JP7474595B2 - 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 - Google Patents
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Description
前記半導体用薄膜は窒化金属、酸化金属、ケイ化金属などからなる。前記窒化金属薄膜としては窒化チタン(TiN)、窒化タンタル(TaN)、窒化ジルコニウム(ZrN)などがあり、前記薄膜は一般的にドーピングされた半導体のシリコン層と層間配線材料として使用されるアルミニウム(Al)、銅(Cu)などとの拡散防止膜(diffusion barrier)として使用される。但し、タングステン(W)薄膜を基板に蒸着する時には接着層として使用される。
基板に蒸着された薄膜が好適で均一な物性を得るためには、形成された薄膜の高い段差被覆性が必須である。したがって、気相反応を主に活用するCVD(chemical vapor deposition)工程よりも表面反応を活用するALD(atomic layer deposition、原子層堆積方法)工程が活用されているが、100%の段差被覆性を具現するためには依然として問題が存在する。
また、前記窒化金属のうち代表的な窒化チタン(TiN)を蒸着させるために使用される四塩化チタン(TiCl4)の場合、製造された薄膜内塩化物のような工程副生成物が残留するようになりアルミニウムなどのような金属の腐食を誘発し、不揮発性副生成物が生成される問題によって膜質の劣化を招く。
したがって、複雑な構造の薄膜形成が可能で、層間配線材料を腐食させない薄膜の製造方法の開発が必要な実情である。
本発明の上記目的及びその他の目的は、下記で説明された本発明によってすべて達成することができる。
AnBmXo (1)
(式中、Aは炭素またはケイ素であり、Bは水素または炭素数1ないし3のアルキルであり、Xはハロゲンであり、nは1ないし15のいずれかの整数であり、oは1以上の整数であり、mは0ないし2n+1である。)
また、本発明は、ALDチャンバ、薄膜形成用成長抑制剤を気化する第1気化器、気化された薄膜形成用成長抑制剤をALDチャンバ内に移送する第1移送手段、金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体、金属窒化膜前駆体またはシリコン窒化膜前駆体を気化する第2気化器及び気化された前記前駆体をALDチャンバ内に移送する第2移送手段を含む薄膜製造装置を提供する。
本発明の薄膜製造方法は、i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程、及びii)成長抑制剤が吸着された基板表面に金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体、金属窒化膜前駆体またはシリコン窒化膜前駆体を吸着させる工程を含み、前記薄膜形成用成長抑制剤は、化学式(1)で表され、前記金属はタングステン、コバルト、クロム、アルミニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビオム、ゲルマニウム、ランタン族元素、アクチニウム族元素、ガリウム、タンタル、ジルコニウム、ルテニウム、銅、チタン、ニッケル、イリジウム及びモリブデンからなる群から選択された1種以上である。
AnBmXo (1)
(式中、Aは炭素またはケイ素であり、Bは水素または炭素数1ないし3のアルキルであり、Xはハロゲンであり、nは1ないし15のいずれかの整数であり、oは1以上の整数であり、mは0ないし2n+1である。)
このような場合、薄膜形成時に副反応を抑制して薄膜成長率を下げ、また薄膜内工程副生成物を除去することで腐食や劣化が低減され、複雑な構造を持つ基板上に薄膜を形成する場合でも段差被覆性及び薄膜の厚さ均一性を大きく向上させる効果がある。
成長抑制剤の供給時間(Feeding Time)がサイクルあたり好ましくは1ないし10秒、より好ましくは1ないし5秒、さらに好ましくは2ないし5秒、より一層好ましくは2ないし4秒である。この範囲内で薄膜成長率が低く、段差被覆性及び経済性に優れる利点がある。
本記載において、薄膜形成用成長抑制剤の供給時間(Feeding Time)は、チャンバの体積15ないし20L及び流量0.5ないし5mg/sを基準とし、より具体的にはチャンバの体積18L及び流量1ないし2mg/sを基準とする。
前記i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程は、好ましい例として、薄膜形成用成長抑制剤をALDチャンバ内に注入してローディングされた基板表面に吸着させる工程を含み、このような場合、副反応を抑制し、蒸着速度を遅らせて薄膜成長率を下げ、また薄膜内工程副生成物を除去する効果が大きい。
前記i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程は、好ましくは基板表面に吸着されていない残留薄膜形成用成長抑制剤をパージガスでパージすることを含み、この場合、薄膜形成時に副反応を抑制して薄膜成長率を下げ、また薄膜内工程副生成物を除去することで腐食や劣化が低減し、複雑な構造を持つ基板上に薄膜を形成する場合でも段差被覆性及び薄膜の厚さ均一性を大きく向上させる利点がある。
また、前記ii)金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体、金属窒化膜前駆体またはシリコン窒化膜前駆体(以下、「薄膜前駆体」という)を吸着させる工程は、好ましくは吸着されていない残留前駆体をパージガスでパージングすることを含む。
前記薄膜製造方法は、好ましい一実施例として、a)前記薄膜形成用成長抑制剤を気化してALDチャンバ内のローディングされた基板表面に吸着させる工程と、b)前記ALDチャンバ内部をパージガスで1次パージする工程と、c)膜前駆体を気化してALDチャンバ内のローディングされた基板表面に吸着させる工程と、d)前記ALDチャンバ内部をパージガスで2次パージする工程と、e)前記ALDチャンバ内部に反応ガスを供給する工程及びf)前記ALDチャンバ内部をパージガスで3次パージする工程を含み、このような場合、薄膜成長率が適切に低くなり、薄膜形成時に蒸着温度が高くなっても生成される工程副生成物が効果的に除去されて薄膜の比抵抗が減少し、段差被覆性が大きく向上する利点がある。
前記薄膜形成用成長抑制剤及び膜前駆体は、好ましくはVFC方式、DLI方式またはLDS方式でALDチャンバ内、即ち基板表面に移送され、より好ましくはLDS方式でALDチャンバ内に移送される。
前記薄膜形成用成長抑制剤と前記膜前駆体のALDチャンバ内投入量(mg/cycle)比は、好ましくは1:1.5ないし1:20であり、より好ましくは1:2ないし1:15であり、さらに好ましくは1:2ないし1:12であり、より一層好ましくは1:2.5ないし1:10である。この範囲内でサイクルあたりの薄膜成長率(GPC)の減少率が高く、工程副生成物の低減効果が大きい。
前記金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体及び金属窒化膜前駆体は、各々一例として、金属ハライド、金属アルコキシド、アルキル金属化合物、金属アミノ化合物、金属カルボニル化合物、及び置換または非置換シクロペンタジエニル金属化合物などからなる群から選択された1種以上でもよいが、これに制限されるものではない。
Si(iBuNCHCHNiBu)2、Si(tBuNCHCHNtBu)2、(HNCHCHNH)Si(HNCH2CH2NH)、(MeNCHCHNMe)Si(MeNCH2CH2NMe)、(EtNCHCHNEt)Si(EtNCH2CH2NEt)、(nPrNCHCHNnPr)Si(nPrNCH2CH2NnPr)、(iPrNCHCHNiPr)Si(iPrNCH2CH2NiPr)、(nBuNCHCHNnBu)Si(nBuNCH2CH2NnBu)、(iBuNCHCHNiBu)Si(iBuNCH2CH2NiBu)、(tBuNCHCHNtBu)Si(tBuNCH2CH2NtBu)、(NHtBu)2Si(HNCH2CH2NH)、(NHtBu)2Si(MeNCH2CH2NMe)、(NHtBu)2Si(EtNCH2CH2NEt)、(NHtBu)2Si(nPrNCH2CH2NnPr)、(NHtBu)2Si(iPrNCH2CH2NiPr)、(NHtBu)2Si(nBuNCH2CH2NnBu)、(NHtBu)2Si(iBuNCH2CH2NiBu)、(NHtBu)2Si(tBuNCH2CH2NtBu)、(NHtBu)2Si(HNCHCHNH)、(NHtBu)2Si(MeNCHCHNMe)、(NHtBu)2Si(EtNCHCHNEt)、(NHtBu)2Si(nPrNCHCHNnPr)、(NHtBu)2Si(iPrNCHCHNiPr)、(NHtBu)2Si(nBuNCHCHNnBu)、(NHtBu)2Si(iBuNCHCHNiBu)、(NHtBu)2Si(tBuNCHCHNtBu)、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHMe)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHEt)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHnPr)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHiPr)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHnBu)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHiBu)2、(iPrNCH2CH2NiPr)Si(NHtBu)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHMe)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHEt)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHnPr)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHiPr)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHnBu)2、(iPrNCHCHNiPr)Si(NHiBu)2及び(iPrNCHCHNiPr)Si(NHtBu)2からなる群から選択された1種以上でもよいが、これに制限されるものではない。
前記nPrはn-プロピルを意味し、iPrはiso-プロピルを意味し、nBuはn-ブチルを、iBuはiso-ブチルを、tBuはtert-ブチルを意味する。
但し、前記テトラハロゲン化チタンは、熱的安定性に優れて常温で分解されずに液体状態で存在するため、ALDの薄膜前駆体として薄膜を蒸着させるのに有用に使用することができる。
前記非極性溶媒は、好ましくはアルカン及びシクロアルカンからなる群から選択された1種以上であり、このような場合、反応性及び溶解度が低く、水分管理が容易な有機溶媒を含みながらも薄膜形成時に蒸着温度が増加しても段差被覆性が向上する利点がある。
より好ましい例として、前記非極性溶媒は、C1ないしC10のアルカンまたはC3ないしC10のシクロアルカンを含み、好ましくはC3ないしC10のシクロアルカンであり、この場合、反応性及び溶解度が低く、水分管理が容易な利点がある。
本記載において、C1、C3などは炭素数を意味する。
前記シクロアルカンは、好ましくはC3ないしC10のモノシクロアルカンであり、前記モノシクロアルカンのうちシクロペンタンが常温で液体であり、最も蒸気圧が高く気相蒸着工程で好ましいが、これに限定されるものではない。
本記載において、溶解度は本発明が属する技術分野で通常使用する測定方法や基準によれば特に制限されず、一例として、飽和溶液をHPLC法により測定することができる。
前記非極性溶媒は、好ましくは薄膜前駆体及び非極性溶媒を合わせた総重量に対して5ないし95重量%含み、より好ましくは10ないし90重量%含み、さらに好ましくは40ないし90重量%含み、最も好ましくは70ないし90重量%含む。
前記非極性溶媒の含量が前記上限値を超過して投入されると、不純物を誘発して抵抗と薄膜内不純物の数値が増加し、前記有機溶媒の含量が前記下限値未満で投入される場合、溶媒添加による段差被覆性の向上効果及び塩素(Cl)イオンのような不純物の低減効果が少ない短所がある。
[数1]
サイクルあたりの薄膜成長率の減少率(%)=[(薄膜形成用成長抑制剤を使用した時のサイクルあたりの薄膜成長率-薄膜形成用成長抑制剤を使用しなかった時のサイクルあたりの薄膜成長率)/薄膜形成用成長抑制剤を使用しなかった時のサイクルあたりの薄膜成長率]×100
前記薄膜製造方法によって形成された薄膜は、SIMSによって測定された、200サイクル後に形成された薄膜内残留ハロゲンの強さ(c/s)が好ましくは10,000以下、より好ましくは8,000以下、さらに好ましくは7,000以下、より一層好ましくは6,000以下である。このような範囲内で腐食及び劣化が防止される効果が優れている。
本記載において、パージングは好ましくは1,000ないし10,000sccm、より好ましくは2,000ないし7,000sccm、さらに好ましくは2,500ないし6,000sccmであり、この範囲内でサイクルあたりの薄膜成長率が好ましい範囲で減少し、工程副生成物が低減する効果がある。
前記薄膜製造方法は、一例として、50ないし900℃範囲の蒸着温度で実施し、好ましくは300ないし700℃範囲の蒸着温度で、より好ましくは350ないし600℃範囲の蒸着温度で実施し、さらに好ましくは400ないし550℃範囲の蒸着温度で実施し、より一層好ましくは400ないし500℃範囲の蒸着温度で実施するが、この範囲内でALD工程特性を具現しながら優れた膜質の薄膜に成長させる効果がある。
本記載において、蒸着温度及び蒸着圧力は、蒸着チャンバ内で形成される温度及び圧力によって測定されるか、蒸着チャンバ内の基板に加えられる温度及び圧力によって測定されることができる。
前記薄膜製造方法は、好ましくは前記薄膜形成用成長抑制剤をチャンバ内に投入する前にチャンバ内温度を蒸着温度に昇温する工程、及び/または前記薄膜形成用成長抑制剤をチャンバ内に投入する前にチャンバ内に不活性気体を注入してパージングする工程を含む。
また、本発明は、前記薄膜製造方法を具現することができる薄膜製造装置としてALDチャンバ、薄膜形成用成長抑制剤を気化する第1気化器、気化された薄膜形成用成長抑制剤をALDチャンバ内に移送する第1移送手段、金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体、金属窒化膜前駆体またはシリコン窒化膜前駆体を気化する第2気化器及び気化された前記前駆体をALDチャンバ内に移送する第2移送手段を含むことを特徴とする薄膜製造装置を含む。ここで、気化器及び移送手段は本発明が属する技術分野で通常使用される気化器及び移送手段であれば特に制限されない。
まず、上部に薄膜が形成され得る基板を原子層蒸着が可能な蒸着チャンバ内に位置させる。
前記基板は、シリコン基板、シリコンオキサイドなどの半導体基板を含む。
前記基板は、その上部に導電層または絶縁層がさらに形成されている場合がある。
前記蒸着チャンバ内に位置させた基板上に薄膜を蒸着するために、上述した薄膜形成用成長抑制剤と、膜前駆体またはこれと非極性溶媒の混合物を各々準備する。
その後、準備した薄膜形成用抑制剤を気化器内に注入した後、気相に変化させて蒸着チャンバに伝達して基板上に吸着させ、非吸着の薄膜形成用抑制剤をパージする。
次に、準備した膜前駆体またはこれと非極性溶媒の混合物を気化器内に注入した後、気相に変化させて蒸着チャンバに伝達して基板上に吸着させ、非吸着の薄膜形成用組成物をパージする。
薄膜形成用抑制剤及び膜前駆体などを基板上に移動させるためのキャリアガスまたは希釈ガスとしては、アルゴン(Ar)、窒素(N2)、ヘリウム(He)から選択される一つまたは二つ以上の混合気体を使用するが、これに制限されるものではない。
本記載において、パージガスとしては、一例として、不活性ガスを使用し、好ましくは前記キャリアガスまたは希釈ガスを使用する。
次に、反応ガスを供給する。前記反応ガスとしては、本発明が属する技術分野で通常使用される反応ガスであれば特に制限されず、好ましくは還元剤、窒化剤または酸化剤を含む。前記還元剤と基板に吸着された膜前駆体が反応して金属薄膜が形成され、前記窒化剤によっては金属窒化物薄膜が形成され、前記酸化剤によっては金属酸化物薄膜が形成される。
好ましくは、前記還元剤はアンモニアガス(NH3)または水素ガス(H2)であり、前記窒化剤は窒素ガス(N2)であり、前記酸化剤はH2O、H2O2、O2、O3及びN2Oからなる群から選択された1種以上である。
このように、薄膜形成用抑制剤を基板上に吸着させる工程、非吸着の薄膜形成用抑制剤をパージする工程、膜前駆体を基板上に吸着させる工程、非吸着の薄膜形成用組成物をパージする工程、反応ガスを供給する工程、残留反応ガスをパージする工程を単位サイクルとして、所望の厚さの薄膜を形成するために、前記単位サイクルを繰り返すことができる。
前記単位サイクルは、一例として、100ないし1000回、好ましくは100ないし500回、より好ましくは150ないし300回であり、この範囲内で目的とする薄膜特性が好適に発現する効果がある。
AnBmXo (1)
(式中、Aは炭素またはケイ素であり、Bは水素または炭素数1ないし3のアルキルであり、Xはハロゲンであり、nは1ないし15のいずれかの整数であり、oは1以上の整数であり、mは0ないし2n+1である。)
このような場合、薄膜形成時に副反応を抑制して薄膜成長率を下げ、また薄膜内工程副生成物を除去することで腐食や劣化が低減され、複雑な構造を持つ基板上に薄膜を形成する場合でも段差被覆性及び薄膜の厚さ均一性を大きく向上させる効果がある。
Bは、好ましくは水素またはメチルであり、前記nは好ましくは2ないし15の整数、より好ましくは2ないし10の整数、さらに好ましくは2ないし6の整数、より一層好ましくは4ないし6の整数であり、この範囲内で工程副生成物の除去効果が大きく、段差被覆性に優れている。
化学式(1)において、Xは、一例としてF、Cl、Br及びIからなる群から選択された1種以上であり、好ましくはCl(塩素)である。この場合、副反応を抑制して工程副生成物を効果的に除去する効果がある。
化学式(1)において、oは、好ましくは1ないし5のいずれかの整数であり、より好ましくは1ないし3の整数であり、さらに好ましくは1または2である。この範囲内で蒸着速度の減少効果が大きく、段差被覆性の改善にさらに効果的な利点がある。
mは、好ましくは1ないし2n+1であり、より好ましくは3ないし2n+1である。この範囲内で工程副生成物の除去効果が大きく、段差被覆性に優れている。
化学式(1)で表される化合物は、好ましくは原子層蒸着(ALD)工程に使用される。この場合、膜前駆体の吸着を阻害せずに成長抑制剤として基板の表面を効果的に保護し、工程副生成物を効果的に除去する利点がある。
化学式(1)で表される化合物は、好ましくは常温(22℃)で液体であり、密度が0.8ないし1.5g/cm3であり、蒸気圧(20℃)が1ないし300mmHgであり、水における溶解度(25℃)が200mg/L以下であり、この範囲内で段差被覆性及び薄膜の厚さ均一性に優れた効果がある。
より好ましくは、前記化学式1で表される化合物は、密度が0.85ないし1.3g/cm3であり、蒸気圧(20℃)が1ないし260mmHgであり、水における溶解度(25℃)が160mg/L以下であり、この範囲内で段差被覆性及び薄膜の厚さ均一性に優れた効果がある。
前記製造された薄膜は、好ましくは厚さが20nm以下であり、比抵抗値が0.1ないし400μΩ・cmであり、ハロゲン含量が10,000ppm以下であり、段差被覆率が90%以上であり、この範囲内で拡散防止膜として性能が優れ、金属配線材料の腐食が低減する効果があるが、これに限定するものではない。
前記薄膜は、厚さが一例として5ないし20nm、好ましくは10ないし20nm、より好ましくは15ないし18.5nm、さらに好ましくは17ないし18.5nmである。この範囲内で薄膜特性に優れた効果がある。
前記薄膜は、比抵抗値が一例として0.1ないし400μΩ・cm、好ましくは50ないし400μΩ・cm、より好ましくは200ないし400μΩ・cm、さらに好ましくは300ないし400μΩ・cm、より一層好ましくは330ないし380μΩ・cm、最も好ましくは340ないし370μΩ・cmであり、この範囲内で薄膜特性に優れた効果がある。
前記薄膜は、ハロゲン含量がより好ましくは9,000ppm以下または1ないし9,000ppm、さらに好ましくは8,500ppm以下または100ないし8,500ppm、より一層好ましくは8,200ppm以下または1,000ないし8,200ppmであり、この範囲内で薄膜特性に優れながら金属配線材料の腐食が低減する効果がある。
前記製造された薄膜は、一例として金属窒化膜か金属酸化膜が挙げられ、具体的な例としてはTiN薄膜かTiO2薄膜が挙げられる。
表1に記載された薄膜形成用成長抑制剤と、膜前駆体としてTiCl4を各々準備した。準備した薄膜形成用成長抑制剤をキャニスターに入れて常温でLMFCを利用して0.05g/minの流速で150℃に加熱された気化器に供給した。気化器で気相に気化された薄膜形成用成長抑制剤を3秒間基板がローディングされた蒸着チャンバに投入した後、アルゴンガスを3000sccmで6秒間供給してアルゴンパージングを実施した。この時、反応チャンバ内の圧力は1.3Torrに制御した。次に、準備したTiCl4を別途のキャニスターに入れて常温でLMFCを利用して0.05g/minの流速で150℃に加熱された別途の気化器に供給した。気化器で気相に気化されたTiCl4を3秒間蒸着チャンバに投入した後、アルゴンガスを3000sccmで6秒間供給してアルゴンパージングを実施した。この時、反応チャンバ内の圧力は1.3Torrに制御した。次に、反応性ガスとしてアンモニアを5秒間前記反応チャンバに投入した後、10秒間アルゴンパージングを実施した。この時、金属薄膜が形成される基板を460℃に加熱した。このような工程を200回繰り返して自己-制限原子層であるTiN薄膜を形成した。
実施例1で薄膜形成用成長抑制剤を使用しなかったことと、これに伴い非吸着薄膜形成用成長抑制剤をパージングする工程を省略したことを除き実施例1と同一の方法で基板上にTIN薄膜を形成した。
比較例2及び3
実施例1で上記表1に記載された薄膜形成用成長抑制剤ではなくペンタンまたはシクロペンタンを使用したことを除き実施例1と同一の方法で基板上にTIN薄膜を形成した。
表2に示したように、chloro-2-methylbutaneを薄膜形成用成長抑制剤として使用した実施例1と、これを含んでいない比較例1を比較した。その結果、蒸着速度は0.20オングストローム/cycleであり、比較例1と比較した時に55.5%以上蒸着速度が減少した。残りの実施例2ないし7も実施例1と類似する値の蒸着速度であることを確認することができた。また、本発明に係る薄膜形成用成長抑制剤の代わりにペンタンまたはシクロペンタンを使用した比較例2及び3も比較例1と同一の値の蒸着速度であることを確認することができた。この時、蒸着速度の減少はCVD蒸着特性をALD蒸着特性に変化させることを意味するため、段差被覆特性の改善の指標として活用することができる。
実施例1及び比較例1で蒸着されたTiN薄膜の不純物低減特性、即ち、工程副生成物低減特性を比較するためにSIMS分析を行い、その結果を以下の表4に示した。
図4は本発明の実施例7-1ないし7-3及び比較例1のALDサイクルあたりの薄膜形成用成長抑制剤(SP)のフィーディング時間に伴う蒸着速度変化を示すグラフであり、比較例1のように本発明に係る薄膜形成用抑制剤を使用していない場合、サイクルあたりの蒸着速度が略0.45オングストローム/cycleだったのが、本発明に係る薄膜形成用抑制剤を各々0.7秒、1秒、2秒投入した実施例7-1、7-2、7-3の場合には蒸着速度が各々0.35オングストローム/cycle、0.2オングストローム/cycle、0.1オングストローム/cycleと大幅に低くなったことを確認することができた。ここで、実施例7-1、7-2、7-3は実施例7での薄膜形成用成長抑制剤の投入量を除き同一の方法で実施した。
実施例1及び比較例1で蒸着されたTiN薄膜をTEMを利用して段差被覆性を確認し、その結果を表5及び図5に示した。
前記実施例1で膜前駆体としてTiCl4の代わりにトリス(ジメチルアミノ)シクロペンタジエニルジルコニウム(Tris(dimethylamino)cyclopentadienyl zirconium;CpZr)を使用し、薄膜形成用成長抑制剤のチャンバ内注入量を12mg/secにし、反応ガスとしてアンモニアの代わりにオゾンを使用し、金属薄膜が形成される基板を280ないし340℃に加熱したことを除き、実施例1と同一の方法で工程を行い、ジルコニウム酸化膜(ZrO2薄膜)を形成した。
追加実施例1で薄膜形成用成長抑制剤のチャンバ内注入量を2.3mg/secにして各々1ないし7秒間注入したことと、金属薄膜が形成される基板を310℃に加熱したことを除き、前記追加実施例1と同一の方法で工程を行い、ジルコニウム酸化膜(ZrO2薄膜)を形成した。
追加実施例1で薄膜形成用成長抑制剤を使用していないことを除き、追加実施例1と同一の方法で工程を行いジルコニウム酸化膜(ZrO2薄膜)を形成した。
追加実施例1、2及び追加比較例1で蒸着されたジルコニウム酸化膜に対する蒸着速度、減少率(%)及び厚さ均一度(%)を測定し、その結果を表6及び図6に示した。この時、厚さ均一度(%)は下記数式2で計算した。
[数2]
厚さ均一度(%)=[(MAX-MIN)/(2×AVERAGE)]×100%
MAX、MIN、AVERAGEは厚さの最大値、最小値、平均値を示し、各厚さはエリプソメーター装備を活用して光学的厚さを測定した。
Claims (10)
- i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程及びii)成長抑制剤が吸着された基板表面に金属膜前駆体、金属酸化膜前駆体、金属窒化膜前駆体またはシリコン窒化膜前駆体を吸着させる工程を含み、
前記薄膜形成用成長抑制剤は、1,1-ジクロロエタン、1,2-ジクロロエタン、ジクロロメタン、2-クロロプロパン、1-クロロプロパン、1,2-ジクロロプロパン、1,3-ジクロロプロパン、2,2-ジクロロプロパン、1-クロロペンタン、2-クロロペンタン、3-クロロペンタン、クロロシクロペタン、n-ブチルクロリド、tert-ブチルクロリド、sec-ブチルクロリド、イソブチルクロリド、1,2-ジクロロベンゼン、1,4-ジクロロベンゼン、トリメチルクロロシラン、卜リクロロプロパン、2-クロロ-2-メチルブタン及び2-メチル-1-ペンタンからなる群から選択された1種以上であり、
前記金属はタングステン、コバルト、クロム、アルミニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビオム、ゲルマニウム、ランタン族元素、アクチニウム族元素、ガリウム、タンタル、ジルコニウム、ルテニウム、銅、チタン、ニッケル、イリジウム及びモリブデンからなる群から選択された1種以上であり、
前記i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程は、前記薄膜形成用成長抑制剤をALDチャンバ内に注入してローディングされた基板表面に吸着させる、
薄膜製造方法。 - 前記i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程は、基板表面に薄膜形成用成長抑制剤の供給時間が1ないし10秒である請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記i)薄膜形成用成長抑制剤を基板表面に吸着させる工程は、基板表面に吸着されていない残留薄膜形成用成長抑制剤をパージガスでパージする請求項1又は2のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 前記ii)膜前駆体を吸着させる工程は、吸着されていない残留膜前駆体をパージガスでパージする請求項1から3のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 前記薄膜製造方法は、基板表面に前記膜前駆体を吸着させた後、反応ガスを供給する工程、及び前記膜前駆体と反応ガスの反応副生成物をパージガスでパージングする工程を含む請求項1から4のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 前記反応ガスは還元剤、窒化剤または酸化剤である請求項5に記載の薄膜製造方法。
- 前記薄膜形成用成長抑制剤及び前記膜前駆体は、VFC方式、DLI方式またはLDS方式によって基板表面に移送する請求項1から6のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 前記薄膜形成用成長抑制剤は、2-クロロ-2-メチルブタン、n-ブチルクロリド、トリメチルクロロシラン、2-クロロプロパン、1,2,3-卜リクロロプロパン、2-メチル-1-ペンタン、及び、1,2-ジクロロベンゼンからなる群から選択された1種以上である、請求項1から7のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
- 前記薄膜製造方法は、下記数式1で計算されるサイクルあたりの薄膜成長率(オングストローム/Cycle)の減少率が-5%以下である請求項1から8のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
[数1]
サイクルあたりの薄膜成長率の減少率(%)=[(薄膜形成用成長抑制剤を使用した時のサイクルあたりの薄膜成長率-薄膜形成用成長抑制剤を使用しなかった時のサイクルあたりの薄膜成長率)/薄膜形成用成長抑制剤を使用しなかった時のサイクルあたりの薄膜成長率]×100 - 前記薄膜製造方法によって形成された薄膜は、SIMSによって測定された、200サイクル後に形成された薄膜内残留ハロゲンの強さ(c/s)が10,000以下である請求項1から9のいずれか1つに記載の薄膜製造方法。
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