JP7410120B2 - ガス分配器および流量検証器 - Google Patents
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Description
本出願は、2018年7月19日に出願された、Taskarらによる「Gas Distributor and Flow Verifier」と題する米国特許出願第16/040,326号の優先権の利益を主張し、上記の出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
信号を供給する。
本開示は、以下の形態により実現されてもよい。
[形態1]
本体と、
ガスを前記本体に投入するためのガス入口と、
前記ガスを外部構成要素に分配するための環状配列のガス出口と、
前記本体内において前記環状配列のガス出口の中心に配置され、前記環状配列のガス出口と流体連通する中央ガス分配点と
を備える、ガス分配器。
[形態2]
形態1に記載のガス分配器であって、
前記環状配列のガス出口は、前記中央ガス分配点の周りに放射状に等距離に隔置される、ガス分配器。
[形態3]
形態1に記載のガス分配器であって、
前記本体は、前記中央ガス分配点を前記環状配列のガス出口に接続する内部ガス導管を含む、ガス分配器。
[形態4]
形態3に記載のガス分配器であって、
前記中央ガス分配点から前記環状配列のガス出口までの前記内部ガス導管のそれぞれのガス流路は、長さが等しい、ガス分配器。
[形態5]
形態1に記載のガス分配器であって、
各ガス出口は、そのガス出口を通過する所定のガス流を許可または調節するようにサイズ設定されたオリフィスを含む、ガス分配器。
[形態6]
形態5に記載のガス分配器であって、
前記本体は、前記ガス出口を出る所定のガス流を許可または調節するために、それぞれの制御弁またはノズルの装着場所を含む、ガス分配器。
[形態7]
形態6に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルの各々がオリフィスを含む、ガス分配器。
[形態8]
形態6に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルをさらに備える、ガス分配器。
[形態9]
形態8に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルが交換可能である、ガス分配器。
[形態10]
形態8に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルが水平配向または垂直配向に構成される、ガス分配器。
[形態11]
形態8に記載のガス分配器であって、
第1の制御弁またはノズルに関連するオリフィスは、第2の制御弁またはノズルに関連するオリフィスとは異なるようにサイズ設定される、ガス分配器。
[形態12]
形態1に記載のガス分配器であって、
前記中央ガス分配点が実質的に球形の体積を含む、ガス分配器。
[形態13]
形態1に記載のガス分配器であって、
前記環状配列のガス出口を流れる前記ガスのガス流量を測定または検証する1つまたは複数の真空計
をさらに備える、ガス分配器。
[形態14]
ガスを分配する方法であって、
ガス分配器を設けることであって、前記ガス分配器は、
本体と、
ガスを前記本体に投入するためのガス入口と、
前記ガスを外部構成要素に分配するための環状配列のガス出口と、
前記本体内において前記環状配列のガス出口の中心に配置され、前記環状配列のガス出口と流体連通する中央ガス分配点と
を備えることと、
前記ガス入口を通してガスを前記中央ガス分配点に供給することと、
前記環状配列内のガス出口の数、または動作中の前記ガス出口の割合に基づいて、前記供給されたガスを前記中央ガス分配点の内部で分割することと、
前記分割されたガスを前記ガス出口の各々、または動作中の前記ガス出口の各々に分配することと、
前記分配されたガスを下流の場所に供給することと
を含む、方法。
[形態15]
形態14に記載の方法であって、
前記分割されたガスを前記本体内に形成された内部ガス導管を通して前記ガス出口に分配することであって、前記内部ガス導管は、前記環状配列のガス出口を前記中央ガス分配点に接続すること
をさらに含む、方法。
[形態16]
形態15に記載の方法であって、
前記中央ガス分配点から前記環状配列のガス出口までの前記内部ガス導管のそれぞれのガス流路に沿って前記分割されたガスを分配することであって、前記それぞれのガス流路は長さが等しいこと
をさらに含む、方法。
[形態17]
形態14に記載の方法であって、
各ガス出口に関連して、そのガス出口を通過する所定のガス流を許可または調節するようにサイズ設定されたオリフィスを設けること
をさらに含む、方法。
[形態18]
形態14に記載の方法であって、
前記ガス分配器は、制御弁またはノズルをさらに備える、方法。
[形態19]
形態18に記載の方法であって、
前記制御弁またはノズルの各々は、1つまたは複数のオリフィスを含み、第1の制御弁またはノズルに関連するオリフィスは、第2の制御弁またはノズルに関連するオリフィスとは異なるようにサイズ設定される、方法。
[形態20]
機械によって読み取られると、ガス分配器を利用するガス分配方法における動作を前記機械に制御させる命令を含む機械可読媒体であって、前記ガス分配器は、本体と、ガスを前記本体に投入するためのガス入口と、前記ガスを外部構成要素に分配するための環状配列のガス出口と、前記本体内において前記環状配列のガス出口の中心に配置され、前記環状配列のガス出口と流体連通する中央ガス分配点とを備え、前記動作は、少なくとも、
前記ガス入口を通してガスを前記中央ガス分配点に供給することと、
前記環状配列内のガス出口の数、または動作中の前記ガス出口の割合に基づいて、前記供給されたガスを前記中央ガス分配点の内部で分割することと、
前記分割されたガスを前記ガス出口の各々、または動作中の前記ガス出口の各々に分配することと、
前記分配されたガスを下流の場所に供給することと
を含む、機械可読媒体。
Claims (20)
- 本体と、
ガスを外部構成要素に分配するための環状配列のガス出口と、
ガスを前記本体に投入するためのガス入口であって、前記環状配列のガス出口の中心に配置されたガス入口と、
前記ガス入口と分離する中央ガス分配点であって、前記本体内において配置され、前記環状配列のガス出口によって囲まれた内部体積を含み、前記内部体積は、前記内部体積から前記ガス出口の各々に延びる対応する配列のガス経路を介して、前記環状配列のガス出口と流体連通し、前記ガス経路のガス経路長さは同じである中央ガス分配点と、
前記内部体積と流体連通する複数の制御弁であって、前記ガス経路の各々内のガス流量を個別に制御するように構成され、各前記ガス出口を通過する所定のガス流を許可または調節するようにサイズ設定されたオリフィスを有する複数の制御弁と
を備え、
前記環状配列の前記ガス出口を形成する複数のノズルの長手方向と、前記複数の制御弁の長手方向と、が互いに直交するように、前記本体に前記複数のノズルと前記複数の制御弁とが配置されている、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記環状配列のガス出口は、前記中央ガス分配点の周りに放射状に等距離に隔置される、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記本体は、前記中央ガス分配点を前記環状配列のガス出口に接続する内部ガス導管を含む、ガス分配器。 - 請求項3に記載のガス分配器であって、
前記中央ガス分配点から前記環状配列のガス出口までの前記内部ガス導管のそれぞれのガス流路は、長さが等しい、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルが交換可能である、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記制御弁またはノズルが水平配向または垂直配向に構成される、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
第1の制御弁またはノズルに関連するオリフィスは、第2の制御弁またはノズルに関連するオリフィスとは異なるようにサイズ設定される、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記中央ガス分配点の前記内部体積は、球形の体積を含む、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記環状配列のガス出口を流れる前記ガスのガス流量を測定または検証する1つまたは複数の真空計
をさらに備える、ガス分配器。 - 請求項1に記載のガス分配器であって、
前記本体は、間に分割線を定義する2つの構成要素を含み、前記内部体積は、前記2つの構成要素の前記分割線に配置され、前記2つの構成要素の第1の構成要素は、前記内部体積の第1の壁を定義し、前記2つの構成要素の第2の構成要素は、前記内部体積の第2の壁を定義する、ガス分配器。 - 本体と、
混合ガスの1つまたは複数の成分を受け入れるための環状配列のガス入口と、
前記本体から混合ガスを放出するための混合ガス出口であって、前記環状配列のガス入口の中心に配置された混合ガス出口と、
前記混合ガス出口と分離する中央ガス混合点であって、前記本体内において配置され、前記環状配列のガス入口によって囲まれた内部体積を含み、前記内部体積は、前記内部体積から前記ガス入口の各々に延びる対応する配列のガス経路を介して、前記環状配列のガス入口と流体連通し、前記ガス経路のガス経路長さは同じである中央ガス混合点と、
前記内部体積と流体連通する複数の制御弁であって、前記ガス経路の各々内のガス流量を個別に制御するように構成され、各ガス入口を通過する所定のガス流を許可または調節するようにサイズ設定されたオリフィスを有する複数の制御弁と
を備え、
前記環状配列の前記ガス入口を形成する複数のノズルの長手方向と、前記複数の制御弁の長手方向と、が互いに直交するように、前記本体に前記複数のノズルと前記複数の制御弁とが配置されている、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記環状配列のガス入口は、前記中央ガス混合点の周りに放射状に等距離に隔置される、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記本体は、前記中央ガス混合点を前記環状配列のガス入口に接続する内部ガス導管を含む、ガス混合器。 - 請求項13に記載のガス混合器であって、
前記中央ガス混合点から前記環状配列のガス入口までの前記内部ガス導管のそれぞれのガス流路は、長さが等しい、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記制御弁またはノズルが置換可能である、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記制御弁またはノズルが同一平面上に構成される、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
第1の制御弁またはノズルに関連するオリフィスは、第2の制御弁またはノズルに関連するオリフィスとは異なるようにサイズ設定される、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記中央ガス混合点の前記内部体積が球形の体積を含む、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記環状配列のガス入口または混合ガス出口を流れる前記ガスのガス流量を測定または検証する1つまたは複数の真空計
をさらに備える、ガス混合器。 - 請求項11に記載のガス混合器であって、
前記本体は、間に分割線を定義する2つの構成要素を含み、前記内部体積は、前記2つの構成要素の前記分割線に配置され、前記2つの構成要素の第1の構成要素は、前記内部体積の第1の壁を定義し、前記2つの構成要素の第2の構成要素は、前記内部体積の第2の壁を定義する、ガス混合器。
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---|---|---|---|---|
US10256075B2 (en) * | 2016-01-22 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves |
US10943769B2 (en) | 2018-07-19 | 2021-03-09 | Lam Research Corporation | Gas distributor and flow verifier |
KR102432209B1 (ko) * | 2019-03-01 | 2022-08-11 | 램 리써치 코포레이션 | 통합된 툴 리프트 |
CN114121585B (zh) * | 2020-08-26 | 2023-10-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置及气体供应方法 |
US12068135B2 (en) | 2021-02-12 | 2024-08-20 | Applied Materials, Inc. | Fast gas exchange apparatus, system, and method |
KR102627141B1 (ko) * | 2023-07-20 | 2024-01-23 | (주)효진이앤하이 | 플라즈마 가스 변환 시스템 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013541182A (ja) | 2010-08-16 | 2013-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス注入分散デバイスを備えるシャワーヘッドアセンブリ |
JP2014070249A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
JP2015201646A (ja) | 2014-04-07 | 2015-11-12 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 構成独立型のガス供給システム |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3442604B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2003-09-02 | 株式会社フジキン | 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置 |
US7335396B2 (en) * | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7510624B2 (en) * | 2004-12-17 | 2009-03-31 | Applied Materials, Inc. | Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications |
US20080102011A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Treatment of effluent containing chlorine-containing gas |
CN101556904B (zh) * | 2008-04-10 | 2010-12-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备 |
US20090275206A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias |
KR101693673B1 (ko) | 2010-06-23 | 2017-01-09 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치 |
US8528338B2 (en) * | 2010-12-06 | 2013-09-10 | General Electric Company | Method for operating an air-staged diffusion nozzle |
TW201435138A (zh) | 2012-12-21 | 2014-09-16 | Applied Materials Inc | 具高清洗效率的對稱氣體分配設備及方法 |
US20140224175A1 (en) | 2013-02-14 | 2014-08-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Gas distribution manifold system for chemical vapor deposition reactors and method of use |
US20140329185A1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Uop Llc | Apparatus and method for minimizing smoke formation in a flaring stack |
US20140329189A1 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Uop Llc | Apparatus and method for minimizing smoke formation in a flaring stack |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US9679749B2 (en) * | 2014-09-26 | 2017-06-13 | Lam Research Corporation | Gas distribution device with actively cooled grid |
WO2017003644A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Gas distribution in oxidation reactions |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013541182A (ja) | 2010-08-16 | 2013-11-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ガス注入分散デバイスを備えるシャワーヘッドアセンブリ |
JP2014070249A (ja) | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
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