JP7358123B2 - 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 - Google Patents
金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7358123B2 JP7358123B2 JP2019160466A JP2019160466A JP7358123B2 JP 7358123 B2 JP7358123 B2 JP 7358123B2 JP 2019160466 A JP2019160466 A JP 2019160466A JP 2019160466 A JP2019160466 A JP 2019160466A JP 7358123 B2 JP7358123 B2 JP 7358123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- circuit board
- ceramic
- manufacturing
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
セラミックス基板として71mm×70mm×0.6mmの大きさの略矩形の窒化アルミニウム基板を鋳型内に収容した後、鋳型内を窒素雰囲気にした状態で加熱し、純度99.9質量%のアルミニウムからなる溶湯をその表面の酸化膜を取り除きながら鋳型内に注湯し、その後、鋳型を冷却して溶湯を凝固させることによって、セラミックス基板の一方の面に70mm×69mm×0.6mmの大きさの略矩形の回路用金属板が直接接合するとともに、セラミックス基板の他方の面に84mm×98mm×2.8mmの大きさの略矩形のベース用金属板が直接接合した金属-セラミックス接合基板を作製した。
実施例1で作製した10個の不良品の金属-セラミックス回路基板のうちの2個の金属-セラミックス回路基板について、実施例1と同様のウェットブラスト処理を2回行った。このウェットブラスト処理を行った金属-セラミックス回路基板について、金属回路板の表面を目視により観察したところ、金属回路板の表面にキズや打痕は認められず、レジストの残存も認められなかった。また、ニッケルめっき皮膜の表面を目視により観察するとともに表面の半田濡れ性を評価したところ、ニッケルめっき皮膜の表面にしみや変色は認められず、レジストの残存も認められず、半田濡れ性も良好であった。
実施例1で作製した10個の不良品の金属-セラミックス回路基板のうちの2個の金属-セラミックス回路基板について、メラミン樹脂粒子を10体積%含む研磨材スラリーを噴射圧0.15MPaで噴射した以外は、実施例1と同様のウェットブラスト処理を2回行った。このウェットブラスト処理を行った金属-セラミックス回路基板について、金属回路板の表面を目視により観察したところ、金属回路板の表面にキズや打痕は認められず、レジストの残存も認められなかった。また、ニッケルめっき皮膜の表面を目視により観察するとともに表面の半田濡れ性を評価したところ、ニッケルめっき皮膜の表面にしみや変色は認められず、レジストの残存も認められず、半田濡れ性も良好であった。
セラミックス基板として92mm×120mm×1.0mmの大きさの略矩形の窒化アルミニウム基板を鋳型内に収容した後、鋳型内を窒素雰囲気にした状態で加熱し、(0.5質量%のSiと0.05質量%のBを含み、残部がアルミニウムと不可避不純物からなる)アルミニウム合金の溶湯をその表面の酸化膜を取り除きながら鋳型内に注湯し、その後、鋳型を冷却して溶湯を凝固させることによって、セラミックス基板の一方の面に90mm×120mm×0.4mmの大きさの略矩形の回路用金属板が直接接合するとともに、セラミックス基板の他方の面に100mm×140mm×3.6mmの大きさの略矩形のベース用金属板が直接接合した金属-セラミックス接合基板を作製した。
セラミックス基板として71mm×72mm×0.6mmの大きさの略矩形の窒化アルミニウム基板と、強化部材として71mm×79mm×0.6mmの大きさの略矩形の窒化アルミニウム基板とを略平行に1.9mm離間して鋳型内に収容した後、鋳型内を窒素雰囲気にした状態で加熱し、純度99.9質量%のアルミニウムからなる溶湯をその表面の酸化膜を取り除きながら鋳型内に注湯し、その後、鋳型を冷却して溶湯を凝固させることによって、セラミックス基板の一方の面に65mm×66mm×0.4mmの大きさの略矩形の回路用金属板が直接接合するとともに、セラミックス基板の他方の面に98mm×78mm×4mmの大きさの略矩形のベース用金属板の一方の面が直接接合し、このベース用金属板の内部に71mm×79mm×0.6mmの大きさの略矩形の強化部材が配置し、ベース用金属板の他方の面に高さ8mmで直径2mmの525本の柱状突起部(放熱ピン)が3mm間隔で一体に形成された金属-セラミックス接合基板を作製した。
12 金属回路板
12’ 回路用金属板
14 金属ベース板
14’ ベース用金属板
16 第1の電着レジスト
18 ニッケルめっき皮膜
20 第2の電着レジスト
22 半田層
24 チップ部品
Claims (10)
- セラミックス基板の一方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属回路板を形成し、この金属回路板の表面の一部にニッケル層を形成した後、金属回路板とニッケル層の表面をウェットブラスト処理により研磨することによって、金属回路板の表面の最大高さRzを15μm以上にするとともにニッケル層の表面の最大高さRzを前記金属回路板の表面の最大高さRzよりも8μm以上小さくすることを特徴とする、金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記ニッケル層を電気めっきにより形成することを特徴とする、請求項1に記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記ウェットブラスト処理は、液体中に樹脂、ガラスおよびセラミックスからなる群から選ばれる少なくとも1種の微粒子を含む研磨材スラリーを金属回路板とニッケル層の表面に噴射することにより行うことを特徴とする、請求項1または2に記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記研磨材スラリー中の微粒子の濃度が5~25体積%であることを特徴とする、請求項3に記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記研磨材スラリーを噴射する圧力が0.1~0.4MPaであることを特徴とする、請求項3または4に記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属回路板の形成は、前記セラミックス基板を収容した鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる溶湯を注湯した後、鋳型を冷却して溶湯を凝固させることによって行われることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記ウェットブラスト処理の前に、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属ベース板を形成することを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属ベース板の形成は、前記セラミックス基板を収容した鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる溶湯を注湯した後、鋳型を冷却して溶湯を凝固させることによって行われることを特徴とする、請求項7に記載の金属-セラミックス回路基板の製造方法。
- セラミックス基板の一方の面にアルミニウムからなる金属回路板の一方の面が直接接合し、金属回路板の他方の面にニッケル層が形成され、金属回路板とニッケル層の表面がウェットブラスト処理された金属-セラミックス回路基板において、金属回路板の表面の最大高さRzが15μm以上であり且つニッケル層の表面の最大高さRzが金属回路板の表面の最大高さRzよりも8μm以上小さいことを特徴とする、金属-セラミックス回路基板。
- 前記ニッケル層の表面の算術平均粗さRaが0.5~2.0μmであることを特徴とする、請求項9に記載の金属-セラミックス回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019160466A JP7358123B2 (ja) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019160466A JP7358123B2 (ja) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021040039A JP2021040039A (ja) | 2021-03-11 |
JP7358123B2 true JP7358123B2 (ja) | 2023-10-10 |
Family
ID=74847321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019160466A Active JP7358123B2 (ja) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7358123B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232090A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | セラミック回路基板 |
JP2005288716A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合部材 |
JP2016152324A (ja) | 2015-02-18 | 2016-08-22 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 |
-
2019
- 2019-09-03 JP JP2019160466A patent/JP7358123B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232090A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | セラミック回路基板 |
JP2005288716A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合部材 |
JP2016152324A (ja) | 2015-02-18 | 2016-08-22 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021040039A (ja) | 2021-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7256353B2 (en) | Metal/ceramic bonding substrate and method for producing same | |
JP5144279B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 | |
CN101438401B (zh) | 铝-碳化硅质复合体及其加工方法 | |
JP6400501B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
EP0198928A1 (en) | Fabrication of a printed circuit board with metal-filled channels | |
US20200083062A1 (en) | Electronic part mounting substrate and method for producing same | |
EP2546870A2 (en) | Metal-bonded ceramic substrate | |
CN112259495A (zh) | 一种晶圆印刷工艺 | |
JP6753721B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
JP6233973B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP7358123B2 (ja) | 金属-セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
JP4817139B2 (ja) | 孔版印刷用のマスク及びその製造方法 | |
US7666292B2 (en) | Method of manufacturing printed circuit board using imprinting process | |
JP2005144973A (ja) | 孔版印刷用のマスク | |
CN109243984B (zh) | 一种igbt铝碳化硅散热基板的阻焊方法 | |
JP2022122426A (ja) | アルミニウム-セラミックス回路基板の製造方法 | |
KR101324225B1 (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
JP5163840B2 (ja) | 孔版印刷用のマスク及びその製造方法 | |
CN111799152B (zh) | 一种晶圆双面金属工艺 | |
JP2004250762A (ja) | 金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、パターン製造成方法、および湿式処理装置、並びにパワーモジュール用金属セラミックス複合部材 | |
JPH1087385A (ja) | 金属−セラミックス複合基板及びその製造法 | |
JP2005186392A (ja) | 入れ子、成形型及びこれらの製造方法 | |
JP2003282770A (ja) | 金属ベース板付き回路基板及びモジュール | |
JPS63299297A (ja) | 導体回路板の製造方法 | |
JP2021163898A (ja) | 金属構造物の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7358123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |