JP7481603B2 - 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 - Google Patents
真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7481603B2 JP7481603B2 JP2020044559A JP2020044559A JP7481603B2 JP 7481603 B2 JP7481603 B2 JP 7481603B2 JP 2020044559 A JP2020044559 A JP 2020044559A JP 2020044559 A JP2020044559 A JP 2020044559A JP 7481603 B2 JP7481603 B2 JP 7481603B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chuck
- sic
- substrate
- convex portion
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 44
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 36
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000002715 modification method Methods 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 87
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 48
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
(真空チャックの構成)
本発明の実施形態に係る真空チャックについて図1および図2を参照して説明する。図1は、本発明の実施形態に係る真空チャックの上面の一例を示した模式図である。また、図2は、本発明の実施形態に係る真空チャックの一例を示した模式的な断面図である。真空チャック100は、SiCセラミックスにより形成された真空チャックであって、基材10と、複数の凸部20と、を備えている。基材10は、SiCセラミックスにより略平板状に形成されている。基材10は略円板状のほか、多角形板状又は楕円板状などのさまざまな形状であってもよい。基材10を形成するSiCセラミックスは、SiCセラミックス焼結体またはCVDによって作製されたSiCバルク体であることが好ましい。
次に、本発明の真空チャックの表面改質方法を説明する。まず、SiCセラミックスにより形成され、少なくとも一方の主面に複数の凸部を備える真空チャックを準備する。準備する真空チャックは、SiCセラミックス焼結体またはCVDによって作製されたSiCバルク体により形成された真空チャックであることが好ましいが、そのほかの方法で作製されたSiCセラミックスにより形成された真空チャックであってもよい。
次に、本発明の真空チャックの製造方法を説明する。本発明の真空チャックの製造方法は、凸部の形成の前にイオン注入を行なう方法(製造方法1)と、凸部を形成したあとにイオン注入を行なう方法(製造方法2)に分かれるが、平面度が維持されるようにイオン注入をする点において、同じ特徴を有する。
図3(a)~(c)は、本発明の製造方法1の真空チャックの製造方法を示す模式図である。まず、図3(a)に示されるように、SiCセラミックス焼結体またはCVDによって作製されたSiCバルク体により形成されたSiC基材を準備する。いずれのSiC基材であっても、周知の方法で作製することができる。SiC基材の形状も真空チャックの設計に応じて、平板状の円板形状、多角形形状、楕円形状など、どんな形状でもよい。外形加工および通気孔の加工ののち、SiC基材の表面を研磨加工する。研磨加工は、平面度が□20mm当たりのローカルフラットネス(LF)で50nm以下になるように加工することが好ましい。研磨加工は、基板の載置面となる主面だけでなく、両方の主面に対して行なうことが好ましい。
製造方法2は、製造方法1と工程の順序が異なるだけであり、形状、イオン注入の条件等は製造方法1と同一である。したがって、製造方法1と異なる点を説明する。図4(a)~(c)は、本発明の製造方法2の真空チャックの製造方法を示す模式図である。まず、図4(a)に示されるように、SiCセラミックス焼結体またはCVDによって作製されたSiCバルク体により形成されたSiC基材を準備する。外形加工および通気孔の加工ののち、SiC基材の表面を研磨加工する。
(試験片の製造)
SiC+B4C+CをCIP成形後、2000℃、3時間、常圧焼成したSiC焼結体の試験片を複数準備した。また、CVD法によりSiCを堆積して作製したCVD-SiCバルク体の試験片を複数準備した。寸法は、いずれも径φが50mm、厚さtが5mmである。次に、各試験片の表面粗さRaが0.05μm以下になるように研磨加工した。このとき、平面度はいずれの試験片も□20mm当たりのローカルフラットネス(LF)で50nm以下であった。
次に、SiC焼結体の試験片3つ、およびCVD-SiCバルク体の試験片3つに窒素イオンを注入した。イオン注入時間は90秒、加速電圧は200kVとした。また、別のSiC焼結体の試験片3つにも窒素イオンを注入した。イオン注入時間は1000秒、加速電圧は200kVとした。90秒イオン注入したSiC焼結体の試験片群を試験片1、90秒イオン注入したCVD-SiCバルク体の試験片群を試験片2、イオン注入していないSiC焼結体の試験片群を試験片3、イオン注入していないCVD-SiCバルク体の試験片群を試験片4、1000秒イオン注入したSiC焼結体の試験片群を試験片5と呼称する。各試験片に対して、イオン濃度測定、摩耗試験、および平面度測定を行なった。図5は、各試験片の製造条件、および各試験または測定の結果を示す表である。
各試験片を1つずつ準備し、それぞれ表面からの距離(深さ)が0.1μmの位置および1.0μmにおける窒素原子の濃度をSIMSにより測定した。イオン注入した試験片1、2、および5は、0.1μmの位置における窒素原子の濃度が、それぞれ5×1018atoms/cm3、1×1018atoms/cm3、および9×1018atoms/cm3であった。また、1.0μmの位置における窒素原子の濃度は、それぞれ4×1016atoms/cm3、1×1016atoms/cm3、および4×1017atoms/cm3であり、それぞれ0.1μmの位置における窒素原子の濃度よりも小さかった。また、イオン注入していない試験片3および4は、0.1μmおよび1.0μmの位置における窒素原子の濃度は、いずれも1×1017atoms/cm3未満であった。図5のイオン濃度は、各試験片の0.1μmの位置における窒素原子の濃度を示している。
次に、別の各試験片を1つずつ準備し、JIS-R 1613に準拠したピンオンディスク摩擦摩耗試験を、評価機(CSM Instruments社製、Tribometer)を用いて行なった。試験条件は、温度:室温、荷重:10N、摺動速度:0.1m/s、回転数:64rpm、ピン:SiC焼結体とした。また、評価は、摺動距離:100m/500m/1000mでのディスクの比磨耗量を測定し、比摩耗量が5×10-8m2/N以下だと良(〇)、それより大きいと不良(×)と評価した。イオン注入した試験片1、2、および5は、摺動距離1000mでのディスクの比磨耗量は良であった。これに対し、イオン注入していない試験片3および4は、摺動距離500mでのディスクの比磨耗量は良であったが、摺動距離1000mでのディスクの比磨耗量は不良であった。これにより、SiCセラミックスに窒素イオンを注入すると、耐摩耗性が向上することが確かめられた。
次に、さらに別の試験片1、2、および5に対して、イオン注入の前後の平面度の変化を調べた。試験片1および2は、イオン注入の前後で平面度の変化はなかった。試験片5は、□20mm当たりのローカルフラットネス(LF)が120nmとなった。試験片5は平面度の変化があったため、不適と判断した。したがって、イオン注入する条件によるが、長時間イオン注入をすると平面度が保てない場合があることが確かめられた。なお、試験片3および4は、イオン注入していないので、平面度の変化は測定していない。
次に、上記製造方法1の製造方法により、炭化珪素の焼結体からなり、イオン注入をした真空チャックを作製した。まず、径φ200mm、厚さt5.0mmの略円板形状の炭化珪素の焼結体からなる基材を作製した。次に、基材の表面を平面度が□20mm当たりのローカルフラットネス(LF)で50nmとなるように研磨加工した。次に、基材の上面に窒素イオンを注入した。イオン注入時間は90秒、加速電圧は200kVとした。イオン注入の前後で、基材の表面の平面度に変化はなかった。そして、イオン注入した面に複数の凸部および複数の凸部を取り囲む外周凸部を形成した。各凸部は、径φ0.2mm、高さ100μmで、各凸部間の間隔は3.5mmの三角格子上に形成した。また、外周部に幅0.5mm、高さ100μmの複数の凸部を取り囲む略円環状のリブを形成し、中央部に貫通孔を設けて、真空チャックを作製した。
15、16 主面
18 通気孔
20 凸部
21 凸部の上端面
27 外周凸部
28 外周凸部の上端面
100 真空チャック
W 基板
Claims (7)
- SiCセラミックスにより形成された真空チャックであって、
基材と、
前記基材の少なくとも一方の主面に形成された複数の凸部と、を備え、
前記凸部の表面からの距離が0.1μmの位置における窒素原子の濃度である表面濃度が、1×1017atoms/cm3以上であり、
前記凸部の表面からの距離が1.0μmの位置における窒素原子の濃度が、前記表面濃度よりも小さいことを特徴とする真空チャック。 - SiCセラミックスにより形成された真空チャックの表面改質方法であって、
SiCセラミックスにより形成され、少なくとも一方の主面に複数の凸部を備える真空チャックを準備する工程と、
前記凸部を備える真空チャックの主面に窒素イオンを注入し、前記凸部からの距離が1.0μm未満の領域に、窒素原子の濃度が1×1017atoms/cm3以上存在する領域を形成する工程と、を含むことを特徴とする表面改質方法。 - 前記窒素イオンを注入する工程は、1秒以上900秒以下行なうことを特徴とする請求項2に記載の表面改質方法。
- 請求項1に記載の真空チャックの製造方法であって、
SiCセラミックス焼結体またはCVDによって作製されたSiCバルク体により形成されたSiC基材を準備する工程と、
前記SiC基材の少なくとも一方の主面に窒素イオンを注入する工程と、を含むことを特徴とする真空チャックの製造方法。 - 前記窒素イオンを注入する工程のあとに、前記窒素イオンが注入された前記SiC基材の主面に複数の凸部を形成する凸部加工工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の真空チャックの製造方法。
- 前記SiC基材を準備する工程と前記窒素イオンを注入する工程との間に、前記窒素イオンを注入する前記SiC基材の主面に複数の凸部を形成する凸部加工工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の真空チャックの製造方法。
- 前記窒素イオンを注入する工程は、1秒以上900秒以下行なうことを特徴とする請求項4から請求項6の何れかに記載の真空チャックの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020044559A JP7481603B2 (ja) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020044559A JP7481603B2 (ja) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021145110A JP2021145110A (ja) | 2021-09-24 |
JP7481603B2 true JP7481603B2 (ja) | 2024-05-13 |
Family
ID=77767193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020044559A Active JP7481603B2 (ja) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7481603B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004726A (ja) | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2009289895A (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013230948A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Kyocera Corp | 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材 |
JP2020004892A (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材及びその製造方法 |
-
2020
- 2020-03-13 JP JP2020044559A patent/JP7481603B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004726A (ja) | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2009289895A (ja) | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2013230948A (ja) | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Kyocera Corp | 炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材 |
JP2020004892A (ja) | 2018-06-29 | 2020-01-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 基板保持部材及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021145110A (ja) | 2021-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2927947B1 (en) | Placement member and method for manufacturing same | |
US7582166B2 (en) | Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture | |
KR102618488B1 (ko) | 웨이퍼 핀 척 제조 및 수리 | |
KR100758965B1 (ko) | 반도체 웨이퍼용 열처리 치구 | |
TWI694539B (zh) | 基板保持裝置及其製造方法 | |
US20100064727A1 (en) | Method of Manufacturing An Optical Glass Element | |
KR102341558B1 (ko) | 마스크 블랭크용 유리 기판 및 그의 제조 방법 | |
CN103809371A (zh) | 矩形形成模具用基板 | |
JP7481603B2 (ja) | 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法 | |
JP2019116669A (ja) | 摺動部材およびピストンリング | |
TW201842244A (zh) | 用於保持半導體晶圓的基座、用於在半導體晶圓的正面上沉積磊晶層的方法、以及具有磊晶層的半導體晶圓 | |
JP4025960B2 (ja) | 角形ホトマスク基板の研磨方法、角形ホトマスク基板、ホトマスクブランクス及びホトマスク | |
JP2016177120A (ja) | ペリクル枠およびペリクル枠の製造方法 | |
JP7096031B2 (ja) | 基板保持部材 | |
JP2020004892A (ja) | 基板保持部材及びその製造方法 | |
WO2018207942A1 (ja) | サセプタ、エピタキシャル基板の製造方法、及びエピタキシャル基板 | |
JP2019186490A (ja) | キャリア、キャリアの製造方法、キャリアの評価方法および半導体ウェーハの研磨方法 | |
CN109119372B (zh) | 基板保持构件 | |
CN111788656B (zh) | 贴合晶圆的制造方法及贴合晶圆 | |
JP2022111715A (ja) | 基板保持部材 | |
JPH09260471A (ja) | 焼結炭化硅素基体上に化学蒸着炭化硅素膜をコーティングした半導体ウエハ用真空チャック | |
US11440157B2 (en) | Dual-surface polishing device and dual-surface polishing method | |
JP2022153105A (ja) | 基板保持部材およびその製造方法 | |
US20220402812A1 (en) | Silica glass disc having dimples formed thereon | |
JP4212279B2 (ja) | 球状基板、半導体装置、球状半導体装置の製造装置、識別装置、および球状基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7481603 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |