TWI715558B - 太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種太陽能電池，其包含：設置在基板中或基板上的半導體區域。受損緩衝器可設置在半導體區域上。第一導電層和第二導電層可在受損緩衝器上的位置結合在一起。

Description

太陽能電池及其製造方法
本發明係關於一種太陽能電池，特別是關於一種具有太陽能電池金屬化之受損緩衝器的太陽能電池。
光伏打電池，也稱為太陽能電池，是用於將太陽能輻射直接轉換為電能的裝置。一般來說，太陽能電池利用半導體製程技術於半導體晶圓或基板上製造，以形成靠近基板表面的p-n接面。撞擊在基板表面上並進入基板之太陽能輻射在塊狀(bulk)基板中產生電子及電洞對。電子及電洞對移動至在基板中之p-摻雜區域及n-摻雜區域，從而於摻雜區域之間產生電壓差。摻雜區域連接至太陽能電池上之導電區域以自電池引導電流至外部電路。
一種太陽能電池，其包含：基板；設置在基板中或基板上的半導體區域；設置在半導體區域上的第一受損緩衝器；設置在第一受損緩衝器上的第一導電層；以及設置在第一導電層上的第二導電層，其中第一導電層和第二導電層在第一受損緩衝器上的第一位置結合在一起。
一種製造太陽能電池的方法，其包含：形成第一受損緩衝器於設置在基板中或基板上的半導體區域上；形成第一導電層於第一受損緩衝器上或 於半導體區域上；形成第二導電層於第一導電層上；以及在第一受損緩衝器上的第一位置結合第二導電層與第一導電層。
一種太陽能電池，其包含：基板；設置在基板中或基板上的交替的N型半導體區域和P型半導體區域；對準於交替的N型半導體區域和P型半導體區域中的各一的複數個結合受損緩衝器；設置在複數個結合受損緩衝器上的導電層；以及設置在導電層上的導電箔，其中導電層和導電箔係在複數個結合受損緩衝器上的位置結合在一起。
100:太陽能電池結構
101:太陽電池基板
103、111:受損緩衝器
104:導電層
105、105A:導電箔
106:焊接接點
107:切斷
108、109:金屬指
902、904、906、908:步驟
N:N型摻雜區域
P:P型摻雜區域
當搭配下列圖式考量時，可藉由參照實施方式及申請專利範圍而推導出專利標的之更完整理解，其中在整份圖式中相同參考符號指代類似的元件。附圖並未以比例繪製。
第1圖至第7圖是根據本揭露的實施例示意性地描繪太陽能電池之製造方法的截面圖。
第8圖是根據各種實施例的太陽能電池的截面圖。
第9圖是根據本揭露的實施例的太陽能電池之製造方法的流程圖。
第10圖和第11圖是根據本揭露的實施例示意性地描繪在模組層級(module level)的金屬箔的圖樣化之截面圖。
以下詳細描述在本質上僅為說明性且不意於限制本申請標的或本申請之實施例或此種實施例之使用。如文中所使用的，詞彙「例示性」意味著「作為一個範例、例子或說明」。任何文中所述為例示性之實施例不必然被詮釋為對其他實施例而言是較佳的或具優勢的。另外，不意圖受呈現於前述之技術領域(technical field)、先前技術(background)、發明內容(brief summary)或下列實施方式(following detailed description)中任何表述或隱喻之理論所限制。
本說明書包含參照「一個實施例(one embodiment)」或「一實施例(an embodiment)」。「於一個實施例中」或「於一實施例中(in an embodiment)」之語句的出現不必然表示相同實施例。具體特徵、結構或特性可以與本揭露相符的任何適合方式結合。
用語，以下段落提供在本揭露(包含所附之申請專利範圍)中可發現之用語的定義及/或內容：「包含(Comprising)」，此用語為開放式的。當用於所附之申請專利範圍時，此用語不排除其他結構或步驟。
「配置以(Configured to)」，各種單元或組件可描述或主張為「配置以」執行一或多個工作。在此種內文中，使用「配置以」以藉由指出單元/組件包含在操作期間執行那些一或多個工作的結構而暗示結構。因此，即使當特定單元/組件不是目前正在運作(例如，不啟動/活動)，單元/組件也可說是被配置以進行工作。描述單元/電路/組件被「配置以」執行一或多個工作是明確地旨在不援引35 U.S.C §112第6段對於所述單元/組件。
「第一(First)」、「第二(Second)」等，如在本文中使用，此類用語係用作為其所前綴之名詞的標記，而不意味著任何種類的排序(例如，空間、 時間、邏輯等)。舉例來說，參照導電箔之「第一」部分不必然意味著此部分在順序上為第一個部分；相反地，用語「第一」係用以區分另一部分(例如，「第二」部分)與此部分。
「基於(Based On)」，如在本文中使用，此用語係用以描述影響決定的一或多個因素。此用語並不排除可能影響判斷的其他因素。也就是說，判斷可僅基於此些因素，或至少部分地基於此些因素。考慮慣用語「基於B判斷A(determine A based on B)」，雖然B可被認為係影響A的判斷的因素，然而此種慣用語不排除也來自基於C的A之判斷。在其他例子中，A可僅基於B判斷。
「耦接(Coupled)」，以下描述表示元件或節點或特徵被「耦接」在一起。如在本文中使用，除非另有明確地指出，否則「耦接」表示一元件/節點/特徵係直接地或間接地連接至(或直接地或間接地連通於)另一元件/節點/特徵，而不必然為機械上的。
「抑制(Inhibit)」，如本文所使用的，抑制用於描述減少或最小化的影響。當組件或特徵被描述為抑制動作、運動或狀況時，其可完全地避免完全的結果或成果或未來狀態。另外，「抑制」也可表示其他可能發生的成果、性能及/或效果的減少或減輕。因此，當組件、元件或特徵被表示為抑制結果或狀態時，其不需完全地防止或消除該結果或狀態。
此外，一些用語也可僅為了參照之目的而被用在以下描述中，且因此不旨在為限制。舉例來說，用語諸如「上部(upper)」、「下部(lower)」、「以上(above)」、以及「以下(below)」表示所參照的圖式中的方向。用語諸如「前(front)」、「後(back)」、「後方(rear)」、「側邊(side)」、「外側(outboard)」及「內側(inboard)」藉由參照在討論時描述組件之內文及相關圖式，而明確描 述在一致但任意參考框架中的組件之部分的方向及/或位置。此類用語可包含於上方具體提到的字眼、其衍生字以及類似意味的字眼。
雖然本文描述的許多示例是背接觸式太陽能電池，但技術和結構也同樣適用於其他(例如，前接觸式)的太陽能電池。此外，雖然本揭露大多為了便於理解而以太陽能電池來描述，但所揭露的技術和結構同樣適用於其他半導體結構(例如，一般矽晶圓)。
在本文中描述太陽能電池和形成太陽能電池的方法。在下文的描述中，描述數種例如特定製程流程操作之特定細節，以提供本揭露之實施例之完全的了解。對所屬技術領域中具有通常知識者而言將顯而易見的是，本揭露之實施例可不需要這些特定細節來實行。在其他例子中，為了避免不必要地模糊本揭露之實施例，例如，光刻技術之眾所周知之製造技術並未被詳細描述。此外，將被理解的是圖中所示的各種實施例係為例示性表示而不需按比例繪製。
現參照第1圖至第7圖，其根據本揭露的實施例示意性地描繪太陽能電池之製造方法的截面圖。在第1圖至第7圖中的例示太陽能電池是其中有N型摻雜區域和P型摻雜區域的全背式接觸太陽電池，以及耦合到N型摻雜區域和P型摻雜區域之金屬指(metal finger)位於與典型安裝光接收側的前側相反的太陽能電池的背側上。
首先，參考第1圖，根據本揭露的實施例描繪太陽能電池結構100。在第1圖的例子中，太陽能電池結構100包含半導體區域，例如，可形成在太陽能電池基板101上或外接於太陽能電池基板101的交替的N型摻雜區域和P型摻雜區域。例如，N型摻雜區域和P型摻雜區域可分別藉由在太陽能電池基板101中擴散N型摻質和P型摻質來形成。在另一示例中，N型摻雜區域和P型摻雜區域 是由例如多晶矽的材料形成在單獨層中，亦即形成於太陽能電池基板101之上。在該示例中，N型摻質和P型摻質擴散到多晶矽，以於多晶中矽中形成N型摻雜區域和P型摻雜區域(其可具有或可不具有分隔N型摻雜區域和P型摻雜區域的溝槽)，以替代形成於太陽能電池基板101中。例如，太陽能電池基板101可包含單晶矽晶圓(例如，n型摻雜單晶矽基板)。雖未示出，但例如穿隧氧化物的介電質可設置在基板上和多晶矽之下。
在第1圖的例子中，標示「N」和「P」示意性地表示在N型摻雜區域和P型摻雜區域、或電性連接到N型摻雜區域和P型摻雜區域。更具體地，標示「N」示意性地表示露出的N型摻雜區域，或露出的金屬連接至N型摻雜區域。相似地，標示「P」示意性地表示露出的P型摻雜區域，或露出的金屬連接至P型摻雜區域。因此，太陽能電池結構100可表示在形成對於N型摻雜區域和P型摻雜區域的接觸孔之後，但在用於形成對於N型摻雜區域和P型摻雜區域的金屬接觸指的金屬化製程之前所製造之太陽能電池的結構。例如，接觸孔可形成於設置在矽基板上的介電質層(例如，二氧化矽)中，使得金屬化可透過接觸孔達到摻雜區域。
在第1圖的例子中，N型摻雜區域和P型摻雜區域位於太陽能電池結構100的背側上，其中太陽能電池結構100的背側相對於前側，其於正常操作期間導向太陽以收集太陽能輻射。
接著參考第2圖，在部分實施例中，複數個受損緩衝器103可形成於太陽能電池結構100的表面上或之上。在一個實施例中，受損緩衝器可形成在基板上的介電質層上。在第2圖的例子中，受損緩衝器103可形成在對準於相鄰的P型摻雜區域和N型摻雜區域中的各一之間的位置。
可理解的是，受損緩衝器也可依據具體的太陽能電池結構100而形成於其他區域上。例如，如第8圖所示，受損緩衝器111可形成為與P型摻雜區域和N型摻雜區域對準，且受損緩衝器103可形成在對準於P型摻雜區域和N型摻雜區域之間的位置。在第8圖的例子中，獨立的受損緩衝器可用於抑制因結合/焊接之損壞(例如，受損緩衝器111也稱為焊接受損緩衝器)和用於抑制因圖樣化之損壞(例如，受損緩衝器103也稱為圖樣受損緩衝器)。雖然於第8圖中所示獨立的受損緩衝器具有將其分隔的間隙，但在其他實施例中，獨立的受損緩衝器可在彼此附近(及呈現相似於第2至7圖中所示的整體結構(monolithic structure))或至少部分地重疊。在其他實施例中，如第2圖至第7圖所示，受損緩衝器的寬度足以抑制因結合和圖樣化之損壞，因而可不需獨立的焊接損壞緩衝器和圖樣損壞緩衝器。
在一個實施例中，受損緩衝器103(及/或111)可以印刷(例如，網版印刷)，或者以其他方式形成在太陽能電池結構100上。例如，受損緩衝器可以替代地藉由旋轉塗佈或藉由沉積(例如，化學氣相沉積)，隨後藉由圖樣化(例如，遮罩和蝕刻)來形成。在部分實施例中，受損緩衝器可包含具有光學吸收劑、可燒結介電質(fireable dielectric)等的介電材料、或反射器。如特定的例子中，受損緩衝器可包含聚醯亞胺(polyimide)(例如，具有鈦氧化物的過濾器)，其以1-10微米(microns)之厚度網版印刷於太陽能電池結構100上。一般來說，受損緩衝器可具有厚度和組合物，其可(例如，藉由吸收或反射)抑制因在結合(例如，焊接)導電箔105與導電層104或在圖樣化導電箔105及/或導電層104(參照第6圖至第7圖)所採用的雷射或其他工具對太陽能電池結構之下的金屬接觸層(例如，摻雜區域、介電質、溝槽、矽基板等)的損壞。
如下文中詳細地描述，在實施例中，獨立的受損緩衝器用於抑制因焊接之損壞，受損緩衝器用於抑制從圖樣化之損壞，焊接受損緩衝器的組成、厚度及/或其他特性可不同於圖樣受損緩衝器，例如，可考慮焊接和圖樣化製程的不同特性(例如，持續時間、脈衝、波長)的可能性。
在第2圖的例子中，受損緩衝器103設置在對準於太陽能電池結構100中交替的N型和P型中的各一之間的位置。如下將更顯而易見，在隨後的金屬化製程中，導電箔可結合至在上述受損緩衝器位置的另一導電層，使得受損緩衝器可抑制對受損緩衝器下方的下部結構的損壞。另外，在部分實施例中，導電箔和導電層可在上述受損緩衝器(無論是於焊接接點之下的相同受損緩衝器或者僅用於圖樣化的不同受損緩衝器)的位置被圖樣化。如上所述且在第8圖中更詳細地描述，獨立的結合受損緩衝器和圖樣受損緩衝器可使用在部分實施例中。此外，在部分實施例中，結合受損緩衝器可包含與圖樣受損緩衝器不同成分的材料、不同厚度、或在不同及/或獨立的製程中形成。在各種實施例中，受損緩衝器可有利於抑制因結合和圖樣化製程(例如，因雷射光束)的損壞，否則其可能損壞太陽能電池的預金屬結構(pre-metal structures)。
如第3圖所示，導電層104可形成在太陽能電池結構100上。導電層104可提供電性連接到N型摻雜區域和P型摻雜區域，其用於隨後形成亦稱為金屬指的導電接觸。
在一個實施例中，導電層104包含在受損緩衝器103及/或111上共形的(conformal)連續覆蓋金屬塗層(continuous blanket metal coating)。例如，導電層104可包含一個或多種的鋁、鋁-矽合金、錫、鎳、銅、導電性碳或銀等，並且可藉由濺鍍、沉積或部份其他製程以100埃(Angstroms)至10微米(例如，0.3微米 至2微米)之厚度形成於受損緩衝器103及/或111、N型摻雜區域以及P型摻雜區域上。一般說來，導電層104包含可被結合到導電箔105且亦良好地黏附到包含N型摻雜區域或P型摻雜區域之射極區的材料。例如，導電層104可包含鋁，以促進焊接到鋁導電箔105。如本文第7圖所述，導電層104及/或導電箔105可隨後被圖樣化，以在導電箔105的圖樣化期間分隔N型摻雜區域與P型摻雜區域。
在部分示例中，雖然被稱為層，但導電層可不為先前形成於太陽能電池結構上的連續層。例如，導電層可形成於例如指狀圖樣(例如，交指型(interdigitated)指狀圖樣)的圖樣中。在各種實施例中，導電層可印刷在圖樣中，或沉積後圖樣化(例如，遮罩和蝕刻)。在各種實施例中，雖然若導電層不是預先圖樣化(例如，印刷在所需的圖樣)，所揭露的技術可如在第7圖中更詳細地描述的相同製程中藉由圖樣化導電層及導電箔而節省製程步驟。
接著參照第4圖，導電箔105約位於太陽能電池結構100之上。在一個實施例中，導電箔105包含如鋁或鋁合金的金屬預製薄(例如，12至50微米)板。
接著在第5圖中，導電箔105置於太陽能電池結構100上。不像沉積或塗覆在太陽能電池結構100上的金屬，導電箔105是預製薄板。在一個實施例中，導電箔105包含鋁板。導電箔105置於太陽能電池結構100上，而不是形成在太陽能電池結構100上。在一個實施例中，導電箔105藉由嵌合至導電層104而置於太陽能電池結構100上。嵌合製程可包含將導電箔105壓至導電層104，以使導電箔105與導電層104緊密接觸。嵌合過程可導致導電箔105在導電層104的特徵(例如，凸塊(bumps))上為共形的。可使用真空、強風、機械壓力或其他機制 以相對於導電層104對導電箔105擠壓，以在焊接期間獲得其之間小於10微米的間隙。
第6圖示出在導電箔105電性結合到導電層104之後的太陽能電池結構100。在第6圖的例子中，導電箔105於受損緩衝器上(例如，第6圖的受損緩衝器103或第8圖的焊接受損緩衝器111)的位置藉由將雷射光束(例如，紅外線雷射)引導至導電箔105上而焊接到導電層104，並且相對於導電層104來擠壓導電箔105。雷射焊接製程產生焊接接點106，其將導電箔105電性結合至導電層104。由於導電箔105於此階段的製造製程未圖樣化，所以導電箔105仍然電性連接太陽能電池結構100的N型摻雜區域和P型摻雜區域。
藉由在受損緩衝器上將形成的導電箔形成結合至導電層，可抑制對預金屬結構的光學及/或機械損壞。
繼續於第7圖中，導電箔105被圖樣化以形成金屬指108和109。在一個實施例中，導電箔105藉由剝蝕於受損緩衝器103上的導電箔105和導電層104(如果導電層104尚未圖樣化)的部分而圖樣化。在一個實施例中，導電箔105和導電層104可使用雷射光束，其可為不同的雷射光工具、或不同於焊接雷射的雷射配置來進行剝蝕。例如，在一個實施例中，焊接可使用紅外線雷射光束執行，而圖樣化可使用紫外線雷射光束執行。雷射光剝蝕製程可切斷(見107)導電箔105而分成至少兩個分離片段(pieces)，一個片段是電性連接到N型摻雜區域的金屬指108、而另一片段為電性連接到P型摻雜區域的金屬指109。雷射剝蝕製程可截斷N型摻雜區域和P型摻雜區域穿過導電層104和導電箔105的電性連接。於在導體箔置於導電層上之前導電層尚未圖樣化的實施例中，導電箔105和導電層104可在相同步驟中進行圖樣化，其可有利於減少製造成本。
在部分實施例中，雷射剝蝕製程使用切割穿過導電箔105和導電層104的雷射光束。根據雷射剝蝕製程的製程窗口，雷射光束也可以切斷受損緩衝器103的部分，但不是穿過。受損緩衝器103可有利於阻斷或抑制雷射光束，否則可能到達並損壞太陽能電池結構100，例如預金屬結構(例如，摻雜區域、鈍化層、氧化物、基板等)。受損緩衝器103亦可有利於保護太陽能電池結構100免於例如在導電箔105嵌合至導電層104期間的機械損壞。受損緩衝器103(和若使用的受損緩衝器111)可留在完成的太陽能電池中，所以其使用不需涉及於導電箔105的圖案化之後額外的移除步驟。
現再次回到第8圖，其為顯示其他例示性的太陽能電池的截面圖。於第8圖之例子中，使用於圖樣化的受損緩衝器不同於使用於焊接的受損緩衝器。如圖所示，焊接受損緩衝器111和圖樣受損緩衝器103可分別於焊接和圖樣化製程期間抑制對預金屬結構之損壞。如上所述，焊接受損緩衝器111可包含設計成對焊接雷射(例如，紅外線波長、脈衝持續時間等)較堅固的材料、厚度、形狀，或其他特性。同樣地，圖樣受損緩衝器103可包含設計成對圖樣化雷射(例如，紫外線、脈衝持續時間等)較堅固的材料、厚度、形狀，或其他特性。
根據前述，所屬技術領域具有通常知識者將理解的是，本揭露的實施例提供迄今為止未實現的另外益處。金屬箔的使用以形成金屬指相對於涉及金屬指的沉積或電鍍(plating)的金屬化製程為相對地具有成本效益。此受損緩衝器可允許用於雷射焊接製程和雷射剝蝕製程於原位執行，即連接在相同的製程平台(station)。受損緩衝器也可能使用一或多種雷射光束，以將導電箔105焊接至導電層104和圖樣化導電箔105，並且導電箔105位於太陽能電池結構100上。此外，不像蝕刻及其他化學根據的圖樣化製程，利用雷射圖樣化金屬箔105可使 製造而形成於太陽能電池上的殘餘物量最小化，該殘餘物可能影響壽命、可靠性和效率。
現將回到第9圖，其為根據部分實施例描繪太陽能電池之製造方法的流程圖。在各種實施例中，第9圖的方法可以包含比示出的更多(或更少)的方塊。例如，在部分實施例中，獨立的焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器可以形成損壞緩衝器的寬度足以同時作為焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器的方式替代地形成。
在各種實施例中，第9圖的方法可於具有N型摻雜區域和P型摻雜區域的太陽能電池結構上執行。第9圖的方法於太陽能電池的製造期間以電池層級執行或當太陽能電池與其他太陽能電池連接並封裝時，以模組層級執行。
於902步驟，一或多個受損緩衝器(例如，焊接受損緩衝器)可形成在半導體區域上，設置在太陽能電池結構的基板中或基板上。在部分實施例中，每一個焊接受損緩衝器可分別形成在太陽能電池結構的N型摻雜區域上或在P型摻雜區域上。在其中單個受損緩衝器的寬度足以作為焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器的實施例中，受損緩衝器可形成在與各個N型摻雜區域和P型摻雜區域之間對準的區域，且也部分地與N型摻雜區域或P型摻雜區域重疊。
如本文所述，於部分實施例中，可使用獨立的結合/焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器。在此實施例中，焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器兩者可形成在半導體區域上，其具有設置在對應的P型摻雜區域或N型摻雜區域上的焊接受損緩衝器及具有設置對準於或以其他方式在P型摻雜區域和N型摻雜區域之間的區域上的圖樣受損緩衝器。如上所述，在部分實施例中，於獨立的結合/焊接受損緩衝器與圖樣受損緩衝器之間可沒有間隙。相反地，在此實施例中， 結合/焊接受損緩衝器可在相鄰的圖樣受損緩衝器附近及/或至少部分地重疊相鄰的圖樣受損緩衝器。
在各種實施例中，受損緩衝器可藉由，例如網版印刷、旋轉塗佈或藉由沉積和圖樣化來形成。受損緩衝器可在單個步驟或依序執行。例如，在部分實施例中，焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器可在至少一個方面不同，如材料的組成、厚度等。因此，根據所期望的受損緩衝器的特性(例如，組成、厚度)，可使用不同的形成技術。例如，對於一類型的受損緩衝器(例如，焊接)，網版印刷可能比沉積和圖樣化更佳，而對於不同類型的受損緩衝器(例如，圖樣)，相反可能較佳。或者，作為另一例子，焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器兩者可以網版印刷，只是具有不同材料的組成及/或厚度。在此例子中，焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器可根據特定的工具依序地或同時地形成。
於904步驟，導電層(例如，金屬層，其可包含鋁、鎳、銅、銀、錫等)可形成在受損緩衝器上和露出於受損緩衝器之間的太陽能電池結構的表面上。在一個實施例中，導電層是由覆蓋沉積而形成為連續和共形的層。在其他實施例中，導電層形成於圖樣中，如在指狀圖樣。於其他的例子中，可藉由印刷執行導電層形成於圖樣中。
於906步驟，在焊接受損緩衝器上(或在若為使用於焊接受損緩衝器和圖樣受損緩衝器兩者的寬的受損緩衝器之共用受損緩衝器上)的位置將導電箔(例如金屬箔，如鋁箔等)結合到導電層。在一個實施例中，導電箔使用例如紅外線雷射的雷射光束焊接到金屬層。但是應注意的是，也可採用非雷射類焊接或其他技術，以將導電箔結合到導電層。
如於908步驟所示，如果導電層尚未圖樣化，則可圖樣化導電箔和導電層。在一個實施例中，雷射光束可以被用來剝蝕在圖樣受損緩衝器上(或在共同受損緩衝器)上的導電箔和導電層的部分。雷射剝蝕製程將導電箔圖樣化成分隔的導電指(例如，交指型指狀物)，並且還可圖樣化導電層，以分隔P型摻雜區域和N型摻雜區域。
在部分實施例中，當太陽能電池與其他太陽能電池被封裝時，圖樣化導電箔可在模組層級進行。在該示例中，導電箔105可嵌合至複數個太陽能電池結構100的導電層104。在第10圖中示意性地示出，其中導電箔105A嵌合至兩個或多個以上的太陽能電池結構100的導電層104。除了導電箔105A跨越一個以上的太陽能電池結構100之外，導電箔105A與先前所述的導電箔105相同。如本文所述，導電箔可在焊接受損緩衝器上的位置結合至兩個太陽能電池的導電層。
如第11圖所示，導電箔105A可藉由雷射剝蝕而圖樣化，並且位在太陽能電池結構100上。如本文中所述的雷射剝蝕製程可將導體箔105A圖樣化成導電指108和109。在部分實施例中，導電箔105A可於圖樣化後進行切割，以物理性分隔太陽能電池結構100。圖樣化後，部分的金屬箔105A也可以留在原處，以與相鄰的太陽能電池結構100串接。
在一個實施例中，導電箔105A的雷射剝蝕留下於相鄰的太陽能電池結構100的相對型金屬指之間的連接。在第11圖的例子中示意性地示出，其中導電箔105被圖樣化，以使太陽能電池結構100的P型金屬指109留下連接到相鄰的太陽能電池結構100的N型金屬指108，從而串聯地電性連接太陽能電池結構 100。因為導電箔105A的圖樣化可與太陽能電池結構100的串接組合，如此可有利於在模組層級節省製造步驟。
雖然具體的實施例已在先前描述，即使關於特定特徵僅描述單一實施例，這些實施例並不意圖限制本揭露的範疇。除非另有說明，否則在本揭露中所提供的特徵之示例是意圖為說明性的而非限制性的。前面的描述是意圖在涵蓋對於所屬技術領域中具有通常知識者而言顯而易見具有本揭露的利益的之此類替代方案、修改及等效物。
本揭露的範疇包含在本文中所揭露的任何特徵或特徵的組合(明顯地或隱含地)，或者其任何概括，而不論其是否減輕了本文中所解決的任何問題或所有問題。因此，在本申請(或其聲明優先權的申請案)的審查期間，可制定新的申請專利範圍成任何這樣的特徵組合。特別是，參照所附的申請專利範圍，來自附屬項的特徵可與獨立項的特徵組合，而來自各獨立項的特徵可以任何適當的方式組合，且不僅為所附的申請專利範圍中所列舉的特定組合。
100:太陽能電池結構
104:導電層
108、109:金屬指
N:N型摻雜區域
P:P型摻雜區域

Claims (19)

  1. 一種太陽能電池，其包含：一基板；一半導體區域，係設置在該基板中或該基板上；一第一受損緩衝器，係設置在該半導體區域上；一第一導電層，係設置在該第一受損緩衝器上；以及一第二導電層，係設置在該第一導電層上，其中該第一導電層和該第二導電層係在該第一受損緩衝器上的一第一位置結合在一起，且其中在該第一位置該第二導電層係雷射焊接至該第一導電層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一導電層和該第二導電層是藉由在該第一位置之一焊接接點結合在一起。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中結合該第一導電層和該第二導電層的一第一部分係與在該第一受損緩衝器上的一第二位置結合該第一導電層和該第二導電層的一第二部分分隔。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其進一步包含設置在該半導體區域上的一第二受損緩衝器。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能電池，其中結合該第一導電層和該第二導電層的一第一部分係與在該第二受損緩衝器上的一第一位置結合該第一導電層和該第二導電層的一第二部分分隔。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能電池，其中該第一導電層和該第二導電層也在該第二受損緩衝器上的一第一位置結合在一起。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之太陽能電池，其中該第二受損緩衝器包含與該第一受損緩衝器不同的組成材料或不同厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第一導電層和該第二導電層包含交指型接觸指，其中一第二位置係設置在各該交指型接觸指之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該第二導電層是一金屬箔。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之太陽能電池，其中該半導體區域包含交替的N型半導體區域和P型半導體區域，其中該第一受損緩衝器係設置在對準於交替的該N型半導體區域和該P型半導體區域中的各一之間的位置。
  11. 一種製造太陽能電池的方法，其包含：形成一第一受損緩衝器於設置在一基板中或該基板上的一半導體區域上；形成一第一導電層於該第一受損緩衝器上或於該半導體區域上；形成一第二導電層於該第一導電層上；以及在該第一受損緩衝器上的一第一位置結合該第二導電層與該第一導電層，其中該結合包含在該第一位置將該第二導電層雷射焊接至該第一導電層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其進一步包含：圖樣化該第一導電層和該第二導電層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中圖樣化該第一導電層和該第二導電層是於該第一受損緩衝器上的一第二位置來執行。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中圖樣化該第一導電層和該第二導電層是於該半導體區域上形成的一第二受損緩衝器上的一第一位置來執行。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中圖樣化包含移除該第一受損緩衝器的至少一部分。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該第一受損緩衝器於該半導體區域上包含印刷複數個焊接受損緩衝器，其包含該第一受損緩衝器。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其進一步包含印刷複數個圖樣受損緩衝器在該半導體區域上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之方法，其中印刷該複數個焊接受損緩衝器與印刷該複數個圖樣受損緩衝器是依序執行。
  19. 一種太陽能電池，其包含：一基板；交替的N型半導體區域和P型半導體區域，係設置在該基板中或該基板上；複數個結合受損緩衝器，係對準於交替的該N型半導體區域和該P型半導體區域中的各一； 一導電層，係設置在該複數個結合受損緩衝器上；以及一導電箔，係設置在該導電層上，其中該導電層和該導電箔係在該複數個結合受損緩衝器上的位置結合在一起，且其中在該位置該第二導電層係雷射焊接至該第一導電層。
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