JP7389907B2 - 太陽電池用整合メタライゼーション - Google Patents
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Description
例示的な実施形態1:太陽電池は、半導体基板の上の半導体層を含む。第1の複数の個別の開口部は半導体層内にあり、半導体基板の対応する個別の部分を露出させる。複数のドープ領域が、半導体基板内にあり、第1の複数の個別の開口部に対応する。絶縁層は、半導体層の上にあり、かつ第1の複数の個別の開口部内にある。
第2の複数の個別の開口部は、絶縁層内にあり、複数のドープ領域の対応する部分を露出させる。第2の複数の個別の開口部の各1つが、第1の複数の個別の開口部のうちの対応するものの周縁内に完全にある。複数の導電性接点は、第2の複数の個別の開口部内および複数のドープ領域上にある。
例示的な実施形態2:第1の複数の個別の開口部の各々が略円形であり、第2の複数の個別の開口部の各々が略円形である、例示的な実施形態1に記載の太陽電池。
例示的な実施形態3:第2の複数の個別の開口部の1つ以上が、第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内の中心にある、例示的な実施形態1または2に記載の太陽電池。
例示的な実施形態4:第2の複数の個別の開口部の1つ以上が、第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内で中心から外れている、例示的な実施形態1、2または3に記載の太陽電池。
例示的な実施形態5:太陽電池が、絶縁層内の第3の複数の個別の開口部であって、半導体層の対応する個別の部分を露出させる、第3の複数の個別の開口部と、第3の複数の個別の開口部内および半導体層の対応する個別の部分上の第2の複数の導電性接点と、をさらに備える、例示的な実施形態1、2、3、または4に記載の太陽電池。
例示的な実施形態6:複数の導電性接点が、第1の一方向性列の導電性接点であり、第2の複数の導電性接点が、第1の一方向性列の導電性接点と平行な第2の一方向性列の導電性接点である、例示的な実施形態5に記載の太陽電池。
例示的な実施形態7:半導体層が、基板上の薄型誘電体層上にあり、第1の複数の個別の開口部が、薄型誘電体層内にさらにある、例示的な実施形態1、2、3、4、5または6に記載の太陽電池。
例示的な実施形態8:絶縁層がドーピングソース層であり、太陽電池が、半導体層とドーピングソース層との間の第2の絶縁層をさらに備え、第1の複数の個別の開口部が、第2の絶縁層内にさらにある、例示的な実施形態1、2、3、4、5、6または7に記載の太陽電池。
例示的な実施形態9:ドーピングソース層の上に反射防止コーティング層をさらに備え、第2の複数の個別の開口部が、反射防止コーティング層内にさらにある、例示的な実施形態8に記載の太陽電池。
例示的な実施形態10:半導体層が、第1の導電型を有し、複数のドープ領域が、第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する、例示的な実施形態1、2、3、4、5、6、7、8または9に記載の太陽電池。
例示的な実施形態11:太陽電池を作製する本方法は、基板の上方の半導体層内に第1の複数の個別の開口部を形成することを含む。本方法はまた、第1の複数の個別の開口部内に絶縁層を形成することを含む。本方法はまた、レーザアブレーションプロセスを使用して絶縁層内に第2の複数の個別の開口部を形成することを含む。第2の複数の個別の開口部の各1つが、第1の複数の個別の開口部のうちの対応するものの周縁内に完全にある。
例示的な実施形態12:第1の複数の個別の開口部を形成することが、レーザアブレーションプロセスを使用することを含む、例示的な実施形態11に記載の方法。
例示的な実施形態13:第1の複数の個別の開口部を形成することが、スクリーン印刷エッチングプロセスを使用することを含む、例示的な実施形態11に記載の方法。
例示的な実施形態14:第2の複数の個別の開口部を形成することが、第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内の中心にある第2の複数の個別の開口部の1つ以上を形成することを含む、例示的な実施形態11、12、または13に記載の方法。
例示的な実施形態15:太陽電池を作製する本方法は、半導体基板の上に半導体層を形成することを含む。本方法はまた、半導体層の上に絶縁層を形成することを含む。本方法はまた、絶縁層および半導体層内に第1の複数の個別の開口部を形成することを含み、第1の複数の個別の開口部は、半導体基板の対応する個別の部分を露出させる。本方法はまた、絶縁層の上および第1の複数の個別の開口部内にドーピングソース層を形成することを含む。本方法はまた、第1の複数の個別の開口部に対応する複数のドープ領域を半導体基板内に形成することを含み、複数のドープ領域はドーピングソース層から形成される。本方法はまた、レーザアブレーションプロセスを使用して、ドーピングソース層内の第2の複数の個別の開口部を形成することを含み、第2の複数の個別の開口部の各1つは、第1の複数の個別の開口部のうちの対応するものの周縁内に完全にある。本方法はまた、第2の複数の個別の開口部内および複数のドープ領域上に複数の導電性接点を形成することを含む。
例示的な実施形態16:第1の複数の個別の開口部を形成することが、レーザアブレーションプロセスを使用することを含む、例示的な実施形態15に記載の方法。
例示的な実施形態17:第1の複数の個別の開口部を形成することが、スクリーン印刷エッチングプロセスを使用することを含む、例示的な実施形態15に記載の方法。
例示的な実施形態18:ドーピングソース層内および絶縁層内に第3の複数の個別の開口部を形成することであって、半導体層の対応する個別の部分を露出させる、形成することと、第3の複数の個別の開口部内および半導体層の対応する個別の部分上で第2の複数の導電性接点を形成することと、をさらに含む、例示的な実施形態15、16または17に記載の方法。
例示的な実施形態19:第2の複数の個別の開口部を形成することが、第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内の中心にある第2の複数の個別の開口部の1つ以上を形成することを含む、例示的な実施形態15、16、17、または18に記載の方法。
例示的な実施形態20:第2の複数の個別の開口部を形成することが、第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内で中心から外れている第2の複数の個別の開口部の1つ以上を形成することを含む、例示的な実施形態15、16、17、18、または19に記載の方法。
Claims (15)
- 太陽電池であって、
半導体基板の上の半導体層と、
前記半導体層内の第1の複数の個別の開口部であって、前記半導体基板の対応する個別の部分を露出させる、第1の複数の個別の開口部と、
前記第1の複数の個別の開口部に対応する前記半導体基板内の複数のドープ領域と、
前記半導体層の上、および前記第1の複数の個別の開口部内の絶縁層と、
前記複数のドープ領域の対応する部分を露出させる前記絶縁層内の第2の複数の個別の開口部であって、前記第2の複数の個別の開口部のうちの各1つが、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応するものの周縁内に完全にある、第2の複数の個別の開口部と、
前記第2の複数の個別の開口部内および前記複数のドープ領域上の複数の導電性接点とを備え、
前記絶縁層がドーピングソース層であり、
前記太陽電池が、前記半導体層と前記ドーピングソース層との間の第2の絶縁層をさらに備え、
前記第1の複数の個別の開口部が、前記第2の絶縁層内にさらにある、太陽電池。 - 前記第1の複数の個別の開口部の各々が略円形であり、前記第2の複数の個別の開口部の各々が略円形である、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第2の複数の個別の開口部の1つ以上が、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内の中心にある、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第2の複数の個別の開口部の1つ以上が、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内で中心から外れている、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記絶縁層内の第3の複数の個別の開口部であって、前記半導体層の対応する個別の部分を露出させる、第3の複数の個別の開口部と、
前記第3の複数の個別の開口部内および前記半導体層の前記対応する個別の部分上の第2の複数の導電性接点と、をさらに備える、請求項1に記載の太陽電池。 - 前記複数の導電性接点が、第1の一方向性列の導電性接点であり、前記第2の複数の導電性接点が、前記第1の一方向性列の導電性接点と平行な第2の一方向性列の導電性接点である、請求項5に記載の太陽電池。
- 前記半導体層が、前記基板上の薄型誘電体層上にあり、前記第1の複数の個別の開口部が、前記薄型誘電体層内にさらにある、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記ドーピングソース層の上に反射防止コーティング層をさらに備え、前記第2の複数の個別の開口部が、前記反射防止コーティング層内にさらにある、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記半導体層が、第1の導電型を有し、前記複数のドープ領域が、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する、請求項1に記載の太陽電池。
- 請求項1に記載された太陽電池を作製する方法であって、
半導体基板の上に半導体層を形成することと、
前記半導体層の上に第2の絶縁層を形成することと、
前記第2の絶縁層内および前記半導体層内に第1の複数の個別の開口部を形成することであって、前記第1の複数の個別の開口部が、前記半導体基板の対応する個別の部分を露出させる、形成することと、
前記第2の絶縁層の上および前記第1の複数の個別の開口部内にドーピングソース層を形成することと、
前記第1の複数の個別の開口部に対応する複数のドープ領域を前記半導体基板に形成することであって、前記複数のドープ領域が前記ドーピングソース層から形成される、形成することと、
レーザアブレーションプロセスを使用して、前記ドーピングソース層内の第2の複数の個別の開口部を形成することであって、前記第2の複数の個別の開口部の各1つが、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応するものの周縁内に完全にある、形成することと、
前記第2の複数の個別の開口部内および前記複数のドープ領域上の複数の導電性接点を形成すること、を含む、方法。 - 前記第1の複数の個別の開口部を形成することが、レーザアブレーションプロセスを使用することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1の複数の個別の開口部を形成することが、スクリーン印刷エッチングプロセスを使用することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ドーピングソース内層および前記絶縁層内に第3の複数の個別の開口部を形成することであって、前記半導体層の対応する個別の部分を露出させる、形成することと、
前記第3の複数の個別の開口部内および前記半導体層の前記対応する個別の部分上で第2の複数の導電性接点を形成することと、をさらに含む、請求項10に記載の方法。 - 前記第2の複数の個別の開口部を形成することが、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内の中心にある前記第2の複数の個別の開口部の1つ以上を形成することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第2の複数の個別の開口部を形成することが、前記第1の複数の個別の開口部のうちの対応する1つ以上のものの周縁内で中心から外れた前記第2の複数の個別の開口部の1つ以上を形成することを含む、請求項10に記載の方法。
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