JP7433480B2 - パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 - Google Patents
パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7433480B2 JP7433480B2 JP2022576650A JP2022576650A JP7433480B2 JP 7433480 B2 JP7433480 B2 JP 7433480B2 JP 2022576650 A JP2022576650 A JP 2022576650A JP 2022576650 A JP2022576650 A JP 2022576650A JP 7433480 B2 JP7433480 B2 JP 7433480B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- module
- uneven
- power semiconductor
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 102
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 61
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 4
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 aluminum A1050 series Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4878—Mechanical treatment, e.g. deforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
- H05K7/20409—Outer radiating structures on heat dissipating housings, e.g. fins integrated with the housing
- H05K7/20418—Outer radiating structures on heat dissipating housings, e.g. fins integrated with the housing the radiating structures being additional and fastened onto the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
実施の形態1に係るパワー半導体装置について説明する。図1に、パワー半導体装置の一部断面を含む分解側面図を示す。図1に示すように、パワー半導体装置1は、パワーモジュール部11およびヒートシンク51を備えている。パワーモジュール部11には、第1凹凸部としての凹凸部15が形成されている。ヒートシンク51には、第2凹凸部としての凹凸部55が形成されている。
上述したパワー半導体装置1におけるモジュールベース13に形成されたバッファ凹部15cとしては、Y軸方向に沿って一様に形成されている場合を例に挙げて説明した(図2参照)。バッファ凹部15cとしては、これに限られるものではなく、図17に示すように、Y軸方向に沿って不連続に形成されたバッファ凹部15cでもよい。この場合においても、バッファ凹部15cが一様に形成されている場合と同様の効果を得ることができる。
ヒートシンク51の放熱フィン63は、たとえば、アルミニウムまたはアルミニウム合金等から形成された板材(圧延材)とされる。このような板材とすることで、加工性と放熱性との双方を両立させることができる。
実施の形態2に係るパワー半導体装置について説明する。図34に、パワー半導体装置1の一部断面を含む分解側面図を示し、図35に、パワーモジュール部11とヒートシンク51とを一体化したパワー半導体装置1の側面図を示す。
ここでは、上述した実施の形態1または実施の形態2において説明したパワー半導体装置1を適用した電力変換装置について説明する。本開示は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに本開示を適用した場合について説明する。
Claims (14)
- 第1凹凸部が形成されたモジュールベースを有し、前記モジュールベースに電力用半導体素子が搭載されて封止材によって封止されたパワーモジュール部と、
第2凹凸部が形成され、前記第2凹凸部と前記第1凹凸部とを互いに嵌合させる態様で前記モジュールベースに接合されたヒートシンクベース部と、
前記ヒートシンクベース部に装着された複数の放熱フィンと
を有し、
前記モジュールベースおよび前記ヒートシンクベース部は、前記モジュールベースと前記ヒートシンクベース部とが接合された状態で、前記第1凹凸部および前記第2凹凸部のいずれかが、空間として残されるバッファ凹部を備える態様で形成された、パワー半導体装置。 - 前記ヒートシンクベース部は、前記放熱フィンが装着された放熱拡散部を含み、
前記第2凹凸部は、前記放熱拡散部に形成された、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記ヒートシンクベース部は、
前記放熱フィンが装着された放熱拡散部と、
前記放熱拡散部から前記パワーモジュール部が位置する側に向かって嵩上げされた嵩上げ部と
を含み、
前記第2凹凸部は、前記嵩上げ部に形成された、請求項1記載のパワー半導体装置。 - 前記第1凹凸部は、第1方向に延在するように形成され、
前記第2凹凸部は、前記第1方向に延在するように形成された、請求項1~3のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。 - 前記第1凹凸部および前記第2凹凸部には、不連続な部分が設けられた、請求項4記載のパワー半導体装置。
- 前記バッファ凹部は、前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とが互いに嵌合して隣り合う一の凹部と他の凹部との間に、少なくとも1つ配置された、請求項1~5のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。
- 複数の前記放熱フィンは、第2方向にそれぞれ延在するように配置されるとともに、前記第2方向と交差する第3方向に互いに間隔を開けて配置された、請求項1~6のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。
- 複数の前記放熱フィンは、
前記第2方向にそれぞれ延在する複数の放熱フィン第1部と、
複数の前記放熱フィン第1部とは、前記第2方向に間隔を開けて、前記第2方向にそれぞれ延在する複数の放熱フィン第2部と
を含む、請求項7記載のパワー半導体装置。 - 複数の前記放熱フィン第1部のそれぞれの前記第3方向の位置と、複数の前記放熱フィン第2部のそれぞれの前記第3方向の位置とは、互いにずれている、請求項8記載のパワー半導体装置。
- 前記放熱フィンは、前記ヒートシンクベース部における外周部に位置する領域以外の領域に装着された、請求項1~9のいずれか1項に記載のパワー半導体装置。
- 第1凹凸部が形成されたモジュールベースを用意する工程と、
前記モジュールベースに電力用半導体素子を搭載し、前記第1凹凸部を露出させる態様で前記電力用半導体素子を封止材により封止することによって、パワーモジュール部を形成する工程と、
前記第1凹凸部と嵌合する第2凹凸部が形成されたヒートシンクベース部を用意する工程と、
前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とを互いに対向させて、前記パワーモジュール部における前記モジュールベースおよび前記ヒートシンクベース部の一方を他方に押圧し、前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とを互いに嵌合させることによって、前記モジュールベースと前記ヒートシンクベース部とを一体化する工程と
を備え、
前記モジュールベースを用意する工程および前記ヒートシンクベース部を用意する工程では、前記モジュールベースと前記ヒートシンクベース部とが接合された状態で、前記第1凹凸部および前記第2凹凸部のいずれかが、空間として残されるバッファ凹部を備える態様で形成される、パワー半導体装置の製造方法。 - 前記ヒートシンクベース部を用意する工程は、前記パワーモジュール部が接合される側とは反対側に、複数の放熱フィンが挿入される放熱フィン挿入溝と、前記放熱フィン挿入溝に挿入された前記放熱フィンをかしめるかしめ部とが形成された前記ヒートシンクベース部を用意する工程を含み、
前記モジュールベースと前記ヒートシンクベース部とを一体化する工程は、
前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とを互いに対向させるとともに、複数の前記放熱フィンを対応する前記放熱フィン挿入溝に配置する工程と、
かしめ治具を前記かしめ部に接触させ、前記ヒートシンクベース部を前記モジュールベースに向けて押圧することにより、前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とを互いに嵌合させるとともに、前記かしめ部をかしめて複数の前記放熱フィンを前記ヒートシンクベース部に装着させて、前記モジュールベース、前記ヒートシンクベース部および複数の前記放熱フィンを一体化する工程と
を含む、請求項11記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 前記ヒートシンクベース部を用意する工程は、前記パワーモジュール部が接合される側とは反対側に、複数の放熱フィンが一体的に配置された前記ヒートシンクベース部を用意する工程を含み、
前記モジュールベースと前記ヒートシンクベース部とを一体化する工程は、
前記ヒートシンクベース部をヒートシンクセット治具に配置する工程と、
前記ヒートシンクセット治具に配置された前記ヒートシンクベース部の前記第2凹凸部に前記第1凹凸部が対向するように、前記パワーモジュール部を配置する工程と、
前記パワーモジュール部を前記ヒートシンクベース部に向かって押圧することにより、前記第1凹凸部と前記第2凹凸部とを互いに嵌合する工程と
を含む、請求項11記載のパワー半導体装置の製造方法。 - 請求項1~10のいずれか1項に記載のパワー半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と
を備えた電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021008385 | 2021-01-22 | ||
JP2021008385 | 2021-01-22 | ||
PCT/JP2022/001154 WO2022158392A1 (ja) | 2021-01-22 | 2022-01-14 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022158392A1 JPWO2022158392A1 (ja) | 2022-07-28 |
JPWO2022158392A5 JPWO2022158392A5 (ja) | 2023-09-05 |
JP7433480B2 true JP7433480B2 (ja) | 2024-02-19 |
Family
ID=82548896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022576650A Active JP7433480B2 (ja) | 2021-01-22 | 2022-01-14 | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240074122A1 (ja) |
JP (1) | JP7433480B2 (ja) |
CN (1) | CN116762170A (ja) |
WO (1) | WO2022158392A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011155118A (ja) | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hitachi Ltd | ヒートシンク取付体およびヒートシンク取付け方法 |
JP2013165122A (ja) | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014179394A (ja) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2018079396A1 (ja) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2018097027A1 (ja) | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2022
- 2022-01-14 US US18/258,037 patent/US20240074122A1/en active Pending
- 2022-01-14 JP JP2022576650A patent/JP7433480B2/ja active Active
- 2022-01-14 WO PCT/JP2022/001154 patent/WO2022158392A1/ja active Application Filing
- 2022-01-14 CN CN202280009644.XA patent/CN116762170A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011155118A (ja) | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Hitachi Ltd | ヒートシンク取付体およびヒートシンク取付け方法 |
JP2013165122A (ja) | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014179394A (ja) | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
WO2018079396A1 (ja) | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2018097027A1 (ja) | 2016-11-24 | 2018-05-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022158392A1 (ja) | 2022-07-28 |
JPWO2022158392A1 (ja) | 2022-07-28 |
US20240074122A1 (en) | 2024-02-29 |
CN116762170A (zh) | 2023-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5941787B2 (ja) | パワーモジュールおよびパワーモジュールの製造方法 | |
JP5427745B2 (ja) | パワー半導体モジュール及びその製造方法 | |
US8630093B2 (en) | Semiconductor device | |
US20130050947A1 (en) | Power module, method for manufacturing power module, and molding die | |
CN110137140B (zh) | 功率模块以及电力变换装置 | |
JP6752381B1 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
WO2022265003A1 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
WO2013001905A1 (ja) | リードフレーム、及び、パワーモジュール | |
JP7433480B2 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JPWO2019044177A1 (ja) | パワー半導体装置及びその製造方法 | |
JP7002645B2 (ja) | パワー半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
JP5353825B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2010129584A (ja) | ヒートシンクの加工装置及び加工方法 | |
JP2010177574A (ja) | 半導体装置 | |
US11996299B2 (en) | Methods for manufacturing a semiconductor device | |
JP7493605B2 (ja) | 半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置 | |
JP5899962B2 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換装置 | |
CN110268518B (zh) | 半导体装置及电力转换装置 | |
WO2024171848A1 (ja) | パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法、および電力変換装置 | |
WO2024014410A1 (ja) | パワー半導体装置および電力変換装置 | |
WO2023223804A1 (ja) | パワーモジュール、パワーモジュールの製造方法、および電力変換装置 | |
JP7468415B2 (ja) | 半導体装置、電力変換装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP3127096B2 (ja) | 放熱ヒートシンク | |
JP7546783B2 (ja) | 半導体装置、電力変換装置、および、半導体装置の製造方法 | |
JP7483128B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230616 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7433480 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |