JP7363158B2 - 電子部品内蔵基板及びその製造方法 - Google Patents
電子部品内蔵基板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7363158B2 JP7363158B2 JP2019135918A JP2019135918A JP7363158B2 JP 7363158 B2 JP7363158 B2 JP 7363158B2 JP 2019135918 A JP2019135918 A JP 2019135918A JP 2019135918 A JP2019135918 A JP 2019135918A JP 7363158 B2 JP7363158 B2 JP 7363158B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- metal
- electronic component
- insulating layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
H1+H2<H3
であることが好ましい。これは、第1及び第2の金属膜51,52の役割が電子部品40及び絶縁層13に対する密着性の向上であることから表層にのみ位置すれば足り、また比較的高価な材料からなるのに対し、第3の金属膜53の役割は放熱性の向上と、ビア導体35に対する密着性の向上であり、ある程度の厚さが必要だからである。
H3a≧H3×0.1
であることが好ましい。つまり、ビア導体35は第3の金属膜53を貫通せず、その先端が第1の金属膜51と接することなく第3の金属膜53内に位置することが好ましく、そのマージンとして第3の金属膜53の厚さH3の10%以上であることが好ましい。これは、ビア導体35が第3の金属膜53を貫通すると、ビアホールを形成する際に電子部品40にダメージが加わるそれがあるからである。また、このようなマージンを十分に確保するためには、第3の金属膜53の厚みを3μm以上とすることが好ましい。
11~14 絶縁層
21,22 ソルダーレジスト
31~35 ビア導体
40 電子部品
41 端子電極
42 主面
43 側面
44 裏面
50 金属積層膜
51 第1の金属膜
52 第2の金属膜
53 第3の金属膜
70 支持体
71 剥離層
81~85 ビアホール
E1,E2 外部端子
L1~L4 配線層
L1a~L1c,L2a,L2b,L3a,L4a~L4c 金属膜
Claims (8)
- 第1の配線層を含む複数の配線層と、第1及び第2の絶縁層を含む複数の絶縁層が積層されてなる基板と、
端子電極が形成された主面と、前記主面の反対側に位置し、金属積層膜で覆われた裏面とを有し、前記主面が前記第1の絶縁層で覆われ、前記裏面が前記第2の絶縁層で覆われるよう、前記基板に埋め込まれた電子部品と、
前記第2の絶縁層を貫通して設けられ、前記第1の配線層と前記金属積層膜とを接続するビア導体と、を備え、
前記金属積層膜は、前記電子部品の前記裏面と接する第1の金属膜と、前記第2の絶縁層と接する第2の金属膜と、前記第1の金属膜と前記第2の金属膜の間に位置する第3の金属膜とを含み、
前記第1の金属膜は、前記電子部品に対する密着性が前記第3の金属膜よりも高い金属材料からなり、
前記第2の金属膜は、前記第2の絶縁層に対する密着性が前記第3の金属膜よりも高い金属材料からなり、
前記第1及び第2の金属膜は、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)又はパラジウム(Pd)からなり、
前記ビア導体は、前記第2の金属膜を貫通し、前記第3の金属膜に食い込んでいることを特徴とする電子部品内蔵基板。 - 前記ビア導体の端部は、前記第1の金属膜と接することなく、前記第3の金属膜内に位置することを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第3の金属膜内における前記ビア導体の径は、前記第2の金属膜の開口径よりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第3の金属膜と前記ビア導体が互いに同じ金属材料からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第3の金属膜と前記ビア導体がいずれも銅(Cu)からなることを特徴とする請求項4に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第3の金属膜の厚みは、前記第1及び第2の金属膜の合計厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
- 前記第3の金属膜の厚みは3μm以上であることを特徴とする請求項6に記載の電子部品内蔵基板。
- 端子電極が形成された主面と、前記主面の反対側に位置する裏面とを有し、前記裏面が金属積層膜で覆われた電子部品を用意する工程と、
第1の配線層を含む複数の配線層と、第1及び第2の絶縁層を含む複数の絶縁層が積層されてなる基板に、前記主面が前記第1の絶縁層で覆われ、前記裏面が前記第2の絶縁層で覆われるよう、前記電子部品を埋め込む工程と、
前記第2の絶縁層を貫通するビアホールを形成することにより、前記金属積層膜を露出させる工程と、
洗浄液を用いて前記ビアホール内を洗浄する工程と、
前記ビアホール内にビア導体を形成することにより、前記第1の配線層と前記金属積層膜とを接続する工程と、を備え、
前記金属積層膜は、前記電子部品の前記裏面と接する第1の金属膜と、前記第2の絶縁層と接する第2の金属膜と、前記第1の金属膜と前記第2の金属膜の間に位置する第3の金属膜とを含み、
前記第1の金属膜は、前記電子部品に対する密着性が前記第3の金属膜よりも高い金属材料からなり、
前記第2の金属膜は、前記第2の絶縁層に対する密着性が前記第3の金属膜よりも高い金属材料からなり、
前記第3の金属膜は、前記第2の金属膜よりも前記洗浄液によるエッチングレートが高く、
前記金属積層膜を露出させる工程は、前記第2の金属膜を貫通するよう前記ビアホールを形成し、これにより前記第3の金属膜を露出させることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019135918A JP7363158B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019135918A JP7363158B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021019169A JP2021019169A (ja) | 2021-02-15 |
JP7363158B2 true JP7363158B2 (ja) | 2023-10-18 |
Family
ID=74564391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019135918A Active JP7363158B2 (ja) | 2019-07-24 | 2019-07-24 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7363158B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339354A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Tdk Corp | 半導体ic及びその製造方法、並びに、半導体ic内蔵モジュール及びその製造方法 |
JP2007150002A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵基板及びその製造方法 |
JP2013219247A (ja) | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Tdk Corp | 配線基板及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-07-24 JP JP2019135918A patent/JP7363158B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006339354A (ja) | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Tdk Corp | 半導体ic及びその製造方法、並びに、半導体ic内蔵モジュール及びその製造方法 |
JP2007150002A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵基板及びその製造方法 |
JP2013219247A (ja) | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Tdk Corp | 配線基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021019169A (ja) | 2021-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5109662B2 (ja) | 積層回路基板の製造方法および回路板の製造方法 | |
JP5540276B2 (ja) | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 | |
US9691698B2 (en) | Method of transferring and electrically joining a high density multilevel thin film to a circuitized and flexible organic substrate and associated devices | |
JP5367523B2 (ja) | 配線基板及び配線基板の製造方法 | |
JP2012191204A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
KR101476947B1 (ko) | 상호연결층 스택에 라미네이트된 액정 폴리머 솔더 마스크를 갖는 전자 디바이스 제조 방법 및 관련된 디바이스 | |
JP2006222164A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006165175A (ja) | 回路部品モジュールおよび電子回路装置並びに回路部品モジュールの製造方法 | |
TWI588912B (zh) | 電子封裝件、封裝載板及兩者的製造方法 | |
JP2004193497A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
JP4753960B2 (ja) | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法 | |
JP2008181977A (ja) | パッケージ、そのパッケージの製造方法、そのパッケージを用いた半導体装置、そのパッケージを用いた半導体装置の製造方法 | |
TW201246486A (en) | Method of making an electronic device having a liquid crystal polymer solder mask and related devices | |
TWI685935B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
TW200941604A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP2002076576A (ja) | 配線パターン形成方法およびその方法に用いられる原版 | |
JP5982760B2 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP7363158B2 (ja) | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 | |
JP2004119730A (ja) | 回路装置の製造方法 | |
JP2010129914A (ja) | 素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュールおよびその製造方法、ならびに携帯機器 | |
TW201244561A (en) | Multilayer wiring board | |
JP7443689B2 (ja) | 電子部品内蔵基板の製造方法 | |
JP2005026636A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101067063B1 (ko) | 인쇄회로기판 제조용 캐리어와 그 제조방법 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법 | |
JP2016092034A (ja) | 金属セラミック回路基板の製造方法、金属セラミック回路基板、回路基板用基材、及び、回路基板用積層体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220322 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7363158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |