JP7421037B2 - ドライバ及びスルーレート制御回路 - Google Patents
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Description
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- スルーレート制御回路であって、
負荷出力と負荷ゲートとを有するパストランジスタと、
ドライバ入力と、前記負荷ゲートに結合されるドライバ出力とを有するドライバ回路要素と、
外部コンデンサの第1の端子に結合するように適応される第1のコンデンサノードであって、前記ドライバ入力に結合される、前記第1のコンデンサノードと、
前記ドライバ入力と第1の電圧源との間に結合され、パワーダウン入力を有するスルーレート制御要素と、
前記ドライバ入力と第2の電圧源との間に結合されるリセット電界効果トランジスタ(FET)であって、前記パワーダウン入力から分離される過電流保護入力を有する、前記リセットFETと、
を含む、スルーレート制御回路。 - 請求項1に記載のスルーレート制御回路であって、
前記スルーレート制御要素が、電流源と電流シンクと抵抗器とからなる群から選択される、スルーレート制御回路。 - 請求項1に記載のスルーレート制御回路であって、
前記第1の電圧源と前記第2の電圧源とが、各々、上側レールと下側レールと基準電圧と前記パストランジスタの出力電圧と前記パストランジスタからのフィードバック電圧とを含む群から選択される、スルーレート制御回路。 - 請求項1に記載のスルーレート制御回路であって、
前記第2の電圧源と前記ドライバ入力との間に前記リセットFETと直列に結合され、前記負荷ゲートに結合されるゲートを有するフィードバックトランジスタを更に含む、スルーレート制御回路。 - 負荷スイッチ回路であって、
供給電圧入力と、
負荷出力と、
接地平面ノードと、
負荷ソースと負荷ドレインと負荷ゲートとを有し、前記負荷ソースと前記負荷ドレインとが前記供給電圧入力と前記負荷出力との間に結合される第1のP型電界効果トランジスタ(PFET)と、
ドライバドレインとドライバソースとドライバゲートとを有するドライバN型電界効果トランジスタ(NFET)を含むドライバ回路であって、前記ドライバドレインと前記ドライバソースとが前記供給電圧入力と前記接地平面ノードとの間に結合され、前記ドライバソースが前記負荷ゲートに結合される、前記ドライバ回路と、
スルーレート制御回路であって、
外部コンデンサの第1の端子に結合するように適応される第1のコンデンサノードであって、前記ドライバゲートに直列に結合される、前記第1のコンデンサノードと、
パワーダウンソースとパワーダウンドレインとパワーダウンゲートとを有するパワーダウンPFETであって、前記パワーダウンソースと前記パワーダウンドレインとが前記供給電圧入力と前記接地平面ノードとの間に第1の電流シンクと直列に結合され、前記パワーダウンドレインが前記ドライバゲートに結合され、前記パワーダウンゲートがパワーダウンバー信号を受け取るように適応される、前記パワーダウンPFETと、
前記供給電圧入力に結合されるリセットソースと、リセットドレインと、過電流保護信号を受信するように適応されるリセットゲートとを有するリセットPFETと、
前記リセットドレインに結合されるフィードバックドレインと、前記ドライバゲートに結合されるフィードバックソースと、前記負荷ゲートに結合されるフィードバックゲートとを有するフィードバックNFETと、
を含む、前記スルーレート制御回路と、
を含む、負荷スイッチ回路。 - 請求項5に記載の負荷スイッチ回路であって、
前記ドライバソースと前記接地平面ノードとの間に結合される第2の電流シンクと、
前記供給電圧入力に結合されるソースと、前記負荷ゲートに結合されるドレインと、前記パワーダウンバー信号を受け取るように適応されるゲートとを有する第2のパワーダウンPFETと、
を更に含む、負荷スイッチ回路。 - 請求項6に記載の負荷スイッチであって、
前記第2のパワーダウンPFETによって渡される電流が前記第2の電流シンクによって渡される第2の電流より大きい、負荷スイッチ。 - 請求項5に記載の負荷スイッチであって、
前記外部コンデンサの第2の端子に結合するように適応される第2のコンデンサノードであって、前記負荷ドレインに結合される、前記第2のコンデンサノードを更に含む、負荷スイッチ。 - 集積回路であって、
供給電圧入力と負荷出力との間に結合されるパストランジスタであって、制御ゲートを有する、前記パストランジスタと、
ドライバ入力と、前記制御ゲートに結合されるドライバ出力とを有するドライバ回路と、
パワーダウン入力と、前記ドライバ入力に結合されるスルーレート出力とを有するスルーレート制御回路であって、
外部コンデンサの第1の端子に結合するように適応される第1のコンデンサノードであって、前記ドライバ入力に結合される、前記第1のコンデンサノードと、
前記ドライバ入力と第1の電圧源との間に結合されるスルーレート制御要素と、
前記ドライバ入力と第2の電圧源との間に結合されるリセット電界効果トランジスタ(FET)であって、前記パワーダウン入力から分離される過電流保護入力を有する、前記リセットFETと、
を含む、前記スルーレート制御回路と、
を含む、集積回路。 - 請求項9に記載の集積回路であって、
前記リセットFETが、前記ドライバ入力に結合されるドレインと、前記供給電圧入力に結合されるソースとを有するP型FET(PFET)である、集積回路。 - 請求項10に記載の集積回路であって、
前記外部コンデンサの第2の端子が前記供給電圧入力に結合される、集積回路。 - 請求項11に記載の集積回路であって、
前記スルーレート制御要素が、前記ドライバ入力と接地平面との間に結合される電流シンクを含む、集積回路。 - 請求項9に記載の集積回路であって、
前記リセットFETが、前記ドライバ入力に結合されるドレインを有するN型FET(NFET)である、集積回路。 - 請求項13に記載の集積回路であって、
前記スルーレート制御要素が抵抗器と電流源とからなる群から選択される要素を含み、前記スルーレート制御要素が基準電圧と前記ドライバ入力との間に結合される、集積回路。 - 請求項14に記載の集積回路であって、
前記負荷出力と接地平面との間に第2の抵抗器と直列に結合される第1の抵抗器を含むフィードバック回路であって、前記第1及び第2の抵抗器の間の点が前記ドライバ回路のための第2の入力を提供するように結合される、前記フィードバック回路を更に含む、集積回路。 - 請求項13に記載の集積回路であって、
前記リセットFETのソースが接地平面に結合される、集積回路。 - 請求項15に記載の集積回路であって、
前記リセットFETのソースが、前記第1及び第2の抵抗器の間のノードに結合され、
前記スルーレート制御回路が、基準電圧と前記ドライバ入力との間に電流源と直列に結合され、前記過電流保護入力に結合されるゲートを有する基準電流イネーブルPFETと、前記ドライバ入力と前記接地平面との間に結合される電流シンクとを更に含む、集積回路。 - 請求項9に記載の集積回路であって、
前記集積回路が負荷スイッチと低ドロップアウトレギュレータとのうちの1つである、集積回路。
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