JP7431206B2 - データストレージデバイスの温度を制御するための方法及びシステム - Google Patents
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Claims (15)
- データストレージデバイス(8)の作動温度を制御する方法であって、
閾値温度(Tth)を前記データストレージデバイスのために設定すること(S1)と、
前記データストレージデバイスの作動中に、前記データストレージデバイスの作動温度(Top)を複数の時点にて経時的に測定し、これにより、複数の温度測定値を時間関数として取得すること(S2)と、
閾値を上回る温度測定値を経時的に蓄積し、高温度蓄積値(Vhigh)を形成すること(S3a)と、
閾値を下回る温度測定値を経時的に蓄積し、低温度蓄積値(Vlow)を形成すること(S3b)と、
前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値とを比較すること(S4)と、
前記高温度蓄積値(Vhigh)が前記低温度蓄積値(Vlow)に関して高すぎるという前記比較の結果に応答して、作動温度を下げるアクションを始めること(S5)と、
を含む方法。 - 前記作動温度を下げるアクションは、冷却装置を起動させること、前記冷却装置のパフォーマンスを上げること、又は、前記データストレージデバイスのパフォーマンスを下げること、の群からの少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。
- 前記比較の前記結果が、前記低温度蓄積値が前記高温度蓄積値に関して十分に大きいというものであれば、前記データストレージデバイスのパフォーマンスを上げること(S6)をさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記高温度蓄積値(Vhigh)は、前記閾値温度を上回る温度測定値の第1の積分値を時間関数として計算することにより形成され、
前記低温度蓄積値(Vlow)は、前記閾値温度を下回る温度測定値の第2の積分値を時間関数として計算することにより形成され、
前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値とを比較することは、前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値との間の比を計算することにより行われる、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記蓄積することと、前記比較することとは、
タイマを起動させること(21)と、
前記測定された温度が第1の時点にて前記閾値温度を上回るのであれば、前記測定された温度が前記閾値温度を上回る度数に比例してカウンタ(22)を増やすことと、
前記測定された温度が前記第1の時点にて前記閾値温度を下回るのであれば、前記測定された温度が前記閾値温度を下回る度数に比例して前記カウンタを減らすことと、
を含み、
前記カウンタが所定の閾値カウンタ値を上回るのであれば、前記比較の前記結果は、前記高温度蓄積値が前記低温度蓄積値に関して高すぎるというものである、方法。 - 前記測定された作動温度(Top)を、前記閾値温度よりも高い最高許容温度(Tmax)と比較することと、
前記測定された作動温度が前記最高許容温度を上回るのであれば、作動温度を下げるアクションを始めることと
をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記測定された作動温度が前記閾値温度を上回ってから前記閾値温度を下回った際の第1の時点(t1)から、前記測定された作動温度が次に前記閾値温度を下回ってから前記閾値温度を上回った際の第2の時点(t2)までの、第1の時間間隔を測定することと、
前記第1の時間間隔を所定の最短時間間隔と比較することと、
前記第1の時間間隔が前記所定の最短時間間隔よりも短ければ、作動温度を下げるさらなるアクションが必要とされ得ることのインジケーションを発行することと
をさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記データストレージデバイスの作動中の誤差をモニターすることと、
誤差の発生に基づいて、前記閾値温度、又は前記作動温度を下げるアクションの少なくとも1つを調整することと
をさらに含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。 - データストレージデバイスの作動温度を制御するための温度コントローラであって、
前記温度コントローラは温度センサを含み、
前記温度コントローラはさらに回路を含み、
前記回路は、
閾値温度を前記データストレージデバイスのために設定することと、
前記温度センサを使用して、前記データストレージデバイスの作動温度を前記データストレージデバイスの作動中に複数の時点にて経時的に測定し、これにより、複数の温度測定値を時間関数として取得することと、
閾値を上回る温度測定値を経時的に蓄積し、高温度蓄積値を形成することと、
閾値を下回る温度測定値を経時的に蓄積し、低温度蓄積値を形成することと、
前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値とを比較することと、
前記高温度蓄積値が前記低温度蓄積値に関して高すぎるという前記比較の結果に応答して、作動温度を下げるアクションを始めることと
を実行するよう構成されている、温度コントローラ。 - 回路をさらに含み、前記回路は、前記比較の結果が、前記低温度蓄積値が前記高温度蓄積値に関して十分に高いというものであれば、前記データストレージデバイスのパフォーマンスを上げることを実行するよう構成されている、請求項9に記載の温度コントローラ。
- 前記高温度蓄積値を形成することは、前記閾値温度を上回る温度測定値の第1の積分値を時間関数として計算することを含み、
前記低温度蓄積値を形成することは、前記閾値温度を下回る温度測定値の第2の積分値を時間関数として計算することを含み、
前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値とを比較することは、前記低温度蓄積値と前記高温度蓄積値との間の比を計算することを含む、請求項9又は10に記載の温度コントローラ。 - さらに回路を含み、
前記回路は、
第1のタイマと、
カウンタと、
を実行するよう構成されており、
前記測定された温度が第1の時点にて前記閾値温度を上回るのであれば、前記測定された温度が前記閾値温度を上回る度数に比例して前記カウンタが増やされ、
前記測定された温度が前記第1の時点にて前記閾値温度を下回るのであれば、前記測定された温度が前記閾値温度を下回る度数に比例して前記カウンタが減らされ、
前記カウンタが所定の閾値カウンタ値を上回るのであれば、前記高温度蓄積値が前記低温度蓄積値に関して高すぎると判定される、請求項9又は10に記載の温度コントローラ。 - さらに回路を含み、
前記回路は、
前記測定された温度が前記閾値温度を上回ってから前記閾値温度を下回った際の第1の時点から、前記測定された温度が次に前記閾値温度を下回ってから前記閾値温度を上回った際の第2の時点までの、第1の時間間隔を測定するための第2のタイマと、
前記第1の時間間隔を所定の最短時間間隔と比較することと、
前記第1の時間間隔が前記所定の最短時間間隔よりも短ければ、作動温度を下げるさらなるアクションが必要とされ得ることのインジケーションを発行することと
を実行するよう構成されている、請求項9から12のいずれか一項に記載の温度コントローラ。 - 請求項9から13のいずれか一項に記載の温度コントローラ(30)を含むデータストレージデバイス。
- 処理能力を有するデバイス上にて実行されると請求項1から8のいずれか一項に記載の方法を実施する命令が保存されている、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
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