JP7423410B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
Claims (2)
- 被処理基板が設置される基台を備えると共に基台にヒータ線が組み付けられたプラズマ処理装置用の基板ステージを真空チャンバ内に配置し、基台に被処理基板を設置し、真空チャンバ内に発生させたプラズマを利用して被処理基板に所定の処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置用の基板ステージとして、被処理基板が設置される基台面内でその中心を通って互いに直交する二軸をX軸及びY軸とし、ヒータ線は、XY平面の各象限にて同等の輪郭を持つ部分を有し、第1象限及び第2象限のヒータ線の各部分と第3象限及び第4象限のヒータ線の各部分とがY軸に対して線対称であり、第1象限及び第4象限のヒータ線の各部分と第2象限及び第3象限のヒータ線の各部分とに互いに逆向きの直流電流を夫々流す電源が設けられたものを用い、
処理中に、前記電源が前記第1象限及び第4象限のヒータ線の各部分と前記第2象限及び第3象限のヒータ線の各部分とに流す直流電流を調整することで、基台に設置される被処理基板を貫通して漏洩する、500A/m~50000A/mの範囲内の強度を持つ磁場を形成することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理装置用の基板ステージは、前記ヒータ線の各部分が円弧状の輪郭を持ち、前記円弧の半径が1cm~10cmの範囲に設定されていることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
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