JP7438965B2 - 電子デバイス用材料 - Google Patents

Description

本願は、少なくとも１つのアミノ基を含有するフルオレニル化合物に関する。化合物は、電子デバイスにおける使用に適している。

本願に関する電子デバイスは、機能材料として有機半導体材料を含有するいわゆる有機電子デバイスを意味するものと理解される。より詳細には、これらは、ＯＬＥＤ（有機エレクトロルミネッセントデバイス）を意味するものと理解される。ＯＬＥＤという用語は、有機化合物を含む１つ以上の層を有し、電圧を印加すると光を発する電子デバイスを意味するものと理解される。ＯＬＥＤの構成および機能の一般原理は、当業者に公知である。

電子デバイス、とりわけＯＬＥＤにおいて、性能データ、とりわけ寿命、効率および作動電圧の向上に強い関心が集まっている。これらの側面において、十分に満足のいく解決策は未だ見出されていない。

加えて、とりわけＯＬＥＤの正孔輸送層および発光層に使用するための、ガラス転移温度が高く、結晶化する傾向が低く、屈折率が高い材料が探求されている。

電子デバイスの性能データに大きく影響するのが、発光層と、正孔輸送機能を有する層である。これらの層に使用するための新規な化合物、とりわけ正孔輸送化合物、および発光層においてとりわけリン光発光体用のマトリックス材料として機能できる化合物も求められている。

アミノ基に直接またはスペーサ基を介して結合した１つ以上のフルオレニル基を含有する化合物が先行技術において、ＯＬＥＤに使用するための、とりわけ正孔輸送化合物として使用するための化合物として公知である。

しかしながら、電子デバイスにおける使用に適する代替的化合物が依然として必要とされている。電子デバイスの使用における性能データに関し、とりわけ寿命、作動電圧および効率に関し、改善も必要とされている。

上記の構造のクラスからの特定の化合物は、電子デバイスにおける使用に、とりわけＯＬＥＤにおける使用に、殊にとりわけＯＬＥＤにおける正孔輸送材料としての使用およびリン光発光体用のマトリックス材料としての使用に極めて適していることが現在見出されている。化合物は、好ましくはデバイスの長寿命、高効率および低作動電圧に繋がるものである。さらに好ましくは、化合物は、結晶化する傾向が低く、ガラス転移温度が高く、屈折率が高いものである。

したがって、本願は、式（Ｉ）

（式中、フルオレニル基上のフリーの位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよく、加えて：
Ｒ^１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルおよびアルコキシ基、ならびに３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基から選択され、ここで、２つ以上のＲ^１ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及したアルキルおよびアルコキシ基は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；
Ａｒ^Ｓは、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、６～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系から選択され；
Ａｒ^１は、６～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系から選択され；
ＨｅｔＡｒ^１は、１３～４０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^５ラジカルにより置換されていてもよいヘテロ芳香族環系から選択され；
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）_２、ＯＲ^１１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、Ｒ^２ラジカルから選択される２つ以上のラジカル、Ｒ^３ラジカルから選択される２つ以上のラジカル、Ｒ^４ラジカルから選択される２つ以上のラジカルおよびＲ^５ラジカルから選択される２つ以上のラジカルは、各場合において互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^１１Ｃ＝ＣＲ^１１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^１１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１１－、ＮＲ^１１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
Ｒ^１１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^２１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^２１）_３、Ｎ（Ｒ^２１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２１）_２、ＯＲ^２１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^２１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、２つ以上のＲ^１１ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^２１ラジカルにより置換されていてもよく；言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^２１Ｃ＝ＣＲ^２１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^２１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^２１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^２１－、ＮＲ^２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
Ｒ^２１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～２０個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、２つ以上のＲ^３ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及したアルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、ＦおよびＣＮから選択される１つ以上のラジカルにより置換されていてもよく；
ｍ、ｎは、同じであるかまたは異なり、０、１、２および３から選択され、
ここで、添え字ｍおよびｎのうちの少なくとも１つは０であり；
左側のフルオレニル基は、＃印がついた位置のうちの１つを介してＡｒ^Ｓ基またはＮに結合している）
の化合物を提供する。

式（Ｉ）の６員環内の円は、当該の環が芳香族であることを意味する。

下記は、添え字ｍおよびｎに適用可能である：当該の添え字が０である場合、それによって示されるＡｒ^Ｓ基は存在せず、この基に結合している基は、互いに直接結合している。当該の添え字が２である場合、２つのＡｒ^Ｓ基が存在し、それらは－Ａｒ^Ｓ－Ａｒ^Ｓ－単位が存在するような形で互いに結合している。当該の添え字が３である場合、３つのＡｒ^Ｓ基が存在し、それは、－Ａｒ^Ｓ－Ａｒ^Ｓ－Ａｒ^Ｓ－単位が存在するような形で互いに結合している。

以下に続く定義は、本願において使用される化学基に適用可能である。これらは、何らかのより詳細な定義が与えられない限り適用可能である。

本発明に関するアリール基は、単一の芳香族環、即ちベンゼン、または縮合芳香族多環、たとえばナフタレン、フェナントレンもしくはアントラセンの何れかを意味するものと理解される。本願に関する縮合芳香族多環は、互いに縮合した２つ以上の単一の芳香族環からなる。環間の縮合は、ここでは環が少なくとも１つの縁を互いに共有することを意味するものと理解される。本発明に関するアリール基は、６～４０個の芳香族環原子を含有し、その何れもヘテロ原子ではない。

本発明に関するヘテロアリール基は、単一のヘテロ芳香族環、たとえばピリジン、ピリミジンもしくはチオフェン、または縮合ヘテロ芳香族多環、たとえばキノリンもしくはカルバゾールの何れかを意味するものと理解される。本願に関する縮合ヘテロ芳香族多環は、互いに縮合した２つ以上の単一の芳香族またはヘテロ芳香族環からなり、ここで、芳香族およびヘテロ芳香族環の少なくとも１つは、ヘテロ芳香族環である。環間の縮合は、ここでは環が少なくとも１つの縁を互いに共有することを意味するものと理解される。本発明に関するヘテロアリール基は、５～４０個の芳香族環原子を含有し、そのうちの少なくとも１つがヘテロ原子である。ヘテロアリール基のヘテロ原子は、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択される。

アリールまたはヘテロアリール基は、そのそれぞれが上記のラジカルにより置換されていてもよいが、とりわけ、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、トリフェニレン、フルオランテン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，３，４－オキサジアゾール、１，２，３－チアジアゾール、１，２，４－チアジアゾール、１，２，５－チアジアゾール、１，３，４－チアジアゾール、１，３，５－トリアジン、１，２，４－トリアジン、１，２，３－トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５－テトラジン、１，２，３，４－テトラジン、１，２，３，５－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと理解される。

本発明に関する芳香族環系は、必ずしもアリール基のみを含有するとは限らず、それに加えて、少なくとも１つのアリール基に縮合した１つ以上の非芳香族環を含有してもよい系である。これらの非芳香族環は、環原子として炭素原子のみを含有する。この定義に包含される基の例は、テトラヒドロナフタレン、フルオレンおよびスピロビフルオレンである。加えて、「芳香族環系」という用語は、単結合を介して互いに結合した２つ以上の芳香族環系からなる系、たとえばビフェニル、テルフェニル、７－フェニル－２－フルオレニル、クアテルフェニルおよび３，５－ジフェニル－１－フェニルを含む。本発明に関する芳香族環系は、６～４０個の炭素原子を含有し、環系にヘテロ原子を含有しない。「芳香族環系」の定義には、ヘテロアリール基は含まれない。

ヘテロ芳香族環系は、環原子として少なくとも１個のヘテロ原子を含有しなければならないことを除き、上記の芳香族環系の定義に合致する。芳香族環系の場合と同様、ヘテロ芳香族環系は、アリール基とヘテロアリール基のみを含有する必要はなく、それに加えて、少なくとも１つのアリールまたはヘテロアリール基に縮合した１つ以上の非芳香族環を含有してもよい。非芳香族環は、環原子として炭素原子のみを含有してもよく、または、それ加えて１個以上のヘテロ原子を含有してもよく、ここで、ヘテロ原子は、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択される。こうしたヘテロ芳香族環系の一例は、ベンゾピラニルである。加えて、「ヘテロ芳香族環系」という用語は、単結合を介して互いに結合した２つ以上の芳香族またはヘテロ芳香族環系からなる系、たとえば４，６－ジフェニル－２－トリアジニルを意味するものと理解される。本発明に関するヘテロ芳香族環系は、炭素およびヘテロ原子から選択される５～４０個の環原子を含有し、ここで、環原子のうちの少なくとも１個はヘテロ原子である。ヘテロ芳香族環系のヘテロ原子は、好ましくはＮ、ＯおよびＳから選択される。

したがって、本願において定義した通りの「ヘテロ芳香族環系」および「芳香族環系」という用語は、芳香族環系は、環原子としてヘテロ原子を有することができない一方、ヘテロ芳香族環系は、環原子として少なくとも１個のヘテロ原子を有していなければならないという点で互いに異なっている。このヘテロ原子は、非芳香族ヘテロ環の環原子として、または芳香族ヘテロ環の環原子として存在してもよい。

上記の定義によると、任意のアリール基が「芳香族環系」という用語に包含され、任意のヘテロアリール基が「ヘテロ芳香族環系」という用語に包含される。

６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系はとりわけ、アリール基およびヘテロアリール基の下で先に言及した基から、およびビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、インデノカルバゾールまたはこれらの基の組合せから誘導される基を意味するものと理解される。

本発明に関して、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、および３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、および２～４０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基は、個々の水素原子またはＣＨ_２基がラジカルの定義において先に言及した基により置換されていてもよく、好ましくはメチル、エチル、ｎ－プロピル、ｉ－プロピル、ｎ－ブチル、ｉ－ブチル、ｓ－ブチル、ｔ－ブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ－ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ－ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ－オクチル、シクロオクチル、２－エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニルまたはオクチニルラジカルを意味するものと理解される。

１～２０個の炭素原子を有するアルコキシまたはチオアルキル基は、個々の水素原子またはＣＨ_２基がラジカルの定義において先に言及した基により置きかえられていてもよく、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ、ｎ－ペントキシ、ｓ－ペントキシ、２－メチルブトキシ、ｎ－ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、ｎ－ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、ｎ－オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、２－エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、２，２，２－トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ－プロピルチオ、ｉ－プロピルチオ、ｎ－ブチルチオ、ｉ－ブチルチオ、ｓ－ブチルチオ、ｔ－ブチルチオ、ｎ－ペンチルチオ、ｓ－ペンチルチオ、ｎ－ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ｎ－ヘプチルチオ、シクロヘプチルチオ、ｎ－オクチルチオ、シクロオクチルチオ、２－エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、２，２，２－トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオ、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオを意味するものと理解される。

２つ以上のラジカルが共に環を形成してもよいという表現は、本願に関して、とりわけ、２つのラジカルが化学結合により互いに結合していることを意味すると当然に理解される。ただし、これに加えて、上記の表現は、２つのラジカルのうちの一方が水素である場合、第２のラジカルは水素原子が結合している位置に結合して環を形成することを意味するものとも当然に理解される。

Ｒ^１は、好ましくはそれぞれの場合において同じであるかまたは異なり、好ましくは同じであり、１～１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基および３～１０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基から選択され、ここで、２つ以上のＲ^１ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく、アルキル基中の１個以上の水素原子は、Ｄにより置きかえられていてもよい。より好ましくは、Ｒ^１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、好ましくは同じであり、メチル、ｎ－オクチルおよびシクロペンチルから選択され；最も好ましくは、Ｒ^１はメチルである。

好ましいＡｒ^Ｓ基は、ベンゼン、ビフェニル、テルフェニル、ナフタレン、フルオレン、インデノフルオレン、インデノカルバゾール、スピロビフルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバゾールから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよい。最も好ましくは、Ａｒ^Ｓは、各場合において１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよいベンゼンである。Ａｒ^Ｓがベンゼンである場合、Ｒ^３は、好ましくはＨ、メチルおよびフェニルから選択される。

ｍおよびｎは、好ましくは０または１であり、ここで、添え字ｍおよびｎのうちの少なくとも１つは０である。より好ましくは、ｍおよびｎは、両方とも０である。

Ａｒ^１は、好ましくは、６～２０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系から選択される。特に好ましいＡｒ^１基は、ベンゼン、ビフェニル、テルフェニル、ナフタレン、フェニルナフタレン、フルオレン、インデノフルオレン、インデノカルバゾール、スピロビフルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、およびカルバゾール、とりわけＮ－アリールカルバゾールから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよい。さらにより好ましくは、Ａｒ^１は、ベンゼンまたはナフタレンであり、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよく、最も好ましくは、各場合において１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよいベンゼンである。Ａｒ^１がベンゼンである場合、Ｒ^４は、好ましくはＨ、メチルおよびフェニルから選択される。

好ましいＡｒ^１基を、下記の表に示す：

ＨｅｔＡｒ^１は、好ましくはジベンゾフラン、ベンゾナフトフラン、ジベンゾチオフェン、ベンゾナフトチオフェン、その炭素原子のうちの１個を介して結合しているカルバゾール、その窒素原子を介して結合しているカルバゾール、その炭素原子のうちの１個を介して結合しているベンゾカルバゾール、およびその窒素原子を介して結合しているベンゾカルバゾールから選択され、より好ましくはジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびカルバゾールから選択され、ここで、カルバゾールは、好ましくはその炭素原子のうちの１個を介して結合しており、言及した基は、１つ以上のＲ^５ラジカルにより置換されていてもよい。

式（Ｉ）中の－Ａｒ^１－ＨｅｔＡｒ^１基は、好ましくは下記の式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）：

（式中、Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ^５、より好ましくはＯ、Ｓ、またはＮ－Ｐｈであり、ここで、Ｐｈは、１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよいフェニル基であり；
Ｒ^４およびＲ^５は、先に定義した通りであり、好ましくはＨまたはフェニル、より好ましくはＨであり；
この基は、自由結合を介して式（Ｉ）中の窒素原子に結合している）
に合致する。

Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、好ましくはそれぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、ここで、前記アルキル基、前記芳香族環系および前記ヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよい。最も好ましくは、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよい。最も好ましくは、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈおよびフェニルから選択され、とりわけＨである。

Ｒ^１１は、好ましくはそれぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^２１）_３、Ｎ（Ｒ^２１）_２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、ここで、前記アルキル基、前記芳香族環系および前記ヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^２１ラジカルにより置換されていてもよい。

好ましくは、式（Ｉ）中の左側のフルオレン基は、Ａｒ^Ｓ基またはＮに４位で結合している。好ましくは、式（Ｉ）中の右側のフルオレン基は、Ａｒ^Ｓ基またはＮに４位または２位で結合している。

フルオレン基上のこれらの位置は、下記の通り定義される：

式（Ｉ）の態様は、下記の式：

（式中、出現する基および添え字は、先に定義した通りであり、フルオレニル基の非占有位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよく、添え字ｍおよびｎのうちの少なくとも１つは０である）
である。

これらの式のうち、式（Ｉ－Ａ）が好ましい。

式（Ｉ－Ａ）の好ましい態様は、下記の式：

（式中、可変基は、先に定義した通りであり、フルオレニル基上の非占有位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよい）である。好ましくは、式中、Ａｒ^Ｓは、オルトフェニレン、メタフェニレンおよびパラフェニレンから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよい。ここでのＲ^３は、好ましくはＨ、１～１０個の炭素原子を有するアルキル基および６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系から、より好ましくはＨ、メチルおよびフェニルから選択される。加えて、－Ａｒ^１－ＨｅｔＡｒ^１基は、好ましくは式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）に、より好ましくは式（Ｈ－１）に合致する。

式（Ｉ－Ｂ）の好ましい態様は、下記の式：

（式中、可変基は、先に定義した通りであり、フルオレニル基上の非占有位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよい）である。好ましくは、式中、Ａｒ^Ｓは、オルトフェニレン、メタフェニレンおよびパラフェニレンから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよい。ここでのＲ^３は、好ましくはＨ、１～１０個の炭素原子を有するアルキル基および６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系から、より好ましくはＨ、メチルおよびフェニルから選択される。加えて、－Ａｒ^１－ＨｅｔＡｒ^１基は、好ましくは式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）に、より好ましくは式（Ｈ－１）に合致する。

式（Ｉ－Ｃ）の好ましい態様は、下記の式：

（式中、可変基は、先に定義した通りであり、フルオレニル基上の非占有位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよい）である。好ましくは、式中、Ａｒ^Ｓは、オルトフェニレン、メタフェニレンおよびパラフェニレンから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^３ラジカルにより置換されていてもよい。ここでのＲ^３は、好ましくはＨ、１～１０個の炭素原子を有するアルキル基および６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系から、より好ましくはＨ、メチルおよびフェニルから選択される。加えて、－Ａｒ^１－ＨｅｔＡｒ^１基は、好ましくは式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）に、より好ましくは式（Ｈ－１）に合致する。

下記の化合物が、式（Ｉ）の好ましい態様である：

式（Ｉ）の化合物は、有機化学において公知の反応により、とりわけブッフバルトカップリング反応により調製することができる。

式（Ｉ）の化合物の調製のための好ましい合成経路を、以下のスキーム１に示す。

ここに出現する可変基は、式（Ｉ）関して定義した通りであり、Ｘは、反応基から、好ましくはＣｌ、ＢｒおよびＩから選択される。

スキーム１において、式ＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２の第１級アミンが出発材料として使用される。多くの場合、その合成は先行技術において公知である。その他の場合、公知の合成方法によって調製することができる。言及した第１級アミンを、ブッフバルトカップリング反応で反応性Ｘ基を持つフルオレニル誘導体と反応させる。得られる中間体である第２級アミンを、第２のブッフバルトカップリング反応で別のフルオレニル誘導体と反応させる。これにより、式（Ｉ）の化合物が得られる。

式（Ｉ）の化合物を調製するための代替的な同様に好ましい方法を、以下のスキーム２に示す。この方法では、第１級アミンＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２を単一のブッフバルトカップリング反応で式（Ｉ）の化合物に変換する。これは、反応基を持つフルオレニル誘導体のより多くの当量を使用し、そのため、第３級アミンが第１級アミンから１工程で直接得られる。

本願は、式（Ｉ）の化合物を調製するための方法を提供し、方法は、出現する可変基が式（Ｉ）に関して定義した通りである化合物ＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２を、ブッフバルトカップリング反応で反応性Ｘ基を有するフルオレンと反応させることを特徴とする。

好ましくは、反応基Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択される。好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、化合物ＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２から１工程での二重カップリング反応により、単一工程で得られる。代替的な好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、まず、第１のブッフバルトカップリング反応で、化合物ＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２を反応基を持つフルオレンと、第１級アミンの２つのＮ－Ｈ結合のうちの１つにおいて反応させることにより、連続する２工程で得られる。続いて、第２級アミンである得られる中間体を、第２のブッフバルトカップリング反応で、反応基を持つさらなるフルオレンと残りのＮ－Ｈ結合において反応させると、式（Ｉ）の化合物が得られる。

上記の化合物、とりわけ反応性脱離基、たとえば臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸またはボロン酸エステルにより置換された化合物は、対応するオリゴマー、デンドリマーまたはポリマーを製造するためのモノマーとしての用途を見出すことができる。適する反応性脱離基は、たとえば臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸、ボロン酸エステル、アミン、末端Ｃ－Ｃ二重結合もしくはＣ－Ｃ三重結合を有するアルケニルまたはアルキニル基、オキシラン、オキセタン、付加環化、たとえば１，３－双極性付加環化に関与する基、たとえばジエンもしくはアジド、カルボン酸誘導体、アルコールおよびシランである。

したがって、本発明は、１種以上の式（Ｉ）の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーをさらに提供し、ここで、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの結合（複数可）は、式（Ｉ）においてＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４またはＲ^５により置換される任意所望の位置に局在してもよい。化合物の結合に応じて、化合物は、オリゴマーもしくはポリマーの側鎖の一部または主鎖の一部となる。本発明に関するオリゴマーは、少なくとも３つのモノマー単位から形成される化合物を意味するものと理解される。本発明に関するポリマーは、少なくとも１０個のモノマー単位から形成される化合物を意味するものと理解される。本発明のポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーは、共役、部分共役、または非共役であってもよい。本発明のオリゴマーまたはポリマーは、直鎖状、分枝または樹枝状であってもよい。直鎖状結合を有する構造において、式（Ｉ）の単位は、互いに直接結合していてもよく、２価基を介して、たとえば置換もしくは無置換アルキレン基を介して、ヘテロ原子を介して、または２価の芳香族もしくはヘテロ芳香族基を介して互いに結合していてもよい。分枝および樹枝状構造においては、たとえば、３つ以上の式（Ｉ）の単位が３価以上の基を介して、たとえば３価以上の芳香族またはヘテロ芳香族基を介して結合して、分枝または樹枝状オリゴマーまたはポリマーを形成することが可能である。

オリゴマー、デンドリマーおよびポリマーにおける式（Ｉ）の反復単位については、式（Ｉ）の化合物について記載したのと同じ選好が当てはまる。

オリゴマーまたはポリマーの調製のためには、本発明のモノマーを単独重合させるか、さらなるモノマーと共重合させる。適する好ましいコモノマーは、フルオレン、スピロビフルオレン、パラフェニレン、カルバゾール、チオフェン、ジヒドロフェナントレン、ｃｉｓ－およびｔｒａｎｓ－インデノフルオレン、ケトン、フェナントレン、またはこれらの単位の２種以上から選択される。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーは、典型的にはなおさらなる単位、たとえば発光（蛍光もしくはリン光）単位、たとえばビニルトリアリールアミンもしくはリン光金属錯体、および／または電荷輸送単位、とりわけトリアリールアミンに基づくものを含有する。

本発明のポリマーおよびオリゴマーは一般に、１種類以上のモノマーの重合により調製され、そのうちの少なくとも１種のモノマーが、ポリマー中に式（Ｉ）の反復単位をもたらす。適する重合反応は当業者に公知であり、文献に記載されている。Ｃ－ＣまたはＣ－Ｎ結合の形成をもたらす特に適する好ましい重合反応は、スズキ重合、ヤマモト重合、スティル重合およびハートウイッグ－ブッフバルト重合である。

液相から、たとえばスピンコーティングまたは印刷法により本発明の化合物を加工するには、本発明の化合物の調合物が必要である。これらの調合物は、たとえば溶液、分散物またはエマルションであってもよい。この目的のため、２種以上の溶媒の混合物の使用が好ましいことがある。適する好ましい溶媒は、たとえばトルエン、アニソール、ｏ－、ｍ－もしくはｐ－キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル－ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、とりわけ、３－フェノキシトルエン、（－）－フェンコン、１，２，３，５－テトラメチルベンゼン、１，２，４，５－テトラメチルベンゼン、１－メチルナフタレン、２－メチルベンゾチアゾール、２－フェノキシエタノール、２－ピロリジノン、３－メチルアニソール、４－メチルアニソール、３，４－ジメチルアニソール、３，５－ジメチルアニソール、アセトフェノン、α－テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、ＮＭＰ、ｐ－シメン、フェネトール、１，４－ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２－イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１－ビス（３，４－ジメチルフェニル）エタン、またはこれらの溶媒の混合物である。

したがって、本発明は、少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物と少なくとも１種の溶媒、好ましくは有機溶媒を含む調合物、とりわけ溶液、分散物またはエマルションをさらに提供する。このような溶液を調製することができる方法は当業者には公知である。

本発明の化合物は、電子デバイス、とりわけ有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）への使用に適している。置換に応じて、化合物は、様々な機能および層に使用される。

したがって、本発明は、式（Ｉ）の化合物の電子デバイスにおける使用をさらに提供する。この電子デバイスは、好ましくは、有機集積回路（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機ソーラーセル（ＯＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容器、有機電場消光デバイス（ＯＦＱＤ）、有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ－レーザー）、より好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）からなる群から選択される。

既に上記したように、本発明は、少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物を含む電子デバイスをさらに提供する。この電子デバイスは、好ましくは先に言及したデバイスから選択される。

電子デバイスは、より好ましくは、アノード、カソード、および少なくとも１つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）であって、発光層、正孔輸送層または別の層であってもよい少なくとも１つの有機層が少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物を含むことを特徴とする。

カソード、アノード、および発光層の他に、有機エレクトロルミネッセントデバイスは、さらなる層をさらに含んでもよい。これらは、それぞれの場合において、たとえば１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、励起子阻止層、中間層、電荷生成層、および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合から選択される。

式（Ｉ）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスの層の順序は、好ましくは下記の通りである：アノード－正孔注入層－正孔輸送層－任意のさらなる正孔輸送層（複数可）－任意の電子阻止層－発光層－任意の正孔阻止層－電子輸送層－電子注入層－カソード。加えて、さらなる層がＯＬＥＤに存在することも可能である。

本発明の有機エレクトロルミネッセントデバイスは、２つ以上の発光層を含有してもよい。より好ましくは、これらの発光層は、この場合、全体として３８０ｎｍ乃至７５０ｎｍに幾つかの発光極大を有し、全体として白色発光を生じるものである；換言すれば、蛍光またはリン光を発することができ、青色、緑色、黄色、橙色または赤色の光を発する様々な発光化合物が、発光層に使用される。とりわけ好ましいのは、３層系、即ち、３つの発光層を有する系であり、ここで、３層は青色、緑色および橙色または赤色の発光を示す。本発明の化合物は、ここでは好ましくは正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、および／または発光層に、より好ましくは発光層にマトリックス材料として、および／または電子阻止層に存在する。

本発明によると、好ましいのは、式（Ｉ）の化合物が１種以上のリン光発光化合物を含む電子デバイスに使用される場合である。この場合、化合物は、異なる層に、好ましくは正孔輸送層、電子阻止層、正孔注入層、および／または発光層に存在してもよい。より好ましくは、化合物は、電子阻止層に、またはリン光発光化合物と組み合わせて発光層に存在する。後者の場合、リン光発光化合物は、好ましくは赤色または緑色リン光発光化合物から選択される。最も好ましくは、化合物は電子阻止層に存在する。

「リン光発光化合物」という用語は、典型的にはたとえば励起三重項状態またはより高いスピン量子数を有する状態、たとえば五重項状態からのスピン禁制遷移により発光が生じる化合物を包含する。

適するリン光発光化合物（＝三重項発光体）はとりわけ、適切に励起されると、好ましくは可視領域の光を発する化合物であり、原子番号が２０より大きい、好ましくは３８より大きく８４より小さい、より好ましくは５６より大きく８０より小さい少なくとも１種の原子をさらに含有する。リン光発光化合物として、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含有する化合物、とりわけ、イリジウム、白金または銅を含有する化合物を使用することが好ましい。本発明に関して、発光性のイリジウム、白金または銅錯体は全て、リン光発光化合物であるとみなされる。

一般に、先行技術によりリン光ＯＬＥＤに使用され、有機エレクトロルミネッセントデバイスの分野の当業者に公知であるようなリン光錯体は全て適している。当業者は、独創的な創作能力を発揮することなく、有機エレクトロルミネッセントデバイスにおいてさらなるリン光錯体を式（Ｉ）の化合物と組み合わせて使用することも可能である。さらなる例を、下記の表に挙げる：

加えて、下記を使用することも可能である：

本発明の好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、正孔輸送材料として使用される。その場合、化合物は、好ましくは正孔輸送層に存在する。正孔輸送層の好ましい態様は、正孔輸送層、電子阻止層および正孔注入層である。式（Ｉ）の化合物が正孔輸送層に存在する場合、後者は、好ましくは電子阻止層である。これは、好ましくは、アノード側で発光層に直接隣接している。

本願による正孔輸送層は、アノードと発光層との間の正孔輸送機能を有する層である。
より詳細には、正孔注入層でも電子阻止層でもない正孔輸送層である。

正孔注入層および電子阻止層は、本願に関しては、正孔輸送層の具体的態様であると理解される。正孔注入層は、アノードと発光層との間に複数の正孔輸送層がある場合、アノードに直接隣接しているか、またはアノードの単一のコーティングによりアノードから分離されている正孔輸送層である。電子阻止層は、アノードと発光層との間に複数の正孔輸送層がある場合、アノード側で発光層に直接隣接している正孔輸送層である。好ましくは、本発明のＯＬＥＤは、アノードと発光層との間に２つ、３つまたは４つの正孔輸送層を含み、そのうちの少なくとも１つは、好ましくは式（Ｉ）の化合物を含有し、より好ましくは１つまたは２つのみが式（Ｉ）の化合物を含有する。

式（Ｉ）の化合物が正孔輸送層、正孔注入層または電子阻止層において正孔輸送材料として使用される場合、化合物は、純粋な材料として、即ち、１００％の割合で正孔輸送層に使用することも、１種以上のさらなる化合物と組み合わせて使用することもできる。その場合、好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物を含む有機層は、１種以上のｐ－ドーパントを追加で含有する。本発明により使用されるｐ－ドーパントは、好ましくは混合物中の他の化合物の１種以上を酸化することができる有機電子受容体化合物である。

ｐ－ドーパントとして特に好ましいのは、キノジメタン化合物、アザインデノフルオレンジオン、アザフェナレン、アザトリフェニレン、Ｉ_２、金属ハロゲン化物、好ましくは遷移金属ハロゲン化物、金属酸化物、好ましくは少なくとも１種の遷移金属または第３主族からの金属を含む金属酸化物、ならびに遷移金属錯体、好ましくは結合部位として少なくとも１個の酸素原子を含有する配位子を持つＣｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔの錯体である。ドーパントとしてさらに遷移金属酸化物が好ましく、好ましくは、レニウム、モリブデンおよびタングステンの酸化物、より好ましくはＲｅ_２Ｏ_７、ＭｏＯ_３、ＷＯ_３およびＲｅＯ_３である。

ｐ－ドーパントは、好ましくは、ｐ－ドープ層に実質的に均一に分布する。これは、たとえばｐ－ドーパントと正孔輸送材料マトリックスの同時蒸着によって達成することができる。

好ましいｐ－ドーパントはとりわけ、下記の化合物である：

本発明のさらなる好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、ヘキサアザトリフェニレン誘導体と組み合わせて正孔輸送材料としてＯＬＥＤに使用される。ここでは、ヘキサアザトリフェニレン誘導体を独立した層に使用することが特に好ましい。

本発明の好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、発光層において１種以上の発光化合物、好ましくはリン光発光化合物と組み合わせてマトリックス材料として使用される。ここでのリン光発光化合物は、好ましくは赤色リン光および緑色リン光化合物から選択される。

この場合の発光層におけるマトリックス材料の割合は、体積で５０．０％乃至９９．９％、好ましくは体積で８０．０％乃至９９．５％、より好ましくは体積で８５．０％乃至９７．０％である。

これに対応して、発光化合物の割合は、体積で０．１％乃至５０．０％、好ましくは体積で０．５％乃至２０．０％、より好ましくは体積で３．０％乃至１５．０％である。

有機エレクトロルミネッセントデバイスの発光層は、複数のマトリックス材料（混合マトリックス系）および／または複数の発光化合物を含む系を含有してもよい。この場合も、発光化合物は一般に系中の割合が低い方の化合物であり、マトリックス材料は、系中の割合が高い方の化合物である。ただし、個々の場合では、系中の単一のマトリックス材料の割合は、単一の発光化合物の割合より低くてもよい。

式（Ｉ）の化合物は、好ましくはリン光発光体用の混合マトリックス系の成分として使用されることが好ましい。混合マトリックス系は、好ましくは２または３種の異なるマトリックス材料、より好ましくは２種の異なるマトリックス材料を含む。好ましくは、この場合、２種の材料のうちの一方は、正孔輸送特性を有する材料であり、他方の材料は、電子輸送特性を有する材料である。式（Ｉ）の化合物は、好ましくは正孔輸送特性を有するマトリックス材料である。これに対応して、式（Ｉ）の化合物は、ＯＬＥＤの発光層におけるリン光発光体用のマトリックス材料として使用され、電子輸送特性を有する第２のマトリックス化合物が、発光層に存在する。２種の異なるマトリックス材料は、１：５０～１：１、好ましくは１：２０～１：１、より好ましくは１：１０～１：１、最も好ましくは１：４～１：１の比で存在してもよい。

ただし、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分が主として、あるいは完全に併せ持っていてもよく、この場合、さらなる混合マトリックス成分（複数可）は、他の機能を果たす。

混合マトリックス系は、１種以上の発光化合物、好ましくは１種以上のリン光発光化合物を含んでもよい。一般に、混合マトリックス系は、好ましくはリン光有機エレクトロルミネッセントデバイスに使用される。

本発明の化合物と組み合わせて混合マトリックス系のマトリックス成分として使用できる特に適するマトリックス材料は、リン光発光化合物に関して以下に規定する好ましいマトリックス材料から、中でもとりわけ電子輸送特性を有するものから選択される。本発明の化合物と組み合わせて混合マトリックス系のマトリックス成分として使用してもよい特に好ましいマトリックス材料は、下記の材料である。

電子デバイスにおける異なる機能材料の好ましい態様を、以下に挙げる。

好ましい蛍光発光化合物は、アリールアミンのクラスから選択される。本発明に関するアリールアミンまたは芳香族アミンは、窒素に直接結合している３つの置換または無置換の芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味するものと理解される。好ましくは、これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系のうちの少なくとも１つは、縮合環系であり、より好ましくは少なくとも１４個の芳香族環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンまたは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、ジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは９位で直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族アントラセンジアミンは、２つのジアリールアミノ基がアントラセン基に、好ましくは９、１０位で直接結合している化合物を意味するものと理解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンも同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、ピレンに、好ましくは１位または１、６位で結合している。さらなる好ましい発光化合物は、インデノフルオレンアミンまたはジアミン、ベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミン、およびジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジアミン、ならびに縮合アリール基を有するインデノフルオレン誘導体である。同様に好ましいのは、ピレンアリールアミン、ベンゾインデノフルオレンアミン、ベンゾフルオレンアミン、拡張ベンゾインデノフルオレン、フェノキサジン、およびフラン単位またはチオフェン単位により置換されたフルオレン誘導体である。

好ましくは蛍光発光化合物用の有用なマトリックス材料には、様々な物質のクラスの材料が含まれる。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン（たとえば、２，２’，７，７’－テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、とりわけ縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはスピロ－ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体、正孔伝導化合物、電子伝導化合物、とりわけケトン、ホスフィンオキシドおよび硫黄酸化物、アトロプ異性体、ボロン酸誘導体またはベンゾアントラセンのクラスから選択される。特に好ましいマトリックス材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／もしくはピレンを含むオリゴアリーレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシド、およびスルホキシドのクラスから選択される。特に非常に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび／もしくはピレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体を含むオリゴアリーレンのクラスから選択される。本発明に関するオリゴアリーレンは、少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味すると当然に理解される。

リン光発光化合物用の好ましいマトリックス材料は、式（Ｉ）の化合物に加え、芳香族ケトン、芳香族ホスフィンオキシドまたは芳香族スルホキシドもしくはスルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、双極性マトリックス材料、シラン、アザボロールもしくはボロン酸エステル、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジアザシロールもしくはテトラアザシロール誘導体、ジアザホスホール誘導体、架橋カルバゾール誘導体、トリフェニレン誘導体およびラクタムである。

本発明の電子デバイスの正孔注入もしくは正孔輸送層または電子阻止層に、または電子輸送層に使用可能な適する電荷輸送材料は、式（Ｉ）の化合物に加え、たとえば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７、１０７（４）、９５３－１０１０に開示の化合物、または先行技術に従いこれらの層に使用されるような他の材料である。

ＯＬＥＤの正孔輸送層用の好ましい材料は、下記の材料である：

好ましくは、本発明のＯＬＥＤは、２つ以上の異なる正孔輸送層を含む。式（Ｉ）の化合物は、ここでは、正孔輸送層の１つ以上に、または全てに使用してもよい。好ましい態様において、式（Ｉ）の化合物は、正孔輸送層の１つのみ、または２つのみに使用され、他の化合物、好ましくは芳香族アミン化合物が、存在するさらなる正孔輸送層に使用される。式（Ｉ）の化合物に加え、本発明のＯＬＥＤの正孔輸送層に好ましく使用されるさらなる化合物はとりわけ、インデノフルオレンアミン誘導体、アミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体、縮合芳香族系を含むアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン、ジベンゾインデノフルオレンアミン、スピロビフルオレンアミン、フルオレンアミン、スピロジベンゾピランアミン、ジヒドロアクリジン誘導体、スピロジベンゾフランおよびスピロジベンゾチオフェン、フェナントレンジアリールアミン、スピロトリベンゾトロポロン、メタフェニルジアミン基を有するスピロビフルオレン、スピロビスアクリジン、キサンテンジアリールアミン、ならびにジアリールアミノ基を有する９，１０－ジヒドロアントラセンスピロ化合物である。

電子輸送層に使用される材料は、先行技術に従い電子輸送層に電子輸送材料として使用されるような任意の材料であってもよい。とりわけ適切なのは、アルミニウム錯体、たとえばＡｌｑ_３、ジルコニウム錯体、たとえばＺｒｑ_４、リチウム錯体、たとえばＬｉｑ、ベンゾイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラン、ジアザホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。下記の表に示す化合物が特に好ましい：

電子デバイスの好ましいカソードは、低い仕事関数を有する金属、金属合金、または様々な金属、たとえばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍなど）で構成される多層構造である。これに加え、適するのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と銀で構成される合金、たとえばマグネシウムと銀で構成される合金である。多層構造の場合、言及した金属に加え、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえばＡｇまたはＡｌを使用することも可能であり、この場合、金属の組合せ、たとえばＣａ／Ａｇ、Ｍｇ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどが一般に使用される。高誘電率を有する材料の薄い中間層を金属製カソードと有機半導体との間に導入することが好ましいこともある。この目的に有用な材料の例は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物に加え、対応する酸化物または炭酸塩（たとえばＬｉＦ、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＦ_２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ_２ＣＯ_３など）である。この目的のためにキノリン酸リチウム（ＬｉＱ）を使用することも可能である。この層の層厚は、好ましくは０．５乃至５ｎｍである。

好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。好ましくは、アノードは対真空で４．５ｅＶを超える仕事関数を有する。第一に、高い酸化還元電位を有する金属がこの目的に適しており、たとえばＡｇ、ＰｔまたはＡｕである。第二に、金属／金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯ_ｘ、Ａｌ／ＰｔＯ_ｘ）が好ましいこともある。用途によっては、電極の少なくとも一方は、有機材料の照射（有機ソーラーセル）または発光（ＯＬＥＤ、Ｏ－ＬＡＳＥＲ）の何れかを可能とするため、透明または部分的に透明でなければならない。ここでの好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が特に好ましい。さらに、導電性のドープされた有機材料、とりわけ伝導性のドープされたポリマーが好ましい。加えて、アノードは、２つ以上の層、たとえばＩＴＯの内層と、金属酸化物、好ましくはタングステン酸化物、モリブデン酸化物または酸化バナジウムの外層からなっていてもよい。

デバイスは適切に（用途に応じて）構造化され、接点が接続され、水と空気の損傷効果を排除するために、最終的に密閉される。

好ましい一態様において、電子デバイスは、１つ以上の層が昇華プロセスによりコーティングされることを特徴とする。この場合、材料は、真空昇華系において、１０^－５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０^－６ｍｂａｒ未満の初期圧力で蒸着により付与される。ただし、この場合、初期圧力をさらに低く、たとえば１０^－７ｍｂａｒ未満とすることも可能である。

同様に、１つ以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）法により、またはキャリアガス昇華の助力によりコーティングされることを特徴とする電子デバイスが好ましい。この場合、材料は、１０^－５ｍｂａｒ乃至１ｂａｒの圧力で付与される。この方法の特殊なケースがＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、この方法では、材料がノズルにより直接付与され、したがって構造化される（たとえばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。

加えて、１つ以上の層が、溶液から、たとえばスピンコーティングにより、または任意の印刷法、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷もしくはオフセット印刷であるが、より好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱イメージング、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷により生成されることを特徴とする電子デバイスが好ましい。この目的のためには式（Ｉ）の可溶性化合物が必要である。高い溶解度は、化合物の適切な置換により実現することができる。

本発明の電子デバイスは、１つ以上の層を溶液から付与し、１つ以上の層を昇華プロセスにより付与することにより製造されることがさらに好ましい。

本発明によると、１つ以上の式（Ｉ）の化合物を含む電子デバイスは、照明用途の光源として、医療用および／または美容用途の光源として、表示装置に使用することができる。

［例］
Ａ）合成例
以下に続く合成は、特に断らない限り、保護ガス雰囲気下、乾燥溶媒中で行われる。溶媒および試薬は、たとえば、Ｓｉｇｍａ－ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入することができる。角括弧内それぞれの数字または個々の化合物について引用した番号は、文献から公知の化合物のＣＡＳ番号に関する。
Ａ－１）シントンの調製：

４－ジベンゾフランボロン酸［ＣＡＳ－１００１２４－０６－９］（７０．１０ｇ；３３０．７ｍｍｏｌ）、３－ブロモアニリン［ＣＡＳ－５９１－１９－５］（５２．００ｇ；３０２．２ｍｍｏｌ）および２０％ｗ／ｗ水酸化ナトリウム溶液（１８０ｍｌ；１．３７ｍｏｌ）を最初にテトラヒドロフラン（７５０ｍｌ）および水（１００ｍｌ）に投入し、アルゴンで４５分間飽和させる。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［ＣＡＳ－５１３６４－５１－３］（２７６ｍｇ；０．３０ｍｍｏｌ）およびトリ－ｏ－トリルホスフィン（９２０ｍｇ；３．０２ｍｍｏｌ）を導入し、反応混合物を還流下１０時間撹拌する。混合物を冷却後、氷酢酸でｐＨ７に調節し、有機相を分液漏斗で分離し、単離する。続いて、有機相を、フリットを通して酢酸エチルスラリーの形態のシリカゲルでろ過する。シリカゲルを酢酸エチルで２回（各回１５０ｍｌ）洗浄し、ろ液をＮａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ、次いで乾燥するまで濃縮する。粗生成物を酢酸エチルから再結晶させる。収率：６６．５ｇ（２４４ｍｍｏｌ）、８１％；純度：^１Ｈ ＮＭＲにより９５％を超える。

４－ジベンゾフランボロン酸ではなく２－ジベンゾチオフェンボロン酸［ＣＡＳ－６６８９８３－９７－９］を、３－ブロモアニリンではなく４－ブロモアニリン［ＣＡＳ－１０６－４０－１］を使用することを除き、Ｓ１に関する実験的記述と同様の手順。後処理は、同様である。粗生成物をｎ－ブタノールから再結晶させる。収率７３．５ｇ（２６７ｍｍｏｌ、８８％）；純度^１Ｈ ＮＭＲにより９７％を超える。

４－ジベンゾフランボロン酸ではなく３－Ｎ－フェニルカルバゾールボロン酸［ＣＡＳ－８５４９５２－５８－２］を、３－ブロモアニリンではなく２－ブロモアニリン［ＣＡＳ－６１５－３６－１］を使用することを除き、Ｓ１に関する実験的記述と同様の手順。後処理は、同様である。粗生成物をカラムクロマトグラフィーによって精製する。収率４８．０ｇ（１４４ｍｍｏｌ、４７％）；純度^１Ｈ ＮＭＲにより９５％を超える。

以下に続く化合物は、同様の方法で調製することができる。この場合、精製は、カラムクロマトグラフィー、または他の標準的な溶媒、たとえばエタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、メタノール、テトラヒドロフラン、酢酸ｎ－ブチル、１，４－ジオキサンを使用した再結晶化もしくは高温抽出、または高沸点溶媒、たとえばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドンなどを使用した再結晶化を用いて実施することもできる。収率は、典型的には４０％乃至９０％の範囲である。

４－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アニリン［ＣＡＳ－１３７００３４－５９－５］（１６．７２ｇ；５０．０ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－９４２６１５－３２－９］（１４．３４ｇ；５２．５ｍｍｏｌ）および炭酸セシウム（３２．５８ｇ；１００．０ｍｍｏｌ）を最初にｏ－キシレン（３００ｍｌ）に投入し、アルゴンで４５分間飽和させる。その後、１，１－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）のＤＣＭとの錯体［ＣＡＳ－９５４６４－０５－４］（１．２２ｇ；１．５ｍｍｏｌ）を導入し、反応混合物を還流下２４時間撹拌する。混合物を冷却した後、４００ｍｌのトルエンで希釈し、有機相を水（２×４００ｍｌ）で洗浄する。有機相を使用してＣｅｌｉｔｅ床スラリーを形成し、トルエンでろ過し、ろ液をＮａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ、乾燥するまで濃縮する。残留物をシクロヘキサンから再結晶させる。収率：２０．４ｇ（３８．７ｍｍｏｌ）、７７％；純度：^１Ｈ ＮＭＲにより９８％を超える。

４－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アニリンではなくＳ１９を、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく３－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－１１９０３６０－２３－６］を使用することを除き、Ｓ１００に関する実験的記述と同様の手順。粗生成物をカラムクロマトグラフィーによって精製する。収率：１０．９ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）、４８％；純度：^１Ｈ ＮＭＲにより９７％を超える。

４－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アニリンではなくＳ８を、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく１－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－１２２５０５３－５４－２］を使用することを除き、Ｓ１００に関する実験的記述と同様の手順。粗生成物を、アセトニトリルから再結晶させる。収率：１５．９ｇ（３３．９ｍｍｏｌ）、６８％；純度：^１Ｈ ＮＭＲにより９７％を超える。

同様の方法で、下記の化合物を調製することが可能である：この場合、使用する触媒系は、１，１－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）のＤＣＭとの錯体［ＣＡＳ－９５４６４－０５－４］ではなく、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［ＣＡＳ－５１３６４－５１－３］（０．０２当量）およびＳ－Ｐｈｏｓ［ＣＡＳ－６５７４０８－０７－６］（０．０４当量）であってもよい。この場合、精製は、カラムクロマトグラフィー、または他の標準的な溶媒、たとえばエタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、メタノール、テトラヒドロフラン、酢酸ｎ－ブチル、１，４－ジオキサンを使用した再結晶化もしくは高温抽出、または高沸点溶媒、たとえばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドンなどを使用した再結晶化を用いて実施することもできる。収率は、典型的には４０％乃至８５％の範囲である。

Ａ－２）最終生成物の調製

４－ジベンゾフラン－４－イルフェニルアミン［ＣＡＳ５７８０２７－２１－１］（１２．００ｇ；４６．２６ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－９４２６１５－３２－９］（２６．５５ｇ；９７．２ｍｍｏｌ）およびナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（１３．３４ｇ；１３８．８３ｍｍｏｌ）を最初にトルエン（５００ｍｌ）に投入し、アルゴンで４５分間飽和させる。その後、酢酸パラジウム（ＩＩ）［３３７５－３１－３］（５１９ｍｇ；２．３１ｍｍｏｌ）および１．０Ｍのトリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィンのトルエン溶液［１３７１６－１２－６］（４．６３ｍｌ；４．６３ｍｍｏｌ）を導入し、混合物を還流下１６時間撹拌する。この混合物を冷却した後、２００ｍｌのｎ－ヘプタンで希釈し、沈殿する固体を吸引ろ過し、５００ｍｌの水と共に撹拌し、固体を再度ろ過し、エタノール（４×５０ｍｌ）で洗浄する。粗生成物を酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的な高温抽出に２回供し、次いでｏ－キシレンから２回再結晶させ、最後に高真空下で昇華させる。

収率：１６．０ｇ（２４．９ｍｍｏｌ）、５４％；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく４－ブロモ－９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－７１３１２５－２２－５］を使用することを除き、Ｐ１に関する実験的記述と同様の手順。精製は、酸化アルミニウム上でのトルエンを用いた基本的な高温抽出２回、ｏ－キシレンからの再結晶化１回、および最終の高真空下での昇華により実施する。収率：２６．４ｇ（２９．６ｍｍｏｌ、６４％）；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

４－ジベンゾフラン－４－イルフェニルアミンではなくＳ１０（４６．２６ｍｍｏｌ）を、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく１－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－１２２５０５３－５４－２］を使用することを除き、Ｐ１に関する実験的記述と同様の手順。精製は、酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的高温抽出２回、酢酸ｎ－ブチルからの再結晶化２回、および最終の高真空下での昇華により実施する。収率：６．６ｇ（９．１ｍｍｏｌ、２０％）；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

４－ジベンゾフラン－４－イルフェニルアミンではなく１－ジベンゾチオフェン－２－イルフェニルアミン［ＣＡＳ－１８５０４０６－５３－９］（４６．２６ｍｍｏｌ）を、４－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく３－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－１１９０３６０－２３－６］を使用することを除き、Ｐ１に関する実験的記述と同様の手順。使用する触媒系は、酢酸パラジウム（ＩＩ）およびトリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィンではなく、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［ＣＡＳ－５１３６４－５１－３］（０．０１当量）およびＳ－Ｐｈｏｓ［ＣＡＳ－６５７４０８－０７－６］（０．０３当量）である。精製は、酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的高温抽出２回、トルエンからの再結晶化１回、および最終の高真空下での昇華により実施する。収率：１０．１ｇ（１５．３ｍｍｏｌ、３３％）；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

同様の方法で、下記の化合物を調製することが可能である：この場合、精製は、カラムクロマトグラフィー、または他の標準的な溶媒、たとえばエタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、メタノール、テトラヒドロフラン、酢酸ｎ－ブチル、１，４－ジオキサンを使用した再結晶化もしくは高温抽出、または高沸点溶媒、たとえばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドンなどを使用した再結晶化を用いて実施することもできる。収率は、典型的には１５％乃至７５％の範囲である。

Ｎ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミン［ＣＡＳ－１９３３４５４－４９－９］（２０．４ｇ；４５．２７ｍｍｏｌ）、２－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－２８３２０－３１－２］（１４．１ｇ；５０．０ｍｍｏｌ）およびナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（６．７８ｇ；７０．５５ｍｍｏｌ）を最初にトルエン（３５０ｍｌ）に投入し、アルゴンで４５分間飽和させる。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［ＣＡＳ－５１３６４－５１－３］（８３１ｍｇ；０．９１ｍｍｏｌ）およびＳ－Ｐｈｏｓ［ＣＡＳ－６５７４０８－０７－６］（７４５ｍｇ；１．９１ｍｍｏｌ）を導入し、反応混合物を還流下１６時間撹拌する。この混合物を冷却した後、水（３００ｍｌ）で希釈し、分液漏斗での抽出により後処理を行った。有機相を水で２回（各回３００ｍｌ）洗浄し、Ｎａ_２ＳＯ_４上で乾燥させ、乾燥するまで濃縮する。粗生成物を酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的な高温抽出に２回供し、次いでｎ－ブタノールから２回再結晶させ、最後に高真空下で昇華させる。収率：１３．６ｇ（１９．６ｍｍｏｌ）、４３％；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

Ｎ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミンではなく９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－３－アミン［ＣＡＳ－２１１０５１３－１３－６］を使用することを除き、Ｐ２００に関する実験的記述と同様の手順。粗生成物を酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的な高温抽出に２回供し、次いで酢酸エチルから２回再結晶させ、最後に高真空下で昇華させる。収率：１２．４ｇ（１７．２ｍｍｏｌ）、３８％；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

Ｎ－（４－（ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン－４－イル）フェニル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－４－アミンではなくＳ１０２を、２－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレンではなく３－ブロモ－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン［ＣＡＳ－１１９０３６０－２３－６］を使用することを除き、Ｐ２００に関する実験的記述と同様の手順。粗生成物を酸化アルミニウム上でのトルエン／ｎ－ヘプタンを用いた基本的な高温抽出に２回供し、次いで酢酸ｎ－ブチルから２回再結晶させ、最後に高真空下で昇華させる。収率：１４．１ｇ（２１．３ｍｍｏｌ）、４７％；純度：ＨＰＬＣにより９９．９％を超える。

同様の方法で、下記の化合物を調製することが可能である：この場合、使用する触媒系は、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）［ＣＡＳ－５１３６４－５１－３］およびＳ－Ｐｈｏｓ［ＣＡＳ－６５７４０８－０７－６］ではなく、酢酸パラジウム（ＩＩ）［３３７５－３１－３］（０．０２当量）および１．０Ｍのトリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィンのトルエン溶液［１３７１６－１２－６］（０．０５当量）であってもよい。この場合、精製は、カラムクロマトグラフィー、または他の標準的な溶媒、たとえばエタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、アセトニトリル、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、メタノール、テトラヒドロフラン、酢酸ｎ－ブチル、１，４－ジオキサンを使用した再結晶化もしくは高温抽出、または高沸点溶媒、たとえばジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドンなどを使用した再結晶化を用いて実施することもできる。収率は、典型的に１５％乃至７５％の範囲である。

Ｂ）デバイス例
ＯＬＥＤを、下記のように製造する：
厚さ５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）でコーティングするガラスプラークを、コーティング前に酸素プラズマで処理した後、アルゴンプラズマで処理する。これらのプラズマ処理したガラスプラークが、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。

ＯＬＥＤは基本的に、下記の層構造を有する：基板／正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／電子阻止層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／正孔阻止層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）、および最後にカソード。カソードは、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層により形成される。ＯＬＥＤの正確な構造は、表１に見出すことができる。ＯＬＥＤの製造に必要な材料を、表２に示す。ＯＬＥＤのデータを、表３に挙げる。

材料は全て、真空チャンバにおいて熱蒸着により付与される。この場合、発光層は、常に少なくとも１種のマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸着により特定の体積割合でマトリックス材料（複数可）に添加される発光ドーパント（発光体）からなる。ここで、ＩＣ１：ＩＶ１：ＴＥＧ１（５５％：３５％：１０％）のような形態で与えられる詳細は、材料ＩＣ１が５５％の体積割合で、ＩＶ１が３５％の割合で、ＴＥＧ１が１０％の割合で層中に存在することを意味する。

同様に、電子輸送層も、２種の材料の混合物からなる。

ＯＬＥＤは、標準的な方法により特徴決定される。この目的のため、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ＣＥ、ｃｄ／Ａ単位で測定）および外部量子効率（ＥＱＥ、％単位で測定）を、ランバート発光特性を仮定する電流－電圧－輝度特性から計算される輝度の関数として判定し、寿命も同様である。エレクトロルミネッセンススペクトルは、１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度で判定され、それからＣＩＥ１９３１ｘおよびｙ色座標が計算される。表３中のパラメータＵ１０００は、１０００ｃｄ／ｍ^２の輝度ために必要な電圧を指す。ＣＥ１０００およびＥＱＥ１０００はそれぞれ、１０００ｃｄ／ｍ^２で達成される電流効率および外部量子効率を表す。

寿命ＬＴは、一定の電流密度ｊ_０で作動させた場合に、輝度が初期輝度からある特定の割合Ｌ１に低下するまでの時間と定義される。表３中のＬ１＝８０％の数字は、ＬＴ欄に報告された寿命が、輝度がその初期値の８０％に低下するまでの時間に対応することを意味する。

本発明の化合物ＩＶ１およびＩＶ２を、例Ｉ１およびＩ２においてマトリックス材料として、緑色三重項発光体を含む発光層に使用している。上記の性能データに関して非常に良好な結果が得られる（表３ａ）。

例Ｉ１およびＩ２のモデルによると、表４に示すような本発明のさらなる化合物の使用により、性能データの優れたＯＬＥＤが得られ、それは、本発明の化合物の広範な適用可能性を実証するものである。本発明の化合物は、例における非常に良好な寿命が注目すべき点である。

同時に、良好な性能データ、とりわけ良好な寿命も同様に実現される。

ＯＬＥＤ Ｃ１（先行技術、ＰＡ１を含む）およびＩ２（本発明、ＩＶ２を含む）における２種の化合物ＰＡ１およびＩＶ２の直接比較において、本発明の化合物ＩＶ２を含むＯＬＥＤは、遙かに良好な寿命を有し、作動電圧がわずかに低下することが見出される。

Claims (14)

1. 式（Ｉ－Ａ－４）
   （式中、フルオレニル基上のフリーの位置は、それぞれＲ^２ラジカルにより置換されていてもよく、加えて：
   Ｒ^１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルおよびアルコキシ基、ならびに３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基から選択され、ここで、２つ以上のＲ^１ラジカルは、互いに結合して、環を形成していてもよく；言及した前記アルキルおよびアルコキシ基は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；
   Ａｒ^１は、６～２０個の芳香族環原子を有し、１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよい芳香族環系から選択され；
   ＨｅｔＡｒ^１は、ジベンゾフラン、ベンゾナフトフラン、ジベンゾチオフェン、ベンゾナフトチオフェン、その炭素原子のうちの１個を介して結合しているカルバゾール、その窒素原子を介して結合しているカルバゾール、その炭素原子のうちの１個を介して結合しているベンゾカルバゾール、およびその窒素原子を介して結合しているベンゾカルバゾールから選択され、１つ以上のＲ^５ラジカルにより置換されていてもよく；
   Ｒ^２は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）_２、ＯＲ^１１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、Ｒ^２ラジカルから選択される２つ以上のラジカルは、各場合において互いに結合して、環を形成していてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^１１Ｃ＝ＣＲ^１１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^１１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１１－、ＮＲ^１１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
   Ｒ^４は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）_２、ＯＲ^１１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、Ｒ^４ラジカルから選択される２つ以上のラジカルは、各場合において互いに結合して、環を形成していてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^１１Ｃ＝ＣＲ^１１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^１１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１１－、ＮＲ^１１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
   Ｒ^５は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^１１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^１１）_３、Ｎ（Ｒ^１１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）_２、ＯＲ^１１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^１１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^１１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、および６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系から選択され；ここで、Ｒ^５ラジカルから選択される２つ以上のラジカルは、各場合において互いに結合して環を形成していてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^１１Ｃ＝ＣＲ^１１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^１１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^１１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^１１－、ＮＲ^１１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^１１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
   Ｒ^１１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ^２１、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^２１）_３、Ｎ（Ｒ^２１）_２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２１）_２、ＯＲ^２１、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ^２１、Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^２１、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、２つ以上のＲ^１１ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、ならびに言及した前記芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^２１ラジカルにより置換されていてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１つ以上のＣＨ_２基は、－Ｒ^２１Ｃ＝ＣＲ^２１－、－Ｃ≡Ｃ－、Ｓｉ（Ｒ^２１）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ^２１、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ^２１－、ＮＲ^２１、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^２１）、－Ｏ－、－Ｓ－、ＳＯまたはＳＯ_２により置きかえられていてもよく；
   Ｒ^２１は、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１～２０個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基、２～２０個の炭素原子を有するアルケニルまたはアルキニル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され；ここで、２つ以上のＲ^３ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく；言及した前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基、芳香族環系およびヘテロ芳香族環系は、ＦおよびＣＮから選択される１つ以上のラジカルにより置換されていてもよい。）
   の化合物。
2. Ｒ^１が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、１～１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基および３～１０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基から選択され、ここで、２つ以上のＲ^１ラジカルは、互いに結合していても、環を形成していてもよく、前記アルキル基中の１個以上の水素原子は、Ｄにより置きかえられていてもよいことを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
3. Ａｒ^１が、各場合において１つ以上のＲ^４ラジカルにより置換されていてもよいベンゼンであることを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
4. ＨｅｔＡｒ^１が、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびカルバゾールから選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^５ラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項１～３の何れか１項に記載の化合物。
5. Ｒ^２が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；
   Ｒ^４が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよく；
   Ｒ^５が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、および６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系から選択され、これらのそれぞれは、１つ以上のＲ^１１ラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項１～４の何れか１項に記載の化合物。
6. Ｒ^１１が、それぞれの場合において同じであるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ^２１）_３、Ｎ（Ｒ^２１）_２、１～２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３～２０個の炭素原子を有する分枝または環状アルキル基、６～４０個の芳香族環原子を有する芳香族環系、および５～４０個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系から選択され、ここで、言及した前記アルキル基、言及した前記芳香族環系および言及した前記ヘテロ芳香族環系は、それぞれ１つ以上のＲ^２１ラジカルにより置換されていてもよいことを特徴とする、請求項１～５の何れか１項に記載の化合物。
7. －Ａｒ^１－ＨｅｔＡｒ^１基が、式（Ｈ－１）または（Ｈ－２）
   （式中、Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ^５であり；
   唯一つのＲ ^４ ラジカルおよび唯一つのＲ ^５ ラジカルが、式（Ｈ－１）および（Ｈ－２）に存在する；
   前記基は、自由結合手を介して窒素原子に結合している）
   に合致することを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
8. 請求項１～７の何れか１項に記載の化合物を調製するための方法であって、出現する可変基が請求項１～７の何れか１項において式（Ｉ－Ａ－４）に関して定義した通りである化合物ＨｅｔＡｒ^１－Ａｒ^１－ＮＨ_２を、ブッフバルトカップリング反応で反応性Ｘ基（Ｘは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択される）を有するフルオレンと反応させることを特徴とする、方法。
9. 請求項１～７の何れか１項に記載の１種以上の式（Ｉ－Ａ－４）の化合物を含有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーであって、前記ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの結合（複数可）が、式（Ｉ）中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４またはＲ^５により置換されている任意所望の位置に局在していてもよい、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマー。
10. 請求項１～７の何れか１項に記載の少なくとも１種の化合物、または請求項９に記載の１種のポリマー、オリゴマーもしくはデンドリマーと、少なくとも１種の溶媒を含む調合物。
11. 請求項１～７の何れか１項に記載の少なくとも１種の化合物、または請求項９に記載の１種のポリマー、オリゴマーもしくはデンドリマーを含む電子デバイス。
12. アノード、カソードおよび少なくとも１つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスであって、ここで、前記少なくとも１種の化合物を含むのが、発光層および正孔輸送層から選択される前記デバイスの少なくとも１つの有機層であることを特徴とする、請求項１１に記載の電子デバイス。
13. アノード、カソードおよび少なくとも１つの発光層を含み、前記少なくとも１種の化合物が、少なくとも１種のリン光発光体と組み合わせて発光層に存在することを特徴とする、請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
14. 請求項１～７の何れか１項に記載の化合物の電子デバイスにおける使用。