JP7412644B2 - アンテナ装置 - Google Patents

アンテナ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7412644B2
JP7412644B2 JP2023523785A JP2023523785A JP7412644B2 JP 7412644 B2 JP7412644 B2 JP 7412644B2 JP 2023523785 A JP2023523785 A JP 2023523785A JP 2023523785 A JP2023523785 A JP 2023523785A JP 7412644 B2 JP7412644 B2 JP 7412644B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microwave
antenna
module
microwave module
modules
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023523785A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2022249310A5 (ja
JPWO2022249310A1 (ja
Inventor
実人 木村
幸宣 垂井
俊一 阿部
巧弥 長峯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2022249310A1 publication Critical patent/JPWO2022249310A1/ja
Publication of JPWO2022249310A5 publication Critical patent/JPWO2022249310A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7412644B2 publication Critical patent/JP7412644B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof

Description

本開示は、複数のマイクロ波モジュールを備えるアンテナ装置に関する。
アンテナ装置であるフェーズドアレイアンテナでは、グレーティングローブの抑圧のため、マイクロ波の波長に応じてアンテナ素子の配列ピッチが選択される。アンテナ素子の配列ピッチは、概ねマイクロ波の波長の2分の1以下であって、10GHzでは約15mm、20GHzでは約7.5mmとされる。フェーズドアレイアンテナには、マイクロ波の送受信のためのマイクロ波デバイスがアンテナ素子ごとに設けられる。アンテナ装置を構成するマイクロ波モジュールは、複数のマイクロ波デバイスを有する。
アンテナ装置は、マイクロ波の周波数が高くなるに従い、アンテナ素子の配列ピッチと同等またはそれ以下のピッチでマイクロ波モジュールを配列することが困難となる。このため、例えばKu帯以上の周波数帯にて送受信を行うアンテナ装置では、アンテナ素子の位置に対してマイクロ波モジュールの位置をオフセットさせて、アンテナ素子とマイクロ波モジュールとを配線により接続するのが一般的である。ただし、この場合、マイクロ波モジュールとアンテナ素子との間の配線が長くなることによって、配線での電力の損失による送信電力の低下と、受信される信号に含まれる雑音の増加とが問題であった。また、アンテナ素子のアレイサイズを変更する場合に、アンテナ素子に対するマイクロ波モジュールのオフセット量がアレイサイズに応じて変わる。このため、アンテナ装置をスケーラブルな設計に対応させることが難しく、アレイサイズが変更されるごとにアンテナ装置の大規模な設計変更が必要であるという問題もあった。マイクロ波モジュールは、アンテナ素子が配列される面であるアンテナ面の方向におけるサイズがアンテナ面よりも大きくなることによって、アンテナ装置への搭載性が低下するという問題もあった。これらの問題を解決するために、マイクロ波モジュールは、アンテナ面の方向におけるサイズを小さくすることが望まれていた。
特許文献1には、マイクロ波モジュールの主要なマイクロ波部品を1つのパッケージに集積させたマイクロ波デバイスを有するアンテナ装置が開示されている。特許文献1のアンテナ装置において、マイクロ波デバイスは、アンテナ面に平行に配置された基板に実装される。
国際公開第2018/168391号
特許文献1に開示されている従来技術によると、マイクロ波デバイス内における半導体チップの実装面がアンテナ面に平行であることから、アンテナ面の方向におけるマイクロ波デバイスのサイズは、半導体チップの平面サイズよりも小さくすることはできない。マイクロ波の周波数が高くなっても、マイクロ波デバイスの出力電力が変わらなければ半導体チップの平面サイズを小さくすることは難しい。このため、従来技術によると、マイクロ波の周波数が高くなるにつれて、アンテナ素子の配列ピッチが小さくなる一方、アンテナ素子が配列される面の方向におけるマイクロ波モジュールのサイズを小さくすることが困難になるという問題があった。
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、アンテナ素子が配列される面の方向におけるサイズを小さくすることができるアンテナ装置を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示にかかるアンテナ装置は、複数のマイクロ波モジュールと、複数のアンテナ素子と、複数のマイクロ波モジュールのうち互いに向かい合うマイクロ波モジュールである第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとの間に挟まれた冷却板と、を備える。複数のマイクロ波モジュールの各々は、複数のアンテナ素子のうち対応するアンテナ素子との信号の受け渡しを各々が行う複数のマイクロ波デバイスと、複数のマイクロ波デバイスが実装された実装面を有し、かつ複数のアンテナ素子の各々と電気的に接続されているマイクロ波モジュール基板と、を有する複数のマイクロ波モジュールの複数のアンテナ素子は、共通の平面に配列されている。複数のマイクロ波モジュールの各々の実装面は、平面に垂直である。複数のマイクロ波デバイスの各々は、多層基板と、多層基板に実装された半導体素子と、半導体素子のうち多層基板とは逆側の面に接するヒートシンクと、半導体素子およびヒートシンクの周囲を覆う樹脂と、ヒートシンクに接し、かつ多層基板の側面と樹脂とを覆う電磁シールド膜と、電磁シールド膜に電気的に接続されているグラウンド端子と、を有する。冷却板は、第1のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイスと第2のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイスとの間に設けられている。
本開示にかかるアンテナ装置は、アンテナ素子が配列される面の方向におけるサイズを小さくすることができるという効果を奏する。
実施の形態1にかかるアンテナ装置の構成を示す図 実施の形態1にかかるアンテナ装置におけるマイクロ波モジュール基板および冷却板のセットを示す断面図 実施の形態1にかかるアンテナ装置を構成するマイクロ波デバイスを示す断面図
以下に、実施の形態にかかるアンテナ装置を図面に基づいて詳細に説明する。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1にかかるアンテナ装置1の構成を示す図である。図1に示すアンテナ装置1は、アクティブフェーズドアレイアンテナである。図1には、3軸直交座標系のX軸、Y軸およびZ軸を示す。
アンテナ装置1は、複数のアンテナ素子4と複数のマイクロ波モジュール2とを有する。各マイクロ波モジュール2は、マイクロ波モジュール基板3を有する。複数のアンテナ素子4は、共通の平面であるアンテナ面6に配列されている。アンテナ面6は、アンテナ装置1の外郭を構成する平面である。アンテナ面6は、X軸とZ軸とを含むXZ面である。また、アンテナ装置1は、マイクロ波モジュール2を冷却するための冷却板5を有する。
各マイクロ波モジュール2のマイクロ波モジュール基板3は、アンテナ面6に垂直に配置されている。Z軸方向において互いに向かい合う2個のマイクロ波モジュール基板3の間に、冷却板5が設けられている。図1において、2個のマイクロ波モジュール基板3および冷却板5のセットが、X軸方向に2個、および、Z軸方向に2個配列されている。すなわち、図1には、8個のマイクロ波モジュール基板3が示されている。
アンテナ装置1は、アンテナ面6の方向に配列された複数のマイクロ波モジュール2を有する。図1では、アンテナ装置1に備えられた複数のマイクロ波モジュール2のうちの一部である8個のマイクロ波モジュール2を示す。図1には、アンテナ装置1の外郭と、アンテナ素子4と、アンテナ装置1の内部のマイクロ波モジュール基板3および冷却板5とを示す。
図1において、各マイクロ波モジュール2には、X軸方向に配列された8個のアンテナ素子4が接続されている。各アンテナ素子4は、等間隔で配置されている。なお、各マイクロ波モジュール2に接続されているアンテナ素子4の数は8個に限られず、任意であるものとする。
各アンテナ素子4は、マイクロ波モジュール基板3と電気的に接続されている。アンテナ素子4は、マイクロ波モジュール基板3のうちY軸方向における端に設けられたコネクタに接続されている。コネクタの図示は省略する。なお、各アンテナ素子4は、マイクロ波モジュール基板3と一体に設けられても良い。この場合、アンテナ素子4とマイクロ波モジュール基板3とは、アンテナ面6の付近にて接続される。
図2は、実施の形態1にかかるアンテナ装置1におけるマイクロ波モジュール基板3および冷却板5のセットを示す断面図である。図2に示す断面は、X軸とZ軸とを含むXZ断面である。アンテナ装置1に設けられているマイクロ波モジュール基板3および冷却板5の各セットは、いずれも同様の構成を有する。
図2には、冷却板5と、冷却板5を介して互いに向かい合う2個のマイクロ波モジュール2と、2個の放熱シート8とを示す。以下の説明にて、当該2個のマイクロ波モジュール2の各々を区別する場合は、当該2個のマイクロ波モジュール2のうち図2における左側に示す一方のマイクロ波モジュール2を第1のマイクロ波モジュール、当該2個のマイクロ波モジュール2のうち他方のマイクロ波モジュール2を第2のマイクロ波モジュールと称する。
マイクロ波モジュール2は、複数のマイクロ波デバイス7を有する。複数のマイクロ波デバイス7は、X軸方向に配列されている。マイクロ波モジュール2において、複数のマイクロ波デバイス7の各々は、マイクロ波モジュール基板3に実装されている。マイクロ波デバイス7は、マイクロ波モジュール2の主要なマイクロ波部品を1つのパッケージに集積させたものである。マイクロ波モジュール2は、当該マイクロ波モジュール2に接続されているアンテナ素子4と同数のマイクロ波デバイス7を有する。マイクロ波モジュール2の複数のマイクロ波デバイス7の各々は、複数のアンテナ素子4のうち対応するアンテナ素子4との信号の受け渡しを行う。
第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとの各々は、X軸方向に配列された8個のマイクロ波デバイス7を有する。図2には、第1のマイクロ波モジュールのうち3個のマイクロ波デバイス7が設けられている部分と第2のマイクロ波モジュールのうち3個のマイクロ波デバイス7が設けられている部分とを示す。
各マイクロ波モジュール2のマイクロ波モジュール基板3は、マイクロ波デバイス7が実装されている実装面3aを有する。実装面3aは、X軸とY軸とを含むXY面である。すなわち、実装面3aは、アンテナ面6に垂直である。
第1のマイクロ波モジュールは、第1のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイス7を第2のマイクロ波モジュールへ向けて配置される。第2のマイクロ波モジュールは、第2のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイス7を第1のマイクロ波モジュールへ向けて配置される。このように、第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとは、互いに向かい合う。冷却板5は、第1のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイス7と第2のマイクロ波モジュールの複数のマイクロ波デバイス7との間に挟まれている。マイクロ波モジュール2にて発生した熱が冷却板5へ伝播することによって、マイクロ波モジュール2は冷却される。第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとは、共通の冷却板5によって冷却される。
図2に示す2個の放熱シート8のうちの一方は、第1のマイクロ波モジュールと冷却板5との間に挟まれている。2個の放熱シート8のうちの他方は、第2のマイクロ波モジュールと冷却板5との間に挟まれている。放熱シート8は、熱抵抗が低く、かつ高い弾力性を有するシートである。放熱シート8の材料としては、カーボンまたは銀といった高熱伝導材が埋め込まれたシリコンゴム等を例示できる。放熱シート8は、液体またはゲル状の放熱媒体が封止されたシートであっても良い。
放熱シート8は、マイクロ波デバイス7のうちマイクロ波モジュール基板3とは逆側の面である接触面7aに接触する。マイクロ波モジュール基板3に実装されている各マイクロ波デバイス7は、放熱シート8に押し当てられている。放熱シート8は、各マイクロ波デバイス7の接触面7aの、Z軸方向における高さばらつきを吸収する。また、放熱シート8は、マイクロ波デバイス7の熱を効率良く冷却板5へ伝播させる。第1のマイクロ波モジュールのマイクロ波デバイス7と、第2のマイクロ波モジュールのマイクロ波デバイス7とは、放熱シート8を介して冷却板5に熱的に接続されている。これにより、アンテナ装置1は、第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとを効率的に冷却することができる。
マイクロ波モジュール基板3とマイクロ波デバイス7との電気的な接続は、マイクロ信号端子、制御端子およびグラウンド端子が配されたLGA(Land Grid Array)またはBGA(Ball Grid Array)におけるはんだ接合による。マイクロ波デバイス7のグラウンド端子7bは、マイクロ波モジュール基板3のグラウンドビアホール3bに電気的に接続されている。
マイクロ波デバイス7のグラウンド端子7bは、マイクロ波デバイス7を覆う電磁シールド膜に電気的に接続されている。電磁シールド膜の詳細については後述する。マイクロ波デバイス7のグラウンド端子7bがマイクロ波モジュール基板3のグラウンドビアホール3bに接続されることによって、マイクロ波デバイス7からのマイクロ波信号の放射が抑圧される。これにより、マイクロ波モジュール2は、マイクロ波デバイス7同士の電磁干渉を防ぐための筐体または仕切りといった構造物が不要となり、簡易な構成によってマイクロ波デバイス7同士の電磁干渉を低減できる。
図3は、実施の形態1にかかるアンテナ装置1を構成するマイクロ波デバイス7を示す断面図である。図3に示す断面は、XZ断面である。アンテナ装置1における各マイクロ波モジュール2の各マイクロ波デバイス7は、いずれも同様の構成を有する。
図3に示すマイクロ波デバイス7は、多層基板11と、半導体素子である半導体チップ12と、ヒートシンク13と、電磁シールド膜14と、モールド樹脂15を有する。マイクロ波デバイス7には、2個の半導体チップ12が設けられている。マイクロ波デバイス7に設けられる半導体チップ12の数は2個に限られず、任意とする。各半導体チップ12は、高周波回路であって、マイクロ波デバイス7における主な発熱源である。
半導体チップ12は、多層基板11にフリップチップ実装されている。半導体チップ12は、はんだ16を介して、多層基板11に電気的に接続されている。各半導体チップ12は、導電性接着剤等によりヒートシンク13に接合されている。ヒートシンク13は、各半導体チップ12のうち多層基板11とは逆側の面12aに接する。半導体チップ12とヒートシンク13とは熱的に接続されている。ヒートシンク13のうち半導体チップ12とは逆側の面13aは、電磁シールド膜14に接する。接触面7aは、電磁シールド膜14のうちヒートシンク13とは逆側の面である。
モールド樹脂15は、多層基板11上にて半導体チップ12およびヒートシンク13の周囲を覆う樹脂である。電磁シールド膜14は、無電解メッキまたは導電性接着剤といった、導電性を有する被膜である。電磁シールド膜14は、各ヒートシンク13に接し、かつ多層基板11の側面11aとモールド樹脂15とを覆う。側面11aは、多層基板11のうちX軸方向における端面およびY軸方向における端面である。側面11aから、多層基板11上の半導体チップ12、ヒートシンク13およびモールド樹脂15を電磁シールド膜14が覆うことにより、半導体チップ12を封止するパッケージが形成されている。半導体チップ12で発生した熱は、ヒートシンク13と、マイクロ波デバイス7の接触面7aと、放熱シート8とを通って、冷却板5へ伝播する。
マイクロ波デバイス7が上記の構成であることによって、パッケージのうちZ軸方向における一方の側が、マイクロ波デバイス7の電気的インタフェースとなる。また、パッケージのうちZ軸方向における他方の側が、マイクロ波デバイス7の熱的インタフェースとなる。このように、マイクロ波デバイス7では、Z軸方向において電気的インタフェースと熱的インタフェースとが互いに分離されている。
Z軸方向において熱的インタフェースが電気的インタフェースとは分離されていることにより、マイクロ波デバイス7では、半導体チップ12からの熱経路が短縮されている。このため、マイクロ波モジュール2は、マイクロ波デバイス7が上記の構成であることによって、効率的な放熱が可能となる。マイクロ波モジュール2は、効率的な放熱が可能であることによって、高出力を実現できる。
電磁シールド膜14は、多層基板11のグラウンドパターン11cと電気的に接続されている。グラウンドパターン11cは、多層基板11のグラウンドビアホール11bを介してグラウンド端子7bに接続されている。グラウンド端子7bは、マイクロ波モジュール2の各マイクロ波デバイス7に設けられている。このような構成により、マイクロ波デバイス7は、パッケージの内部からパッケージの外へのマイクロ波信号の放射を抑圧することができる。
マイクロ波モジュール2は、アンテナ面6に垂直に配置されたマイクロ波モジュール基板3を有し、マイクロ波モジュール基板3のうちアンテナ面6に垂直な実装面3aに各マイクロ波デバイス7が実装されている。実装面3aがアンテナ面6に垂直であることによって、実装面3aに占める半導体チップ12の面積にかかわらず、マイクロ波モジュール2は、アンテナ面6の方向におけるサイズを小さくすることができる。マイクロ波モジュール2は、実装面3aがアンテナ面6に平行である場合に比べて容易に、アンテナ面6の方向におけるサイズを小さくすることができる。マイクロ波モジュール2は、アンテナ面6の方向におけるサイズを小さくできることによって、アンテナ装置1への搭載性を向上できる。
アンテナ装置1は、アンテナ素子4の位置に対してマイクロ波モジュール2の位置をオフセットさせなくても、アンテナ素子4の配列ピッチと同等またはそれ以下のピッチでマイクロ波モジュール2を配列することが可能となる。アンテナ装置1は、マイクロ波の周波数が高い場合、例えば、周波数帯が例えばKu帯以上である場合であっても、マイクロ波モジュール2の位置をオフセットさせずに配置することができる。
アンテナ装置1は、アンテナ素子4の位置に対するマイクロ波モジュール2の位置のオフセットが不要であることで、マイクロ波モジュール2とアンテナ素子4との間の配線における、電力損失または雑音の増加といった問題を回避することができる。アンテナ装置1は、電力損失を少なくでき、かつ雑音を低減できることによって、高い電気性能を得ることができる。
また、アンテナ装置1は、アンテナ素子4のアレイサイズの変更によってオフセット量が変わるという問題を回避することができる。アンテナ装置1は、スケーラブルな設計に容易に対応させることができ、アレイサイズの変更による設計変更を少なくすることができる。
実施の形態1によると、マイクロ波モジュール2は、マイクロ波モジュール基板3の実装面3aがアンテナ面6に垂直であって、実装面3aに複数のマイクロ波デバイス7が実装されている。これにより、マイクロ波モジュール2は、アンテナ面6の方向におけるサイズを小さくすることができるという効果を奏する。
以上の実施の形態に示した構成は、本開示の内容の一例を示すものである。実施の形態の構成は、別の公知の技術と組み合わせることが可能である。本開示の要旨を逸脱しない範囲で、実施の形態の構成の一部を省略または変更することが可能である。
1 アンテナ装置、2 マイクロ波モジュール、3 マイクロ波モジュール基板、3a 実装面、3b,11b グラウンドビアホール、4 アンテナ素子、5 冷却板、6 アンテナ面、7 マイクロ波デバイス、7a 接触面、7b グラウンド端子、8 放熱シート、11 多層基板、11a 側面、11c グラウンドパターン、12 半導体チップ、12a,13a 面、13 ヒートシンク、14 電磁シールド膜、15 モールド樹脂。

Claims (1)

  1. 複数のマイクロ波モジュールと、
    複数のアンテナ素子と、
    複数の前記マイクロ波モジュールのうち互いに向かい合う前記マイクロ波モジュールである第1のマイクロ波モジュールと第2のマイクロ波モジュールとの間に挟まれた冷却板と、を備え、
    複数の前記マイクロ波モジュールの各々は、
    複数の前記アンテナ素子のうち対応する前記アンテナ素子との信号の受け渡しを各々が行う複数のマイクロ波デバイスと、
    複数の前記マイクロ波デバイスが実装された実装面を有し、かつ複数の前記アンテナ素子の各々と電気的に接続されているマイクロ波モジュール基板と、
    を有し、
    複数の前記マイクロ波モジュールの複数の前記アンテナ素子は、共通の平面に配列されており、
    複数の前記マイクロ波モジュールの各々の前記実装面は、前記平面に垂直であって、
    複数の前記マイクロ波デバイスの各々は、
    多層基板と、
    前記多層基板に実装された半導体素子と、
    前記半導体素子のうち前記多層基板とは逆側の面に接するヒートシンクと、
    前記半導体素子および前記ヒートシンクの周囲を覆う樹脂と、
    前記ヒートシンクに接し、かつ前記多層基板の側面と前記樹脂とを覆う電磁シールド膜と、
    前記電磁シールド膜に電気的に接続されているグラウンド端子と、
    を有し、
    前記冷却板は、前記第1のマイクロ波モジュールの複数の前記マイクロ波デバイスと前記第2のマイクロ波モジュールの複数の前記マイクロ波デバイスとの間に設けられていることを特徴とするアンテナ装置。
JP2023523785A 2021-05-26 2021-05-26 アンテナ装置 Active JP7412644B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/019909 WO2022249310A1 (ja) 2021-05-26 2021-05-26 マイクロ波モジュールおよびアンテナ装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022249310A1 JPWO2022249310A1 (ja) 2022-12-01
JPWO2022249310A5 JPWO2022249310A5 (ja) 2023-10-20
JP7412644B2 true JP7412644B2 (ja) 2024-01-12

Family

ID=84228618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023523785A Active JP7412644B2 (ja) 2021-05-26 2021-05-26 アンテナ装置

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP4350756A1 (ja)
JP (1) JP7412644B2 (ja)
WO (1) WO2022249310A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168268A (ja) 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体モジュールおよび電子回路装置
JP2003298332A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
WO2018168391A1 (ja) 2017-03-13 2018-09-20 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168268A (ja) 1999-12-07 2001-06-22 Sony Corp 半導体モジュールおよび電子回路装置
JP2003298332A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
WO2018168391A1 (ja) 2017-03-13 2018-09-20 三菱電機株式会社 マイクロ波デバイス及び空中線

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022249310A1 (ja) 2022-12-01
EP4350756A1 (en) 2024-04-10
JPWO2022249310A1 (ja) 2022-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10468323B2 (en) High frequency module
JP6821008B2 (ja) マイクロ波デバイス及び空中線
CA2127736C (en) Packaging structure for microwave circuit
EP2626897B1 (en) Transmission line transition having vertical structure and single chip package using land grid array joining
CA2202426C (en) Mounting structure for a semiconductor circuit
JP2002184933A (ja) 半導体装置
JP2006073651A (ja) 半導体装置
EP3327767B1 (en) Mount structure, method of manufacturing mount structure, and wireless device
WO2020153068A1 (ja) アンテナモジュール及び通信装置
US9621196B2 (en) High-frequency module and microwave transceiver
US20230007773A1 (en) Cable Assembly, Signal Transmission Structure, and Electronic Device
KR20200113581A (ko) 반도체 패키지
US20030209808A1 (en) Semiconductor device having semiconductor chips mounted on package substrate
JP7412644B2 (ja) アンテナ装置
US11245177B1 (en) Wireless communication module
JPS6188547A (ja) 半導体装置
WO2022014066A1 (ja) 無線通信モジュール
JP2015201538A (ja) 高周波モジュール
CN218525735U (zh) 电子器件
WO2021261001A1 (ja) 処理装置
JP2003007914A (ja) 半導体装置
JP7280208B2 (ja) 電子制御装置
CN219998479U (zh) 电子器件
WO2022176285A1 (ja) アンテナ装置及びレドーム
JP2002329803A (ja) 電子回路モジュールおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230817

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230817

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230817

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7412644

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150