JP7421578B2 - サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7421578B2 JP7421578B2 JP2022011364A JP2022011364A JP7421578B2 JP 7421578 B2 JP7421578 B2 JP 7421578B2 JP 2022011364 A JP2022011364 A JP 2022011364A JP 2022011364 A JP2022011364 A JP 2022011364A JP 7421578 B2 JP7421578 B2 JP 7421578B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- circumferential
- substrate
- surface portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 90
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 89
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 24
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
Description
本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図6を参照して説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、本発明を実施する上での好適な具体例として示すものであり、技術的に好ましい種々の技術的事項を具体的に例示している部分もあるが、本発明の技術的範囲は、この具体的態様に限定されるものではない。
図1は、本形態におけるウエハWの製造装置1の模式的な断面図である。図1においては、製造されたウエハWも併せて図示している。なお、図1において表れている各要素間の寸法比は、必ずしも実際のものと一致するものではない。
次に、製造装置1を用いて製造される発光素子6の一例について説明する。図5は、ウエハWを利用して製造される窒化物半導体発光素子6(以下、「発光素子6」という。)の構成を概略的に示す模式図である。図5において、発光素子6の各半導体層間の寸法比は、必ずしも実際のものと一致するものではない。
次に、前述の製造装置1を用いて発光素子6を製造する方法の一例について説明する。本形態の発光素子6の製造方法は、基板配置工程と成長工程と領域除去工程と電極形成工程とダイシング工程とが順に実行される。
以上のようにして、発光素子6が製造される。
本形態のサセプタ3のポケット31の側面311は、円周側面部311aと、円周側面部311aよりもポケット外周側に広がるよう形成された拡大側面部311bとを有する。そして、平面視において、拡大側面部311bは、第2直線12と重なるよう形成されている。つまり、拡大側面部311bは、第2直線12の長手方向におけるポケット31の端部に形成されている。これにより、本形態のサセプタ3を用いて製造されるウエハWの発光出力の面内分布を均一化することができる。このことについて、以下説明する。
本例は、図1乃至図4に示す第1の実施の形態のサセプタ3を用いて製造された実施例のウエハと、図7及び図8に示す比較例のサセプタ9を用いて製造された比較例のウエハとにおいて、発光出力の面内分布を比較した例である。実施例のウエハを製造するのに用いたサセプタと、比較例のウエハを製造するのに用いたサセプタとでは、拡大側面部の有無以外は、互いに同様の構成とした。
以上から、ウエハのポケットに第1の実施の形態のように拡大側面部を設けることにより、ウエハにおける発光出力の面内分布を均一化できることが分かる。
図10は、本形態におけるサセプタ3及び基板10の一部を拡大した平面図である。
本形態は、第1の実施の形態に対して、ポケット31における2つの拡大側面部311bの形成位置を変更した形態である。本形態において、ポケット31の周方向における拡大側面部311bの中心位置Pは、第2直線12よりもサセプタ外周側に位置している。これにより、平面視において、拡大側面部311bは、ポケット31の周方向における中心位置Pよりもサセプタ内周側の部位が、第2直線12と重なるよう形成されている。
なお、第2の実施の形態以降において用いた符号のうち、既出の形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
図7及び図8に示す比較例のサセプタ9を用いてウエハを製造した場合、製造されるウエハは、第2直線902の長手方向における両端部のうち、特にサセプタ外周側の部位の発光出力が低くなることを確認している。この要因としては、次のことが予想される。まず、成長工程中、サセプタ9の回転による遠心力によって基板10がポケット91の側面911のサセプタ外周側の部位に押し付けられ、基板10のサセプタ外周側の部位とポケット91の側面911との間隔が狭くなる。これにより、第2直線902の長手方向における基板10の両端部のうちのサセプタ外周側の部位がポケット91の側面911からの熱を特に受けやすくなり、また、基板10の周縁のうちのサセプタ外周側の部位に特に原料ガスが届き難くなる。その結果、第2直線902の長手方向におけるウエハの両端部のうちのサセプタ外周側の部位の発光出力が低くなるものと予想される。
その他、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布を均一化することができる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布をより均一化することができる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布をより均一化することができる。
これにより、サセプタの回転方向によらず、品質が一定のウエハを製造することが可能となる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布をより均一化することができる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布を均一化することができる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布をより均一化することができる。
これにより、サセプタを用いて製造されるウエハにおける発光出力の面内分布をより均一化することができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、前述した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
11…第1直線
12…第2直線
3…サセプタ
31…ポケット
311…側面
311a…円周側面部
311b…拡大側面部
6…窒化物半導体発光素子
C1…回転中心
C2…円周中心
P…拡大側面部の中心位置
R1…基板の半径
R3…最長直線距離
Claims (9)
- ウエハが配置されるとともに回転中心よりも外周側に形成されたポケットを有するサセプタであって、
前記ポケットの側面は、円周状に形成された円周側面部と、前記円周側面部よりも前記ポケットの外周側に広がるよう形成された拡大側面部とを有し、
前記ポケットの開口側から見た平面視において、
前記サセプタの回転中心と前記円周側面部の円周中心とを通る直線を第1直線、前記第1直線に直交するとともに前記円周中心を通る直線を第2直線としたとき、前記拡大側面部は、前記第2直線と重なるよう形成されており、
前記ポケットの周方向における、前記ポケットの前記拡大側面部が形成された領域の長さをL1とし、前記ポケットの周方向における、前記ポケットの前記円周側面部が形成された領域の長さをL3としたとき、値L1/L3は、0.300以上0.600以下を満たし、
前記ポケットの底面は、前記ウエハが載置される載置面であるとともに平面状に形成されている、
サセプタ。 - 前記ポケットの周方向における前記拡大側面部の中心位置は、前記第2直線よりも前記サセプタの外周側に位置している、
請求項1に記載のサセプタ。 - 前記ポケットの前記側面は、前記サセプタの回転方向における前記ポケットの両側に形成された2つの前記拡大側面部を有する、
請求項1又は2に記載のサセプタ。 - 前記2つの拡大側面部は、前記第1直線を軸とした線対称に形成されている、
請求項3に記載のサセプタ。 - 前記拡大側面部は、前記ポケットの開口側に向かうほど、前記ポケットの外周側に広がるよう形成されている、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のサセプタ。 - 前記円周中心から前記円周側面部までの前記平面視における長さを前記円周側面部の半径R2とし、前記円周中心から前記拡大側面部までの前記平面視における最長直線距離を前記拡大側面部の半径R3としたとき、値R3/R2は、1.002以上1.030以下を満たす、
請求項1乃至5のいずれか1項に記載のサセプタ。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のサセプタを用いて窒化物半導体発光素子を製造する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記ポケットに基板を配置する基板配置工程と、
前記サセプタを加熱するとともに回転させながら、前記基板上に窒化物半導体から形成される半導体層をエピタキシャル成長させる成長工程と、を備える
窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記ポケットの前記側面は、前記サセプタの回転方向における前記ポケットの両側に形成された2つの前記拡大側面部を有し、
前記ポケットの周方向における前記2つの拡大側面部の長さの合計を、前記基板の円周長で除した値は、0.200以上0.440以下を満たす、
請求項7に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記ポケットの開口側から見た平面視における前記円周中心から前記拡大側面部までの最長直線距離を、前記基板の半径で除した値は、1.004以上1.050以下を満たす、
請求項7又は8に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022011364A JP7421578B2 (ja) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
TW112101929A TW202343829A (zh) | 2022-01-28 | 2023-01-17 | 基座及氮化物半導體發光元件的製造方法 |
US18/157,878 US20230246120A1 (en) | 2022-01-28 | 2023-01-23 | Susceptor and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022011364A JP7421578B2 (ja) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023110124A JP2023110124A (ja) | 2023-08-09 |
JP7421578B2 true JP7421578B2 (ja) | 2024-01-24 |
Family
ID=87432556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022011364A Active JP7421578B2 (ja) | 2022-01-28 | 2022-01-28 | サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230246120A1 (ja) |
JP (1) | JP7421578B2 (ja) |
TW (1) | TW202343829A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007251078A (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置 |
WO2020071308A1 (ja) | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
-
2022
- 2022-01-28 JP JP2022011364A patent/JP7421578B2/ja active Active
-
2023
- 2023-01-17 TW TW112101929A patent/TW202343829A/zh unknown
- 2023-01-23 US US18/157,878 patent/US20230246120A1/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007251078A (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置 |
WO2020071308A1 (ja) | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230246120A1 (en) | 2023-08-03 |
JP2023110124A (ja) | 2023-08-09 |
TW202343829A (zh) | 2023-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4806261B2 (ja) | 窒化物系化合物半導体素子用ウェハーの製造方法 | |
JP5372045B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
TWI693727B (zh) | 氮化物半導體發光元件及氮化物半導體發光元件的製造方法 | |
TW201330317A (zh) | 具保持錯位密度緩衝層之發光裝置 | |
JP3603713B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
US7795118B2 (en) | Gallium nitride based compound semiconductor device including compliant substrate and method for manufacturing the same | |
JP2018065733A (ja) | 半導体基板、半導体発光素子および灯具 | |
JP7421578B2 (ja) | サセプタ及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
WO2016020990A1 (ja) | 窒化物半導体テンプレート及び発光素子 | |
JP2006100518A (ja) | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 | |
TWI807453B (zh) | 氮化物半導體發光元件及氮化物半導體發光元件的製造方法 | |
JP7394082B2 (ja) | ウエハの製造方法及びサセプタ | |
TWI545798B (zh) | Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP7168635B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2004363401A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP7421667B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP7345623B1 (ja) | 成膜部材の製造方法 | |
JP2008227103A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
JP7340047B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP7419651B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP7023398B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP7448626B1 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2013187296A (ja) | 窒化物半導体素子形成用ウエハ、窒化物半導体素子形成用ウエハの製造方法、窒化物半導体素子、および窒化物半導体素子の製造方法 | |
TWI816186B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
TW201244149A (en) | Method of manufacturing light emitting diode and light emitting diode manufactured thereby |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230330 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230926 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7421578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |