JP7486062B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 186
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 23
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 280
- JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M sodium;4-[2-(4-iodophenyl)-3-(4-nitrophenyl)tetrazol-2-ium-5-yl]benzene-1,3-disulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1N1[N+](C=2C=CC(I)=CC=2)=NC(C=2C(=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)S([O-])(=O)=O)=N1 JUJBNYBVVQSIOU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 100
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
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- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Description
+(cosθz-sinθz)Y/√2+√2psinθz…(1)
C2=-(cosθz-sinθz)X/√2
-(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(2)
C3= (cosθz+sinθz)X/√2
-(cosθz-sinθz)Y/√2+√2psinθz…(3)
C4= (cosθz-sinθz)X/√2
+(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(4)
ただし、pは、図6に示されるように、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド601~604それぞれのX軸及びY軸方向に関する距離である。
D2= ptanθy+ptanθx+Z …(6)
D3= ptanθy-ptanθx+Z …(7)
D4=-ptanθy-ptanθx+Z …(8)
ただし、pは、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド601~604のX軸及びY軸方向に関する距離(図6参照)である。
Δα/δx=ζ1(x-Δx,y)-ζ1(x,y)……(9)
Δα/δy=ζ1(x,y-Δy)-ζ1(x,y)……(10)
Δβ/δx=ζ2(x-Δx,y)-ζ2(x,y)……(11)
Δβ/δy=ζ2(x,y-Δy)-ζ2(x,y)……(12)
ΔZ/δx=η1(x-Δx,y)-η1(x,y)……(13)
ΔZ/δy=η1(x,y-Δy)-η1(x,y)……(14)
Claims (17)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の光軸と垂直な所定面内で直交する第1、第2方向と、前記第1、第2方向と直交する第3方向と、を含む6自由度方向に可動で前記基板を保持するテーブルと、前記テーブルを非接触で支持する本体部と、を有するステージと、
前記投影光学系が配置される露光ステーションと異なる計測ステーションに配置され、前記第3方向に関する前記基板の位置情報を検出する検出系と、
前記露光ステーションおよび前記計測ステーションで前記本体部を移動する平面モータを有し、前記6自由度方向に関して前記テーブルを移動する駆動系と、
前記投影光学系の下端部を実質的に囲むように配置される、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有するスケール部材と、
前記テーブルに設けられる4つのヘッド群を有し、前記露光ステーションにおいて、前記4つの部分の3つまたは4つとそれぞれ対向する前記4つのヘッド群の3つまたは4つによって、前記6自由度方向に関する前記テーブルの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記基板の露光動作に先立ち前記検出系による前記基板の検出動作が行われるとともに、前記露光動作において、前記検出系の検出情報と前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記基板のフォーカス・レベリング制御が行われるように前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記4つのヘッド群はそれぞれ、複数のヘッドを有し、前記複数のヘッドはそれぞれ、前記反射型格子に対してその下方から計測ビームを照射し、
前記エンコーダシステムは、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記複数のヘッドによって前記所定面内で互いに直交する2方向の少なくとも一方に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報を計測し、
前記制御装置は、前記露光動作において、前記4つの部分でそれぞれ、前記4つのヘッド群で取得される前記差分データに基づいて、前記所定面と平行な方向に関する前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差を補償する露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記4つのヘッド群は、前記2方向の一方に関して離れて配置され、それぞれ前記2方向の他方に関して前記位置情報を計測可能な2つのヘッド群と、前記2方向の他方に関して離れて配置され、それぞれ前記2方向の一方に関して前記位置情報を計測可能な2つのヘッド群と、を有する露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記4つのヘッド群は、前記所定面内の第1方向に関して、前記投影光学系の下端部が配置される前記スケール部材の開口の幅より広い間隔で配置される2つのヘッド群と、前記所定面内で前記第1方向と直交する第2方向に関して、前記2つのヘッド群から、前記開口の幅より広い距離離れて配置される2つのヘッド群と、を有し、
前記2方向は、前記所定面内の回転方向に関して前記第1、第2方向と45度異なる露光装置。 - 請求項3に記載の露光装置において、
前記2つのヘッド群はその一方が前記2方向の一方に関して前記位置情報を計測可能、かつ他方が前記2方向の他方に関して前記位置情報を計測可能である露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記複数のヘッドは、前記2方向の一方に関して前記位置情報を計測可能かつ前記2方向の他方に関して互いに位置が異なる少なくとも2つのヘッドを含む露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記複数のヘッドは、前記2方向の一方に関して前記少なくとも2つのヘッドの一部または全部と位置が異なる少なくとも1つのヘッドを含む露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記計測ステーションに配置される、前記スケール部材と異なるスケール部材を、さらに備え、
前記異なるスケール部材は、それぞれ反射型格子が形成される、前記4つの部分と異なる4つの部分を有し、
前記エンコーダシステムは、前記計測ステーションにおいて、前記4つのヘッド群のうち、前記異なるスケール部材と対向する少なくとも3つのヘッド群によって前記テーブルの位置情報を計測するとともに、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記複数のヘッドによって前記2方向の少なくとも一方に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報を計測し、
前記制御装置は、前記異なる4つの部分でそれぞれ、前記計測ステーションで取得される、前記一方の方向に関する差分データに基づいて、前記所定面と平行な方向に関する前記異なるスケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差を補償する露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するメトロロジーフレームを、さらに備え、
前記スケール部材と前記異なるスケール板は同一平面内に実質的に配置されるように、前記メトロロジーフレームに吊り下げ支持される露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記2方向の一方と、前記第3方向と、に関して、前記位置情報を計測し、
前記エンコーダシステムは、前記計測ステーションにおいて、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記第3方向に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報を計測し、
前記制御装置は、前記異なる4つの部分でそれぞれ、前記計測ステーションで取得される、前記第3方向に関する差分データに基づいて、前記第3方向に関する前記異なるスケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差を補償する露光装置。 - 請求項1~9のいずれかに記載の露光装置において、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記2方向の一方と、前記第3方向と、に関して、前記位置情報を計測し、
前記エンコーダシステムは、前記露光ステーションにおいて、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記第3方向に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報を計測し、
前記制御装置は、前記4つの部分でそれぞれ、前記露光ステーションで取得される、前記第3方向に関する差分データに基づいて、前記第3方向に関する前記スケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差を補償する露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記2方向は、前記所定面内の回転方向に関して前記第1、第2方向と45度異なる露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1~9のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の光軸と垂直な所定面内で直交する第1、第2方向と、前記第1、第2方向と直交する第3方向と、を含む6自由度方向に可動で前記基板を保持するテーブルと、前記テーブルを非接触で支持する本体部と、を有するステージを、前記投影光学系が配置される露光ステーションと異なる計測ステーションに配置することと、
前記計測ステーションに配置される検出系によって、前記第3方向に関する前記基板の位置情報を検出することと、
前記基板の露光動作が行われるように前記ステージを前記露光ステーションに配置することと、
前記露光動作において、前記テーブルに設けられる4つのヘッド群を有するエンコーダシステムによって、前記6自由度方向に関する前記テーブルの位置情報を計測するとともに、前記検出系の検出情報と前記エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記基板のフォーカス・レベリング制御が行われるように前記テーブルを移動することと、を含み、
前記露光動作において、前記ステージは、前記投影光学系の下端部を実質的に囲むように配置される、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有するスケール部材の下方で移動され、
前記エンコーダシステムは、前記4つの部分の3つまたは4つとそれぞれ対向する前記4つのヘッド群の3つまたは4つによって、前記6自由度方向に関する前記テーブルの位置情報を計測し、前記4つのヘッド群はそれぞれ、複数のヘッドを有し、前記複数のヘッドはそれぞれ、前記反射型格子に対してその下方から計測ビームを照射し、
前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記複数のヘッドによって前記所定面内で互いに直交する2方向の少なくとも一方に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報が計測され、
前記露光動作において、前記4つの部分でそれぞれ、前記4つのヘッド群で取得される前記差分データに基づいて、前記所定面と平行な方向に関する前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差が補償される露光方法。 - 請求項13に記載の露光方法において、
前記計測ステーションにおいて、前記ステージは、それぞれ反射型格子が形成される、前記4つの部分と異なる4つの部分を有し、前記スケール部材と異なるスケール部材の下方で移動され、前記4つのヘッド群のうち、前記異なるスケール部材と対向する少なくとも3つのヘッド群によって前記テーブルの位置情報が計測されるとともに、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記複数のヘッドによって前記2方向の少なくとも一方に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報が計測され、
前記異なる4つの部分でそれぞれ、前記計測ステーションで取得される、前記一方の方向に関する差分データに基づいて、前記所定面と平行な方向に関する前記異なるスケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差が補償される露光方法。 - 請求項14に記載の露光方法において、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記2方向の一方と、前記第3方向と、に関して、前記位置情報を計測し、
前記計測ステーションにおいて、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記第3方向に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報が計測され、
前記異なる4つの部分でそれぞれ、前記計測ステーションで取得される、前記第3方向に関する差分データに基づいて、前記第3方向に関する前記異なるスケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差が補償される露光方法。 - 請求項13~15のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記2方向の一方と、前記第3方向と、に関して、前記位置情報を計測し、
前記露光ステーションにおいて、前記4つのヘッド群でそれぞれ、前記第3方向に関して前記位置情報の差分データが取得されるように前記位置情報が計測されるとともに、前記4つの部分でそれぞれ、前記露光ステーションで取得される、前記第3方向に関する差分データに基づいて、前記第3方向に関する前記スケール部材の前記反射型格子に起因するグリッド変動によるグリッド誤差が補償される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項13~15のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012219952 | 2012-10-02 | ||
JP2012219952 | 2012-10-02 | ||
JP2022068007A JP7288248B2 (ja) | 2012-10-02 | 2022-04-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022068007A Division JP7288248B2 (ja) | 2012-10-02 | 2022-04-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023101546A JP2023101546A (ja) | 2023-07-21 |
JP7486062B2 true JP7486062B2 (ja) | 2024-05-17 |
Family
ID=50435011
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014539783A Active JP6075657B2 (ja) | 2012-10-02 | 2013-10-02 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017002233A Active JP6344624B2 (ja) | 2012-10-02 | 2017-01-11 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018099241A Active JP6575829B2 (ja) | 2012-10-02 | 2018-05-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2019143646A Active JP6807039B2 (ja) | 2012-10-02 | 2019-08-05 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2020193250A Active JP7069535B2 (ja) | 2012-10-02 | 2020-11-20 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2022068007A Active JP7288248B2 (ja) | 2012-10-02 | 2022-04-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2023079813A Active JP7486062B2 (ja) | 2012-10-02 | 2023-05-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014539783A Active JP6075657B2 (ja) | 2012-10-02 | 2013-10-02 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017002233A Active JP6344624B2 (ja) | 2012-10-02 | 2017-01-11 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018099241A Active JP6575829B2 (ja) | 2012-10-02 | 2018-05-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2019143646A Active JP6807039B2 (ja) | 2012-10-02 | 2019-08-05 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2020193250A Active JP7069535B2 (ja) | 2012-10-02 | 2020-11-20 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2022068007A Active JP7288248B2 (ja) | 2012-10-02 | 2022-04-18 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US9678433B2 (ja) |
EP (2) | EP2905805B1 (ja) |
JP (7) | JP6075657B2 (ja) |
KR (2) | KR102203305B1 (ja) |
CN (2) | CN104838469B (ja) |
HK (2) | HK1211135A1 (ja) |
WO (1) | WO2014054690A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2905805B1 (en) | 2012-10-02 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and pattern-manufacturing method by lithography |
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CN107278279B (zh) | 2015-02-23 | 2020-07-03 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
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EP2003679B1 (en) | 2006-02-21 | 2016-11-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
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JP5667568B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
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JP2011054694A (ja) | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Canon Inc | 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
NL2005545A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2905805B1 (en) | 2012-10-02 | 2020-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and pattern-manufacturing method by lithography |
-
2013
- 2013-10-02 EP EP13844272.8A patent/EP2905805B1/en active Active
- 2013-10-02 JP JP2014539783A patent/JP6075657B2/ja active Active
- 2013-10-02 WO PCT/JP2013/076820 patent/WO2014054690A1/ja active Application Filing
- 2013-10-02 US US14/432,522 patent/US9678433B2/en active Active
- 2013-10-02 KR KR1020157011588A patent/KR102203305B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-02 KR KR1020217000687A patent/KR102311833B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-02 CN CN201380061816.9A patent/CN104838469B/zh active Active
- 2013-10-02 CN CN201810263470.5A patent/CN108613638B/zh active Active
- 2013-10-02 EP EP20174942.1A patent/EP3723111B1/en active Active
-
2015
- 2015-11-27 HK HK15111739.6A patent/HK1211135A1/xx unknown
-
2017
- 2017-01-11 JP JP2017002233A patent/JP6344624B2/ja active Active
- 2017-05-03 US US15/585,866 patent/US9891531B2/en active Active
- 2017-12-20 US US15/848,615 patent/US10409166B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-24 JP JP2018099241A patent/JP6575829B2/ja active Active
- 2018-11-28 HK HK18115232.6A patent/HK1256151A1/zh unknown
-
2019
- 2019-07-26 US US16/522,716 patent/US10852639B2/en active Active
- 2019-08-05 JP JP2019143646A patent/JP6807039B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-28 US US17/082,402 patent/US11256175B2/en active Active
- 2020-11-20 JP JP2020193250A patent/JP7069535B2/ja active Active
-
2021
- 2021-12-28 US US17/563,419 patent/US11579532B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-18 JP JP2022068007A patent/JP7288248B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-05 US US18/093,422 patent/US11747736B2/en active Active
- 2023-05-15 JP JP2023079813A patent/JP7486062B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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JP2009252986A (ja) | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Nikon Corp | 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
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JP5757397B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240405 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240418 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7486062 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |