JP7445957B2 - 音波デバイス及びその製造方法 - Google Patents

音波デバイス及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7445957B2
JP7445957B2 JP2019569965A JP2019569965A JP7445957B2 JP 7445957 B2 JP7445957 B2 JP 7445957B2 JP 2019569965 A JP2019569965 A JP 2019569965A JP 2019569965 A JP2019569965 A JP 2019569965A JP 7445957 B2 JP7445957 B2 JP 7445957B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrode layer
base substrate
sub
protective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019569965A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021503725A (ja
Inventor
リー－チン リン
ペイ－チュン リアオ
Original Assignee
ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド filed Critical ウーハン イエンシー マイクロ コンポーネンツ カンパニーリミテッド
Publication of JP2021503725A publication Critical patent/JP2021503725A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7445957B2 publication Critical patent/JP7445957B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1042—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a housing formed by a cavity in a resin
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/105—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173—Air-gaps
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/021—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the air-gap type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、２０１８年１０月３１日に提出した中国特許出願第２０１８１１２９１５５５．０号の優先権を主張し、ここで、該中国特許出願の全内容が本願の一部として援用される。
本願は半導体分野における音波デバイスに関し、特に音波デバイス及びその製造方法に関する。
近年、携帯電話等の通信装置が広く使用され、そして音波を用いた音波デバイスが通信装置及びデュプレクサ等のフィルタとして使用される場合もある。音波デバイスの例として、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いたデバイス、バルク音波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いたデバイス等がある。圧電薄膜共振器はＢＡＷを用いたデバイスであって、膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）及びソリッドマウント共振器（ＳＭＲ：Ｓｏｌｉｄｌｙ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等を含む。膜バルク音響共振器はバルク音波フィルタを構成するコアデバイスであり、その性能の優劣はバルク音波フィルタの性能の優劣を決定する。
しかしながら、音波デバイスの製造過程において、バンプ（Ｂｕｍｐ）の製造、ベース基板の薄化及び音波デバイスの切断等のプロセスが音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造に影響し、更に共振領域に影響し、音波デバイスの性能も低下してしまう。
上記技術的問題を解決するために、本願の実施例は音波デバイス及びその製造方法を提供することを期待する。
本願の実施例は音波デバイスを提供し、前記デバイスはベース基板、並びに前記ベース基板に順に設置される第１電極層、圧電層及び第２電極層を備え、前記デバイスは更に保護層を備え、
前記保護層が少なくとも前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の第１位置に設置され、
前記第１位置が前記第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、前記第１重畳領域が前記第１電極層、前記第２電極層及び前記圧電層の重畳領域における前記音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
本願の好適な実施例では、前記デバイスは、更に、前記第１電極層における前記ベース基板から離れる面の上及び前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上に設置される導電層を備え、
前記保護層が前記導電層を覆わない位置に設置される。
本願の好適な実施例では、前記第２電極層における前記第１重畳領域に対応する部分と前記保護層との間の領域が中空である。
本願の好適な実施例では、前記保護層は第１サブ保護層と第２サブ保護層を含み、
前記第１サブ保護層が前記音波デバイスにおける前記ベース基板から離れる側の最外層の階層の面の上の、前記導電層を覆わない位置に設置され、
前記第２サブ保護層が前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の前記第１位置に設置され、
前記第２サブ保護層が更に前記第１サブ保護層における前記ベース基板から離れる面の上に設置され、
前記第１サブ保護層と前記第２サブ保護層とが一体に接続される。
本願の好適な実施例では、前記第２サブ保護層と前記第２電極層との間の領域が中空である。
本願の好適な実施例では、前記第１サブ保護層の所在する位置と前記第１重畳領域の所在する位置との間は、所定距離を有する。
本願の好適な実施例では、前記デバイスは、更に、前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールと、前記第２サブ保護層を貫通する第２スルーホールと、を備え、前記第２スルーホールが前記第１スルーホールと連通している。
本願の好適な実施例では、前記所定距離が０．００１ｕｍより大きい。
本願の好適な実施例では、前記第１サブ保護層の厚さ範囲が０．００１ｕｍ～２００ｕｍであり、
前記第２サブ保護層の厚さ範囲が１ｕｍ～２００ｕｍである。
本願の実施例は更に音波デバイスの製造方法を提供し、前記方法は、
ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することと、
保護層を形成し、前記保護層が少なくとも前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の第１位置に形成されることと、を含み、
前記第１位置が前記第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、前記第１重畳領域が前記第１電極層、前記第２電極層及び前記圧電層の重畳領域における前記音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
本願の好適な実施例では、前記方法は、更に、
前記第１電極層における前記ベース基板から離れる面の上、及び前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上に導電層を形成することと、
前記保護層が前記導電層を覆わない位置に形成されることと、を含む。
本願の好適な実施例では、前記保護層は第１サブ保護層と第２サブ保護層を含み、保護層を形成することは、
前記音波デバイスにおける前記ベース基板から離れる側の最外層の階層の面の上の、前記導電層を覆わない位置に、前記第１サブ保護層を形成することと、
前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の前記第１位置及び前記第１サブ保護層における前記ベース基板から離れる面の上に、前記第２サブ保護層を形成することと、を含み、
前記第１サブ保護層と前記第２サブ保護層とが一体に接続される。
本願の好適な実施例では、ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することは、
ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することを含む。
本願の好適な実施例では、ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成した後、更に、
前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成することを含み、
それに対応して、前記第２サブ保護層を形成した後、更に、
前記第２サブ保護層を貫通する、前記第１スルーホールと連通している第２スルーホールを形成することと、
前記第２スルーホール及び前記第１スルーホールによって前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去することと、を含む。
本願の好適な実施例では、ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成した後、更に、
前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成することを含み、
それに対応して、前記第２サブ保護層を形成する前に、更に、
前記第１スルーホールによって前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去することを含む。
本願の好適な実施例では、前記第１スルーホールによって前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去した後、更に、
前記音波デバイスの第１周波数を測定することと、
所定周波数に基づいて前記第１周波数を第２周波数に調整することと、を含み、前記第２周波数が前記所定周波数にマッチングする。
本願の実施例に係る音波デバイス及びその製造方法において、該音波デバイスはベース基板、並びに順にベース基板に設置される第１電極層、圧電層及び第２電極層を備え、該音波デバイスは更に少なくとも第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に設置される保護層を備え、第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域であり、このように、音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に設置される保護層は音波デバイスの共振領域に形成される「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成される「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
図１は本願の実施例に係る音波デバイスの構造模式図である。 図２は本願の実施例に係る他の音波デバイスの構造模式図である。 図３は本願の実施例に係る音波デバイスの製造方法のフローチャートである。 図４は本願の実施例に係る他の音波デバイスの製造方法のフローチャートである。 図５は本願の実施例に係る別の音波デバイスの製造方法のフローチャートである。 図６は本願の実施例に係る音波デバイスの製造過程における構造模式図である。 図７は本願の実施例に係る他の音波デバイスの製造過程における構造模式図である。 図８は本願の実施例に係る別の音波デバイスの製造過程における構造模式図である。 図９は本願の他の実施例に係る音波デバイスの製造方法のフローチャートである。 図１０は本願の他の実施例に係る音波デバイスの製造過程における構造模式図である。 図１１は本願の他の実施例に係る他の音波デバイスの製造過程における構造模式図である。 図１２は本願の実施例に係る別の音波デバイスの構造模式図である。
以下、本願の実施例の図面を参照しながら、本願の実施例の技術案を明確且つ完全に説明する。
本願の実施例は音波デバイスを提供し、該音波デバイスはベース基板１、並びに順にベース基板１に設置される第１電極層２、圧電層３及び第２電極層４を備え、該音波デバイスは更に保護層５を備え、
保護層５が少なくとも第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上の第１位置に設置される。
第１位置が第２電極層４上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層２、第２電極層４及び圧電層３の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
説明すべきことは、本実施例における保護される音波デバイスの構造において、保護層５が少なくとも第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上の第１位置に対応する部分に設置されることを例示するが、保護層５が該部分に設置しかできないことを制限しない。なお、本実施例において、保護層５が音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造における第２電極層４に接触しない。
第１重畳領域は音波デバイスにおけるベース基板１に接近する方向に沿って順に第２電極層４、圧電層３及び第１電極層２を有する領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域を指してもよく、本願の実施例において、ベース基板１に接近する前記方向は、具体的に、ベース基板１から遠く離れる位置からベース基板１に接近する位置までの方向を指し、例えば図１における上から下までの方向（図１ではベース基板１が最下方に位置する）に対応すると理解される。
具体的な実施例では、前記ベース基板１の上表面と前記第１電極層２の下表面との間に中空領域がある。前記第２電極層４、圧電層３及び第１電極層２との間の重畳した中空領域に位置する重畳部分は音波デバイスの「エアブリッジ」構造を構成することができ、該「エアブリッジ」構造の位置する領域が前記音波デバイスのアクティブエリアであり、本願の実施例において、保護層を設置する目的は主に音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することであり、従って、前記保護層が少なくともアクティブエリアの上方に設置されると理解される。
本願の他の実施例では、該音波デバイスは、更に、第１電極層２におけるベース基板１から離れる面の上及び第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上に設置される導電層６を備えてもよく、
保護層５が前記導電層６を覆わない位置に設置される。
説明すべきことは、後続に導電層によって音波デバイスの周波数の測定及び校正を行うために、本願の実施例における保護層が導電層を覆うことがない。
本願の他の実施例では、第２電極層４における第１重畳領域に対応する部分と保護層５との間の領域が中空である。
つまり、本願の実施例において、保護層が音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造における第２電極層に直接接触せず、このように、保護層の音波デバイスの周波数への影響を避けることができる。
本願の実施例に係る音波デバイスにおいて、該音波デバイスはベース基板、並びに順にベース基板に設置される第１電極層、圧電層及び第２電極層を備え、該音波デバイスは更に少なくとも第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に設置される保護層を備え、第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域であり、このように、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に設置される保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
上記実施例に基づき、本願の実施例は音波デバイスを提供し、図１に示すように、該音波デバイスはベース基板１、順にベース基板１に設置される第１電極層２、圧電層３及び第２電極層４、並びに第１電極層２におけるベース基板１から離れる面の上及び第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上に設置される導電層６を備え、該音波デバイスは更に保護層５を備え、
保護層５は第１サブ保護層５１及び第２サブ保護層５２を含み、
第１サブ保護層５１が音波デバイスにおけるベース基板１から離れる側の最外層の階層の面の上の、導電層６を覆わない位置に設置される。
第２サブ保護層５２が第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上の第１位置に設置される。
第１位置が第２電極層４上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層２、第２電極層４及び圧電層３の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
ここで、前記音波デバイスにおけるベース基板１から離れる側の最外層の階層は前記保護層５を設置する際のデバイス構造の最外層を指し、例えば、具体的なプロセスを実行する際に、第１サブ保護層５１がデバイス構造における露出している上層の表面に設置される。前記保護層５が少なくとも前記第１位置に設置される（具体的な実施例では、前記第１位置と前記第２電極層４との間の領域が中空である）が、前記保護層５が更に音波デバイスにおける他の構造と一体に接続され、例えばデバイス構造における最外層と一体に接続されるべきであり、同時に更に前記導電層６の外表面（図中の上表面）を覆わない条件を満たすべきであると理解される。
本願の他の実施例では、第１サブ保護層５１が第１重畳エリア及び周辺における導電層６に接触しない位置に設置されてもよく、図１では第１サブ保護層５１が第２電極層４におけるベース基板１から離れる面の上の第２位置、及び圧電層３におけるベース基板１から離れる面の上の導電層６を覆わない位置に設置される場合を例とし、第２位置が第２電極層４上の第２重畳領域に対応するが導電層６を覆わない位置であり、第２重畳領域が第２電極層４と圧電層３との重畳領域を含む。
説明すべきことは、本実施例における第１位置、第２位置、第１重畳領域及び第２重畳領域は上記実施例と同様であり、従って、第１位置、第２位置、第１重畳領域及び第２重畳領域の説明は上記実施例における説明を参照してもよく、ここで詳細な説明は省略する。
第２サブ保護層５２が更に第１サブ保護層５１におけるベース基板１から離れる面に設置される。
第１サブ保護層５１と第２サブ保護層５２とが一体に接続される。
本願の他の実施例では、第２サブ保護層５２と第２電極層４との間の領域が中空である。
説明すべきことは、本実施例において、図１に示すように、第１サブ保護層及び第２サブ保護層は図１に示される第２サブ保護層が第１サブ保護層を跨って設置される構造を形成することができ、同時に、第１サブ保護層、第２サブ保護層及び第１サブ保護層に接触する層の部分の間に図１に示される中空構造を形成することができる。且つ、第２サブ保護層と第２電極層との間の領域が中空であり、第２サブ保護層が音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造における第２電極層に接触しないように確保することができ、更に第２サブ保護層の音波デバイスの周波数への影響を避け、最終的に生成された音波デバイスの周波数が正確ではない状況の発生を避ける。
第１サブ保護層の材料が第２サブ保護層の材料と同じであってもよいし、異なってもよく、且つ、第１サブ保護層の材料は金属、セラミック、有機物等の材料を含んでもよく、第２サブ保護層の材料は金属、セラミック、有機物等の材料を含んでもよく、当然ながら、可能な実現方式では、第１サブ保護層及び第２サブ保護層の材料が感光性ドライフィルムフォトレジストであってもよい。
第１サブ保護層の厚さ範囲が０．００１ｕｍ～２００ｕｍである。
第２サブ保護層の厚さ範囲が１ｕｍ～２００ｕｍである。
ここで、第１サブ保護層の厚さ、第２サブ保護層の厚さはそれぞれデバイス構造の表面に第１サブ保護層、第２サブ保護層を形成する高さを指してもよい。
説明すべきことは、第１サブ保護層の厚さ範囲を０．００１ｕｍ～２００ｕｍ、第２サブ保護層の厚さ範囲を１ｕｍ～２００ｕｍに設定し、保護層の厚さが形成された「エアブリッジ」構造を保護することができるだけでなく、最終的に形成された音波デバイスの厚さが大きすぎることを避けることもでき、更に最終的に形成された音波デバイスの体積が大きすぎるという問題を避ける。
本願の他の実施例では、第１サブ保護層５１の所在する位置と第１重畳領域の所在する位置との間は、所定距離を有する。
ここで、前記所定距離が前記音波デバイスの水平方向、すなわち前記ベース基板に平行する方向に沿う距離である。
所定距離が０．００１ｕｍより大きくてもよい。
説明すべきことは、第１サブ保護層の所在する位置と第１重畳領域の所在する位置との間の間隔が０．００１ｕｍより大きく、該音波デバイスの周波数への影響を避けることができる。
本願の他の実施例では、図２に示すように、該音波デバイスは更に前記第２電極層４、前記圧電層３及び前記第１電極層２を貫通する第１スルーホール７と、前記第２サブ保護層５２を貫通する第２スルーホール８とを備え、前記第２スルーホール８が前記第１スルーホール７と連通している。
図示のように、前記第１スルーホール７がベース基板１、圧電層３、第１電極層２及び第２電極層４と連通している。前記第１スルーホール７が前記第２電極層４に形成される。前記第２スルーホール８が第２サブ保護層５２に設置される。
本願の他の実施例では、第２スルーホールの特徴サイズの範囲が０．０１ｕｍ～１００ｕｍであってもよい。
第２スルーホールが第１スルーホールと連通した後、該第１スルーホール及び第２スルーホールによって第１電極層とベース基板との間の犠牲層を除去することができる理由は、犠牲層が第１電極層に接触するので、犠牲層を除去した後、第１電極層とベース基板との間が中空になるためであり、更に、犠牲層の該音波デバイスの周波数への影響を避けることができる。
説明すべきことは、本願の実施例における音波デバイスの保護層は該音波デバイスの「エアブリッジ」構造を保護・安定化する役割を果たし、従って、該音波デバイスに対してバンプ（Ｂｕｍｐ）の製造、ベース基板の薄化及び音波デバイスの切断等のプロセスを行う際に、該「エアブリッジ」構造の厚さが数マイクロメートルであってもよく、保護層があるため、該「エアブリッジ」構造を更に安定化することもでき、更に該「エアブリッジ」構造に影響せず、音波デバイスの性能の低下を避ける。
本願の実施例に係る音波デバイスにおいて、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に設置される保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成される「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
上記実施例に基づき、本願の実施例は音波デバイスの製造方法を提供し、図３に示すように、該方法は以下のステップを含む。
ステップ１０１、ベース基板を形成して、順にベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成する。
本実施例において、ベース基板、並びにベース基板における第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成するプロセスを具体的に制限せず、関連技術において導電層の機能を実現できる材料及びプロセスはいずれも利用可能である。
ステップ１０２、保護層を形成し、前記保護層が少なくとも第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に形成される。
第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
説明すべきことは、保護層を形成する際に塗布又は展着プロセスを用いて実現してもよく、保護層の材料がドライフィルムフォトレジストの材料である場合、展着プロセスを用いてドライフィルムフォトレジストの材料を第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に展着して、更に保護層を形成することができる。
本願の実施例に係る音波デバイスの製造方法において、該音波デバイスを製造する際に、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に保護層を形成し、該保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
上記実施例に基づき、本願の実施例は音波デバイスの製造方法を提供し、図４に示すように、該方法は以下のステップを含む。
ステップ２０１、ベース基板を形成して、順にベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成する。
ステップ２０２、第１電極層におけるベース基板から離れる面の上、及び第２電極層におけるベース基板から離れる面の上に導電層を形成する。
本実施例において、導電層の形成プロセス及び導電層の形成材料を具体的に制限せず、関連技術において導電層の機能を実現できる材料及びプロセスがいずれも利用可能である。
ステップ２０３、音波デバイスにおけるベース基板から離れる側の最外層の階層の面の上の、導電層を覆わない位置に、第１サブ保護層を形成する。
ステップ２０４、第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に第２サブ保護層を形成する。
第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域における前記音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。説明すべきことは、本実施例における他の実施例と同じ又は対応するステップ及び概念の説明は他の実施例における説明を参照してもよく、ここで詳細な説明は省略する。
本願の実施例に係る音波デバイスの製造方法において、該音波デバイスを製造する際に、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に保護層を形成し、該保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
上記実施例に基づき、本願の実施例は音波デバイスの製造方法を提供し、図５に示すように、該方法は以下のステップを含む。
ステップ３０１、ベース基板を形成して、順にベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成する。
ステップ３０２、第１電極層におけるベース基板から離れる面の上、及び第２電極層におけるベース基板から離れる面の上に導電層を形成する。
ステップ３０３、第２電極層、圧電層及び第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成する。
第１スルーホールがエッチングプロセスを用いて形成したものであってもよく、無論、本実施例では第１スルーホールの形成プロセスを具体的に制限せず、関連技術における実現できるプロセスがいずれも利用可能である。
ステップ３０４、音波デバイスにおけるベース基板から離れる側の最外層の階層の面の上の、導電層を覆わない位置に、第１サブ保護層を形成する。
第１サブ保護層が第１重畳エリア及び周辺における導電層に接触しない位置に設置されてもよく、可能な実現方式では、第１サブ保護層を第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第２位置、及び圧電層におけるベース基板から離れる面の上の導電層を覆わない位置に設置してもよく、第２位置が第２電極層上の第２重畳領域に対応するが導電層を覆わない位置であり、第２重畳領域が第２電極層と圧電層との重畳領域を含む。
第１サブ保護層が金属、セラミック、有機物等の材料を第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第２位置、及び圧電層におけるベース基板から離れる面の上に塗布又は展着して得たものであってもよく、可能な実現方式では、第１サブ保護層の材料がドライフィルムフォトレジストの材料である場合、展着プロセスを用いて第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第２位置に０．００１ｕｍ～２００ｕｍ厚さの一層のドライフィルムフォトレジストの材料を展着し、その後、他の位置に展着したドライフィルムフォトレジスト材料をエッチングすることにより、第１サブ保護層を形成してもよい。第１サブ保護層を形成した後、図６に示される構造を得ることができ、この時、該構造における犠牲層９が依然として存在する。
ステップ３０５、第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置及び第１サブ保護層におけるベース基板から離れる面の上に、第２サブ保護層を形成する。
第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
第１サブ保護層と第２サブ保護層とが一体に接続される。
第２サブ保護層が金属、セラミック、有機物等の材料を第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置、及び第１サブ保護層におけるベース基板から離れる面の上に展着して得たものであってもよく、可能な実現方式では、第２サブ保護層の材料がドライフィルムフォトレジストの材料である場合、展着プロセスを用いて第１サブ保護層におけるベース基板から離れる面の上に一層のドライフィルムフォトレジストの材料を展着し、その後、感光及び現像プロセスによって必要な位置以外の他の位置のドライフィルムフォトレジスト材料を除去することにより、第２サブ保護層を形成して、図７に示される構造を得ることができ、この時、該構造における犠牲層９が依然として存在する。
ステップ３０６、第２サブ保護層を貫通する、しかも第１スルーホールと連通している第２スルーホールを形成する。つまり、第２サブ保護層に第１スルーホールと連通している第２スルーホールを形成する。
フォトリソグラフィプロセスによって第２サブ保護層に第１スルーホールと連通している１つの穴を開け、更に第２スルーホールを形成して、図８に示される構造を得ることができる。
ステップ３０７、第２スルーホール及び第１スルーホールによって第１電極層とベース基板との間の犠牲層を除去する。
ここで、エッチングプロセスを用いて第１スルーホール及び第２スルーホールによって第１電極層とベース基板との間の犠牲層をエッチングする。
説明すべきことは、ウェットエッチング又はガスエッチング方式で第１スルーホール及び第２スルーホールによって犠牲層をエッチングして、図２に示される構造を得ることができる。
なお、本願の実施例において、第１サブ保護層及び第２サブ保護層はドライフィルムフォトレジストの材料を用いた後、更に形成された保護層の耐久性を確保することができる。
本願の実施例に係る音波デバイスの製造方法において、該音波デバイスを製造する際に、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に保護層を形成し、該保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
上記実施例に基づき、本願の実施例は音波デバイスの製造方法を提供し、図９に示すように、該方法は以下のステップを含む。
ステップ４０１、ベース基板を形成して、順にベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成する。
ステップ４０２、第１電極層におけるベース基板から離れる面の上、及び第２電極層におけるベース基板から離れる面の上に導電層を形成する。
ステップ４０３、第２電極層、圧電層及び第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成する。
ここで、第２電極層に、ベース基板、圧電層、第１電極層及び第２電極層を連通する第１スルーホールを形成する。
ステップ４０４、音波デバイスにおけるベース基板から離れる側の最外層の階層の面の上の、導電層を覆わない位置に、第１サブ保護層を形成する。
第１サブ保護層を形成した後、図６に示される構造を得ることができ、該構造における犠牲層９が見える。
ステップ４０５、第１スルーホールによって第１電極層とベース基板との間の犠牲層を除去する。
エッチングプロセスを用いて第１スルーホールによって第１電極層とベース基板との間の犠牲層をエッチングする。
説明すべきことは、本願の実施例において、第１スルーホールによって犠牲層をエッチングして、図１０に示される構造を得ることができ、この時、該構造における犠牲層が既にエッチングされた。
ステップ４０６、音波デバイスの第１周波数を測定する。
ステップ４０７、所定周波数に基づいて第１周波数を第２周波数に調整する。
第２周波数が所定周波数にマッチングする。
説明すべきことは、本実施例において、まず形成された犠牲層をエッチングしてもよく、この時、第１電極層及び第２電極層が他の追加層に干渉されず、従って、図１１に示すように、犠牲層をエッチングした後に図１１における矢印で示すイオンビーム又はレーザーによって音波デバイスの周波数の測定及び調整を行ってもよく、更に、最終的に形成された音波デバイスの周波数の精度を確保し、製品の合格率を向上させる。
且つ、音波デバイスがいくつかの層の薄膜を積み重ねてなるものであるため、各層の小さな厚さの違いが音波デバイスの周波数を１～３ＭＨｚずらすが、音波デバイスの各層が製造時に厚さの精度を確保しにくく、従って、音波デバイスの製造を完了した後、ウエハーにおける各領域のデバイスの周波数分布を測定し、次にウエハーにおける周波数の結果を検出装置に入力して、検出装置の測定データに基づいてウエハー表面のデバイスの周波数調整を行う必要がある。
ステップ４０８、第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置及び第１サブ保護層におけるベース基板から離れる面の上に、第２サブ保護層を形成する。
第１位置が第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、第１重畳領域が第１電極層、第２電極層及び圧電層の重畳領域における音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域である。
第１サブ保護層と第２サブ保護層とが一体に接続され、それにより図１２に示される構造を形成する。
本願の実施例に係る音波デバイスの製造方法において、該音波デバイスを製造する際に、該音波デバイスの第２電極層におけるベース基板から離れる面の上の第１位置に保護層を形成し、該保護層は音波デバイスの共振領域に形成された「エアブリッジ」構造を遮蔽・保護することができ、それにより音波デバイスの製造過程における製造プロセスが音波デバイスに形成された「エアブリッジ」構造に影響するという問題を解決し、音波デバイスの共振領域への影響を避け、更に音波デバイスの性能を向上させる。
以上の説明は本願の好適な実施例であって、本願の保護範囲を制限するためのものではない。
１ ベース基板
２ 第１電極層
３ 圧電層
４ 第２電極層
５ 保護層
５１ 第１サブ保護層
５２ 第２サブ保護層
６ 導電層
７ 第１スルーホール
８ 第２スルーホール
９ 犠牲層

Claims (12)

  1. 音波デバイスであって、
    ベース基板、並びに前記ベース基板に順に設置される第１電極層、圧電層及び第２電極層を備え、更に保護層を備え、
    前記保護層が、少なくとも前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の第１位置に設置され、
    前記第１位置が前記第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、前記第１重畳領域が、前記第１電極層、前記第２電極層及び前記圧電層の重畳領域における前記音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域であり、
    前記音波デバイスは、更に前記第１電極層における前記ベース基板から離れる面の上及び前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上に設置される導電層を備え、前記保護層が、前記導電層と重畳しないように前記導電層を覆わない位置に設置され、
    前記保護層は第１サブ保護層と第２サブ保護層を含み、
    前記第１サブ保護層が、前記音波デバイスにおける前記ベース基板から離れる側の最外層の、前記第２電極層の前記ベース基板から離れる面の上の第２位置、及び前記圧電層における前記ベース基板から離れる面に設置され、前記第２位置が前記第２電極層上の第２重畳領域に対応し、且つ前記導電層を覆わない位置であり、前記第２重畳領域が前記第２電極層と前記圧電層との重畳領域を含み、前記第１サブ保護層が前記導電層と重畳することがなく、
    前記第２サブ保護層が、前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の前記第１位置に設置され、前記第２サブ保護層が更に前記第１サブ保護層における前記ベース基板から離れる面の上に設置され、前記第１サブ保護層と前記第２サブ保護層とが一体に接続される、
    音波デバイス。
  2. 前記第２電極層における前記第１重畳領域に対応する部分と前記保護層との間の領域が中空である
    請求項１に記載の音波デバイス。
  3. 前記第２サブ保護層と前記第２電極層との間の領域が中空である
    請求項１に記載の音波デバイス。
  4. 前記第１サブ保護層の所在する位置と前記第１重畳領域の所在する位置との間は、所定距離を有する
    請求項１に記載の音波デバイス。
  5. 前記音波デバイスは更に、前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールと、前記第２サブ保護層を貫通する第２スルーホールとを備え、前記第２スルーホールが前記第１スルーホールと連通している
    請求項１に記載の音波デバイス。
  6. 前記所定距離が０．００１ｕｍより大きい、
    請求項４に記載の音波デバイス。
  7. 前記第１サブ保護層の厚さ範囲が０．００１ｕｍ～２００ｕｍであり、
    前記第２サブ保護層の厚さ範囲が１ｕｍ～２００ｕｍである
    請求項１に記載の音波デバイス。
  8. 音波デバイスの製造方法であって、
    ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することと、
    保護層を形成し、前記保護層が少なくとも前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の第１位置に形成されることと、を含み、
    前記第１位置が前記第２電極層上の第１重畳領域に対応する位置であり、前記第１重畳領域が、前記第１電極層、前記第２電極層及び前記圧電層の重畳領域における前記音波デバイスのアクティブエリアの所在する領域であり、
    前記製造方法は、更に、
    前記第１電極層における前記ベース基板から離れる面の上、及び前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上に導電層を形成することと、
    前記保護層が、前記導電層と重畳しないように前記導電層を覆わない位置に形成されることと、を含み、
    前記保護層は第１サブ保護層と第２サブ保護層を含み、保護層を形成することは、
    前記音波デバイスにおける前記ベース基板から離れる側の最外層の、前記第２電極層の前記ベース基板から離れる面の上の第２位置、及び前記圧電層における前記ベース基板から離れる面に、且つ前記導電層を覆わない位置に、前記第１サブ保護層を形成することであって、前記第１サブ保護層が前記導電層と重畳することがなく、前記第２位置が前記第２電極層上の第２重畳領域に対応し、且つ前記導電層を覆わない位置であり、前記第２重畳領域が前記第２電極層と前記圧電層との重畳領域を含むことと、
    前記第２電極層における前記ベース基板から離れる面の上の前記第１位置及び前記第１サブ保護層における前記ベース基板から離れる面の上に、前記第２サブ保護層を形成することと、を含み、
    前記第１サブ保護層と前記第２サブ保護層とが一体に接続される
    音波デバイスの製造方法。
  9. ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することは、
    ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成することを含む
    請求項８に記載の製造方法。
  10. ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成した後、更に、
    前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成することを含み、
    それに対応して、前記第２サブ保護層を形成した後、更に、
    前記第２サブ保護層を貫通する、前記第１スルーホールと連通している第２スルーホールを形成することと、
    前記第２スルーホール及び前記第１スルーホールによって、前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去することと、を含む
    請求項９に記載の製造方法。
  11. ベース基板を形成して、順に前記ベース基板に犠牲層、第１電極層、圧電層及び第２電極層を形成した後、更に、
    前記第２電極層、前記圧電層及び前記第１電極層を貫通する第１スルーホールを形成することを含み、
    それに対応して、前記第２サブ保護層を形成する前に、更に、
    前記第１スルーホールによって前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去することを含む
    請求項９に記載の製造方法。
  12. 前記第１スルーホールによって前記第１電極層と前記ベース基板との間の前記犠牲層を除去した後、更に、
    前記音波デバイスの第１周波数を測定することと、
    所定周波数に基づいて前記第１周波数を第２周波数に調整することと、を含み、前記第２周波数が前記所定周波数にマッチングする
    請求項１１に記載の製造方法。
JP2019569965A 2018-10-31 2019-06-27 音波デバイス及びその製造方法 Active JP7445957B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811291555.0 2018-10-31
CN201811291555.0A CN109474254B (zh) 2018-10-31 2018-10-31 一种声波器件及其制作方法
PCT/CN2019/093405 WO2020087957A1 (zh) 2018-10-31 2019-06-27 一种声波器件及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021503725A JP2021503725A (ja) 2021-02-12
JP7445957B2 true JP7445957B2 (ja) 2024-03-08

Family

ID=65666700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019569965A Active JP7445957B2 (ja) 2018-10-31 2019-06-27 音波デバイス及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11362633B2 (ja)
EP (1) EP3675357B1 (ja)
JP (1) JP7445957B2 (ja)
KR (1) KR102299759B1 (ja)
CN (1) CN109474254B (ja)
WO (1) WO2020087957A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109474254B (zh) 2018-10-31 2020-12-08 武汉衍熙微器件有限公司 一种声波器件及其制作方法
CN110350079A (zh) * 2019-07-15 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 一种压电元件及其制备方法和超声传感器
CN112117987B (zh) * 2019-12-31 2023-12-12 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 谐振器及其形成方法
CN111030629B (zh) * 2019-12-31 2024-04-05 武汉衍熙微器件有限公司 声波器件的制作方法及声波器件
CN111030627A (zh) * 2019-12-31 2020-04-17 武汉衍熙微器件有限公司 声波器件的制作方法及声波器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005198233A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Samsung Electro Mech Co Ltd Ｆｂａｒ素子及びその製造方法
JP2006101005A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、高周波回路実装体及び薄膜圧電共振器の製造方法
JP2006326806A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Toshiba Corp Ｍｅｍｓ技術を使用した半導体装置
WO2012127979A1 (ja) 2011-03-22 2012-09-27 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP2015502074A (ja) 2011-11-11 2015-01-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アモルファス・シリコン・ビームを伴う一体型半導体デバイスの製造方法、構造、および設計構造

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6456173B1 (en) 2001-02-15 2002-09-24 Nokia Mobile Phones Ltd. Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters
JP2004017171A (ja) * 2002-06-12 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 電子部品およびその製造方法
ATE452184T1 (de) 2002-09-24 2010-01-15 Novozymes Inc Mikrobielle trypsinvarianten mit chymotrypsinaktivität und diese codierende nukleinsäuren
KR100512988B1 (ko) * 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서 제조방법
JP4128836B2 (ja) * 2002-09-27 2008-07-30 Ｔｄｋ株式会社 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ
KR100558439B1 (ko) 2003-09-15 2006-03-10 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 패키지의 ｆｂａｒ 소자 및 그 제조 방법
JP2006211296A (ja) 2005-01-28 2006-08-10 Sony Corp マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン
JP2007036829A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び薄膜圧電共振器の製造方法
KR100714566B1 (ko) 2005-08-24 2007-05-07 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 소자의 제조 방법
JP2007074647A (ja) 2005-09-09 2007-03-22 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器及びその製造方法
JP2008011141A (ja) 2006-06-29 2008-01-17 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器
JP2009038518A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 薄膜圧電共振器の製造方法及び薄膜圧電共振器
JP5220503B2 (ja) * 2008-07-23 2013-06-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP5202287B2 (ja) * 2008-12-25 2013-06-05 京セラ株式会社 圧電共振器
JP4851549B2 (ja) * 2009-02-10 2012-01-11 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
CN102652394B (zh) 2010-01-12 2015-05-13 京瓷株式会社 弹性波装置
JP5553700B2 (ja) * 2010-07-15 2014-07-16 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法
DE102010056562B4 (de) * 2010-12-30 2018-10-11 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung des elektroakustischen Bauelements
JP2016039516A (ja) 2014-08-08 2016-03-22 日本電波工業株式会社 圧電デバイス
CN107181469B (zh) * 2016-03-10 2020-11-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法
US10931257B2 (en) * 2018-06-28 2021-02-23 Qorvo Us, Inc. WLP BAW device with through-WLP vias
CN109474254B (zh) 2018-10-31 2020-12-08 武汉衍熙微器件有限公司 一种声波器件及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005198233A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Samsung Electro Mech Co Ltd Ｆｂａｒ素子及びその製造方法
JP2006101005A (ja) 2004-09-28 2006-04-13 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、高周波回路実装体及び薄膜圧電共振器の製造方法
JP2006326806A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Toshiba Corp Ｍｅｍｓ技術を使用した半導体装置
WO2012127979A1 (ja) 2011-03-22 2012-09-27 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法及び電子部品モジュール
JP2015502074A (ja) 2011-11-11 2015-01-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アモルファス・シリコン・ビームを伴う一体型半導体デバイスの製造方法、構造、および設計構造

Also Published As

Publication number Publication date
US20210359658A1 (en) 2021-11-18
CN109474254B (zh) 2020-12-08
KR20200051527A (ko) 2020-05-13
EP3675357A4 (en) 2020-12-23
WO2020087957A1 (zh) 2020-05-07
US11362633B2 (en) 2022-06-14
KR102299759B1 (ko) 2021-09-07
JP2021503725A (ja) 2021-02-12
EP3675357A1 (en) 2020-07-01
CN109474254A (zh) 2019-03-15
EP3675357B1 (en) 2022-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7445957B2 (ja) 音波デバイス及びその製造方法
US10075147B2 (en) Acoustic resonator and method of manufacturing the same
KR101973423B1 (ko) 음향 공진기 및 그 제조 방법
CN107404304B (zh) 声波谐振器及其制造方法
KR20160086552A (ko) 음향 공진기 및 그 제조 방법
JP6200001B2 (ja) マイクロアコースティック部品および製造方法
US20220289558A1 (en) Transducer component, manufacturing method thereof, and transducer
KR20130044905A (ko) 박막 벌크 음향 공진기 및 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법
KR20180032027A (ko) 음향 공진기 및 필터
US20180277735A1 (en) Acoustic resonator and method of manufacturing the same
US8207585B2 (en) Method for producing a micromechanical component and mircomechanical component
JP2003101377A (ja) 圧電振動デバイス
US7975364B2 (en) Method for producing a tuning-fork type crystal vibrating piece
CN114978093A (zh) 声波谐振器、滤波器、通信设备及其制造方法
CN113872548A (zh) 滤波器的制备方法、滤波器和双工器
US20150145381A1 (en) Quartz vibrator and manufacturing method thereof
JP2017073581A (ja) Ｍｅｍｓ素子
JP2016174328A (ja) ウェーハの製造方法及びウェーハ
CN111030631B (zh) 声波器件的制作方法及声波器件
KR20180008243A (ko) 탄성파 필터 장치 및 이의 제조방법
US20230188109A1 (en) Method For Manufacturing Vibrator Element
JPH0145246B2 (ja)
CN117559947A (zh) 压电层为反高台结构的石英谐振器及其制造方法、电子器件
CN117559943A (zh) 双基板和压电层形成三明治结构的石英谐振器及电子器件
JP2002271157A (ja) 弾性表面波装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220525

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20221004

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221221

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20221221

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20230110

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20230117

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20230331

C211 Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211

Effective date: 20230404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7445957

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150