JP7473786B2 - サージ吸収回路、及び限流回路 - Google Patents

Description

本発明はサージ吸収回路、及びそれを用いた限流回路に関する。

直流送電において、故障発生時における、主回路を流れる主電流の増加速度を抑制するため、限流リアクトルが用いられる。しかし、遮断器による主回路の遮断時には、限流リアクトルが蓄積した誘導性エネルギーが放出されるため、遮断器の接点への負担が大きくなってしまう。そこで、特許文献１では、蓄積した誘導性エネルギーの処理のために、限流リアクトルにサージアブソーバを並列接続する回路構成が提案されている。

本従来技術の回路構成では、正常時にサージアブソーバに電流が流れ込まないようにするため、サージアブソーバに直列にスイッチ素子が設けられている。スイッチ素子は、正常時にはオフとされるが、遮断器の遮断時には上記誘導性エネルギーをサージアブソーバで処理できるように、オンとなっている必要がある。そのため、直流送電路の故障発生を検出すると、オンに転じるようにスイッチ素子が制御される。

特開２０１５－３３１８７号公報

このように特許文献１の従来技術では、故障発生後、遮断器による遮断が行われるまでの短い期間内に、故障検出に基づいてスイッチ素子がオンに転じられて、転流を行わなければならない。しかし、故障検出によるこのような短期間内での転流は失敗することがある。すると限流リアクトルが蓄積した誘導性エネルギーによるサージ電流が、遮断器の接点を破壊する怖れがある。

更に、直流送電システムの保護の強化のために、故障発生後の遮断器による遮断をより迅速に行うようにしようとすると、転流失敗がより発生しやすくなる課題があった。本発明の一態様は、上記課題に鑑みてなされたものであり、直流送電路の故障検出に基づくスイッチ操作が不要で、遮断時のサージ吸収回路への転流の失敗が抑制される、サージ吸収回路を実現することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明の一態様のサージ吸収回路は、外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバを備え、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記第１スイッチ素子、前記第２スイッチ素子、及び前記サージアブソーバが直列に接続され、前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第２スイッチ素子に並列接続され、前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第１スイッチ素子に並列接続される構成を備える。

上記の課題を解決するために、本発明の別の一態様のサージ吸収回路は、外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバを備え、前記第１スイッチ素子と前記第１ダイオードとが直列接続された部分回路と、前記第２スイッチ素子と前記第２ダイオードとが直列接続された部分回路との並列接続回路と、前記サージアブソーバと、が、前記第１端子と前記第２端子との間に、直列に接続され、前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに配置される構成を備える。

上記本発明の各態様によれば、直流送電路の故障検出に基づいたスイッチ操作が不要で、遮断時のサージ吸収回路への転流の失敗が抑制される、サージ吸収回路が実現できる。

本発明の実施形態１に係るサージ吸収回路、及び、それが適用された直流送電システムを示す回路図である。 本発明の実施形態１に係るサージ吸収回路の動作を説明するための図であり、正常時の状態を示す。 本発明の実施形態１に係るサージ吸収回路の動作を説明するための図であり、遮断時の状態を示す。点線は、サージ吸収回路を貫流するサージ電流の経路を示す。 本発明の実施形態２に係るサージ吸収回路、及び、それが適用された直流送電システムを示す回路図である。 本発明の実施形態２に係るサージ吸収回路の動作を説明するための図であり、正常時の状態を示す。 本発明の実施形態２に係るサージ吸収回路の動作を説明するための図であり、遮断時の状態を示す。点線は、サージ吸収回路を貫流するサージ電流の経路を示す。

〔実施形態１〕
以下に、図１～３を用いて本発明の一実施形態が、詳細に説明される。図１は、実施形態１に係るサージ吸収回路１１の回路構成、及び、サージ吸収回路１１が適用される直流送電システム１を示す図である。

図１に示されるように、直流送電システム１の主回路５０上には、遮断器Ｃｂと、限流リアクトルＬとが設けられている。遮断器Ｃｂには従来技術と同様に、遮断時の接点間の破壊を防止するための、サージアブソーバＡｃが並列接続されている。限流リアクトルＬは、直流送電システム１において短絡事故等の故障が発生した際の、主回路５０を流れる主電流Ｉの増加速度を低減するために設けられている。

＜サージ吸収回路の構成＞
実施形態１に係るサージ吸収回路１１は、主回路５０上の限流リアクトルＬに並列接続される回路である。サージ吸収回路１１は、一対の外部との接続端子である、第１端子ｔ１と第２端子ｔ２とを備えている。第１端子ｔ１は、限流リアクトルＬの一方の端子に接続され、第２端子ｔ２は、限流リアクトルＬのもう一方の端子に接続される。なお、サージ吸収回路１１と限流リアクトルＬを併せた回路を限流回路１０とする。

サージ吸収回路１１は、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２、及びサージアブソーバＡｂを備えている。またサージ吸収回路１１は、第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２を制御するスイッチ制御回路１２を備えている。

サージ吸収回路１１内部における、上記各素子の接続は、以下の通りである。第１端子ｔ１と第２端子ｔ２との間に、第１スイッチ素子Ｓｗ１と、第２スイッチ素子Ｓｗ２と、サージアブソーバＡｂと、が直列に接続される。図１に示される具体的な回路例では、第１端子ｔ１側から、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２、サージアブソーバＡｂの順に配置されているが、並び順はいずれでも構わない。

第１ダイオードＤ１は第２スイッチ素子Ｓｗ２に並列に接続される。第１ダイオードＤ１の向きは、第１端子ｔ１から第２端子ｔ２へとサージ吸収回路１１を貫流する電流が導通できる向きである。すなわち第１ダイオードＤ１は、第１端子ｔ１側がアノード、第２端子ｔ２側がカソードとなるように配置される。

第２ダイオードＤ２は第１スイッチ素子Ｓｗ１に並列に接続される。第２ダイオードＤ２の向きは、第２端子ｔ２から第１端子ｔ１へとサージ吸収回路１１を貫流する電流が導通できる向きである。すなわち第２ダイオードＤ２は、第２端子ｔ２側がアノード、第１端子ｔ１側がカソードとなるように配置される。

第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２には、オン／オフがスイッチ制御回路１２によって制御され得る回路素子であれば、任意の素子が適用可能である。例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor）やその他のＦＥＴが適用できる。あるいは、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ）、バイポーラトランジスタや、その他のトランジスタ等の、半導体スイッチ素子が適用できる。

また、半導体スイッチ素子に限られず、例えば、機械式リレーやその他の機械式スイッチ素子が適用されてもよい。なお、第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２には、双方向に通電可能なスイッチ素子に限られず、片方向にのみ通電可能なスイッチ素子も適用可能である。

第２ダイオードＤ２に並列接続される第１スイッチ素子Ｓｗ１は、第２ダイオードＤ２とは、逆向きの電流が通電可能なように配置される。つまり、第１スイッチ素子Ｓｗ１として片方向にのみ通電可能なスイッチ素子が適用される場合、第１スイッチ素子Ｓｗ１は、第１端子ｔ１から第２端子ｔ２へとサージ吸収回路１１を貫流する電流を導通できる向きに配置される。

第１ダイオードＤ１に並列配置される第２スイッチ素子Ｓｗ２は、第１ダイオードＤ１とは、逆向きの電流が通電可能なように配置される。つまり、第２スイッチ素子Ｓｗ２として片方向にのみ通電可能なスイッチ素子が適用される場合、第２スイッチ素子Ｓｗ２は、第２端子ｔ２から第１端子ｔ１へとサージ吸収回路１１を貫流する電流を導通できる向きに配置される。

図１の具体的な回路例では、第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２として、片方向に通電可能なスイッチ素子であるＩＧＢＴが適用されている。よって上述の配置規則に従って、ＩＧＢＴである第１スイッチ素子Ｓｗ１は、コレクタが第１端子ｔ１側に、エミッタが第２端子側になるように配置される。またＩＧＢＴである第２スイッチ素子Ｓｗ２は、コレクタが第２端子ｔ２側に、エミッタが第１端子側になるように配置される。

ＩＧＢＴとダイオードとが、上述の第１スイッチ素子Ｓｗ１と第２ダイオードＤ２の関係のように配置された回路は、いわゆるフリーホイールダイオードが付加されたＩＧＢＴ製品として、一つにパッケージされた態様で市販されている。あるいは、ＩＧＢＴの半導体チップ内にフリーホイールダイオードを作り込んだ、逆導通ＩＧＢＴと呼ばれる製品も市販されている。第２スイッチ素子Ｓｗ２と第１ダイオードＤ１の並列接続回路の配置も第１スイッチ素子Ｓｗ１と第２ダイオードＤ２の並列接続回路の配置と同じである。よって、これらいずれかの製品を用いれば、サージ吸収回路１１を容易に製作できる。

＜サージ吸収回路の動作＞
スイッチ制御回路１２は、直流送電システム１の主回路５０を流れる主電流Ｉの向きに応じて、第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２のオン／オフを制御する。そのため、主回路５０には、電流検出器５１が設けられてもよく、スイッチ制御回路１２は電流検出器５１が検出した主電流の向きを参照して、上記制御を実行してもよい。電流検出器５１は、電流の向きを検出し得る、例えば検流計や電流計であってもよい。

スイッチ制御回路１２は、主電流Ｉの向きが、主回路５０への第１端子ｔ１の接続点から第２端子ｔ２の接続点への方向であると、第１スイッチ素子Ｓｗ１をオフ、第２スイッチ素子Ｓｗ２をオンに制御する。図２は、この際の各スイッチ素子のオン、オフの状況を回路図中に書き加えて示した、サージ吸収回路１１の動作を示すための図である。図２には、主電流Ｉの向きも示されている。この場合、第１スイッチ素子Ｓｗ１に並列接続された第２ダイオードＤ２は順バイアスされない。よって、第２ダイオードＤ２とオフである第１スイッチ素子Ｓｗ１とによって、主電流Ｉのサージ吸収回路１１への流入は阻止される。

この状態で、遮断器Ｃｂが遮断すると、限流リアクトルＬが主電流Ｉを維持しようとし、第１端子ｔ１の接続点よりも第２端子ｔ２の接続点が高電位となる。すると、第２スイッチ素子Ｓｗ２がオンであるため、第２ダイオードＤ２が順バイアスされる。図３に点線で示されるサージ電流が、第２端子ｔ２から第１端子ｔ１へと、サージ吸収回路１１を貫流するようになる。この際、サージ吸収回路１１内部におけるサージ電流は、サージアブソーバＡｂ、オンである第２スイッチ素子Ｓｗ２と、第２ダイオードＤ２を通過する。

一方、スイッチ制御回路１２は、主電流Ｉの向きが、図２の場合と逆向き、すなわち、主回路５０への第２端子ｔ２の接続点から第１端子ｔ１の接続点への方向であると、第１スイッチ素子Ｓｗ１をオン、第２スイッチ素子Ｓｗ２をオフに制御する。この場合、第２スイッチ素子Ｓｗ２に並列接続された第１ダイオードＤ１は順バイアスされない。よって、第２スイッチ素子Ｓｗ２と第１ダイオードＤ１によって、主電流Ｉのサージ吸収回路１１への流入は阻止される。

この状態で、遮断器Ｃｂが遮断すると、限流リアクトルＬが主電流Ｉを維持しようとし、第２端子ｔ２の接続点よりも第１端子ｔ１の接続点が高電位となる。すると、第１スイッチ素子Ｓｗ１がオンであるため、第１ダイオードＤ１が順バイアスされる。サージ電流が、第１端子ｔ１から第２端子ｔ２へと、サージ吸収回路１１を貫流する。この際、サージ吸収回路１１内部におけるサージ電流は、サージアブソーバＡｂと、オンである第１スイッチ素子Ｓｗ１と、第１ダイオードＤ１とを通過する。

特許文献１の従来技術では、サージ吸収回路のスイッチ素子のスイッチ操作を、故障検出後、遮断器での遮断が行われるまでの短い期間中に行う必要があった。しかし、実施形態１に係るサージ吸収回路１１では、故障検出に係わりなく、各スイッチ素子のスイッチ操作が行われており、その結果として、通常時にサージ吸収回路１１は、主回路を流れる主電流Ｉには影響しない。

そして故障発生時には、サージ吸収回路１１では、既に転流に必要なスイッチ操作が完了している。また主電流Ｉの向きがいずれの場合であっても、主回路５０の遮断器Ｃｂが遮断した際に、限流リアクトルＬが蓄積した誘導性エネルギーの少なくとも一部は、サージアブソーバＡｂで処理される。よって、遮断器Ｃｂによる遮断時の、接点への負担が小さくなり、接点破壊の可能性が低減される。

サージ吸収回路１１では、従来技術のような故障検出の不具合に伴う転流の失敗が無く、またスイッチ操作が直流送電路での事故発生から遮断までの短期間内に限られてしまうことに伴う転流の失敗が無い。よって、サージ吸収回路１１では、遮断時のサージ吸収回路１１への転流の失敗の可能性が低減される。

なお、主回路５０を流れる主電流Ｉが０の状態が継続したときの、第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２のオン／オフの制御方法については、直流送電システム１全体の運用手法に応じて、適切な方法を適宜選択することができる。例えば、次に主電流Ｉの向きが定まるまで、以前の状態を保つようにしてもよい。あるいは、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２双方をオフに制御するようにしてもよい。またあるいは、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２双方をオンに制御するようにしてもよい。

〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

図４は、実施形態２に係るサージ吸収回路２１の回路構成、及び、サージ吸収回路２１が適用される直流送電システム２を示す図である。実施形態２の直流送電システム２は、サージ吸収回路２１の回路構成が実施形態１に係るサージ吸収回路１１とは異なる他は、実施形態１の直流送電システム１と同様の構成である。なお、サージ吸収回路２１と限流リアクトルＬを併せた回路を限流回路２０とする。

＜サージ吸収回路の構成＞
実施形態２に係るサージ吸収回路２１も、実施形態１のサージ吸収回路１１と同様に、外部との接続端子である第１端子ｔ１と第２端子ｔ２とを備えている。また、サージ吸収回路２１は、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２、サージアブソーバＡｂ、及びスイッチ制御回路１２を備えている点も、実施形態１のサージ吸収回路１１と同様である。第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２に適用し得るスイッチ素子の種類は、実施形態１の場合と同様である。

しかし、サージ吸収回路２１では、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２、サージアブソーバＡｂの相互間の接続が、実施形態１のサージ吸収回路１１の回路構成とは異なっている。サージ吸収回路２１内部における、各素子の接続は、以下の通りである。

第１スイッチ素子Ｓｗ１と第１ダイオードＤ１とが直列接続された部分回路と、第２スイッチ素子Ｓｗ２と第２ダイオードＤ２とが直列接続された部分回路との並列接続回路と、サージアブソーバＡｂとが、第１端子ｔ１と第２端子ｔ２との間に直列に接続される。上記並列接続回路と、サージアブソーバＡｂとの位置関係は、いずれが第１端子ｔ１側であっても構わない。

また、第１スイッチ素子Ｓｗ１と第１ダイオードＤ１とが直列接続された部分回路における、第１スイッチ素子Ｓｗ１と第１ダイオードＤ１の位置関係は、いずれが第１端子ｔ１側であっても構わない。第２スイッチ素子Ｓｗ２と第２ダイオードＤ２とが直列接続された部分回路における、第２スイッチ素子Ｓｗ２と第２ダイオードＤ２の位置関係は、いずれが第１端子ｔ１側であっても構わない。

第１端子ｔ１及び第２端子ｔ２を基準とした、サージ吸収回路２１における、第１スイッチ素子Ｓｗ１、第２スイッチ素子Ｓｗ２、第１ダイオードＤ１、第２ダイオードＤ２の各素子の向きは、実施形態１の場合と同様である。すなわち、第１スイッチ素子Ｓｗ１と第１ダイオードＤ１とは、第１端子ｔ１から第２端子ｔ２へとサージ吸収回路２１を貫流する電流を導通できる向きに配置される。また、第２スイッチ素子Ｓｗ２と第２ダイオードＤ２とは、第２端子ｔ２から第１端子ｔ１へとサージ吸収回路２１を貫流する電流を導通できる向きに配置される。

＜サージ吸収回路の動作＞
スイッチ制御回路１２による第１スイッチ素子Ｓｗ１及び第２スイッチ素子Ｓｗ２のオン／オフの制御の方法は、実施形態１の場合と同様である。

図５は、主電流Ｉの向きが、主回路５０への第１端子ｔ１の接続点から第２端子ｔ２の接続点への方向である際のサージ吸収回路２１の動作を示すための図である。図５には、各スイッチ素子のオン、オフの状況、主電流Ｉの向きが示されている。この場合、オンである第２スイッチ素子Ｓｗ２に直列接続されている第２ダイオードＤ２は順バイアスされない。よって、第２ダイオードＤ２とオフである第１スイッチ素子Ｓｗ１とによって、主電流Ｉのサージ吸収回路２１への流入は阻止される。

この状態で、遮断器Ｃｂが遮断すると、限流リアクトルＬが主電流Ｉを維持しようとし、主回路５０への第１端子ｔ１の接続点よりも第２端子ｔ２の接続点が高電位となる。すると、第２スイッチ素子Ｓｗ２がオンであるため、第２ダイオードＤ２が順バイアスされる。図６に点線で示されるサージ電流が、第２端子ｔ２から第１端子ｔ１へと、サージ吸収回路２１を貫流する。サージ吸収回路２１内部におけるサージ電流は、サージアブソーバＡｂ、オンである第２スイッチ素子Ｓｗ２と、第２ダイオードＤ２を通過する。

一方、主電流Ｉの向きが、図５の場合と逆向き、すなわち、主回路５０への第２端子ｔ２の接続点から第１端子ｔ１の接続点への方向である場合、オンである第１スイッチ素子Ｓｗ１に直列接続されている第１ダイオードＤ１は順バイアスされない。よって、第１ダイオードＤ１とオフである第２スイッチ素子Ｓｗ２とによって、主電流Ｉのサージ吸収回路２１への流入は阻止される。

この状態で、遮断器Ｃｂが遮断すると、限流リアクトルＬが主電流Ｉを維持しようとし、第２端子ｔ２の接続点よりも第１端子ｔ１の接続点が高電位となる。すると、第１スイッチ素子Ｓｗ１がオンであるため、第１ダイオードＤ１が順バイアスされる。サージ電流が、第１端子ｔ１から第２端子ｔ２へと、サージ吸収回路２１を貫流する。サージ吸収回路２１内部におけるサージ電流は、サージアブソーバＡｂと、オンである第１スイッチ素子Ｓｗ１と、第１ダイオードＤ１とを通過する。

実施形態２においても、サージ吸収回路２１の動作に関して、実施形態１と同様の効果が奏される。

〔まとめ〕
本発明の態様１のサージ吸収回路は、外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバを備え、前記第１端子と前記第２端子との間に、前記第１スイッチ素子、前記第２スイッチ素子、及び前記サージアブソーバが直列に接続され、前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第２スイッチ素子に並列接続され、前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第１スイッチ素子に並列接続される構成を備える。

本発明の態様２のサージ吸収回路は、外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバを備え、前記第１スイッチ素子と前記第１ダイオードとが直列接続された部分回路と、前記第２スイッチ素子と前記第２ダイオードとが直列接続された部分回路との並列接続回路と、前記サージアブソーバと、が、前記第１端子と前記第２端子との間に、直列に接続され、前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに配置される構成を備える。

本発明の態様３のサージ吸収回路は、上記態様１または２において、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子のそれぞれは、オン時に電流を片方向に導通させ得る素子であって、前記第１スイッチ素子は、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、前記第２スイッチ素子は、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに配置される構成を備えていてもよい。

本発明の態様４は、上記態様１から３のいずれかにおいて、直流送電の主回路上に設けられる限流リアクトルに接続するためのサージ吸収回路である。

本発明の態様５のサージ吸収回路は、上記態様４において、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子の、オン／オフを制御するスイッチ制御回路を更に備え、前記スイッチ制御回路は、前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第１端子の接続点から前記第２端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオフ、前記第２スイッチ素子をオンに制御し、前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第２端子の接続点から前記第１端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオン、前記第２スイッチ素子をオフに制御する構成を備えていてもよい。

本発明の態様６は、上記態様１から５のいずれかのサージ吸収回路と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された限流リアクトルと、を備える限流回路である。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

１、２ 直流送電システム
１０、２０ 限流回路
Ｌ 限流リアクトル
１１、２１ サージ吸収回路
ｔ１ 第１端子
ｔ２ 第２端子
Ｄ１ 第１ダイオード
Ｄ２ 第２ダイオード
Ｓｗ１ 第１スイッチ素子
Ｓｗ２ 第２スイッチ素子
Ａｂ サージアブソーバ
１２ スイッチ制御回路
５０ 主回路
５１ 電流検出器
Ｃｂ 遮断器
Ａｃ サージアブソーバ

Claims (4)

1. 直流送電の主回路上に設けられる限流リアクトルに接続するためのサージ吸収回路であって、
   外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、
   第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバと、
   前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子の、オン／オフを制御するスイッチ制御回路と、を備え、
   前記第１端子と前記第２端子との間に、前記第１スイッチ素子、前記第２スイッチ素子、及び前記サージアブソーバが直列に接続され、
   前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第２スイッチ素子に並列接続され、
   前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに、前記第１スイッチ素子に並列接続され、
   前記スイッチ制御回路は、
   前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第１端子の接続点から前記第２端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオフ、前記第２スイッチ素子をオンに制御し、
   前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第２端子の接続点から前記第１端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオン、前記第２スイッチ素子をオフに制御することを特徴とする、サージ吸収回路。
2. 直流送電の主回路上に設けられる限流リアクトルに接続するためのサージ吸収回路であって、
   外部との接続端子としての第１端子及び第２端子と、
   第１スイッチ素子、第２スイッチ素子、第１ダイオード、第２ダイオード、及びサージアブソーバと、
   前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子の、オン／オフを制御するスイッチ制御回路と、を備え、
   前記第１スイッチ素子と前記第１ダイオードとが直列接続された部分回路と、前記第２スイッチ素子と前記第２ダイオードとが直列接続された部分回路との並列接続回路と、
   前記サージアブソーバと、が、
   前記第１端子と前記第２端子との間に、直列に接続され、
   前記第１ダイオードは、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、
   前記第２ダイオードは、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、
   前記スイッチ制御回路は、
   前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第１端子の接続点から前記第２端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオフ、前記第２スイッチ素子をオンに制御し、
   前記主回路を流れる主電流の向きが、前記第２端子の接続点から前記第１端子の接続点への方向であると、前記第１スイッチ素子をオン、前記第２スイッチ素子をオフに制御することを特徴とする、サージ吸収回路。
3. 前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子のそれぞれは、オン時に電流を片方向に導通させ得る素子であって、
   前記第１スイッチ素子は、前記第１端子から前記第２端子へと貫流する電流を導通する向きに配置され、
   前記第２スイッチ素子は、前記第２端子から前記第１端子へと貫流する電流を導通する向きに配置されることを特徴とする、請求項１または２に記載のサージ吸収回路。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載のサージ吸収回路と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に接続された前記限流リアクトルと、
   を備えることを特徴とする、限流回路。

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