JP7454689B2 - クロック回路、メモリ及び半導体構造の製造方法 - Google Patents
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Description
本願は、2021年7月20日に提出された、出願番号が202110821447.5であり、出願名称が「クロック回路、メモリ及び半導体構造の製造方法」である中国特許出願に基づく優先権を主張し、その全内容が参照として本願に組み込まれる。
Claims (15)
- クロック回路であって、
少なくとも2つの第1駆動回路と、隣接する前記第1駆動回路の間に位置する分立する複数段の第1導線と、を含み、隣接する前記第1駆動回路は、少なくとも1段の前記第1導線と少なくとも2段の第2導線によって接続され、前記第1駆動回路は、前記第2導線に接続され、各段の前記第1導線は、2段の前記第2導線の間に直列接続され、前記第1導線は、第1金属層に位置し、前記第2導線は、第2金属層に位置し、前記第2金属層は、前記第1金属層の上方に位置し、
前記第1導線は、U字状となり、複数段の前記第1導線は、第2方向に沿って並列して設けられ、前記第2方向における異なる前記第2導線の正投影が重なり合うことを特徴とする、
クロック回路。 - 前記第1導線は、第1方向に沿って延在し、前記第1方向における異なる前記第1導線の長さは等しく、複数段の前記第1導線は、第2方向に沿って並列して設けられ、前記第1方向は、前記第2方向に垂直であることを特徴とする
請求項1に記載のクロック回路。 - 第2駆動回路を備え、隣接する前記第2駆動回路は、第3導線を介して接続され、隣接する前記第2駆動回路の間の抵抗は、隣接する前記第1駆動回路の間の抵抗に等しく、隣接する前記第2駆動回路の間の前記第3導線の総長は、隣接する前記第1駆動回路の間の前記第1導線の総長よりも大きく、前記第3導線の単位長さ抵抗は、前記第1導線の単位長さ抵抗よりも小さいことを特徴とする
請求項1に記載のクロック回路。 - 前記第2導線の単位長さ抵抗は、前記第1導線の単位長さ抵抗よりも小さく、前記第3導線の位置する金属層は、前記第1金属層の上方に位置することを特徴とする
請求項3に記載のクロック回路。 - 前記第3導線の単位長さ抵抗は、前記第2導線の単位長さ抵抗以下であることを特徴とする
請求項3に記載のクロック回路。 - 前記第3導線の位置する金属層は、前記第2金属層の上方に位置し、又は、前記第3導線は、前記第2金属層に位置することを特徴とする
請求項5に記載のクロック回路。 - 第1機能モジュールと第2機能モジュールと、を更に備え、
前記第1機能モジュールは、少なくとも2つの前記第1駆動回路を含み、前記第1機能モジュールは、第1信号を受信し、前記第1信号に基づいて第2信号を生成して出力するためのものであり、前記第2信号は、前記クロック回路の内部フィードバック信号として、
前記第2機能モジュールは、少なくとも2つの前記第2駆動回路を含み、前記第2機能モジュールは、第3信号を受信し、前記第3信号に基づいて第4信号を生成して出力するためのものであり、前記第1信号と前記第3信号は、位相が同じであるクロック信号であり、前記第2機能モジュールの出力端は、前記クロック回路の出力端とすることを特徴とする
請求項3に記載のクロック回路。 - 前記第1機能モジュールは、順次接続される第1機能ユニットと第2機能ユニットを含み、前記第2機能モジュールは、順次接続される第3機能ユニットと第4機能ユニットを含み、前記第1機能ユニットは、前記第1信号を受信するためのものであり、前記第2機能ユニットは、前記第2信号を出力するためのものであり、前記第3機能ユニットは、前記第3信号を受信するためのものであり、前記第4機能ユニットは、前記第4信号を出力するためのものであり、前記第1機能ユニットに含まれる前記第1駆動回路の数は、前記第3機能ユニットに含まれる前記第2駆動回路の数に等しく、前記第2機能ユニットに含まれる前記第1駆動回路の数は、前記第4機能ユニットに含まれる前記第2駆動回路の数に等しいことを特徴とする
請求項7に記載のクロック回路。 - 前記第1機能ユニットと前記第3機能ユニットは、クロックツリーであり、前記第2機能ユニットと前記第4機能ユニットは、信号ドライバであり、前記第1信号と前記第3信号は、データ伝送用クロック信号であり、前記第2信号と前記第4信号は、データ読み出し用クロック信号であることを特徴とする
請求項8に記載のクロック回路。 - 前記第1駆動回路は、インバータを含むことを特徴とする
請求項1に記載のクロック回路。 - 前記第1導線と前記第2導線は、少なくとも1つの導電プラグを介して電気的に接続されることを特徴とする
請求項1に記載のクロック回路。 - 請求項1~11のいずれか1項に記載のクロック回路を備える、メモリ。
- 半導体構造の製造方法であって、
所定の遅延時間長に基づいて、第2駆動回路の数を計算し、前記第2駆動回路の数を決定した後、所定の導電通路の長さに基づいて、隣接する前記第2駆動回路の間の接続長さを計算することであって、隣接する前記第2駆動回路は、第3導線を介して接続されることと、
少なくとも2つの第1駆動回路を設け、隣接する前記第1駆動回路の間に位置する分立する複数段の第1導線を設けることであって、前記第1駆動回路の数は、前記第2駆動回路の数と同じであり、前記第1導線は、第1金属層に位置し、前記第3導線の位置する金属層は、前記第1金属層の上方に位置することと、
前記接続長さ、前記第3導線の単位長さ抵抗、第1導線の単位長さ抵抗及び各段の前記第1導線の長さに基づいて、隣接する前記第1駆動回路の間に直列接続される前記第1導線の段数を計算し、初期段数と記し、隣接する前記第1駆動回路の間の理想抵抗値を隣接する前記第2駆動回路の間の理想抵抗値に等しくすることと、
第2導線を設け、前記初期段数の前記第1導線を隣接する前記第1駆動回路の間に直列接続し、前記第2導線を前記第1駆動回路に接続し、各段の前記第1導線を2段の前記第2導線の間に直列接続することであって、前記第2導線は、第2金属層に位置し、前記第2金属層は、前記第1金属層の上方に位置することと、を含む、半導体構造の製造方法。 - 前記第2導線を設けた後、
隣接する前記第1駆動回路の間の第1抵抗と隣接する前記第2駆動回路の間の第2抵抗に対してシミュレーションを行い、前記第1抵抗の実際の抵抗値と前記第2抵抗の実際の抵抗値を取得することと、
前記第1抵抗の実際の抵抗値が前記第2抵抗の実際の抵抗値に等しくない場合、前記第1抵抗の実際の抵抗値と前記第2抵抗の実際の抵抗値の差分値に基づいて、隣接する前記第1駆動回路の間に直列接続される前記第2導線のレイアウトを調整し、隣接する前記第1駆動回路の間に直列接続される前記第1導線の段数を調整し、調整後の前記第1抵抗の理想抵抗値が前記第2抵抗の実際の抵抗値に等しいこととを更に含むことを特徴とする
請求項13に記載の半導体構造の製造方法。 - 隣接する前記第1駆動回路の間に直列接続される前記第2導線のレイアウトを調整することは、前記第2導線の位置と導電プラグの位置を調整し、前記第2導線を、前記導電プラグを介してもう1つの前記第1導線に接続することを特徴とする
請求項14に記載の半導体構造の製造方法。
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