JP7410231B2 - ディスプレイ装置、電子機器 - Google Patents
ディスプレイ装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7410231B2 JP7410231B2 JP2022112982A JP2022112982A JP7410231B2 JP 7410231 B2 JP7410231 B2 JP 7410231B2 JP 2022112982 A JP2022112982 A JP 2022112982A JP 2022112982 A JP2022112982 A JP 2022112982A JP 7410231 B2 JP7410231 B2 JP 7410231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- display device
- emitting elements
- layer
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 187
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 25
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 10
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims description 4
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 284
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 48
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 20
- 101710083129 50S ribosomal protein L10, chloroplastic Proteins 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 101150027645 SUB10 gene Proteins 0.000 description 14
- 101710114762 50S ribosomal protein L11, chloroplastic Proteins 0.000 description 13
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 101710082414 50S ribosomal protein L12, chloroplastic Proteins 0.000 description 6
- 101001057156 Homo sapiens Melanoma-associated antigen C2 Proteins 0.000 description 6
- 102100027252 Melanoma-associated antigen C2 Human genes 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 101000798429 Pinus strobus Putative 2-Cys peroxiredoxin BAS1 Proteins 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005265 GaInZnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
AL1,AL11~AL13 活性層、
BM ブラックマトリックスパターン、
C1,C2 チャネル層、
c11~c15 コンタクト部、
CC1 青緑色変換要素、
CC2 青赤色変換要素、
CD1,CD2 導電体、
CL10~CL12 カラー制御部材、
CF1~CF3 カラーフィルタ、
CM10 通信部、
CP10 第1導電プラグ、
CP20 第2導電プラグ、
CT10 キャパシタ、
D1,D2 ドレイン電極、
DD10 データドライバ、
DL1 データライン、
E10,E11 第1電極、
E20,E22 第2電極、
FL11 YRF、
FT11 BCF、
G1,G2 ゲート電極、
GI1 ゲート絶縁層、
H1,H2 ホール、
ISP10 映像信号処理部、
LA10 発光要素アレイ、
LE10,LE10a 発光要素、
ML10 マスク層、
NL10 第1絶縁層、
NL15 中間絶縁層、
NL20 第2絶縁層、
P1 第1部分、
P2 第2部分、
PS13 パッシベーション層、
S1,S2 ソース電極、
SC1 第1導電型半導体、
SC2 第2導電型半導体、
SD10 スキャンドライバ、
SL1 スキャンライン、
SL10 半導体層、
SP1-SP3 単位領域、
SUB10,SUB10-1,SUB10-2 基板、
TA10 トランジスタアレイ、
TR10,TR10a,TR10b トランジスタ、
VL1 電源ライン。
Claims (17)
- 無機物基盤の1つ以上の発光要素を含む第1層構造体と、
前記1つ以上の発光要素と電気的に連結された1つ以上のトランジスタを含む第2層構造体と、
前記1つ以上の発光要素で発せられた光のカラーを調節するための量子点基盤の色変換器を含む第3層構造体と、を備え、
前記第1ないし第3層構造体は、いずれも1枚の基板上にモノリシック(monolithic)に備えられてモノリシック素子を構成し、
前記第1層構造体及び第2層構造体を覆う絶縁層を含む、ディスプレイ装置。 - 前記1つ以上の発光素子は、前記第1層構造体の厚み方向に並んでいる垂直構造である、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 前記1つ以上の発光素子は、第1導電型半導体、活性層及び第2導電型半導体を含む、請求項1または2に記載のディスプレイ装置。
- 前記第1導電型半導体、前記活性層及び前記第2導電型半導体のうち、少なくとも1つは、GaN系の物質を含む、請求項3に記載のディスプレイ装置。
- Siを含む基板をさらに含む、請求項1ないし4のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記1つ以上のトランジスタは、それに対応する発光素子とオーバーラップされないように、前記第2層構造体の厚み方向と垂直方向に前記発光素子と離隔配置される、請求項1ないし5のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記絶縁層は、実質的に平坦な表面を有する、請求項1に記載のディスプレイ装置。
- 前記第1層構造体と前記色変換器との間に配置されるYRF(yellow recycling film)をさらに含む、請求項1ないし7のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記第3構造体は青色カラーフィルタをさらに含む、請求項1ないし8のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記1つ以上の発光要素は、第1サブピクセルに対応する第1グループの青色発光要素、第2サブピクセルに対応する第2グループの青色発光要素、第3サブピクセルに対応する第3グループの青色発光要素を含み、
前記色変換器は、前記第2サブピクセルに対応する青-緑(blue-to-green)色変換要素及び前記第3サブピクセルに対応する青-赤(blue-to-red)色変換要素を含む、請求項1ないし8のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。 - 前記色変換器は、前記第1サブピクセルに対応する光散乱要素をさらに含む、請求項10に記載のディスプレイ装置。
- 前記1つ以上の発光要素及び前記1つ以上のトランジスタを含むアクティブ領域、前記アクティブ領域に連結されたスキャンドライバ及び前記アクティブ領域に連結されたデータドライバをさらに含む、請求項1ないし11のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記Siを含む基板をさらに含み、
前記1つ以上の発光要素及び前記1つ以上のトランジスタを含むアクティブ領域、前記アクティブ領域に連結されたスキャンドライバ及び前記アクティブ領域に連結されたデータドライバをさらに含み、
前記アクティブ領域、前記スキャンドライバ及び前記データドライバは、前記Siを含む基板にモノリシック(monolithic)に備えられた、請求項5に記載のディスプレイ装置。 - 映像信号処理部及び通信部をさらに含み、
前記映像信号処理部及び前記通信部は、前記アクティブ領域、前記スキャンドライバ及び前記データドライバと共に、前記基板にモノリシック(monolithic)に備えられた、請求項12または13に記載のディスプレイ装置。 - 請求項1ないし14のうち、いずれか1項に記載のディスプレイ装置を含む電子機器。
- 前記電子機器は、ウェアラブル(wearable)機器またはポータブル(portable)器機である、請求項15に記載の電子機器。
- 前記電子機器は、AR(augmented reality)ディスプレイ、VR(virtual reality)ディスプレイまたはプロジェクション(projection)ディスプレイである、請求項15に記載の電子機器。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762515161P | 2017-06-05 | 2017-06-05 | |
US62/515,161 | 2017-06-05 | ||
KR10-2017-0069526 | 2017-06-05 | ||
KR20170069526 | 2017-06-05 | ||
KR10-2017-0091719 | 2017-07-19 | ||
KR1020170091719A KR102395993B1 (ko) | 2017-06-05 | 2017-07-19 | 디스플레이 장치 |
JP2018104574A JP7107751B2 (ja) | 2017-06-05 | 2018-05-31 | ディスプレイ装置、電子機器、発光素子 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018104574A Division JP7107751B2 (ja) | 2017-06-05 | 2018-05-31 | ディスプレイ装置、電子機器、発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022163025A JP2022163025A (ja) | 2022-10-25 |
JP7410231B2 true JP7410231B2 (ja) | 2024-01-09 |
Family
ID=64671132
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018104574A Active JP7107751B2 (ja) | 2017-06-05 | 2018-05-31 | ディスプレイ装置、電子機器、発光素子 |
JP2022112982A Active JP7410231B2 (ja) | 2017-06-05 | 2022-07-14 | ディスプレイ装置、電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018104574A Active JP7107751B2 (ja) | 2017-06-05 | 2018-05-31 | ディスプレイ装置、電子機器、発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7107751B2 (ja) |
KR (2) | KR102395993B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6999877B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2022-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
KR20200076348A (ko) | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 디스플레이 장치 |
JP7264694B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-04-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20210042217A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-19 | 삼성전자주식회사 | 평판형 광결합기를 포함하는 증강 현실 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR20220045477A (ko) | 2020-10-05 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
WO2022209824A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 画像表示装置の製造方法および画像表示装置 |
EP4325473A1 (en) | 2021-07-14 | 2024-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
WO2023287069A1 (ko) * | 2021-07-14 | 2023-01-19 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194596A (ja) | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置、電子機器、及び半導体装置の製造方法 |
US20090140272A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Goldeneye, Inc. | Solid-state light source |
US20120032142A1 (en) | 2009-04-20 | 2012-02-09 | Leatherdale Catherine A | Non-radiatively pumped wavelength converter |
WO2016079505A1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Mled Limited | Integrated colour led micro-display |
JP2017054120A (ja) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | ディスプレイデバイス |
US20170133356A1 (en) | 2014-06-30 | 2017-05-11 | Aledia | Optoelectronic device including light-emitting diodes and a control circuit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
JP2007265973A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN102437170B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-03-26 | 贵州大学 | 一种蓝光激发tft-led阵列显示基板及其制造方法 |
JP2015064391A (ja) * | 2012-01-23 | 2015-04-09 | シャープ株式会社 | 蛍光体基板、表示装置および電子機器 |
KR20130092896A (ko) * | 2012-02-13 | 2013-08-21 | 엘지전자 주식회사 | Led 디스플레이 장치 및 그것의 제조 방법 |
KR101898679B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2018-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 발광소자 |
US9099573B2 (en) * | 2013-10-31 | 2015-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nano-structure semiconductor light emitting device |
FR3023669A1 (fr) * | 2014-07-11 | 2016-01-15 | Aledia | Circuit optoelectronique a diodes electroluminescentes a scintillement reduit |
US9620559B2 (en) * | 2014-09-26 | 2017-04-11 | Glo Ab | Monolithic image chip for near-to-eye display |
-
2017
- 2017-07-19 KR KR1020170091719A patent/KR102395993B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-31 JP JP2018104574A patent/JP7107751B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-03 KR KR1020220014463A patent/KR20220020322A/ko not_active Application Discontinuation
- 2022-07-14 JP JP2022112982A patent/JP7410231B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007194596A (ja) | 2005-12-20 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示装置、電子機器、及び半導体装置の製造方法 |
US20090140272A1 (en) | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Goldeneye, Inc. | Solid-state light source |
US20120032142A1 (en) | 2009-04-20 | 2012-02-09 | Leatherdale Catherine A | Non-radiatively pumped wavelength converter |
US20170133356A1 (en) | 2014-06-30 | 2017-05-11 | Aledia | Optoelectronic device including light-emitting diodes and a control circuit |
WO2016079505A1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Mled Limited | Integrated colour led micro-display |
JP2017054120A (ja) | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 群創光電股▲ふん▼有限公司Innolux Corporation | ディスプレイデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102395993B1 (ko) | 2022-05-11 |
KR20220020322A (ko) | 2022-02-18 |
KR20180133192A (ko) | 2018-12-13 |
JP2018205741A (ja) | 2018-12-27 |
JP2022163025A (ja) | 2022-10-25 |
JP7107751B2 (ja) | 2022-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11664384B2 (en) | Display apparatus including array of inorganic light emitting elements | |
JP7410231B2 (ja) | ディスプレイ装置、電子機器 | |
US11532664B2 (en) | Light emitting diode (LED) stack for a display | |
US10096750B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing | |
US11670737B2 (en) | Display device | |
KR102384663B1 (ko) | 발광 소자를 포함하는 표시 장치 | |
WO2020100302A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100300A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020115851A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100294A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
CN115104185A (zh) | 显示装置 | |
US20230387179A1 (en) | Light emitting device for display and display apparatus having the same | |
WO2020100292A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100301A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100293A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100298A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100291A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020100303A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
US20220376144A1 (en) | Light-emitting diode and display device comprising same | |
WO2020100290A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
WO2020136846A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
CN115244697A (zh) | 发光器件及包括其的显示器 | |
US20230122669A1 (en) | Production method for image display device and image display device | |
WO2020100297A1 (ja) | マイクロledデバイスおよびその製造方法 | |
CN114512575A (zh) | 发光元件制造方法以及发光元件阵列衬底和显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230630 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20230711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20231120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7410231 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |