JP6575829B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
+(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(1)
C2=−(cosθz−sinθz)X/√2
−(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(2)
C3= (cosθz+sinθz)X/√2
−(cosθz−sinθz)Y/√2+√2psinθz…(3)
C4= (cosθz−sinθz)X/√2
+(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(4)
ただし、pは、図6に示されるように、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド601〜604それぞれのX軸及びY軸方向に関する距離である。
D2= ptanθy+ptanθx+Z …(6)
D3= ptanθy−ptanθx+Z …(7)
D4=−ptanθy−ptanθx+Z …(8)
ただし、pは、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド601〜604のX軸及びY軸方向に関する距離(図6参照)である。
Δα/δx=ζ1(x-Δx,y)−ζ1(x,y)……(9)
Δα/δy=ζ1(x,y-Δy)−ζ1(x,y)……(10)
Δβ/δx=ζ2(x-Δx,y)−ζ2(x,y)……(11)
Δβ/δy=ζ2(x,y-Δy)−ζ2(x,y)……(12)
ΔZ/δx=η1(x-Δx,y)−η1(x,y)……(13)
ΔZ/δy=η1(x,y-Δy)−η1(x,y)……(14)
Claims (21)
- 投影光学系を介して照明光で物体を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するメトロロジーフレームと、
前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージと、前記第1ステージを駆動する第1モータを含む第1駆動系と、を有する第1ステージシステムと、
少なくとも前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の3自由度方向に関する前記第1ステージの位置情報を計測する第1エンコーダシステムと、
前記物体を保持する第2ステージと、前記第2ステージを駆動する第2モータを含む第2駆動系と、を有する第2ステージシステムと、
前記第2ステージに設けられ、前記所定面と実質的に平行となるように前記メトロロジーフレームに設けられるスケール部材に対してその下方から計測ビームを照射する複数のヘッドを有し、前記3自由度方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測する第2エンコーダシステムと、
前記物体の露光動作において、前記3自由度方向のうち第1方向を走査方向として前記照明光に対して前記マスクと前記物体をそれぞれ相対移動する走査露光が行われるように、前記第1、第2エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記第1、第2駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記スケール部材は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有し、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記所定面内で交差する2方向および前記所定面と直交する方向のうち少なくとも1方向に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記第2エンコーダシステムは、前記露光動作において前記第2ステージが移動される移動領域内で前記4つの部分とそれぞれ対向するように前記第2ステージに設けられる4つのヘッド群を有し、
前記4つのヘッド群のうち第1ヘッド群は、前記複数のヘッドのうちの少なくとも3つのヘッドを含み、
前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記2方向の一方に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記制御装置は、前記第1ヘッド群が前記4つの部分のうち第1部分と対向しつつ前記第2ステージが移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記第1部分に対応するグリッドの変動を補正するための補正情報を取得し、
前記4つのヘッド群のうち前記第1ヘッド群と異なる第2、第3、第4ヘッド群はそれぞれ、少なくとも3つのヘッドを有し、
前記少なくとも3つのヘッドは、前記2方向の一方または他方に関する前記位置情報の計測に用いられる少なくとも2つのヘッドを含み、
前記制御装置は、前記第2、第3、第4ヘッド群がそれぞれ前記4つの部分のうち前記第1部分と異なる第2、第3、第4部分と対向しつつ前記第2ステージが移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記第2、第3、第4ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記第2、第3、第4部分に対応するグリッドの変動を補正するための第2、第3、第4補正情報を取得する露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記露光動作において前記グリッドの変動による前記マスクのパターンと前記物体とのアライメント誤差が補正されるように前記補正情報に基づいて前記第1、第2駆動系を制御する露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記露光動作中に前記第1部分と対向する前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記補正情報を取得する露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記所定面と平行な方向に関する前記グリッドの変動を補正するための情報を含む露光装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記少なくとも3つのヘッドは、前記2方向の他方に関して前記少なくとも2つのヘッドと位置が異なる少なくとも1つのヘッドを含む露光装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記少なくとも2つのヘッドは、少なくとも前記一方の方向に関して互いに位置が異なるように前記第2ステージに設けられる露光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記少なくとも3つのヘッドはそれぞれ、前記所定面と直交する方向を含む2方向に関する前記位置情報の計測に用いられる露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記所定面と直交する方向に関する前記グリッドの変動を補正するための情報を含む露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第3ヘッド群はそれぞれ、前記少なくとも2つのヘッドが前記2方向の前記一方に関する前記位置情報の計測に用いられ、前記第2、第4ヘッド群はそれぞれ、前記少なくとも2つのヘッドが前記2方向の他方に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記第1、第3ヘッド群は、前記他方の方向に関して離れて前記第2ステージに設けられ、前記第2、第4ヘッド群は、前記一方の方向に関して離れて前記第2ステージに設けられる露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記3自由度方向は、前記第1方向、前記所定面内で前記第1方向と直交する第2方向、および回転方向を含み、
前記2方向は、前記所定面内で前記回転方向に関して前記第1、第2方向と45度異なる露光装置。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系が配置される露光ステーションと異なる計測ステーションにおいて前記メトロロジーフレームに支持され、前記物体のマークを検出するアライメント系と、
前記アライメント系の下端側で前記所定面と実質的に平行となるように前記メトロロジーフレームに設けられ、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有する、前記スケール部材と異なるスケール部材と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記第1ヘッド群が前記異なるスケール部材の4つの部分の1つと対向しつつ前記第2ステージが移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記1つの部分に対応するグリッドの変動を補正するための、前記補正情報と異なる補正情報を取得する露光装置。 - 請求項11に記載の露光装置において、
前記少なくとも3つのヘッドはそれぞれ、前記所定面に直交する方向を含む2方向に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記制御装置は、前記第1ヘッド群が前記1つの部分と対向しつつ前記第2ステージが移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記異なる補正情報として、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記所定面と平行な方向および前記所定面と直交する方向に関する前記1つの部分に対応するグリッドの変動を補正するための情報を取得する露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で物体を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の上方に配置される第1ステージによって、前記照明光で照明されるマスクを保持することと、
前記投影光学系の下方に配置される第2ステージによって前記物体を保持することと、
少なくとも前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の3自由度方向に関する前記第1ステージの位置情報を第1エンコーダシステムで計測することと、
前記第2ステージに設けられ、前記所定面と実質的に平行となるように前記投影光学系を支持するメトロロジーフレームに設けられるスケール部材に対してその下方から計測ビームを照射する複数のヘッドを有する第2エンコーダシステムによって、前記3自由度方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測することと、
前記物体の露光動作において、前記3自由度方向のうち第1方向を走査方向として前記照明光に対して前記マスクと前記物体をそれぞれ相対移動する走査露光が行われるように、前記第1、第2エンコーダシステムの計測情報に基づいて前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記スケール部材は、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有し、
前記複数のヘッドはそれぞれ、前記所定面内で交差する2方向および前記所定面と直交する方向のうち少なくとも1方向に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記第2エンコーダシステムは、前記露光動作において前記第2ステージが移動される移動領域内で前記4つの部分とそれぞれ対向するように前記第2ステージに設けられる4つのヘッド群を有し、
前記4つのヘッド群のうち第1ヘッド群は、前記複数のヘッドのうちの少なくとも3つのヘッドを含み、
前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記2方向の一方に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記第1ヘッド群が前記4つの部分のうち第1部分と対向しつつ前記第2ステージが移動され、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記第1部分に対応するグリッドの変動を補正するための補正情報が取得され、
前記4つのヘッド群のうち前記第1ヘッド群と異なる第2、第3、第4ヘッド群はそれぞれ、少なくとも3つのヘッドを有し、
前記少なくとも3つのヘッドは、前記2方向の一方または他方に関する前記位置情報の計測に用いられる少なくとも2つのヘッドを含み、
前記第2、第3、第4ヘッド群がそれぞれ前記4つの部分のうち前記第1部分と異なる第2、第3、第4部分と対向しつつ前記第2ステージが移動され、前記第2、第3、第4ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記第2、第3、第4部分に対応するグリッドの変動を補正するための第2、第3、第4補正情報が取得される露光方法。 - 請求項14に記載の露光方法において、
前記露光動作において前記グリッドの変動による前記マスクのパターンと前記物体とのアライメント誤差が補正されるように前記補正情報に基づいて前記第1、第2ステージが移動される露光方法。 - 請求項14又は15に記載の露光方法において、
前記露光動作中に前記第1部分と対向する前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記補正情報が取得される露光方法。 - 請求項14〜16のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記所定面と平行な方向に関する前記グリッドの変動を補正するための情報を含む露光方法。 - 請求項14〜17のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記少なくとも3つのヘッドはそれぞれ、前記所定面と直交する方向を含む2方向に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記補正情報は、前記所定面と直交する方向に関する前記グリッドの変動を補正するための情報を含む露光方法。 - 請求項14〜18のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系が配置される露光ステーションと異なる計測ステーションにおいて前記メトロロジーフレームに支持されるアライメント系によって、前記物体のマークが検出され、
前記アライメント系の下端側で前記所定面と実質的に平行となるように前記メトロロジーフレームに設けられ、それぞれ反射型格子が形成される4つの部分を有する、前記スケール部材と異なるスケール部材に対してその下方から前記計測ビームを照射する前記第2エンコーダシステムによって、前記計測ステーションにおいて前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記第1ヘッド群が前記異なるスケール部材の4つの部分の1つと対向しつつ前記第2ステージが移動され、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記1つの部分に対応するグリッドの変動を補正するための、前記補正情報と異なる補正情報が取得される露光方法。 - 請求項19に記載の露光方法において、
前記少なくとも3つのヘッドはそれぞれ、前記所定面に直交する方向を含む2方向に関する前記位置情報の計測に用いられ、
前記第1ヘッド群が前記1つの部分と対向しつつ前記第2ステージが移動され、前記異なる補正情報として、前記第1ヘッド群から得られる位置情報に基づいて前記所定面と平行な方向および前記所定面と直交する方向に関する前記グリッドの変動を補正するための情報が取得される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項14〜20のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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US10852647B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-12-01 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, moving method, exposure apparatus, exposure method, flat-panel display manufacturing method , and device manufacturing method |
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US10593586B2 (en) * | 2017-03-17 | 2020-03-17 | Lam Research Corporation | Systems and methods for controlling substrate approach toward a target horizontal plane |
US11209373B2 (en) * | 2019-06-21 | 2021-12-28 | Kla Corporation | Six degree of freedom workpiece stage |
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CN116134476A (zh) * | 2020-08-03 | 2023-05-16 | Oppo广东移动通信有限公司 | 平面矫正方法及装置、计算机可读介质和电子设备 |
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---|---|---|---|---|
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US5196745A (en) | 1991-08-16 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Magnetic positioning device |
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JP3448991B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | ステージ移動制御装置、投影型露光装置およびステージ駆動方法ならびに露光方法。 |
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JP2004235354A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Canon Inc | 露光装置 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101157003B1 (ko) | 2004-09-30 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학 디바이스 및 노광 장치 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
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CN2881536Y (zh) * | 2005-09-13 | 2007-03-21 | 张天兴 | 一种测量络筒直径的装置 |
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KR101495471B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2015-02-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US20080094592A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US7545507B2 (en) * | 2007-03-15 | 2009-06-09 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement system |
US7561280B2 (en) | 2007-03-15 | 2009-07-14 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components |
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