JP7368992B2 - Substrate processing equipment and brush storage container - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置およびブラシ収納容器に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a brush storage container.

基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板またはガラス基板の製造に用いられる。典型的には、基板の加工時に生成した不純物、汚れまたはパーティクルは、洗浄によって除去される。基板を充分に洗浄するために、ブラシでスクラブすることがある。しかしながら、ブラシで基板を洗浄するとブラシが汚れるため、このブラシで別の基板を洗浄すると、基板が反対に汚れてしまうことがある。このため、基板の交換時にブラシを洗浄することが知られている(特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art Substrate processing apparatuses that process substrates are known. For example, substrate processing apparatuses are used to manufacture semiconductor substrates or glass substrates. Typically, impurities, dirt, or particles generated during substrate processing are removed by cleaning. To thoroughly clean the substrate, it may be scrubbed with a brush. However, when a substrate is cleaned with a brush, the brush becomes dirty, so if another substrate is cleaned with this brush, the substrate may become dirty instead. For this reason, it is known to clean the brush when replacing the substrate (see Patent Document 1).

特許文献1には、基板の上面および裏面を洗浄するブラシを洗浄する洗浄部材を備えた基板処理装置が記載されている。特許文献1の基板処理装置では、ブラシは、基板の交換時に、洗浄部材にまで移動して、洗浄部材において洗浄される。特許文献1の基板処理装置では、ブラシの退避位置に配置された洗浄部材においてブラシに洗浄液を供給してブラシを洗浄する。これにより、ブラシを清浄な状態に整えることができる。 Patent Document 1 describes a substrate processing apparatus that includes a cleaning member that cleans a brush that cleans the top and back surfaces of a substrate. In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the brush moves to the cleaning member and is cleaned by the cleaning member when replacing the substrate. In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, a cleaning liquid is supplied to the brush in a cleaning member disposed at a retracted position of the brush to clean the brush. This allows the brush to be kept clean.

国際公開2010-283393号公報International Publication No. 2010-283393

基板のブラシを洗浄した結果は、ブラシの清浄状態だけでなく、ブラシへの洗浄液の浸透状態、言い換えると、ブラシの含有液の状態にも影響を与える。このため、ブラシを使用する前には、ブラシに対する洗浄液の浸透が飽和するまでブラシを洗浄液に長期間浸漬させることが必要であった。また、ブラシを洗浄液に長期間浸漬させたとしても、ブラシの凹凸やブラシの毛の深部にまで洗浄液が到達しないこともある。このため、基板のブラシ洗浄に用いるブラシの含有液の状態を一定の状態に調整することは困難かつ長時間を要するものであった。 The result of cleaning the brush on the substrate affects not only the cleanliness of the brush but also the state of penetration of the cleaning liquid into the brush, in other words, the state of the liquid contained in the brush. Therefore, before using the brush, it is necessary to soak the brush in the cleaning solution for a long period of time until the penetration of the cleaning solution into the brush is saturated. Furthermore, even if the brush is immersed in the cleaning liquid for a long period of time, the cleaning liquid may not reach deep into the unevenness of the brush or the bristles of the brush. For this reason, it has been difficult and time consuming to adjust the state of the liquid contained in the brush used for brush cleaning of the substrate to a constant state.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ブラシの含有液の状態を調整可能な基板処理装置およびブラシ収納容器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus and a brush storage container that can adjust the state of the liquid contained in the brush.

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、ブラシ処理部と、ブラシ含有液調整部とを備える。前記基板保持部は、基板を保持する。前記ブラシ処理部は、ブラシを有し、前記基板保持部に保持された前記基板を前記ブラシで処理する。前記ブラシ含有液調整部は、前記ブラシに含有される液体の量を調整する。前記ブラシ含有液調整部は、洗浄液を貯留する容器と、前記容器内に前記ブラシを密閉した状態で前記容器内の気圧を変化させる気体流通部とを有する。 According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes a substrate holding section, a brush processing section, and a brush-containing liquid adjustment section. The substrate holding section holds a substrate. The brush processing section has a brush, and processes the substrate held by the substrate holding section with the brush. The brush-containing liquid adjusting section adjusts the amount of liquid contained in the brush. The brush-containing liquid adjustment section includes a container that stores a cleaning liquid, and a gas flow section that changes the air pressure inside the container while keeping the brush sealed in the container.

ある実施形態において、前記気体流通部は、前記容器内の気圧を大気圧よりも低下させる。 In one embodiment, the gas flow section lowers the pressure within the container below atmospheric pressure.

ある実施形態において、前記気体流通部は、前記容器内の気圧を大気圧よりも増加させる。 In one embodiment, the gas flow section increases the pressure within the container above atmospheric pressure.

ある実施形態において、前記容器には貫通孔が設けられており、前記気体流通部は、前記貫通孔に接続する配管と、前記配管内の気体の流れを調整するバルブとをさらに有する。 In one embodiment, the container is provided with a through hole, and the gas flow section further includes a pipe connected to the through hole, and a valve that adjusts the flow of gas in the pipe.

ある実施形態において、前記ブラシ含有液調整部は、前記容器内に洗浄液を流通させる洗浄液流通部をさらに有する。 In one embodiment, the brush-containing liquid adjustment section further includes a cleaning liquid distribution section that allows cleaning liquid to flow into the container.

ある実施形態において、前記基板処理装置は、前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備える。 In one embodiment, the substrate processing apparatus further includes a rinsing liquid supply unit that supplies a rinsing liquid to the substrate held by the substrate holding unit.

ある実施形態において、前記容器には前記洗浄液として前記リンス液が供給される。 In one embodiment, the container is supplied with the rinsing liquid as the cleaning liquid.

ある実施形態において、前記ブラシ処理部は、前記ブラシを保持するホルダと、前記ホルダの取り付けられたアームと、前記アームを移動させる移動部とをさらに有し、前記アームが前記容器と当接することによって、前記ブラシは、前記容器内で密閉される。 In one embodiment, the brush processing unit further includes a holder that holds the brush, an arm to which the holder is attached, and a moving unit that moves the arm, and the arm is in contact with the container. The brush is sealed within the container.

本発明の別の局面によれば、ブラシ収納容器は、ブラシを収容する筐体と、前記筐体内で前記ブラシを密閉した状態で前記筐体内の気圧を変化させるための気体流通部とを備える。
ある実施形態において、前記気体流通部は、前記筐体の内部の気圧を大気圧より低下させ、その後、前記筐体の内部の前記気圧を前記大気圧に戻す。
ある実施形態において、前記気体流通部は、前記筐体の内部に気体を流入させ、前記筐体の内部の気圧を増加させる。
According to another aspect of the present invention, the brush storage container includes a housing that houses the brush, and a gas flow section that changes the air pressure inside the housing while keeping the brush sealed inside the housing. .
In one embodiment, the gas flow section lowers the air pressure inside the casing below atmospheric pressure, and then returns the air pressure inside the casing to atmospheric pressure.
In one embodiment, the gas flow section allows gas to flow into the interior of the housing to increase the air pressure inside the housing.

ある実施形態において、前記筐体は、洗浄液を貯留する容器と、前記容器と係合する蓋とを有する。 In one embodiment, the housing includes a container that stores cleaning liquid and a lid that engages with the container.

ある実施形態において、前記筐体には貫通孔が設けられており、前記気体流通部は、前記貫通孔に接続する配管と、前記配管内の気体の流れを調整するバルブとを有する。 In one embodiment, the housing is provided with a through hole, and the gas flow section includes a pipe connected to the through hole, and a valve that adjusts the flow of gas in the pipe.

ある実施形態において、前記ブラシ収納容器は、前記筐体内の洗浄液を流通させるための洗浄液流通部をさらに備える。 In one embodiment, the brush storage container further includes a cleaning liquid flow section for circulating cleaning liquid within the housing.

本発明によれば、ブラシの含有液の状態を調整できる。 According to the present invention, the state of the liquid contained in the brush can be adjusted.

本実施形態の基板処理システムの模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing system of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理システムのブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a substrate processing system according to the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ含有液調整部の模式図である。It is a schematic diagram of the brush containing liquid adjustment part in the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ含有液調整部の模式図である。It is a schematic diagram of the brush containing liquid adjustment part in the substrate processing apparatus of this embodiment. (a)~(e)は、本実施形態の基板処理装置によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。(a) to (e) are schematic diagrams showing the flow of brush-containing liquid adjustment processing performed by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置による基板処理のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ含有液調整部の模式図である。It is a schematic diagram of the brush containing liquid adjustment part in the substrate processing apparatus of this embodiment. (a)~(f)は、本実施形態の基板処理装置によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。(a) to (f) are schematic diagrams showing the flow of brush-containing liquid adjustment processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置による基板処理のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ含有液調整部の模式図である。It is a schematic diagram of the brush containing liquid adjustment part in the substrate processing apparatus of this embodiment. (a)~(f)は、本実施形態の基板処理装置によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。(a) to (f) are schematic diagrams showing the flow of brush-containing liquid adjustment processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置による基板処理のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置による基板処理のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態の基板処理装置による基板処理のフロー図である。FIG. 3 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus of the present embodiment. 本実施形態の基板処理装置におけるブラシ含有液調整部の模式図である。It is a schematic diagram of the brush containing liquid adjustment part in the substrate processing apparatus of this embodiment. 本実施形態のブラシ収納容器の模式図である。It is a schematic diagram of the brush storage container of this embodiment. 本実施形態のブラシ収納容器の模式図である。It is a schematic diagram of the brush storage container of this embodiment.

以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置およびブラシ収納容器の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載することがある。典型的には、X軸およびY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。 Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a brush storage container according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the drawings, the same or corresponding parts are given the same reference numerals and the description will not be repeated. Note that in this specification, in order to facilitate understanding of the invention, an X-axis, a Y-axis, and a Z-axis that are perpendicular to each other may be described. Typically, the X and Y axes are parallel to the horizontal direction, and the Z axis is parallel to the vertical direction.

まず、図1を参照して、本発明による基板処理装置1の実施形態を備えた基板処理システム100を説明する。図1は、本実施形態の基板処理システム100の模式的な平面図である。 First, with reference to FIG. 1, a substrate processing system 100 including an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing system 100 of this embodiment.

基板処理システム100は、基板Wを処理する。基板処理システム100は、複数の基板処理装置1を備える。基板処理装置1は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。 The substrate processing system 100 processes a substrate W. The substrate processing system 100 includes a plurality of substrate processing apparatuses 1. The substrate processing apparatus 1 processes the substrate W so as to perform at least one of etching, surface treatment, imparting properties, forming a treated film, removing at least a portion of the film, and cleaning.

基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板を含む。例えば、基板Wは略円板状である。 The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, or a photomask. including solar cell substrates, ceramic substrates, and solar cell substrates. For example, the substrate W has a substantially disk shape.

図1に示すように、基板処理システム100は、複数の基板処理装置1に加えて、流体キャビネット100Aと、流体ボックス100Bと、複数のロードポートLPと、インデクサーロボットIRと、センターロボットCRと、制御装置101とを備える。制御装置101は、ロードポートLP、インデクサーロボットIRおよびセンターロボットCRを制御する。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 100 includes, in addition to a plurality of substrate processing apparatuses 1, a fluid cabinet 100A, a fluid box 100B, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, and a center robot CR. , and a control device 101. The control device 101 controls the load port LP, indexer robot IR, and center robot CR.

ロードポートLPの各々は、複数枚の基板Wを積層して収容する。インデクサーロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサーロボットIRと基板処理装置1との間で基板Wを搬送する。基板処理装置1の各々は、基板Wに液体を吐出して、基板Wを処理する。液体は、リンス液および/または薬液を含む。または、液体は、他の処理液を含んでもよい。流体キャビネット100Aは、液体を収容する。なお、流体キャビネット100Aは、気体を収容してもよい。 Each of the load ports LP accommodates a plurality of stacked substrates W. The indexer robot IR transports the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the substrate processing apparatus 1. Each of the substrate processing apparatuses 1 processes the substrate W by discharging a liquid onto the substrate W. The liquid includes a rinsing liquid and/or a medicinal liquid. Alternatively, the liquid may include other processing liquids. Fluid cabinet 100A contains liquid. Note that the fluid cabinet 100A may contain gas.

具体的には、複数の基板処理装置1は、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置された複数のタワーTW(図1では4つのタワーTW)を形成している。各タワーTWは、上下に積層された複数の基板処理装置1(図1では3つの基板処理装置1)を含む。流体ボックス100Bは、それぞれ、複数のタワーTWに対応している。流体キャビネット100A内の液体は、いずれかの流体ボックス100Bを介して、流体ボックス100Bに対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置1に供給される。また、流体キャビネット100A内の気体は、いずれかの流体ボックス100Bを介して、流体ボックス100Bに対応するタワーTWに含まれる全ての基板処理装置1に供給される。 Specifically, the plurality of substrate processing apparatuses 1 form a plurality of towers TW (four towers TW in FIG. 1) arranged so as to surround the center robot CR in plan view. Each tower TW includes a plurality of substrate processing apparatuses 1 (three substrate processing apparatuses 1 in FIG. 1) stacked one above the other. Each fluid box 100B corresponds to a plurality of towers TW. The liquid in the fluid cabinet 100A is supplied to all the substrate processing apparatuses 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 100B via one of the fluid boxes 100B. Further, the gas in the fluid cabinet 100A is supplied to all the substrate processing apparatuses 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 100B via one of the fluid boxes 100B.

制御装置101は、基板処理システム100の各種動作を制御する。制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。制御部102は、プロセッサーを有する。制御部102は、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、制御部102は、汎用演算機を有してもよい。 The control device 101 controls various operations of the substrate processing system 100. Control device 101 includes a control section 102 and a storage section 104. Control unit 102 has a processor. The control unit 102 includes, for example, a central processing unit (CPU). Alternatively, the control unit 102 may include a general-purpose computing machine.

記憶部104は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容および処理手順を規定する。 Storage unit 104 stores data and computer programs. The data includes recipe data. The recipe data includes information indicating multiple recipes. Each of the plurality of recipes defines processing contents and processing procedures for the substrate W.

記憶部104は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部104はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部102は、記憶部104の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。 Storage unit 104 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main storage device is, for example, a semiconductor memory. The auxiliary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive. Storage unit 104 may include removable media. The control unit 102 executes a computer program stored in the storage unit 104 to perform a substrate processing operation.

次に、図2を参照して、本実施形態の基板処理装置1を説明する。図2は、基板処理装置1の模式図である。 Next, with reference to FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 2 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 1.

基板処理装置1は、チャンバー110と、基板保持部120と、リンス液供給部130と、ブラシ処理部140と、ブラシ含有液調整部150とを備える。チャンバー110は、基板Wを収容する。基板保持部120は、基板Wを保持する。 The substrate processing apparatus 1 includes a chamber 110 , a substrate holding section 120 , a rinsing liquid supply section 130 , a brush processing section 140 , and a brush-containing liquid adjustment section 150 . Chamber 110 accommodates substrate W. The substrate holding section 120 holds the substrate W.

チャンバー110は、内部空間を有する略箱形状の筐体であり、チャンバー110の内部と外部とが区画される。チャンバー110には、図示しないシャッターおよびその開閉機構が設けられる。通常、シャッターは閉じてチャンバー110内外の雰囲気は遮断される。センターロボットCRにより基板Wがチャンバー110内部に搬入される際または基板Wがチャンバー110内部から搬出される際には、シャッターが開放される。チャンバー110の上部には図示しないFFUユニット(ファンフィルタユニット)が設置され、チャンバー110の上部から下方に向けてダウンフローで塵埃の除去されたエアーまたは不活性ガスが供給される。 The chamber 110 is a substantially box-shaped housing having an internal space, and the inside and outside of the chamber 110 are partitioned. The chamber 110 is provided with a shutter and its opening/closing mechanism (not shown). Normally, the shutter is closed to block the atmosphere inside and outside the chamber 110. When the substrate W is carried into the chamber 110 by the central robot CR, or when the substrate W is carried out from the chamber 110, the shutter is opened. An FFU unit (fan filter unit) (not shown) is installed in the upper part of the chamber 110, and air or inert gas from which dust has been removed is supplied in a downward flow from the upper part of the chamber 110.

基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して1枚ずつ処理する、いわゆる枚葉型であり、基板処理装置1には基板Wが1枚ずつ収容される。基板Wは、チャンバー110内に収容され、チャンバー110内で処理される。チャンバー110には、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ処理部140およびブラシ含有液調整部150のそれぞれの少なくとも一部が収容される。 The substrate processing apparatus 1 is a so-called single-wafer type that holds the substrates W horizontally and processes them one by one, and the substrate processing apparatus 1 accommodates the substrates W one by one. The substrate W is accommodated within the chamber 110 and processed within the chamber 110. The chamber 110 accommodates at least a portion of each of the substrate holding section 120, the rinsing liquid supply section 130, the brush processing section 140, and the brush-containing liquid adjustment section 150.

基板保持部120は、基板Wを保持する。基板保持部120は、基板Wの上面(表面)Waを上方に向け、基板Wの裏面(下面)Wbを鉛直下方に向くように基板Wを水平に保持する。また、基板保持部120は、基板Wを保持した状態で基板Wを回転させる。基板保持部120は、基板Wを保持したまま基板Wを回転させる。 The substrate holding section 120 holds the substrate W. The substrate holding unit 120 holds the substrate W horizontally so that the upper surface (front surface) Wa of the substrate W faces upward and the back surface (lower surface) Wb of the substrate W faces vertically downward. Further, the substrate holding unit 120 rotates the substrate W while holding the substrate W. The substrate holding unit 120 rotates the substrate W while holding it.

例えば、基板保持部120は、基板Wの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部120は、基板Wを裏面Wbから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部120は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部120は、非デバイス形成面である基板Wの裏面Wbの中央部を上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持する。あるいは、基板保持部120は、複数のチャックピンを基板Wの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。 For example, the substrate holder 120 may be a clamping type that clamps an end of the substrate W. Alternatively, the substrate holding section 120 may have any mechanism for holding the substrate W from the back surface Wb. For example, the substrate holding section 120 may be of a vacuum type. In this case, the substrate holding unit 120 holds the substrate W horizontally by adsorbing the center portion of the back surface Wb of the substrate W, which is a non-device forming surface, to the upper surface. Alternatively, the substrate holder 120 may combine a clamping type in which a plurality of chuck pins are brought into contact with the peripheral end surface of the substrate W and a vacuum type.

例えば、基板保持部120は、スピンベース121と、チャック部材122と、シャフト123と、電動モーター124と、ハウジング125とを含む。チャック部材122は、スピンベース121に設けられる。チャック部材122は、基板Wをチャックする。典型的には、スピンベース121には、複数のチャック部材122が設けられる。 For example, the substrate holder 120 includes a spin base 121, a chuck member 122, a shaft 123, an electric motor 124, and a housing 125. The chuck member 122 is provided on the spin base 121. The chuck member 122 chucks the substrate W. Typically, the spin base 121 is provided with a plurality of chuck members 122.

シャフト123は、中空軸である。シャフト123は、回転軸Axに沿って鉛直方向に延びている。シャフト123の上端には、スピンベース121が結合される。基板Wは、スピンベース121の上方に載置される。 Shaft 123 is a hollow shaft. The shaft 123 extends vertically along the rotation axis Ax. A spin base 121 is coupled to the upper end of the shaft 123. The substrate W is placed above the spin base 121.

スピンベース121は、円板状であり、基板Wを水平に支持する。シャフト123は、スピンベース121の中央部から下方に延びる。電動モーター124は、シャフト123に回転力を与える。電動モーター124は、シャフト123を回転方向に回転させることにより、回転軸Axを中心に基板Wおよびスピンベース121を回転させる。ハウジング125は、シャフト123および電動モーター124を取り囲んでいる。 The spin base 121 has a disk shape and supports the substrate W horizontally. The shaft 123 extends downward from the center of the spin base 121. Electric motor 124 provides rotational force to shaft 123. The electric motor 124 rotates the substrate W and the spin base 121 about the rotation axis Ax by rotating the shaft 123 in the rotational direction. Housing 125 surrounds shaft 123 and electric motor 124.

リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。典型的には、リンス液供給部130は、基板Wの上面Waにリンス液を供給する。リンス液を用いたリンス処理により、基板Wの上面Waに付着した薬液および不純物等を洗い流すことができる。リンス液供給部130から供給されるリンス液は、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。 The rinsing liquid supply unit 130 supplies a rinsing liquid to the substrate W. Typically, the rinse liquid supply unit 130 supplies a rinse liquid to the upper surface Wa of the substrate W. By the rinsing process using the rinsing liquid, the chemical solution, impurities, etc. attached to the upper surface Wa of the substrate W can be washed away. The rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply unit 130 includes deionized water (DIW), carbonated water, electrolyzed ionized water, ozone water, ammonia water, hydrochloric acid water with a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm), Alternatively, it may contain either reduced water (hydrogen water).

リンス液供給部130は、配管130aと、バルブ130bと、ノズル130nとを含む。ノズル130nは、基板Wの上面Waにリンス液を吐出する。ノズル130nは、配管130aに接続される。配管130aには、リンス液供給源からリンス液が供給される。バルブ130bは、配管130a内の流路を開閉する。ノズル130nは、基板Wに対して移動可能に構成されていることが好ましい。 The rinse liquid supply section 130 includes a pipe 130a, a valve 130b, and a nozzle 130n. The nozzle 130n discharges a rinse liquid onto the upper surface Wa of the substrate W. The nozzle 130n is connected to the pipe 130a. A rinsing liquid is supplied to the pipe 130a from a rinsing liquid supply source. The valve 130b opens and closes the flow path within the pipe 130a. The nozzle 130n is preferably configured to be movable relative to the substrate W.

ブラシ処理部140は、基板Wをブラシで処理する。ブラシ処理部140によって行われる処理は、スクラブ処理とも呼ばれる。ブラシ処理部140は、基板Wの上面Waに当接して基板Wをブラシで洗浄する。典型的には、ブラシ処理部140が基板Wをブラシで洗浄する期間において、リンス液供給部130が基板Wの上面Waにリンス液を供給する。 The brush processing unit 140 processes the substrate W with a brush. The processing performed by the brush processing section 140 is also called scrub processing. The brush processing unit 140 comes into contact with the upper surface Wa of the substrate W and cleans the substrate W with a brush. Typically, during a period in which the brush processing section 140 cleans the substrate W with a brush, the rinsing liquid supply section 130 supplies a rinsing liquid to the upper surface Wa of the substrate W.

ブラシ処理部140は、ブラシ142と、ホルダ144と、アーム146と、移動部148とを備える。ブラシ142は、ホルダ144に保持される。ホルダ144は、アーム146に取り付けられる。移動部148は、アーム146を移動させる。 The brush processing section 140 includes a brush 142, a holder 144, an arm 146, and a moving section 148. Brush 142 is held in holder 144. Holder 144 is attached to arm 146. The moving unit 148 moves the arm 146.

ブラシ142は、基板Wを洗浄する。ここでは、ブラシ142は、基板Wの上面Waを洗浄する。例えば、ブラシ142は、多孔質物質から構成される。ブラシ142は、スポンジ状であってもよい。また、ブラシ142は、比較的固い樹脂から構成されてもよい。一例では、ブラシ142は、ポリビニルアルコール(polyvinyl alcohol:PVA)から構成される。または、ブラシ142は、複数の部材を組み合わせて構成されてもよい。 The brush 142 cleans the substrate W. Here, the brush 142 cleans the upper surface Wa of the substrate W. For example, brush 142 is constructed from a porous material. Brush 142 may be spongy. Further, the brush 142 may be made of relatively hard resin. In one example, brush 142 is constructed from polyvinyl alcohol (PVA). Alternatively, the brush 142 may be configured by combining a plurality of members.

あるいは、ブラシ142は、複数の毛を備えてもよい。 Alternatively, brush 142 may include multiple bristles.

例えば、ブラシ142は、疎水性であってもよい。または、ブラシ142は、半疎水性であってもよい。あるいは、ブラシ142は、親水性であってもよい。なお、ブラシ142が疎水性または半疎水性であることにより、ブラシ処理をリンス液の供給とともに行っても、ブラシ142が大きく変形することを抑制できる。 For example, brush 142 may be hydrophobic. Alternatively, brush 142 may be semi-hydrophobic. Alternatively, brush 142 may be hydrophilic. In addition, since the brush 142 is hydrophobic or semi-hydrophobic, it is possible to suppress the brush 142 from being significantly deformed even if the brush treatment is performed together with the supply of the rinsing liquid.

ブラシ142の全体形状は、任意の形状であってもよい。例えば、ブラシ142は、円柱形状であってもよい。または、ブラシ142は、円筒形状であってもよい。あるいは、ブラシ142は、薄型の十字形状であってもよい。 The overall shape of the brush 142 may be any shape. For example, the brush 142 may have a cylindrical shape. Alternatively, the brush 142 may have a cylindrical shape. Alternatively, the brush 142 may have a thin cross shape.

ホルダ144は、ブラシ142を保持する。ブラシ142は、ホルダ144に取り付けられる。ホルダ144は、アーム146の先端に取り付けられる。 Holder 144 holds brush 142. Brush 142 is attached to holder 144. Holder 144 is attached to the tip of arm 146.

アーム146は、ケース146aと、支持軸146bと、押圧部146cとを含む。支持軸146bは、ケース146aからZ軸方向下方に突出する。支持軸146bの一部は、ケース146a内に収容される。支持軸146bの先端にホルダ144が取り付けられる。 Arm 146 includes a case 146a, a support shaft 146b, and a pressing portion 146c. The support shaft 146b projects downward in the Z-axis direction from the case 146a. A portion of the support shaft 146b is housed within the case 146a. A holder 144 is attached to the tip of the support shaft 146b.

押圧部146cは、ケース146a内に収容される。押圧部146cは、支持軸146bを介してホルダ144およびブラシ142をZ軸方向下方に押圧する。このため、ブラシ142が基板Wに当接した状態で押圧部146cがブラシ142を押圧することにより、ブラシ142は、基板Wをスクラブ処理できる。 The pressing portion 146c is housed within the case 146a. The pressing portion 146c presses the holder 144 and the brush 142 downward in the Z-axis direction via the support shaft 146b. Therefore, when the pressing part 146c presses the brush 142 while the brush 142 is in contact with the substrate W, the brush 142 can scrub the substrate W.

押圧部146cは、支持軸146bをZ軸方向に沿って上下移動させるアクチュエータを含む。例えば、押圧部146cは、エアシリンダを含む。 The pressing portion 146c includes an actuator that moves the support shaft 146b up and down along the Z-axis direction. For example, the pressing portion 146c includes an air cylinder.

移動部148は、アーム146を移動させる。移動部148により、ブラシ142は、基板Wに当接する基板当接位置と、基板Wから離れた退避位置との間を移動する。ブラシ含有液調整部150は、退避位置に配置される。移動部148により、ブラシ142は、基板Wの上面Waからブラシ含有液調整部150にまで移動する。ブラシ142は、ブラシ含有液調整部150において含有液の量を調整される。なお、ブラシ142は、ブラシ含有液調整部150において洗浄されてもよい。また、移動部148により、ブラシ142は、ブラシ含有液調整部150の配置された退避位置から基板Wの上面Waにまで移動する。 The moving unit 148 moves the arm 146. The moving unit 148 moves the brush 142 between a substrate abutting position where the brush 142 abuts the substrate W and a retracted position away from the substrate W. The brush-containing liquid adjusting section 150 is arranged at the retracted position. The moving unit 148 moves the brush 142 from the upper surface Wa of the substrate W to the brush-containing liquid adjusting unit 150. The amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in a brush-contained liquid adjusting section 150. Note that the brush 142 may be cleaned in the brush-containing liquid adjusting section 150. Further, the moving unit 148 moves the brush 142 from the retreated position where the brush-containing liquid adjusting unit 150 is arranged to the upper surface Wa of the substrate W.

移動部148は、アーム146を水平方向に移動させる水平移動部148aと、アーム146を鉛直方向に移動させる鉛直移動部148bとを含む。水平移動部148aは、アーム146をXY平面内のいずれかの方向に移動させる。また、鉛直移動部148bは、アーム146をZ軸方向に移動させる。 The moving section 148 includes a horizontal moving section 148a that moves the arm 146 in the horizontal direction, and a vertical moving section 148b that moves the arm 146 in the vertical direction. The horizontal moving unit 148a moves the arm 146 in any direction within the XY plane. Further, the vertical moving section 148b moves the arm 146 in the Z-axis direction.

ブラシ含有液調整部150は、ブラシ142に含有される液体の量を調整する。ブラシ含有液調整部150は、ブラシ142の退避位置に配置される。 The brush-containing liquid adjusting section 150 adjusts the amount of liquid contained in the brush 142. The brush-containing liquid adjusting section 150 is arranged at the retracted position of the brush 142.

ブラシ含有液調整部150は、容器152と、気体流通部154とを含む。容器152には、洗浄液が貯留される。気体流通部154は、容器152内にブラシ142を密閉した状態で容器152内の気圧を変化させる。これにより、ブラシ142に洗浄液を充分に浸透させることができ、ブラシ142に含有される液体の量を調整できる。 Brush-containing liquid adjustment section 150 includes a container 152 and a gas flow section 154. A cleaning liquid is stored in the container 152. The gas flow section 154 changes the air pressure inside the container 152 with the brush 142 sealed inside the container 152. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently permeated into the brush 142, and the amount of liquid contained in the brush 142 can be adjusted.

例えば、洗浄液は、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。 For example, the cleaning liquid may be deionized water (DIW), carbonated water, electrolyzed ionized water, ozone water, ammonia water, hydrochloric acid water at a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm), or reduced water (hydrogen water). It may also include any of the following.

また、洗浄液は、いわゆる薬液であってもよい。例えば、洗浄液は、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)を含んでもよい。または、洗浄液は、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を含んでもよい。 Further, the cleaning liquid may be a so-called chemical liquid. For example, the cleaning liquid may include SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixture). Alternatively, the cleaning liquid may contain an organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide).

なお、洗浄液は、リンス液供給部130において供給されるリンス液と同じものであってもよい。あるいは、洗浄液は、リンス液供給部130において供給されるリンス液と異なるものであってもよい。 Note that the cleaning liquid may be the same as the rinsing liquid supplied by the rinsing liquid supply section 130. Alternatively, the cleaning liquid may be different from the rinsing liquid supplied by the rinsing liquid supply section 130.

容器152は、有底の筒形状である。容器152は、内部に洗浄液を貯留する。 The container 152 has a cylindrical shape with a bottom. Container 152 stores cleaning liquid therein.

容器152には、ブラシ142が収容される。容器152には、ブラシ142とともにホルダ144も収容されてもよい。容器152は、密閉状態でブラシ142を収容する。容器152は、ブラシ処理部140のアーム146と当接して密閉状態を形成してもよい。 The brush 142 is housed in the container 152. The holder 144 may also be accommodated in the container 152 along with the brush 142. Container 152 accommodates brush 142 in a sealed state. The container 152 may be in contact with the arm 146 of the brush processing section 140 to form a sealed state.

貫通孔152pは、容器152に設けられる。貫通孔152pは、容器152の一部を貫通する。貫通孔152pは、容器152の内部と連絡する。 The through hole 152p is provided in the container 152. The through hole 152p passes through a portion of the container 152. The through hole 152p communicates with the inside of the container 152.

気体流通部154は、容器152の内部空間と連通する。気体流通部154は、密閉状態の容器152の内部と外部とを流通する。例えば、気体流通部154は、容器152内の気体を排出する。これにより、気体流通部154は、容器152内の気圧を大気圧よりも低下させる。あるいは、気体流通部154は、容器152内に気体を供給する。これにより、気体流通部154は、容器152内の気圧を大気圧よりも増加させる。 The gas flow section 154 communicates with the internal space of the container 152. The gas flow section 154 circulates between the inside and the outside of the container 152 in a closed state. For example, the gas flow section 154 exhausts the gas inside the container 152. Thereby, the gas flow section 154 lowers the pressure inside the container 152 below atmospheric pressure. Alternatively, the gas flow section 154 supplies gas into the container 152. As a result, the gas flow section 154 increases the pressure inside the container 152 above atmospheric pressure.

気体流通部154は、配管155と、バルブ156とを含む。配管155は、容器152に取り付けられる。ここでは、配管155の一端は、貫通孔152pと連絡する。バルブ156は、配管155内の流路を開閉する。 Gas flow section 154 includes piping 155 and valve 156. Piping 155 is attached to container 152. Here, one end of the pipe 155 communicates with the through hole 152p. Valve 156 opens and closes the flow path within piping 155.

基板処理装置1は、カップ180をさらに備える。カップ180は、基板Wから飛散した液体を回収する。カップ180は昇降する。例えば、カップ180は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給する期間にわたって基板Wの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ180は、基板Wの回転によって基板Wから飛散するリンス液を回収する。 The substrate processing apparatus 1 further includes a cup 180. The cup 180 collects liquid scattered from the substrate W. The cup 180 moves up and down. For example, the cup 180 rises vertically upward to the side of the substrate W over a period in which the rinsing liquid supply unit 130 supplies the rinsing liquid to the substrate W. In this case, the cup 180 collects the rinsing liquid scattered from the substrate W due to the rotation of the substrate W.

また、カップ180は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給する期間が終了すると、基板Wの側方から鉛直下方に下降する。あるいは、カップ180は、リンス液供給部130が基板Wにリンス液を供給した後のスピンドライの期間が終了すると、基板Wの側方から鉛直下方に下降する。 Further, when the period in which the rinsing liquid supply unit 130 supplies the rinsing liquid to the substrate W ends, the cup 180 descends vertically downward from the side of the substrate W. Alternatively, when the spin drying period after the rinsing liquid supply unit 130 supplies the rinsing liquid to the substrate W ends, the cup 180 descends vertically downward from the side of the substrate W.

上述したように、制御装置101は、制御部102および記憶部104を含む。制御部102は、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ処理部140、ブラシ含有液調整部150および/またはカップ180を制御する。一例では、制御部102は、電動モーター124、バルブ130b、押圧部146c、移動部148、バルブ156およびカップ180を制御する。 As described above, the control device 101 includes the control section 102 and the storage section 104. The control unit 102 controls the substrate holding unit 120, the rinsing liquid supply unit 130, the brush processing unit 140, the brush-containing liquid adjustment unit 150, and/or the cup 180. In one example, the control section 102 controls the electric motor 124, the valve 130b, the pressing section 146c, the moving section 148, the valve 156, and the cup 180.

なお、リンス液供給部130のノズル130nは移動可能であってもよい。ノズル130nは、制御部102によって制御される移動機構にしたがって水平方向および/または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略することがあることに留意されたい。 Note that the nozzle 130n of the rinse liquid supply section 130 may be movable. The nozzle 130n can be moved horizontally and/or vertically according to a movement mechanism controlled by the control unit 102. Note that in this specification, the moving mechanism may be omitted in order to avoid making the drawings excessively complex.

本実施形態の基板処理装置1は、半導体の設けられた半導体装置の作製に好適に用いられる。基板処理装置1は、半導体装置の製造時に、半導体装置の洗浄および/または加工(例えば、エッチング、特性変化等)に好適に用いられる。 The substrate processing apparatus 1 of this embodiment is suitably used for manufacturing a semiconductor device provided with a semiconductor. The substrate processing apparatus 1 is suitably used for cleaning and/or processing (for example, etching, changing characteristics, etc.) of semiconductor devices during the manufacture of semiconductor devices.

次に、図1~図3を参照して、本実施形態の基板処理システム100を説明する。図3は、基板処理システム100のブロック図である。 Next, the substrate processing system 100 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. 3 is a block diagram of the substrate processing system 100.

図3に示すように、制御装置101は、基板処理装置1の各種動作を制御する。制御装置101は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ処理部140、ブラシ含有液調整部150およびカップ180を制御する。具体的には、制御装置101は、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ処理部140およびブラシ含有液調整部150に制御信号を送信することによって、インデクサーロボットIR、センターロボットCR、基板保持部120、リンス液供給部130、ブラシ処理部140、ブラシ含有液調整部150およびカップ180を制御する。 As shown in FIG. 3, the control device 101 controls various operations of the substrate processing apparatus 1. The control device 101 controls the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holding section 120, the rinsing liquid supply section 130, the brush processing section 140, the brush containing liquid adjustment section 150, and the cup 180. Specifically, the control device 101 transmits control signals to the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holding section 120, the rinsing liquid supply section 130, the brush processing section 140, and the brush containing liquid adjustment section 150. It controls the indexer robot IR, the center robot CR, the substrate holding section 120, the rinsing liquid supply section 130, the brush processing section 140, the brush containing liquid adjustment section 150, and the cup 180.

具体的には、制御部102は、インデクサーロボットIRを制御して、インデクサーロボットIRによって基板Wを受け渡しする。 Specifically, the control unit 102 controls the indexer robot IR, and transfers the substrate W by the indexer robot IR.

制御部102は、センターロボットCRを制御して、センターロボットCRによって基板Wを受け渡しする。例えば、センターロボットCRは、未処理の基板Wを受け取って、複数のチャンバー110のうちのいずれかに基板Wを搬入する。また、センターロボットCRは、処理された基板Wをチャンバー110から受け取って、基板Wを搬出する。 The control unit 102 controls the center robot CR and delivers the substrate W by the center robot CR. For example, the central robot CR receives an unprocessed substrate W and carries the substrate W into one of the plurality of chambers 110. Moreover, the center robot CR receives the processed substrate W from the chamber 110 and carries out the substrate W.

制御部102は、基板保持部120を制御して、基板Wの回転の開始、回転速度の変更および基板Wの回転の停止を制御する。例えば、制御部102は、基板保持部120を制御して、基板保持部120の回転数を変更することができる。具体的には、制御部102は、基板保持部120の電動モーター124の回転数を変更することによって、基板Wの回転数を変更できる。 The control unit 102 controls the substrate holding unit 120 to start the rotation of the substrate W, change the rotation speed, and stop the rotation of the substrate W. For example, the control unit 102 can control the substrate holding unit 120 to change the rotation speed of the substrate holding unit 120. Specifically, the control unit 102 can change the rotation speed of the substrate W by changing the rotation speed of the electric motor 124 of the substrate holding unit 120.

制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを制御して、バルブ130bの状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを制御して、バルブ130bを開状態にすることによって、ノズル130nに向かって配管130a内を流れるリンス液を通過させることができる。また、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを制御して、バルブ130bを閉状態にすることによって、ノズル130nに向かって配管130a内を流れるリンス液の供給を停止させることができる。 The control unit 102 can control the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130 to switch the state of the valve 130b between an open state and a closed state. Specifically, the control unit 102 controls the valve 130b of the rinsing liquid supply unit 130 to open the valve 130b, thereby allowing the rinsing liquid flowing in the pipe 130a toward the nozzle 130n to pass. can. Further, the control unit 102 can stop the supply of the rinse liquid flowing in the pipe 130a toward the nozzle 130n by controlling the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130 and closing the valve 130b. .

制御部102は、押圧部146cが支持軸146bをZ軸方向に沿って移動させるように制御する。これにより、制御部102は、支持軸146bの先端に取り付けられたブラシ142を基板Wに当接させて基板Wを押圧できる。 The control unit 102 controls the pressing unit 146c to move the support shaft 146b along the Z-axis direction. Thereby, the control unit 102 can press the substrate W by bringing the brush 142 attached to the tip of the support shaft 146b into contact with the substrate W.

制御部102は、移動部148がアーム146を水平方向および/または垂直方向に移動させるように制御する。これにより、制御部102は、アーム146の先端に取り付けられたブラシ142を基板Wの上面Waで移動させることができる。また、制御部102は、アーム146の先端に取り付けられたブラシ142を基板当接位置と退避位置との間で移動させることができる。 The control unit 102 controls the moving unit 148 to move the arm 146 in the horizontal direction and/or the vertical direction. Thereby, the control unit 102 can move the brush 142 attached to the tip of the arm 146 on the upper surface Wa of the substrate W. Further, the control unit 102 can move the brush 142 attached to the tip of the arm 146 between the substrate contact position and the retreat position.

また、制御部102は、ブラシ含有液調整部150のバルブ156を制御して、バルブ156の状態を開状態と閉状態とに切り替えることができる。具体的には、制御部102は、ブラシ含有液調整部150のバルブ156を制御して、バルブ156を開状態にすることによって、配管155内に気体を流通させることができる。また、制御部102は、ブラシ含有液調整部150のバルブ156を制御して、バルブ156を閉状態にすることによって、配管155内の気体の流通を停止させることができる。 Further, the control unit 102 can control the valve 156 of the brush-containing liquid adjustment unit 150 to switch the state of the valve 156 between an open state and a closed state. Specifically, the control unit 102 can cause gas to flow through the pipe 155 by controlling the valve 156 of the brush-containing liquid adjusting unit 150 and opening the valve 156. Further, the control unit 102 can stop the flow of gas in the pipe 155 by controlling the valve 156 of the brush-containing liquid adjusting unit 150 to close the valve 156.

また、制御部102は、カップ180を移動できる。具体的には、制御部102は、カップ180を制御して、カップ180を鉛直方向に上昇させることによって、カップ180の位置を基板保持部120の側方に移動できる。一方、制御部102は、カップ180を制御して、カップ180を鉛直方向に下降させることによって、カップ180の位置を退避位置に移動することができる。 Further, the control unit 102 can move the cup 180. Specifically, the control unit 102 can move the position of the cup 180 to the side of the substrate holding unit 120 by controlling the cup 180 and raising the cup 180 in the vertical direction. On the other hand, the control unit 102 can move the cup 180 to the retracted position by controlling the cup 180 and lowering the cup 180 in the vertical direction.

本実施形態の基板処理装置1は、半導体装置を作製するために好適に用いられる。例えば、基板処理装置1は、半導体装置として用いられる基板Wを処理するために好適に利用される。 The substrate processing apparatus 1 of this embodiment is suitably used for manufacturing semiconductor devices. For example, the substrate processing apparatus 1 is suitably used to process a substrate W used as a semiconductor device.

次に、図1~図4を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図4は、ブラシ含有液調整部150の模式図である。 Next, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be explained with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 4 is a schematic diagram of the brush-containing liquid adjusting section 150.

図4に示すように、ブラシ含有液調整部150は、容器152と、気体流通部154とを備える。容器152は、内部空間ISを規定する。内部空間ISの大部分は、容器152に囲まれるが、内部空間ISは、容器152の上方から外部と連絡する。 As shown in FIG. 4, the brush-containing liquid adjustment section 150 includes a container 152 and a gas circulation section 154. Container 152 defines an interior space IS. Most of the interior space IS is surrounded by the container 152, but the interior space IS communicates with the outside from above the container 152.

容器152は、底部152aと、側部152bと、上部152cとを含む。底部152aは、水平方向に延びる。側部152bは、底部152aの端部から鉛直上方(Z軸方向)に延びる。上部152cは、側部152bの上端から水平方向に延びる。なお、上部152cには、開口部152dが設けられる。内部空間ISは、底部152aと、側部152bと、上部152cとによって囲まれる。容器152の内部空間IS内に、洗浄液Lwが貯留される。 Container 152 includes a bottom 152a, side 152b, and top 152c. The bottom portion 152a extends horizontally. The side portion 152b extends vertically upward (in the Z-axis direction) from the end of the bottom portion 152a. The upper portion 152c extends horizontally from the upper end of the side portion 152b. Note that an opening 152d is provided in the upper portion 152c. Internal space IS is surrounded by bottom 152a, side 152b, and top 152c. The cleaning liquid Lw is stored in the internal space IS of the container 152.

ここでは、容器152には、貫通孔152pが設けられる。一例では、貫通孔152pは、側部152bに設けられる。このため、容器152の内部と外部とは、側部152bの貫通孔152pを介して連絡する。 Here, the container 152 is provided with a through hole 152p. In one example, the through hole 152p is provided in the side portion 152b. Therefore, the inside and outside of the container 152 communicate with each other via the through hole 152p in the side portion 152b.

例えば、洗浄液Lwは、脱イオン水(Deionized Water:DIW)、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度(例えば、10ppm~100ppm程度)の塩酸水、または、還元水(水素水)のいずれかを含んでもよい。 For example, the cleaning liquid Lw may be deionized water (DIW), carbonated water, electrolyzed ionized water, ozone water, ammonia water, hydrochloric acid water with a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm), or reduced water (hydrogen water). ).

また、洗浄液Lwは、いわゆる薬液であってもよい。例えば、洗浄液Lwは、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)を含んでもよい。または、洗浄液Lwは、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を含んでもよい。 Further, the cleaning liquid Lw may be a so-called chemical liquid. For example, the cleaning liquid Lw may include SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixture). Alternatively, the cleaning liquid Lw may contain an organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide).

貫通孔152pは、容器152に設けられる。貫通孔152pは、容器152の一部を貫通する。貫通孔152pは、容器152の内部と連絡する。 The through hole 152p is provided in the container 152. The through hole 152p passes through a portion of the container 152. The through hole 152p communicates with the inside of the container 152.

容器152は、洗浄液Lwを貯留する。なお、貫通孔152pは、洗浄液Lwの上限よりも高い位置に配置される。後述するように、洗浄液Lwにはブラシ142が浸漬されるが、貫通孔152pは、ブラシ142の浸漬された洗浄液Lwの上限よりも高い位置に配置される。 Container 152 stores cleaning liquid Lw. Note that the through hole 152p is arranged at a position higher than the upper limit of the cleaning liquid Lw. As described later, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw, and the through hole 152p is arranged at a position higher than the upper limit of the cleaning liquid Lw in which the brush 142 is immersed.

気体流通部154は、容器152の内部空間ISと連通しており、容器152の内部空間ISの気体を流通する。例えば、気体流通部154は、容器152の内部の気体を容器152の外部に流出する。あるいは、気体流通部154は、容器152の外部の気体を容器152の内部に流入する。 The gas flow section 154 communicates with the internal space IS of the container 152, and allows the gas in the internal space IS of the container 152 to flow therethrough. For example, the gas flow section 154 causes the gas inside the container 152 to flow out of the container 152. Alternatively, the gas flow section 154 allows gas from outside the container 152 to flow into the inside of the container 152.

気体流通部154は、配管155と、バルブ156とを含む。配管155は、容器152に取り付けられる。ここでは、配管155の一端は、貫通孔152pと連絡する。また、配管155の他端は、気圧調整源160に接続される。 Gas flow section 154 includes piping 155 and valve 156. Piping 155 is attached to container 152. Here, one end of the pipe 155 communicates with the through hole 152p. Further, the other end of the pipe 155 is connected to an air pressure adjustment source 160.

気圧調整源160は、配管155内の気体を排出するか、または、配管155に気体を供給する。例えば、気圧調整源160は、気体を排出する排気装置であってもよい。あるいは、気圧調整源160は、気体を供給する気体供給装置であってもよい。例えば、気圧調整源160は、図1に示した流体キャビネット100Aまたは流体ボックス100Bに配置されてもよい。バルブ156は、配管155内の流路を開閉する。 The atmospheric pressure adjustment source 160 exhausts the gas in the pipe 155 or supplies gas to the pipe 155. For example, the air pressure adjustment source 160 may be an exhaust device that exhausts gas. Alternatively, the atmospheric pressure adjustment source 160 may be a gas supply device that supplies gas. For example, the air pressure adjustment source 160 may be located in the fluid cabinet 100A or the fluid box 100B shown in FIG. Valve 156 opens and closes the flow path within piping 155.

上述したように、気圧調整源160は、排気装置であってもよい。この場合、気圧調整源160は、容器152内の気体を排出する。 As mentioned above, the air pressure adjustment source 160 may be an exhaust device. In this case, the air pressure adjustment source 160 exhausts the gas within the container 152.

次に、図5を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図5は、ブラシ含有液調整部150の模式図である。図5のブラシ含有液調整部150は、気体流通部154が、排気部154aと開放部154bとを備える点を除き、図4を参照して上述したブラシ含有液調整部150と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 5, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 5 is a schematic diagram of the brush-containing liquid adjusting section 150. The brush-containing liquid adjusting section 150 in FIG. 5 has the same configuration as the brush-containing liquid adjusting section 150 described above with reference to FIG. 4, except that the gas flow section 154 includes an exhaust section 154a and an opening section 154b. have. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

容器152には、貫通孔152p1および貫通孔152p2が設けられる。ここでは、貫通孔152p1および貫通孔152p2は、容器152の側部152bに設けられる。このため、容器152の内部と外部とは、側部152bの貫通孔152p1および貫通孔152p2を介して連絡する。 The container 152 is provided with a through hole 152p1 and a through hole 152p2. Here, the through hole 152p1 and the through hole 152p2 are provided in the side portion 152b of the container 152. Therefore, the inside and outside of the container 152 communicate with each other via the through hole 152p1 and the through hole 152p2 in the side portion 152b.

容器152は、洗浄液Lwを貯留する。なお、貫通孔152p1および貫通孔152p2は、洗浄液Lwの上限よりも高い位置に配置される。後述するように、洗浄液Lwにはブラシ142が浸漬されるが、貫通孔152p1および貫通孔152p2は、ブラシ142の浸漬された洗浄液Lwの上限よりも高い位置に配置される。 Container 152 stores cleaning liquid Lw. Note that the through hole 152p1 and the through hole 152p2 are arranged at a position higher than the upper limit of the cleaning liquid Lw. As described later, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw, and the through hole 152p1 and the through hole 152p2 are arranged at a position higher than the upper limit of the cleaning liquid Lw in which the brush 142 is immersed.

気体流通部154は、排気部154aと、開放部154bとを備える。排気部154aは、容器152内の気体を排出する。また、開放部154bは、容器152の内部を大気に開放し、容器152の内部の圧力を大気圧に戻す。 The gas flow section 154 includes an exhaust section 154a and an open section 154b. The exhaust section 154a exhausts the gas inside the container 152. Further, the opening portion 154b opens the inside of the container 152 to the atmosphere, and returns the pressure inside the container 152 to atmospheric pressure.

排気部154aは、排気配管155aと、排気バルブ156aとを含む。ここでは、排気配管155aの一端は、貫通孔152p1と連絡しており、排気配管155aの他端は、排気装置162に接続する。例えば、排気装置162は、図1に示した流体キャビネット100Aまたは流体ボックス100Bに配置されてもよい。 The exhaust section 154a includes an exhaust pipe 155a and an exhaust valve 156a. Here, one end of the exhaust pipe 155a communicates with the through hole 152p1, and the other end of the exhaust pipe 155a connects to the exhaust device 162. For example, exhaust device 162 may be placed in fluid cabinet 100A or fluid box 100B shown in FIG.

排気バルブ156aは、排気配管155aに取り付けられる。排気バルブ156aは、排気配管155a内の流路を開閉する。 The exhaust valve 156a is attached to the exhaust pipe 155a. The exhaust valve 156a opens and closes the flow path within the exhaust pipe 155a.

開放部154bは、開放配管155bと、開放バルブ156bとを含む。ここでは、開放配管155bの一端は、貫通孔152p2と連絡しており、開放配管155bの他端は、大気に開放される。 The open portion 154b includes an open pipe 155b and a release valve 156b. Here, one end of the open pipe 155b communicates with the through hole 152p2, and the other end of the open pipe 155b is open to the atmosphere.

開放バルブ156bは、開放配管155bに取り付けられる。開放バルブ156bは、開放配管155b内の流路を開閉する。 The release valve 156b is attached to the release pipe 155b. The open valve 156b opens and closes the flow path within the open pipe 155b.

次に、図1~図3、図5および図6を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150によるブラシ142の含有液量の調整を説明する。図6(a)~図6(e)は、本実施形態の基板処理装置1によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。 Next, with reference to FIGS. 1 to 3, FIG. 5, and FIG. 6, the adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 by the brush contained liquid adjustment section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIGS. 6(a) to 6(e) are schematic diagrams showing the flow of the brush-containing liquid adjustment process by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment.

図5および図6(a)に示すように、容器152の内部空間ISには、洗浄液Lwが貯留される。排気配管155aの一端は、容器152の貫通孔152p1に連結されており、排気配管155aの他端は、排気装置162に接続されている。また、開放配管155bの一端は、容器152の貫通孔152p2に連結されており、開放配管155bの他端は、大気に開放される。 As shown in FIGS. 5 and 6(a), the cleaning liquid Lw is stored in the internal space IS of the container 152. One end of the exhaust pipe 155a is connected to the through hole 152p1 of the container 152, and the other end of the exhaust pipe 155a is connected to the exhaust device 162. Further, one end of the open pipe 155b is connected to the through hole 152p2 of the container 152, and the other end of the open pipe 155b is opened to the atmosphere.

なお、図6(a)に示すように、容器152には、圧力計152mが取り付けられることが好ましい。圧力計152mは、容器152内の気圧を計測する。制御部102(図1、図2参照)は、容器152内の気圧の計測結果に基づいて、制御を行ってもよい。図6(a)に示した状態では、圧力計152mは、大気圧を示す。 Note that, as shown in FIG. 6(a), it is preferable that a pressure gauge 152m is attached to the container 152. The pressure gauge 152m measures the atmospheric pressure inside the container 152. The control unit 102 (see FIGS. 1 and 2) may perform control based on the measurement result of the atmospheric pressure inside the container 152. In the state shown in FIG. 6(a), the pressure gauge 152m indicates atmospheric pressure.

図6(b)に示すように、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dを通過するようにアーム146を移動させる。その後、容器152の開口部152dは、アーム146によって塞がれる。これにより、ブラシ142は、容器152内において洗浄液Lwに浸漬され、容器152は、ブラシ142を収容した状態で密閉される。 As shown in FIG. 6(b), the arm 146 is moved so that the brush 142 and holder 144 pass through the opening 152d of the container 152. Thereafter, the opening 152d of the container 152 is closed by the arm 146. As a result, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw in the container 152, and the container 152 is sealed with the brush 142 accommodated therein.

図6(c)に示すように、排気部154aは、容器152内の気体を排出する。例えば、制御部102は、開放バルブ156bを閉状態にする一方で排気バルブ156aを開状態にすることにより、容器152の気体を排出する。 As shown in FIG. 6(c), the exhaust section 154a exhausts the gas inside the container 152. For example, the control unit 102 discharges the gas from the container 152 by closing the open valve 156b and opening the exhaust valve 156a.

ブラシ142は洗浄液Lwに浸漬しているが、ブラシ142の内部には微細な気泡が保持されている。排気部154aが容器152内の気体を排出すると、容器152内の気圧が低下する。例えば、容器152内の気圧は、大気圧から10kPa以上300kPa以下の範囲で低くなる。容器152内の気圧の低下により、微細な気泡がブラシ142の内部から洗浄液Lwに現れる。 Although the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw, fine air bubbles are retained inside the brush 142. When the exhaust section 154a exhausts the gas inside the container 152, the air pressure inside the container 152 decreases. For example, the atmospheric pressure within the container 152 decreases from atmospheric pressure to a range of 10 kPa or more and 300 kPa or less. Due to the decrease in the air pressure inside the container 152, fine air bubbles appear in the cleaning liquid Lw from inside the brush 142.

図6(d)に示すように、開放部154bは、容器152を大気に開放する。これにより、容器152には気体(大気)が流入する。例えば、制御部102は、排気バルブ156aを閉状態にする一方で開放バルブ156bを開状態にすることにより、容器152に気体が流入して容器152の圧力は大気圧まで上昇する。 As shown in FIG. 6(d), the opening portion 154b opens the container 152 to the atmosphere. As a result, gas (atmosphere) flows into the container 152. For example, the control unit 102 closes the exhaust valve 156a and opens the open valve 156b, so that gas flows into the container 152 and the pressure in the container 152 increases to atmospheric pressure.

上述したように、ブラシ142の内部にあった微細な気泡はブラシ142から外部に逃げ出している。このため、開放部154bが容器152の内部を大気に開放すると、洗浄液Lwはブラシ142の内部にまで充分に浸透できる。 As described above, the fine air bubbles inside the brush 142 escape from the brush 142 to the outside. Therefore, when the opening part 154b opens the inside of the container 152 to the atmosphere, the cleaning liquid Lw can sufficiently penetrate into the inside of the brush 142.

図6(e)に示すように、アーム146が容器152の開口部152dから離れるように移動することで、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dから離れる。その後、ブラシ142は、ブラシ処理に用いられる。以上のようにしてブラシ含有液調整部150においてブラシ142に含有される液体の量が調整される。 As shown in FIG. 6E, the brush 142 and holder 144 move away from the opening 152d of the container 152 by moving the arm 146 away from the opening 152d of the container 152. Brush 142 is then used for brushing. As described above, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in the brush containing liquid adjusting section 150.

本実施形態によれば、ブラシ142を収容した容器152内をいったん減圧した後で開放しているため、ブラシ142は内部から気泡を吐き出すことになり、ブラシ142内部に洗浄液Lwを浸透できる。このため、短期間でブラシ142に洗浄液Lwを浸透でき、ブラシ142の浸漬時間が短くてもブラシ142に洗浄液Lwを効率的に浸透させることができる。 According to this embodiment, since the pressure inside the container 152 housing the brush 142 is once reduced and then opened, the brush 142 expels air bubbles from inside, allowing the cleaning liquid Lw to permeate inside the brush 142. Therefore, the cleaning liquid Lw can be permeated into the brush 142 in a short period of time, and even if the immersion time of the brush 142 is short, the cleaning liquid Lw can be efficiently permeated into the brush 142.

例えば、ブラシ142が適切な高度を保ちつつ形状を維持する観点から、ブラシ142が疎水性または半疎水性の樹脂から構成されることがある。この場合でも、本実施形態によれば、短期間でブラシ142に洗浄液Lwを浸透させてブラシ142を最大限膨張できる。このため、ブラシ処理の前の準備期間を短縮できる。 For example, in order to maintain the shape of the brush 142 while maintaining an appropriate height, the brush 142 may be made of hydrophobic or semi-hydrophobic resin. Even in this case, according to the present embodiment, the brush 142 can be expanded to the maximum extent by allowing the cleaning liquid Lw to penetrate into the brush 142 in a short period of time. Therefore, the preparation period before brushing can be shortened.

なお、図5および図6に示したブラシ含有液調整部150では、排気部154aは容器152の貫通孔152p1を介して排気を行い、開放部154bは容器152の貫通孔152p2を介して開放を行ったが、本実施形態はこれに限定されない。容器152に設けられる貫通孔152pは1つでもよい。例えば、排気部154aおよび開放部154bは、容器152の1つの貫通孔152pを介して排気および開放をそれぞれ行ってもよい。例えば、排気配管155aのうちの貫通孔152p1と排気バルブ156aとの間と、開放配管155bのうちの貫通孔152p2と開放バルブ156bとの間とが連結しており、連結部分が1つの貫通孔と連絡してもよい。 In the brush-containing liquid adjusting section 150 shown in FIG. 5 and FIG. However, this embodiment is not limited to this. The number of through holes 152p provided in the container 152 may be one. For example, the exhaust section 154a and the opening section 154b may perform exhaustion and opening through one through hole 152p of the container 152, respectively. For example, the through hole 152p1 of the exhaust pipe 155a and the exhaust valve 156a are connected, and the through hole 152p2 of the open pipe 155b and the open valve 156b are connected, and the connected portion is one through hole. You may also contact.

次に、図1~図7を参照して、本実施形態の基板処理装置1による基板処理を説明する。図7は、基板処理装置1による基板処理のフロー図である。 Next, substrate processing by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG. 7 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG.

図7に示すように、ステップS110において、基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態にする。 As shown in FIG. 7, in step S110, a rinsing liquid is supplied to the substrate W. The rinsing liquid supply unit 130 supplies a rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130.

ステップS110Aにおいて、基板Wをブラシ処理する。典型的には、ブラシ処理部140は、ブラシ142で基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態に維持したまま、移動部148にアーム146を移動させて、押圧部146cにブラシ142を基板Wに押圧させる。 In step S110A, the substrate W is brushed. Typically, the brush processing unit 140 performs brush processing on the upper surface Wa of the substrate W using the brush 142. At this time, the rinsing liquid supply unit 130 supplies the rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 causes the moving unit 148 to move the arm 146 while keeping the valve 130b of the rinsing liquid supply unit 130 open, and causes the pressing unit 146c to press the brush 142 against the substrate W.

ステップS110Aのブラシ処理前に、ブラシ142は、ブラシ含有液調整部150においてブラシ142に含有される液体の量が調整されてもよい。ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wにリンス液を供給する前に行われてもよい。例えば、ブラシ142の含有液量の調整は、ステップS110における基板Wに対するリンス液の供給が完了する直前に終了してもよい。 Before the brush processing in step S110A, the amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted in the brush-containing liquid adjusting section 150. The amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted before supplying the rinse liquid to the substrate W. For example, the adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 may be completed immediately before the supply of the rinsing liquid to the substrate W in step S110 is completed.

ステップS120において、基板Wをスピンドライする。スピンドライする際に、基板の回転速度をブラシ処理のときの基板Wの回転速度よりも増加させる。これにより、基板Wのリンス液および洗浄液Lwを乾燥させる。以上のようにして、基板Wを洗浄処理できる。 In step S120, the substrate W is spin-dried. During spin drying, the rotational speed of the substrate is increased more than the rotational speed of the substrate W during brush processing. This dries the rinsing liquid and cleaning liquid Lw for the substrate W. In the manner described above, the substrate W can be cleaned.

例えば、ブラシ142は、ブラシ処理の後で、ブラシ含有液調整部150において含有される液体の量が調整されてもよい。ブラシ142の含有液体量の調整は、スピンドライの開始前に開始されてもよい。または、ブラシ142の含有液量の調整は、次の基板Wの処理が開始されるまで開始されなくてもよい。 For example, after brush treatment, the amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted in the brush-containing liquid adjustment section 150. Adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 may be started before the start of spin drying. Alternatively, adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 may not be started until processing of the next substrate W is started.

ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wのブラシ処理以外の期間であれば、任意の期間に行われてもよい。例えば、ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wをブラシ処理する前に行われてもよい。または、ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wをブラシ処理した後に行われてもよい。あるいは、ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wの処理枚数、ブラシ142の使用時間、ブラシ142の直前の含有液量の調整してからの経過時間、および/または、基板処理装置1のアイドリング時間に応じて行われてもよい。 Adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 may be performed during any period other than when the substrate W is being brushed. For example, the amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted before brushing the substrate W. Alternatively, the amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted after brushing the substrate W. Alternatively, the amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted based on the number of substrates W processed, the usage time of the brush 142, the elapsed time since the amount of liquid contained immediately before the brush 142 was adjusted, and/or the amount of liquid contained in the substrate processing apparatus 1. It may be performed depending on the idling time.

ブラシ含有液調整部150におけるブラシ142の含有液量の調整では、ブラシ含有液調整部150における減圧の度合い、含有液量の調整に要する時間などを、ブラシ142の材質に応じて最適な値に設定してもよい。例えば、ブラシの材質が疎水性を呈する場合には、ブラシの材質が親水性である場合に比べてブラシの凹凸部へ水分が浸透しにくい。そこで、ブラシの材質が疎水性である場合にはブラシ含有液調整部150において強く減圧し、ブラシの材質が親水性である場合には弱い減圧としてもよい。圧力を低い値に減圧するには、ポンプの電力を多大に消費し、かつ目標の減圧値に達するまでの時間が長くかかることを鑑みると、ブラシの凹凸部に含有液が浸透しにくい場合に限り、ブラシ含有液調整部150において強く減圧することにより、含有液量の調整に要する時間を短縮することができる。 In adjusting the amount of liquid contained in the brush 142 in the brush contained liquid adjusting section 150, the degree of pressure reduction in the brush containing liquid adjusting section 150, the time required for adjusting the amount of contained liquid, etc. are set to optimal values according to the material of the brush 142. May be set. For example, when the material of the brush is hydrophobic, water is less likely to penetrate into the uneven portions of the brush than when the material of the brush is hydrophilic. Therefore, when the material of the brush is hydrophobic, the pressure may be strongly reduced in the brush-containing liquid adjusting section 150, and when the material of the brush is hydrophilic, the pressure may be reduced weakly. Considering that reducing the pressure to a low value consumes a large amount of pump power and takes a long time to reach the target pressure reduction value, it is necessary to As far as possible, by strongly reducing the pressure in the brush containing liquid adjusting section 150, the time required to adjust the amount of containing liquid can be shortened.

なお、図7を参照して上述した説明では、ステップS110Aのブラシ処理は、ステップS110のリンス液供給の後に行われたが、本実施形態はこれに限定されない。ステップS110Aのブラシ処理は、ステップS110のリンス液供給と同時に行われてもよい。あるいは、ステップS110Aのブラシ処理は、ステップS110のリンス液供給なしで行われてもよい。例えば、ブラシ142の洗浄液Lwとしてリンス液を用いる場合、ブラシ142は、浸漬された洗浄液Lwを用いてリンス液とともにブラシ処理できる。 In addition, in the explanation mentioned above with reference to FIG. 7, the brushing process of step S110A was performed after the rinsing liquid supply of step S110, but this embodiment is not limited to this. The brushing process in step S110A may be performed at the same time as the rinsing liquid supply in step S110. Alternatively, the brushing process in step S110A may be performed without supplying the rinsing liquid in step S110. For example, when a rinsing liquid is used as the cleaning liquid Lw for the brush 142, the brush 142 can be brushed together with the rinsing liquid using the immersed cleaning liquid Lw.

図5および図6を参照して上述した説明では、気体流通部154は、排気部154aおよび開放部154bを備えており、容器152内の気圧は、大気圧以下の範囲内で変化したが、本実施形態はこれに限定されない。容器152内の気圧は、大気圧以上の範囲にも変化してもよい。 In the description given above with reference to FIGS. 5 and 6, the gas flow section 154 includes the exhaust section 154a and the opening section 154b, and the atmospheric pressure inside the container 152 changes within a range of atmospheric pressure or lower. This embodiment is not limited to this. The air pressure within the container 152 may vary to a range above atmospheric pressure.

次に、図1~図3および図8を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図8は、ブラシ含有液調整部150の模式図である。図8のブラシ含有液調整部150は、気体流通部154が吸気部154cをさらに備える点を除き、図5を参照して上述したブラシ含有液調整部150と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be explained with reference to FIGS. 1 to 3 and FIG. 8. FIG. 8 is a schematic diagram of the brush-containing liquid adjusting section 150. The brush-containing liquid adjusting section 150 in FIG. 8 has the same configuration as the brush-containing liquid adjusting section 150 described above with reference to FIG. 5, except that the gas flow section 154 further includes an intake section 154c. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図8に示すように、ブラシ含有液調整部150において、気体流通部154は、排気部154aおよび開放部154bに加えて吸気部154cをさらに含む。吸気部154cは、容器152内の気圧を大気圧よりも高くなるように変化できる。 As shown in FIG. 8, in the brush-containing liquid adjustment section 150, the gas flow section 154 further includes an intake section 154c in addition to the exhaust section 154a and the open section 154b. The air intake part 154c can change the pressure inside the container 152 to be higher than atmospheric pressure.

容器152には、貫通孔152p1および貫通孔152p2に加えて貫通孔152p3が設けられる。ここでは、貫通孔152p3も、容器152の側部152bに設けられる。このため、容器152の内部と外部とは、側部152bの貫通孔152p3を介して連絡する。 The container 152 is provided with a through hole 152p3 in addition to the through hole 152p1 and the through hole 152p2. Here, the through hole 152p3 is also provided in the side portion 152b of the container 152. Therefore, the inside and outside of the container 152 communicate with each other via the through hole 152p3 in the side portion 152b.

吸気部154cは、吸気配管155cと、吸気バルブ156cとを含む。吸気配管155cには、吸気バルブ156cが取り付けられる。ここでは、吸気配管155cの一端は、貫通孔152p3と連絡しており、吸気配管155cの他端は、気体供給装置164に接続する。気体供給装置164は、吸気配管155cを介して容器152の内部に気体を供給する。例えば、気体供給装置164は、容器152の内部に空気を供給する。あるいは、気体供給装置164は、不活性ガスを供給してもよい。例えば、不活性ガスは窒素を含む。なお、気体供給装置164は、図1に示した流体キャビネット100Aまたは流体ボックス100Bに配置されてもよい。吸気バルブ156cは、吸気配管155c内の流路を開閉する。 The intake section 154c includes an intake pipe 155c and an intake valve 156c. An intake valve 156c is attached to the intake pipe 155c. Here, one end of the intake pipe 155c is in communication with the through hole 152p3, and the other end of the intake pipe 155c is connected to the gas supply device 164. The gas supply device 164 supplies gas to the inside of the container 152 via the intake pipe 155c. For example, the gas supply device 164 supplies air to the interior of the container 152. Alternatively, the gas supply device 164 may supply an inert gas. For example, inert gas includes nitrogen. Note that the gas supply device 164 may be placed in the fluid cabinet 100A or the fluid box 100B shown in FIG. 1. The intake valve 156c opens and closes a flow path within the intake pipe 155c.

次に、図8および図9を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150によるブラシ含有液調整処理を説明する。図9(a)~図9(f)は、本実施形態の基板処理装置1によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。 Next, with reference to FIGS. 8 and 9, a brush-containing liquid adjustment process by the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIGS. 9(a) to 9(f) are schematic diagrams showing the flow of the brush-containing liquid adjustment process by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment.

図8および図9(a)に示すように、容器152の内部空間ISには、洗浄液Lwが貯留される。排気配管155aの一端は、容器152の貫通孔152p1に連結されており、排気配管155aの他端は、排気装置162に接続されている。開放配管155bの一端は、容器152の貫通孔152p2に連結されており、開放配管155bの他端は、大気に開放される。吸気配管155cの一端は、容器152の貫通孔152p3に連結されており、吸気配管155cの他端は、気体供給装置164に接続されている。なお、容器152には、圧力計152mが取り付けられてもよい。 As shown in FIGS. 8 and 9(a), the cleaning liquid Lw is stored in the internal space IS of the container 152. One end of the exhaust pipe 155a is connected to the through hole 152p1 of the container 152, and the other end of the exhaust pipe 155a is connected to the exhaust device 162. One end of the open pipe 155b is connected to the through hole 152p2 of the container 152, and the other end of the open pipe 155b is opened to the atmosphere. One end of the intake pipe 155c is connected to the through hole 152p3 of the container 152, and the other end of the intake pipe 155c is connected to the gas supply device 164. Note that a pressure gauge 152m may be attached to the container 152.

図9(b)に示すように、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dを通過するようにアーム146を移動させる。その後、容器152の開口部152dは、アーム146によって塞がれる。これにより、ブラシ142は、容器152内において洗浄液Lwに浸漬され、容器152は、ブラシ142を収容した状態で密閉される。 As shown in FIG. 9(b), the arm 146 is moved so that the brush 142 and holder 144 pass through the opening 152d of the container 152. Thereafter, the opening 152d of the container 152 is closed by the arm 146. As a result, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw in the container 152, and the container 152 is sealed with the brush 142 accommodated therein.

図9(c)に示すように、吸気部154cは、容器152に気体を流入させる。例えば、制御部102は、排気バルブ156aおよび開放バルブ156bを閉状態にする一方で、吸気バルブ156cを開状態にすることにより、容器152に気体が流入する。このため、容器152の気圧は増加して大気圧を超える。 As shown in FIG. 9(c), the intake section 154c allows gas to flow into the container 152. For example, the control unit 102 closes the exhaust valve 156a and the release valve 156b while opening the intake valve 156c, so that gas flows into the container 152. Therefore, the pressure in the container 152 increases to exceed atmospheric pressure.

吸気部154cが容器152内に大気圧を超える圧力の気体を流入させると、容器152内の気圧が増加する。例えば、容器152内の気圧は、大気圧から10kPa以上300kPa以下の範囲で高くなる。容器152内の気圧の増加により、洗浄液Lwはブラシ142の内部に充分に浸透する。 When the suction section 154c causes gas at a pressure exceeding atmospheric pressure to flow into the container 152, the air pressure inside the container 152 increases. For example, the pressure inside the container 152 increases from atmospheric pressure to a range of 10 kPa or more and 300 kPa or less. Due to the increase in the air pressure inside the container 152, the cleaning liquid Lw sufficiently permeates into the interior of the brush 142.

図9(d)に示すように、排気部154aは、容器152内の気体を排出する。例えば、制御部102は、開放バルブ156bおよび吸気バルブ156cを閉状態にする一方で、排気バルブ156aを開状態にすることにより、容器152内の気体を排出する。 As shown in FIG. 9(d), the exhaust section 154a exhausts the gas inside the container 152. For example, the control unit 102 closes the open valve 156b and the intake valve 156c, and opens the exhaust valve 156a, thereby exhausting the gas in the container 152.

ブラシ142の内部には微細な気泡が保持されている。排気部154aが容器152内の気体を排出すると、容器152内の気圧が低下する。例えば、例えば、容器152内の気圧は、大気圧から10kPa以上300kPa以下の範囲で低くなる。容器152内の気圧の低下により、ブラシ142の内部から微細な気泡が洗浄液Lw内に出現する。 Fine air bubbles are held inside the brush 142. When the exhaust section 154a exhausts the gas inside the container 152, the air pressure inside the container 152 decreases. For example, the atmospheric pressure within the container 152 is lower than atmospheric pressure in a range of 10 kPa or more and 300 kPa or less. Due to the decrease in the air pressure inside the container 152, fine air bubbles appear in the cleaning liquid Lw from inside the brush 142.

上述したように、排気の前の吸気により、ブラシ142の内部には洗浄液Lwが充分に浸透する。このため、排気部154aが容器152を排気すると、ブラシ142の内部にまで充分に浸透した液に付着した汚れがブラシ142から洗浄液Lwに吐き出される。 As described above, the cleaning liquid Lw sufficiently permeates into the interior of the brush 142 due to the intake air before exhaustion. Therefore, when the exhaust section 154a exhausts the container 152, dirt attached to the liquid that has sufficiently penetrated into the brush 142 is discharged from the brush 142 into the cleaning liquid Lw.

図9(e)に示すように、開放部154bは、容器152を大気に開放する。例えば、制御部102は、排気バルブ156aおよび吸気バルブ156cを閉状態にする一方で開放バルブ156bを開状態にすることにより、容器152が大気に開放される。このため、容器152内に空気が吸い込まれ、容器152の気圧は大気圧に戻る。 As shown in FIG. 9(e), the opening portion 154b opens the container 152 to the atmosphere. For example, the control unit 102 closes the exhaust valve 156a and the intake valve 156c and opens the release valve 156b, thereby opening the container 152 to the atmosphere. Therefore, air is sucked into the container 152, and the pressure in the container 152 returns to atmospheric pressure.

上述したように、排気の前には、ブラシ142の内部には微細な気泡が保持されていたが、排気により、微細な気泡はブラシ142の内部から洗浄液Lw内に逃げ出している。このため、開放部154bが容器152の内部を大気に開放すると、洗浄液Lwはブラシ142の内部にまで浸透する。 As described above, before exhaustion, fine air bubbles were retained inside the brush 142, but due to exhaustion, the fine air bubbles escaped from the inside of the brush 142 into the cleaning liquid Lw. Therefore, when the opening portion 154b opens the inside of the container 152 to the atmosphere, the cleaning liquid Lw permeates into the inside of the brush 142.

図9(f)に示すように、アーム146が容器152の開口部152dから離れるように移動することで、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dから離れる。その後、ブラシ142は、ブラシ処理に用いられる。以上のようにしてブラシ含有液調整部150においてブラシ142に含有される液体の量を毎回同程度の含有状態になるように短期間で調整できる。典型的には、ブラシ142は、ある基板Wを洗浄した後で、次の基板Wを洗浄するまでの間にブラシ含有液調整部150において含有される液体の量を調整される。 As shown in FIG. 9(f), the brush 142 and holder 144 move away from the opening 152d of the container 152 by moving the arm 146 away from the opening 152d of the container 152. Brush 142 is then used for brushing. As described above, the amount of liquid contained in the brush 142 can be adjusted in a short period of time in the brush containing liquid adjusting section 150 so that the amount of liquid contained in the brush 142 is the same every time. Typically, after cleaning a certain substrate W and before cleaning the next substrate W, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in the brush-containing liquid adjustment section 150.

なお、図9を参照して上述した説明では、吸気部154c、排気部154aおよび開放部154bの順番に容器152内の気圧を変化させたが、本実施形態は、これに限定されない。吸気部154cが容器152に気体を供給する前に、排気部154aが容器152を排気してもよい。または、吸気部154cによる気体の供給、および、排気部154aによる排気を複数回交互に繰り返した後で、開放部154bが容器152を開放してもよい。気体の供給および排気を複数繰り返すことにより、ブラシ142を充分に洗浄するとともにブラシ142に洗浄液Lwを充分に浸透できる。 In addition, in the explanation mentioned above with reference to FIG. 9, although the atmospheric pressure in the container 152 was changed in the order of the intake part 154c, the exhaust part 154a, and the opening part 154b, this embodiment is not limited to this. The exhaust section 154a may exhaust the container 152 before the intake section 154c supplies gas to the container 152. Alternatively, the opening section 154b may open the container 152 after the supply of gas by the intake section 154c and the exhaustion by the exhaust section 154a are alternately repeated multiple times. By repeating gas supply and exhaust a plurality of times, the brush 142 can be sufficiently cleaned and the cleaning liquid Lw can be sufficiently permeated into the brush 142.

なお、図1~図9を参照して上述したように、ブラシ含有液調整部150は、基板Wをブラシ処理した後であって、別の基板Wをブラシ処理する前に、ブラシ142に含有される液体の量が調整されたが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ142は、基板Wをブラシ処理する前にブラシ142に含有される液体の量が調整されてもよい。典型的には、ブラシは、消耗品であり、使用によって消耗すると新しいブラシに交換される。ブラシの交換時に新規のブラシをそのまま用いてブラシ処理を行うと、ブラシ142に含有される液体の量が少ない一方で、ブラシ洗浄処理が進むにつれ含有液量が増えていく。含有液量の変化を抑えるため、ブラシ142を使用する前に、あらかじめブラシ142の含有液量を調整しておくことが好ましい。また、ブラシ142が長時間使用されていなかった場合にも、ブラシ142に含有される液体の量が減っているため、ブラシ142を使用する前に、あらかじめブラシ142の含有液量を調整しておくことが好ましい。 Note that, as described above with reference to FIGS. 1 to 9, the brush-containing liquid adjusting unit 150 adjusts the content in the brush 142 after brushing the substrate W and before brushing another substrate W. Although the amount of liquid applied was adjusted, the present embodiment is not limited thereto. The amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted before brushing the substrate W. Typically, brushes are consumable items and are replaced with new brushes as they wear out through use. If brush treatment is performed using a new brush as is when replacing the brush, while the amount of liquid contained in the brush 142 is small, the amount of liquid contained increases as the brush cleaning process progresses. In order to suppress changes in the amount of liquid contained in the brush 142, it is preferable to adjust the amount of liquid contained in the brush 142 in advance before using the brush 142. Furthermore, even if the brush 142 has not been used for a long time, the amount of liquid contained in the brush 142 has decreased, so before using the brush 142, adjust the amount of liquid contained in the brush 142 in advance. It is preferable to leave it there.

次に、図1~図3、図6、図9および図10を参照して、本実施形態の基板処理装置1による基板処理を説明する。図10は、基板処理装置1による基板処理のフロー図である。ここでは、ホルダ144に新規に取り付けられるブラシ142に含有される液体の量を調整する。 Next, substrate processing by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3, FIG. 6, FIG. 9, and FIG. 10. FIG. 10 is a flowchart of substrate processing by the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. Here, the amount of liquid contained in the brush 142 newly attached to the holder 144 is adjusted.

まず、ステップSaに示すように、ホルダ144にブラシ142を取り付ける。あるいは、ブラシ142を保持するホルダ144をアーム146に取り付ける。典型的には、ブラシ142は、未使用の新規なものである。 First, as shown in step Sa, the brush 142 is attached to the holder 144. Alternatively, a holder 144 holding the brush 142 is attached to the arm 146. Typically, brush 142 is new and unused.

ステップSbに示すように、ブラシ142の含有液体量を調整する。移動部148がブラシ142をブラシ含有液調整部150に移動させると、ブラシ含有液調整部150は、ブラシ142に含まれる含有液量の調整を開始する。 As shown in step Sb, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted. When the moving unit 148 moves the brush 142 to the brush-containing liquid adjusting unit 150, the brush-containing liquid adjusting unit 150 starts adjusting the amount of liquid contained in the brush 142.

ステップSbは、ブラシ含有液調整準備ステップSb2と、吸気ステップSb4と、排気ステップSb6と、開放ステップSb8とを含む。ここでは、ブラシ142の含有液体量の調整は、ブラシ含有液調整準備ステップSb2、吸気ステップSb4、排気ステップSb6および開放ステップSb8の順番に行われる。 Step Sb includes a brush-containing liquid adjustment preparation step Sb2, an intake step Sb4, an exhaust step Sb6, and an opening step Sb8. Here, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in the order of a brush content liquid adjustment preparation step Sb2, an intake step Sb4, an exhaust step Sb6, and an opening step Sb8.

ブラシ含有液調整準備ステップSb2において、ブラシ142を容器152内の洗浄液Lwに浸漬させる。移動部148は、ブラシ142がブラシ含有液調整部150の容器152内の洗浄液Lwに浸漬するようにアーム146を退避位置に移動させる。アーム146が容器152の上部152cに当接することにより、容器152は、ブラシ142を収容した状態で密閉される。 In the brush-containing liquid adjustment preparation step Sb2, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw in the container 152. The moving unit 148 moves the arm 146 to the retracted position so that the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw in the container 152 of the brush-containing liquid adjusting unit 150. When the arm 146 comes into contact with the upper part 152c of the container 152, the container 152 is sealed with the brush 142 accommodated therein.

吸気ステップSb4において、容器152に気体を供給する。制御部102は、吸気部154cの吸気バルブ156cを開状態にして容器152に気体を供給する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧よりも高くなる。このため、ホルダ144に取り付けたブラシ142に汚れが存在していても、ブラシ142の汚れが洗浄液Lwに染み出す。 In the intake step Sb4, gas is supplied to the container 152. The control unit 102 supplies gas to the container 152 by opening the intake valve 156c of the intake unit 154c. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes higher than atmospheric pressure. Therefore, even if there is dirt on the brush 142 attached to the holder 144, the dirt on the brush 142 oozes into the cleaning liquid Lw.

排気ステップSb6において、容器152内の気体を排出する。制御部102は、排気部154aの排気バルブ156aを開状態にして容器152を排気する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧よりも低くなる。このため、ブラシ142の内部に存在する気泡がブラシ142から洗浄液Lwに現れる。 In the exhaust step Sb6, the gas inside the container 152 is exhausted. The control unit 102 opens the exhaust valve 156a of the exhaust unit 154a to exhaust the container 152. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes lower than atmospheric pressure. Therefore, air bubbles existing inside the brush 142 appear in the cleaning liquid Lw from the brush 142.

開放ステップSb8において、容器152を大気に開放する。制御部102は、開放部154bの開放バルブ156bを開状態にして容器152を大気に開放する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧と等しくなる。このとき、洗浄液Lwはブラシ142の内部にまで浸透する。 In the opening step Sb8, the container 152 is opened to the atmosphere. The control unit 102 opens the release valve 156b of the opening portion 154b to open the container 152 to the atmosphere. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes equal to atmospheric pressure. At this time, the cleaning liquid Lw penetrates into the interior of the brush 142.

ステップSbの後、ステップScに示すように、ブラシ処理を開始する。移動部148は、ブラシ142が退避位置から基板当接位置に移動するようにアーム146を移動させて基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、ブラシ142の含有液量は、事前に調整されているため、ブラシ142は、基板Wを適切に洗浄できる。以上のようにして、本実施形態の基板処理装置によれば、洗浄液Lwを充分に浸透させたブラシ142で基板Wを適切に洗浄できる。 After step Sb, brush processing is started as shown in step Sc. The moving unit 148 moves the arm 146 so that the brush 142 moves from the retracted position to the substrate abutting position to brush the upper surface Wa of the substrate W. At this time, since the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in advance, the brush 142 can properly clean the substrate W. As described above, according to the substrate processing apparatus of this embodiment, the substrate W can be appropriately cleaned with the brush 142 sufficiently permeated with the cleaning liquid Lw.

なお、図1~図10を参照して上述した説明では、ブラシ含有液調整部150の洗浄液Lwは基板処理装置1の駆動時に置換されなかったが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ含有液調整部150の洗浄液Lwは基板処理装置1の駆動時に置換されてもよい。 Note that in the explanation given above with reference to FIGS. 1 to 10, the cleaning liquid Lw in the brush-containing liquid adjusting section 150 was not replaced when the substrate processing apparatus 1 was driven, but the present embodiment is not limited to this. The cleaning liquid Lw in the brush-containing liquid adjusting section 150 may be replaced when the substrate processing apparatus 1 is driven.

次に、図11を参照して本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図11は、ブラシ含有液調整部150の模式図である。図11のブラシ含有液調整部150は、洗浄液流通部157をさらに備える点を除き、図5を参照して上述したブラシ含有液調整部150と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIG. 11. FIG. 11 is a schematic diagram of the brush-containing liquid adjusting section 150. The brush-containing liquid adjusting section 150 in FIG. 11 has the same configuration as the brush-containing liquid adjusting section 150 described above with reference to FIG. 5, except that it further includes a cleaning liquid distribution section 157. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

ブラシ含有液調整部150は、容器152および気体流通部154に加えて、洗浄液流通部157をさらに備える。洗浄液流通部157は、容器152に洗浄液を流入する。また、洗浄液流通部157は、容器152から洗浄液を流出する。 The brush-containing liquid adjustment section 150 further includes a cleaning liquid distribution section 157 in addition to the container 152 and the gas distribution section 154. The cleaning liquid flow section 157 allows the cleaning liquid to flow into the container 152. Further, the cleaning liquid flow section 157 allows the cleaning liquid to flow out from the container 152.

容器152には、貫通孔152q1および貫通孔152q2が設けられる。貫通孔152q1および貫通孔152q2は、容器152の一部を貫通する。貫通孔152q1および貫通孔152q2は、容器152の内部と外部とを連絡する。ここでは、貫通孔152q1および貫通孔152q2は、容器152の側部152bに設けられる。このため、容器152の内部と外部とは、側部152bの貫通孔152q1および貫通孔152q2を介して連絡する。 The container 152 is provided with a through hole 152q1 and a through hole 152q2. The through hole 152q1 and the through hole 152q2 penetrate a portion of the container 152. Through hole 152q1 and through hole 152q2 communicate the inside and outside of container 152. Here, the through hole 152q1 and the through hole 152q2 are provided in the side portion 152b of the container 152. Therefore, the inside and outside of the container 152 communicate with each other via the through hole 152q1 and the through hole 152q2 in the side portion 152b.

典型的には、貫通孔152q1および貫通孔152q2は、容器152の対向する位置に設けられる。ただし、容器152における貫通孔152q1の高さは、容器152における貫通孔152q2の高さとは異なってもよい。 Typically, through-hole 152q1 and through-hole 152q2 are provided at opposing positions in container 152. However, the height of the through hole 152q1 in the container 152 may be different from the height of the through hole 152q2 in the container 152.

容器152は、洗浄液Lwを貯留する。なお、貫通孔152q1および貫通孔152q2は、洗浄液Lwの上限よりも低い位置に配置される。後述するように、洗浄液Lwにはブラシ142が浸漬されるが、貫通孔152q1および貫通孔152q2は、ブラシ142の浸漬された洗浄液Lwの上限よりも低い位置に配置されてもよい。 Container 152 stores cleaning liquid Lw. Note that the through hole 152q1 and the through hole 152q2 are arranged at a position lower than the upper limit of the cleaning liquid Lw. As described later, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw, but the through holes 152q1 and 152q2 may be arranged at positions lower than the upper limit of the cleaning liquid Lw in which the brush 142 is immersed.

洗浄液流通部157は、流入配管158aと、流出配管158bと、流入バルブ159aと、流出バルブ159bとを含む。 The cleaning liquid distribution section 157 includes an inflow pipe 158a, an outflow pipe 158b, an inflow valve 159a, and an outflow valve 159b.

流入配管158aには、流入バルブ159aが取り付けられる。ここでは、流入配管158aの一端は、貫通孔152q1と連絡しており、流入配管158aの他端は、洗浄液供給源に接続する。流入バルブ159aは、流入配管158a内の流路を開閉する。 An inflow valve 159a is attached to the inflow pipe 158a. Here, one end of the inflow pipe 158a communicates with the through hole 152q1, and the other end of the inflow pipe 158a connects to a cleaning liquid supply source. The inflow valve 159a opens and closes the flow path within the inflow pipe 158a.

流出配管158bには、流出バルブ159bが取り付けられる。ここでは、流出配管158bの一端は、貫通孔152q2と連絡しており、流出配管158bの他端は、廃液タンクに接続する。流出バルブ159bは、流出配管158b内の流路を開閉する。 An outflow valve 159b is attached to the outflow pipe 158b. Here, one end of the outflow pipe 158b communicates with the through hole 152q2, and the other end of the outflow pipe 158b connects to the waste liquid tank. The outflow valve 159b opens and closes the flow path within the outflow pipe 158b.

次に、図1~図3、図11および図12を参照して、本実施形態の基板処理装置1によるブラシ142の含有液調整を説明する。図12(a)~図12(f)は、本実施形態の基板処理装置1によるブラシ含有液調整処理のフローを示す模式図である。 Next, with reference to FIGS. 1 to 3, FIG. 11, and FIG. 12, the adjustment of the liquid contained in the brush 142 by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIGS. 12(a) to 12(f) are schematic diagrams showing the flow of the brush-containing liquid adjustment process by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment.

図12(a)に示すように、容器152の内部空間ISには、洗浄液Lwが貯留される。排気配管155aの一端は、容器152の貫通孔152p1に連結されており、排気配管155aの他端は、排気装置162に接続されている。また、開放配管155bの一端は、容器152の貫通孔152p2に連結されており、開放配管155bの他端は、大気に開放される。 As shown in FIG. 12(a), the cleaning liquid Lw is stored in the internal space IS of the container 152. One end of the exhaust pipe 155a is connected to the through hole 152p1 of the container 152, and the other end of the exhaust pipe 155a is connected to the exhaust device 162. Further, one end of the open pipe 155b is connected to the through hole 152p2 of the container 152, and the other end of the open pipe 155b is opened to the atmosphere.

図12(b)に示すように、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dを通過するようにアーム146を移動させる。その後、容器152の開口部152dは、アーム146によって塞がれる。これにより、容器152は、ブラシ142を収容した状態で密閉される。ブラシ142は、容器152内において洗浄液Lwに浸漬される。 As shown in FIG. 12(b), the arm 146 is moved so that the brush 142 and holder 144 pass through the opening 152d of the container 152. Thereafter, the opening 152d of the container 152 is closed by the arm 146. Thereby, the container 152 is sealed with the brush 142 accommodated therein. The brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw in the container 152.

図12(c)に示すように、気体流通部154は、容器152内の気体を排出する。例えば、制御部102は、開放バルブ156bを閉状態にする一方で排気バルブ156aを開状態にすることにより、容器152の気体を排出する。 As shown in FIG. 12(c), the gas flow section 154 discharges the gas inside the container 152. For example, the control unit 102 discharges the gas from the container 152 by closing the open valve 156b and opening the exhaust valve 156a.

ブラシ142は洗浄液に浸漬しているが、ブラシ142の内部には微細な気泡が保持されている。気体流通部154が容器152内の気体を排出すると、容器152内の気圧が低下して、ブラシ142の内部から微細な気泡が外部に出現する。 Although the brush 142 is immersed in the cleaning liquid, fine air bubbles are retained inside the brush 142. When the gas flow section 154 discharges the gas inside the container 152, the air pressure inside the container 152 decreases, and fine air bubbles appear from inside the brush 142 to the outside.

図12(d)に示すように、気体流通部154は、容器152に気体を流入する。例えば、制御部102は、排気バルブ156aを閉状態にする一方で開放バルブ156bを開状態にすることにより、容器152に気体が流入して容器152の圧力は大気圧まで上昇する。 As shown in FIG. 12(d), the gas flow section 154 allows gas to flow into the container 152. For example, the control unit 102 closes the exhaust valve 156a and opens the open valve 156b, so that gas flows into the container 152 and the pressure in the container 152 increases to atmospheric pressure.

ブラシ142の内部にあった微細な気泡はブラシ142から外部に逃げ出している。このため、開放部154bが容器152の内部を大気に開放すると、洗浄液Lwはブラシ142の内部にまで浸透する。 The fine air bubbles that were inside the brush 142 escape from the brush 142 to the outside. Therefore, when the opening portion 154b opens the inside of the container 152 to the atmosphere, the cleaning liquid Lw permeates into the inside of the brush 142.

図12(e)に示すように、アーム146が容器152の開口部152dから離れるように移動することで、ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dから離れる。その後、ブラシ142は、ブラシ処理に用いられる。 As shown in FIG. 12E, the arm 146 moves away from the opening 152d of the container 152, thereby causing the brush 142 and the holder 144 to move away from the opening 152d of the container 152. Brush 142 is then used for brushing.

図12(f)に示すように、ブラシ142およびホルダ144が容器152の外に移動を開始した後、容器152内に新たな洗浄液Lwが供給されるとともに元の洗浄液Lwが排出される。制御部102は、流入バルブ159aおよび流出バルブ159bを開状態にすることにより、容器152内の洗浄液Lwが排出されるとともに容器152内に新たな洗浄液Lwが供給される。以上のようにしてブラシ含有液調整部150においてブラシ142を洗浄するとともに、汚れた洗浄液Lwを新しい洗浄液Lwに置換できる。 As shown in FIG. 12(f), after the brush 142 and holder 144 start moving out of the container 152, new cleaning liquid Lw is supplied into the container 152, and the original cleaning liquid Lw is discharged. The control unit 102 opens the inflow valve 159a and the outflow valve 159b, so that the cleaning liquid Lw in the container 152 is discharged and new cleaning liquid Lw is supplied into the container 152. As described above, the brush 142 can be cleaned in the brush-containing liquid adjusting section 150, and the dirty cleaning liquid Lw can be replaced with a new cleaning liquid Lw.

本実施形態によれば、ブラシ含有液調整部150がブラシ142を洗浄した後で、洗浄液Lwは新たな洗浄液に置換される。このため、ブラシ含有液調整部150は、ブラシ142を複数回洗浄する場合でも、ブラシ142を清浄に洗浄でき、かつ、ブラシ142に含有される液体の量を調整できる。 According to this embodiment, after the brush-containing liquid adjustment unit 150 cleans the brush 142, the cleaning liquid Lw is replaced with a new cleaning liquid. Therefore, even when the brush 142 is washed multiple times, the brush containing liquid adjusting section 150 can clean the brush 142 and adjust the amount of liquid contained in the brush 142.

また、図11および図12には、貫通孔152q2は、容器152の側部152bに設けられたが、貫通孔152q2は、容器152の底部152aに設けられてもよい。洗浄液Lwを排出するための貫通孔152q2が容器152の底部152aに設けられることにより、洗浄液Lwを排出する際の洗浄液Lwの詰まりを抑制できる。 Further, although the through hole 152q2 is provided in the side portion 152b of the container 152 in FIGS. 11 and 12, the through hole 152q2 may be provided in the bottom portion 152a of the container 152. By providing the through hole 152q2 for discharging the cleaning liquid Lw in the bottom portion 152a of the container 152, clogging of the cleaning liquid Lw can be suppressed when the cleaning liquid Lw is discharged.

なお、洗浄液流通部157は、リンス液供給部130に用いられるリンス液を洗浄液として用いることが好ましい。洗浄液としてリンス液供給部130から供給されるリンス液を用いる場合、気体流通部154の配管155は、リンス液供給部130の配管130aと連結されてもよい。 Note that the cleaning liquid distribution section 157 preferably uses the rinsing liquid used in the rinsing liquid supply section 130 as the cleaning liquid. When using the rinsing liquid supplied from the rinsing liquid supply section 130 as the cleaning liquid, the pipe 155 of the gas distribution section 154 may be connected to the pipe 130a of the rinsing liquid supply section 130.

次に、図13を参照して、本実施形態の基板処理装置1を説明する。図13は、本実施形態の基板処理装置1の模式図である。図13の基板処理装置1は、リンス液供給部130の配管130aがブラシ含有液調整部150の流入配管158aに接続される点を除き、図2を参照して上述した基板処理装置1に図11を参照して上述したブラシ含有液調整部150を適用した構成と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 13, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 13 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 1 of this embodiment. The substrate processing apparatus 1 of FIG. 13 is similar to the substrate processing apparatus 1 described above with reference to FIG. It has the same configuration as the configuration to which the brush-containing liquid adjusting section 150 described above with reference to No. 11 is applied. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図13に示すように、ブラシ含有液調整部150の洗浄液流通部157は、連絡配管158cをさらに備える。連絡配管158cは、リンス液供給部130の配管130aとブラシ含有液調整部150の流入配管158aとを連絡する。これにより、ブラシ含有液調整部150の容器152には、洗浄液としてリンス液を供給できる。 As shown in FIG. 13, the cleaning liquid distribution section 157 of the brush-containing liquid adjustment section 150 further includes a communication pipe 158c. The communication pipe 158c connects the pipe 130a of the rinse liquid supply section 130 and the inflow pipe 158a of the brush-containing liquid adjustment section 150. Thereby, the rinsing liquid can be supplied to the container 152 of the brush-containing liquid adjusting section 150 as the cleaning liquid.

本実施形態の基板処理装置1によれば、リンス液供給部130のリンス液をブラシ含有液調整部150と共有して用いることにより、ブラシ処理時にリンス液供給部130がリンス液を供給しなくても、リンス液を用いて基板Wをブラシ処理できる。 According to the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, by sharing the rinsing liquid of the rinsing liquid supply section 130 with the brush-containing liquid adjusting section 150, the rinsing liquid supply section 130 does not supply the rinsing liquid during brush processing. However, the substrate W can be brushed using a rinsing liquid.

なお、図13を参照して上述した説明では、リンス液供給部130のリンス液がブラシ含有液調整部150と共有して用いられたが、本実施形態はこれに限定されない。リンス液供給部130のバルブ130bおよびノズル130nを省略することで、チャンバー110からリンス液供給部130を取り除いてもよい。この場合でも、ブラシ142は、ブラシ含有液調整部150においてリンス液を浸透するため、ブラシ処理時にリンス液供給部130がリンス液を供給しなくても、リンス液を用いて基板Wをブラシ処理できる。 In addition, in the description mentioned above with reference to FIG. 13, although the rinsing liquid of the rinsing liquid supply part 130 was used in common with the brush containing liquid adjustment part 150, this embodiment is not limited to this. The rinsing liquid supply unit 130 may be removed from the chamber 110 by omitting the valve 130b and the nozzle 130n of the rinsing liquid supply unit 130. Even in this case, since the brush 142 permeates the rinse liquid in the brush-containing liquid adjustment unit 150, the substrate W is brushed using the rinse liquid even if the rinse liquid supply unit 130 does not supply the rinse liquid during brush processing. can.

なお、図1~図13を参照して上述した説明では、ブラシ処理は、リンス液とともに行われたが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ処理は、リンス液だけでなく別の処理液とともに行われてもよい。 Note that in the description given above with reference to FIGS. 1 to 13, the brush treatment was performed together with the rinsing liquid, but the present embodiment is not limited thereto. The brush treatment may be performed together with not only the rinsing liquid but also another treatment liquid.

次に、図14を参照して、本実施形態の基板処理装置1を説明する。図14は、本実施形態の基板処理装置1の模式図である。図14の基板処理装置1は、薬液供給部132をさらに備える点を除き、図13を参照して上述した基板処理装置1と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 14, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 14 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 1 of this embodiment. The substrate processing apparatus 1 in FIG. 14 has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 described above with reference to FIG. 13, except that it further includes a chemical supply section 132. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図14に示すように、基板処理装置1は、リンス液供給部130に加えて薬液供給部132を備える。薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。典型的には、薬液供給部132は、基板Wの上面Waに薬液を供給する。薬液を用いたリンス処理により、基板Wの上面Waに付着したリンス液および不純物等を洗い流すことができる。薬液供給部132から供給される薬液は、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)を含んでもよい。または、薬液は、有機アルカリ(例えば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を含んでもよい。 As shown in FIG. 14, the substrate processing apparatus 1 includes a chemical solution supply section 132 in addition to a rinse liquid supply section 130. The chemical liquid supply unit 132 supplies a chemical liquid to the substrate W. Typically, the chemical liquid supply unit 132 supplies a chemical liquid to the upper surface Wa of the substrate W. By the rinsing treatment using a chemical solution, the rinsing solution, impurities, etc. adhering to the upper surface Wa of the substrate W can be washed away. The chemical solution supplied from the chemical solution supply section 132 may include SC1 (ammonia hydrogen peroxide solution mixed solution). Alternatively, the chemical solution may contain an organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide).

薬液供給部132の少なくとも一部は、チャンバー110内に収容される。薬液供給部132は、配管132aと、バルブ132bと、ノズル132nとを含む。ノズル132nは基板Wの上面Waに薬液を吐出する。ノズル132nは、配管132aに接続される。配管132aには、供給源から薬液が供給される。バルブ132bは、配管132a内の流路を開閉する。ノズル132nは、基板Wに対して移動可能に構成されていることが好ましい。 At least a portion of the chemical solution supply section 132 is housed within the chamber 110. The chemical supply unit 132 includes a pipe 132a, a valve 132b, and a nozzle 132n. The nozzle 132n discharges a chemical onto the upper surface Wa of the substrate W. The nozzle 132n is connected to the pipe 132a. A chemical solution is supplied to the pipe 132a from a supply source. The valve 132b opens and closes the flow path within the pipe 132a. It is preferable that the nozzle 132n is configured to be movable with respect to the substrate W.

薬液供給部132のノズル132nは移動可能であってもよい。ノズル132nは、制御部102によって制御される移動機構にしたがって水平方向および/または鉛直方向に移動できる。なお、本明細書において、図面が過度に複雑になることを避けるために移動機構を省略していることに留意されたい。 The nozzle 132n of the chemical solution supply section 132 may be movable. The nozzle 132n can be moved horizontally and/or vertically according to a movement mechanism controlled by the control unit 102. Note that in this specification, the moving mechanism is omitted to avoid making the drawings excessively complex.

ここでは、連絡配管158cは、薬液供給部132の配管132aとブラシ含有液調整部150の流入配管158aとを連絡する。これにより、ブラシ含有液調整部150の容器152には、洗浄液として薬液が供給される。 Here, the communication pipe 158c connects the pipe 132a of the chemical solution supply section 132 and the inflow pipe 158a of the brush-containing liquid adjustment section 150. As a result, the chemical liquid is supplied to the container 152 of the brush-containing liquid adjusting section 150 as a cleaning liquid.

ブラシ処理部140は、基板Wをブラシで処理する。ブラシ処理部140は、基板Wの上面Waに当接して基板Wをブラシで洗浄する。典型的には、ブラシ処理部140が基板Wをブラシで洗浄する期間において、薬液供給部132が基板Wの上面Waに薬液を供給してもよい。 The brush processing unit 140 processes the substrate W with a brush. The brush processing unit 140 comes into contact with the upper surface Wa of the substrate W and cleans the substrate W with a brush. Typically, during the period in which the brush processing unit 140 cleans the substrate W with a brush, the chemical liquid supply unit 132 may supply the chemical liquid to the upper surface Wa of the substrate W.

次に、図1、図2、図14および図15を参照して、本実施形態の基板処理装置1による基板処理を説明する。図15は、基板処理装置1による基板処理のフロー図である。 Next, substrate processing by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, 14, and 15. FIG. 15 is a flowchart of substrate processing by the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG.

図15に示すように、ステップS110において、基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態にする。 As shown in FIG. 15, in step S110, a rinsing liquid is supplied to the substrate W. The rinsing liquid supply unit 130 supplies a rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130.

ステップS112において、基板Wに薬液を供給する。薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを閉状態にする一方で、薬液供給部132のバルブ132bを開状態にする。 In step S112, a chemical solution is supplied to the substrate W. The chemical liquid supply unit 132 supplies a chemical liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 closes the valve 130b of the rinsing liquid supply unit 130, and opens the valve 132b of the chemical liquid supply unit 132.

ステップS112Aにおいて、基板Wをブラシ処理する。典型的には、ブラシ処理部140は、ブラシ142で基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。例えば、制御部102は、薬液供給部132のバルブ132bを開状態に維持したまま、移動部148にアーム146を移動させて、押圧部146cにブラシ142を基板Wに押圧させる。 In step S112A, the substrate W is brushed. Typically, the brush processing unit 140 performs brush processing on the upper surface Wa of the substrate W using the brush 142. At this time, the chemical liquid supply unit 132 supplies the chemical liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 causes the moving unit 148 to move the arm 146 while keeping the valve 132b of the chemical solution supply unit 132 open, and causes the pressing unit 146c to press the brush 142 against the substrate W.

ステップS112Aのブラシ処理前に、ブラシ142による洗浄液Lwの含有液量は、ブラシ含有液調整部150において調整される。例えば、ブラシ含有液調整部150は、洗浄液Lwとして薬液を用いてブラシ142に含水される含有液量を調整する。ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wに薬液を供給する前に行われてもよい。例えば、ブラシ142の含有液量の調整は、基板Wに対する薬液の供給が完了する直前に終了してもよい。 Before the brushing process in step S112A, the amount of cleaning liquid Lw contained in the brush 142 is adjusted in the brush-contained liquid adjusting section 150. For example, the brush-containing liquid adjustment unit 150 adjusts the amount of liquid contained in the brush 142 using a chemical liquid as the cleaning liquid Lw. The amount of liquid contained in the brush 142 may be adjusted before supplying the chemical liquid to the substrate W. For example, the adjustment of the amount of liquid contained in the brush 142 may be completed immediately before the supply of the chemical liquid to the substrate W is completed.

ステップS120において、基板Wをスピンドライする。スピンドライする際に、基板の回転速度をブラシ処理のときの基板Wの回転速度よりも増加させる。これにより、基板Wのリンス液、薬液および洗浄液Lwを乾燥させる。以上のようにして、基板Wを洗浄処理できる。 In step S120, the substrate W is spin-dried. During spin drying, the rotational speed of the substrate is increased more than the rotational speed of the substrate W during brush processing. Thereby, the rinsing liquid, chemical liquid, and cleaning liquid Lw of the substrate W are dried. In the manner described above, the substrate W can be cleaned.

なお、図1~図15を参照して上述した説明では、基板Wは、1種類の処理液でブラシ処理されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Wは、複数種類の処理液でブラシ処理されてもよい。この場合、ブラシ142は、処理液の数に応じて複数用いてもよい。 Note that in the description given above with reference to FIGS. 1 to 15, the substrate W was brush-treated with one type of treatment liquid, but the present embodiment is not limited thereto. The substrate W may be brush-treated with multiple types of treatment liquids. In this case, a plurality of brushes 142 may be used depending on the number of processing liquids.

また、図1~図15を参照して上述した説明では、基板処理装置1は、1つのブラシ含有液調整部150を備えたが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置1は、2以上のブラシ含有液調整部を備えてもよい。 Furthermore, in the description given above with reference to FIGS. 1 to 15, the substrate processing apparatus 1 includes one brush-containing liquid adjusting section 150, but the present embodiment is not limited thereto. The substrate processing apparatus 1 may include two or more brush-containing liquid adjusting sections.

次に、図16を参照して、本実施形態の基板処理装置1を説明する。図16は、本実施形態の基板処理装置1の模式図である。図16の基板処理装置1は、第1ブラシ処理部140A、第2ブラシ処理部140B、第1ブラシ含有液調整部150Aおよび第2ブラシ含有液調整部150Bを備える点を除き、図5を参照して上述した基板処理装置1と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 16, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 16 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 1 of this embodiment. Refer to FIG. 5, except that the substrate processing apparatus 1 in FIG. 16 includes a first brush processing section 140A, a second brush processing section 140B, a first brush-containing liquid adjusting section 150A, and a second brush-containing liquid adjusting section 150B. It has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 described above. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図16に示すように、基板処理装置1は、第1ブラシ処理部140Aおよび第2ブラシ処理部140Bを備える。第1ブラシ処理部140Aおよび第2ブラシ処理部140Bは、同様の構成を有する。 As shown in FIG. 16, the substrate processing apparatus 1 includes a first brush processing section 140A and a second brush processing section 140B. The first brush processing section 140A and the second brush processing section 140B have similar configurations.

また、基板処理装置1は、第1ブラシ含有液調整部150Aおよび第2ブラシ含有液調整部150Bを備える。第1ブラシ含有液調整部150Aおよび第2ブラシ含有液調整部150Bは、同様の構成を有する。第1ブラシ含有液調整部150Aは、第1ブラシ処理部140Aのブラシ142Aに含有される液体の量を調整する。また、第2ブラシ含有液調整部150Bは、第2ブラシ処理部140Bのブラシ142Bに含有される液体の量を調整する。 Further, the substrate processing apparatus 1 includes a first brush-containing liquid adjusting section 150A and a second brush-containing liquid adjusting section 150B. The first brush-containing liquid adjusting section 150A and the second brush-containing liquid adjusting section 150B have similar configurations. The first brush-containing liquid adjusting section 150A adjusts the amount of liquid contained in the brush 142A of the first brush processing section 140A. Further, the second brush-containing liquid adjusting section 150B adjusts the amount of liquid contained in the brush 142B of the second brush processing section 140B.

第1ブラシ含有液調整部150Aは、容器152Aと、気体流通部154Aとを備える。容器152Aには、第1洗浄液Lw1が貯留される。例えば、第1洗浄液Lw1として、リンス液および薬液の一方が用いられる。 The first brush-containing liquid adjusting section 150A includes a container 152A and a gas circulation section 154A. The first cleaning liquid Lw1 is stored in the container 152A. For example, as the first cleaning liquid Lw1, one of a rinsing liquid and a chemical liquid is used.

第2ブラシ含有液調整部150Bは、容器152Bと、気体流通部154Bとを備える。容器152Bには、第2洗浄液Lw2が貯留される。例えば、第2洗浄液Lw2として、リンス液および薬液の他方が用いられる。 The second brush-containing liquid adjustment section 150B includes a container 152B and a gas circulation section 154B. The second cleaning liquid Lw2 is stored in the container 152B. For example, the other of the rinsing liquid and the chemical liquid is used as the second cleaning liquid Lw2.

容器152Bの第2洗浄液Lw2は、容器152Aの第1洗浄液Lw1とは異なることが好ましい。ただし、容器152Bの第2洗浄液Lw2は、容器152Aの第1洗浄液Lw1と同じものであってもよい。 The second cleaning liquid Lw2 in the container 152B is preferably different from the first cleaning liquid Lw1 in the container 152A. However, the second cleaning liquid Lw2 in the container 152B may be the same as the first cleaning liquid Lw1 in the container 152A.

次に、図1~図3、図16および図17を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図17は、本実施形態の基板処理装置1による基板処理のフロー図である。 Next, with reference to FIGS. 1 to 3, FIG. 16, and FIG. 17, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 17 is a flowchart of substrate processing by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment.

図17に示すように、ステップS110において、基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態にする。 As shown in FIG. 17, in step S110, a rinsing liquid is supplied to the substrate W. The rinsing liquid supply unit 130 supplies a rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130.

ステップS110Aにおいて、基板Wをブラシ処理する。典型的には、第1ブラシ処理部140Aは、ブラシ142Aで基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態に維持したまま、第1ブラシ処理部140Aの移動部148Aにアーム146Aを移動させて、押圧部146cにブラシ142Aを基板Wに押圧させる。 In step S110A, the substrate W is brushed. Typically, the first brush processing unit 140A performs brush processing on the upper surface Wa of the substrate W using a brush 142A. At this time, the rinsing liquid supply unit 130 supplies the rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 moves the arm 146A to the moving unit 148A of the first brush processing unit 140A while keeping the valve 130b of the rinsing liquid supply unit 130 open, and moves the brush 142A to the pressing unit 146c on the substrate W. to be pressed.

ブラシ処理前に、ブラシ142Aによる第1洗浄液Lw1の含有液量は、第1ブラシ含有液調整部150Aにおいて調整される。 Before the brush treatment, the amount of the first cleaning liquid Lw1 contained by the brush 142A is adjusted in the first brush contained liquid adjusting section 150A.

ステップS112において、基板Wに薬液を供給する。薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。例えば、制御部102は、薬液供給部132のバルブ132bを開状態にする。また、基板Wに薬液を供給する前に、第1ブラシ処理部140Aはブラシ処理を終了する。基板Wに薬液を供給した後、第1ブラシ含有液調整部150Aにおいて、ブラシ142Aは、含有する第1洗浄液Lw1の液量を調整されてもよい。 In step S112, a chemical solution is supplied to the substrate W. The chemical liquid supply unit 132 supplies a chemical liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 132b of the chemical solution supply unit 132. Moreover, before supplying the chemical solution to the substrate W, the first brush processing section 140A ends the brush processing. After the chemical solution is supplied to the substrate W, the amount of the first cleaning liquid Lw1 contained in the brush 142A may be adjusted in the first brush containing liquid adjusting section 150A.

ステップS112Aにおいて、基板Wをブラシ処理する。典型的には、第2ブラシ処理部140Bは、ブラシ142Bで基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。例えば、制御部102は、薬液供給部132のバルブ132bを開状態に維持したまま、第2ブラシ処理部140Bの移動部148Bにアーム146Bを移動させて、押圧部146cにブラシ142Bを基板Wに押圧させる。 In step S112A, the substrate W is brushed. Typically, the second brush processing unit 140B performs brush processing on the upper surface Wa of the substrate W using a brush 142B. At this time, the chemical liquid supply unit 132 supplies the chemical liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 moves the arm 146B to the moving unit 148B of the second brush processing unit 140B while keeping the valve 132b of the chemical solution supply unit 132 open, and causes the pressing unit 146c to move the brush 142B to the substrate W. to press.

ブラシ処理前に、ブラシ142Bによる第2洗浄液Lw2の含有液量は、第2ブラシ含有液調整部150Bにおいて調整される。 Before brush processing, the amount of the second cleaning liquid Lw2 contained in the brush 142B is adjusted in the second brush contained liquid adjustment section 150B.

ステップS120において、基板Wをスピンドライする。スピンドライする際に、基板の回転速度をブラシ処理のときの基板Wの回転速度よりも増加させる。これにより、基板Wのリンス液および薬液を乾燥させる。なお、スピンドライの前に、第2ブラシ処理部140Bはブラシ処理を終了する。スピンドライを開始した後、第2ブラシ含有液調整部150Bにおいて、ブラシ142Bは、含有する第2洗浄液Lw2の量を調整されてもよい。以上のようにして、第1ブラシ処理部140Aのブラシ142Aおよび第2ブラシ処理部140Bのブラシ142Bに含有される液体の量を調整できる。 In step S120, the substrate W is spin-dried. During spin drying, the rotational speed of the substrate is increased more than the rotational speed of the substrate W during brush processing. This dries the rinsing liquid and chemical liquid on the substrate W. Note that, before spin drying, the second brush processing section 140B ends the brush processing. After starting spin drying, the amount of the second cleaning liquid Lw2 contained in the brush 142B may be adjusted in the second brush-containing liquid adjusting section 150B. As described above, the amount of liquid contained in the brush 142A of the first brush processing section 140A and the brush 142B of the second brush processing section 140B can be adjusted.

なお、図13に示した基板処理装置1では、洗浄液流通部157の流入配管158aは、リンス液供給部130の配管130aに連結されており、図14に示した基板処理装置1では、洗浄液流通部157の流入配管158aは、薬液供給部132の配管132aに連結されていたが、本実施形態はこれに限定されない。洗浄液流通部157の流入配管158aは、リンス液供給部130の配管130aおよび薬液供給部132の配管132aの両方に連結されてもよい。 In the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 13, the inflow pipe 158a of the cleaning liquid distribution part 157 is connected to the pipe 130a of the rinsing liquid supply part 130, and in the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. Although the inflow pipe 158a of the section 157 was connected to the pipe 132a of the chemical solution supply section 132, the present embodiment is not limited thereto. The inflow pipe 158a of the cleaning liquid distribution section 157 may be connected to both the pipe 130a of the rinse liquid supply section 130 and the pipe 132a of the chemical solution supply section 132.

次に、図18を参照して、本実施形態の基板処理装置1を説明する。図18は、本実施形態の基板処理装置1の模式図である。図18の基板処理装置1は、洗浄液流通部157の流入配管158aは、リンス液供給部130の配管130aおよび薬液供給部132の配管132aの両方に連結されている点を除き、図13および図14を参照して上述した基板処理装置1と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 18, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 18 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 1 of this embodiment. The substrate processing apparatus 1 of FIG. 18 is different from that shown in FIGS. It has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 described above with reference to 14. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図18に示すように、基板処理装置1において、ブラシ含有液調整部150の洗浄液流通部157は、連絡配管158c、連絡配管158d、バルブ158eおよびバルブ158fをさらに備える。連絡配管158cは、リンス液供給部130の配管130aとブラシ含有液調整部150の流入配管158aとを連絡する。連絡配管158cにはバルブ158eが取り付けられる。バルブ158eは、連絡配管158c内の流路を開閉する。制御部102は、バルブ158eを開状態にすることによって、流入配管158aに向かって連絡配管158c内を流れるリンス液を通過させることができる。 As shown in FIG. 18, in the substrate processing apparatus 1, the cleaning liquid distribution section 157 of the brush-containing liquid adjustment section 150 further includes a communication pipe 158c, a communication pipe 158d, a valve 158e, and a valve 158f. The communication pipe 158c connects the pipe 130a of the rinse liquid supply section 130 and the inflow pipe 158a of the brush-containing liquid adjustment section 150. A valve 158e is attached to the communication pipe 158c. The valve 158e opens and closes the flow path within the communication pipe 158c. By opening the valve 158e, the control unit 102 can allow the rinsing liquid to flow through the communication pipe 158c toward the inflow pipe 158a.

連絡配管158dは、薬液供給部132の配管132aとブラシ含有液調整部150の流入配管158aとを連絡する。連絡配管158dにはバルブ158fが取り付けられる。バルブ158fは、連絡配管158d内の流路を開閉する。制御部102は、バルブ158fを開状態にすることによって、流入配管158aに向かって連絡配管158d内を流れる薬液を通過させることができる。 The communication pipe 158d connects the pipe 132a of the chemical solution supply section 132 and the inflow pipe 158a of the brush-containing liquid adjustment section 150. A valve 158f is attached to the communication pipe 158d. The valve 158f opens and closes the flow path within the communication pipe 158d. By opening the valve 158f, the control unit 102 can allow the chemical solution to flow through the communication pipe 158d toward the inflow pipe 158a.

次に、図18および図19を参照して、本実施形態の基板処理装置1によるブラシの含有液調整を説明する。図19は、本実施形態の基板処理装置1による基板処理のフロー図である。なお、図19のステップSaおよびステップSbは、図10のステップSaおよびステップSbと同様である。ここでは、ホルダ144に新規に取り付けられるブラシ142に含有される液体の量を調整する。 Next, with reference to FIGS. 18 and 19, adjustment of the liquid contained in the brush by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described. FIG. 19 is a flow diagram of substrate processing by the substrate processing apparatus 1 of this embodiment. Note that step Sa and step Sb in FIG. 19 are similar to step Sa and step Sb in FIG. 10. Here, the amount of liquid contained in the brush 142 newly attached to the holder 144 is adjusted.

まず、ステップSaに示すように、ホルダ144にブラシ142を取り付ける。あるいは、ブラシ142を保持するホルダ144をアーム146に取り付ける。典型的には、ブラシ142は、未使用の新規なものである。 First, as shown in step Sa, the brush 142 is attached to the holder 144. Alternatively, a holder 144 holding the brush 142 is attached to the arm 146. Typically, brush 142 is new and unused.

ステップSbに示すように、ブラシ142の含有液体量を調整する。移動部148がブラシ142をブラシ含有液調整部150に移動させると、ブラシ含有液調整部150は、ブラシ142に含有される液体の量の調整を開始する。 As shown in step Sb, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted. When the moving unit 148 moves the brush 142 to the brush-containing liquid adjusting unit 150, the brush-containing liquid adjusting unit 150 starts adjusting the amount of liquid contained in the brush 142.

ステップSbは、ブラシ含有液調整準備ステップSb2と、吸気ステップSb4と、排気ステップSb6と、開放ステップSb8とを含む。ここでは、ブラシ142の含有液体量の調整は、ブラシ含有液調整準備ステップSb2、吸気ステップSb4、排気ステップSb6および開放ステップSb8の順番に行われる。 Step Sb includes a brush-containing liquid adjustment preparation step Sb2, an intake step Sb4, an exhaust step Sb6, and an opening step Sb8. Here, the amount of liquid contained in the brush 142 is adjusted in the order of a brush content liquid adjustment preparation step Sb2, an intake step Sb4, an exhaust step Sb6, and an opening step Sb8.

ブラシ含有液調整準備ステップSb2において、ブラシ142を容器152内の洗浄液Lwとしてリンス液に浸漬させる。制御部102は、バルブ158eおよび流入バルブ159aを開状態にして容器152にリンス液を供給する。 In the brush-containing liquid adjustment preparation step Sb2, the brush 142 is immersed in a rinsing liquid as the cleaning liquid Lw in the container 152. The control unit 102 supplies the rinsing liquid to the container 152 by opening the valve 158e and the inflow valve 159a.

移動部148は、ブラシ142がブラシ含有液調整部150の容器152内のリンス液に浸漬するようにアーム146を退避位置に移動させる。アーム146が容器152の上部152cに当接することにより、容器152は、ブラシ142を収容した状態で密閉される。 The moving unit 148 moves the arm 146 to the retracted position so that the brush 142 is immersed in the rinsing liquid in the container 152 of the brush-containing liquid adjusting unit 150. When the arm 146 comes into contact with the upper part 152c of the container 152, the container 152 is sealed with the brush 142 accommodated therein.

吸気ステップSb4において、容器152に気体を供給する。制御部102は、吸気部154cの吸気バルブ156cを開状態にして容器152に気体を供給する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧よりも高くなる。このため、ホルダ144に取り付けたブラシ142に汚れが存在していても、ブラシ142の汚れが容器152内のリンス液に染み出す。 In the intake step Sb4, gas is supplied to the container 152. The control unit 102 supplies gas to the container 152 by opening the intake valve 156c of the intake unit 154c. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes higher than atmospheric pressure. Therefore, even if there is dirt on the brush 142 attached to the holder 144, the dirt on the brush 142 seeps into the rinsing liquid in the container 152.

排気ステップSb6において、容器152内の気体を排出する。制御部102は、排気部154aの排気バルブ156aを開状態にして容器152を排気する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧よりも低くなる。このため、ブラシ142の内部に存在する気泡がブラシ142から容器152内のリンス液に現れる。 In the exhaust step Sb6, the gas inside the container 152 is exhausted. The control unit 102 opens the exhaust valve 156a of the exhaust unit 154a to exhaust the container 152. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes lower than atmospheric pressure. Therefore, air bubbles existing inside the brush 142 appear from the brush 142 into the rinsing liquid in the container 152.

開放ステップSb8において、容器152を大気に開放する。制御部102は、開放部154bの開放バルブ156bを開状態にして容器152を大気に開放する。これにより、容器152内の気体の圧力は、大気圧と等しくなる。このとき、容器152内のリンス液はブラシ142の内部にまで浸透する。 In the opening step Sb8, the container 152 is opened to the atmosphere. The control unit 102 opens the release valve 156b of the opening portion 154b to open the container 152 to the atmosphere. As a result, the pressure of the gas within the container 152 becomes equal to atmospheric pressure. At this time, the rinsing liquid in the container 152 permeates into the interior of the brush 142.

ステップSbの後、ステップS110において、基板Wにリンス液を供給する。リンス液供給部130は、基板Wにリンス液を供給する。例えば、制御部102は、リンス液供給部130のバルブ130bを開状態にする。一方で、制御部102は、バルブ158eを閉状態にする。 After step Sb, a rinsing liquid is supplied to the substrate W in step S110. The rinsing liquid supply unit 130 supplies a rinsing liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 130b of the rinse liquid supply unit 130. On the other hand, the control unit 102 closes the valve 158e.

ステップS112において、基板Wに薬液を供給する。薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。例えば、制御部102は、薬液供給部132のバルブ132bを開状態にする。また、制御部102は、バルブ158f、流入バルブ159aおよび流出バルブ159bを開状態にして容器152内の汚れたリンス液を薬液に置換する。 In step S112, a chemical solution is supplied to the substrate W. The chemical liquid supply unit 132 supplies a chemical liquid to the substrate W. For example, the control unit 102 opens the valve 132b of the chemical solution supply unit 132. Further, the control unit 102 opens the valve 158f, the inflow valve 159a, and the outflow valve 159b to replace the dirty rinsing liquid in the container 152 with the chemical liquid.

ステップS112Aにおいて、基板Wをブラシ処理する。典型的には、ブラシ処理部140は、ブラシ142で基板Wの上面Waをブラシ処理する。このとき、薬液供給部132は、基板Wに薬液を供給する。また、ブラシ142には薬液が浸透されている。例えば、制御部102は、薬液供給部132のバルブ132bを開状態に維持したまま、移動部148にアーム146を移動させて、押圧部146cにブラシ142を基板Wに押圧させる。このとき、ブラシ142は、事前にリンス液で洗浄されたうえで、薬液に浸漬されたため、ブラシ142は、基板Wを適切に洗浄できる。以上のようにして、本実施形態の基板処理装置によれば、薬液を充分に浸透させたブラシ142で基板Wを適切に洗浄できる。 In step S112A, the substrate W is brushed. Typically, the brush processing unit 140 performs brush processing on the upper surface Wa of the substrate W using the brush 142. At this time, the chemical liquid supply unit 132 supplies the chemical liquid to the substrate W. Further, the brush 142 is impregnated with a chemical solution. For example, the control unit 102 causes the moving unit 148 to move the arm 146 while keeping the valve 132b of the chemical solution supply unit 132 open, and causes the pressing unit 146c to press the brush 142 against the substrate W. At this time, since the brush 142 was previously cleaned with a rinsing liquid and then immersed in the chemical solution, the brush 142 can properly clean the substrate W. As described above, according to the substrate processing apparatus of this embodiment, the substrate W can be appropriately cleaned with the brush 142 sufficiently impregnated with the chemical solution.

ステップS120において、基板Wをスピンドライする。スピンドライする際に、基板の回転速度をブラシ処理のときの基板Wの回転速度よりも増加させる。これにより、基板Wのリンス液および薬液を乾燥させる。以上のようにして、基板Wを洗浄処理できる。また、容器152内の洗浄液Lwをリンス液から薬液に置換することにより、新規のブラシ142をリンス液で洗浄するとともに、ブラシ処理時に用いる洗浄液Lwとして薬液を用いることができる。 In step S120, the substrate W is spin-dried. During spin drying, the rotational speed of the substrate is increased more than the rotational speed of the substrate W during brush processing. This dries the rinsing liquid and chemical liquid on the substrate W. In the manner described above, the substrate W can be cleaned. Moreover, by replacing the cleaning liquid Lw in the container 152 from the rinsing liquid with a chemical liquid, a new brush 142 can be cleaned with the rinsing liquid, and the chemical liquid can be used as the cleaning liquid Lw used during brush processing.

なお、図1~図19を参照して上述した説明では、容器152は、底部152aおよび側部152bとともに上部152cとを含んでいたが、本実施形態はこれに限定されない。容器152は、上部152cを有さなくてもよい。この場合、ブラシ処理部140のアーム146が容器152の側部152bの先端と当接することにより、容器152を密閉状態にできる。 In addition, in the description given above with reference to FIGS. 1 to 19, the container 152 includes an upper portion 152c as well as a bottom portion 152a and side portions 152b, but the present embodiment is not limited thereto. Container 152 may not have an upper portion 152c. In this case, the arm 146 of the brush processing section 140 comes into contact with the tip of the side portion 152b of the container 152, so that the container 152 can be sealed.

また、図1~図19を参照して上述した説明では、ブラシ処理部140のアーム146が容器152の上部152cと当接することによって容器152が密閉状態となったが、本実施形態はこれに限定されない。 Further, in the explanation given above with reference to FIGS. 1 to 19, the arm 146 of the brush processing section 140 comes into contact with the upper part 152c of the container 152, so that the container 152 is in a sealed state. Not limited.

次に、図1~図3および図20を参照して、本実施形態の基板処理装置1におけるブラシ含有液調整部150を説明する。図20は、ブラシ含有液調整部150の模式図である。図20のブラシ含有液調整部150は、容器152が開閉部152sをさらに有する点を除き、図4を参照して上述したブラシ含有液調整部150と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, the brush-containing liquid adjusting section 150 in the substrate processing apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and FIG. 20. FIG. 20 is a schematic diagram of the brush-containing liquid adjusting section 150. The brush-containing liquid adjusting section 150 in FIG. 20 has the same configuration as the brush-containing liquid adjusting section 150 described above with reference to FIG. 4, except that the container 152 further includes an opening/closing section 152s. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

図20に示すように、容器152は、底部152a、側部152bおよび上部152cとともに、開閉部152sをさらに有する。開閉部152sは、容器152の上部152cに取り付けられる。開閉部152sは、容器152の上部152cに対して水平方向に移動可能である。開閉部152sは、容器152の開口部152dを塞ぐように移動できる。 As shown in FIG. 20, the container 152 further includes a bottom portion 152a, a side portion 152b, a top portion 152c, and an opening/closing portion 152s. The opening/closing part 152s is attached to the upper part 152c of the container 152. The opening/closing part 152s is movable in the horizontal direction with respect to the upper part 152c of the container 152. The opening/closing part 152s is movable so as to close the opening 152d of the container 152.

ブラシ142およびホルダ144が容器152の開口部152dを通過した状態で開閉部152sは閉じるように移動させる。ここでは、開閉部152sは、アーム146に当接するまで移動する。したがって、容器152の開口部152dは、アーム146および開閉部152sによって塞がれる。 With the brush 142 and holder 144 passing through the opening 152d of the container 152, the opening/closing section 152s is moved to close. Here, the opening/closing section 152s moves until it comes into contact with the arm 146. Therefore, the opening 152d of the container 152 is closed by the arm 146 and the opening/closing part 152s.

なお、図1~図20を参照して上述した説明では、ブラシ142は、基板Wの上面Waを洗浄したが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ142は、基板Wの側面を洗浄してもよい。 Note that in the description given above with reference to FIGS. 1 to 20, the brush 142 cleans the upper surface Wa of the substrate W, but the present embodiment is not limited thereto. The brush 142 may clean the side surface of the substrate W.

また、図1~図20を参照して上述した説明では、ブラシ含有液調整部150は、基板処理装置1に配置されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置1が大量の基板を適宜処理する場合、ブラシを定期的に交換する必要がある。この場合、新たに交換するブラシは、洗浄液が充分に浸漬した状態で収納されることが好ましい。このため、ブラシ含有液調整部150は、使用前のブラシを収納する収納容器として用いられることが好ましい。 Furthermore, in the explanation given above with reference to FIGS. 1 to 20, the brush-containing liquid adjusting section 150 is placed in the substrate processing apparatus 1, but the present embodiment is not limited thereto. When the substrate processing apparatus 1 appropriately processes a large amount of substrates, it is necessary to replace the brushes regularly. In this case, it is preferable that the newly replaced brush be stored in a state where it is sufficiently immersed in the cleaning liquid. For this reason, the brush-containing liquid adjustment section 150 is preferably used as a storage container for storing brushes before use.

次に、図21を参照して、本実施形態のブラシ収納容器200を説明する。図21は、ブラシ収納容器200の模式図である。ブラシ収納容器200は、ブラシ142の収納に用いられる。典型的には、ブラシ収納容器200は、基板処理装置1におけるブラシ処理部140のブラシ142を交換する際に開封される。 Next, with reference to FIG. 21, the brush storage container 200 of this embodiment will be described. FIG. 21 is a schematic diagram of the brush storage container 200. Brush storage container 200 is used to store brushes 142. Typically, the brush storage container 200 is opened when the brush 142 of the brush processing section 140 in the substrate processing apparatus 1 is replaced.

また、ブラシ収納容器200は、基板処理装置1に用いられるブラシ142の含有液量を調整した状態でブラシ142を収納する。例えば、ブラシ収納容器200は、ブラシ142とともにホルダ144を保持してブラシ142の含有液量を調整する。 Further, the brush storage container 200 stores the brush 142 used in the substrate processing apparatus 1 with the amount of liquid contained in the brush 142 adjusted. For example, the brush storage container 200 holds the holder 144 together with the brush 142 to adjust the amount of liquid contained in the brush 142.

図21に示すように、ブラシ収納容器200は、筐体210と、気体流通部220とを備える。筐体210は、中空形状である。筐体210の内部には、ブラシ142が収容される。ここでは、筐体210内には、ブラシ142とともにホルダ144が収容されている。 As shown in FIG. 21, the brush storage container 200 includes a housing 210 and a gas circulation section 220. The housing 210 has a hollow shape. A brush 142 is housed inside the housing 210. Here, the holder 144 is housed in the housing 210 together with the brush 142.

筐体210は、ブラシ142を収容した状態で密閉状態にできる。このため、ブラシ142は、筐体210の内部で汚れることなく保持される。ただし、ブラシ142を使用する場合、筐体210は、密閉状態から開放される。 The housing 210 can be kept in a sealed state while housing the brush 142 therein. Therefore, the brush 142 is held inside the housing 210 without getting dirty. However, when using the brush 142, the housing 210 is released from the sealed state.

筐体210には、圧力計210mが取り付けられることが好ましい。圧力計210mは、筐体210内の気圧を計測する。 It is preferable that a pressure gauge 210m is attached to the housing 210. The pressure gauge 210m measures the atmospheric pressure inside the housing 210.

筐体210は、底部210aと、側部210bと、上部210cとを含む。底部210aは、XY平面に沿って延びる。側部210bは、底部210aの端部からZ軸方向に延びる。上部210cは、側部210bの上端から水平方向に延びる。底部210aと、側部210bと、上部210cとによって囲まれた内部空間IS内に、洗浄液Lwが貯留される。 The housing 210 includes a bottom portion 210a, a side portion 210b, and an upper portion 210c. The bottom portion 210a extends along the XY plane. The side portion 210b extends in the Z-axis direction from the end of the bottom portion 210a. Upper portion 210c extends horizontally from the upper end of side portion 210b. The cleaning liquid Lw is stored in an internal space IS surrounded by the bottom 210a, the side 210b, and the top 210c.

筐体210には、貫通孔210pが設けられる。貫通孔210pは、筐体210の一部を貫通する。ここでは、貫通孔210pは、側部210bに設けられる。貫通孔152pは、筐体210の内部と連絡する。 The housing 210 is provided with a through hole 210p. The through hole 210p passes through a part of the housing 210. Here, the through hole 210p is provided in the side portion 210b. The through hole 152p communicates with the inside of the housing 210.

気体流通部220は、筐体210の内部と外部とを流通する。例えば、筐体210が密閉状態である場合、気体流通部220は、筐体210の内部の気体を筐体210の外部に流出する。あるいは、気体流通部220は、筐体210の外部の気体を筐体210の内部に流入する。気体流通部220は、筐体210内にブラシ142を密閉した状態で筐体210内の気圧を変化させる。これにより、ブラシ142に洗浄液を充分に浸透させることができる。 The gas circulation section 220 circulates between the inside and the outside of the housing 210. For example, when the casing 210 is in a sealed state, the gas flow section 220 causes the gas inside the casing 210 to flow out of the casing 210. Alternatively, the gas flow section 220 allows gas from outside the housing 210 to flow into the inside of the housing 210. The gas flow section 220 changes the air pressure inside the housing 210 with the brush 142 sealed inside the housing 210. Thereby, the cleaning liquid can be sufficiently permeated into the brush 142.

気体流通部220は、配管221と、バルブ222とを含む。配管221の一端は、貫通孔210pと連絡する。また、配管221の他端は、気圧調整源160に接続可能である。 Gas flow section 220 includes piping 221 and valve 222. One end of the pipe 221 communicates with the through hole 210p. Further, the other end of the pipe 221 can be connected to the air pressure adjustment source 160.

例えば、気圧調整源160として排気装置を配管221に接続する場合、密閉状態の筐体210が貫通孔210pを介して排気装置と接続されるため、バルブ222が開状態になると、筐体210の内部の気体は、貫通孔210pを介して筐体210の外部に排出される。これにより、筐体210内の気圧が低下するため、ブラシ142の内部の気泡を洗浄液Lwに染み出させることができる。その後、ブラシ142を使用するために、筐体210を開放状態にすると、筐体210内の気圧が大気圧に戻るため、ブラシ142の内部に洗浄液Lwを充分に浸透できる。 For example, when an exhaust device is connected to the piping 221 as the air pressure adjustment source 160, the sealed casing 210 is connected to the exhaust device through the through hole 210p, so when the valve 222 is opened, the casing 210 The internal gas is exhausted to the outside of the housing 210 through the through hole 210p. As a result, the air pressure inside the housing 210 decreases, so that air bubbles inside the brush 142 can seep into the cleaning liquid Lw. After that, when the casing 210 is opened to use the brush 142, the air pressure inside the casing 210 returns to atmospheric pressure, so that the cleaning liquid Lw can sufficiently penetrate into the inside of the brush 142.

あるいは、気圧調整源160として気体供給部を配管221に接続する場合、密閉状態の筐体210が貫通孔210pを介して気体供給部と接続されるため、バルブ222が開状態になると、気体は、貫通孔210pを介して筐体210の内部に流入する。これにより、筐体210内の気圧が増加するため、洗浄液Lwをブラシ142に浸透させることができる。 Alternatively, when a gas supply unit is connected to the pipe 221 as the pressure adjustment source 160, the sealed case 210 is connected to the gas supply unit via the through hole 210p, so when the valve 222 is opened, the gas is , flows into the housing 210 through the through hole 210p. This increases the air pressure inside the housing 210, allowing the cleaning liquid Lw to penetrate into the brush 142.

なお、筐体210は、密閉状態から開放状態に変化する。筐体210が開放状態である場合、筐体210からブラシ142を取り出し、また、筐体210にブラシ142を収容できる。筐体210は、複数の部分に分離することにより、密閉状態から開放状態に変化する。 Note that the housing 210 changes from a closed state to an open state. When the housing 210 is in the open state, the brush 142 can be taken out from the housing 210 and the brush 142 can be stored in the housing 210. The housing 210 changes from a closed state to an open state by separating into a plurality of parts.

筐体210は、容器212と、蓋214とを含む。容器212の一部は、開口している。蓋214は、容器212の開口部分を覆う。これにより、筐体210を密閉状態にできる。容器212の上部と蓋214とにより、筐体210の上部210cが形成される。蓋214は、筐体210の内にブラシ142、またはブラシ142およびホルダ144が収容した状態で、開口部を塞ぐように容器212に係合する。なお、ここでは、貫通孔210pは、容器212の側部に設けられる。 Housing 210 includes a container 212 and a lid 214. A portion of the container 212 is open. Lid 214 covers the opening of container 212. This allows the housing 210 to be in a sealed state. The upper part of the container 212 and the lid 214 form an upper part 210c of the housing 210. The lid 214 engages with the container 212 so as to close the opening while the brush 142 or the brush 142 and the holder 144 are housed in the housing 210. Note that here, the through hole 210p is provided on the side of the container 212.

蓋214には、ブラシ142が取り付けられる。ここでは、蓋214には、ブラシ142はホルダ144とともに取り付けられる。詳細には、蓋214には、支持軸214aが取り付けられる。支持軸214aは、鉛直下方に延びる。支持軸214aには、ブラシ142を保持するホルダ144が取り付けられる。蓋214および支持軸214aにより、ブラシ142は、容器212の内部で洗浄液Lwに浸漬した状態で保持される。なお、ブラシ142は、蓋214および支持軸214aによって保持されるため、ブラシ142の位置は、容器212内で変動しない。 A brush 142 is attached to the lid 214. Here, the brush 142 is attached to the lid 214 together with the holder 144. Specifically, a support shaft 214a is attached to the lid 214. The support shaft 214a extends vertically downward. A holder 144 that holds the brush 142 is attached to the support shaft 214a. The brush 142 is held in a state immersed in the cleaning liquid Lw inside the container 212 by the lid 214 and the support shaft 214a. Note that since the brush 142 is held by the lid 214 and the support shaft 214a, the position of the brush 142 does not change within the container 212.

例えば、容器212および蓋214のそれぞれには、溝および突起が互いにらせん状に形成される。容器212および蓋214のうちの一方の溝が他方の突起と係合することにより、蓋214を容器212に締め付けることができ、筐体210を密閉状態に形成できる。 For example, the container 212 and the lid 214 are each formed with grooves and protrusions that spiral around each other. By engaging the groove of one of the container 212 and the lid 214 with the protrusion of the other, the lid 214 can be tightened to the container 212, and the housing 210 can be formed in a sealed state.

本実施形態のブラシ収納容器200によれば、ブラシ142の収納中にも、ブラシ142に洗浄液Lwを充分に浸透できる。さらに、ブラシ収納容器200によれば、ブラシ142の収納中にも、気圧を変化させて、ブラシ142の内部に存在する汚れを洗浄できる。このため、基板処理装置1のブラシ142を交換した後、速やかにブラシ142を使用できる。 According to the brush storage container 200 of this embodiment, the cleaning liquid Lw can be sufficiently permeated into the brush 142 even while the brush 142 is being stored. Furthermore, according to the brush storage container 200, even while the brush 142 is being stored, the air pressure can be changed to clean dirt existing inside the brush 142. Therefore, after replacing the brush 142 of the substrate processing apparatus 1, the brush 142 can be used immediately.

なお、図21に示したブラシ収納容器200は、筐体210を密閉したまま筐体210内の気体を流通可能であったが、本実施形態はこれに限定されない。ブラシ収納容器200は、筐体210を密閉したまま筐体210内の液体を流通可能であってもよい。 In addition, although the brush storage container 200 shown in FIG. 21 was able to circulate the gas inside the housing 210 while keeping the housing 210 sealed, the present embodiment is not limited to this. The brush storage container 200 may be able to circulate the liquid within the housing 210 while keeping the housing 210 hermetically sealed.

次に、図22を参照して、本実施形態のブラシ収納容器200を説明する。図22は、ブラシ収納容器200の模式図である。図22のブラシ収納容器200は、洗浄液流通部230をさらに備える点を除き、図21を参照して上述したブラシ収納容器200と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。 Next, with reference to FIG. 22, the brush storage container 200 of this embodiment will be described. FIG. 22 is a schematic diagram of the brush storage container 200. The brush storage container 200 in FIG. 22 has the same configuration as the brush storage container 200 described above with reference to FIG. 21, except that it further includes a cleaning liquid distribution section 230. Therefore, duplicate descriptions will be omitted to avoid redundancy.

ブラシ収納容器200は、筐体210および気体流通部220に加えて、洗浄液流通部230をさらに備える。洗浄液流通部230は、筐体210に洗浄液を流入するとともに、筐体210から洗浄液を流出する。 In addition to the casing 210 and the gas flow section 220, the brush storage container 200 further includes a cleaning liquid flow section 230. The cleaning liquid distribution section 230 allows the cleaning liquid to flow into the housing 210 and causes the cleaning liquid to flow out from the housing 210.

筐体210には、貫通孔210q1および貫通孔210q2が設けられる。貫通孔210q1および貫通孔210q2は、筐体210の一部を貫通する。貫通孔210q1および貫通孔210q2は、筐体210の内部と外部とを連絡する。ここでは、貫通孔210q1および貫通孔210q2は、筐体210の側部210bに設けられる。このため、筐体210の内部と外部とは、側部210bの貫通孔210q1および貫通孔210q2を介して連絡する。 The housing 210 is provided with a through hole 210q1 and a through hole 210q2. The through hole 210q1 and the through hole 210q2 penetrate a part of the housing 210. Through hole 210q1 and through hole 210q2 communicate the inside and outside of housing 210. Here, the through hole 210q1 and the through hole 210q2 are provided in the side portion 210b of the housing 210. Therefore, the inside and outside of the housing 210 communicate with each other via the through hole 210q1 and the through hole 210q2 in the side portion 210b.

典型的には、貫通孔210q1および貫通孔210q2は、筐体210の対向する位置に設けられる。ただし、筐体210における貫通孔210q1の高さは、筐体210における貫通孔210q2の高さとは異なってもよい。 Typically, through-hole 210q1 and through-hole 210q2 are provided at opposing positions in housing 210. However, the height of the through hole 210q1 in the housing 210 may be different from the height of the through hole 210q2 in the housing 210.

筐体210は、洗浄液Lwを貯留する。なお、貫通孔210q1および貫通孔210q2は、洗浄液Lwの上限よりも低い位置に配置される。後述するように、洗浄液Lwにはブラシ142が浸漬されるが、貫通孔210q1および貫通孔210q2は、ブラシ142の浸漬された洗浄液Lwの上限よりも低い位置に配置されてもよい。 The housing 210 stores the cleaning liquid Lw. Note that the through hole 210q1 and the through hole 210q2 are arranged at a position lower than the upper limit of the cleaning liquid Lw. As described later, the brush 142 is immersed in the cleaning liquid Lw, but the through holes 210q1 and 210q2 may be arranged at positions lower than the upper limit of the cleaning liquid Lw in which the brush 142 is immersed.

洗浄液流通部230は、流入配管231aと、流出配管231bと、流入バルブ232と、流出バルブ232bとを含む。流入配管231aには、流入バルブ232aが取り付けられる。ここでは、流入配管231aの一端は、貫通孔210q1と連絡しており、流入配管231aの他端は、洗浄液供給源に接続可能である。流入バルブ232aは、流入配管231a内の流路を開閉する。 The cleaning liquid distribution section 230 includes an inflow pipe 231a, an outflow pipe 231b, an inflow valve 232, and an outflow valve 232b. An inflow valve 232a is attached to the inflow pipe 231a. Here, one end of the inflow pipe 231a communicates with the through hole 210q1, and the other end of the inflow pipe 231a can be connected to a cleaning liquid supply source. The inflow valve 232a opens and closes the flow path within the inflow pipe 231a.

流出配管231bには、流出バルブ232bが取り付けられる。ここでは、流出配管231bの一端は、貫通孔210q2と連絡しており、流出配管231bの他端は、廃液タンクに接続可能である。流出バルブ232bは、流出配管231b内の流路を開閉する。 An outflow valve 232b is attached to the outflow pipe 231b. Here, one end of the outflow pipe 231b communicates with the through hole 210q2, and the other end of the outflow pipe 231b can be connected to a waste liquid tank. The outflow valve 232b opens and closes the flow path within the outflow pipe 231b.

本実施形態のブラシ収納容器200によれば、ブラシ142の収納中にも、洗浄液Lwを置換できる。このため、ブラシ142の収納中にも、ブラシ142に含有される液体の量を適切に調整し、含有される液体を適切に置換できる。 According to the brush storage container 200 of this embodiment, the cleaning liquid Lw can be replaced even while the brush 142 is being stored. Therefore, even while the brush 142 is being stored, the amount of liquid contained in the brush 142 can be adjusted appropriately and the contained liquid can be replaced appropriately.

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various forms without departing from the spirit thereof. Moreover, various inventions can be formed by appropriately combining the plurality of components disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiments. Furthermore, components of different embodiments may be combined as appropriate. For ease of understanding, the drawing mainly shows each component schematically, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown in the diagram may differ from the actual one for convenience of drawing. may be different. Furthermore, the materials, shapes, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiments are merely examples, and are not particularly limited, and various changes can be made without substantially departing from the effects of the present invention. be.

本発明は、基板処理装置およびブラシ収納容器に好適に用いられる。 INDUSTRIAL APPLICATION This invention is suitably used for a substrate processing apparatus and a brush storage container.

1 基板処理装置
100 基板処理システム
110 チャンバー
120 基板保持部
130 リンス液供給部
140 ブラシ処理部
150 ブラシ含有液調整部
152 容器
154 気体流通部
200 ブラシ収納容器
210 筐体
212 容器
214 蓋
220 気体流通部
W 基板
1 Substrate processing apparatus 100 Substrate processing system 110 Chamber 120 Substrate holding section 130 Rinse liquid supply section 140 Brush processing section 150 Brush-containing liquid adjustment section 152 Container 154 Gas distribution section 200 Brush storage container 210 Housing 212 Container 214 Lid 220 Gas distribution section W board

Claims (14)

基板を保持する基板保持部と、
ブラシを有し、前記基板保持部に保持された前記基板を前記ブラシで処理するブラシ処理部と、
前記ブラシに含有される液体の量を調整するブラシ含有液調整部と
を備える、基板処理装置であって、
前記ブラシ含有液調整部は、
洗浄液を貯留する容器と、
前記容器内に前記ブラシを密閉した状態で前記容器内の気圧を変化させる気体流通部と
を有する、基板処理装置。
a substrate holding part that holds the substrate;
a brush processing unit having a brush and processing the substrate held by the substrate holding unit with the brush;
A substrate processing apparatus comprising: a brush-containing liquid adjusting section that adjusts the amount of liquid contained in the brush;
The brush-containing liquid adjusting section includes:
a container for storing cleaning liquid;
and a gas flow section that changes the air pressure inside the container while the brush is hermetically sealed inside the container.
前記気体流通部は、前記容器内の気圧を大気圧よりも低下させる、請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas flow section lowers the pressure inside the container below atmospheric pressure. 前記気体流通部は、前記容器内の気圧を大気圧よりも増加させる、請求項1または2に記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas flow section increases the pressure inside the container to be higher than atmospheric pressure. 前記容器には貫通孔が設けられており、
前記気体流通部は、
前記貫通孔に接続する配管と、
前記配管内の気体の流れを調整するバルブと
を有する、請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。
The container is provided with a through hole,
The gas flow section is
Piping connected to the through hole;
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, further comprising a valve that adjusts the flow of gas within the pipe.
前記ブラシ含有液調整部は、前記容器内に洗浄液を流通させる洗浄液流通部をさらに有する、請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the brush-containing liquid adjustment section further includes a cleaning liquid distribution section that allows cleaning liquid to flow into the container. 前記基板保持部に保持された前記基板にリンス液を供給するリンス液供給部をさらに備える、請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising a rinsing liquid supply unit that supplies a rinsing liquid to the substrate held by the substrate holding unit. 前記容器には前記洗浄液として前記リンス液が供給される、請求項6に記載の基板処理装置。 7. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the rinsing liquid is supplied to the container as the cleaning liquid. 前記ブラシ処理部は、
前記ブラシを保持するホルダと、
前記ホルダの取り付けられたアームと、
前記アームを移動させる移動部と
をさらに有し、
前記アームが前記容器と当接することによって、前記ブラシは、前記容器内で密閉される、請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置。
The brush processing section is
a holder that holds the brush;
an arm to which the holder is attached;
further comprising a moving part that moves the arm,
8. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the brush is hermetically sealed within the container by the arm coming into contact with the container.
ブラシを密閉して収容する筐体と、
前記筐体内で前記ブラシを密閉した状態で前記筐体内の気圧を変化させるための気体流通部と
を備える、ブラシ収納容器。
A casing that seals and accommodates the brush;
A brush storage container comprising: a gas flow section for changing the air pressure inside the housing while keeping the brush sealed inside the housing.
前記気体流通部は、前記筐体の内部の気圧を大気圧より低下させ、その後、前記筐体の内部の前記気圧を前記大気圧に戻す、請求項9に記載のブラシ収納容器。The brush storage container according to claim 9, wherein the gas flow section lowers the air pressure inside the casing below atmospheric pressure, and then returns the air pressure inside the casing to the atmospheric pressure. 前記気体流通部は、前記筐体の内部に気体を流入させ、前記筐体の内部の気圧を増加させる、請求項9に記載のブラシ収納容器。The brush storage container according to claim 9, wherein the gas flow section allows gas to flow into the interior of the housing to increase the air pressure inside the housing. 前記筐体は、
洗浄液を貯留する容器と、
前記容器と係合する蓋と
を有する、請求項9から11のいずれかに記載のブラシ収納容器。
The casing is
a container for storing cleaning liquid;
The brush storage container according to any one of claims 9 to 11 , comprising a lid that engages with the container.
前記筐体には貫通孔が設けられており、
前記気体流通部は、
前記貫通孔に接続する配管と、
前記配管内の気体の流れを調整するバルブと
を有する、請求項9から12のいずれかに記載のブラシ収納容器。
The housing is provided with a through hole,
The gas flow section is
Piping connected to the through hole;
The brush storage container according to any one of claims 9 to 12 , further comprising a valve that adjusts the flow of gas within the pipe.
前記筐体内の洗浄液を流通させるための洗浄液流通部をさらに備える、請求項9から13のいずれかに記載のブラシ収納容器。 The brush storage container according to any one of claims 9 to 13 , further comprising a cleaning liquid distribution section for distributing the cleaning liquid inside the housing.
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