JP7462133B2 - 磁気センサユニット - Google Patents
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Description
本開示は、回転軸の回転角を検出するための磁気センサユニットに関する。
回転軸の回転角を検出する磁気センサユニットは、外部磁界の影響を抑制するために磁気シールドを備える。例えば、特許文献１には、磁石に磁気ヨークを配置し、磁束密度増加と磁気シールド効果を得る構造が開示されている。特許文献２には、磁石や磁気センサを覆うシールドケースを設けた構成が開示されている。
磁気センサユニットは、磁石と、磁石の下面と対向するように配置される磁気センサと、磁気センサの上下方向と交差する側方向において磁気センサを囲むように配置された磁気シールドと、磁石の上面と側面とを覆う磁気ヨークとを備える。磁石は、上下方向に着磁された第１の着磁領域と、第１の着磁領域と逆方向に着磁された第２の着磁領域とを有する。第１と第２の着磁領域は磁石の下面に第１と第２の磁極をそれぞれ形成する。第１の磁極の中心から第２の磁極の中心までの距離ＬＡと、第１の磁極の中心から磁気シールドまでの距離ＬＢと、第２の磁極の中心から磁気シールドまでの距離ＬＣとは、ＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣの関係を満たしている。
この磁気センサユニットは、磁気シールド性を有してかつ小型である。
以下では、本開示の実施の形態にかかる磁気センサユニットについて図を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される形状、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本開示を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構造については同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化している。
図１は実施の形態における磁気センサユニットの断面図である。磁気センサユニット１００は、磁石１０と磁気センサ２０と磁気ヨーク３０と磁気シールド４０を有している。磁石１０は、上下方向Ｄ１に延びる回転軸線１ａに沿って延びる回転軸１の先端に接続されており、回転軸１と一緒に回転する。磁気センサ２０は、磁石１０と磁気センサ２０の間の領域である検出領域における磁石１０がつくる磁界である検出磁界の方向を検出する。磁気シールド４０は、磁気センサユニット１００の外部から働く外部磁界を遮蔽して、磁気シールド４０を透過させず磁気センサ２０に達することを防ぐ。磁気ヨーク３０は、磁石１０における磁気センサ２０に印加される磁束密度を増加させる。
図２は磁気センサ２０の断面図である。磁気センサ２０は、磁気抵抗素子２１と回路素子２２を有する。図２においては、磁気センサ２０の具体的な構造として、磁気抵抗素子２１と回路素子２２は、樹脂成形体２３の内部に配置され一体化された構造を一例として示している。回路素子２２はダイパッド２４の上に実装されている。磁気抵抗素子２１は回路素子２２の上に実装されている。磁気抵抗素子２１と回路素子２２はボンディングワイヤ２５で電気的に接続されている。回路素子２２はリード２６とボンディングワイヤ２５で接続されている。
図３は、磁気センサ２０の回路ブロックのブロック図である。図４は、回路ブロックにおける信号処理動作を示す図である。磁気抵抗素子２１は、磁気抵抗ＭＲ１～ＭＲ８を含むブリッジ回路ＢＲ１とブリッジ回路ＢＲ２を有している。磁気抵抗ＭＲ１～ＭＲ８は印加された磁界に応じて変化する電気抵抗を有する。ブリッジ回路ＢＲ１、ＢＲ２はホイートストンブリッジ回路である。ブリッジ回路ＢＲ１は、接続点Ｎ１３で互いに直列に接続された磁気抵抗ＭＲ１，ＭＲ２よりなる直列体ＢＲ１ａと、接続点Ｎ１４で互いに直列に接続された磁気抵抗ＭＲ３，ＭＲ４よりなる直列体ＢＲ１ｂとを有している。直列体ＢＲ１ａ、ＢＲ１ｂは接続点Ｎ１１、Ｎ１２の間で接続点Ｎ１１、Ｎ１２に互いに並列に接続されている。ブリッジ回路ＢＲ２は、接続点Ｎ２３で互いに直列に接続された磁気抵抗ＭＲ５，ＭＲ６よりなる直列体ＢＲ２ａと、接続点Ｎ２４で互いに直列に接続された磁気抵抗ＭＲ７，ＭＲ８よりなる直列体ＢＲ２ｂとを有している。直列体ＢＲ２ａ、ＢＲ２ｂは接続点Ｎ２１、Ｎ２２の間で接続点Ｎ２１、Ｎ２２に互いに並列に接続されている。接続点Ｎ１１、Ｎ２１は基準電位Ｖｃに接続され、接続点Ｎ１２、Ｎ２２はグランド（ＧＮＤ）に接続されている。なお、磁気抵抗ＭＲ１～ＭＲ８は異方性磁気抵抗で形成されている。異方性磁気抵抗は、鉄－ニッケル合金を含む磁気抵抗効果を有する金属パターンで構成することができる。異方性磁気抵抗は、検出磁界の向き及び大きさの変化に応じて電気抵抗が変化する。回路素子２２は、ブリッジ回路ＢＲ１の接続点Ｎ１３、Ｎ１４の電位と、ブリッジ回路ＢＲ２の接続点Ｎ２３、Ｎ２４の電位とを検出する。
磁気センサ２０では、ブリッジ回路ＢＲ１の代わりに、直列体ＢＲ１ａと直列体ＢＲ１ｂのいずれか一方のみを用いてもよい。ブリッジ回路ＢＲ２の代わりに、直列体ＢＲ２ａと直列体ＢＲ２ｂのいずれか一方のみを用いてもよい。例えば、磁気センサ２０が直列体ＢＲ１ｂ、ＢＲ２ｂを有しておらず、直列体ＢＲ１ａ、ＢＲ２ａを有している場合には、回路素子２２は、接続点Ｎ１３、Ｎ２３の電位を検出する。
異方性磁気抵抗を用いた磁気センサは、他の素子を用いた磁気センサに比べて磁界強度が大きい領域まで検出が可能である。且つ、磁界強度が大きくなるに従い出力波形の歪が除去され、検出される電気信号が理想値に近付くという特性を有する。このため、磁界強度が比較的大きい領域で、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）を用いた磁気センサは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）を用いた磁気センサやトンネル効果型磁気抵抗（ＴＭＲ）を用いた磁気センサやホール素子（Ｈａｌｌ素子）を用いた磁気センサより高い角度検出精度を有する。
図５に異なる種類の素子を用いた磁気センサに印加される磁界の強度と検出された角度の精度との関係を示す。図５に示すように、ＡＭＲを用いた磁気センサは、磁界強度が大きくなるにつれて検出する角度精度が高くなる。ＧＭＲを用いた磁気センサは、磁界強度が８０ｍＴ以上において検出する角度精度が低くなる。これはＧＭＲが有するｐｉｎ層が理想的に作用する磁界強度領域が６０～８０ｍＴであるために生じる課題である。ＴＭＲを用いた磁気センサは、磁界強度が８０ｍＴ以上において検出する角度精度が低くなる。これもＴＭＲ素子が有するｐｉｎ層が理想的に作用する磁界強度領域が３０～５０ｍＴであるために生じる課題である。Ｈａｌｌ素子を用いた磁気センサは、検出出力が小さいため多段の増幅処理が必要となる。このため検出磁界の変動に対して測定角度のばらつきが大きくなるという課題がある。したがって、異方性磁気抵抗を用いた磁気センサは、検出磁界を大きく設定することができるので、外乱磁界の影響は相対的に小さくなる。この結果、磁気センサはＳ／Ｎが大きい高精度な検出ができる。
ブリッジ回路ＢＲ１は、磁気抵抗ＭＲ１と磁気抵抗ＭＲ２の直列体と、磁気抵抗ＭＲ３と磁気抵抗ＭＲ４の直列体とが、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間に並列に接続されている。磁気抵抗ＭＲ１、ＭＲ２の間から中間電位すなわち接続点Ｎ１３の電位が検出信号ｓｉｎ＋として出力される。磁気抵抗ＭＲ３、ＭＲ４の間から中間電位すなわち接続点Ｎ１４の電位が検出信号ｓｉｎ－として出力される。
ブリッジ回路ＢＲ２は、磁気抵抗ＭＲ５と磁気抵抗ＭＲ６の直列体と、磁気抵抗ＭＲ７と磁気抵抗ＭＲ８の直列体とが、基準電位ＶｃとグランドＧＮＤの間に並列に接続されている。磁気抵抗ＭＲ５、ＭＲ６の間から中間電位すなわち接続点Ｎ２３の電位が検出信号ｃｏｓ＋として出力される。磁気抵抗ＭＲ７、ＭＲ８の間から中間電位すなわち接続点Ｎ２４の電位が検出信号ｃｏｓ－として出力される。
なお、ブリッジ回路ＢＲ１とブリッジ回路ＢＲ２とは、検出磁界の回転に対して検出信号ｃｏｓ＋の位相が検出信号ｓｉｎ＋から９０°ずれ、検出信号ｃｏｓ－の位相が検出信号ｓｉｎ－から９０°ずれるように配置されている。
回路素子２２は、差動アンプ２７ａ，２７ｂと演算処理部２８を有している。なお、回路素子２２の説明においては、本開示の説明上必要となる最小構成についてのみ説明するものであり、この構成に限定されない。
ブリッジ回路ＢＲ１から出力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ－は、差動アンプ２７ａに入力される。差動アンプ２７ａは、入力された信号ｓｉｎ＋と信号ｓｉｎ－から増幅信号ｓｉｎを生成して出力する。実施の形態では、差動アンプ２７ａは、信号ｓｉｎ＋から信号ｓｉｎ－を引いて得られた差を増幅信号ｓｉｎとして生成する。
ブリッジ回路ＢＲ２から出力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ－は、差動アンプ２７ｂに入力される。差動アンプ２７ｂは、入力された信号ｃｏｓ＋と信号ｃｏｓ－から増幅信号ｃｏｓを生成して出力する。実施の形態では、差動アンプ２７ｂは、信号ｃｏｓ＋から信号ｃｏｓ－を引いて得られた差を増幅信号ｃｏｓとして生成する。
差動アンプ２７ａから出力された信号ｓｉｎと差動アンプ２７ｂから出力された信号ｃｏｓは、演算処理部２８に入力される。演算処理部２８は、入力された信号ｓｉｎと信号ｃｏｓに対してａｒｃｔａｎ演算を行う。演算処理部２８は、ａｒｃｔａｎ演算処理された信号ａｒｃｔａｎを出力する。実施の形態では、演算処理部２８は、信号ｃｏｓを信号ｓｉｎで除して得られた商を信号ａｒｃｔａｎとして出力する。磁気センサ２０は回路素子２２から信号ａｒｃｔａｎが出力される。信号ａｒｃｔａｎは磁石１０の回転角を含む回転情報を有する。
図６は磁石１０の下面図である。図７は図６に示す磁石１０の線ＶＩＩ－ＶＩＩにおける断面図である。磁石１０は、円形状の上面１０ａと下面１０ｂとを有する円板形状の永久磁石で構成されている。磁石１０は、上面１０ａと下面１０ｂとに繋がりかつ上面１０ａと下面１０ｂとを全体的に囲む側面１０ｃを有する。磁石１０は、互いに繋がっている着磁領域１１と着磁領域１２とを有している。着磁領域１１は、上面視において磁石１０を２分割した一方の半円部分である。着磁領域１２は、上面視において磁石１０における他方の半円部分である。着磁領域１１、１２は上下方向Ｄ１に直交する並設方向Ｄ２ａに並んでいる。
着磁領域１１は、上下方向Ｄ１のうちの下方向Ｄ１２の磁化方向１１ｄに着磁されている。着磁領域１１の上側の領域１１ａがＳ極であり、着磁領域１１の下側の領域１１ｂがＮ極である。
着磁領域１２は、上下方向Ｄ１のうちの上方向Ｄ１１の磁化方向１２ｄに着磁されている。着磁領域１２の磁化方向１２ｄは、着磁領域１１の磁化方向１１ｄと逆向きである。着磁領域１２の下側の領域１２ｂがＳ極であり、着磁領域１２の上側の領域１２ａがＮ極である。なお、図中において各領域を破線で区分しているが、領域は磁極の分布により区分される。図７に示すように、着磁領域１１は磁石１０の下面１０ｂにＮ極である磁極Ｐ１ｂを形成し、着磁領域１２は磁石１０の下面１０ｂに磁極Ｐ１ｂの反対の極性であるＳ極である磁極Ｐ２ｂを形成する。同様に、着磁領域１１は磁石１０の上面１０ａにＳ極である磁極Ｐ１ａを形成し、着磁領域１２は磁石１０の上面１０ａに磁極Ｐ１ａの反対の極性であるＮ極である磁極Ｐ２ａを形成する。
図８に磁石１０の磁界分布を示す。磁石１０の図中上面側の磁力線Ｍａは、着磁領域１２における領域１２ａの磁極Ｐ２ａから着磁領域１１における領域１１ａの磁極Ｐ１ａに向かう。磁石１０の図中下面側の磁力線Ｍｂは、着磁領域１１における領域１１ｂの磁極Ｐ１ｂから着磁領域１２における領域１２ｂの磁極Ｐ２ｂに向かう。磁石１０の図中左側の磁力線Ｍｃ１は、着磁領域１１における領域１１ｂから領域１１ａに向かう。磁石１０の図中右側の磁力線Ｍｃ２は、着磁領域１２における領域１２ａから領域１２ｂに向かう。このように、磁石１０の磁界分布は側方への拡がりが小さい。
図９に磁石１０の下面１０ｂにおける磁気密度分布を示す。図９に示すように、着磁領域１１の磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃは、着磁領域１１の磁極Ｐ１ｂにおける磁気密度が最も大きい部分である。着磁領域１２の磁極Ｐ２ｂの中心１２ｃは、着磁領域１２の磁極Ｐ２ｂにおける磁気密度が最も大きい部分である。磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃは、着磁領域１１、１２が並ぶ並設方向Ｄ２ａにおける磁石１０の下面１０ｂの中心から下面１０ｂの半径Ｒｒの１／２の距離に位置すると見做すことができる。中心１２ｃは、並設方向Ｄ２ａにおける下面１０ｂの中心から半径Ｒｒの１／２の距離に位置すると見做すことができる。
図１０に磁石１０の着磁方法の一例を模式図で示す。フェライトなどの磁性材料を円板状に構成した磁性体１０ｘを着磁することにより磁石１０を磁化させることができる。着磁装置５０は、着磁部５１と着磁部５２を備えている。図中左側の着磁部５１は、磁性体１０ｘの左側半分に下向きの磁界５１ａを印加することができる。図中右側の着磁部５２は、磁性体１０ｘの右側半分に対して上向きの磁界５２ａを印加することができる。着磁装置５０を用いて磁性体１０ｘを着磁することで、図７に示す極性を有する磁石１０を形成することができる。
図１１は磁気ヨーク３０が装着された磁石１０の磁界分布を示す。磁気ヨーク３０は、純鉄などの強磁性体で構成されている。磁気ヨーク３０は、磁石１０の上面１０ａと側面１０ｃに当接するように上面１０ａと側面１０ｃの全体を覆うように配置されている。つまり、磁石１０の磁気センサ２０と対向する下面１０ｂを除く磁石１０の外表面を覆う。磁石１０を磁気ヨーク３０で覆うことで、覆われた部分の磁界が磁気ヨーク３０の内部を通過するようになり、磁界の拡がりが抑制される。さらに、磁石１０が露出した下面１０ｂにおいては、検出磁界Ｍｄの磁束密度が大きくなる。例えば、磁気ヨーク３０が装着された磁石１０と、磁気ヨーク３０が装着されていない磁石１０と、磁気ヨーク３０が装着されていない２極磁石における検出領域での磁界強度を比較した。磁石から３ｍｍ離れた検出領域では、磁気ヨーク３０が装着された磁石１０の磁界強度は１２０ｍＴ程度を示す。磁気ヨーク３０が装着されていない磁石１０の磁界強度は９０ｍＴ程度を示す。磁気ヨーク３０が装着されていない２極磁石の磁界強度は４０ｍＴ程度を示す。このことからも、本開示における磁気ヨーク３０が装着された磁石１０により、磁気センサ２０に大きな検出磁界Ｍｄを印加することができる。
磁気センサ２０に印加される検出磁界Ｍｄの磁界強度が大きくなることで、外乱磁界の影響が相対的に小さくなる。この結果、磁気センサ２０は、Ｓ／Ｎが大きい高精度な検出ができる。ただし、検出磁界Ｍｄが大きくなることで磁気センサ２０には異方性磁気抵抗を用いることが好ましい。
磁気シールド４０は、純鉄などの強磁性体で構成されている。磁気シールド４０は、磁気センサ２０の上下方向Ｄ１に直角に交差する側方向Ｄ２において磁気センサ２０を囲むように配置されている。磁気シールド４０は、上面視において磁気センサ２０を囲むリング形状を有する。図１２は磁気センサユニット１００の拡大断面図である。着磁領域１１の磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃは着磁領域１２の磁極Ｐ２ｂの中心１２ｃから距離ＬＡだけ離れている。着磁領域１１の磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃは磁気シールド４０から距離ＬＢだけ離れている。着磁領域１２の磁極Ｐ２ｂの中心１２ｃは磁気シールド４０から距離ＬＣだけ離れている。磁気センサユニット１００においては、距離ＬＡ、ＬＢ、ＬＣはＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣの関係を満たしている。磁石１０と磁気シールド４０の位置関係が、この関係を満たすことにより、磁気シールド４０を小型にすることができる。
すなわち、磁気センサユニット１００における検出磁界Ｍｄは、図１１に示すように磁極の中心１１ｃから磁極の中心１２ｃに向かう。検出磁界Ｍｄが形成される検出領域は、空気中に形成されるため、検出領域の透磁率は１となる。一方、磁気シールド４０は強磁性体で形成されておりその透磁率は１０００を超える。このため磁気シールド４０が有する磁気抵抗の影響は無視することができる。したがって、磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃから磁極Ｐ２ｂの中心１２ｃに至る空気中の磁気抵抗が、磁極Ｐ１ｂの中心１１ｃから磁気シールド４０を介して磁極Ｐ２ｂの中心１２ｃに至る磁気抵抗より小さくなる。これにより、磁石１０により形成される磁界による磁気シールド４０の磁気飽和が抑制されるので、磁気シールド４０の径方向における小型化ができる。具体的には、上述したＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣの関係を満たしていることで、図１に示すように上面視において磁気シールド４０の外周端を、磁気ヨーク３０の外周端より内側に配置することができる。
なお、磁気シールド４０と磁石１０との間に隙間があるが、外部磁界Ｍｅは透磁率が大きい磁気シールド４０や磁気ヨーク３０に吸収されるため、検出領域に影響を与えない。
また、このように磁気シールド４０を小型化したことにより、磁気センサ２０と磁気シールド４０はベース基板６０に実装することが可能となる。これにより、磁気センサ２０と磁気シールド４０の間隔のバラツキを抑制することできる。つまり、複数の磁気センサユニット１００の組み立てにおいて、個々の磁気センサユニット１００における検出精度のバラツキを小さくすることができる。
特許文献１に開示された磁気ヨークは、強磁性体の金属からなり検出磁界の増強効果は得ることができる。ただし、磁気ヨークは、磁石の磁界により磁気飽和するため磁気シールド効果が望めない。特許文献２に開示されたシールドケースは、磁石の磁界への影響を抑制するため、検出磁石から離間する必要があり装置が大型化してしまう。
次に磁気センサユニット１００の変形例について説明する。
（変形例）
図１３は、実施の形態における変形例である他の磁気センサユニット２００の拡大断面図である。図１３において、図１から図１２に示す磁気センサユニット１００と同じ部分には同じ参照符号を付して説明を簡略化する。また、磁気センサユニット２００は、磁気センサユニット１００の磁気シールド４０の代わりに磁気シールド７０を備え、磁気シールド７０の他の構造については磁気センサユニット１００と同じである。
図１３は、実施の形態における変形例である他の磁気センサユニット２００の拡大断面図である。図１３において、図１から図１２に示す磁気センサユニット１００と同じ部分には同じ参照符号を付して説明を簡略化する。また、磁気センサユニット２００は、磁気センサユニット１００の磁気シールド４０の代わりに磁気シールド７０を備え、磁気シールド７０の他の構造については磁気センサユニット１００と同じである。
磁気センサユニット２００における磁気シールド７０の内径は磁気ヨーク３０の外径よりも大きく、上面視において磁気シールド７０が磁気ヨーク３０の外周を囲むように配置されている。また、磁気シールド７０の上端が磁気ヨーク３０の下端より上方に位置するように構成されている。つまり、磁気センサユニット２００では、検出領域が磁気シールド７０で囲まれている。なお、磁気シールド７０と磁気ヨーク３０が対向する幅が局部的に狭い部分ＲＬはラビリンス構造を形成する。磁気シールド７０と磁気ヨーク３０で形成するラビリンス構造により、磁気センサユニット２００の外部空間から鉄粉などの塵埃が検出領域に侵入することを防止することができる。
なお、磁気シールド７０で磁気ヨーク３０を囲む構造では、磁気シールド７０の内周と磁気ヨーク３０の外周との間隔ＬＲが大きいと、防塵効果が小さくなる。また、間隔ＬＲが小さいと、磁気センサユニット２００の組み立てが困難となる。なお、これらの条件を具現化するには、磁気シールド７０の内径ＬＤと、磁気ヨーク３０の外径ＬＥと、上下方向Ｄ１での磁気ヨーク３０の下端から磁気シールド７０の上端までの高低差ＬＦと、上下方向Ｄ１での磁石１０の高さＬＧとは、ＬＥ×１．５＞ＬＤ＞ＬＥ×１．２とＬＧ×０．５＞ＬＦ＞０の２つの条件を満たすことで、防塵効果と組み立て易さを両立させることができる。
なお、磁気シールド７０の構造においても、磁気センサユニット１００で説明したＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣ関係を満たしており磁気シールド７０の磁気飽和は抑制されている。また、磁気ヨーク３０と接している磁石１０の上面１０ａと側面１０ｃの磁界は、図１１に示すように磁気ヨーク３０の内部に閉じ込められる。したがって、磁気シールド７０と磁気ヨーク３０が接触しない限り、磁気シールド７０の磁気飽和は抑制される。
実施の形態において、「上面」「下面」「上下方向」「上面視」等の方向を示す用語は、磁石や磁気センサ等の磁気センサユニットの構成部材の相対的な位置関係でのみ決まる相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
本開示における磁気センサユニットは磁気シールド性を有してかつ小型であり、特に車載用途の磁気センサユニットにおいて有効である。
１ 回転軸
１ａ 回転軸線
１０ 磁石
１１，１２ 着磁領域
２０ 磁気センサ
３０ 磁気ヨーク
４０，７０ 磁気シールド
６０ ベース基板
１００，２００ 磁気センサユニット
Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ 磁極
ＭＲ１～ＭＲ８ 磁気抵抗
ＢＲ１，ＢＲ２ ブリッジ回路
ＢＲ１ａ，ＢＲ１ｂ，ＢＲ２ａ，ＢＲ２ｂ 直列体
１ａ 回転軸線
１０ 磁石
１１，１２ 着磁領域
２０ 磁気センサ
３０ 磁気ヨーク
４０，７０ 磁気シールド
６０ ベース基板
１００，２００ 磁気センサユニット
Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ 磁極
ＭＲ１～ＭＲ８ 磁気抵抗
ＢＲ１，ＢＲ２ ブリッジ回路
ＢＲ１ａ，ＢＲ１ｂ，ＢＲ２ａ，ＢＲ２ｂ 直列体
Claims (2)
- 上面と、下面と、前記上面と前記下面とに繋がる側面とを有する磁石と、前記磁石の前記下面と対向するように配置される磁気センサと、前記磁気センサの上下方向と交差する側方向において前記磁気センサを囲むように配置された磁気シールドと、前記磁石の前記上面と前記側面とを覆う磁気ヨークと、を備え、前記磁気センサは、前記磁石で発生する検出磁界が印加される異方性磁気抵抗を含み、前記磁石は、前記上下方向に着磁されており、前記磁石の前記下面に第１の磁極を形成する第１の着磁領域と、前記第１の着磁領域と逆方向に着磁されており、前記磁石の前記下面に第２の磁極を形成する第２の着磁領域と、を有し、前記第１の磁極の中心から前記第２の磁極の中心までの距離ＬＡと、前記第１の磁極の前記中心から前記磁気シールドまでの距離ＬＢと、前記第２の磁極の前記中心から前記磁気シールドまでの距離ＬＣとは、ＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣの関係を満たしているとともに、上面視において、前記磁気シールドの外周端は前記磁気ヨークの外周端より内側に配置されている磁気センサユニット。
- 上面と、下面と、前記上面と前記下面とに繋がる側面とを有する磁石と、前記磁石の前記下面と対向するように配置される磁気センサと、前記磁気センサの上下方向と交差する側方向において前記磁気センサを囲むように配置された磁気シールドと、前記磁石の前記上面と前記側面とを覆う磁気ヨークと、を備え、前記磁気センサは、前記磁石で発生する検出磁界が印加される異方性磁気抵抗を含み、前記磁石は、前記上下方向に着磁されており、前記磁石の前記下面に第１の磁極を形成する第１の着磁領域と、前記第１の着磁領域と逆方向に着磁されており、前記磁石の前記下面に第２の磁極を形成する第２の着磁領域と、を有し、前記第１の磁極の中心から前記第２の磁極の中心までの距離ＬＡと、前記第１の磁極の前記中心から前記磁気シールドまでの距離ＬＢと、前記第２の磁極の前記中心から前記磁気シールドまでの距離ＬＣとは、ＬＡ＜ＬＢ＋ＬＣの関係を満たしているとともに、上面視において、前記磁気シールドの外周端は前記磁気ヨークの外周端より外側に配置されており、前記磁気シールドの上端は前記磁気ヨークの下端より上方に位置しており、かつ、前記磁気シールドの内径ＬＤと、前記磁気ヨークの外径ＬＥと、前記上下方向での前記磁気ヨークの下端から前記磁気シールドの上端までの高低差ＬＦと、磁石の高さＬＧとは、ＬＥ×１．５＞ＬＤ＞ＬＥ×１．２、かつＬＧ×０．５＞ＬＦ＞０の関係を満たしている磁気センサユニット。
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