JP7432119B2 - シリコン基板上へのダイヤモンド成長方法、及びシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法 - Google Patents
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Description
ダイヤモンドの成長では、マイクロ波プラズマや、DCプラズマ、タングステンのようなフィラメントを用いるホットフィラメント法が採用されるが、大直径基板への適用を考えた場合は、原理的に大直径が可能なホットフィラメント法が注目される。
また、選択的にダイヤモンドを所定の場所に成長させることが必要になる。なぜなら、ダイヤモンドは高硬度のため加工が難しく、また、酸素が存在した状態で高温になると酸化が進んでしまう問題があり、全面に成膜を行ってから加工することが難しいためである。
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、汚染やパーティクルを抑制しつつ、簡易な製造プロセスでシリコン基板上へのダイヤモンド成長を行う成長方法、及びシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法を提供することを目的とする。
この場合、前処理はシリコン基板表面全体に行ってもよいし、一部の領域のみに行ってもよい。
本発明のシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法は、前処理として前記シリコン基板表面に、ラマン分光法による520cm-1のピークのラマンシフトが0.1cm-1以上になるようにダメージの付与を行うか、前記シリコン基板表面に、AFMで測定した表面粗さSaが10nm以上になるように凹凸の形成を行うか、又は、前記シリコン基板表面に、前記ダメージの付与及び前記凹凸の形成の両方を行い、該前処理を行ったシリコン基板上にダイヤモンドをCVD法により成長するシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法である。
ここで、ダイヤモンドの成長は、ラマン測定を行い、1330cm-1のピークと光学顕微鏡像から確認した。例えば図2に示すように1330cm-1付近にダイヤモンドのラマンピーク5が確認できれば、ダイヤモンドが成長したことがわかる。なお、1600cm-1付近には炭化物(グラファイト)のラマンピーク6が確認できる。
また、本発明では、シリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法であって、上記に記載のシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法において前処理として、前記シリコン基板表面の一部の領域のみに前記ダメージの付与を行うか、前記シリコン基板表面の一部の領域のみに前記凹凸の形成を行うか、又は、前記シリコン基板表面の一部の領域のみに前記ダメージの付与及び前記凹凸の形成の両方を行い、該前処理を行った前記領域上にダイヤモンドをCVD法により成長するシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法を提供する。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、このままのもの(CMP上がり)と、#12000砥石で研削、#3000砥石で研削の表面状態の異なる3種類の基板を準備した。それぞれの基板表面のラマン測定を行い、520cm-1からのシリコンのピークシフトを評価したところ、CMP上がりは0cm-1、#12000研削は0.1cm-1、#3000研削は0.5cm-1のシフト量であった。
これらの基板をそれぞれ、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板のラマンシフト量とダイヤモンド成長に関係がみられ、シリコン基板のラマンシフト量が0cm-1ではダイヤモンド成長がみられないが、0.1cm-1以上ではダイヤモンドの成長がみられた(図3)。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、このままのもの(CMP上がり)と、#12000砥石で研削、#3000砥石で研削の表面状態の異なる3種類の基板を準備した。それぞれの基板表面のAFMによる粗さ測定を行ったところ、CMP上がりは1nm、#12000研削は10nm、#3000研削は50nmの粗さSaであった。ただし、Sa=50nm(#3000)はAFMの信頼性が低いために、白色干渉顕微鏡で100μmの視野でも確認した。
これらの基板をそれぞれ、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板の表面粗さSaとダイヤモンド成長に関係がみられ、シリコン基板の表面粗さSaが1nmではダイヤモンド成長がみられないが、10nm以上ではダイヤモンドの成長がみられた(図4)。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、部分研磨装置を用いて、#12000の小型砥石で表面を研削して、基板表面のラマン測定を行い、520cm-1からのシリコンのピークシフト量が0.1cm-1のシフトであるサンプルを準備した。
この基板を、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板上で部分的に研削した箇所のみダイヤモンド成長がみられた(図6)。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、部分研磨装置を用いて、#12000の小型砥石で表面を研削して基板表面のAFMによる粗さ測定を行ったところ10nmの粗さSaであった。
この基板を、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板上で部分的に研削した箇所のみダイヤモンド成長がみられた(図6)。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、フォトリソグラフィーを行い、所定の場所のみ窓開けを行った後に、プラズマエッチング装置にて、CF4をエッチングガスとして流量を100sscm、100Torr(13332Pa)の条件で5分間エッチングを行った。その後、レジストを酸素プラズマで除去して、ラマンとAFMによって粗さとダメージを測定した。その結果、AFMによる粗さSaは15nm、ラマンスペクトルでは520cm-1のピークシフト量が1cm-1であった。
この基板を、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板上で部分的に研削した箇所のみダイヤモンド成長がみられた(図7)。
直径300mm、方位(111)、ボロンドープの高抵抗単結晶シリコン基板を準備し、基板を酸化して100nmのシリコン酸化膜を形成後にフォトリソグラフィーを行い、所定の場所のみ酸化膜に窓開けを行った。この後に、10%のKOH水溶液にて5分間エッチングを行った。その後、酸化膜をバッファードHFで除去して、ラマンとAFMによって粗さとダメージを測定した。その結果、AFMによる粗さSaは50nm、ラマンスペクトルでは520cm-1のピークシフト量が1.2cm-1であった。
この基板を、ホットフィラメントCVD装置に入れ、フィラメント温度:2200℃、H2流量:10SLM、CH4濃度:3%、基板温度:850℃、5Torr(667Pa)の条件で4時間の成長を行った。そのあと、ラマン測定を行いダイヤモンドの成長を評価した。その結果、シリコン基板上で部分的に研削した箇所のみダイヤモンド成長がみられた(図8)。
3…タングステンフィラメント、 4…反応ガス(メタンと水素)、
5…ダイヤモンドのラマンピーク、 6…炭化物(グラファイト)のラマンピーク、
7…部分研磨装置のパッド部分、 8…研磨して荒らした箇所、
9…研磨していない箇所、 10…CVD成長したダイヤモンド。
Claims (4)
- シリコン基板上へのダイヤモンド成長方法であって、前処理として前記シリコン基板表面に、ラマン分光法による520cm-1のピークのラマンシフトが0.1cm-1以上になるようにダメージの付与を行うか、又は、前記シリコン基板表面に、前記ダメージの付与及びAFMで測定した表面粗さSaが10nm以上になるような凹凸の形成を行い、該前処理を行ったシリコン基板上にダイヤモンドをCVD法により成長することを特徴とするシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法。
- 前記CVD法を、ホットフィラメント法とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法。
- シリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法であって、請求項1に記載のシリコン基板上へのダイヤモンド成長方法において前処理として、前記シリコン基板表面の一部の領域のみに前記ダメージの付与を行うか、又は、前記シリコン基板表面の一部の領域のみに前記ダメージの付与及び前記凹凸の形成を行い、該前処理を行った前記領域上にダイヤモンドをCVD法により成長することを特徴とするシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法。
- 前記CVD法を、ホットフィラメント法とすることを特徴とする請求項3に記載のシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法。
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