JP7465859B2 - 基板キャリア、基板剥離装置、成膜装置、及び基板剥離方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 321
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 48
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0005—Separation of the coating from the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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Description
同じ基板を吸着する吸着面をそれぞれが有する複数の吸着パッドを備え、
前記複数の吸着パッドの少なくとも一部が、前記吸着面の法線を中心軸線として回動することにより、前記複数の吸着パッドから前記基板を剥離することを特徴とする。
上記の基板キャリアを支持する支持部材と、
前記支持部材に前記基板キャリアを支持した状態で、前記基板キャリアに保持された基板を前記基板キャリアから剥離させる複数の剥離ピンと、
を備えることを特徴とする。
基板キャリアに保持された基板に薄膜を形成する成膜源と、
成膜後の基板を前記基板キャリアから剥離する上記の基板剥離装置と、を備える
ことを特徴とする。
図1~図6を参照して、本発明の実施例1に係る基板キャリア、基板キャリアから基板を剥離する基板剥離装置、及び基板剥離装置を備える成膜装置について説明する。本実施例においては、成膜装置の一例として、真空蒸着法を採用した真空蒸着装置を例にして説明する。ただし、本発明は、スパッタリング法を採用した成膜装置にも適用可能である。
成膜装置の概要を説明する。成膜装置においては、まず、基板昇降装置によって基板キャリアに基板が保持される。基板を保持した基板キャリアは、反転装置によって反転され、成膜処理室に搬送される。成膜処理室に基板キャリアが設置されると、基板の成膜面が鉛直方向下方に向いた状態となる。そして、成膜処理室において、基板の成膜面側にマスクが配された状態で成膜処理が施される。その後、基板及び基板キャリアは、反転装置により反転された後に基板剥離装置に搬送されて、基板キャリアから基板が剥離される。以下、より詳細に説明する。
図1を参照して、基板昇降装置100、及び基板昇降装置100を用いて基板キャリア200に基板Sを保持させる動作について説明する。基板昇降装置100は、内部が真空に近い状態(減圧雰囲気)となるように構成されるチャンバ110と、チャンバ110内に配され、基板キャリア200を支持する支持部材120とを備えている。また、基板昇降装置100は、基板Sを載置した状態で基板Sを昇降させる複数の支持ピン131と、複数の支持ピン131を昇降させる昇降機構130とを備えている。更に、基板昇降装置100は、基板キャリア200に基板Sを吸着させるために基板Sを押圧する複数の押圧ピン141と、複数の押圧ピン141を昇降させる昇降機構140とを備えている。昇降機構130及び昇降機構140としては、ボールネジ機構やラックアンドピニオン方式など各種の公知技術を適用することができる。
数の貫通孔が設けられている。そして、昇降機構130によって複数の支持ピン131が下降し、基板キャリア200に基板Sが載置される(同図(c)参照)。基板キャリア200には複数の吸着パッドが設けられており、基板Sは複数の吸着パッドによって吸着された状態となる。ただし、基板Sが基板キャリア200に載置されたのみでは、複数の吸着パッドによる基板Sへの吸着は不十分になるおそれがある。そこで、本実施例では、昇降機構140によって複数の押圧ピン141が下降し、基板Sが基板キャリア200に向けて押圧されて、基板Sは、複数の吸着パッドによって、より確実に吸着された状態となる(同図(d)参照)。なお、複数の押圧ピン141は、複数の吸着パッドの配置位置に対応するようにそれぞれ設けられており、基板Sは吸着パッドと押圧ピン141によって、それぞれの位置で挟み込まれた状態となる。
図2を参照して、成膜処理室300における成膜処理について、より詳細に説明する。成膜処理室300は、内部が真空に近い状態(減圧雰囲気)となるように構成されるチャンバ310と、チャンバ310内に配される成膜源としての蒸発源320とを備えている。チャンバ310内において、基板キャリア200に保持された基板Sが下向きとなるように、これらはチャンバ310内に位置決めされた状態で支持される。また、基板Sの下側には、基板Sに対して位置決めされた状態でマスクMも配される。マスクMには、基板Sに薄膜を形成する位置に対応する位置に開口が設けられている。これにより、基板キャリア200に保持された基板S上に、マスクMを介して成膜が行われる。
図3を参照して、基板剥離装置400、及び基板剥離装置400を用いて基板キャリア200から基板Sを剥離させる動作について説明する。基板剥離装置400は、内部が真空に近い状態(減圧雰囲気)となるように構成されるチャンバ410と、チャンバ410内に配され、基板キャリア200を支持する支持部材420とを備えている。また、基板剥離装置400は、基板Sを載置した状態で基板Sを昇降させる複数の支持ピン431と、複数の支持ピン431を昇降させる昇降機構430とを備えている。昇降機構430としては、ボールネジ機構やラックアンドピニオン方式など各種の公知技術を適用することができる。なお、支持ピン431は、基板キャリア200から基板Sを剥離するための剥離ピンとしての役割を担っている。
に構成されている。昇降機構440としては、ボールネジ機構やラックアンドピニオン方式など各種の公知技術を適用することができる。
を同時に行うようにすればよい。
以上のように、本実施例によれば、回転機構によって吸着パッド211を回転(回動)させることで、基板Sを剥離する際に必要な力を軽減することができる。これにより、基板が大型化しても、基板キャリア200から基板Sを好適に剥離することが可能となる。また、基板Sを剥離する際に、吸着パッド211や基板Sに作用する負荷を抑制することができる。
431を上昇させて、基板Sを基板キャリア200から離間させることができる。また、支持ピン431によって基板Sを基板キャリア200から離間させる力を付与しつつ、吸着パッド211を回転(回動)させて吸着パッド211から基板Sを剥離するようにすることもできる。更に、次のような基板剥離方法も採用できる。すなわち、まず、複数の吸着パッドのうち回動しない吸着パッド(非回転型吸着パッド211X)から基板Sを剥離する(第1剥離工程)。すなわち、複数の支持ピン431を上昇させると、剥離に必要な力が弱い箇所に設けられた非回転型吸着パッド211Xから基板Sが剥離される。次に、複数の吸着パッドのうち回動する吸着パッド211から基板Sを剥離する(第2剥離工程)。この場合、吸着パッド211を回動させた後に複数の支持ピン431を上昇させてもよいし、吸着パッド211を回動させながら複数の支持ピン431を上昇させてもよい。このような剥離方法によって、基板Sを剥離する際に必要な力を軽減することができる。
図7を参照して、本発明の実施例2に係る基板キャリア、及び基板キャリアから基板を剥離する基板剥離装置について説明する。実施例1においては、吸着パッドを正逆回転させる回転機構における一部の構成を基板キャリアが備える場合の構成を示したが、本実施例においては、回転機構の全部の構成を基板キャリアが備える場合の構成を示す。その他の構成および作用については実施例1と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
図8を参照して、本発明の実施例3に係る基板キャリア、及び基板キャリアから基板を剥離する基板剥離装置について説明する。実施例1においては、吸着パッドを正逆回転させる回転機構における一部の構成を基板キャリアが備える場合の構成を示したが、本実施例においては、回転機構の全部の構成を基板キャリアが備える場合の構成を示す。その他の構成および作用については実施例1と同一なので、同一の構成部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
板剥離装置400については、回転機構を構成する押圧部材441、及び、押圧部材441を昇降させる昇降機構440が不要であることを除き、実施例1に示した基板剥離装置400と同様の構成である。
上記各実施例で示した基板キャリアから基板を剥離する基板剥離装置を備える成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成を示し、有機EL表示装置の製造方法を例示する。
らなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
吸着パッドを正逆回転させる回転機構については、上記実施例で示した機構に限らず、各種公知技術を採用し得る。例えば、上記実施例では、往復移動を回転運動に変換する機構を示したが、モータなどを用いて、吸着パッドを直接的に正逆回転させる機構を採用することもできる。
Claims (10)
- 同じ基板を吸着する吸着面をそれぞれが有する複数の吸着パッドを備え、
前記複数の吸着パッドの少なくとも一部が、前記吸着面の法線を中心軸線として回動することにより、前記複数の吸着パッドから前記基板を剥離する
ことを特徴とする基板キャリア。 - 前記吸着パッドとともに回動し、前記吸着パッドを支持する支持体と、
前記中心軸線に沿って移動する押圧部材によって押圧され、前記押圧部材の移動を前記支持体の回動に変換するカムと、を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の基板キャリア。 - 前記支持体を第1回転方向に付勢する付勢部材を備え、
前記押圧部材により前記カムが押圧されると、前記付勢部材の付勢力に抗して前記支持体が前記第1回転方向とは逆の第2回転方向に回動する
ことを特徴とする請求項2に記載の基板キャリア。 - 前記カムは、少なくとも前記押圧部材により押圧される被押圧面が、中心が前記中心軸線と直交する円柱面により構成されており、
前記押圧部材における前記カムへの押圧面は、前記中心軸線に垂直な面に対して傾斜する傾斜面により構成されている
ことを特徴とする請求項2または3に記載の基板キャリア。 - 前記複数の吸着パッドのうち、基板の中央領域に配された吸着パッドが回動し、
前記複数の吸着パッドのうち、基板の外周領域に配された吸着パッドは回動しない
ことを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の基板キャリア。 - 前記複数の吸着パッドのうち回動する吸着パッドから基板を剥離するための力が、前記複数の吸着パッドのうち回動しない吸着パッドから基板を剥離する力より大きい
ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一つに記載の基板キャリア。 - 請求項1~6のいずれか一つに記載の基板キャリアを支持する支持部材と、
前記支持部材に前記基板キャリアを支持した状態で、前記基板キャリアに保持された基板を前記基板キャリアから剥離させる複数の剥離ピンと、を備える
ことを特徴とする基板剥離装置。 - 請求項2~4のいずれか一つに記載の基板キャリアを支持する支持部材と、
前記支持部材に前記基板キャリアを支持した状態で、前記基板キャリアに保持された基板を前記基板キャリアから剥離させる複数の剥離ピンと、
前記押圧部材と、を備える
ことを特徴とする基板剥離装置。 - 基板キャリアに保持された基板に薄膜を形成する成膜源と、
成膜後の基板を前記基板キャリアから剥離する請求項7または8に記載の基板剥離装置と、を備える
ことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1~6のいずれか一つに記載の基板キャリアから基板を剥離する方法であって、
前記複数の吸着パッドのうち回動しない吸着パッドから基板を剥離する第1剥離工程と、
前記第1剥離工程の後に、前記複数の吸着パッドのうち回動する吸着パッドから基板を剥離する第2剥離工程と、を有する
ことを特徴とする基板剥離方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021191017A JP7465859B2 (ja) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 基板キャリア、基板剥離装置、成膜装置、及び基板剥離方法 |
CN202211464332.6A CN116162905A (zh) | 2021-11-25 | 2022-11-22 | 基板载体、基板剥离装置、成膜装置以及基板剥离方法 |
KR1020220157165A KR20230077676A (ko) | 2021-11-25 | 2022-11-22 | 기판 캐리어, 기판 박리 장치, 성막 장치, 및 기판 박리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021191017A JP7465859B2 (ja) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 基板キャリア、基板剥離装置、成膜装置、及び基板剥離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023077665A JP2023077665A (ja) | 2023-06-06 |
JP7465859B2 true JP7465859B2 (ja) | 2024-04-11 |
Family
ID=86418949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021191017A Active JP7465859B2 (ja) | 2021-11-25 | 2021-11-25 | 基板キャリア、基板剥離装置、成膜装置、及び基板剥離方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7465859B2 (ja) |
KR (1) | KR20230077676A (ja) |
CN (1) | CN116162905A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002515656A (ja) | 1998-05-21 | 2002-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の支持および昇降装置および方法 |
JP2014120740A (ja) | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、及び基板の張り付け又は剥離方法 |
US20190131156A1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate transfer apparatus and substrate inspection apparatus including the same |
JP2020072125A (ja) | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品のピックアップ装置及び実装装置 |
JP2021072323A (ja) | 2019-10-29 | 2021-05-06 | キヤノントッキ株式会社 | 基板剥離装置、基板処理装置、及び基板剥離方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6328000B2 (ja) | 2014-08-05 | 2018-05-23 | 株式会社アルバック | 基板ホルダおよび基板着脱方法 |
-
2021
- 2021-11-25 JP JP2021191017A patent/JP7465859B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-22 CN CN202211464332.6A patent/CN116162905A/zh active Pending
- 2022-11-22 KR KR1020220157165A patent/KR20230077676A/ko not_active Application Discontinuation
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JP2021072323A (ja) | 2019-10-29 | 2021-05-06 | キヤノントッキ株式会社 | 基板剥離装置、基板処理装置、及び基板剥離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230077676A (ko) | 2023-06-01 |
JP2023077665A (ja) | 2023-06-06 |
CN116162905A (zh) | 2023-05-26 |
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