JP2017173236A - 磁気センサ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気センサとバイアス磁石の相対的な位置がずれたとしても検出と非検出の切り替わりの変化を抑制ことができる磁気センサ装置を提供する。
【解決手段】磁気センサ装置1は、第1の磁場25を生成する第1のバイアス磁石2と、第1のバイアス磁石2と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場35を生成し、第1のバイアス磁石2に対して予め定められた角度θ回転させて配置された第2のバイアス磁石3と、第1のバイアス磁石2の底面21と第2のバイアス磁石3の上面30の間に配置され、中心線5に沿った第1のバイアス磁石2に対する磁性体6の接近による、第1の磁場25の第1の磁気ベクトル250、及び第2の磁場35の第2の磁気ベクトル350の合成ベクトル7の向きの変化を検出する磁気センサ4と、を備えて概略構成されている。
【選択図】図1
【解決手段】磁気センサ装置1は、第1の磁場25を生成する第1のバイアス磁石2と、第1のバイアス磁石2と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場35を生成し、第1のバイアス磁石2に対して予め定められた角度θ回転させて配置された第2のバイアス磁石3と、第1のバイアス磁石2の底面21と第2のバイアス磁石3の上面30の間に配置され、中心線5に沿った第1のバイアス磁石2に対する磁性体6の接近による、第1の磁場25の第1の磁気ベクトル250、及び第2の磁場35の第2の磁気ベクトル350の合成ベクトル7の向きの変化を検出する磁気センサ4と、を備えて概略構成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気センサ装置に関する。
従来の技術として、リング状に形成された磁石体と、磁石体の中心軸に沿う直線上又はその付近であってかつ磁石体の両端部近傍に生ずる磁気的中性点のいずれかに、中心位置を一致させて配設されるバイアス磁石一体型磁気抵抗素子と、を備えた磁性体検出用近接スイッチが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
この磁性体検出用近接スイッチは、磁性体が接近すると、磁気的中性点(磁石体の磁界が互いに反発し合う結果、磁界ベクトルがほぼゼロとなる点)に配置された磁気抵抗素子に磁界が作用し、出力電圧が変化して近接を検出することができる。
しかし従来の磁性体検出用近接スイッチは、磁気抵抗素子を磁気的中性点に正確に配置しなければ、検出と非検出の切り替わりの磁性体の距離が大きく変わる可能性がある。
従って本発明の目的は、磁気センサとバイアス磁石の相対的な位置がずれたとしても検出と非検出の切り替わりの変化を抑制ことができる磁気センサ装置を提供することにある。
本発明の一態様は、上面と底面が同形状となる柱体であり、一方の側面側が第1の磁極、他方の側面側が第2の磁極となるように着磁されて第1の磁場を生成する第1のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場を生成し、上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線が一致すると共に、第1のバイアス磁石に対して予め定められた角度回転させて配置された第2のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石の底面と第2のバイアス磁石の上面の間に配置され、中心線に沿った第1のバイアス磁石に対する磁性体の接近による、第1の磁場の第1の磁気ベクトル、及び第2の磁場の第2の磁気ベクトルの合成ベクトルの向きの変化を検出する磁気センサと、を備えた磁気センサ装置を提供する。
本発明によれば、磁気センサとバイアス磁石の相対的な位置がずれたとしても検出と非検出の切り替わりの変化を抑制ことができる。
(実施の形態の要約)
実施の形態に係る磁気センサ装置は、上面と底面が同形状となる柱体であり、一方の側面側が第1の磁極、他方の側面側が第2の磁極となるように着磁されて第1の磁場を生成する第1のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場を生成し、上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線が一致すると共に、第1のバイアス磁石に対して予め定められた角度回転させて配置された第2のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石の底面と第2のバイアス磁石の上面の間に配置され、中心線に沿った第1のバイアス磁石に対する磁性体の接近による、第1の磁場の第1の磁気ベクトル、及び第2の磁場の第2の磁気ベクトルの合成ベクトルの向きの変化を検出する磁気センサと、を備えて概略構成されている。
実施の形態に係る磁気センサ装置は、上面と底面が同形状となる柱体であり、一方の側面側が第1の磁極、他方の側面側が第2の磁極となるように着磁されて第1の磁場を生成する第1のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場を生成し、上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線が一致すると共に、第1のバイアス磁石に対して予め定められた角度回転させて配置された第2のバイアス磁石と、第1のバイアス磁石の底面と第2のバイアス磁石の上面の間に配置され、中心線に沿った第1のバイアス磁石に対する磁性体の接近による、第1の磁場の第1の磁気ベクトル、及び第2の磁場の第2の磁気ベクトルの合成ベクトルの向きの変化を検出する磁気センサと、を備えて概略構成されている。
磁気センサ装置は、磁性体の接近が主に第1のバイアス磁石の第1の磁場に対して影響を与える。従って磁気センサ装置は、第1の磁場と第2の磁場の双方に影響を与えて合成ベクトルを変化させる場合と比べて、位置ずれによる合成ベクトルの向きの変化が小さく、磁気センサと第1のバイアス磁石及び第2のバイアス磁石の相対的な位置のずれが生じても検出と非検出の切り替わりの変化を抑制することができる。
[実施の形態]
(磁気センサ装置1の概要)
図1(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図1(b)は、磁性体が離れている場合の合成ベクトルの一例を説明するための概略図であり、図1(c)は、磁気センサ装置の等価回路図の一例である。図2(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図2(b)は、磁性体が接近している場合の合成ベクトルの一例を説明するための概略図である。図1(a)は、検出されない程度に磁性体が第1のバイアス磁石から離れている場合を示している。図2(a)は、検出される程度に磁性体が第1のバイアス磁石に接近している場合を示している。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また図1(c)では、主な信号などの流れを矢印で示している。
(磁気センサ装置1の概要)
図1(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図1(b)は、磁性体が離れている場合の合成ベクトルの一例を説明するための概略図であり、図1(c)は、磁気センサ装置の等価回路図の一例である。図2(a)は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図2(b)は、磁性体が接近している場合の合成ベクトルの一例を説明するための概略図である。図1(a)は、検出されない程度に磁性体が第1のバイアス磁石から離れている場合を示している。図2(a)は、検出される程度に磁性体が第1のバイアス磁石に接近している場合を示している。なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また図1(c)では、主な信号などの流れを矢印で示している。
磁気センサ装置1は、例えば、車両のブレーキペダルの接近の検出、シフト装置のシフト位置の検出、バックルに対するタングプレートの挿入の検出などに用いられる。
この磁気センサ装置1は、図1(a)に示すように、上面20と底面21が同形状となる柱体であり、一方の側面22側が第1の磁極、他方の側面23側が第2の磁極となるように着磁されて第1の磁場25を生成する第1のバイアス磁石2と、第1のバイアス磁石2と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場35を生成し、上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線(中心線5)が一致すると共に、第1のバイアス磁石2に対して予め定められた角度θ回転させて配置された第2のバイアス磁石3と、第1のバイアス磁石2の底面21と第2のバイアス磁石3の上面30の間に配置され、中心線5に沿った第1のバイアス磁石2に対する磁性体6の接近による、第1の磁場25の第1の磁気ベクトル250、及び第2の磁場35の第2の磁気ベクトル350の合成ベクトル7の向きの変化を検出する磁気センサ4と、を備えて概略構成されている。
第1の磁極及び第2の磁極は、N極及びS極であるが、逆であっても良い。また上述の「上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線が一致する」とは、第1のバイアス磁石2の上面20の中心200と底面21の中心210を結んで延長した中心線と、第2のバイアス磁石3の上面30の中心300と底面31の中心310を結んで延長した中心線と、が一致することを示している。この中心線は、図1(a)に示す中心線5である。
また磁気センサ装置1は、一例として、図1(c)に示すように、磁気センサ4から出力された中点電位V1及び中点電位V2に基づいて磁性体6の接近を判定する判定部10を備えている。
(第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の構成)
第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又は、フェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル/ブタジエン/スチレン(ABS)などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。本実施の形態の第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、一例として、ネオジム磁石の粒子を含有したプラスチックマグネットである。
第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又は、フェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル/ブタジエン/スチレン(ABS)などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。本実施の形態の第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、一例として、ネオジム磁石の粒子を含有したプラスチックマグネットである。
第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、上面及び底面が正方形の板形状を有している。第2のバイアス磁石3は、第1のバイアス磁石2に対して予め定められた角度θ回転させて配置される。なお第2のバイアス磁石3は、第1のバイアス磁石2と第2のバイアス磁石3の磁極を一致させた状態から回転される。
この予め定められた角度θは、例えば、45°+90°×n(n=0,1,2,3)である。本実施の形態の角度θは、135°(n=1)である。
第1のバイアス磁石2は、図1(b)の紙面において左の側面22側がN極、右の側面23側がS極となっている。従って磁性体6が十分離れている場合、磁気センサ4の感磁面40における第1の磁場25の第1の磁気ベクトル250は、磁気センサ4が底面21側に位置することから左から右に向かう方向となる。なお感磁面40とは、磁気センサ4の後述する磁気抵抗素子が形成された面である。磁気センサ4は、この感磁面40の面内における磁気ベクトルの方向の変化を検出する。
第2のバイアス磁石3は、図1(b)の紙面において第1のバイアス磁石2を時計回りに135°回転させた位置に配置されている。第2のバイアス磁石3は、図1(b)の紙面において右上の側面32側がN極、左下の側面33側がS極となっている。従って磁性体6が十分離れている場合、感磁面40における第2の磁場35の第2の磁気ベクトル350は、磁気センサ4が上面30側に位置することから左斜め下方向となる。
この第1の磁気ベクトル250と第2の磁気ベクトル350の角度は、第1のバイアス磁石2に対する第2のバイアス磁石3の角度θと同じ135°となる。
また磁性体6が第1のバイアス磁石2に接近した場合、図2(a)及び図2(b)に示すように、第1の磁場25の磁束の一部が磁性体6に吸い込まれる。従って底面21側の第1の磁場25の強度が、離れている場合と比べて弱くなる、つまり磁束密度が低くなる。
その結果、感磁面40における第1の磁気ベクトル250の大きさ、つまり図2(b)に示す矢印の長さが離れている場合よりも短くなる。一方磁性体6の接近は、間に第1のバイアス磁石2が位置するので一種のシールドとして働くこと、第2のバイアス磁石3から磁性体6までの距離が離れていることなどから第2の磁場35に対する影響が少ない。従って感磁面40における第2の磁気ベクトル350は、磁性体6の接近の前後でほぼ変化しない。
よって磁性体6が接近した場合の合成ベクトル7は、図1(b)及び図2(b)に示すように、接近前の右下方向から接近後の左下方向に変化する。磁気センサ4は、この合成ベクトル7の方向の回転を検出する。言い換えるなら磁気センサ4は、磁束密度の変化を合成ベクトル7の向きの変化に換算して検出している。
(磁気センサ4の構成)
磁気センサ4は、例えば、4つのMR(Magneto Resistive)素子41〜MR素子44によってブリッジ回路45が形成されている。この4つのMR素子41〜MR素子44の素子中心46は、中心線5上に位置している。そして感磁面40から第1のバイアス磁石2の底面21までの距離L1と感磁面40から第2のバイアス磁石3の上面30までの距離L2が等しい。
磁気センサ4は、例えば、4つのMR(Magneto Resistive)素子41〜MR素子44によってブリッジ回路45が形成されている。この4つのMR素子41〜MR素子44の素子中心46は、中心線5上に位置している。そして感磁面40から第1のバイアス磁石2の底面21までの距離L1と感磁面40から第2のバイアス磁石3の上面30までの距離L2が等しい。
MR素子41〜MR素子44は、一例として、Ni、Fe、Coなどの強磁性体金属を主成分とした膜を用いて形成される。第1の磁場25及び第2の磁場35が作用していない場合のMR素子41〜MR素子44の抵抗値は、等しい。
MR素子41の一方端部は、MR素子42の一方端部と電気的に接続されている。またMR素子41の他方端部には、例えば、基準電圧VCCが供給されている。また、MR素子42の他方端部は、例えば、接地回路に電気的に接続されている。このMR素子41とMR素子42は、ハーフブリッジ回路を構成している。このハーフブリッジ回路の中点電位は、図1(c)に示すように、V1である。
MR素子43の一方端部は、MR素子44の一方端部と電気的に接続されている。またMR素子43の他方端部には、例えば、基準電圧VCCが供給されている。また、MR素子44の他方端部は、例えば、接地回路に電気的に接続されている。このMR素子43とMR素子44は、ハーフブリッジ回路を構成している。このハーフブリッジ回路の中点電位は、図1(c)に示すように、V2である。この中点電位V1及び中点電位V2は、判定部10に出力される。
MR素子41は、互いに平行に並んだ複数の感磁部400を有する。この感磁部400は、合成ベクトル7の向きに応じて磁気抵抗値が変化する部分である。そしてMR素子41〜MR素子44のそれぞれの感磁部400は、図1(b)、図1(c)及び図2(b)の紙面の上下方向に対して45°の角度を有するように配置される。
なお磁気センサ4は、一例として、判定部10などと共に基板に配置され、エポキシ樹脂などで封止される。第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、封止された磁気センサ4に取り付けられる。
(磁性体6の構成)
磁性体6は、例えば、柱体形状を有している。磁性体6は、例えば、フェライトなどの強磁性体である。この磁性体6は、例えば、検出対象のブレーキペダルなどに取り付けられる。磁性体6は、第1のバイアス磁石2の上面20に対して接近したり、離れたりする。
磁性体6は、例えば、柱体形状を有している。磁性体6は、例えば、フェライトなどの強磁性体である。この磁性体6は、例えば、検出対象のブレーキペダルなどに取り付けられる。磁性体6は、第1のバイアス磁石2の上面20に対して接近したり、離れたりする。
(判定部10の構成)
判定部10は、例えば、増幅器や比較器などを備えて構成されている。この判定部10は、中点電位V1と中点電位V2の差分を算出し、算出した差分に基づいて磁性体6の接近を検出する。判定部10は、一例として、接近を検出した場合、「1」を示す判定信号Sを出力し、磁性体6を検出しない場合、「0」を示す判定信号Sを出力する。
判定部10は、例えば、増幅器や比較器などを備えて構成されている。この判定部10は、中点電位V1と中点電位V2の差分を算出し、算出した差分に基づいて磁性体6の接近を検出する。判定部10は、一例として、接近を検出した場合、「1」を示す判定信号Sを出力し、磁性体6を検出しない場合、「0」を示す判定信号Sを出力する。
以下に、本実施の形態の磁気センサ装置の実施例1〜実施例4について説明する。
図3(a)は、実施例1〜実施例4における磁気センサ装置の概略図であり、図3(b)は、実施例1〜実施例4における磁気センサ装置の差分出力と磁性体−第1のバイアス磁石間の距離の関係を示すグラフである。
この図3(a)に示すXYZ座標系は、X軸が図3(a)の紙面において左から右に向かう座標軸、Y軸が図3(a)の紙面において手前から奥に向かう座標軸、Z軸が図3(a)の下から上に向かう座標軸となっている。
また図3(b)に示す実施例1〜実施例4は、シミュレーションを行った結果をグラフにしたものである。縦軸の差分出力は、単位がmVであり、中点電位V1と中点電位V2の差分(=V2−V1)を示している。横軸は、単位がmmであり、図3(a)に示す距離L3を示している。
このシミュレーションにおける磁性体6は、鉄で形成され、X軸方向の幅とY軸方向の奥行が3mm×3mm、そして厚み(Z軸)が1mmである。また第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3は、共に、各辺が1mmの立方体としている。また磁性体6は、中心線5に沿って第1のバイアス磁石2に接近するものとする。さらに距離L1及び距離L2は、0.4mmとしている。
この実施例1〜実施例4では、差分出力が0mV以上である場合を磁性体6が接近したとしてオンとし、0mV未満である場合を磁性体6が離れたとしてオフとしている。
(実施例1について)
実施例1は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に−0.06mm、Y軸方向に+0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。このずれは、第1のバイアス磁石2、第2のバイアス磁石3及び磁気センサ4の組み付けなどにおいて予想される累積公差の一例である。実施例1では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
実施例1は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に−0.06mm、Y軸方向に+0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。このずれは、第1のバイアス磁石2、第2のバイアス磁石3及び磁気センサ4の組み付けなどにおいて予想される累積公差の一例である。実施例1では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
(実施例2について)
実施例2は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に+0.06mm、Y軸方向に+0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例2では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
実施例2は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に+0.06mm、Y軸方向に+0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例2では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
(実施例3について)
実施例3は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に−0.06mm、Y軸方向に−0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例3では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
実施例3は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に−0.06mm、Y軸方向に−0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例3では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
(実施例4について)
実施例4は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に+0.06mm、Y軸方向に−0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例3では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
実施例4は、磁気センサ4の素子中心46がX軸方向に+0.06mm、Y軸方向に−0.06mmずれたとしてシミュレーションしている。実施例3では、図3(b)に示すように、磁性体6と第1のバイアス磁石2の距離L3がおよそ0.5mmとなると、オンとオフが切り替わっている。
上述のように、実施例1〜実施例4では、磁気センサ4と第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の相対的な位置が搭載時にずれたとしても、ほぼオンとオフの切り替わりが等しい距離となることが分かる。
(実施の形態の効果)
本実施の形態に係る磁気センサ装置1は、磁気センサ4と第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の相対的な位置のずれが生じても検出と非検出、つまりオンとオフの切り替わりの変化を抑制することができる。具体的には、磁気センサ装置1は、磁性体6の接近が主に第1のバイアス磁石2の第1の磁場25に対して影響を与える。従って磁気センサ装置1は、第1の磁場と第2の磁場の双方に影響を与えて合成ベクトルを変化させる場合と比べて、位置ずれによる合成ベクトル7の向きの変化が小さく、磁気センサ4と第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の相対的な位置ずれが生じてもオンとオフの切り替わりの変化を抑制することができる。
本実施の形態に係る磁気センサ装置1は、磁気センサ4と第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の相対的な位置のずれが生じても検出と非検出、つまりオンとオフの切り替わりの変化を抑制することができる。具体的には、磁気センサ装置1は、磁性体6の接近が主に第1のバイアス磁石2の第1の磁場25に対して影響を与える。従って磁気センサ装置1は、第1の磁場と第2の磁場の双方に影響を与えて合成ベクトルを変化させる場合と比べて、位置ずれによる合成ベクトル7の向きの変化が小さく、磁気センサ4と第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3の相対的な位置ずれが生じてもオンとオフの切り替わりの変化を抑制することができる。
磁気センサ装置1は、磁性体6の接近を単純な柱体形状を有する第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3を用いることによって検出することができる。また磁気センサ装置1は、同じ材料、同じ形状、同じ着磁のバイアス磁石を用いるので、複雑な形状のバイアス磁石を用いる場合などと比べて、製造コストを削減することができる。
磁気センサ装置1は、同じ材料、同じ形状、同じ着磁の第1のバイアス磁石2及び第2のバイアス磁石3を用いて近くに配置されるので、温度特性の変化量を抑制することができる。
磁気センサ装置1は、第1のバイアス磁石2に対する第2のバイアス磁石3の角度θが45°の倍数であるので配置し易い。
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…磁気センサ装置、2…第1のバイアス磁石、3…第2のバイアス磁石、4…磁気センサ、5…中心線、6…磁性体、7…合成ベクトル、10…判定部、20…上面、21…底面、22,23…側面、25…第1の磁場、30…上面、31…底面、32,33…側面、35…第2の磁場、40…感磁面、41〜44…MR素子、45…ブリッジ回路、46…素子中心、200,210…中心、250…第1の磁気ベクトル、300,310…中心、350…第2の磁気ベクトル、400…感磁部
Claims (3)
- 上面と底面が同形状となる柱体であり、一方の側面側が第1の磁極、他方の側面側が第2の磁極となるように着磁されて第1の磁場を生成する第1のバイアス磁石と、
前記第1のバイアス磁石と同じ形状かつ同じ着磁がなされて第2の磁場を生成し、上面の中心と底面の中心を結んで延長した互いの中心線が一致すると共に、前記第1のバイアス磁石に対して予め定められた角度回転させて配置された第2のバイアス磁石と、
前記第1のバイアス磁石の底面と前記第2のバイアス磁石の上面の間に配置され、前記中心線に沿った前記第1のバイアス磁石に対する磁性体の接近による、前記第1の磁場の第1の磁気ベクトル、及び前記第2の磁場の第2の磁気ベクトルの合成ベクトルの向きの変化を検出する磁気センサと、
を備えた磁気センサ装置。 - 前記予め定められた角度は、45°+90°×n(n=0,1,2,3)である、
請求項1に記載の磁気センサ装置。 - 前記磁気センサは、4つの磁気抵抗素子によってブリッジ回路が形成され、前記4つの磁気抵抗素子の素子中心が前記中心線上に位置し、感磁面から前記第1のバイアス磁石の底面までの距離と前記感磁面から前記第2のバイアス磁石の上面までの距離が等しい、
請求項1又は2に記載の磁気センサ装置。
Priority Applications (1)
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JP2016061840A JP2017173236A (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 磁気センサ装置 |
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