JP7389434B2 - 試験装置 - Google Patents
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Description
図1は、被試験ウェハ10を示す図である。被試験ウェハ10には、複数の被試験デバイス12が形成されており、ダイシングすることにより、被試験デバイス12のチップが得られる。本実施の形態において被試験デバイス12はMRAMであり、MRAMのセルを構成するMTJや、その周辺回路、コンタクト用の複数のピン(電極)を有する。破線14は、後述の試験装置100Eによって同時測定される範囲(同測領域という)を示しており、通常、試験装置100Eは、複数の(たとえば256個、128個など)被試験デバイス12を同時に測定する。
図5は、実施の形態2に係る試験装置100を示す図である。試験装置100は、診断工程において、磁場印加装置140が発生する外部磁場BEXを測定可能となっている。磁場印加装置140の診断、校正のために、試験装置100は、診断用ウェハ170および診断用プローブカード180とともに使用される。
図8は、変形例1に係る試験装置100Aを示す図である。この変形例1では、診断用プローブカード180において、複数の磁気検出ユニット172のGNDピンは共通に接続され、接地されている。診断用プローブカード180においてGNDピン同士をショートすることにより、インピーダンスを下げることができ、ノイズに対する耐性を高めることができる。
図9は、変形例2に係る試験装置100Bを示す図である。磁気検出ユニット172は、磁気センサ174と、電源ピンVDD、接地ピンGND、一対の出力ピンOUTP,OUTNを有する。磁気センサ174が発生する正極と負極の電気信号H+,H-は、出力ピンOUTP,OUTNを経由して、診断用プローブカード180に供給される。この例では、磁気センサ174はホール素子である。診断用プローブカード180は、電気信号H+,H-を差動増幅するアンプ184を備える。アンプ184の出力は、ウェハ接続HiFix150を経由してDVM124に供給され、取り込まれる。
図10は、変形例3に係る試験装置100Cを示す図である。磁気検出ユニット172の構成は変形例2と同様である。変形例3では、磁気センサ174が発生する正極と負極の電気信号H+,H-は、出力ピンOUTP,OUTN、診断用プローブカード180、ウェハ接続HiFix150を介して、DVM124に供給され、取り込まれる。変形例3は、ホール信号H+,H-の信号レベルが十分に大きく、S/N比が高いプラットフォームにおいて有効である。
磁気検出ユニット172は、磁気センサ174としてホール素子に替えて、磁場に応じて抵抗が変化するMR(磁気抵抗)センサを備えてもよい。図11(a)~(c)は、変形例4に係る磁気検出ユニット172およびテストヘッド120の回路図である。図11(a)、(b)の磁気検出ユニット172E、172FはMR素子178を含む。図11(a)のテストヘッド120Eは、電流印加/電圧測定によって、MR素子178の抵抗値の変化を検出する。図11(b)のテストヘッド120Fは、電圧印加/電流測定によって、MR素子178の抵抗値の変化を検出する。図11(c)の磁気検出ユニット172Gは、MR素子178に加えて、抵抗179を含む。テストヘッド120Gは、FORCEピンとGNDピンの間に定電圧を印加し、SENSEピンに発生する電圧を測定する。抵抗179を、診断用プローブカード180に設けてもよい。
実施の形態では、被試験ウェハ10を分割して検査する場合を説明したが、ウェハ一括方式(Full Wafer Contact)にも本発明は適用可能である。この場合、磁場印加装置140は、被試験ウェハ10の全面にわたり、均一な磁場を印加可能に構成される。
図12は、変形例6に係る試験装置100Fを示す図である。ステージ130には温度制御機構が組み込まれている場合がある。車載向け用途のデバイスは-50℃~170℃の温度範囲で動作することが要求される場合があり、その場合、ステージ130の温度も、-50℃~-70℃まで冷却される。ステージ130の冷却の結果、ウェハ接続HiFix150の温度が低下すると、結露が発生するおそれがある。そこでウェハ接続HiFix150には、ドライエア供給源154からドライエアが供給可能となっている。
実施の形態では、磁場印加装置140に対する制御信号を、テストヘッド120のインタフェース回路128とウェハ接続HiFix150のインタフェース回路152の通信で伝送することとしたがその限りでなく、それとは別の経路で伝送するようにしてもよい。
110 テスタ本体
120 テストヘッド
122 デバイス電源
124 DVM
126 パターン発生器
128 インタフェース回路
130 ステージ
140 磁場印加装置
142 コア
144 コイル
146 駆動回路
150 ウェハ接続HiFix
152 インタフェース回路
154 ドライエア供給源
156 冷却機構
158 磁気シールド機構
160 試験用プローブカード
162 プローブ針
170 診断用ウェハ
172 磁気検出ユニット
174 磁気センサ
176 アンプ
178 MR素子
179 抵抗
180 診断用プローブカード
182 プローブ針
184 アンプ
190 冷却チラー
10 被試験ウェハ
12 被試験デバイス
14 同測領域
Claims (4)
- 磁気抵抗メモリもしくは磁気センサを含む被試験デバイスが形成された被試験ウェハを試験する試験装置であって、
テストヘッドと、
試験工程において前記被試験ウェハが載置されるステージと、
前記テストヘッドに取り付けられる接続ユニットと、
前記接続ユニットに対して着脱可能に取り付けられ、前記試験工程において、前記被試験ウェハに対してプローブコンタクト可能に構成される試験用プローブカードと、
前記接続ユニットの内部に設けられ、前記試験工程において、前記試験用プローブカードを介して前記被試験ウェハに磁場を印加する磁場印加装置と、
を備えることを特徴とする試験装置。 - 前記磁場印加装置は、
コアと、
前記コアに巻装されるコイルと、
前記コイルを駆動する駆動回路と、
を備え、
前記接続ユニットは、前記テストヘッドから前記駆動回路に対する制御信号を受信するインタフェース回路をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の試験装置。 - 前記磁場印加装置は、
コアと、
前記コアに巻装されるコイルと、を備え、
前記コイルを駆動する駆動回路は、前記接続ユニットの外部に設けられることを特徴とする請求項1に記載の試験装置。 - 複数の磁気検出ユニットが形成されており、前記試験装置の診断工程において、前記被試験ウェハに替えて前記ステージに載置され、各磁気検出ユニットにより前記磁場印加装置が発生する磁場を測定可能な診断用ウェハと、
前記診断工程において前記試験用プローブカードに替えて使用され、前記診断用ウェハに対してプローブコンタクト可能に構成される診断用プローブカードと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の試験装置。
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