TWI821336B - 氣體分配器及氣體混合器 - Google Patents

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Abstract

提供分配及混合氣體的儀器及方法。在一個範例中，一種氣體分配器包含：一主體；一氣體進口，用以允許氣體進入該主體；一軌道陣列之氣體出口，用以將該氣體分配至一外部元件；以及一中央氣體分配點，設置在該主體內在該軌道陣列之氣體出口的中心，並且與該軌道陣列之氣體出口流體聯通。

Description

氣體分配器及氣體混合器
主張優先權：本申請案主張以下申請案的優先權：於2018年7月19日提交之Taskar等人的美國專利申請案第16/040,326號，發明名稱為「Gas Distributor and Flow Verifier」，其內容通過引用於此納入。
本揭露一般相關於氣體分配器及流量效驗器，且在一個例子中，相關於具有設置成環繞中央氣體分配點之氣體出口、噴嘴、或孔口的軌道陣列的軌道氣體分配器或分流器。
此處所提供之先前技術章節係為了一般性呈現本揭露之內容的目的。本案列名發明人的工作成果，在此先前技術段落中所述範圍以及不適格為申請時先前技術的說明實施態樣，不明示或暗示承認為對抗本揭露內容的先前技術。
典型電漿蝕刻儀器包括反應器，其中存在有一或多種反應氣體流通過的腔室。在半導體處理中，在蝕刻製程期間之整個晶圓的蝕刻或沉積速率均勻性直接影響裝置良率。均勻性變成製程反應器的主要資格要求之一，且因此在反應器的設計及發展過程中被視為非常重要的參數。
在電漿蝕刻反應器中，蝕刻參數的均勻性(諸如蝕刻率、輪廓、橫向尺寸等等)可受幾個參數影響。這些參數之一為電漿氣體之成分的含量及運送。對於改善均勻性，在晶圓上方提供一致的電漿放電及電漿化學性質同時，以改善的暫態反應維持均勻氣體混合及分布，已變得更加重要。
在某些範例中，一種氣體分配器，包含：一主體；一氣體進口，用以允許氣體進入該主體；一軌道陣列之氣體出口，用以將該氣體分配至一外部元件；以及一中央氣體分配點，設置在該主體內在該軌道陣列之氣體出口的中心，並且與該軌道陣列之氣體出口流體聯通。
在某些範例中，該軌道陣列之氣體出口係圍繞該中央氣體分配點徑向地以等距間隔開。在某些範例中，該主體包含將該中央氣體分配點連接至該軌道陣列之氣體出口的內部氣體導管。在某些範例中，從該中央氣體分配點至該軌道陣列之氣體出口的該內部氣體導管之各別氣流路徑在長度上相等。在某些範例中，各氣體出口包含孔口，其尺寸允許或調節通過該氣體出口之一預定氣體流量。在某些範例中，該主體包含針對各別控制閥或噴嘴的安裝位置，用以容許或調節離開該氣體出口之預定氣體流量。在某些範例中，該控制閥或噴嘴的每一者包含一孔口。
在某些範例中，該氣體分配器更包含該控制閥或噴嘴。在某些範例中，該控制閥或噴嘴為可替換的。在某些範例中，將該控制閥或噴嘴以水平定向或垂直定向加以設置。在某些範例中，關連於一第一控制閥或噴嘴的一孔口係尺寸建構成與關聯於一第二控制閥或噴嘴的一孔口不同。在某些範例中， 該中央氣體分配點包含基本上球形形狀之一容積。在某些範例中，一或多個壓力計量測或效驗流經該軌道陣列之氣體出口的氣體的氣體流量。
100:腔室
102:夾頭
104:晶圓
106:雙頻源
108:上電極
109:電絕緣環
110:蝕刻電漿
112:混合氣體管線
114:排氣管線
116:侷限環
118:聚焦環
120:屏蔽
200:子組件
200’:第二子組件
201:主體
202:噴嘴
202’:噴嘴
203:支撐桿
203’:支撐桿
205:陣列
206:噴嘴
208:控制閥
208’:控制閥
300:氣體分配器(氣流效驗器)
302:氣體分配點
304:內導管
502:氣流出口
700:氣體分配設置
702A:壓力計
702B:壓力計
704:壓力計
706:互連氣路或導管
707:孔口
708:可替換或可互換部件
1100:機器
1102:硬體處理器
1103:圖像處理單元(GPU)
1104:主記憶體
1106:靜態記憶體
1108:互連
1110:顯示裝置
1112:文數輸入裝置
1114:用戶介面(UI)導航裝置
1116:大量儲存裝置
1118:信號產生裝置
1120:網路介面裝置
1121:感測器
1122:機器可讀媒介
1124:指令
1128:輸出控制器
在隨附圖式的視圖中，某些實施例以範例而非限制的方式加以描繪：圖1為反應腔室示意圖，此氣體分配器的某些實施例可應用於其中。
圖2為根據一範例實施例，氣體分配器部分的圖案視圖。
圖3為圖2中所示之氣體分配器部分的部分剖面圖。
圖4為圖2-3中所示之氣體分配器部分的上視部分剖面圖。
圖5為圖2中所示之氣體分配器部分的圖案視圖，為了清楚表示而忽略某些部分。
圖6為根據範例實施例，氣體出口噴嘴之軌道陣列的示意圖。
圖7A-7B顯示根據範例實施例氣體出口的實施態樣，其包含用於限制或驗證離開氣體分配器之氣流的「流率」孔口。
圖8A-8C顯示根據範例實施例氣體出口的實施態樣，其包含用於限制或驗證離開氣體分配器之氣流的「流率」孔口。
圖9顯示根據範例實施例氣體出口的實施態樣，其包含用於限制或驗證離開氣體分配器之氣流的「流率」孔口。
圖10為根據範例實施例，顯示在一種配氣方法中之操作的流程圖。
圖11為說明機器之範例的框圖，一或多個範例方法實施例可由此機器實施或控制。
後續說明包含實行本申請標的之說明性實施例的系統、方法、技術、指令序列、及計算機器程式產品。在後續描述中，為了說明的目的，說明了許多特定細節以提供對範例實施例的完整了解。然而，將對精於本項技術者而言明顯的是，本實施例可在不具這些特定細節的情況下實現。
此專利文件之揭露的部分包含受版權保護之材料。版權所有人不反對以智慧財產局專利檔案或記錄中出現之專利文件或專利揭露內容任一者形式來複寫再製，但是除此之外保留著作權。後續聲明適用於形成此文件部分之如下所述及圖式中的資料：Lam Research Corporation版權所有，2018，保留所有權利。
如上方更進一步提及，典型電漿蝕刻儀器包括反應器，其中存在有一或多種反應氣體流通過的腔室。在腔室內，一般來說藉由射頻能量將氣體離子化成電漿。電漿氣體的高度反應離子與特定材料反應，該特定材料諸如待處理成積體電路(IC’s)之半導體晶圓表面上的聚合物遮罩。在蝕刻之前，將晶圓放置在腔室中並以夾頭或基座以合適的位置固持，將該晶圓頂部表面暴露於電漿氣體。
存在某些在本領域中已知的幾種類型的夾頭。夾頭提供等溫表面並用作為晶圓之熱沉。在一個類型中，以機器夾持的方式將半導體晶圓固持在適當位置以進行蝕刻。在另一類型的夾頭中，以夾頭及晶圓之間的電場所產生 之靜電力將半導體晶圓固持定位。本揭露可應用於兩種類型的夾頭或其他類型的夾頭。
在半導體處理中，在蝕刻製程期間之整個晶圓的蝕刻或沉積速率均勻性直接影響裝置良率。上述均勻性變成製程反應器的主要資格要求之一，且因此在反應器的設計及發展過程中被視為非常重要的參數。隨著晶圓直徑尺寸的每次提升，在越來越大的晶圓中確保每批IC之均勻性的問題變得更加困難。例如，在晶圓尺寸從200mm增加到300mm及每個晶圓上之裝置的尺寸更小的情況下，邊緣排除部縮小到例如2mm或更小。因此，一路維持均勻蝕刻率、裝置輪廓、及所欲之尺寸直到從晶圓邊緣2mm或更少處變得非常重要。
在電漿蝕刻反應器中，蝕刻參數(諸如蝕刻率、輪廓、CD等等)的均勻性受幾個參數影響。這些參數之一為電漿氣體之成分的含量及運送。對於改善晶圓均勻性，維持反應器上游之均勻氣體混合及分布以及在晶圓上方提供一致的電漿放電及電漿化學性質已變得更加重要。
圖1為反應腔室示意圖，此氣體分配器的某些實施例可應用於其中。圖1說明電容耦合電漿處理腔室100，代表典型實施以蝕刻基板之類型的範例電漿處理腔室。腔室100包含代表工件基座的夾頭102，在蝕刻期間諸如晶圓104之基板放置於夾頭102上。夾頭102可以任何合適的夾定技術實施，例如靜電、機器、夾持、真空等等。在蝕刻期間，一般對夾頭102供應雙RF頻率(低頻及高頻)，例如，在蝕刻期間，以雙頻源106同時地供應2MHz及27MHz。
上電極108位於晶圓104上方，上電極108接地。圖1說明蝕刻反應器，其中上電極108的表面大於夾頭102及晶圓104的表面。在蝕刻期間，電漿110係由經混合氣體管線112供應並通過排氣管線114排出的蝕刻劑源氣體所形成。 在腔室100內，混合氣體管線112可連接至噴淋頭(未顯示)。在腔室100外之氣體的上游混合及分布在下方更詳細說明。
電絕緣環109使上電極108與接地腔室100絕緣。可將侷限環116放置在上電極108及諸如圖1中之夾頭102的下電極之間。一般來說，侷限環116幫助將蝕刻電漿110限制在晶圓104上方區域以改善製程控制及確保重現性。
當將RF功率從雙頻功率源106供應至夾頭102時，在晶圓104上建立等勢場線。等勢場線為遍布在晶圓104及電漿110之間的電漿鞘的電場線。在電漿處理期間，正離子加速通過等勢場線以衝擊在晶圓104表面上，從而提供所欲之蝕刻效果，諸如改善蝕刻方向性。由於上電極108及夾頭102的幾何形狀，場線可能不在整個晶圓表面呈均勻且可能在晶圓104邊緣顯著地改變。因此，一般提供聚焦環118以改善遍布整個晶圓表面的製程均勻性。參考圖1，將晶圓104顯示為設置在聚焦環118內，聚焦環118可由任何合適的介電材料所形成，諸如：陶瓷、石英、塑膠等等。因此，聚焦環118的存在允許將等勢場線在晶圓104整體表面上方基本上均勻地設置。
導電屏蔽120大體上圍繞聚焦環118。將導電屏蔽120配置以在電漿處理腔室100內實質上接地。屏蔽120防止非所欲之等勢場線在聚焦環118外側的出現。關於經由混合氣體管線112供應之腔室源氣體，已發現在電漿反應器內及其上游之氣體傳輸特性可為導致蝕刻或沉積不均勻性的最敏感的變數。
習知地，在混合氣體管線112上游之氣體運送板係在混合之前由獨立的、氣體特定的供應管線所供應。這些管線可包含用於氣體混合物中之每個氣體成分的管路及諸如閥、調節器、質量流量控制器(MFC)等等的流量元件。這些個別管線一般經由歧管進口將氣體供應至習知氣體混合歧管。個別氣 體在經由出口離開該歧管之前在歧管中混合以經由氣體供應管線(例如混合氣體管線112，圖1)分配至其他元件或處理腔室(例如處裡腔室100，圖1)。
習知氣體混合歧管或分配器一般包含具有相對高容積之細長、管狀的結構。將用於創造所欲之氣體混合物的每個氣體供應管線沿氣體歧管的長分隔特定距離。舉例而言，某些歧管長度可高達27吋。給定歧管之整體長度可基於供應至該歧管的氣體管線數量。氣體管線的數量可因而取決於針對在處理腔室100中之給定製程所需的氣體混合物。在不同歧管之間或是橫跨不同處理腔室100，氣體管路接線位置通常並非一致地設置。此外，將可理解的是即使在給定歧管上，某些氣體管線進口位置將設置在較其他進口而言離歧管出口距離更遠的位置。
由於不同氣體分子尺寸及流率，進入習知歧管或分配器之各氣體的動量可相當不同。在歧管中流動快、重質的氣體可能由於擾流及其他因素以不穩定的方式影響流動慢之氣體的流動及逸入。若是流動慢的氣體進口設置距離歧管出口相對遠的距離，舉例而言，則響應於所欲之氣體混合物改變的反應速率可因此嚴重受抑制。習知歧管可用類似於具有固有延遲時間之電容器的方式響應於感應變化而運作。此外，即使影響所欲之氣體混合物改變的閥調元件運作快速，由於給定氣體混合物之成分的各種流率、行徑距離、及動量可能很大程度上為未知，習知歧管設置的固有延遲時間仍存在能夠識別給定氣體混合物精確成分的嚴峻挑戰。
使此情況更加複雜的是，在沒有恰當控制的情況下，基於所建立之供應習知歧管的氣體管線之線性序列的氣體混合物或流動穩定性，特別是當在不同壓力下供應時，可隨著新的氣體管線插入歧管或是從歧管移除而受干 擾。舉例而言，當將上游儲槽用盡時，或是當在歧管或處理腔室100內期望不同的氣體混合物時，氣體管線位置可能無意地或隨機地改變。控制個別氣體進入習知歧管之供應的嘗試已包含使用軟體控制的閥，但是即使如此仍無法完全解決上述挑戰。晶圓蝕刻應用對所欲之混合物至腔室的運送時間相當敏感。上述參數的每一者可顯著影響氣體運送成效，且由響應時間延遲、並流不一致性、及氣體混合延遲所導致的潛在問題可有損晶圓均勻性。
在某些應用中，可能需要混合氣體歧管或分配器做為混合氣體源供應以串列或平行設置的方式形成的一群組的處理腔室100。在其他應用中，諸如中心、邊緣、或中間區域的多區各需要可靠的氣源。鑒於不同的腔室位置及至群組中之各處理腔室100的分配管線長度，上述的問題可能加劇。
圖2中顯示氣體分配器子組件200之圖案視圖。子組件200包含主體201及氣體出口、噴嘴、或孔口的軌道或軌道陣列205。出口可取設置環繞在圖3中可見之中央氣體分配點(或區域)302之所述的噴嘴202的形式。在某些範例中，噴嘴202可包含特定設計及建構尺寸以將氣流調節在預定位準的孔口，如下方更進一步描述。儘管此說明書中使用用語「氣體」，將可理解的是除非內文另外指定，否則此處所述之系統及方法可更一般地適用於「流體」。
在某些例子中，如此處更進一步描述的，氣體分配點302係具有特定尺寸之侷限的區域或容積且相對於氣體進口或出口之陣列205的中心位置。用語「點」因此並不意欲表示具有零維的幾何部件。中央混合氣體分配點302的一個例子可在圖3中所提供之子組件200的部分剖面圖中更清楚地看見。
在某些例子中，圖2-3中所示之子組件200形成氣體分配器300的第一半。完整氣體分配器可藉由將該第一半的相對或第二半與該第一半結合來形 成。在某些例子中，氣體分配器的相對部或第二半基本上係圖2-3中所示之子組件200的鏡像。此設置可在圖3中看見。第二半或相對子組件編號為200’。在某些例子中，當兩個子組件或兩半200及200’組合在一起時，形成氣體分配器300。在組合的形式下，中央混合氣體分配點302與氣體分配器的中央混合氣體進口(諸如所述之設置在出口噴嘴或孔口202之軌道陣列205中心的噴嘴206)流體聯通。在某些例子中，本揭露之氣體分配器300可用以取代上述類型的習知氣體分配器、或是與供氣系統中之相似或其他元件結合使用。
在某些例子中，氣體分配器300可作為氣體混合器運作，使得在分配器內的氣體以將氣體進口用作氣體出口的方式反轉，反之亦然。中央氣體混合點係由中央氣體分配點所形成。在這樣的設置中，氣體分配器可連接至就在上方所述之類型的氣體混合器，使得串聯的兩者可因此混合並分配混合的(或均勻的)氣體至一或多個處理腔室，以解決此處所述之關於習知氣體歧管及分配器之使用的缺點。
再次參考圖2，在某些實施例中，出口噴嘴202的每一者可將已與來自其他出口噴嘴之氣體分流或組合的單一或混合氣體分配至下游位置，例如，以符合在氣體供應通道間所欲之比率或是在氣體分配器300內部被分成不同的流。舉例而言，圖中所示之出口噴嘴202的每一者可連接至需要氣源之下游元件或處理腔室100。顯示了八個出口噴嘴202連接至第一半子組件200。可能有其他數量的噴嘴。一般來說，但並非必要，對氣體分配器300的第二半提供相同數量的出口噴嘴202，對此特定示例而言總共提供十六個出口噴嘴202。依據氣體分配器300的期望能力，可實施其他數量的噴嘴202以供應(或在替代氣體混合模式下混合)下游元件或處理腔室100。
現在參見圖3，出口噴嘴202及202’的每一者顯示為與中央氣體分配點302經由形成於各子組件200及200’中之內導管304流體聯通。內導管304的每一者與彼此具有相同長度、或氣路。可操作控制閥208及208’的每一者以調節通過內導管304之流率及流量以製造或運輸所欲之氣體或氣體混合物。內導管304亦在圖4中可見，且內導管304的氣流出口示於圖5中的502處。如圖4中所示，內導管304徑向地以等距相隔。如所示地，水平定向之控制閥形成軌道陣列205。在某些例子中，氣流出口502可為螺紋的並用作為繫著點用於分別為出口噴嘴202及202’之互補螺紋支撐桿203及203’。在某些例子中，氣流出口502係焊接至氣體分配器300以作為短軸、或者作為C型密封表面安裝配件。
再次參考圖3，將可理解的是當氣體分配器300的第一及第二子組件或兩半200及200’組合在一起時，中央氣體分配點302係由具有大體上是珠或球形的容積所界定。此形狀在圖中以虛線輪廓顯示。在一些例子中，中央氣體分配點302的容積形狀為卵形或是非球體的形狀。可能是其他形狀，諸如，例如：包含剖面形狀為圓形、方形、或矩形。在某些例子中，珠形、球形、或圓形輪廓的直徑範圍在0.1-100mm，在某些例子中範圍在0.5-50mm，且在某些例子中在1-10mm。
在本揭露中值得注意的是，在某些例子中，中央氣體分配點302與出口噴嘴202及202’的每一者等距。出於此原因，在某種意義上來說各氣流路徑具有相同長度且不是如舉例之先前技術中那樣取決於出口噴嘴沿細長歧管之線性位置，解決了上述由習知氣體混合或分配歧管所造成或在其中固有的某些問題。給定氣體混合物中各氣體的行徑距離相同。在氣體分配器之氣體混合模式中，直到到達中央混合點302之前，一個氣體成分不與另一氣體成分碰撞或干 擾。中央氣體分配點302的容積相較於例如具有二十七吋上下之長度的習知氣體歧管的容積而言相對小。
十六個出口噴嘴202的軌道陣列205以示意圖的方式示於圖6中。連接至氣體分配器300之第一半(意即子組件200)的出口噴嘴202具有以實線輪廓顯示之供應管線且編號為202。連接至氣體分配器300之第二半的出口噴嘴202’具有以虛線輪廓顯示的供應管線且編號為202’。因此，在此例中總共提供十六個出口噴嘴。噴嘴202及202'的每一者分配並供應所欲之氣體或氣體混合物至，例如，處理腔室100(圖1)。
將可理解的是，流入氣體分配器300的氣體受「分流」，意即，按照運作中之開啟的出口噴嘴202及202’之數量依比例分隔或分配。某些噴嘴202及202’可關閉且不運作。因為中央氣體分配點的容積對照習知氣體混合器及分配器而言相對小，所以混合氣體的成分不受其通過氣體分配器300的路程所影響及將混合氣體內的成分比例基本上加以維持。在上方更進一步描述之氣體分配器300的氣體混合設置中，針對具有十六個開啟的進口噴嘴200及200’的設置，可形成具有高達十六種氣體成分的混合氣體。將可理解的是，以圖6中之範例的方式顯示之進口噴嘴陣列205的軌道形狀可在某些例子中不是完整或完美軌道形的。在某些例子中可以使用一定程度的橢圓度或其他圓形形狀。
在某些例子中，提供控制閥208與出口噴嘴202及202’的每一者流體聯通。控制閥208的陣列205運作以分配經由出口噴嘴202及202’離開氣體分配器300之氣體的相對質量流率、或是由氣體分配器300在其氣體混合設置的情況下所形成之混合氣體的成分。相對控制閥208同樣地在圖6中交替地標示為208及208’且單獨且相對的氣體流率在同一圖案中標示為FR，指出對離開之氣體的流 動限制。通過出口噴嘴202及202’的氣流可使用控制閥208及208’加以控制且在某些例子中可使用相關量測儀器加以效驗。
在某些例子中，氣體分配器300亦可在分配氣體時作為氣體流率效驗器或調節器加以運作。舉例而言，可將待量測之氣體流量(Q)輸送通過合適尺寸之孔口，其尺寸確保超音速流通過孔口。在超音速流的條件下，氣體流量Q=KP1，其中(K)為氣體相關常數而(P1)為上游壓力。上游壓力(P1)可以高準度數位電容壓力計加以量測。氣體相關常數(K)與溫度弱相關且可使用獨立的方法學根據經驗決定。因此，對於給定孔口尺寸，例如出口噴嘴202及202’的孔口而言，通過該出口噴嘴202或202’的氣體流量(Q)可針對給定上游壓力(P1)，例如在某些例子中可由壓力計量測之中央氣體分配點302的壓力，加以效驗(意即可計算的或加以確認)。
現在參考圖7A-7B，顯示了氣流效驗器300的示意上視圖。氣流效驗器300包含中央氣體分配點302。氣流效驗器300包含圍繞中央氣體分配點302之垂直定向的控制閥208的軌道陣列205。如所示地，控制閥208的每一者包含代表性氣體出口202。氣流效驗器300包含在氣體分配設置700中，氣體分配設置700包含一對壓力計702A及702B、以及第三壓力計704。
一系列互連氣路或導管706將控制閥208及壓力計702A、702B、及704放置以與彼此流體聯通。在所描繪之氣體分配設置700中，壓力計704量測離開在圖中氣流效驗器300之右側的兩個控制閥208的氣體出口202的氣壓。該對壓力計702A及702B相似地對圖中氣流效驗器300之左側的三個控制閥208的三個氣體出口202進行量測。所描繪之壓力計可用以量測及效驗通過氣流效驗器300(且在某些例子中通其特定氣體出口202之每一者)之氣流。在某些例子中，使用某 些氣體查表來將由壓力計702A、702B、或704所量測之氣壓轉變為實際流量。可在例如用戶介面顯示器上計算並顯示氣流誤差。系統軟體可包含特定氣體表以計算適用於特定氣體之使用的氣流誤差。在某些例子中，氣體表包含針對在安裝在氣流效驗器300中之一或多個孔口的位置的選定氣體之壓力對流率的關係。在某些例子中，與在恰當查找氣體表中定義之對應預測壓力相比較，可對氣壓速率增加進行一或多個量測。達到穩定壓力之量測時間為氣體分子量及氣體流量(或MFC)的函數。
在某些例子中可藉由孔口707(或是「流率孔口」)調節通過控制閥208之每一者的氣流，可在圖7B中所示之控制閥208的剖面圖中更清楚看見孔口707。根據在上方更進一步描述之氣流等式，舉例而言，可設計孔口707且提供尺寸以容許或控制氣流以期望或特定或預定之氣體或質量流率通過控制閥208。因此，舉例而言，若是在所描繪之各控制閥208之每一者中的各孔口707尺寸相等，則對於給定之上游壓力，通過各控制閥208(且接著通過各氣體出口202)的氣流將會相同。以這種方式，本揭露之氣流效驗器可將氣體相等地分配(分流)並供應至下游元件。替代地，藉由恰當地且不同地設計各氣體出口或噴嘴202之各孔口707的尺寸，可對各出口202建立相對的且不同的所欲之或預定之分配氣體流率，同時將氣體分配至位在氣流效驗器300下游的相同數量的期望元件。範例下游元件可包含一或多個晶圓處理腔室100。
在某些例子中，可將孔口707包含在圖7B中之可替換或可互換的部件708中。舉例而言，可將可互換部件708放置在表面安裝的控制閥208之內或其下方。可能有其他設置，舉例而言如圖3中示意虛線輪廓中所示，其中將範例 孔口707直接在離開氣流效驗器300之氣體的氣流路徑中的氣體出口或噴嘴202內提供。在某些範例中孔口707可在所有或選定數量的出口202中提供。
各包含特定尺寸之孔口707的一系列可互換部件708在某些範例中提供，使得來自所有氣體出口202的氣體流率可便利地調節。在其他範例中，可用方便的方式建立用於單獨氣體出口202的特定及不同的氣體流率。在某些範例中，氣流效驗器300便利地用作雙功能裝置，可同時以兩種模式運作，亦即在一種模式中按比例將氣體分流和分配，同時在另一個模式中限制或效驗氣流。本質上，氣流效驗器300的相同硬體能夠同時執行兩種功能。因此，本揭露之氣流效驗器300為高度可設置的，以因此適應在半導體製造系統中特定且變化的條件及氣流需求。
在其他範例中，現在參考圖8A-8C，可將孔口707直接或間接嵌入控制閥208中並且舉例而言，以上述之方法在工廠校準以容許或調節通過其所安裝至之控制閥208的期望或預定之氣流。圖8B-8C顯示用於提供孔口707的替代設置且例如圖8C顯示可替換部件708的替代形式。
現在參考圖9，描繪了氣流效驗器300的替代設置。在此情況下，控制閥208係水平定向的且再次形成軌道陣列205。對應於顯示於圖7A中的那些的相似部件據此編號。
氣流效驗器300、以及氣體分配設置700的更進一步設置是可能的。在某些例子中，形成氣體分配系統700之部分的壓力計702A-702B及704用以效驗通過氣路或導管706之氣流，更特別是效驗或確定氣體出口202或孔口707的堵塞狀況。壓力計702A-702B及704可在一個時間點或是一段時間內量測並效驗將由氣流效驗器300運送之氣流。
在此處所述之氣體分配器或氣流效驗器300的某些範例實施例中，當與習知氣體混合或分配歧管之相對大的容積相比時，氣體分配點302之相對可忽略的容積可顯著降低混合延遲或延遲時間，若非如此此混合延遲或延遲時間可能在先前技術系統中引發。根據本揭露之氣體流率調節可以大範圍的氣流，例如0.5sccm到5000sccm在±0.5%的誤差下加以執行。
本揭露亦可包含範例方法。參考圖10，分配氣體的方法1000包含：在操作1002，提供氣體分配器，該氣體分配器包括：一主體、用於允許氣體進入到氣體分配器之該主體的一進口、用於從氣體分配器分配氣體之氣體出口的一軌道陣列、以及設置在氣體分配器主體內且在氣體出口之軌道陣列中心的一中央氣體分配點；在操作1004，通過氣體進口將氣體供應至中央氣體分配點；在操作1006，基於在軌道陣列中之氣體出口的數量、或是運行中之氣體出口之比例將在中央氣體分配點內所供應之氣體加以分流；在操作1008，將分流氣體至少分配至氣體出口的每一者、或是分配至運行中之氣體出口的每一者；以及，在操作1010，將分配的氣體提供至下游位置。
在某些範例中，方法1000更包括通過形成於氣體分配器之主體中的內部氣體導管將分流氣體分配至氣體出口，內部氣體導管將氣體出口之軌道陣列連接至中央氣體分配點。
在某些範例中，方法1000更包括將分流的氣體沿內部氣體導管之相對氣流路徑從中央氣體分配點分配至氣體出口，該相對氣流路徑在長度上相等。
在某些範例中，方法1000更包括關聯於各氣體出口，提供孔口，該孔口的尺寸容許或調節通過相對應氣體出口之特定氣流。
在某些範例中，方法1000更包括在氣體分配器之主體內且對於中央氣體分配點，提供具有基本上球型形狀、或基本上軌道形狀的剖面輪廓之容積。
在某些範例中，非暫時機器可讀媒介包含指令1124，當指令1124由機器1100所讀取時，使得該機器控制包括至少上方概述之非限制性範例操作的方法中的操作。
圖11為說明機器1100之範例的框圖，此處所述之一或多個範例製程實施例可在此機器1100上實施，或者此處所述之一或多個範例製程實施例可由此機器1100控制。在替代實施例中，機器1100可作為獨立裝置運作或是可與其他機器連接(例如聯網)運作。在聯網的部署中，機器1100可用在主從式網路環境中的伺服機器、客戶端機器、或兩者的能力加以操作。在一個例子中，機器1100可用作同級間(P2P)網路(或其他分散式網路)環境中的對等機器。再者，儘管只描述單一機器1100，用語「機器」亦應視為包含諸如經由雲端運算、軟體即服務(SaaS)、或其他計算機群組設置來單獨或共同執行一組(或多組)指令以執行此處所述之方法學的任何一或多者之機器的任何集合。
如此處所述地，範例可包含以下(或者藉由以下操作)：邏輯、數個元件或機構。電路系統係以有形實體實施之電路的集合，其包含硬體(例如簡單電路、閘、邏輯等等)。電路系統成員可隨時間及潛在硬體可變性而有彈性。電路系統包含在運作時可單獨或結合執行特定操作的構件。在一個範例中，電路系統的硬體可為不可變式設計以執行特定操作(例如固線式)。在一個例子中，電路系統的硬體可包含可變連接物理元件(例如執行元件、電晶體、單一電路等等)，該可變連接物理元件包含受物理修改(例如磁性地、電性地、 藉由不變質量粒子的可移動位置等等)以將特定操作之指令編碼的電腦可讀媒介。在連接物理元件的情況下，硬體成分的潛在電性受改變(例如從絕緣體變導體，反之亦然)。指令使嵌入之硬體(例如執行單元或是載入機構)經由可變連結在硬體中建立電路系統構件以在運作時執行特定操作的部分。因此，當裝置在運作中時，將電腦可讀媒介通訊地耦接至電路系統的其他元件。在一個例子中，可將任何物理元件用於多於一個電路系統的多於一個構件中。舉例而言，在運作的情況下，可將執行元件在一個時間點用於第一電路系統的第一電路，且在不同的時間由第一電路系統中的第二電路或是第二電路系統中的第三電路所複用。
機器(例如電腦系統)1100可包含硬體處理器1102(例如中央處理單元(CPU)、硬體處理核心、或其任何組合)、圖像處理單元(GPU)1103、主記憶體1104、以及靜態記憶體1106，上述的某些或全部可經由互連(例如匯流排)1108彼此通訊。機器1100可更包含顯示裝置1110、文數輸入裝置1112(例如鍵盤)、以及用戶介面(UI)導航裝置1114(例如滑鼠)。在一個範例中，顯示裝置1110、文數輸入裝置1112、以及UI導航裝置1114可為觸控螢幕顯示器。機器1100可額外包含大量儲存裝置(例如驅動單元)1116、信號產生裝置1118(例如揚聲器)、網路介面裝置1120、以及一或多個感測器1121(諸如全球定位系統(GPS)感測器、指南針、加速計、或其他感測器)。機器1100可包含輸出控制器1128，諸如串列(例如通用串列匯流排(USB))、平行、或其他有線或無線(例如紅外線(IR)、近距離通訊(NFC)等等)連接以與一或更多周遭裝置(例如印表機、讀卡機等等)通訊或是將其加以控制。
大量儲存裝置1116可包含機器可讀媒介1122，在該機器可讀媒介1122上儲存了由此處所述之技術或功能的任何一或多者實行或利用的一或多組資料結構或指令1124(例如軟體)。在機器1100將其執行的期間，指令1124亦可完全或至少部分地常駐在主記憶體1104中、在靜態記憶體1106中、在硬體處理器1102中、或是在GPU 1103中。在一個例子中，硬體處理器1102、GPU 1103、主記憶體1104、靜態記憶體1106、或大量儲存裝置1116的其中一個或任何組合可構成機器可讀媒介1122。
儘管將機器可讀媒介1122描繪為單一媒介，用語「機器可讀媒介」可包含設置以儲存一或多個指令1124的單一媒介、或多媒介(例如集中的或分散的資料庫、以及/或者關聯的快取記憶體及伺服器)。
用語「機器可讀媒介」可包含可儲存、編碼或攜帶用於以機器1100執行並使機器1100執行本揭露之技術的任何一或多者的指令1124的任何媒介；或是可儲存、編碼、或攜帶由這樣的指令1124所使用或與其相關連的資料結構。非限制性之機器可讀媒介範例可包含固態記憶體、及光學及磁性媒介。在一個例子中，大量機器可讀媒介包括具有不變(例如靜止)質量之複數粒子的機器可讀媒介1122。因此，大量機器可讀媒介並非暫持傳播訊號。大量機器可讀媒介的特定例子可包含諸如半導體記憶體裝置(例如電子可程式唯讀記憶體(EPROM)、電可除程式化唯讀記憶體(EEPROM))及快閃記憶體裝置的非揮發性記憶體；諸如內部硬磁碟及可移磁碟的磁碟；磁光碟；以及CD-ROM及DVD-ROM光碟。可更使用傳輸媒介經由網路介面裝置1120通過通訊網路1126來傳輸或接收指令1124。
儘管參考特定實施例來描述實施例，將顯而易見的是，在不偏離本發明申請標的之博大精神及範疇的情況下可對這些實施例做出各種調整及改變。因此，說明書及圖式應被視為說明性的而非限制性的。形成本說明書之一部分的隨附圖式以說明性而非限制性的方式顯示，申請標的可在其中的特定實施例中實現。所描繪之實施例以足夠的細節加以描述使精於本項技術者能夠實現此處所揭露之教示。可由此利用或推導出其他實施例，使得可在不偏離此揭露之範疇的情況下做出結構性或邏輯性的替代及變化。此實施方式章節因此不視為限制性，且各實施例的範疇僅由所附之請求項連同等效於所列請求項之所有範圍所界定。
發明申請目標的此實施例在此處可單獨地以及/或者共同地以用語「發明」代表，僅為了方便而沒有意圖自願將此應用之範疇限制為任何單一發明或發明概念(若是實際上揭露了多於一個發明或發明概念的話)。因此，儘管此處描繪及描述特定實施例，應理解的是，計算以達成相同目的的任何設置可替代所示之特定實施例。本揭露意圖涵蓋各實施例的所有調適及變化。上述實施例的組合、及未在此處特別描述之其他實施例將在檢閱上述說明之後對精於本項技術者而言顯而易見。
200:子組件
201:主體
202:噴嘴
205:陣列
206:噴嘴
208:控制閥

Claims (28)

  1. 一種氣體分配器，包含：一主體；一軌道陣列之氣體出口，用以將氣體分配至一外部元件；一氣體進口，用以允許該氣體進入該主體，該氣體進口設置在該軌道陣列的氣體出口之中心；一中央氣體分配點，與該氣體進口分隔開，該中央氣體分配點包含設置在該主體內且被該軌道陣列的氣體出口所圍繞之內部容積，該內部容積經由一對應陣列之氣路與該軌道陣列之氣體出口呈流體聯通，該等氣路由該內部容積延伸至該等氣體出口之各者，且其中該等氣路之氣體路徑長度相同；以及控制電路，與該內部容積呈流體聯通，該控制電路係設置以分別控制該等氣路之各者中的氣體流率。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，其中該軌道陣列之氣體出口係圍繞該中央氣體分配點徑向地以等距間隔開。
  3. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，其中該主體包含將該中央氣體分配點連接至該軌道陣列之氣體出口的內部氣體導管。
  4. 如申請專利範圍第3項之氣體分配器，其中從該中央氣體分配點至該軌道陣列之氣體出口的該等內部氣體導管之各別氣流路徑在長度上相等。
  5. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，其中各氣體出口包含一孔口，其尺寸容許或調節通過該氣體出口之一預定氣體流量。
  6. 如申請專利範圍第5項之氣體分配器，其中該主體包含針對各別控制閥或噴嘴的安裝位置，用以容許或調節離開該等氣體出口之預定氣體流量。
  7. 如申請專利範圍第6項之氣體分配器，其中該控制電路更包含控制閥或噴嘴，其各安裝在該等安裝位置中之各別安裝位置，使得各出口設有各別之控制手段以控制流經其中之氣體流量，該等控制閥或噴嘴的每一者包含一孔口。
  8. 如申請專利範圍第6項之氣體分配器，更包含該等控制閥或噴嘴。
  9. 如申請專利範圍第8項之氣體分配器，其中該等控制閥或噴嘴為可替換的。
  10. 如申請專利範圍第8項之氣體分配器，其中將該等控制閥或噴嘴以一水平定向或一垂直定向加以設置。
  11. 如申請專利範圍第8項之氣體分配器，其中關連於一第一控制閥或噴嘴的一孔口係尺寸建構成與關聯於一第二控制閥或噴嘴的一孔口不同。
  12. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，其中該中央氣體分配點的該內部容積包含球形形狀之一容積。
  13. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，更包含：一或多個壓力計，以量測或效驗流經該軌道陣列之氣體出口的該氣體的氣體流量。
  14. 如申請專利範圍第1項之氣體分配器，其中該主體包含兩元件，該兩元件在其間界定一分界線，其中該內部容積設置於該兩元件之分界線處，其中該兩元件之第一者界定該內部容積之第一壁，而該兩元件之第二者界定該內部容積之第二壁。
  15. 一種氣體混合器，包含：一主體；一軌道陣列之氣體進口，用以接收一混合氣體的一或更多成分；一混合氣體出口，用以將混合氣體自該主體排出，該混合氣體出口設置在該軌道陣列的氣體進口之中心；一中央氣體混合點，與該混合氣體出口分隔開，該中央氣體混合點包含設置在該主體內且被該軌道陣列的氣體進口所圍繞之內部容積，該內部容積經由一對應陣列之氣路與該軌道陣列之氣體進口呈流體聯通，該等氣路由該 內部容積延伸至該等氣體進口之各者，且其中該等氣路之氣體路徑長度相同；以及控制電路，與該內部容積呈流體聯通，該控制電路係設置以分別控制該等氣路之各者中的氣體流率。
  16. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，其中該軌道陣列之氣體進口係圍繞該中央氣體混合點徑向地以等距間隔開。
  17. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，其中該主體包含將該中央氣體混合點連接至該軌道陣列之氣體進口的內部氣體導管。
  18. 如申請專利範圍第17項之氣體混合器，其中從該中央氣體混合點至該軌道陣列之氣體進口的該等內部氣體導管之各別氣流路徑在長度上相等。
  19. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，其中各氣體進口包含一孔口，其尺寸容許或調節流過該氣體進口的一混合氣體成分之一預定流量。
  20. 如申請專利範圍第19項之氣體混合器，其中該主體包含針對各別控制閥或噴嘴的安裝位置，用以容許或調節進入該等氣體進口之預定氣體流量。
  21. 如申請專利範圍第20項之氣體混合器，其中該控制電路更包含控制閥或噴嘴，其各安裝在該等安裝位置中之各別安裝位置，使得各進口設有各 別之控制手段以控制流經該進口之氣體流量，該等控制閥或噴嘴的每一者包含一孔口。
  22. 如申請專利範圍第20項之氣體混合器，更包含該等控制閥或噴嘴。
  23. 如申請專利範圍第22項之氣體混合器，其中該等控制閥或噴嘴為可互換的。
  24. 如申請專利範圍第22項之氣體混合器，其中該等控制閥或噴嘴設置於相同平面中。
  25. 如申請專利範圍第22項之氣體混合器，其中關連於一第一控制閥或噴嘴的一孔口係尺寸建構成與關聯於一第二控制閥或噴嘴的一孔口不同。
  26. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，其中該中央氣體混合點的該內部容積包含球形形狀之一容積。
  27. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，更包含：一或多個壓力計，以量測或效驗流經該軌道陣列之氣體進口或混合氣體出口的該氣體的氣體流量。
  28. 如申請專利範圍第15項之氣體混合器，其中該主體包含兩元件，該兩元件在其間界定一分界線，其中該內部容積設置於該兩元件之分界線處，其中該兩元件之第一者界定該內部容積之第一壁，而該兩元件之第二者界定該內部容積之第二壁。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10256075B2 (en) 2016-01-22 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Gas splitting by time average injection into different zones by fast gas valves
US10943769B2 (en) 2018-07-19 2021-03-09 Lam Research Corporation Gas distributor and flow verifier
KR102432209B1 (ko) * 2019-03-01 2022-08-11 램 리써치 코포레이션 통합된 툴 리프트
CN114121585B (zh) * 2020-08-26 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及气体供应方法
KR102627141B1 (ko) * 2023-07-20 2024-01-23 (주)효진이앤하이 플라즈마 가스 변환 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200629399A (en) * 2004-12-17 2006-08-16 Applied Materials Inc Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications
TW200831177A (en) * 2006-10-27 2008-08-01 Applied Materials Inc Treatment of effluent containing chlorine-containing gas
US20090272492A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
US20140174362A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Chien-Teh Kao Apparatus And Methods For Symmetrical Gas Distribution With High Purge Efficiency

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442604B2 (ja) * 1996-02-15 2003-09-02 株式会社フジキン 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
WO2011159690A2 (en) 2010-06-15 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Multiple precursor showerhead with by-pass ports
KR101693673B1 (ko) 2010-06-23 2017-01-09 주성엔지니어링(주) 가스분배수단 및 이를 포함한 기판처리장치
US8528338B2 (en) * 2010-12-06 2013-09-10 General Electric Company Method for operating an air-staged diffusion nozzle
JP6123208B2 (ja) 2012-09-28 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20140224175A1 (en) 2013-02-14 2014-08-14 Memc Electronic Materials, Inc. Gas distribution manifold system for chemical vapor deposition reactors and method of use
US20140329189A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Uop Llc Apparatus and method for minimizing smoke formation in a flaring stack
US20140329185A1 (en) * 2013-05-03 2014-11-06 Uop Llc Apparatus and method for minimizing smoke formation in a flaring stack
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US10128087B2 (en) 2014-04-07 2018-11-13 Lam Research Corporation Configuration independent gas delivery system
US10105668B2 (en) * 2015-06-30 2018-10-23 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Gas distribution in oxidation reactions
US10943769B2 (en) 2018-07-19 2021-03-09 Lam Research Corporation Gas distributor and flow verifier

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200629399A (en) * 2004-12-17 2006-08-16 Applied Materials Inc Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications
TW200831177A (en) * 2006-10-27 2008-08-01 Applied Materials Inc Treatment of effluent containing chlorine-containing gas
US20090272492A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with center-fed multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias
US20140174362A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Chien-Teh Kao Apparatus And Methods For Symmetrical Gas Distribution With High Purge Efficiency

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