導入してもよい。これにより、ガス処理システムは、閉流路内の圧力を継続的に維持する必要がなく、限られた時間のみ一定に維持すればよいため、内部リークにより生じる閉流路の圧力の変化を検出しやすくなり、三方弁における内部リークを高い精度で検知できる。

前記ガス導入管は、前記第２のガスの流量を調整する絞り機構を有してもよい。これにより、ガス処理システムは、第２のガスの流量が絞り機構によって少量に制限される。このため、第２のガスの流入により生じる閉流路内の圧力の時間変化が緩やかになる。このため、三方弁におけるリークにより生じる閉流路内の圧力の変化が、第２のガスの流入により生じる閉流路内の圧力の変化に埋没しにくくなり、特定しやすくなる。このため、ガス処理システムは、三方弁における内部リークを高精度に検知できる。

前記仕切弁は、ノーマルオープン型の弁であってもよい。これにより、仕切弁を動作させる構造に不具合が生じると仕切弁が自動的に開き、バイパスラインを流れるガスが、ガス処理装置以外の設備へ緊急的に放出される。このため、ガス処理システムは、高い安全性を確保できる。

本実施形態に係るガス処理システムの構成図である。 本実施形態に係るガス処理システムの三方弁に内部リークが生じた際の構成図である。 本実施形態に係るガス処理システムの除害装置に不具合が生じた際の構成図である。 本実施形態に係るガス処理システムの変形例の構成図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、図面の寸法は、説明の都合上、誇張されて実際の寸法とは異なる場合がある。また、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

本発明の実施形態に係るガス処理システム１０は、図１に示すように、半導体製造装置等に接続された真空ポンプ（図示せず）から排気される排気ガスが送られる上流側排気ライン２１と、上流側排気ライン２１の下流側に配置される主排気ライン２２と、上流側排気ライン２１と主排気ライン２２の間に配置される三方弁２３と、主排気ライン２２の下流側に配置される除害装置４０とを備えている。ガス処理システム１０は、さらに、三方弁２３に接続されるバイパスライン３０と、バイパスライン３０の下流側に配置される緊急除害装置５０とを備えている。上流側排気ライン２１、主排気ライン２２およびバイパスライン３０は、排気ガスが流れる流路を形成する配管構造を有している。

上流側排気ライン２１は、真空ポンプから排気ガスが送られる例えばバックポンプ１１に接続されて、バックポンプ１１から排気ガスを送られる。なお、上流側排気ライン２１の上流側に配置される構成は、バックポンプ１１に限定されない。上流側排気ライン２１を流れる排気ガスは、除害する必要がある除害ガスを含んでいる。除害ガスは、温めることで昇華する揮発性の高い物質であり、例えば塩化アンモニウムであるが、これに限定されない。上流側排気ライン２１の下流側端部は、三方弁２３に接続されている。

主排気ライン２２の上流側端部は、三方弁２３に接続され、主排気ライン２２の下流側端部は、除害装置４０に接続されている。上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の少なくとも一方は、配管ヒータ２４を備えている。配管ヒータ２４は、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の少なくとも一方の配管を加熱して、配管の内部を流れる除害ガスが、配管内に堆積することを抑制する。配管ヒータ２４の設定温度は、除害ガスの種類や圧力等の条件によって適宜設定され、例えば２００℃以上になることもあるが、これに限定されない。

三方弁２３は、上流側排気ライン２１、主排気ライン２２およびバイパスライン３０に接続される。三方弁２３は、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の流路を連通させる状態と、上流側排気ライン２１およびバイパスライン３０の流路を連通させる状態とを切り替えることができる。三方弁２３の切り替え動作は、例えば空気圧供給源１２から供給される空気圧により作動するアクチュエータにより行われる。なお、三方弁２３の切り替え方法は、これに限定されず、例えば油圧式または電動式などのアクチュエータにより行われてもよい。

除害装置４０は、大気汚染を防止するために除害ガスを除害処理するガス処理装置である。除害装置４０の構造は特に限定されないが、例えば、燃焼式、加熱分解式、湿式、触媒式、プラズマ分解式または吸着式等の方法により、除害ガスを除害処理できる。なお、排気ガスが搬送されるガス処理装置は、除害装置４０でなくてもよい。

バイパスライン３０は、第１バイパスライン３１と、第２バイパスライン３２と、仕切弁３３と、三方弁２３および仕切弁３３の間の第１バイパスライン３１へ第２のガスを導入するガス導入管３４と、三方弁２３および仕切弁３３の間の圧力を検出する圧力計３５とを備えている。第１バイパスライン３１の上流側端部は三方弁２３に接続され、第１バイパスライン３１の下流側端部は仕切弁３３に接続されている。第２バイパスライン３２の上流側端部は仕切弁３３に接続され、第２バイパスライン３２の下流側端部は緊急除害装置５０に接続されている。緊急除害装置５０は、除害装置４０の異常発生時に除害装置４０に代わって除害ガスを除害処理するガス処理装置である。なお、緊急除害装置５０は、主に希釈によって処理を行う簡便な構造のガス処理装置であり、基本的に除害性能が低い。

仕切弁３３は、第１バイパスライン３１と第２バイパスライン３２の間で流路を開閉可能な弁である。仕切弁３３の開閉の切り替え動作は、三方弁２３と同様に、例えば空気圧供給源１２から供給される空気圧により作動するアクチュエータにより行われる。なお、仕切弁３３の切り替え方法は、これに限定されず、例えば油圧式または電動式などのアクチュエータにより行われてもよい。仕切弁３３は、三方弁２３と同期して開閉される。すなわち、三方弁２３の上流側排気ライン２１と第１バイパスライン３１の間が開く際に、仕切弁３３が開き、三方弁２３の上流側排気ライン２１と第１バイパスライン３１の間が閉じる際に、仕切弁３３が閉じる。仕切弁３３は、弁を閉じるための力が作用していない状態では自動的に開状態となるノーマルオープン型の弁であることが好ましい。仕切弁３３は、例えば、内部のスプリングの作用で自動的に開状態となるスプリングリターン型の弁である。これにより、仕切弁３３を動作させる構造に不具合が生じると仕切弁３３は自動的に開き、バイパスライン３０を流れるガスが緊急除害装置５０へ放出されて、安全性が確保される。

ガス導入管３４は、バイパスライン３０へ第２のガスを供給する配管である。ガス導入管３４は、ガス供給源１４から供給される第２のガスの圧力を調整する圧力調整器３６と、圧力調整器３６と第１バイパスライン３１の間に配置される第２の仕切弁３７とを備えている。ガス供給源１４から供給される第２のガスは、三方弁２３、仕切弁３３および第２の仕切弁３７で閉じられたバイパスライン３０の閉流路Ｃ内の圧力を上昇させるために利用される。ガス供給源１４から供給される第２のガスは、窒素ガスが好ましいが、不活性ガスであれば特に限定されず、例えばアルゴンガス等であってもよい。

第２の仕切弁３７は、圧力調整器３６と第１バイパスライン３１の間で流路を開閉可能な弁である。第２の仕切弁３７の開閉の切り替え動作は、手動で行われるが、例えば空気圧式、油圧式または電動式などのアクチュエータにより行われてもよい。

圧力計３５は、バイパスライン３０の三方弁２３と仕切弁３３の間であって、第２の仕切弁３７よりも第１バイパスライン３１側の配管に接続されて、バイパスライン３０の内部の圧力を検出する。すなわち、圧力計３５は、三方弁２３、仕切弁３３および第２の仕切弁３７で閉じられたバイパスライン３０の閉流路Ｃ内の圧力を検出する。圧力計３５による圧力の検出結果は、三方弁２３におけるバイパスライン３０への内部リークを検知するために利用される。本実施形態では、圧力計３５は、第１バイパスライン３１に連通するガス導入管３４に接続されるが、第１バイパスライン３１に接続されてもよい。圧力計３５は、検出した結果を表す信号を、表示装置１３へ送信する。表示装置１３は、圧力計３５から受信する圧力検出結果を、作業者が視覚で認識できるように表示させる。

次に、本実施形態に係るガス処理システム１０の作用を説明する。
初めに、三方弁２３により、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の流路を連通させて、上流側排気ライン２１およびバイパスライン３０の流路を閉じる。これに同期して、仕切弁３３は閉じられる。次に、第２の仕切弁３７を開き、ガス供給源１４から第２のガスを、圧力調整器３６を通してバイパスライン３０の閉流路Ｃへ供給する。バイパスライン３０の閉流路Ｃの圧力Ｐは、所定圧力Ｐ０に設定される（Ｐ＝Ｐ０）。この後、作業者は、第２の仕切弁３７を閉じる。これにより、バイパスライン３０の閉流路Ｃの圧力は、所定圧力Ｐ０で維持される。一例として、ガス供給源１４から供給される第２のガスの圧力は１０ｋＰａから１００ｋＰａ程度であり、閉流路Ｃの所定圧力Ｐ０は１ｋＰａから１００ｋＰａ程度で設定される。

次に、作業者は、配管ヒータ２４により上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の少なくとも一方を加熱する。この後、バックポンプ１１からの排気ガスが、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を介して除害装置４０へ流される。除害装置４０へ到達した排気ガスは、除害ガスを除害処理されて、外部へ放出される。一例として、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を流れる排気ガスの圧力は数ｋＰａである。閉流路Ｃの圧力Ｐは、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を流れる排気ガスの圧力よりも大きい。したがって、三方弁２３のシールに内部リークが生じると、図２に示すように、閉流路Ｃの内部の第２のガスが、三方弁２３を通って主排気ライン２２へリークする。リークする第２のガスは、窒素ガスであるため、ガス処理システム１０への影響は小さい。閉流路Ｃの内部の第２のガスが三方弁２３から主排気ライン２２へ内部リークすると、閉流路Ｃの圧力Ｐは、初めに設定した所定圧力Ｐ０より低下する（Ｐ＜Ｐ０）。作業者は、表示装置１３により閉流路Ｃの圧力Ｐをモニタリングし、三方弁２３のリークの有無を判別する。作業者は、例えば、閉流路Ｃの圧力Ｐが、所定圧力Ｐ０よりも低い予め設定した閾値以下（または閾値未満）となった場合に、三方弁２３に内部リークが発生していると判別できる。

除害装置４０の異常発生時には、図３に示すように、作業者は、三方弁２３を切り替えて上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の流路を閉じ、上流側排気ライン２１およびバイパスライン３０の流路を開いて連通させる。これに同期して、仕切弁３３が開く。これにより、上流側排気ライン２１を流れる排気ガスは、主排気ライン２２へ流れずにバイパスライン３０へ流れて、緊急除害装置５０へ送られて除害処理される。

以上のように、本実施形態に係るガス処理システム１０は、排気ガスをガス処理装置（除害装置４０）へ導く主排気ライン２２と、除害装置４０以外の設備（緊急除害装置５０）へ排気ガスを導くバイパスライン３０と、主排気ライン２２およびバイパスライン３０へ排気ガスを導く上流側排気ライン２１と、上流側排気ライン２１からの排気ガスの流れを主排気ライン２２またはバイパスライン３０に切り替えることが可能な三方弁２３と、を備えたガス処理システム１０であって、バイパスライン３０は、仕切弁３３と、三方弁２３および仕切弁３３の間へ第２のガスを導入するガス導入管３４と、三方弁２３および仕切弁３３の間の圧力を検出する圧力計３５と、を有し、三方弁２３が主排気ライン２２への排気となっている場合、仕切弁３３を閉じて仕切弁３３と三方弁２３との間に閉流路Ｃを形成し、更に閉流路Ｃ内にガス導入管３４から第２のガスを導入した状態で、圧力計３５により検出される圧力の変化によって、三方弁２３における内部リークを検知可能である。

上記のように構成したガス処理システム１０は、圧力計３５により検出される閉流路Ｃの圧力の変化によって、三方弁２３における内部リークを正確に検知可能であるとともに、閉流路Ｃへ導入される第２のガスによって、バイパスライン３０への排気ガスのリークを抑制できる。閉流路Ｃの圧力Ｐが、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を流れる排気ガスの圧力よりも大きい場合には、閉流路Ｃの内部の第２のガスが、三方弁２３を通って主排気ライン２２へリークするため、第２のガスによって、バイパスライン３０への排気ガスのリークをより効果的に抑制できる。

また、ガス導入管３４は、第２の仕切弁３７を有し、ガス導入管３４から第２のガスを導入した後、第２の仕切弁３７を閉じることで、閉流路Ｃ内の圧力を維持でき、かつ圧力計３５により検出される閉流路Ｃ内の圧力の変化によって、三方弁２３における内部リークを検知可能である。ガス処理システム１０は、第２の仕切弁３７を閉じることで閉流路Ｃ内の圧力を維持できるため、内部リークにより生じる閉流路Ｃの圧力の変化を検出しやすくなり、三方弁２３における内部リークを正確に検知できる。

また、仕切弁３３は、ノーマルオープン型の弁である。これにより、仕切弁３３を動作させる構造に不具合が生じると仕切弁３３が自動的に開き、バイパスライン３０を流れるガスが、ガス処理装置以外の設備（本実施形態では緊急除害装置５０）へ緊急的に放出される。このため、ガス処理システム１０は、高い安全性を確保できる。

なお、本発明は、上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の技術的思想内において当業者により種々変更や組合せが可能である。例えば、図４に示す変形例のように、ガス処理システム１０は、バイパスライン３０の圧力調整器３６と第２の仕切弁３７の間に、第２のガスの流量を調整する絞り機構３８が配置されてもよい。絞り機構３８は、オリフィス板である。オリフィス板は、例えば、内径が１／４インチ程度の貫通孔を有しているが、貫通孔の内径は特に限定されない。また、絞り機構３８の構成は、通過するガスの流量を絞ることができれば特に限定されず、例えばニードル弁であってもよい。

上述したガス処理システム１０の変形例を使用する際には、初めに、三方弁２３を、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２の流路を連通させて、上流側排気ライン２１およびバイパスライン３０の流路を閉じる。これに同期して、仕切弁３３は閉じられる。次に、第２の仕切弁３７を開き、ガス供給源１４から第２のガスを、圧力調整器３６および絞り機構３８を通してバイパスライン３０の閉流路Ｃへ供給する。バイパスライン３０の閉流路Ｃの圧力Ｐは、所定圧力Ｐ０に設定される（Ｐ＝Ｐ０）。この後、第２の仕切弁３７を開いたままで、第２のガスを供給し続ける。これにより、閉流路Ｃの圧力Ｐが経時的に徐々に低下することを防止して、圧力Ｐが望ましい所定圧力Ｐ０に維持される。この後、バックポンプ１１からの排気ガスが、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を通って除害装置４０へ送られる。除害装置４０へ到達した排気ガスは、除害ガスを除害処理されて、外部へ放出される。閉流路Ｃの圧力Ｐは、上流側排気ライン２１および主排気ライン２２を流れる排気ガスの圧力よりも高い。したがって、三方弁２３のシールに内部リークが生じると、閉流路Ｃの内部の第２のガスが、三方弁２３を通って主排気ライン２２へリークする。閉流路Ｃの内部の第２のガスが三方弁２３から主排気ライン２２へリークすると、閉流路Ｃの圧力Ｐは、初めに設定した所定圧力Ｐ０より低下する（Ｐ＜Ｐ０）。作業者は、表示装置１３により閉流路Ｃの圧力Ｐをモニタリングし、圧力Ｐを閾値と比較することで、三方弁２３のリークの有無を判別できる。

以上のように、ガス処理システム１０の変形例は、三方弁２３における内部リークを検知可能とした状態において、第２のガスをガス導入管３４より連続的に導入し続ける。これにより、ガス処理システム１０は、閉流路Ｃの圧力Ｐが経時的に低下することを防止できるため、時間が経過しても、閉流路Ｃの圧力Ｐの変化を検出できる状態を適切に維持できる。

また、ガス導入管３４は、第２のガスの流量を調整する絞り機構３８を有している。これにより、ガス処理システム１０は、第２のガスの流量が絞り機構３８によって少量に制限される。このため、第２のガスの流入により生じる閉流路Ｃ内の圧力の時間変化が緩やかになる。このため、三方弁２３における内部リークにより生じる閉流路Ｃ内の圧力の変化が、第２のガスの流入により生じる閉流路Ｃ内の圧力の変化に埋没しにくくなり、特定しやすくなる。このため、ガス処理システム１０は、三方弁２３における内部リークを高精度に検知できる。

また、上述した各々の実施形態において、三方弁２３のリークの有無の判別は作業者により行われるが、演算機能を有するコンピュータ等の制御部によって行われてもよい。制御部は、圧力計３５から圧力の検出結果を受信し、閉流路Ｃの圧力Ｐを予め設定された閾値と比較することで、三方弁２３の内部リークの有無を判別できる。

また、上述したガス処理システム１０の変形例では、三方弁２３における内部リークを検知可能とした状態において、第２のガスをガス導入管３４より連続的に導入し続けているが、他の変形例として、第２のガスをガス導入管３４より所定時間のみ導入してもよい。三方弁２３における内部リークにより生じる閉流路Ｃの圧力Ｐの変化を検出するためには、閉流路Ｃの圧力Ｐを一定に維持する必要があるが、一定に維持し続けることは困難である。さらに、閉流路Ｃの圧力Ｐが低いことが、圧力Ｐを一定にすることをより困難としている。これに対し、他の変形例では、ガス処理システム１０は、三方弁２３における内部リークを検知可能とした状態とするために、定期的に（例えば一日に複数回数）、閉流路Ｃの圧力Ｐが所定圧力Ｐ０となるように、第２の仕切弁３７を開いて、ガス供給源１４から圧力調整器３６およびガス導入管３４を介して閉流路Ｃへ検査用の第２のガスを導入する。すなわち、ガス処理システム１０は、閉流路Ｃの圧力Ｐを継続的に維持する必要がなく、検査を行う限られた短時間のみ、閉流路Ｃの圧力Ｐを所定圧力Ｐ０に維持する。検査を行う際の短時間であれば、閉流路Ｃの圧力Ｐを所定圧力Ｐ０に維持することは容易である。このため、ガス処理システム１０は、内部リークにより生じる閉流路Ｃの圧力Ｐの変化を検出しやすくなり、三方弁２３における内部リークを高い精度で検知できる。したがって、作業者は、表示装置１３により閉流路Ｃの圧力Ｐをモニタリングし、圧力Ｐを閾値と比較することで、三方弁２３のリークの有無を高い精度で判別できる。なお、定期的に行われる第２の仕切弁３７の開閉や、圧力調整器３６による調整の制御や、三方弁２３の内部リークの有無の判別の少なくとも１つは、演算機能を有するコンピュータ等の制御部によって自動的に行われてもよい。

１０ ガス処理システム
２１ 上流側排気ライン
２２ 主排気ライン
２３ 三方弁
３０ バイパスライン
３１ 第１バイパスライン
３２ 第２バイパスライン
３３ 仕切弁
３４ ガス導入管
３５ 圧力計
３６ 圧力調整器
３７ 第２の仕切弁
３８ 絞り機構
４０ 除害装置（ガス処理装置）
５０ 緊急除害装置（緊急ガス処理装置）
Ｃ 閉流路

Claims (6)

1. 排気ガスをガス処理装置へ導く主排気ラインと、
   前記ガス処理装置以外の設備へ前記排気ガスを導くバイパスラインと、
   前記主排気ラインおよび前記バイパスラインへ前記排気ガスを導く上流側排気ラインと、
   前記上流側排気ラインからの前記排気ガスの流れを前記主排気ラインまたは前記バイパスラインに切り替えることが可能な三方弁と、を備えたガス処理システムであって、
   前記バイパスラインは、
   仕切弁と、
   前記三方弁および前記仕切弁の間へ第２のガスを導入するガス導入管と、
   前記三方弁および前記仕切弁の間の圧力を検出する圧力計と、を有し、
   前記三方弁が前記主排気ラインへの排気となっている場合、前記仕切弁を閉じて前記仕切弁と前記三方弁との間に閉流路を形成し、更に前記閉流路内に前記ガス導入管から前記第２のガスを導入した状態で、前記圧力計により検出される圧力の変化によって、前記三方弁における内部リークを検知可能であることを特徴とするガス処理システム。
2. 前記ガス導入管は、第２の仕切弁を有し、
   前記ガス導入管から前記第２のガスを導入した後、前記第２の仕切弁を閉じることで、前記閉流路内の圧力を維持でき、かつ前記圧力計により検出される前記閉流路内の圧力の変化によって、前記三方弁における内部リークを検知可能であることを特徴とする請求項１に記載のガス処理システム。
3. 前記三方弁における内部リークを検知可能とした状態において、前記第２のガスを前記ガス導入管より連続的に導入し続けることを特徴とする請求項１に記載のガス処理システム。
4. 前記三方弁における内部リークを検知可能とした状態とするために、前記第２のガスを前記ガス導入管より所定時間のみ導入することを特徴とする請求項１に記載のガス処理システム。
5. 前記ガス導入管は、前記第２のガスの流量を調整する絞り機構を有することを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のガス処理システム。
6. 前記仕切弁は、ノーマルオープン型の弁であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のガス処理システム。

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