JP7393799B2 - 膜の製造方法 - Google Patents
膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7393799B2 JP7393799B2 JP2020557887A JP2020557887A JP7393799B2 JP 7393799 B2 JP7393799 B2 JP 7393799B2 JP 2020557887 A JP2020557887 A JP 2020557887A JP 2020557887 A JP2020557887 A JP 2020557887A JP 7393799 B2 JP7393799 B2 JP 7393799B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- group
- film
- layer
- substituted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 73
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 45
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 525
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 224
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 93
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 91
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 81
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 50
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 45
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 29
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 29
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 21
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims description 7
- BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-dicarbonitrile Chemical group N#CC1=CC=C(C#N)C=C1 BHXFKXOIODIUJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 252
- 239000010408 film Substances 0.000 description 153
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 49
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 43
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 33
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 32
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 31
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 25
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 24
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 22
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 21
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 20
- -1 1-anthracenyl group Chemical group 0.000 description 18
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 18
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 17
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 17
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 16
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 16
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 14
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 14
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 13
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical group N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 10
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 6
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 125000004452 carbocyclyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 125000004309 pyranyl group Chemical class O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 4
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 4
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001140 1,4-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:2])=C([H])C([H])=C1[*:1] 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 3
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000005884 carbocyclylalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004475 heteroaralkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004415 heterocyclylalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical group [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000003367 polycyclic group Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L sulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])[O-] QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000005420 sulfonamido group Chemical group S(=O)(=O)(N*)* 0.000 description 3
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 125000005913 (C3-C6) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002030 1,2-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([*:2])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000004105 2-pyridyl group Chemical group N1=C([*])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3,6-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=C4C5=CC(=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000320 amidine group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N azide group Chemical group [N-]=[N+]=[N-] IVRMZWNICZWHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 2
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 description 2
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000879 imine group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZFWNZJKBJOGFQ-UHFFFAOYSA-N julolidine Chemical class C1CCC2=CC=CC3=C2N1CCC3 DZFWNZJKBJOGFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical class N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N methanethioic s-acid Chemical compound SC=O AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical group N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000007970 thio esters Chemical class 0.000 description 2
- DUYAAUVXQSMXQP-UHFFFAOYSA-M thioacetate Chemical compound CC([S-])=O DUYAAUVXQSMXQP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000002813 thiocarbonyl group Chemical group *C(*)=S 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical class C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N (+-)-Isoprenaline Chemical compound CC(C)NCC(O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 JWZZKOKVBUJMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YCTDZYMMFQCTEO-FNORWQNLSA-N (E)-3-octene Chemical compound CCCC\C=C\CC YCTDZYMMFQCTEO-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 125000005669 1,3-anthracenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C2=C(C([H])=C1[H])C([H])=C1C([*:1])=C([H])C([*:2])=C([H])C1=C2[H] 0.000 description 1
- GWYPDXLJACEENP-UHFFFAOYSA-N 1,3-cycloheptadiene Chemical group C1CC=CC=CC1 GWYPDXLJACEENP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004958 1,4-naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 1,5-cyclooctadiene Chemical compound C1CC=CCCC=C1 VYXHVRARDIDEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004912 1,5-cyclooctadiene Substances 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- OYNJAUIAADXAOW-UHFFFAOYSA-N 2,3,5,6-tetra(carbazol-9-yl)benzene-1,4-dicarbonitrile Chemical compound C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3N(C1=2)C1=C(C(=C(C(=C1C#N)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2)C#N)N1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC1=2 OYNJAUIAADXAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004959 2,6-naphthylene group Chemical group [H]C1=C([H])C2=C([H])C([*:1])=C([H])C([H])=C2C([H])=C1[*:2] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- QSVDFJNXDKTKTJ-UHFFFAOYSA-N 4,5,6,7-tetrahydro-1h-indene Chemical compound C1CCCC2=C1CC=C2 QSVDFJNXDKTKTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000339 4-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical class NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229940051880 analgesics and antipyretics pyrazolones Drugs 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- ICCBZGUDUOMNOF-UHFFFAOYSA-N azidoamine Chemical class NN=[N+]=[N-] ICCBZGUDUOMNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003354 benzotriazolyl group Chemical group N1N=NC2=C1C=CC=C2* 0.000 description 1
- JBFDZEJAJZJORO-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.1.0]hept-3-ene Chemical compound C1C=CCC2CC21 JBFDZEJAJZJORO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPZUBXWEQBPUJR-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octane Chemical compound C1CCCC2CCC21 RPZUBXWEQBPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical group 0.000 description 1
- CHVJITGCYZJHLR-UHFFFAOYSA-N cyclohepta-1,3,5-triene Chemical group C1C=CC=CC=C1 CHVJITGCYZJHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N cycloheptene Chemical group C1CCC=CCC1 ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical group C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical group C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004891 diazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002636 imidazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical class C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 1
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical group [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 108020003175 receptors Proteins 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004426 substituted alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
例えば、特許文献1には、発光層に蛍光材料と遅延蛍光材料を共存させることで発光効率を高めた有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されている(例えば、特許文献1参照)。ここで「遅延蛍光材料」は、その分子が励起三重項状態に遷移したとき、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を起こす有機材料である。励起一重項状態へ遷移した各分子は、その後、その励起一重項状態から基底一重項状態へ輻射失活する際に蛍光を放射する。こうした逆項間交差を経由して放射される蛍光は、基底状態からの直接遷移により生じた励起一重項状態からの蛍光に比べて通常遅れて観測されるため「遅延蛍光」と称されている。一方、特許文献1に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子では、発光層に遅延蛍光材料を蛍光材料と共存させることで、遅延蛍光材料の逆項間交差により生じた励起一重項状態のエネルギーを蛍光材料へ移動させて蛍光材料の発光に利用する。ここで、遅延蛍光材料を用いない通常の蛍光発光層では、励起三重項状態から基底一重項状態への遷移は禁制遷移であるために、励起三重項状態に励起されても、励起三重項状態から基底一重項状態への遷移(輻射失活)が起こらずに無輻射失活してしまい、その励起三重項エネルギーを発光に利用することができない。これに対して、上記のような蛍光材料と遅延蛍光材料を共存させた発光層では、遅延蛍光材料で励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差が起こり、その励起一重項エネルギーが蛍光材料へ移動するため、結果として、その励起三重項状態のエネルギーも励起一重項エネルギーとして蛍光材料の発光に有効利用される。そのため、通常の蛍光発光層に比べて、高い発光効率が得られることになる。そして、特許文献1には、蛍光材料と遅延蛍光材料が共存した発光層を、蛍光材料と遅延蛍光材料を異なる蒸着源から蒸着する共蒸着法により実際に形成して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造し、その素子において高い発光効率が得られたことが記載されている。
そこで本発明者らは、蛍光材料と遅延蛍光材料が共存した膜を得るための新たな製造方法を開発することを目的として鋭意検討を進めた。
ΔEST(1) ≦ 0.3eV 式(1)
ES1(1) > ES1(2) 式(2)
(上式において、ΔEST(1)は、前記第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(1)と前記第1化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(1)の差である。ES1(2)は前記第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位である。)
[2] 前記第2化合物が下記式(3)を満たす、[1]に記載の膜の製造方法。
ΔEST(2) ≦ 0.3eV 式(3)
(上式において、ΔEST(2)は、前記第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(2)と前記第2化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(2)の差である。
[3] 前記第1化合物が遅延蛍光を放射する、[1]または[2]に記載の膜の製造方法。
[4] 前記第2化合物が蛍光を放射する、[1]に記載の膜の製造方法。
[5] 前記第2化合物が遅延蛍光を放射する、[1]~[3]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[6] 前記膜に、前記第1化合物が前記第2化合物よりも多く含まれている、[1]~[5]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[7] 前記膜における前記第1化合物の含有率が20重量%以上である、[1]~[6]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[8] 前記膜における前記第2化合物の含有率が10重量%未満である、[1]~[7]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[9] 前記蒸着源がさらにホスト材料を含み、前記膜がさらに前記ホスト材料を含む、[1]~[8]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[10] 前記膜における前記第1化合物の含有率が20~50重量%であり、前記第2化合物の含有率が0.1~5重量%である、[9]に記載の膜の製造方法。
[11] 前記第1化合物が、前記式(1)を満たす単一の化合物からなる、[1]~[10]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[12] 前記第1化合物がシアノベンゼン骨格を含む、[11]に記載の膜の製造方法。
[13] 前記第2化合物がシアノベンゼン骨格を含む、[12]に記載の膜の製造方法。
[14] 前記第2化合物がテレフタロニトリル骨格を含む、[13]に記載の膜の製造方法。
[15] 前記第1化合物がトリアジン骨格を含む、[11]に記載の膜の製造方法。
[16] 前記第1化合物と前記第2化合物のそれぞれについて、一定の昇温速度下で熱重量分析を行うことにより、温度Tと重量減少率Wの関係を明らかにし、前記第1化合物と前記第2化合物が同じ重量減少率になる温度TWTを特定しておき、
前記第1化合物と前記第2化合物の混合物をともに含む蒸着源から温度TWTで共蒸着することにより、前記第1化合物と前記第2化合物を含む膜を形成する、[1]~[15]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[17] 前記第1化合物と前記第2化合物のそれぞれについて、一定の昇温速度下で熱重量分析を行うことにより、温度Tと重量減少率Wの関係を明らかにし、前記第1化合物と前記第2化合物のdW/dTが同じになる温度TGRを特定しておき、
前記第1化合物と前記第2化合物の混合物をともに含む蒸着源から温度TGRで共蒸着することにより、前記第1化合物と前記第2化合物を含む膜を形成する、[1]~[15]のいずれか1つに記載の膜の製造方法。
[18] [1]~[17]のいずれか1つに記載の製造方法により層を形成する工程を有する、有機半導体素子の製造方法。
[19] [18]に記載の製造方法により製造される有機半導体素子。
[20] 前記有機半導体素子が有機エレクトロルミネッセンス素子である、[19]に記載の有機半導体素子。
[21] 遅延蛍光を放射する、[20]に記載の有機半導体素子。
本発明の膜の製造方法は、下記式(1)を満たす第1化合物と下記式(2)を満たす第2化合物をともに含む蒸着源から共蒸着することにより、前記第1化合物と前記第2化合物を含む膜を形成する工程を有するものである。
ΔEST(1) ≦ 0.3eV 式(1)
ES1(1) > ES1(2) 式(2)
上式において、ΔEST(1)は、第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(1)と第1化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(1)の差である。ES1(2)は前記第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位である。
本明細書では、第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(2)と第2化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(2)の差をΔEST(2)と表記する。
また、一般に、ある特定の化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1と最低励起三重項エネルギー準位ET1の差をΔESTと表記する。ΔESTは、測定対象化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1と最低励起三重項エネルギー準位ET1を以下の方法で算出し、ΔEST=ES1-ET1により求められる値である。測定に際しては、測定対象化合物をトルエンに溶解させた溶液の試料や、測定対象化合物の濃度が6重量%となるようにホスト材料と共蒸着した膜の試料を用意する。ホスト材料は、測定対象化合物のES1よりも最低励起一重項エネルギー準位が高くて、測定対象化合物のET1よりも最低励起三重項エネルギー準位が高いものの中から選択する。なお、請求項に記載されるΔESTは、Si基板上に測定対象化合物の濃度が6重量%となるようにmCPと共蒸着した厚さ100nmの膜の試料を用いて測定した値である。
(1)最低励起一重項エネルギー準位ES1
常温(300K)で試料の蛍光スペクトルを測定する。励起光入射直後から入射後100ナノ秒までの発光を積算することで、縦軸を発光強度、横軸を波長の蛍光スペクトルを得る。蛍光スペクトルは、縦軸を発光、横軸を波長とする。この発光スペクトルの短波側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値 λedge[nm]を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をES1とする。
換算式:ES1[eV]=1239.85/λedge
発光スペクトルの測定には、例えば励起光源に窒素レーザー(Lasertechnik Berlin社製、MNL200)を用い、検出器にストリークカメラ(浜松ホトニクス社製、C4334)を用いることができる。
(2) 最低励起三重項エネルギー準位ET1
最低励起一重項エネルギー準位ES1と同じ試料を77[K]に冷却し、励起光(337nm)を燐光測定用試料に照射し、ストリークカメラを用いて、燐光強度を測定する。励起光入射後1ミリ秒から入射後10ミリ秒の発光を積算することで、縦軸を発光強度、横軸を波長の燐光スペクトルを得る。この燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λedge[nm]を求める。この波長値を次に示す換算式でエネルギー値に換算した値をET1とする。
換算式:ET1[eV]=1239.85/λedge
燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線は以下のように引く。燐光スペクトルの短波長側から、スペクトルの極大値のうち、最も短波長側の極大値までスペクトル曲線上を移動する際に、長波長側に向けて曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち上がるにつれ(つまり縦軸が増加するにつれ)、傾きが増加する。この傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を、当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
なお、スペクトルの最大ピーク強度の10%以下のピーク強度をもつ極大点は、上述の最も短波長側の極大値には含めず、最も短波長側の極大値に最も近い、傾きの値が極大値をとる点において引いた接線を当該燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対する接線とする。
以下において、まず本発明で用いる蒸着源について説明する。
蒸着源は、第1化合物と第2化合物をともに含むものである。
本発明で用いる蒸着源は、第1化合物と第2化合物のみを含んでいてもよいし、その他の蒸着材料を含んでいてもよいし、これらの材料を保持する容器や保持材を含んでいてもよい。なお、以下の説明では、蒸着源のうち、膜の材料となるもの、すなわち、第1化合物、第2化合物およびその他の蒸着材料を総称して「蒸着材料」ということがある。
以下、蒸着源が含む第1化合物、第2化合物、その他の蒸着材料、各材料の含有率および蒸着源の態様について順に説明する。
蒸着源が含む第1化合物、すなわち、ΔESTが0.3eV以下である材料は、最低励起一重項エネルギー準位ES1と最低励起三重項エネルギー準位ET1が近いことにより、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を起こし易い傾向がある。第1化合物が逆項間交差を起こすものであることは、逆項間交差により生じた励起一重項状態が基底一重項状態へ輻射失活する際に放射する遅延蛍光を観測することで確認することができる。
ここで、本明細書中における「遅延蛍光」とは、蛍光発光寿命(τ)が200ns(ナノ秒)以上であるものを意味する。また、本明細書中における「蛍光発光寿命(τ)」とは、溶液もしくは蒸着膜試料に、窒素雰囲気下や真空下のような酸素非存在下の条件で、光励起終了後の発光減衰測定を行うことにより求められる時間のことをいう。ここで、蛍光発光寿命が異なる2種類以上の蛍光成分が観測された場合には、発光寿命が最も長い蛍光成分の発光寿命が「蛍光発光寿命(τ)」であることとする。
蒸着源に用いる第1化合物は、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を起こす材料であることが好ましく、遅延蛍光を放射する材料であることがより好ましい。第1化合物が逆項間交差を起こすものであることにより、得られた膜において、励起三重項状態が励起一重項状態へ変換されるようになり、その励起一重項エネルギーを第2化合物の発光に有効に利用することができる。
また、第1化合物のΔESTは、より低いことが好ましく、具体的には0.2eV以下であることが好ましく、0.1eV以下であることがより好ましく、0.05eV以下であることがさらにより好ましく、0.01eV以下であることがなおより好ましく、理想的には0eVである。第1化合物は、ΔESTが小さいもの程、逆項間交差を起こし易い傾向があり、励起三重項状態を励起一重項状態に変換する作用を効果的に発現することができる。
蒸着源に用いる第1化合物は、式(1)を満たす単一の化合物からなる材料であってもよいし、エキサイプレックスを形成するような2種以上の化合物からなる材料であってもよい。第1化合物がエキサイプレックスを形成する2種以上の化合物からなる場合、そのエキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位ES1と最低励起三重項エネルギー準位ET1の差ΔESTは0.3eV以下であることが好ましい。なお、第1化合物は、常温(300K)で励起三重項状態から基底一重項状態への輻射失活を生じ易いことから、IrやPtのような重金属元素を中心金属とする金属錯体のような、通常の燐光材料ではないことが好ましい。
また、蒸着源が含む第1化合物は、1種類であっても2種類以上であってもよい。蒸着源が、第1化合物を2種類以上含む場合、それらの第1化合物は、その材料を構成する化合物の構造が互いに異なっていてもよいし、単一の化合物からなるか、エキサイプレックスを形成する2種以上の化合物からなるかが異なっていてもよい。さらに、2種類以上の第1化合物は、最低励起一重項エネルギー準位ES1や最低励起三重項エネルギー準位ET1、それらのエネルギー差ΔEST等が異なっていてもよい。
一般式(1a)
D-L-A
一般式(1a)において、Dは置換アミノ基を有する置換基を表し、Lは置換もしくは無置換のアリーレン基、または置換もしくは無置換のヘテロアリーレン基を表し、Aはシアノ基、または少なくとも1つの窒素原子を環骨格構成原子として含む置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。
Lが表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基は、単環であってもよいし、2つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。Lが縮合環である場合、縮合している環の数は2~6であることが好ましく、例えば2~4の中から選択することができる。Lを構成する環の具体例として、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ナフタレン環を挙げることができる。Lが表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基の具体例として、1,4-フェニレン基、1,3-フェニレン基、1,2-フェニレン基、1,8-ナフチレン基、2,7-ナフチレン基、2,6-ナフチレン基、1,4-ナフチレン基、1,3-ナフチレン基、9,10-アントラセニレン基、1,8-アントラセニレン基、2,7-アントラセニレン基、2,6-アントラセニレン基、1,4-アントラセニレン基、1,3-アントラセニレン基、これらの基の環骨格構成原子の1つが窒素原子に置換した基、これらの基の環骨格構成原子の2つが窒素原子に置換した基、およびこれらの基の環骨格構成原子の3つが窒素原子に置換した基を挙げることができる。Lが表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基は、置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。置換基を2つ以上有する場合、複数の置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。置換基としては、例えばヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキルチオ基、炭素数6~40のアリール基、炭素数3~40のヘテロアリール基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、炭素数1~10のハロアルキル基、炭素数3~20のトリアルキルシリル基、炭素数4~20のトリアルキルシリルアルキル基、炭素数5~20のトリアルキルシリルアルケニル基、炭素数5~20のトリアルキルシリルアルキニル基、置換アミノ基を有する置換基、シアノ基等が挙げられる。これらの具体例のうち、さらに置換基により置換可能なものは置換されていてもよい。より好ましい置換基は、炭素数1~20の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数6~40の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数3~40の置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。さらに好ましい置換基は、炭素数1~10の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素数1~10の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数6~15の置換もしくは無置換のアリール基、炭素数3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基である。
Aにおける、少なくとも1つの窒素原子を環骨格構成原子として含むヘテロアリール基において、環骨格構成原子としての窒素原子の数は1~3つであることが好ましい。ヘテロアリール基の好ましい範囲と具体例については、上記のLが表すヘテロアリーレン基の好ましい範囲と具体例を1価の基に読み替えて参照することができる。中でも、Aにおけるヘテロアリール基は、1~3つの窒素元素を環骨格構成原子として含む6員環からなる基であることが好ましく、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基であることがより好ましく、トリアジニル基であることがさらに好ましい。ヘテロアリール基は置換基で置換されていてもよい。置換基の好ましい範囲と具体例については、上記のLが表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基に置換してもよい置換基の好ましい範囲と具体例を参照することができる。
Aはこれらの置換もしくは無置換のヘテロアリール基もとりうるが、シアノ基であることが好ましい。特にAがシアノ基であるものは、Aがトリアジニル基であるものよりも好ましい。
一般式(2a)におけるAr1とAr2は、互いに結合することにより一般式(2a)の窒素原子とともに環状構造を形成していてもよい。
Ar1およびAr2が表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基は、単環であってもよいし、2つ以上の環が縮合した縮合環であってもよい。縮合環である場合、縮合している環の数は2~6であることが好ましく、例えば2~4の中から選択することができる。Ar1およびAr2を構成する環の具体例として、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ナフタレン環を挙げることができる。Ar1およびAr2が表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基の具体例として、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基、4-ピリジル基を挙げることができる。Ar1およびAr2が表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基は、置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。置換基を2つ以上有する場合、複数の置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキルチオ基、炭素数1~20のアルキル置換アミノ基、炭素数1~20のアリール置換アミノ基、炭素数6~40のアリール基、炭素数3~40のヘテロアリール基、炭素数2~10のアルケニル基、炭素数2~10のアルキニル基、炭素数2~20のアルキルアミド基、炭素数7~21のアリールアミド基、炭素数3~20のトリアルキルシリル基等が挙げられる。これらの具体例のうち、さらに置換基により置換可能なものは置換されていてもよい。より好ましい置換基は、炭素数1~20のアルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数1~20のアルキルチオ基、炭素数1~20のアルキル置換アミノ基、炭素数1~20のアリール置換アミノ基、炭素数6~40のアリール基、炭素数3~40のヘテロアリール基である。
R11~R20がとりうる置換基の具体例と好ましい範囲については、一般式(1a)におけるAr1およびAr2が表すアリーレン基またはヘテロアリーレン基の置換基の対応する記載を参照することができる。
Lが表すアリーレン基を構成する芳香環は、単環であっても、2以上の芳香環が縮合した縮合環であっても、2以上の芳香環が連結した連結環であってもよい。2以上の芳香環が連結している場合は、直鎖状に連結したものであってもよいし、分枝状に連結したものであってもよい。Lが表すアリーレン基を構成する芳香環の炭素数は、6~22であることが好ましく、6~18であることがより好ましく、6~14であることがさらに好ましく、6~10であることがさらにより好ましい。アリーレン基の具体例として、フェニレン基、ナフタレンジイル基、ビフェニレン基を挙げることができる。
また、Lが表すヘテロアリーレン基を構成する複素環は、単環であっても、1以上の複素環と芳香環または複素環が縮合した縮合環であっても、1以上の複素環と芳香環または複素環が連結した連結環であってもよい。複素環の炭素数は5~22であることが好ましく、5~18であることがより好ましく、5~14であることがさらに好ましく、5~10であることがさらにより好ましい。複素環を構成する複素原子は窒素原子であることが好ましい。複素環の具体例として、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール環を挙げることができる。
Lが表すより好ましい基はフェニレン基である。Lがフェニレン基であるとき、フェニレン基は1,2-フェニレン基、1,3-フェニレン基、1,4-フェニレン基のいずれであってもよいが、1,4-フェニレン基であることが好ましい。また、Lは置換基により置換されていてもよい。Lの置換基の数および置換位置は特に制限されない。Lに導入しうる置換基の説明と好ましい範囲については、上記のR11~R20がとりうる置換基の説明と好ましい範囲を参照することができる。
また、遅延蛍光を放射する化合物(遅延蛍光体)として、特開2013-253121号公報、WO2013/133359号公報、WO2014/034535号公報、WO2014/115743号公報、WO2014/122895号公報、WO2014/126200号公報、WO2014/136758号公報、WO2014/133121号公報、WO2014/136860号公報、WO2014/196585号公報、WO2014/189122号公報、WO2014/168101号公報、WO2015/008580号公報、WO2014/203840号公報、WO2015/002213号公報、WO2015/016200号公報、WO2015/019725号公報、WO2015/072470号公報、WO2015/108049号公報、WO2015/080182号公報、WO2015/072537号公報、WO2015/080183号公報、特開2015-129240号公報、WO2015/129714号公報、WO2015/129715号公報、WO2015/133501号公報、WO2015/136880号公報、WO2015/137244号公報、WO2015/137202号公報、WO2015/137136号公報、WO2015/146541号公報、WO2015/159541号公報に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物を好ましく挙げることができる。これらの公報は、本明細書の一部としてここに引用している。
本発明で用いる蒸着源は、第1化合物とともに第2化合物を含む。第2化合物は、式(2)を満たす化合物である。
ES1(1) > ES1(2) 式(2)
上式において、ES1(1)は第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位であり、ES1(2)は第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位である。ES1(1)とES1(2)の差[ES1(1)-ES1(2)]は、例えば0.1eV以上、0.2eV以上、0.3eV以上、0.5eV以上にしたり、1.2eV以下、1.0eV以下、0.8eV以下、0.6eV以下にしたりしてもよい。式(2)を満たす第2化合物を採用することにより、得られる膜において、第1化合物の励起一重項エネルギーが第2化合物へ移動し易くなり、第1化合物の逆項間交差で生じた励起一重項状態のエネルギーを第2化合物の発光に効率よく利用することができる。
第2化合物は、蛍光材料であることが好ましい。本発明における「蛍光材料」とは、トルエンやジクロロメタンのような溶液試料もしくは蒸着膜試料に、20℃で励起光を照射したとき蛍光を放射する有機材料のことを意味する。ここで、「蛍光」とは、励起一重項状態から基底一重項状態への失活の際に放射される光である。本発明における蛍光材料は、蛍光とともに燐光を放射するものであってもよいが、その場合の蛍光強度は燐光強度の9倍以上であることが好ましい。
第2化合物には、蛍光発光寿命(τ)が200ns(ナノ秒)未満であるものを採用してもよいし、蛍光発光寿命(τ)が200ns(ナノ秒)以上である遅延蛍光材料を採用してもよい。蛍光発光寿命(τ)の説明については、(第1化合物)の欄の蛍光発光寿命(τ)についての説明を参照することができる。
第2化合物として遅延蛍光材料を採用する場合、その遅延蛍光材料は下記の関係式を満たすものであることが好ましい。
ΔEST(2) ≦ 0.3eV
上式において、ΔEST(2)は、第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(2)と第2化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(2)の差である。また、上記の式(1)と式(2)の関係を満たす限り、第2化合物は上記の化合物T1~T57の中から選択してもよい。
第2化合物の発光波長は特に制限されず、得られる膜の用途に応じて適宜選択することができる。例えば、得られる膜を、画像表示や色表示のための有機発光素子の発光層に用いる場合には、第2化合物は、近赤外領域(750~2500nm)や赤色領域(620~750nm)や緑色領域(495~570nm)、青色領域(450~495nm)に発光極大波長を有するものであることが好ましい。
蒸着源が含む第2化合物は、1種類であっても2種類以上であってもよい。蒸着源が、第2化合物を2種類以上含む場合、それらの第2化合物は、その第2化合物を構成する化合物の構造が互いに異なる他、発光波長や発光色、最低励起一重項エネルギー準位ES1、最低励起三重項エネルギー準位ET1等が異なっていてもよい。
以下において、第2化合物に用いることができる化合物の具体例を例示する。ただし、本発明において第2化合物に用いることができる化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。下記式において、Etはエチル基を表す。
蒸着源に用いる第1化合物と第2化合物の組み合わせは特に限定されない。また、蒸着源が含む第1化合物および第2化合物は、それぞれ1種類であっても2種類以上であってもよいが、それぞれ1種類の化合物であることが好ましい。蒸着源が第1化合物、第2化合物を2種類以上含む場合、その全ての第1化合物が式(1)を満たし、且つ、全ての第2化合物が全ての第1化合物との間で式(1)を満たすこととする。式(2)について言い換えれば、第2化合物の中で最も最低励起一重項エネルギー準位ES1(2)が高い化合物のES1(2)が、第1化合物の中で最も最低励起一重項エネルギー準位ES1(1)が低い化合物のES1(1)よりも低いこととする。この条件を満たす限り、2種類以上の第1化合物および第2化合物に特に制限はなく、例えば2種類以上の化合物の中にエキサイプレックスを形成する組み合わせを含んでいてもよい。2種類以上の第1化合物の中にエキサイプレックスを形成する組み合わせを含む場合、そのエキサイプレックスを形成する第1化合物の組み合わせは、エキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位ES1(Ex)および最低励起三重項エネルギー準位ET1(Ex)で、ES1(1)、ET1(1)をそれぞれ置き換えた式(1)を満たすことが好ましい。すなわち、第1化合物のES1(Ex)とET1(Ex)のエネルギー差ΔEST(Ex)は0.3eV以下であることが好ましい。また、2種類以上の第2化合物の中にエキサイプレックスを形成する組み合わせを含む場合、そのエキサイプレックスを形成する第2化合物の組み合わせは、エキサイプレックスの最低励起一重項エネルギー準位ES1(Ex)でES1(2)を置き換えた式(2)を満たすことが好ましい。すなわち、第2化合物のES1(Ex)は、第1化合物のES1(1)よりも低いことが好ましい。また、蒸着源がエキサイプレックスを形成する第1化合物の組合せを含む場合には、第2化合物のES1(Ex)は、その第1化合物のES1(Ex)よりも低いことが好ましい。エキサイプレックスのエネルギー準位ES1(Ex)、ET1(Ex)は、エキサイプレックスを形成する1組の化合物からなる膜を測定試料に用い、上記のΔESTの算出方法に準じて求めることができる。
蒸着源に用いることができる第1化合物と第2化合物の組み合わせの具体例については、[第1化合物と第2化合物を含む膜]の欄に掲載した表1を参照することができる。ただし、本発明において用いることができる第1化合物と第2化合物の組み合わせは、これらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。
蒸着源は、蒸着材料として、第1化合物と第2化合物のみを含んでいてもよいし、その他の蒸着材料を含んでいてもよい。その他の蒸着材料として、ホスト材料やドーパントを挙げることができる。
ホスト材料には、その最低励起一重項エネルギー準位ES1が第1化合物および第2化合物の各最低励起一重項エネルギー準位ES1よりも高いものを用いることが好ましく、その最低励起一重項エネルギー準位ES1が第1化合物および第2化合物の各最低励起一重項エネルギー準位ES1よりも高く、且つ、その最低励起三重項エネルギー準位ET1が第1化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1よりも高いものを用いることがより好ましい。これにより、得られた膜において、ホスト材料から第1化合物や第2化合物への励起一重項エネルギーの移動が容易になる。また、第1化合物の分子中に励起三重項エネルギーが閉じ込められ、その励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差の発生確率を向上させることができる。その結果、発光効率が高い膜が得られる。ホスト材料の最低励起一重項エネルギー準位ES1および最低励起三重項エネルギー準位ET1の測定方法については、第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1および最低励起三重項エネルギー準位ET1の測定方法についての記載を参照することができる。
また、ホスト材料としては、正孔輸送能、電子輸送能を有し、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高いガラス転移温度を有する有機化合物であることが好ましい。
蒸着源がホスト材料を含む場合、そのホスト材料は1種類であっても2種類以上であってもよい。蒸着源が、ホスト材料を2種類以上含む場合、それらのホスト材料は、そのホスト材料を構成する化合物の構造が互いに異なる他、最低励起一重項エネルギー準位ES1や最低励起三重項エネルギー準位ET1等が異なっていてもよい。
ホスト材料に用いることができる化合物の具体例については、(本発明の応用例)の欄に例示したホスト材料を参照することができる。ただし、本発明においてホスト材料に用いることができる化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。
ドーパントとしては、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、ナフタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、クリセン誘導体、ルブレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、スチルベン誘導体、フルオレン誘導体、アントリル誘導体、ピロメテン誘導体、ターフェニル誘導体、ターフェニレン誘導体、フルオランテン誘導体、アミン誘導体、キナクリドン誘導体、オキサジアゾール誘導体、マロノニトリル誘導体、ピラン誘導体、カルバゾール誘導体、ジュロリジン誘導体、チアゾール誘導体およびこれら誘導体の母骨格からなる化合物等を用いることが可能である。これら誘導体の母骨格には置換基を有してもよいし、置換基を有していなくてもよい。また、ドーパントは、これらの骨格を2種以上含んでいてもよい。
ドーパントの具体例については、上記の(第2化合物)の欄に示した、第2化合物に用いることができる化合物の具体例を参照することができる。
蒸着源における第1化合物、第2化合物およびその他の蒸着材料の各含有率は、目的の膜の組成や共蒸着の条件に応じて適宜選択することができる。
例えば、蒸着源における第1化合物の含有率は、第2化合物の含有率よりも大きいことが好ましく、第1化合物と第2化合物の合計量に対して50重量%以上であることが好ましく、80重量%以上であることがより好ましく、95重量%以上であることがさらに好ましく、また、99.9重量%以下であることが好ましい。
蒸着源における第2化合物の含有率は、第1化合物と第2化合物の合計量に対して0.01重量%以上であることが好ましく、0.1重量%以上であることがより好ましく、0.5重量%以上であることがさらに好ましく、また、50重量%以下であることが好ましく、10重量%以下であることがより好ましく、5重量%以下であることがさらに好ましい。
蒸着源がホスト材料を含む場合、蒸着源における第1化合物の含有率は、蒸着材料全量に対して5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましく、20重量%以上であることがさらに好ましく、また、上限については、蒸着材料全量に対して80重量%以下であることが好ましく、50重量%以下であることがより好ましい。
蒸着源がホスト材料を含む場合、蒸着源における第2化合物の含有率は、蒸着材料全量に対して0.01重量%以上であることが好ましく、0.1重量%以上であることがより好ましく、0.5重量%以上であることがさらに好ましく、また、上限については、蒸着材料全量に対して50重量%以下であることが好ましく、10重量%以下であることがより好ましく、5重量%以下であることがさらに好ましく、3重量%以下であることがさらに好ましくい。
本発明で用いる蒸着源は、第1化合物と第2化合物をともに含むものであり、各材料が同一容器内に収容されたものや、各材料が同一保持材に保持されたものであってもよい。
第1化合物と第2化合物をともに含む蒸着源の具体例として、第1化合物の粉末と第2化合物の粉末を混合した混合粉、または、これらの粉末と、必要に応じて用いる他の材料の粉末を混合した混合粉を、同一の容器内に収容してなるものや、これら混合粉を圧縮成形した圧縮成形体、第1化合物と第2化合物を加熱溶融して混合した後、冷却により固化した固体、または、これらの材料と、必要に応じて用いるその他の蒸着材料を加熱溶融して混合した後、冷却により固化した固体等を挙げることができる。上記の圧縮成形体および加熱溶融による固体も容器内に収容して蒸着源としてもよい。容器には、蒸着装置で通常用いられるルツボ等を用いることができる。
本発明では、上記の蒸着源から共蒸着することにより、第1化合物と第2化合物を含む膜を形成する。
図2に、この共蒸着に用いる真空蒸着装置の一例を示す。
図2に示す真空蒸着装置は、耐圧容器であるチャンバー100と、チャンバー100内に設置された蒸着源101と、チャンバー100内に蒸着源101と対向して配置された基板保持部102とを有する。ここで、蒸着源101は、第1化合物と第2化合物をともに含む蒸着材料101aをルツボ101bに収容してなるものである。さらに、真空蒸着装置には、チャンバー100内を真空状態にする真空ポンプと蒸着源を加熱する加熱装置が設けられている。
この真空蒸着装置にて共蒸着を行うには、膜を形成するための基材10を、その膜形成面が蒸着源101側に向くように基板保持部102に装着する。基材10としては、得られる膜の用途に応じて適宜選択することができ、例えばガラス、透明プラスチック、石英、シリコンなどからなる基板を用いることができる。また、基材は、基板に機能膜が形成されたものであってもよい。基材を構成する機能膜としては、例えば、最終的に特定の素子を製造しようとする場合には、その素子において、ここで形成する膜と基板の間に配される膜や積層膜を挙げることができる。具体的には、製造する素子が有機エレクトロルミネッセンス素子である場合には、基材を構成する機能膜として電極層、キャリア注入層、キャリア輸送層等を挙げることができる。
続いて、チャンバー100内を真空状態にし、蒸着源101を加熱する。これにより、蒸着材料101aが溶融・蒸発または昇華して、その蒸発または昇華した粒子が基材10の表面に付着、堆積する。その結果、目的の第1化合物と第2化合物を含む膜が形成される。このとき、蒸着源が第1化合物と第2化合物をともに含むことにより、これらの材料が基材表面に安定に堆積し、良好な膜を形成することができる。
ここで、膜を形成する際のチャンバー100内の真空度は、10-2Pa以下であることが好ましく、10-4Pa以下であることがより好ましく、10-5Pa以下であることがさらに好ましい。
膜の成膜レートは、特に制限されないが、0.01~30Å/sであることが好ましく、0.1~20Å/sであることがより好ましく、1~10Å/sであることがさらに好ましい。
蒸着源101の加熱温度および成膜レートは、成膜の間、一定に保持してもよいし、経時的に変化させてもよい。
そのような特定の温度は、第1化合物と第2化合物の熱重量分析をあらかじめ行っておくことにより決定することができる。例えば、一定の昇温速度で化合物の温度T(単位℃)を上昇させたときに、その化合物の重量減少率W(単位%)がどう変化するかを、第1化合物と第2化合物についてそれぞれグラフ化しておくことにより決定することが可能である。昇温速度は、5~20℃/分の範囲内で選択することが好ましく、例えば10℃/分とすることができる。また、ここでいう重量減少率Wは、熱重量分析開始前を0%とし、重量が0になったときを-100%として表したものである。
簡易な決定法としては、第1化合物と第2化合物が同じ重量減少率になる温度TWTを特定して、それを共蒸着時の温度として採用する方法を挙げることができる。すなわち、第1化合物の熱重量分析グラフ(縦軸W、横軸T)と第2化合物の熱重量分析グラフ(縦軸W、横軸T)を重ねたときに、2つの曲線が交わる交点における温度をTWTと特定し、それを共蒸着時の温度として採用することができる。より精密な決定法としては、第1化合物と第2化合物のdW/dTが同じになる温度TGRを特定して、それを共蒸着時の温度として採用する方法を挙げることができる。これらの温度TWTと温度TGRは、-5%<W<-95%の範囲内の温度として特定されることが好ましく、-90%<W<-10%の範囲内の温度として特定されることがより好ましく、-80%<W<-20%の範囲内の温度として特定されることがさらに好ましい。また、共蒸着時の温度T(共蒸着)は、厳密に温度TWTや温度TGRそのものでなくてもよく、形成したい膜の使用目的によっては、TWT-10℃<T(共蒸着)<TWT+10℃やTGR-10℃<T(共蒸着)<TGR+10℃であってもよく、また、TWT-5℃<T(共蒸着)<TWT+5℃やTGR-5℃<T(共蒸着)<TGR+5℃であってもよい。
また、真空蒸着装置は、基板保持部102に、基板10を水平に保持した状態で、基板10の所定位置を回転中心として所定の速度で回転させる回転装置を有していてもよい。共蒸着中に基板10を回転装置により回転させることで、形成される膜の膜厚分布の均一化を図ることができる。また、真空蒸着装置は、蒸着材料の蒸散を遮蔽するシャッタや、成膜された膜の膜厚を計測する膜厚計などを備えていてもよい。
本発明で形成する膜は、第1化合物と第2化合物を含む膜である。
本発明で形成する膜は、第1化合物と第2化合物のみから構成されていてもよいし、その他の材料を含んでいてもよい。その他の材料としてホスト材料やドーパントを挙げることができる。その他の材料を含む膜は、蒸着源に、第1化合物と第2化合物に加えて、その他の材料を含有させることにより形成することができる。
第1化合物、第2化合物、ホスト材料およびドーパントの説明と好ましい範囲、具体例については、蒸着源に用いる第1化合物、第2化合物、ホスト材料およびドーパントについての説明と好ましい範囲、具体例を参照することができる。また、膜が含む第1化合物、第2化合物および必要に応じて用いるホスト材料、ドーパントは、それぞれ1種類であっても、2種類以上であってもよい。
膜における第2化合物の含有率は、0.01重量%以上であることが好ましく、0.1重量%以上であることがより好ましく、0.5重量%以上であることがさらに好ましい。また、膜における第2化合物の含有率は、10重量%未満であることが好ましく、5重量%未満であることがより好ましく、3重量%未満であることがさらに好ましい。
膜がホスト材料を含む場合、そのホスト材料の含有率は、15重量%以上であることが好ましく、50重量%以上であることがより好ましく、65重量%以上であることがさらに好ましい。また、膜におけるホスト材料の含有率は、99.9重量%以下であることが好ましく、99重量%以下であることがより好ましく、90重量%以下であることがさらに好ましい。
膜がホスト材料を含む場合、膜における第1化合物の含有率は、1重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましく、20重量%以上であることがさらに好ましく、また、上限については、99.9重量%以下であることが好ましく、80重量%以下であることがより好ましく、50重量%以下であることがさらに好ましい。
膜がホスト材料を含む場合、膜における第2化合物の含有率は、0.01重量%以上であることが好ましく、0.1重量%以上であることがより好ましく、0.5重量%以上であることがさらに好ましく、また、上限については、50重量%未満であることが好ましく、10重量%未満であることがより好ましく、5重量%以下であることがさらに好ましく、3重量%以下であることがさらに好ましくい。
膜がドーパントを含む場合、膜におけるドーパントの含有率は、0.01重量%以上であることが好ましく、0.05重量%以上であることがより好ましく、0.1重量%以上であることがさらに好ましい。また、膜におけるドーパントの含有率は、50重量%未満であることが好ましく、10重量%未満であることがより好ましく、5重量%未満であることがさらに好ましく、3重量%以下であることがさらに好ましくい。
膜が第1化合物と第2化合物以外の材料を含む場合、膜における第1化合物と第2化合物の合計量の割合は、10重量%以上であることが好ましく、20重量%以上であることがより好ましく、50重量%以上であることがさらに好ましい。また、上限については、85重量%未満であることが好ましい。
膜における第1化合物や第2化合物の含有率は、液体クロマトグラフ(LC)や核磁気共鳴(NMR)により測定することができる。また、これらの含有率は、各材料の蒸着源における含有率や、真空蒸着装置の真空度、蒸着源の加熱温度、成膜レート等により制御することができる。
膜における遅延蛍光の放射は、窒素雰囲気下や真空下のような酸素非存在下の条件で、光励起終了後の発光減衰測定により観測することができる。遅延蛍光の定義については、(第1化合物)の欄の記載を参照することができる。
次に、本発明の有機半導体素子の製造方法について説明する。
本発明の有機半導体素子の製造方法は、本発明の膜の製造方法により層を形成する工程を有する。
本発明の膜の製造方法については、<膜の製造方法>の欄の記載を参照することができる。
本発明の製造方法により製造する有機半導体素子は、第1化合物と第2化合物を含む層を有するものであればよく、特に限定されない。具体例として、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機エレクトロルミネッセンスデバイス)、有機フォトルミネッセンス素子(有機光ルミネッセンスデバイス)、半導体レーザー素子、蓄光素子等の有機発光素子や、有機薄膜太陽電池、有機電界効果型トランジスタ、有機熱電素子、有機圧電素子等を挙げることができる。これらの素子のうち、有機発光素子では、例えば第1化合物と第2化合物を含む発光層を本発明の膜の製造方法により形成することができる。いずれの有機半導体素子においても、本発明の膜の製造方法を用いて、第1化合物と第2化合物を含む層を形成することにより、その層が良好な膜質で形成されて、優れた特性を示す。特に、形成された第1化合物と第2化合物を含む層が遅延蛍光を放射する場合には、[第1化合物と第2化合物を含む膜]の欄で説明したのと同様の理由により、高い発光効率が得られる。
なお、有機半導体素子を構成する層のうち、第1化合物と第2化合物を含む層以外の層の製膜方法は特に限定されず、ドライプロセス、ウェットプロセスのどちらで作製してもよい。
以下において、本発明の有機発光デバイス(有機発光素子)への応用について説明する。以下の説明において「式(I)の化合物」、「本発明の発光材料」、「本発明の化合物」および「TADF分子」は『第1化合物』へと読み替えるものとし、「他の発光材料」は『第2化合物』と読み替えるものとする。また、「発光層」の欄における「いくつかの実施形態では、発光材料のみが発光層として用いられる。いくつかの実施形態では、前記発光層は発光材料とホスト材料とを含む。」という記載は「発光層は、第1化合物と第2化合物を含み、さらにホスト材料を含んでいてもよい。」へと読み替えるものとする。以下において有機発光デバイスへの応用について説明した後に、用語の定義についても説明する。ただし、これまでの明細書の記載にてすでに説明されているものについては、すでになされている説明が優先する。
いくつかの実施形態では、前記有機光ルミネッセンスデバイスは、少なくとも1つの発光層を含む。いくつかの実施形態では、前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、少なくとも陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の有機層を含む。いくつかの実施形態では、前記有機層は、少なくとも発光層を含む。いくつかの実施形態では、前記有機層は、発光層のみを含む。いくつかの実施形態では、前記有機層は、発光層に加えて1つ以上の有機層を含む。有機層の例としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層、電子注入層、電子輸送層および励起子障壁層が挙げられる。いくつかの実施形態では、前記正孔輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入輸送層であってもよく、前記電子輸送層は、電子注入機能を有する電子注入輸送層であってもよい。有機エレクトロルミネッセンスデバイスの例を図1に示す。
いくつかの実施形態では、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは基材により保持され、当該基材は特に限定されず、有機エレクトロルミネッセンスデバイスで一般的に用いられる、例えばガラス、透明プラスチック、クォーツおよびシリコンにより形成されたいずれかの材料を用いればよい。
いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置の陽極は、金属、合金、導電性化合物またはそれらの組み合わせから製造される。いくつかの実施形態では、前記の金属、合金または導電性化合物は高い仕事関数(4eV以上)を有する。いくつかの実施形態では、前記金属はAuである。いくつかの実施形態では、導電性の透明材料は、CuI、酸化インジウム・スズ(ITO)、SnO2およびZnOから選択される。いくつかの実施形態では、IDIXO(In2O3-ZnO)などの、透明な導電性フィルムを形成できるアモルファス材料を使用する。いくつかの実施形態では、前記陽極は薄膜である。いくつかの実施形態では、前記薄膜は蒸着またはスパッタリングにより作製される。いくつかの実施形態では、前記フィルムはフォトリソグラフィー方法によりパターン化される。いくつかの実施形態では、パターンが高精度である必要がない(例えば約100μm以上)場合、当該パターンは、電極材料への蒸着またはスパッタリングに好適な形状のマスクを用いて形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機導電性化合物などのコーティング材料を塗布しうるとき、プリント法やコーティング法などの湿式フィルム形成方法が用いられる。いくつかの実施形態では、放射光が陽極を通過するとき、陽極は10%超の透過度を有し、当該陽極は、単位面積あたり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは10~1,000nmである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは10~200nmである。いくつかの実施形態では、陽極の厚みは用いる材料に応じて変動する。
いくつかの実施形態では、前記陰極は、低い仕事関数を有する金属(4eV以下)(電子注入金属と称される)、合金、導電性化合物またはその組み合わせなどの電極材料で作製される。いくつかの実施形態では、前記電極材料は、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム-銅混合物、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-アルミニウム混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム-アルミニウム混合物および希土類元素から選択される。いくつかの実施形態では、電子注入金属と、電子注入金属より高い仕事関数を有する安定な金属である第2の金属との混合物が用いられる。いくつかの実施形態では、前記混合物は、マグネシウム-銀混合物、マグネシウム-アルミニウム混合物、マグネシウム-インジウム混合物、アルミニウム-酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム-アルミニウム混合物およびアルミニウムから選択される。いくつかの実施形態では、前記混合物は電子注入特性および酸化に対する耐性を向上させる。いくつかの実施形態では、陰極は、蒸着またはスパッタリングにより電極材料を薄膜として形成させることによって製造される。いくつかの実施形態では、前記陰極は単位面積当たり数百オーム以下のシート抵抗を有する。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は10nm~5μmである。いくつかの実施形態では、前記陰極の厚は50~200nmである。いくつかの実施形態では、放射光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの陽極および陰極のいずれか1つは透明または半透明である。いくつかの実施形態では、透明または半透明のエレクトロルミネッセンスデバイスは光放射輝度を向上させる。
いくつかの実施形態では、前記陰極を、前記陽極に関して前述した導電性の透明な材料で形成されることにより、透明または半透明の陰極が形成される。いくつかの実施形態では、デバイスは陽極と陰極とを含むが、いずれも透明または半透明である。
いくつかの実施形態では、前記発光層は、陽極および陰極からそれぞれ注入された正孔および電子が再結合して励起子を形成する層である。いくつかの実施形態では、前記層は光を発する。
いくつかの実施形態では、発光材料のみが発光層として用いられる。いくつかの実施形態では、前記発光層は発光材料とホスト材料とを含む。いくつかの実施形態では、前記発光材料は、式(I)の1つ以上の化合物である。いくつかの実施形態では、有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよび有機光ルミネッセンスデバイスの光放射効率を向上させるため、前記発光材料において発生する一重項励起子および三重項励起子を、前記発光材料内に閉じ込める。いくつかの実施形態では、前記発光層中に発光材料に加えてホスト材料を用いる。いくつかの実施形態では、前記ホスト材料は有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記有機化合物は励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーを有し、その少なくとも1つは、本発明の発光材料のそれらよりも高い。いくつかの実施形態では、本発明の発光材料中で発生する一重項励起子および三重項励起子は、本発明の発光材料の分子中に閉じ込められる。いくつかの実施形態では、前記一重項および三重項の励起子は、光放射効率を向上させるために十分に閉じ込められる。いくつかの実施形態では、高い光放射効率が未だ得られるにもかかわらず、前記一重項励起子および三重項励起子は十分に閉じ込められず、すなわち、本発明で使用できる光放射効率の高いホスト材料は、特に限定されない。いくつかの実施形態では、本発明のデバイスの発光層中の発光材料において、光放射が生じる。いくつかの実施形態では、放射光は蛍光および遅延蛍光の両方を含む。いくつかの実施形態では、前記放射光は、ホスト材料からの放射光を含む。いくつかの実施形態では、前記放射光は、ホスト材料からの放射光からなる。いくつかの実施形態では、前記放射光は、式(I)の化合物からの放射光と、ホスト材料からの放射光とを含む。いくつかの実施形態では、TADF分子とホスト材料とが用いられる。いくつかの実施形態では、TADFは補助ドーパントである。
いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は0.1重量%以上である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は1重量%以上である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は50重量%以下である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は20重量%以下である。いくつかの実施形態では、ホスト材料を用いるとき、前記発光層に含まれる発光材料としての本発明の化合物の量は10重量%以下である。
いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、正孔輸送機能および電子輸送機能を有する有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、放射光の波長が増加することを防止する有機化合物である。いくつかの実施形態では、前記発光層のホスト材料は、高いガラス転移温度を有する有機化合物である。
注入層は、電極と有機層との間の層である。いくつかの実施形態では、前記注入層は駆動電圧を減少させ、光放射輝度を増強する。いくつかの実施形態では、前記注入層は、正孔注入層と電子注入層とを含む。前記注入層は、陽極と発光層または正孔輸送層との間、並びに陰極と発光層または電子輸送層との間に配置することがきる。いくつかの実施形態では、注入層が存在する。いくつかの実施形態では、注入層が存在しない。
障壁層は、発光層に存在する電荷(電子または正孔)および/または励起子が、発光層の外側に拡散することを阻止できる層である。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層と正孔輸送層との間に存在し、電子が発光層を通過して正孔輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層と電子輸送層との間に存在し、正孔が発光層を通過して電子輸送層へ至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、障壁層は、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層および正孔障壁層は励起子障壁層を構成する。本明細書で用いる用語「電子障壁層」または「励起子障壁層」には、電子障壁層の、および励起子障壁層の機能の両方を有する層が含まれる。
正孔障壁層は、電子輸送層として機能する。いくつかの実施形態では、電子の輸送の間、正孔障壁層は正孔が電子輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、正孔障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。正孔障壁層に用いる材料は、電子輸送層について前述したのと同じ材料であってもよい。
電子障壁層は、正孔を輸送する。いくつかの実施形態では、正孔の輸送の間、電子障壁層は電子が正孔輸送層に至ることを阻止する。いくつかの実施形態では、電子障壁層は、発光層における電子と正孔との再結合の確率を高める。
励起子障壁層は、発光層における正孔と電子との再結合を通じて生じた励起子が電荷輸送層まで拡散することを阻止する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、発光層における励起子の有効な閉じ込め(confinement)を可能にする。いくつかの実施形態では、装置の光放射効率が向上する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、陽極の側と陰極の側のいずれかで、およびその両側の発光層に隣接する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陽極側に存在するとき、当該層は、正孔輸送層と発光層との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、励起子障壁層が陰極側に存在するとき、当該層は、発光層と陰極との間に存在し、当該発光層に隣接してもよい。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層または同様の層は、陽極と、陽極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、正孔注入層、電子障壁層、正孔障壁層または同様の層は、陰極と、陰極側の発光層に隣接する励起子障壁層との間に存在する。いくつかの実施形態では、励起子障壁層は、励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーを含み、その少なくとも1つが、それぞれ、発光材料の励起一重項エネルギーと励起三重項エネルギーより高い。
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は、正孔の注入または輸送特性および電子の障壁特性のうちの1つの特性を有する。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は有機材料である。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は無機材料である。本発明で使用できる公知の正孔輸送材料の例としては、限定されないが、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導剤、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導剤、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリルアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導剤、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリンコポリマーおよび導電性ポリマーオリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)、またはその組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料はポルフィリン化合物、芳香族三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物から選択される。いくつかの実施形態では、正孔輸送材料は芳香族三級アミン化合物である。
電子輸送層は、電子輸送材料を含む。いくつかの実施形態では、電子輸送層は単層である。いくつかの実施形態では、電子輸送層は複数の層を有する。
いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、陰極から注入された電子を発光層に輸送する機能さえあればよい。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はまた、正孔障壁材料としても機能する。本発明で使用できる電子輸送層の例としては、限定されないが、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、ジアジン誘導体、トリアジン誘導体、またはその組合せ、またはそのポリマーが挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はチアジアゾール誘導剤またはキノキサリン誘導体である。いくつかの実施形態では、電子輸送材料はポリマー材料である。
いくつかの実施形態では、ホスト材料は以下からなる群から選択される:
いくつかの実施形態では、本発明の化合物はデバイス中に組み込まれる。例えば、デバイスには、OLEDバルブ、OLEDランプ、テレビ用ディスプレイ、コンピューター用モニター、携帯電話およびタブレットが含まれるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を有するOLEDを含み、前記発光層はホスト材料と式(I)の化合物とを含む。
いくつかの実施形態では、OLEDの発光層は、式(I)の化合物が蛍光エミッタのために三重項を一重項に変換する蛍光材料を更に含む。
いくつかの実施形態では、本願明細書に記載の構成物は、OLEDまたは光電子デバイスなどの、様々な感光性または光活性化デバイスに組み込まれうる。いくつかの実施形態では、前記構成物はデバイス内の電荷移動またはエネルギー移動の促進に、および/または正孔輸送材料として有用でありうる。前記デバイスとしては、例えば有機発光ダイオード(OLED)、有機集積回線(OIC)、有機電界効果トランジスタ(O-FET)、有機薄膜トランジスタ(O-TFT)、有機発光トランジスタ(O-LET)、有機太陽電池(O-SC)、有機光学検出装置、有機光受容体、有機磁場クエンチ(field-quench)装置(O-FQD)、発光燃料電池(LEC)または有機レーザダイオード(O-レーザー)が挙げられる。
いくつかの実施形態では、電子デバイスは、陽極、陰極、当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を含むOLEDを含み、当該発光層は、ホスト材料と、発光材料である式(I)の化合物と、OLEDドライバ回路と、を含む。
いくつかの実施形態では、デバイスは色彩の異なるOLEDを含む。いくつかの実施形態では、デバイスはOLEDの組合せを含むアレイを含む。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、3色の組合せ(例えばRGB)である。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、赤色でも緑色でも青色でもない色(例えばオレンジ色および黄緑色)の組合せである。いくつかの実施形態では、OLEDの前記組合せは、2色、4色またはそれ以上の色の組合せである。
いくつかの実施形態では、デバイスは、
取り付け面を有する第1面とそれと反対の第2面とを有し、少なくとも1つの開口部を画定する回路基板と、
前記取り付け面上の少なくとも1つのOLEDであって、当該少なくとも1つのOLEDが、陽極、陰極、および当該陽極と当該陰極との間の発光層を含む少なくとも1つの有機層を含み、当該発光層がホスト材料と発光材料である式(I)の化合物とを含む、発光する構成を有する少なくとも1つのOLEDと、
回路基板用のハウジングと、
前記ハウジングの端部に配置された少なくとも1つのコネクターであって、前記ハウジングおよび前記コネクターが照明設備への取付けに適するパッケージを画定する、少なくとも1つのコネクターと、を備えるOLEDライトである。
いくつかの実施形態では、前記OLEDライトは、複数の方向に光が放射されるように回路基板に取り付けられた複数のOLEDを有する。いくつかの実施形態では、第1方向に発せられた一部の光は偏光されて第2方向に放射される。いくつかの実施形態では、反射器を用いて第1方向に発せられた光を偏光する。
いくつかの実施形態では、式(I)の化合物はスクリーンまたはディスプレイにおいて使用できる。いくつかの実施形態では、式(I)の化合物は、限定されないが真空蒸発、堆積、蒸着または化学蒸着(CVD)などの工程を用いて基材上へ堆積させる。いくつかの実施形態では、前記基材は、独特のアスペクト比のピクセルを提供する2面エッチングにおいて有用なフォトプレート構造である。前記スクリーン(またマスクとも呼ばれる)は、OLEDディスプレイの製造工程で用いられる。対応するアートワークパターンの設計により、垂直方向ではピクセルの間の非常に急な狭いタイバーの、並びに水平方向では大きな広範囲の斜角開口部の配置を可能にする。これにより、TFTバックプレーン上への化学蒸着を最適化しつつ、高解像度ディスプレイに必要とされるピクセルの微細なパターン構成が可能となる。
ピクセルの内部パターニングにより、水平および垂直方向での様々なアスペクト比の三次元ピクセル開口部を構成することが可能となる。更に、ピクセル領域中の画像化された「ストライプ」またはハーフトーン円の使用は、これらの特定のパターンをアンダーカットし基材から除くまで、特定の領域におけるエッチングが保護される。その時、全てのピクセル領域は同様のエッチング速度で処理されるが、その深さはハーフトーンパターンにより変化する。ハーフトーンパターンのサイズおよび間隔を変更することにより、ピクセル内での保護率が様々異なるエッチングが可能となり、急な垂直斜角を形成するのに必要な局在化された深いエッチングが可能となる。
蒸着マスク用の好ましい材料はインバーである。インバーは、製鉄所で長い薄型シート状に冷延された金属合金である。インバーは、ニッケルマスクとしてスピンマンドレル上へ電着することができない。蒸着用マスク内に開口領域を形成するための適切かつ低コストの方法は、湿式化学エッチングによる方法である。
いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、基材上のピクセルマトリックスである。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、リソグラフィー(例えばフォトリソグラフィーおよびeビームリソグラフィー)を使用して加工される。いくつかの実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、湿式化学エッチングを使用して加工される。更なる実施形態では、スクリーンまたはディスプレイパターンは、プラズマエッチングを使用して加工される。
OLEDディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース/ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、前記TFTに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
OLEDディスプレイは、一般的には、大型のマザーパネルを形成し、次に当該マザーパネルをセルパネル単位で切断することによって製造される。通常は、マザーパネル上の各セルパネルは、ベース基材上に、活性層とソース/ドレイン電極とを有する薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、前記TFTに平坦化フィルムを塗布し、ピクセル電極、発光層、対電極およびカプセル化層、を順に経時的に形成し、前記マザーパネルから切断することにより形成される。
本発明の他の態様では、有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイの製造方法を提供し、当該方法は、
マザーパネルのベース基材上に障壁層を形成する工程と、
前記障壁層上に、セルパネル単位で複数のディスプレイユニットを形成する工程と、
前記セルパネルのディスプレイユニットのそれぞれの上にカプセル化層を形成する工程と、
前記セルパネル間のインタフェース部に有機フィルムを塗布する工程と、を含む。
いくつかの実施形態では、障壁層は、例えばSiNxで形成された無機フィルムであり、障壁層の端部はポリイミドまたはアクリルで形成された有機フィルムで被覆される。いくつかの実施形態では、有機フィルムは、マザーパネルがセルパネル単位で軟らかく切断されるように補助する。
前記有機フィルムと平坦化フィルムの各々は、ポリイミドおよびアクリルのいずれか1つを含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記障壁層は無機フィルムであってもよい。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はポリイミドで形成されてもよい。前記方法は更に、ポリイミドで形成されたベース基材の1つの表面に障壁層を形成する前に、当該ベース基材のもう1つの表面にガラス材料で形成されたキャリア基材を取り付ける工程と、インタフェース部に沿った切断の前に、前記キャリア基材をベース基材から分離する工程と、を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記OLEDディスプレイはフレキシブルなディスプレイである。
いくつかの実施形態では、前記不動態化層は、TFT層の被覆のためにTFT層上に配置された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、不動態化層上に形成された有機フィルムである。いくつかの実施形態では、前記平坦化フィルムは、障壁層の端部に形成された有機フィルムと同様、ポリイミドまたはアクリルで形成される。いくつかの実施形態では、OLEDディスプレイの製造の際、前記平坦化フィルムおよび有機フィルムは同時に形成される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、障壁層の端部に形成されてもよく、それにより、当該有機フィルムの一部が直接ベース基材と接触し、当該有機フィルムの残りの部分が、障壁層の端部を囲みつつ、障壁層と接触する。
いくつかの実施形態では、前記発光層は、ピクセル電極と、対電極と、当該ピクセル電極と当該対電極との間に配置された有機発光層と、を有する。いくつかの実施形態では、前記ピクセル電極は、TFT層のソース/ドレイン電極に連結している。
いくつかの実施形態では、TFT層を通じてピクセル電極に電圧が印加されるとき、ピクセル電極と対電極との間に適切な電圧が形成され、それにより有機発光層が光を放射し、それにより画像が形成される。以下、TFT層と発光ユニットとを有する画像形成ユニットを、ディスプレイユニットと称する。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットを被覆し、外部の水分の浸透を防止するカプセル化層は、有機フィルムと無機フィルムとが交互に積層する薄膜状のカプセル化構造に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、前記カプセル化層は、複数の薄膜が積層した薄膜状カプセル化構造を有する。いくつかの実施形態では、インタフェース部に塗布される有機フィルムは、複数のディスプレイユニットの各々と間隔を置いて配置される。いくつかの実施形態では、前記有機フィルムは、一部の有機フィルムが直接ベース基材と接触し、有機フィルムの残りの部分が障壁層の端部を囲む一方で障壁層と接触する態様で形成される。
一実施形態では、OLEDディスプレイはフレキシブルであり、ポリイミドで形成された柔軟なベース基材を使用する。いくつかの実施形態では、前記ベース基材はガラス材料で形成されたキャリア基材上に形成され、次に当該キャリア基材が分離される。
いくつかの実施形態では、障壁層は、キャリア基材の反対側のベース基材の表面に形成される。一実施形態では、前記障壁層は、各セルパネルのサイズに従いパターン化される。例えば、ベース基材がマザーパネルの全ての表面上に形成される一方で、障壁層が各セルパネルのサイズに従い形成され、それにより、セルパネルの障壁層の間のインタフェース部に溝が形成される。各セルパネルは、前記溝に沿って切断できる。
いくつかの実施形態では、ディスプレイユニットは、発光ユニットの形成により形成され、カプセル化層は、ディスプレイユニットを被覆するためディスプレイユニット上に配置される。これにより、マザーパネルが完全に製造された後、ベース基材を担持するキャリア基材がベース基材から分離される。いくつかの実施形態では、レーザー光線がキャリア基材へ放射されると、キャリア基材は、キャリア基材とベース基材との間の熱膨張率の相違により、ベース基材から分離される。
いくつかの実施形態では、マザーパネルは、セルパネル単位で切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルは、カッターを用いてセルパネル間のインタフェース部に沿って切断される。いくつかの実施形態では、マザーパネルが沿って切断されるインタフェース部の溝が有機フィルムで被覆されているため、切断の間、当該有機フィルムが衝撃を吸収する。いくつかの実施形態では、切断の間、障壁層でひびが生じるのを防止できる。
いくつかの実施形態では、前記方法は製品の不良率を減少させ、その品質を安定させる。
他の態様は、ベース基材上に形成された障壁層と、障壁層上に形成されたディスプレイユニットと、ディスプレイユニット上に形成されたカプセル化層と、障壁層の端部に塗布された有機フィルムと、を有するOLEDディスプレイである。
本願明細書中で特に定義されない限り、本願で用いられる科学的および専門的用語は、当業者により一般的に理解されている意味を有する。全般的には、本願明細書に記載の化学物質に関する命名法および技術は、当該技術分野において周知であり、一般的に用いられている。
「アシル」という用語は、当該技術分野で公知であり、一般式ヒドロカルビルC(O)-、好ましくはアルキルC(O)-で表される基を指す。
「アシルアミノ」という用語は、当技術分野で公知であり、アシル基で置換されたアミノ基を指し、例えば、式ヒドロカルビルC(O)NH-で表すことができる。
「アシルオキシ」という用語は、当技術分野で公知であり、一般式ヒドロカルビルC(O)O-、好ましくはアルキルC(O)O-で表される基を指す。
「アルコキシ」という用語は、酸素原子が結合したアルキル基を指す。代表的なアルコキシ基として、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、tert-ブトキシ基などを挙げることができる。
「アルコキシアルキル」という用語は、アルコキシ基で置換されたアルキル基を指し、一般式アルキル-O-アルキルで表すことができる。
本発明で用いられる「アルケニル」という用語は、少なくとも1つの二重結合を含む脂肪族基を指し、「非置換アルケニル」および「置換アルケニル」が含まれるものとし、後者については、アルケニル基の一つ以上の炭素原子上の水素原子を置換する置換基を有するアルケニル部分を指す。典型的には、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基は、特に定義されない限り、1~約20、好ましくは1~約10の炭素原子数である。そのような置換基は、1つ以上の二重結合に含まれるか若しくは含まれない1つ以上の炭素原子に存在しうる。更に、そのような置換基には、安定性を損なわない限りにおいて、後述するように、アルキル基に含まれ得る全てのものが含まれる。例えば、1つ以上のアルキル基、カルボシクリル基、アリール基、ヘテロシクリル基またはヘテロアリール基によるアルケニル基の置換が含まれるものとする。
更に、明細書、実施例および特許請求の範囲全体を通じて用いられる「アルキル」という用語には、「非置換アルキル」および「置換されたアルキル」が含まれるものとし、後者については、炭化水素骨格中の1つ以上の置換可能な炭素原子上の水素を置換する置換基を有するアルキル部分を指す。そのような置換基としては、特定されない限り、例えばハロゲン(例えばフルオロ基)、ヒドロキシル基、カルボニル基(例えばカルボキシル、アルコキシカルボニル、ホルミルまたはアシル基)、チオカルボニル基(例えばチオエステル、チオアセテートまたはチオホルメート基)、アルコキシ基、ホスホリル基、ホスフェート基、ホスホネート基、ホスフィネート基、アミノ基、アミド基、アミジン基、イミン基、シアノ基、ニトロ基、アジド基、スルフヒドリル基、アルキルチオ基、スルフェート基、スルホネート基、スルファモイル基、スルホンアミド基、スルホニル基、ヘテロシクリル基、アラルキル基または芳香族若しくは複素環式芳香族部分を挙げることができる。好ましい実施形態では、置換アルキル基上の置換基は、C1-6アルキル基、C3-6シクロアルキル基、ハロゲン、カルボニル基、シアノ基またはヒドロキシ基から選択される。より好ましい実施形態では、置換アルキル基上の置換基は、フルオロ基、カルボニル基、シアノ基またはヒドロキシル基から選択される。炭化水素鎖上の置換された部分が、それ自身必要に応じて置換されうることは、当業者に理解されるとおりである。例えば、置換アルキルの置換基としては、置換されたおよび非置換のアミノ基、アジド基、イミノ基、アミド基、ホスホリル基(ホスホネート基およびホスフィネート基を含む)、スルホニル基(スルフェート基、スルホンアミド基、スルファモイル基およびスルホネート基を含む)およびシリル基、並びに、エーテル、アルキルチオ基、カルボニル基(ケトン基、アルデヒド基、カルボキシレート基およびエステルを含む)、-CF3、-CNなどを挙げることができる。典型的な置換アルキル基については後述する。シクロアルキル基は更に、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アミノアルキル基、カルボニル基で置換されたアルキル基、-CF3、-CNなどで更に置換されうる。
本発明で用いられる「アルキルアミノ」という用語は、少なくとも1つのアルキル基で置換されたアミノ基を指す。
本発明で用いられる「アルキルチオ」という用語は、アルキル基で置換されたチオール基を指し、一般式アルキルS-で表されうる。
本発明で用いられる「アリールチオ」という用語は、アルキル基で置換されたチオール基を指し、一般式アリールS-で表されうる。
本発明で用いられる「アルキニル」という用語は、少なくとも1つの三重結合を含んでいる脂肪族基を指し、「非置換アルキニル」および「置換されたアルキニル」が含まれるものとし、後者については、アルキニル基の1つ以上の炭素原子上の水素を置換する置換基を有するアルキニル部分を指す。典型的には、特に定義されない限り、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキニル基は、1~約20、好ましくは1~約10の炭素原子数である。そのような置換基は、1つ以上の三重結合に含まれるか若しくは含まれない1つ以上の炭素原子上に存在しうる。更に、そのような置換基には、安定性を損なわない限りにおいて、後述するように、アルキル基に含まれ得る全てのものが含まれる。例えば、1つ以上のアルキル基、カルボシクリル基、アリール基、ヘテロシクリル基またはヘテロアリール基によるアルキニル基の置換が含まれるものとする。
用語「アミン」および「アミノ」は、当技術分野で周知であり、非置換のおよび置換されたアミンおよびその塩を指し、例えば、
本発明で用いられる「アミノアルキル」という用語は、アミノ基で置換されたアルキル基を指す。
本発明で用いられる「アラルキル」という用語は、アリール基で置換されたアルキル基を指す。
「カルバメート」という用語は、当技術分野で公知であり、
「シクロアルキル」基は、完全に飽和した環状炭化水素である。「シクロアルキル」には、単環式および二環式の環が含まれる。好ましくは、シクロアルキル基は3~20の炭素原子数である。典型的には、単環式シクロアルキル基は、3~約10の炭素原子数、より典型的には、特に定義されない限り、3~8の炭素原子数である。二環式シクロアルキル基の第2の環は、飽和、不飽和および芳香族の環から選択されうる。シクロアルキル基には、1つ、2つまたは、3つ以上の原子が2つの環で共有された二環式分子が含まれる。「融合シクロアルキル」という用語は、環の各々が2つの隣接する原子を他の環と共有する二環式シクロアルキルを指す。融合二環式シクロアルキルの第2の環は、飽和、不飽和および芳香族の環から選択されうる。「シクロアルケニル」基は、1つ以上の二重結合を含む環状炭化水素である。
本発明で用いられる「カーボネート」という用語は、-OCO2-RA基を指し、式中、-RAはヒドロカルビル基を表す。
本発明で用いられる「カルボキシ」という用語は、式-CO2Hで表される基を指す。
本発明で用いられる「エステル」という用語は、-C(O)ORA基を指し、式中、RAはヒドロカルビル基を表す。
本発明で用いられる「エーテル」という用語は、ヒドロカルビル基が酸素原子を介してもう1つのヒドロカルビル基に連結した基を指す。したがって、ヒドロカルビル基のエーテル置換基は、ヒドロカルビル-O-でありうる。エーテルは対称型であっても非対称型であってもよい。エーテルの例としては、限定されないが、複素環-O-複素環およびアリール-O-複素環が挙げられる。エーテルには「アルコキシアルキル」基が含まれ、一般式アルキル-O-アルキルで表されうる。
本発明で用いられる用語「ハロ」および「ハロゲン」は、ハロゲン原子を意味し、塩素、フッ素、臭素およびヨウ素が含まれる。
本発明で用いられる用語「ヘタルアルキル(hetaralkyl)」および「ヘテロアラルキル」は、ヘタリール基で置換されたアルキル基を指す。
用語「ヘテロアリール」および「ヘタリール」には、置換若しくは非置換、好ましくは5~20員環、より好ましくは5~6員環の芳香族単環構造が含まれ、その環構造中には、少なくとも1個のヘテロ原子、好ましくは1~4個のヘテロ原子、より好ましくは1または2個のヘテロ原子が含まれる。用語「ヘテロアリール」および「ヘタリール」にはまた、2つ以上の炭素原子が2つの隣接する環に共有される2つ以上の環式環を有する多環系が含まれ、環のうちの少なくとも1つは複素環であり、他の環は、例えばシクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基および/またはヘテロシクリル基であってもよい。ヘテロアリール基としては、例えばピロール、フラン、チオフェン、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジンおよびピリミジンなどが挙げられる。
本発明で用いられる「ヘテロ原子」という用語は、炭素原子または水素原子以外のあらゆる元素の原子を意味する。好ましいヘテロ原子は、窒素、酸素および硫黄原子である。
用語「ヘテロシクリル」、「複素環」および「複素環式」は、置換若しくは非置換の、好ましくは3~20員環、より好ましくは3~7員環の非芳香環構造を指し、その環構造には、少なくとも1個のヘテロ原子、好ましくは1~4個のヘテロ原子、より好ましくは1または2個のヘテロ原子が含まれる。用語「ヘテロシクリル」および「複素環」にはまた、2つ以上の炭素原子が隣接する2つの環に共有された2つ以上の環式環を有する多環系が含まれ、環のうちの少なくとも1つは複素環式であり、他の環は、例えばシクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基および/またはヘテロシクリル基であってもよい。ヘテロシクリル基としては、例えばピペリジン、ピペラジン、ピロリジン、モルホリン、ラクトン、ラクタムなどが挙げられる。
本発明で用いられる「ヘテロシクリルアルキル」という用語は、複素環基で置換されたアルキル基を指す。
本発明で用いられる「ヒドロキシアルキル」という用語は、ヒドロキシ基で置換されたアルキル基を指す。
用語「低級」は、例えばアシル基、アシルオキシ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアルコキシ基などの化学部分に関連して用いられるとき、6以下の非水素原子が置換基中に存在する基のことを意味する。「低級アルキル基」は、例えば6以下の炭素原子数のアルキル基を指す。いくつかの実施形態では、アルキル基は炭素原子数1~6、炭素原子数1~4、または炭素原子数1~3である。特定の実施形態では、本発明で定義されるアシル、アシルオキシ、アルキル、アルケニル、アルキニルまたはアルコキシ置換基は、それらが単独でまたは他の置換基との組み合わせ(例えばヒドロキシアルキルおよびアラルキル基)で存在する場合(例えば、アルキル置換基の炭素原子数をカウントする場合にはアリール基内の原子はカウントしない)、それぞれ低級アシル、低級アシルオキシ、低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニルまたは低級アルコキシ基である。
用語「ポリ(メタフェニレンオキシド)」中、「フェニレン」という用語は、包括的には、6員のアリールまたは6員のヘテロアリール部分を指す。典型的なポリ(メタフェニレンオキシド)は、本発明の開示における第1~第20番目の態様として記載する。
「シリル」という用語は、3つのヒドロカルビル部分が結合したシリコン部分を指す。
「置換された」という用語は、主鎖中の1つ以上の炭素原子上の水素を置換する置換基を有する部分を指す。当然ながら、「置換」または「~で置換された」というときは、そのような置換が、置換される原子と置換基との価数に従うものであって、当該置換により化合物が安定化する(例えば、転移、環化、除去などの変化が自発的に生じない)ことを暗に含むものである。置換されてもよい部分には、本明細書に記載のあらゆる適切な置換基が含まれ、例えばアシル基、アシルアミノ基、アシルオキシ基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキル基、アルキルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキニル基、アミド基、アミノ基、アミノアルキル基、アラルキル基、カルバメート基、カルボシクリル基、シクロアルキル基、カルボシクリルアルキル基、カーボネート基、エステル基、エーテル基、ヘテロアラルキル基、ヘテロシクリル基、ヘテロシクリルアルキル基、ヒドロカルビル基、シリル基、スルホン基またはチオエーテル基が挙げられる。本明細書において、「置換された」という用語は、有機化合物に存在しうる全ての置換基が含まれるものとする。広義には、前記の存在しうる置換基には、非環式および環式の、分岐鎖状および非分岐鎖状の、炭素環式および複素環式の、芳香族および非芳香族の、有機化合物の置換基が含まれる。前記の存在し得る置換基は、適切な有機化合物に対して、1以上の、同じまたは異なるものでありうる。本発明の目的においては、窒素などのヘテロ原子は、水素置換基、および/または、本願明細書に記載の、当該ヘテロ原子の価数を満たす、有機化合物に存在しうるあらゆる置換基を有してもよい。置換基には、本願明細書に記載のあらゆる置換基が含まれ、例えばハロゲン、ヒドロキシル基、カルボニル基(例えばカルボキシル、アルコキシカルボニル、ホルミルまたはアシル基)、チオカルボニル基(例えばチオエステル、チオアセテートまたはチオホルメート基)、アルコキシ基、ホスホリル基、リン酸塩基、ホスホン酸塩基、ホスフィネート基、アミノ基、アミド基、アミジン基、イミン基、シアノ基、ニトロ基、アジド基、スルフヒドリル基、アルキルチオ基、スルフェート基、スルホネート基、スルファモイル基、スルホンアミド基、スルホニル基、ヘテロシクリル基、アラルキル基または芳香族若しくは複素環式芳香族部分が含まれる。好ましい実施形態では、置換されたアルキル基の置換基は、C1-6アルキル基、C3-6シクロアルキル基、ハロゲン、カルボニル基、シアノ基、ヒドロキシ基から選択される。より好ましい実施形態では、置換されたアルキル基の置換基は、フルオロ基、カルボニル基、シアノ基またはヒドロキシル基から選択される。当業者であれば、当該置換基はそれ自身適宜置換されうることを理解するであろう。「非置換の」として特に記載のない限り、本願明細書中の化学基部分に関する言及には、置換された修飾体が含まれるものとして理解される。例えば、「アリール」基または部分に関する言及には、置換されたおよび非置換の修飾体が暗に含まれる。
「スルホネート」という用語は、当技術分野で公知であり、SO3H基またはその薬学的に許容できる塩を指す。
「スルホン」という用語は、当技術分野で公知であり、-S(O)2-RA基を指し、式中、RAはヒドロカルビル基を表す。
本発明で用いられる「チオエーテル」という用語は、酸素が硫黄で置換されたエーテル等価体である。
本発明で用いられる「供与体」という用語は、有機発光ダイオードで使用でき、励起により、その最高被占分子軌道から電子を受容体に対して供給する性質を有する分子断片を指す。例示的実施形態では、供与体は-6.5eV以上のイオン化ポテンシャルを有する。
本発明で用いられる「受容体」という用語は、有機発光ダイオードで使用でき、励起した供与体から電子をその最低空軌道に受容する性質を有する分子断片を指す。例示的な実施形態では、受容体は-0.5eV以下の電子親和力を有する。
本発明で用いられる「ブリッジもしくは連結基」という用語は、受容体と供与体部分との間で共有結合する分子に含まれうる分子断片を指す。前記ブリッジは、例えば受容体部分、供与体部分またはその両方と更に共役しうる。特定の理論に拘束されないが、ブリッジ部分が受容体と供与体部分とを、特異的な立体配置的構成に制限でき、それにより、供与体と受容体部分とのπ共役系部分が生じるのを防止すると考えられる。適切なブリッジ部分の例としては、フェニル、エテニルおよびエチニル部分が挙げられる。
本発明で用いられる「多価」という用語は、分子断片が少なくとも2つの他の分子断片と結合することを指す。例えば、ブリッジ部分は多価である。
本願明細書で用いられる「~~~」は、2つの原子間の結合部位を指す。
「発光層」および同様の用語は、ホストとドーパントとからなる層を意味する。ホスト材料はバイポーラ性またはユニポーラ性であってもよく、それ単独または2以上のホスト材料の組合せで用いられてもよい。ホスト材料の視覚的-電気的特性は、いずれのタイプのドーパント(燐光または蛍光)が用いられるかにより異なりうる。蛍光ドーパントの場合、アシスト用のホスト材料は、ドーパントへの良好なフェルスター(Foerster)移動を誘導するために、ドーパントの吸収とホストの放出との良好なスペクトル重複部分を有するべきである。燐光ドーパントの場合、アシスト用のホスト材料は、ドーパントの三重項を閉じ込めるために、高い三重項エネルギーを有するべきである。
本発明の化合物において、特定のアイソトープとして特定されないいかなる原子も、当該原子のいかなる安定なアイソトープとして包含される。特に明記しない限り、「H」または「水素」として状態が特定されるとき、その状態は、その天然におけるアイソトープ組成の水素を有するものとして理解される。また、特に明記しない限り、状態が「D」または「重水素」として特定されるとき、その状態は、天然における重水素の量0.015%より少なくとも3340倍高い量の重水素を有する(すなわち、少なくとも重水素の含量が50.1%の)ものとして理解される。
本発明で用いられる「アイソトープ濃縮率」という用語は、アイソトープ量と天然における特定のアイソトープ量との比率を意味する。
「同位体置換体」という用語は、アイソトープ組成だけが本発明の具体的化合物と異なる種のことを指す。
本発明の化合物に言及する場合、「化合物」という用語は、同一の化学構造を有する分子の集まりを指すが、但し、分子の構成原子間にアイソトープ変動が存在する場合がある。ゆえに、当業者に自明であるように、所定の重水素原子を含有する特定の化学構造で表される化合物は、当該構造内の所定の重水素のうちの1つ以上の位置において水素原子を有する、同位体置換体を若干含むこともありうる。本発明の化合物におけるそのような同位体置換体の相対量は、化合物の調製に用いられる重水素化試薬のアイソトープ純度、および化合物を調製するための様々な合成ステップにおける重水素の取り込み効率などの多くの要因に依存する。しかしながら、前述のように、そのような同位体置換体の相対量は、全体で化合物の49.9%未満である。他の実施形態では、そのような同位体置換体の相対量は、全体で化合物の47.5%未満、40%未満、32.5%未満、25%未満、17.5%未満、10%未満、5%未満、3%未満、1%未満または0.5%未満である。
「D」および「d」はいずれも重水素を指す。
「重水素で置換された」とは、対応する重水素原子の数により1つ以上の水素原子が置換されたことを指す。
図2に示す真空蒸着装置を用いて、膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板上に真空蒸着法で有機層を積層した。まず、HAT-CNを10nmの厚みで形成し、その上にtris-PCzを15nmの厚みで形成し、さらにその上にmCBPを5nmの厚みで形成した。
化合物T1の粉末96mgと化合物F88の粉末4mgをメノー乳鉢で約10分間混練し、混合物100mgを図2に示す真空蒸着装置のルツボ内に入れた。また、真空蒸着装置内の別のルツボ(図示せず)にmCBPを入れた。この状態で、化合物T1と化合物F88の混合物を0.15Å/s、mCBPを0.45Å/sで共蒸着し、30nmの厚みの発光層を形成した。
さらにその上に、mTRZ1DPBFを10nmの厚みで形成し、さらにその上にmTRZ1DPBFとLiq(重量比7:3)を40nmの厚みで形成した。さらにその上にLiqを2nmの厚みで形成し、次いでアルミニウム(Al)を100nmの厚みで蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
蒸着材料に用いる第1化合物(式(1)を満たす材料)および第2化合物(式(2)を満たす蛍光材料)を表2に示す化合物の粉末に変更して、実施例1と同様にして共蒸着を行い、膜を形成する。
熱重量示差熱分析(TG-DTA)装置(Bruker社製、TG-DTA2400SA)を用いて、化合物T9(4CzIPN-Me)と化合物T10(4CzTPN)をそれぞれ5mg秤量し、真空下1Paにおいて昇温速度毎分10℃で熱重量分析を行った。この時の温度Tと化合物T9の重量減少率Wの変化を図3に示し、温度Tと化合物T10の重量減少率Wの変化を図4に示す。図3および図4から、化合物T9と化合物T10の各重量が-50%まで減少した温度(TWT)と化合物T9と化合物T10のdW/dTが同じになる温度(TGR)は、いずれも351℃であることが確認された。
化合物T9の粉末と化合物T10の粉末を重量比が95:5となるようにメノー乳鉢に入れ、約10分間混練した。混合物100mgを図2に示す真空蒸着装置のルツボ内に入れた。この状態で、351℃まで昇温し、基板上に膜を形成させた。形成された膜は、化合物T9と化合物T10の重量比が95:5である。
T8のトルエン溶液とT10のトルエン溶液を用いて、前述の測定法にしたがってES1を測定したところ、T8は2.71eV、T10は2.48eVであった。
図2に示す真空蒸着装置を用いて、膜厚100nmのインジウム・スズ酸化物(ITO)からなる陽極が形成されたガラス基板上に真空蒸着法で有機層を積層した。まず、HAT-CNを10nmの厚みで形成し、その上にtris-PCzを25nmの厚みで形成し、さらにその上にmCBPを5nmの厚みで形成した。
化合物T8の粉末183mgと化合物T10の粉末18.8mgをメノー乳鉢で約10分間混練し、混合物100mgを図2に示す真空蒸着装置のルツボ内に入れた。また、真空蒸着装置内の別のルツボ(図示せず)にmCBPを入れた。この状態で、mCBPと混合物の重量比が45:55となるよう共蒸着し、30nmの厚みの発光層を形成した。このとき化合物T8と化合物T10の混合物の蒸着速度は0.28Å/sであった。
さらにその上に、SF3TRZを10nmの厚みで形成し、さらにその上にSF3TRZとLiq(重量比7:3)を40nmの厚みで形成した。さらにその上にLiqを2nmの厚みで形成し、次いでアルミニウム(Al)を100nmの厚みで蒸着することにより陰極を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子とした。
以上の工程による有機エレクトロルミネッセンス素子作成終了後、真空蒸着装置のルツボ内へ材料の追加充填を行わず、上記と同じ有機エレクトロルミネッセンス素子をさらに2回繰り返して作製した。
発光層を形成する際、混合物の蒸着速度を2.80Å/sに変えたこと以外は実施例23と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
発光層を形成する際、さらに化合物F71を真空蒸着装置内の別のルツボに入れ、mCBP、化合物T8と化合物T10の混合物、化合物F71を共蒸着したこと以外は、実施例23と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。このときmCBP:混合物:化合物F71(重量比)は44.5:55:0.5とした。
発光層を形成する際、mCBP:混合物:化合物F71(重量比)を84.5:15:0.5として共蒸着したこと以外は、実施例25と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
以上の工程による有機エレクトロルミネッセンス素子作成終了後、真空蒸着装置のルツボ内へ材料の追加充填を行わず、上記と同じ有機エレクトロルミネッセンス素子をさらに1回繰り返して作製した。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
10 基材
100 チャンバー
101 蒸着源
101a 蒸着材料
101b ルツボ
102 基板保持部
Claims (13)
- 下記式(1)を満たす第1化合物と下記式(2)を満たす第2化合物をともに含む蒸着源から共蒸着することにより、前記第1化合物と前記第2化合物を含む膜を形成する工程を有し、前記第1化合物が下記一般式(1b)で表される化合物(ただし、R1~R5の1~4つはシアノ基である)であり、前記第2化合物が下記一般式(1b)で表される化合物である、膜の製造方法であって、
前記第1化合物と前記第2化合物のそれぞれについて、一定の昇温速度下で熱重量分析を行うことにより、温度Tと重量減少率Wの関係を明らかにし、前記第1化合物と前記第2化合物のdW/dTが同じになる温度T GR を特定しておき、
前記第1化合物と前記第2化合物の混合物をともに含む蒸着源から温度T GR で共蒸着することにより、前記第1化合物と前記第2化合物を含む膜を形成する、膜の製造方法。
ΔEST(1) ≦ 0.3eV 式(1)
ES1(1) > ES1(2) 式(2)
(上式において、ΔEST(1)は、前記第1化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(1)と前記第1化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(1)の差である。ES1(2)は前記第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位である。)
- 前記第2化合物が下記式(3)を満たす、請求項1に記載の膜の製造方法。
ΔEST(2) ≦ 0.3eV 式(3)
(上式において、ΔEST(2)は、前記第2化合物の最低励起一重項エネルギー準位ES1(2)と前記第2化合物の最低励起三重項エネルギー準位ET1(2)の差である。 - 前記第1化合物が遅延蛍光を放射する、請求項1または2に記載の膜の製造方法。
- 前記第2化合物が蛍光を放射する、請求項1に記載の膜の製造方法。
- 前記第2化合物が遅延蛍光を放射する、請求項1~3のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記膜に、前記第1化合物が前記第2化合物よりも多く含まれている、請求項1~5のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記膜における前記第1化合物の含有率が20重量%以上である、請求項1~6のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記膜における前記第2化合物の含有率が10重量%未満である、請求項1~7のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記蒸着源がさらにホスト材料を含み、前記膜がさらに前記ホスト材料を含む、請求項1~8のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記膜における前記第1化合物の含有率が20~50重量%であり、前記第2化合物の含有率が0.1~5重量%である、請求項9に記載の膜の製造方法。
- 前記第1化合物が、前記式(1)を満たす単一の化合物からなる、請求項1~10のいずれか1項に記載の膜の製造方法。
- 前記第2化合物がテレフタロニトリル骨格を含む、請求項11に記載の膜の製造方法。
- 請求項1~12のいずれか1項に記載の製造方法により層を形成する工程を有する、有機半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018224556 | 2018-11-30 | ||
JP2018224556 | 2018-11-30 | ||
PCT/JP2019/046923 WO2020111277A1 (ja) | 2018-11-30 | 2019-11-29 | 膜の製造方法、有機半導体素子の製造方法および有機半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020111277A1 JPWO2020111277A1 (ja) | 2021-10-14 |
JP7393799B2 true JP7393799B2 (ja) | 2023-12-07 |
Family
ID=70853317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020557887A Active JP7393799B2 (ja) | 2018-11-30 | 2019-11-29 | 膜の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7393799B2 (ja) |
KR (1) | KR20210095933A (ja) |
CN (1) | CN113170549B (ja) |
WO (1) | WO2020111277A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020022378A1 (ja) | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
CN113614202A (zh) | 2019-03-25 | 2021-11-05 | 日铁化学材料株式会社 | 有机电场发光元件用熔融混合物、及有机电场发光元件 |
WO2022009790A1 (ja) * | 2020-07-06 | 2022-01-13 | 株式会社Kyulux | 有機発光素子 |
CN116830828A (zh) * | 2021-02-04 | 2023-09-29 | 九州有机光材股份有限公司 | 有机电致发光元件、发光组合物的设计方法及程序 |
KR20240048513A (ko) * | 2021-08-13 | 2024-04-15 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 조성물, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 및 전자 기기 |
WO2023063163A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用の混合粉体及びその製造方法、当該混合粉体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、当該混合粉体における化合物の選択方法、及び真空蒸着用の組成物 |
EP4223853A1 (en) * | 2022-02-04 | 2023-08-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent devices |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014182898A (ja) | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
WO2014157619A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2015179817A (ja) | 2013-08-14 | 2015-10-08 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2016019002A (ja) | 2014-07-09 | 2016-02-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス |
WO2016042997A1 (ja) | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 新日鉄住金化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2016076700A (ja) | 2014-10-06 | 2016-05-12 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス |
US20160149139A1 (en) | 2014-11-25 | 2016-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
WO2017146191A1 (ja) | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 |
JP2018501660A (ja) | 2014-12-31 | 2018-01-18 | 北京維信諾科技有限公司 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2018133836A1 (zh) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN108666433A (zh) | 2018-05-16 | 2018-10-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 有机电致发光装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6482782B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2019-03-13 | 国立大学法人九州大学 | 有機発光素子 |
EP3291319B1 (en) * | 2016-08-30 | 2019-01-23 | Novaled GmbH | Method for preparing an organic semiconductor layer |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201980076806.XA patent/CN113170549B/zh active Active
- 2019-11-29 JP JP2020557887A patent/JP7393799B2/ja active Active
- 2019-11-29 KR KR1020217020178A patent/KR20210095933A/ko unknown
- 2019-11-29 WO PCT/JP2019/046923 patent/WO2020111277A1/ja active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014182898A (ja) | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
WO2014157619A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2015179817A (ja) | 2013-08-14 | 2015-10-08 | 国立大学法人九州大学 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2016019002A (ja) | 2014-07-09 | 2016-02-01 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス |
WO2016042997A1 (ja) | 2014-09-17 | 2016-03-24 | 新日鉄住金化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2016076700A (ja) | 2014-10-06 | 2016-05-12 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機エレクトロルミネッセンス材料及びデバイス |
US20160149139A1 (en) | 2014-11-25 | 2016-05-26 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
JP2018501660A (ja) | 2014-12-31 | 2018-01-18 | 北京維信諾科技有限公司 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
WO2017146191A1 (ja) | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 |
WO2018133836A1 (zh) | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN108666433A (zh) | 2018-05-16 | 2018-10-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 有机电致发光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020111277A1 (ja) | 2021-10-14 |
KR20210095933A (ko) | 2021-08-03 |
CN113170549A (zh) | 2021-07-23 |
CN113170549B (zh) | 2024-02-23 |
WO2020111277A1 (ja) | 2020-06-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7393799B2 (ja) | 膜の製造方法 | |
JP7226806B2 (ja) | 有機発光ダイオードに用いられる組成物 | |
JP7412773B2 (ja) | 有機発光ダイオードに使用される組成物 | |
WO2018237385A1 (en) | MATERIAL COMPOSITION FOR USE IN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE | |
WO2021157593A1 (ja) | 組成物、膜、有機発光素子、発光組成物を提供する方法およびプログラム | |
JP7144065B2 (ja) | 有機発光ダイオードに用いられる組成物 | |
KR102571882B1 (ko) | 유기 발광 다이오드에 이용되는 조성물 | |
JP7152805B1 (ja) | 化合物、組成物、ホスト材料、電子障壁材料および有機発光素子 | |
JP7153363B2 (ja) | 有機発光ダイオードに用いられる組成物 | |
JP7408125B2 (ja) | 電荷輸送材料および有機発光素子 | |
WO2022230574A1 (ja) | 電荷輸送材料、組成物および有機発光素子 | |
WO2023276918A1 (ja) | 化合物、電子障壁材料、有機半導体素子および化合物 | |
WO2022254965A1 (ja) | 化合物、発光材料および発光素子 | |
WO2021141046A1 (ja) | 発光材料、遅延蛍光体、有機発光ダイオード、スクリーン、ディスプレイおよびディスプレイ作製方法 | |
WO2021187507A1 (ja) | 化合物、発光材料および有機発光デバイス | |
JP2023032402A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023046437A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2022168813A (ja) | 電荷輸送材料、組成物および有機発光素子 | |
JP2023002881A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023069652A (ja) | 化合物、組成物、ホスト材料および有機発光素子 | |
JP2023002880A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023002879A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023036162A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023056802A (ja) | 化合物、発光材料および有機発光素子 | |
JP2023159034A (ja) | 化合物、ホスト材料、組成物および有機発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7393799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |