JP7412662B1 - レーザ装置およびレーザ加工装置 - Google Patents

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Abstract

レーザ装置(110)は、レーザビーム(r)を出射する発光点(1a)を有するレーザ光源(1)と光学素子(E)と透過型回折格子(5)と出力カプラ(6)とを備える。透過型回折格子(5)は、複数のレーザ光源(1)のそれぞれから出射されるレーザビーム(r)が重なり合う重合位置(S)に配置されるとともに平面と垂直な方向に平行に配置される。複数のレーザ光源(1)のうち隣り合う2つのレーザ光源(1)の間には、透過型回折格子(5)から出射される反射1次回折光(r2)の光路上に位置する第1の隙間(7)が形成される。第1の隙間(7)を挟んで一方に配置されて第1の隙間(7)に最も近い発光点(1b)と重合位置(S)とを結んだ仮想直線(C1)と、第1の隙間(7)を挟んで他方に配置されて第1の隙間(7)に最も近い発光点(1c)と重合位置(S)とを結んだ仮想直線(C2)とが成す第1の角度(θ1)は、0.15度以上である。

Description

本開示は、レーザビームを出射するレーザ装置およびこのレーザ装置を備えるレーザ加工装置に関する。
従来、複数のレーザ光源と光学素子と透過型回折格子と出力カプラとを備えるレーザ装置が知られている。レーザ光源は、レーザビームを出射する。光学素子は、レーザ光源から出射されたレーザビームをコリメートする。透過型回折格子は、光学素子から出射されたレーザビームのうち一部を同軸上に重畳して、同軸上に重畳したレーザビームを透過1次回折光として出射する。出力カプラは、透過型回折格子から出射された透過1次回折光の一部をレーザ光源に向かって反射するとともに透過型回折格子から出射された透過1次回折光の残部を出射する。
レーザビームが透過型回折格子に入射すると、透過1次回折光の他に反射1次回折光も透過型回折格子から出射される。反射1次回折光は透過1次回折光と同様に複数のレーザビームが同軸上に重畳された光であるため、反射1次回折光の光強度は比較的高い。反射1次回折光は、透過型回折格子からレーザ光源の方に向かって出射される。反射1次回折光がレーザ光源に照射されると、レーザ光源の損傷を招くという問題がある。特に、レーザ光源から出射されるレーザビームが高出力化されるほど反射1次回折光の出力も高まり、レーザ光源の損傷を誘発するため、反射1次回折光がレーザ光源に照射されることを抑制する技術が求められている。
例えば、特許文献1には、同一の平面上に複数のレーザ光源および透過型回折格子を配置するとともに、同一の平面と垂直な方向に対して透過型回折格子を傾斜させる技術が開示されている。特許文献1に開示された技術では、透過型回折格子から出射された反射1次回折光が同一の平面と垂直な方向でレーザ光源からずれた位置を通過するため、反射1次回折光がレーザ光源に照射されることを抑制できる。
特表2021-524161号公報
しかしながら、特許文献1に開示されているように同一の平面と垂直な方向に対して透過型回折格子を傾斜させると、透過型回折格子から出射された透過1次回折光の捻れ、傾きなどが発生するため、出力カプラから出射されるレーザビームの品質が悪化するという問題がある。
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、反射1次回折光による光源の損傷を抑制しつつ、レーザビームの品質の悪化を抑制することができるレーザ装置を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示にかかるレーザ装置は、同一の平面上に並べられて配置されて、レーザビームを出射する1つまたは複数の発光点を有する複数のレーザ光源と、複数のレーザ光源のそれぞれから出射されたレーザビームをコリメートする光学素子と、を備えている。また、本開示にかかるレーザ装置は、光学素子から出射されたレーザビームの一部を同軸上に重畳して、同軸上に重畳したレーザビームを透過1次回折光として出射する透過型回折格子と、透過型回折格子から出射された透過1次回折光の一部をレーザ光源に向かって反射するとともに透過型回折格子から出射された透過1次回折光の残部を出射する出力カプラと、を備えている。複数のレーザ光源のそれぞれから出射されるレーザビームは、各レーザ光源から離れた位置で重なり合っている。透過型回折格子は、複数のレーザ光源のそれぞれから出射されるレーザビームが重なり合う重合位置に配置されるとともに、同一の平面と垂直な方向に平行に配置されている。複数のレーザ光源のうち隣り合う2つのレーザ光源の間には、透過型回折格子から出射される反射1次回折光の光路上に位置する第1の隙間が形成されている。第1の隙間を挟んで一方に配置されて第1の隙間に最も近い発光点と重合位置とを結んだ仮想直線と、第1の隙間を挟んで他方に配置されて第1の隙間に最も近い発光点と重合位置とを結んだ仮想直線とが成す第1の角度は、0.15度以上である。
本開示にかかるレーザ装置は、反射1次回折光による光源の損傷を抑制しつつ、レーザビームの品質の悪化を抑制することができる、という効果を奏する。
実施の形態1にかかるレーザ装置を備えるレーザ加工装置を示した模式図 実施の形態1にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態1にかかるレーザ装置を示した模式図であって、図2のY軸方向に沿って見たときの図 実施の形態1にかかる第1の速軸コリメートレンズおよび遅軸コリメートレンズの作用を説明するための斜視図 実施の形態1にかかる第1の速軸コリメートレンズの作用を説明するための図であって、図4のY軸方向に沿って見たときの図 実施の形態1にかかる遅軸コリメートレンズの作用を説明するための図であって、図4のZ軸方向に沿って見たときの図 実施の形態1にかかるレーザ光源の周辺の構成の一例を示した斜視図 実施の形態1にかかるレーザ光源の周辺の構成の一例を示した側面図 実施の形態2にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態3にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態4にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態5にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態6にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態7にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態7にかかるレーザ装置を示した模式図であって、図14のY軸方向に沿って見たときの図 実施の形態8にかかるレーザ装置を示した模式図 実施の形態8にかかるレーザ装置のビーム回転素子を示した斜視図
以下に、実施の形態にかかるレーザ装置およびレーザ加工装置を図面に基づいて詳細に説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1にかかるレーザ装置110を備えるレーザ加工装置100を示した模式図である。レーザ加工装置100は、レーザビームrを被加工物140に照射することにより被加工物140を加工する装置である。加工とは、例えば、切断、溶接、穴あけである。被加工物140は、例えば、金属板、基板である。レーザ加工装置100は、レーザ装置110と、伝搬部材120と、加工ヘッド130と、加工テーブル150とを備えている。
レーザ装置110は、レーザビームrを出射する。レーザ装置110の詳細については後記する。伝搬部材120は、レーザ装置110から出射されたレーザビームrを伝搬する。レーザ装置110から出射されたレーザビームrは、伝搬部材120を介して加工ヘッド130へと伝搬される。伝搬部材120は、例えば、ビーム伝送光路、光ファイバである。
加工ヘッド130は、伝搬部材120から伝搬されたレーザビームrを集光して被加工物140上に照射する。レーザビームrが照射された被加工物140は、燃焼、溶融、あるいは、昇華される。これにより、被加工物140には、切断、溶接、穴あけなどの加工が施される。
加工テーブル150は、被加工物140を保持するとともに、被加工物140の位置を移動させる役割を果たす。加工テーブル150は、被加工物140を吸着するなどの方法により、被加工物140を保持する。加工テーブル150は、例えば、2軸方向に移動可能であって、被加工物140を2軸方向に移動可能である。なお、図示したレーザ加工装置100の構成は一例であって、適宜変更してもよい。例えば、レーザ装置110は、一般に知られるレーザ加工装置と組み合わせることによって3Dプリンタなどに適用されてもよい。
次に、レーザ装置110の詳細について説明する。図2は、実施の形態1にかかるレーザ装置110を示した模式図である。図3は、実施の形態1にかかるレーザ装置110を示した模式図であって、図2のY軸方向に沿って見たときの図である。図4は、実施の形態1にかかる第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3の作用を説明するための斜視図である。図5は、実施の形態1にかかる第1の速軸コリメートレンズ2の作用を説明するための図であって、図4のY軸方向に沿って見たときの図である。図6は、実施の形態1にかかる遅軸コリメートレンズ3の作用を説明するための図であって、図4のZ軸方向に沿って見たときの図である。なお、以下の説明において方向を説明するときは、図2に示されるX軸方向、Y軸方向、および、Z軸方向に従う。図2に示されるX軸方向とY軸方向とZ軸方向とは、互いに垂直な方向である。
レーザ装置110は、複数のレーザ光源1と、光学素子Eと、透過型回折格子5と、出力カプラ6とを備えている。
レーザ光源1は、レーザビームrを出射する部材である。複数のレーザ光源1は、同一の平面上に並べられて配置されて、レーザビームrを出射する複数の発光点1aを有している。図2以降では、理解の容易化のため、各レーザ光源1から出射されるレーザビームrを1本の線で描画しているが、実際には、各レーザ光源1の複数の発光点1aのそれぞれから複数のレーザビームrが出射される。複数のレーザ光源1は、XY面内に配置されている。なお、以下の説明において、後記する第1の隙間7を挟んで一方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1aを発光点1bと称する。また、第1の隙間7を挟んで他方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1aを発光点1cと称する。また、第1の隙間7を挟んで一方に配置されて第1の隙間7に最も遠い発光点1aを発光点1dと称する。また、第1の隙間7を挟んで他方に配置されて第1の隙間7に最も遠い発光点1aを発光点1eと称する。
複数のレーザ光源1のそれぞれから出射されるレーザビームrは、各レーザ光源1から離れた位置で重なり合っている。各レーザビームrは、透過型回折格子5上で重なり合っている。以下、各レーザビームrが重なり合う位置を重合位置Sと称する。各レーザビームrが透過型回折格子5上で重なり合うとは、各レーザビームrが透過型回折格子5上の一点で重なり合う状態の他、各レーザビームrが透過型回折格子5上で近接する状態を含む。近接する状態とは、透過型回折格子5における各レーザビームrの回折によって各レーザビームrの1次光を同軸上に重畳することが可能な程度に近接していることを指す。複数のレーザ光源1は、本実施の形態では重合位置Sを中心としたひとつの円弧上に配置されているが、重合位置Sを中心とした略ひとつの円弧上に配置されていてもよい。なお、本開示の中で略ひとつの円弧上に配置とは、レーザ光源1の配置において一定の誤差が許容されることを意味する。そして、前記一定の誤差の範囲は、本開示の効果を奏することができる範囲を意味する。すなわち、複数の発光点1aのそれぞれから出射されるレーザビームrを重畳して、切断加工、溶接加工などのレーザ加工の目的のために、必要な特性を持つレーザビームrが得られる範囲であれば、レーザ光源1の位置は重合位置Sを中心としたひとつの円弧上からずれていてもよいものとする。したがって、光学設計の要求によるレーザ光源1のずれや、製品の製造に際して生ずる加工公差、配置作業によるレーザ光源1のずれがあっても、略ひとつの円弧上の範囲に含まれるものとする。重合位置Sからのレーザ光源1の距離を変えて、レーザビームrの出力、レーザビームrの品質などの変化を調べると、多くの場合、重合位置Sからのレーザ光源1の距離は少なくとも±5%程度のばらつきであれば許容される。ここで、光学的設計の要求によるレーザ光源1のずれとは、複数のレーザ光源1の光学的な動作特性を均等化するために、光学設計において意図的に設けられる重合位置Sからの各レーザ光源1の距離のずれである。
レーザ光源1は、本実施の形態では半導体レーザバーである。図2に示されるレーザ光源1は、レーザビームrを出射する複数の発光点1aを有する半導体レーザアレイ素子である。各レーザ光源1の発光点1aの数は、本実施の形態では3個であるが、適宜変更してもよい。レーザ光源1は、後記する第1の隙間7を挟んで一方と他方とに配置されている。レーザ光源1の数は、本実施の形態では5個であるが、5個以外の複数でもよい。レーザ光源1は、第1の隙間7を挟んで一方と他方とに少なくとも1つずつ配置されていればよい。
複数のレーザ光源1のうち隣り合う2つのレーザ光源1の間には、第1の隙間7が形成されている。第1の隙間7は、透過型回折格子5から出射される反射1次回折光r2の光路上に位置する。本実施の形態では、第1の隙間7は、図2の紙面上側から3番目のレーザ光源1と図2の紙面上側から4番目のレーザ光源1との間に形成されているが、第1の隙間7の位置は、レーザ光源1の数と反射1次回折光r2の光路とにより適宜変更される。
第1の隙間7を挟んで一方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1bと重合位置Sとを結んだ仮想直線を仮想直線C1とする。一方、第1の隙間7を挟んで他方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1cと重合位置Sとを結んだ仮想直線をC2とする。仮想直線C1と仮想直線C2とが成す第1の角度θ1は、0.15度以上である。また、第1の角度θ1は、1.0度以下であることが好ましい。第1の隙間7を挟んで一方に配置されて第1の隙間7に最も遠い発光点1dと重合位置Sとを結んだ仮想直線を仮想直線C3とする。一方、第1の隙間7を挟んで他方に配置されて第1の隙間7に最も遠い発光点1eと重合位置Sとを結んだ仮想直線を仮想直線C4とする。仮想直線C3と仮想直線C4とが成す第2の角度θ2は、5度以上であることが好ましい。
光学素子Eは、複数のレーザ光源1のそれぞれから出射されたレーザビームrをコリメートする部材である。光学素子Eは、透過型回折格子5に入射する各レーザビームrの入射角のばらつきを低減させる役割を果たす。レーザ装置110が光学素子Eを備えることにより、レーザビームrの利用効率を高めることができる。光学素子Eは、複数の第1の速軸コリメートレンズ2と、複数の遅軸コリメートレンズ3と、第2の速軸コリメートレンズ4とを有している。第1の速軸コリメートレンズ2、複数の遅軸コリメートレンズ3および第2の速軸コリメートレンズ4は、シリンドリカルレンズである。
複数の第1の速軸コリメートレンズ2は、複数のレーザ光源1のそれぞれに設けられて、複数のレーザ光源1のそれぞれから出射されたレーザビームrを速軸方向にコリメートする部材である。複数の第1の速軸コリメートレンズ2は、複数のレーザ光源1のそれぞれに1つずつ設けられている。速軸方向は、本実施の形態ではZ軸方向に平行な方向である。図4および図5に示すように、第1の速軸コリメートレンズ2は、レーザビームrのZ軸方向への発散角を小さくする。
図2に示すように、複数の遅軸コリメートレンズ3は、複数のレーザ光源1のそれぞれに設けられて、複数の第1の速軸コリメートレンズ2のそれぞれから出射されたレーザビームrを遅軸方向にコリメートする部材である。複数の遅軸コリメートレンズ3は、複数のレーザ光源1のそれぞれに1つずつ設けられている。遅軸方向は、本実施の形態ではXY面内において発光点1aが並んでいる方向である。図2には、矢印Saにより遅軸方向を図示している。図4および図6に示すように、遅軸コリメートレンズ3は、レーザビームrの遅軸方向への発散角を小さくする。
図2に示すように、第2の速軸コリメートレンズ4は、複数の遅軸コリメートレンズ3のそれぞれから出射されたレーザビームrを速軸方向にコリメートする部材である。すなわち、第2の速軸コリメートレンズ4は、複数の遅軸コリメートレンズ3のそれぞれから出射された後に速軸方向に拡がった各レーザビームrを速軸方向に再度コリメートする。第2の速軸コリメートレンズ4には、複数の遅軸コリメートレンズ3のそれぞれから出射されたレーザビームrが入射する。第2の速軸コリメートレンズ4は、第1の速軸コリメートレンズ2と同様に、レーザビームrのZ軸方向への発散角を小さくする。
透過型回折格子5は、光学素子Eから出射されたレーザビームrの一部を同軸上に重畳して、同軸上に重畳したレーザビームrを透過1次回折光r1として出射する部材である。透過型回折格子5は、波長分散性によって、光学素子Eから出射された複数のレーザビームrのそれぞれをXY面内にて回折し、次数毎に分離する。透過型回折格子5は、複数のレーザビームrのそれぞれの1次光を同軸上に重畳して透過1次回折光r1として出射する。透過1次回折光r1は、出力カプラ6に向かって出射される。また、透過型回折格子5は、透過1次回折光r1の出射方向とは異なる方向に反射1次回折光r2を出射する。反射1次回折光r2は、レーザ光源1の方に向かって出射される。
透過型回折格子5は、複数のレーザ光源1のそれぞれから出射されるレーザビームrが重なり合う重合位置Sに配置されている。透過型回折格子5は、XY面内においてX軸方向およびY軸方向に傾斜している。図3に示すように、レーザ光源1と透過型回折格子5とは、XY面内において同一の平面上に配置されている。透過型回折格子5は、複数のレーザ光源1が配置される同一の平面と垂直な方向に平行に配置されている。同一の平面と垂直な方向とは、本実施の形態ではZ軸方向である。透過型回折格子5は、Z軸方向に平行に配置されている。なお、本実施の形態では、レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2、遅軸コリメートレンズ3、第2の速軸コリメートレンズ4、透過型回折格子5および出力カプラ6は、XY面内において同一の平面上に配置されている。
図2に示すように、出力カプラ6は、透過型回折格子5から出射された透過1次回折光r1の一部をレーザ光源1に向かって反射するとともに透過型回折格子5から出射された透過1次回折光r1の残部を出射する部材である。図2では、出力カプラ6から出射する透過1次回折光r1の残部のみを図示している。出力カプラ6は、例えば、部分反射ミラーである。
複数のレーザ光源1と出力カプラ6とは、共振器を構成している。複数のレーザ光源1から出射されたレーザビームrは、レーザ光源1と出力カプラ6との間で反射を繰り返して増幅される。増幅されたレーザビームrの一部は、出力カプラ6からレーザ装置110の外部へと出射されて、図1に示される伝搬部材120を介して加工ヘッド130へと伝搬される。
次に、図7および図8を参照して、レーザ光源1および第1の速軸コリメートレンズ2の周辺の構成について説明する。図7は、実施の形態1にかかるレーザ光源1の周辺の構成の一例を示した斜視図である。図8は、実施の形態1にかかるレーザ光源1の周辺の構成の一例を示した側面図である。
図7および図8に示すように、レーザ光源1および第1の速軸コリメートレンズ2の周辺には、第1の給電部材8と第2の給電部材10と絶縁板11と電線12とが配置されている。
図7に示すように、第1の給電部材8は、レーザ光源1に電力を供給する部材である。第1の給電部材8の形状は、本実施の形態では直方体状であるが、適宜変更してもよい。第1の給電部材8のうちZ軸方向の一端面には、レーザ光源1が設置されている。第1の速軸コリメートレンズ2は、第1の給電部材8のうちX軸方向の一端面に接着剤などにより固定されている。第1の速軸コリメートレンズ2は、レーザ光源1の出射面を覆っている。図8に示すように、第1の給電部材8の内部には、レーザ光源1を冷却するための冷却機構9が設けられている。冷却機構9は、例えば、冷却水が流れる冷却水路である。
図7に示すように、第2の給電部材10は、レーザ光源1に電力を供給する部材である。第2の給電部材10の形状は、本実施の形態では直方体状であるが、適宜変更してもよい。第2の給電部材10のサイズは、第1の給電部材8のサイズよりも小さい。第2の給電部材10は、第1の給電部材8のうちZ軸方向の一端面に設置されている。第2の給電部材10とレーザ光源1とは、X軸方向に互いに離れて設置されている。第2の給電部材10とレーザ光源1とは、複数本の電線12を介して、電気的に接続されている。第1の給電部材8と第2の給電部材10との間には、両者を電気的に絶縁する絶縁板11が設置されている。なお、図示したレーザ光源1および第1の速軸コリメートレンズ2の周辺の構成は一例であって、適宜変更してもよい。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110の効果について説明する。
本実施の形態では、図2に示すように、複数のレーザ光源1のうち隣り合う2つのレーザ光源1の間には、透過型回折格子5から出射される反射1次回折光r2の光路上に位置する第1の隙間7が形成されている。また、本実施の形態では、第1の隙間7を挟んで一方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1bと重合位置Sとを結んだ仮想直線C1と、第1の隙間7を挟んで他方に配置されて第1の隙間7に最も近い発光点1cと重合位置Sとを結んだ仮想直線C2とが成す第1の角度θ1は、0.15度以上である。これらの構成により、反射1次回折光r2が第1の隙間7を通過してレーザ光源1に照射されないため、反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷を抑制することができる。また、前記した構成により、反射1次回折光r2が第1の隙間7を通過して第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3に照射されないため、反射1次回折光r2による第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3の損傷も抑制することができる。本出願人の実験および研究によれば、レーザ光源1および光学素子Eの位置ずれ、角度ずれなどの影響により反射1次回折光r2の光路が変化することが判明した。本実施の形態のように第1の角度θ1が0.15度以上であると、前記した位置ずれ、角度ずれなどの影響により反射1次回折光r2の光路が変化した場合でも、反射1次回折光r2が第1の隙間7を通過するため、反射1次回折光r2がレーザ光源1に照射されることを抑制できる。一方、第1の角度θ1が1.0度以下であると、第1の隙間7の増大を抑制して複数のレーザ光源1をコンパクトに配置することができるため、レーザ装置110の大型化を抑制することができる。
レーザビームrの高出力化を図る上で、少なくともレーザ光源1に反射1次回折光r2が照射されることを抑制する必要がある。一方で、図7および図8に示されるレーザ光源1の周辺に配置される第1の給電部材8、第2の給電部材10、冷却機構9などに反射1次回折光r2が照射されないようにすることが好ましい。また、第1の給電部材8における第1の速軸コリメートレンズ2の固定部分の接着剤にも反射1次回折光r2が照射されないようにすることが好ましい。レーザ光源1の周辺に配置される第1の給電部材8などに反射1次回折光r2が照射されないようにするためには、図2に示される第1の角度θ1を適宜調整すればよい。
本実施の形態では、図3に示すように、透過型回折格子5は、複数のレーザ光源1が並べられて配置される同一の平面と垂直な方向に平行に配置されている。この構成により、透過型回折格子5から出射した透過1次回折光r1の捻れ、傾きなどが発生しにくいため、出力カプラ6から出射されるレーザビームrの品質を高めることができる。つまり、本実施の形態では、反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷を抑制しつつ、レーザビームrの品質の悪化を抑制することができるレーザ装置110を得られる。
本実施の形態では、図2に示すように、第1の隙間7を挟んで両側にレーザ光源1が配置されている。この構成により、第1の隙間7の片側のみにレーザ光源1を配置する場合に比べて、レーザ光源1の数を増やせるため、レーザビームrの総出力を高めることができる。
本実施の形態では、図2に示すように、レーザ光源1は、複数の発光点1aを有する半導体レーザアレイ素子である。この構成により、レーザ装置110のレーザビームrの高出力化を実現することができる。
本実施の形態では、図2に示すように、光学素子Eは、複数の第1の速軸コリメートレンズ2と、複数の遅軸コリメートレンズ3と、第2の速軸コリメートレンズ4とを有する構成である。この構成により、透過型回折格子5に入射する各レーザビームrの入射角のばらつきを低減させることができるため、レーザビームrの利用効率を高めることができる。一方で、前記した光学素子Eの構成により、反射1次回折光r2がレーザ光源1の方に集光されやすくなるため、反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷が発生しやすくなるというデメリットが生じる。この点、本実施の形態では、反射1次回折光r2の光路上に位置する第1の隙間7が形成されること、および、第1の角度θ1が0.15度以上であることにより、反射1次回折光r2が第1の隙間7を通過してレーザ光源1に照射されないため、反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷を抑制することができる。つまり、前記した光学素子Eの構成によるデメリットを解消することができる。これにより、本実施の形態では、レーザビームrの利用効率を高めてレーザ装置110のレーザビームrの高出力化を実現しつつ反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷を抑制することができる。
なお、本実施の形態にかかるレーザ装置110は、波長ビーム結合(Wavelength Beam Combining:WBC)技術においてレーザビームrの高出力化を実現するために用いられることが好ましい。このような目的で本実施の形態にかかるレーザ装置110を用いる場合には、以下に示す4つの条件を満たすことが好ましい。
(1)出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力は、2kW以上。
(2)レーザ光源1の数は、12個以上。
(3)透過型回折格子5から出射される透過1次回折光r1の回折角は、60度以上。
(4)透過型回折格子5に入射するレーザビームrの第2の角度θ2は、5度以上。
はじめに、前記した(1)の条件の根拠について説明する。反射1次回折光r2は、出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力の約1%に相当する出力を有する。本出願人の実験および研究によれば、反射1次回折光r2の出力が20Wを超えると、レーザ光源1などの損傷が顕在化することが分かっている。このことから、出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力は2kW以上であることが好ましい。
続いて、前記した(2)の条件の根拠について説明する。波長ビーム結合技術においてレーザ加工に適するような高出力化が可能になるレーザ光源1としては、幅10mmの半導体チップに複数の発光点1aが一体成形された半導体レーザバーが有用かつ一般的である。市場で入手可能な半導体レーザバーの出力の上限は、現状200W程度である。半導体レーザバーを波長ビーム結合技術に用いる場合には、出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力が半導体レーザバーの出力から2割程度減少する。この減少分を考慮すると、出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力が2kW以上になるためには、下記式(1)より半導体レーザバーの数は12.5個であることが好ましく、小数点以下を省略して12個以上であることがより好ましい。
2kW/(200W×0.8)=12.5・・・(1)
続いて、前記した(3)の条件の根拠について説明する。より狭い波長範囲でレーザビームrの波長ビーム結合を行うためには、透過1次回折光r1の回折角を大きくして波長分解能を上げることが好ましい。例えば、近赤外域の波長980nm付近のレーザビームrに適用可能な透過型回折格子5としては、溝本数が約2000本/mmのものが理論的に限界であり、溝本数が約1850本/mmのものが市場で入手可能な製品の限界である。溝本数が約1850本/mmの透過型回折格子5を用いる場合には、透過型回折格子5の回折効率が最大となる透過型回折格子5の回折角は約65度である。このことから、透過型回折格子5から出射される透過1次回折光r1の回折角は60度以上であることが好ましい。なお、当該条件の透過型回折格子5の回折角の数値は、使用波長帯域を、例えば、青色レーザの450nm付近に変更した場合にも同等の値となる。
最後に、前記した(4)の条件の根拠について説明する。例えば、透過1次回折光r1の回折角が60度で第2の角度θ2が5度未満である構成において、透過型回折格子5へのレーザビームrの入射角を55度から59度の範囲に設定することにより、効率的な波長ビーム結合を行いつつ反射1次回折光r2がレーザ光源1に照射されることを抑制できる。ただし、当該構成で出力カプラ6から出射されるレーザビームrの出力が2kW以上になるためには、レーザ光源1と透過型回折格子5との距離を2m以上離す必要があり、レーザ加工装置100向けのレーザ装置110のサイズなどを考慮すると、レーザ光源1と透過型回折格子5との距離を2m以上離すことを実現するのは困難である。このことから、透過型回折格子5に入射するレーザビームrの第2の角度θ2は5度以上であることが好ましい。
次に、実施の形態1の変形例について説明する。
本実施の形態では、図2に示されるレーザ光源1が半導体レーザアレイ素子であったが、半導体レーザアレイ素子以外の半導体レーザバーであってもよい。レーザ光源1は、例えば、1つの発光点1aを有する端面発光型の半導体レーザバーでもよいし、1つまたは複数の発光点1aを有する面発光型の半導体レーザバーでもよい。
本実施の形態では、図2に示される光学素子Eは、複数の第1の速軸コリメートレンズ2と複数の遅軸コリメートレンズ3と第2の速軸コリメートレンズ4とを有しているが、光学素子Eの構成は適宜変更してもよい。例えば、光学素子Eから第2の速軸コリメートレンズ4を省略してもよい。
実施の形態2.
次に、図9を参照して、実施の形態2にかかるレーザ装置110Aについて説明する。図9は、実施の形態2にかかるレーザ装置110Aを示した模式図である。本実施の形態では、レーザ装置110Aが出力モニタ部材13をさらに備える点が前記した実施の形態1と相違する。なお、実施の形態2では、前記した実施の形態1と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。
出力モニタ部材13は、第1の隙間7に配置されて、反射1次回折光r2の出力変動を測定する部材である。出力モニタ部材13は、例えば、サーモパイルセンサである。出力モニタ部材13は、反射1次回折光r2が入射する入射面13aを有している。入射面13aは、Z軸方向およびY軸方向に平行な平面である。入射面13aは、反射1次回折光r2の光軸に対して垂直な面である。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Aの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Aは、第1の隙間7に配置されて反射1次回折光r2の出力変動を測定する出力モニタ部材13をさらに備えている。この構成により、透過1次回折光r1に比べて出力が低い反射1次回折光r2を利用して、透過1次回折光r1の出力変動を間接的にモニタリングすることができる。
なお、出力モニタ部材13は、フォトダイオードであってもよい。このようにすると、反射1次回折光r2の出力変動を高速に測定することができる。
実施の形態3.
次に、図10を参照して、実施の形態3にかかるレーザ装置110Bについて説明する。図10は、実施の形態3にかかるレーザ装置110Bを示した模式図である。本実施の形態では、レーザ装置110Bが遮蔽部材14をさらに備える点が前記した実施の形態1,2と相違する。なお、実施の形態3では、前記した実施の形態1,2と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。図10では、出力モニタ部材13および遮蔽部材14以外の部材を省略している。
遮蔽部材14は、出力モニタ部材13に設置されて、入射面13aの周囲を囲んでいる。遮蔽部材14は、入射面13aの周縁に沿って延びる筒状の部材である。遮蔽部材14は、出力モニタ部材13の入射面13aに斜めから入射する光Mを遮蔽する役割を果たす。斜めから入射する光Mは、出力モニタ部材13の周辺の散乱光などであり、出力モニタ部材13の測定対象ではない光である。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Bの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Bは、出力モニタ部材13に設置されて、入射面13aの周囲を囲む遮蔽部材14をさらに備えている。この構成により、出力モニタ部材13の入射面13aに斜めから入射する光Mを遮蔽することができるため、反射1次回折光r2の出力変動の測定精度を向上させることができる。
実施の形態4.
次に、図11を参照して、実施の形態4にかかるレーザ装置110Cについて説明する。図11は、実施の形態4にかかるレーザ装置110Cを示した模式図である。本実施の形態では、レーザ装置110Cが物体側テレセントリックレンズ15をさらに備える点が前記した実施の形態1から3と相違する。なお、実施の形態4では、前記した実施の形態1から3と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。図11では、出力モニタ部材13および物体側テレセントリックレンズ15以外の部材を省略している。
物体側テレセントリックレンズ15は、出力モニタ部材13の入射面13aに設置されて、入射面13aに垂直に入射する反射1次回折光r2のみを透過させる部材である。物体側テレセントリックレンズ15は、入射面13aに斜めから入射する光Mをカットする役割を果たす。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Cの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Cは、出力モニタ部材13の入射面13aに設置されて、入射面13aに垂直に入射する反射1次回折光r2のみを透過させる物体側テレセントリックレンズ15をさらに備えている。この構成により、出力モニタ部材13の入射面13aに斜めから入射する光Mをカットすることができるため、反射1次回折光r2の出力変動の測定精度を向上させることができる。
実施の形態5.
次に、図12を参照して、実施の形態5にかかるレーザ装置110Dについて説明する。図12は、実施の形態5にかかるレーザ装置110Dを示した模式図である。本実施の形態では、レーザ装置110Dが減光光学素子16をさらに備える点が前記した実施の形態1から5と相違する。なお、実施の形態5では、前記した実施の形態1から4と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。図12では、出力モニタ部材13および減光光学素子16以外の部材を省略している。
減光光学素子16は、出力モニタ部材13の入射面13aと図9に示される透過型回折格子5との間に設置されて、出力モニタ部材13に入射する反射1次回折光r2の光強度を減衰させる部材である。減光光学素子16は、図9に示される第2の速軸コリメートレンズ4よりも、反射1次回折光r2の進行方向の先に設置される。減光光学素子16は、本実施の形態では出力モニタ部材13の入射面13aに設置されている。減光光学素子16は、例えば、ND(Neutral Density)フィルター、部分反射ミラーである。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Dの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Dは、出力モニタ部材13の入射面13aと透過型回折格子5との間に設置されて、出力モニタ部材13に入射する反射1次回折光r2の光強度を減衰させる減光光学素子16をさらに備える。この構成により、反射1次回折光r2による出力モニタ部材13の損傷を抑制しつつ、反射1次回折光r2の出力変動を測定することができる。
なお、サーモパイルセンサなどに比べて入射光量の上限値が低いフォトダイオードを、出力モニタ部材13として用いる場合には、フォトダイオードと減光光学素子16とを併用するとよい。このようにすると、反射1次回折光r2がフォトダイオードに入射する前に、減光光学素子16によって反射1次回折光r2の光量を減衰させることができる。そのため、フォトダイオードによって反射1次回折光r2の出力変動を適切に測定することができる。
なお、減光光学素子16と図11に示される物体側テレセントリックレンズ15とを併用してもよい。このような構成にする場合には、反射1次回折光r2の進行方向に沿って減光光学素子16、物体側テレセントリックレンズ15、出力モニタ部材13の順に配置することが好ましい。すなわち、減光光学素子16は、物体側テレセントリックレンズ15を介して出力モニタ部材13の入射面13aに設置されることが好ましい。
実施の形態6.
次に、図13を参照して、実施の形態6にかかるレーザ装置110Eについて説明する。図13は、実施の形態6にかかるレーザ装置110Eを示した模式図である。本実施の形態では、レーザ装置110Eがダンパー17をさらに備える点が前記した実施の形態1から5と相違する。なお、実施の形態6では、前記した実施の形態1から5と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。
ダンパー17は、第1の隙間7に配置されて、反射1次回折光r2を吸収する部材である。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Eの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Eは、第1の隙間7に配置されて、反射1次回折光r2を吸収するダンパー17をさらに備える。この構成により、反射1次回折光r2による迷光の発生を抑制することができるとともに、反射1次回折光r2によるレーザ装置110E内の部品の加熱を抑制することができる。
実施の形態7.
次に、図14および図15を参照して、実施の形態7にかかるレーザ装置110Fについて説明する。図14は、実施の形態7にかかるレーザ装置110Fを示した模式図である。図15は、実施の形態7にかかるレーザ装置110Fを示した模式図であって、図14のY軸方向に沿って見たときの図である。本実施の形態では、レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3と第2の速軸コリメートレンズ4、透過型回折格子5および出力カプラ6とが同一の平面上に配置されていない点、レーザ装置110Fがミラー18をさらに備える点が前記した実施の形態1から6と相違する。なお、実施の形態7では、前記した実施の形態1から6と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。
図15に示すように、レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3は、第2の速軸コリメートレンズ4、透過型回折格子5および出力カプラ6に対して垂直な方向であるZ軸方向にずれて配置されている。レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3は、Z軸方向に対して傾斜している。レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3のそれぞれから出射されるレーザビームrの光軸は、Z軸方向に対して傾斜する。
ミラー18は、遅軸コリメートレンズ3と第2の速軸コリメートレンズ4との間に配置されている。ミラー18は、遅軸コリメートレンズ3から出射されたレーザビームrを第2の速軸コリメートレンズ4に向かって反射する。ミラー18は、遅軸コリメートレンズ3の方から第2の速軸コリメートレンズ4の方に向かうにつれて遅軸コリメートレンズ3からZ軸方向に離隔するように傾斜している。
図14に示すように、ミラー18は、複数の遅軸コリメートレンズ3のそれぞれから出射されるレーザビームrの光軸と交差する方向に2つに分割されている。ミラー18は、本実施の形態ではY軸方向に2つに分割されている。隣り合う2つのミラー18の間には、反射1次回折光r2の光路上に位置する第2の隙間19が形成されている。第1の隙間7と第2の隙間19とは、Y軸方向における位置が一致している。第1の隙間7と第2の隙間19とは、X軸方向およびZ軸方向における位置がずれている。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Fの効果について説明する。
本実施の形態では、図15に示すように、レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3は、第2の速軸コリメートレンズ4、透過型回折格子5および出力カプラ6に対してZ軸方向にずれて配置されている。また、本実施の形態では、レーザ装置110Fは、遅軸コリメートレンズ3と第2の速軸コリメートレンズ4との間に配置されて、遅軸コリメートレンズ3から出射されたレーザビームrを第2の速軸コリメートレンズ4に向かって反射するミラー18をさらに備えている。また、本実施の形態では、図14に示すように、ミラー18は、2つに分割されており、隣り合う2つのミラー18の間には、反射1次回折光r2の光路上に位置する第2の隙間19が形成されている。これらの構成により、図15に示すように、反射1次回折光r2がZ軸方向でレーザ光源1からずれた位置を通過するため、反射1次回折光r2がレーザ光源1に照射されることを抑制できる。そのため、反射1次回折光r2によるレーザ光源1の損傷を抑制することができる。
前記した出力モニタ部材13またはダンパー17を設置する場合には、出力モニタ部材13またはダンパー17は、第2の隙間19よりも、反射1次回折光r2の進行方向の先に設置される。この構成により、透過型回折格子5から出射された反射1次回折光r2は、第2の隙間19を通過した後、出力モニタ部材13またはダンパー17に入射する。そのため、ミラー18を設けた場合であっても、出力モニタ部材13による反射1次回折光r2の出力変動のモニタリングが容易になり、ダンパー17による反射1次回折光r2の吸収が容易になる。なお、図示は省略するが、3枚以上のミラー18を用いて、レーザ光源1、第1の速軸コリメートレンズ2および遅軸コリメートレンズ3を、第2の速軸コリメートレンズ4、透過型回折格子5および出力カプラ6に対して垂直な方向であるZ軸方向にずれないように配置することも可能である。
実施の形態8.
次に、図16および図17を参照して、実施の形態8にかかるレーザ装置110Gについて説明する。図16は、実施の形態8にかかるレーザ装置110Gを示した模式図である。図17は、実施の形態8にかかるレーザ装置110Gのビーム回転素子20を示した斜視図である。本実施の形態では、レーザ装置110Gがビーム回転素子20をさらに備える点が前記した実施の形態1から7と相違する。なお、実施の形態8では、前記した実施の形態1から7と重複する部分については、同一符号を付して説明を省略する。
図16に示すように、ビーム回転素子20は、第1の速軸コリメートレンズ2と遅軸コリメートレンズ3との間に配置されている。ビーム回転素子20は、レーザビームrをレーザビームrの光軸周りに90度回転させる役割を果たす。すなわち、図17に示すように、ビーム回転素子20は、レーザビームrの光軸を中心に像を90度回転させる回転光学系である。図17に示すビーム回転素子20は、複数のレンズを有するレンズアレイである。
図16および図17に示すように、ビーム回転素子20のうち第1の速軸コリメートレンズ2の方を向く面と、第1の速軸コリメートレンズ2の方とは反対側を向く面とのそれぞれには、一方向に配列された複数の円筒面が形成されている。各円筒面は、凸面である。各円筒面は、水平軸Haに垂直な垂直軸Vaに対して45度傾けられている。複数のレンズの配列ピッチは、レーザ光源1における複数の発光点1aの配列ピッチと同じである。円筒面での屈折による焦点距離をfとした場合に、第1の速軸コリメートレンズ2の方を向く円筒面と、第1の速軸コリメートレンズ2の方とは反対側を向く円筒面との距離Lは2fである。
第1の速軸コリメートレンズ2からビーム回転素子20に入射するレーザビームrである入射光の長軸方向は、垂直軸Vaの方向である。当該入射光の短軸方向は、水平軸Haの方向である。これに対し、第1の速軸コリメートレンズ2からビーム回転素子20に入射後、ビーム回転素子20から出射するレーザビームrである出射光の長軸方向は、水平軸Haの方向である。当該出射光の短軸方向は、垂直軸Vaの方向である。このように、ビーム回転素子20からは、入射光とは長軸方向と短軸方向とが入れ替わった状態の出射光が出射する。このようにして、ビーム回転素子20は、レーザビームrをレーザビームrの光軸周りに90度回転させる。
例えば、レーザ光源1が900nmから1000nmのレーザビームrを出射させる半導体レーザバーである場合には、一般的に、レーザビームrの遅軸方向における発散角の全角が5度から10度程度であるのに対し、レーザビームrの速軸方向における発散角の全角は30度から60度程度である。すなわち、レーザビームrの速軸方向における発散角の方が、レーザビームrの遅軸方向における発散角よりも大きい。また、半導体レーザバーの遅軸方向における集光性能は、半導体レーザバーの速軸方向における集光性能よりも低い。
ここでいう集光性能とは、BPP(Beam Parameter Product)で表される特性とする。BPPは、集光時のビームウェストの半径と集光後のビーム拡がり半角との積で定義される指標である。BPPの単位はmm・mradで表される。BPPの値が小さいほど集光性が高く、より微小な領域にレーザビームrを集光できることを意味する。より微小な領域にレーザビームrを集光できるほど、高いエネルギー密度が得られる。レーザ加工の用途では、エネルギー密度が高いほど、加工品質の向上と、加工速度の向上とが可能となる。
半導体レーザバーには、半導体レーザバーの製造プロセスに起因して、スマイルと呼ばれる変形が生じることがある。スマイルによって、複数の発光点1aには、速軸方向における位置のばらつきが生じる。本実施の形態によれば、ビーム回転素子20によってレーザビームrをレーザビームrの光軸周りに90度回転させることで、スマイルにより発光点1aの位置にばらつきが生じる方向が、集光性能が相対的に低い遅軸方向に変換される。これにより、スマイルに起因する集光性能の低下を低減できる。
例えば、円筒面を有するレンズからなる第1の速軸コリメートレンズ2が使用されている場合において、XY面に対して第1の速軸コリメートレンズ2をわずかに傾斜させて設置することで、第1の速軸コリメートレンズ2からは、Z軸方向において角度が付けられた状態でレーザビームrが出射する。第1の速軸コリメートレンズ2の直後にビーム回転素子20が設置されると、レーザビームrは、ビーム回転素子20を通過することにより、Z軸方向に角度が付いた状態からXY面内にて角度が付いた状態に変換される。XY面に対する第1の速軸コリメートレンズ2の傾斜角が適切に設定されることによって、透過型回折格子5の方へ各レーザビームrが進行する間に各レーザビームrを互いに近付けさせることができる。
次に、本実施の形態にかかるレーザ装置110Gの効果について説明する。
本実施の形態では、レーザ装置110Gは、第1の速軸コリメートレンズ2と遅軸コリメートレンズ3との間に配置されて、レーザビームrをレーザビームrの光軸周りに90度回転させるビーム回転素子20をさらに備えている。この構成により、スマイルに起因する集光性能の低下を低減しつつ、レーザビームrの高出力化を実現できるレーザ装置110Gが得られる。
以上の実施の形態に示した構成は、一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、実施の形態同士を組み合わせることも可能であるし、要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
1 レーザ光源、1a,1b,1c,1d,1e 発光点、2 第1の速軸コリメートレンズ、3 遅軸コリメートレンズ、4 第2の速軸コリメートレンズ、5 透過型回折格子、6 出力カプラ、7 第1の隙間、8 第1の給電部材、9 冷却機構、10 第2の給電部材、11 絶縁板、12 電線、13 出力モニタ部材、13a 入射面、14 遮蔽部材、15 物体側テレセントリックレンズ、16 減光光学素子、17 ダンパー、18 ミラー、19 第2の隙間、20 ビーム回転素子、100 レーザ加工装置、110,110A,110B,110C,110D,110E,110F,110G レーザ装置、120 伝搬部材、130 加工ヘッド、140 被加工物、150 加工テーブル、C1,C2,C3,C4 仮想直線、E 光学素子、r レーザビーム、r1 透過1次回折光、r2 反射1次回折光、S 重合位置、θ1 第1の角度、θ2 第2の角度。

Claims (14)

  1. 同一の平面上に並べられて配置されて、レーザビームを出射する1つまたは複数の発光点を有する複数のレーザ光源と、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれから出射された前記レーザビームをコリメートする光学素子と、
    前記光学素子から出射された前記レーザビームの一部を同軸上に重畳して、同軸上に重畳した前記レーザビームを透過1次回折光として出射する透過型回折格子と、
    前記透過型回折格子から出射された前記透過1次回折光の一部を前記レーザ光源に向かって反射するとともに前記透過型回折格子から出射された前記透過1次回折光の残部を出射する出力カプラと、
    を備え、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれから出射される前記レーザビームは、各前記レーザ光源から離れた位置で重なり合っており、
    前記透過型回折格子は、複数の前記レーザ光源のそれぞれから出射される前記レーザビームが重なり合う重合位置に配置されるとともに、前記同一の平面と垂直な方向に平行に配置され、
    複数の前記レーザ光源のうち隣り合う2つの前記レーザ光源の間には、前記透過型回折格子から出射される反射1次回折光の光路上に位置する第1の隙間が形成され、
    前記第1の隙間を挟んで一方に配置されて前記第1の隙間に最も近い前記発光点と前記重合位置とを結んだ仮想直線と、前記第1の隙間を挟んで他方に配置されて前記第1の隙間に最も近い前記発光点と前記重合位置とを結んだ仮想直線とが成す第1の角度は、0.15度以上であることを特徴とするレーザ装置。
  2. 前記第1の角度は、1.0度以下であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
  3. 前記レーザ光源は、複数の発光点を有する半導体レーザアレイ素子であることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  4. 前記第1の隙間に配置されて、前記反射1次回折光の出力変動を測定する出力モニタ部材をさらに備え、
    前記出力モニタ部材は、前記反射1次回折光が入射する入射面を有していることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  5. 前記出力モニタ部材に設置されて、前記入射面の周囲を囲む遮蔽部材をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  6. 前記出力モニタ部材の前記入射面に設置されて、前記入射面に垂直に入射する前記反射1次回折光のみを透過させる物体側テレセントリックレンズをさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  7. 前記出力モニタ部材は、フォトダイオードであることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  8. 前記出力モニタ部材の前記入射面と前記透過型回折格子との間に設置されて、前記出力モニタ部材に入射する前記反射1次回折光の光強度を減衰させる減光光学素子をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載のレーザ装置。
  9. 前記第1の隙間に配置されて、前記反射1次回折光を吸収するダンパーをさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  10. 前記光学素子は、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれに設けられて、複数の前記レーザ光源のそれぞれから出射された前記レーザビームを速軸方向にコリメートする複数の第1の速軸コリメートレンズと、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれに設けられて、複数の前記第1の速軸コリメートレンズのそれぞれから出射された前記レーザビームを遅軸方向にコリメートする複数の遅軸コリメートレンズと、
    複数の前記遅軸コリメートレンズのそれぞれから出射された前記レーザビームを速軸方向にコリメートする第2の速軸コリメートレンズと、
    を有し、
    前記遅軸コリメートレンズと前記第2の速軸コリメートレンズとの間に配置されて、前記遅軸コリメートレンズから出射された前記レーザビームを前記第2の速軸コリメートレンズに向かって反射するミラーをさらに備え、
    前記ミラーは、2つに分割されており、
    隣り合う2つの前記ミラーの間には、前記反射1次回折光の光路上に位置する第2の隙間が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  11. 前記光学素子は、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれに設けられて、複数の前記レーザ光源のそれぞれから出射された前記レーザビームを速軸方向にコリメートする複数の第1の速軸コリメートレンズと、
    複数の前記レーザ光源のそれぞれに設けられて、複数の前記第1の速軸コリメートレンズのそれぞれから出射された前記レーザビームを遅軸方向にコリメートする複数の遅軸コリメートレンズと、
    複数の前記遅軸コリメートレンズのそれぞれから出射された前記レーザビームを速軸方向にコリメートする第2の速軸コリメートレンズと、
    を有し、
    前記第1の速軸コリメートレンズと前記遅軸コリメートレンズとの間に配置されて、前記レーザビームを前記レーザビームの光軸周りに90度回転させるビーム回転素子をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  12. 前記透過型回折格子から出射された前記透過1次回折光の回折角は、60度以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  13. 前記第1の隙間を挟んで一方に配置されて前記第1の隙間に最も遠い前記発光点と前記重合位置とを結んだ仮想直線と、前記第1の隙間を挟んで他方に配置されて前記第1の隙間に最も遠い前記発光点と前記重合位置とを結んだ仮想直線とが成す第2の角度は、5度以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。
  14. 請求項1または2に記載のレーザ装置と、
    前記レーザ装置から出射されたレーザビームを伝搬する伝搬部材と、
    前記伝搬部材から伝搬された前記レーザビームを集光して被加工物上に照射する加工ヘッドと、
    を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
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