JP7355255B2 - 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法に関する。

従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハが使用されている。シリコンウェーハは、チョクラルスキー（Czochralski、ＣＺ）法などによって育成した単結晶シリコンインゴットに対して、ウェーハ加工処理を施すことによって得られる。上記加工処理の際、シリコンウェーハの表面には、研磨粉などのパーティクルが付着するため、加工処理後にシリコンウェーハに対して洗浄処理を行ってパーティクルを除去している（例えば、特許文献１参照）。

シリコンウェーハなどの半導体ウェーハの洗浄装置には、複数枚のウェーハを同時に洗浄するバッチ式の洗浄装置、およびウェーハを一枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置が存在する。中でも、必要とする薬液の量が比較的少ないこと、ウェーハ間の相互汚染を回避することができること、大口径化により複数枚のウェーハを同時に処理するのが困難になってきていることなどから、近年では、枚葉式の洗浄装置が使用されるようになっている。

図１は、枚葉式のウェーハ洗浄装置の一例を示している。図１に示したウェーハ洗浄装置１００は、洗浄対象のウェーハＷを載置する回転可能なステージ１１と、ステージ１１上に載置されたウェーハＷの表裏面に向かって薬液を供給する薬液供給ノズル１２と、ウェーハＷの表裏面に向かって純水を供給する純水供給ノズル１３とを備える。

薬液供給ノズル１２および純水供給ノズル１３は、それぞれ上部ノズル１２ａ、１３ａと下部ノズル１２ｂ、１３ｂとで構成されている。薬液供給ノズル１２には、オゾン水、フッ酸溶液、アンモニア過水などの薬液を供給する薬液供給ライン１４が接続されており、純水供給ノズル１３には、純水を供給する純水供給ライン１５が接続されている。なお、薬液供給ノズル１２は、薬液の種類の数だけ複数用意することができる。また、ステージ１１の周囲には、洗浄中に飛散した薬液および純水を受け止めるスピンカップ１６がウェーハＷを取り囲むように配置されている。

図１に示したウェーハ洗浄装置１００を用いて、例えば以下のように洗浄対象のウェーハＷを洗浄する。まず、ウェーハＷをウェーハ洗浄装置１００内に導入し、ステージ１１のウェーハ保持部１１ａ上に載置する。次いで、ウェーハＷを回転させながら、薬液供給ノズル１２から薬液をウェーハ表裏面に噴射してウェーハＷを洗浄する（ウェーハ洗浄工程）。洗浄工程が終了した後、純水供給ノズル１３から純水をウェーハ表裏面に噴射してリンスする（ウェーハリンス工程）。ウェーハ洗浄工程およびウェーハリンス工程において飛散した薬液および純水は、スピンカップ１６によって受け止められ、廃液ライン１７によって回収されて廃液される。最後に、ウェーハＷを高速で回転させて乾燥させる（ウェーハ乾燥工程）。こうして、ウェーハＷを洗浄することができる。

特開２０１１－０８６６５９号公報

洗浄工程を経たウェーハＷは、品質検査工程に搬送されて各種品質検査が施されるが、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いてシリコンウェーハの洗浄を繰り返し行ったところ、品質検査工程において、ウェーハ表面に検出されるパーティクルの数が突発的に増加することが判明した。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いてウェーハの洗浄を繰り返し行った際にも、ウェーハ表面に検出されるパーティクルの数が突発的に増加するのを抑制する方法を提案することにある。

上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。

［１］ウェーハを載置する回転可能なステージと、
前記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から薬液を供給する薬液供給ノズルと、
前記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から純水を供給する純水供給ノズルと、
前記薬液供給ノズルに前記薬液を供給する薬液供給ラインと、
前記純水供給ノズルに前記純水を供給する純水供給ラインと、
供給された前記薬液および前記純水を回収して廃液する廃液ラインと、を備える枚葉式のウェーハ洗浄装置の配管を洗浄する方法であって、
前記純水供給ラインにマイクロナノバブルを含有する純水を導入し、前記純水供給ラインの配管を洗浄する配管洗浄工程を含むことを特徴とする枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［２］前記純水供給ラインに三方弁が設置され、２つの出口の一方が前記純水供給ノズルに接続され、他方が前記廃液ラインに接続されており、前記配管洗浄工程において、前記三方弁の出口を前記廃液ライン側に切り替えた状態で前記マイクロナノバブルを含有する純水を前記純水供給ラインに導入する、前記［１］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［３］前記配管洗浄工程において、前記純水供給ノズルを前記ウェーハから後退させ、前記ステージに隣接して設置された、前記廃液ラインに接続された処理カップに前記マイクロナノバブルを含有する純水を供給する、前記［１］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［４］ウェーハ裏面側の前記純水供給ノズルと前記純水供給ラインとの間に三方弁が設置され、２つの出口の一方が前記ウェーハ裏面側の純水供給ノズルに接続され、他方が前記廃液ラインに接続されており、
前記配管洗浄工程において、前記三方弁の出口を前記廃液ライン側に切り替えた状態で前記マイクロナノバブルを含有する純水を前記純水供給ラインに導入する一方、ウェーハ表面側の前記純水供給ノズルを前記ウェーハから後退させ、前記ステージに隣接して設置された、前記廃液ラインに接続された処理カップに前記マイクロナノバブルを含有する純水を供給する、前記［１］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［５］前記配管洗浄工程は、ウェーハ１枚の洗浄処理毎に行う、前記［１］～［４］のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［６］前記配管洗浄工程は、
前記薬液をウェーハの表面および／または裏面に噴射して洗浄するウェーハ洗浄工程と、
前記マイクロナノバブルを含有しない純水をウェーハの表面および／または裏面に噴射してリンスするウェーハリンス工程と、
ウェーハ表面に前記薬液および／または前記マイクロナノバブルを含有しない純水を供給せずにウェーハを回転させて乾燥させるウェーハ乾燥工程と、を含むウェーハの洗浄方法における、前記ウェーハ乾燥工程と同時に行う、前記［１］～［５］のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［７］前記配管洗浄工程は、
前記マイクロナノバブルを含有した純水を供給する第１工程と、
前記第１工程の後にマイクロナノバブルを含有しない純水を供給する第２工程と、を有する、前記［６］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［８］前記配管洗浄工程は、所定の洗浄処理間隔にて自動で行うように構成されている、前記［１］～［４］のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［９］前記所定の洗浄処理間隔がウェーハ上のパーティクルの個数の評価結果によって自動で設定される、前記［８］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

［１０］液中のパーティクルをカウントするパーティクルカウンタにより前記純水供給ノズルを通過する純水に含まれるパーティクルをモニタし、モニタしたパーティクルの個数によって前記所定の洗浄処理間隔が設定される、前記［８］に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

本発明によれば、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いてウェーハの洗浄を繰り返し行った際にも、ウェーハ表面に検出されるパーティクルの数が突発的に増加するのを抑制することができる。

一般的な枚葉式のウェーハ洗浄装置の一例を示す図である。 図１に示した枚葉式ウェーハ洗浄装置の純水供給ラインにマイクロナノバブル発生装置を接続した図である。 本発明による枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法の一例を説明する図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は上面図である。 本発明による枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法の別の例を説明する図である。 枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いた一般的なウェーハ洗浄方法に本発明における配管洗浄工程を組み込んだフローチャートである。 シリコンウェーハの洗浄を連続的に行った際のシリコンウェーハ上のパーティクルの個数の変動を示す図であり、（ａ）は従来例、（ｂ）は発明例に関する図である。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明は、枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管を洗浄する方法であって、ウェーハを載置する回転可能なステージと、上記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から薬液を供給する薬液供給ノズルと、上記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から純水を供給する純水供給ノズルと、上記薬液供給ノズルに薬液を供給する薬液供給ラインと、上記純水供給ノズルに純水を供給する純水供給ラインと、供給された薬液および純水を回収して廃液する廃液ラインと、を備える枚葉式のウェーハ洗浄装置の配管を洗浄する方法である。ここで、上記純水供給ラインにマイクロナノバブルを含有する純水を導入し、純水供給ラインの配管を洗浄する配管洗浄工程を含むことを特徴とする。

上述のように、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いてウェーハＷの洗浄を繰り返すと、ウェーハＷの表面に検出されるパーティクルの数が突発的に増加したことを受けて、本発明者はその原因について鋭意検討した。その結果、純水供給ライン１５の配管の内部に蓄積したパーティクルが、ウェーハリンス工程において純水をウェーハＷに供給した際に排出されてウェーハＷの表面に付着したのではないかと考えた。

すなわち、洗浄工程のウェーハリンス工程において使用される純水は、工場の大元の純水供給ラインから各洗浄装置に分岐して供給されるが、その際、フィルターを介して金属やパーティクルを除去されて供給される。しかし、上述のようなフィルターによる除去では、フィルターの開口径などにもよるが、パーティクルが十分に除去されない場合が多い。また、純水供給ライン１５の配管は、新品を導入する際には、配管内に純水を暫くの間供給して配管内を洗浄し、内部を流通する純水の品質を検査して所定の基準を満たした段階で使用されるが、その後はメンテナンスされない場合が多い。そのため、各洗浄装置における純水供給ライン１５の配管の継手やバルブにパーティクルが蓄積して、ウェーハリンス工程にて突発的に流出してウェーハＷの表面に供給され、ウェーハＷ上に付着した可能性がある。

本発明者は、上記推測に基づいて、純水供給ライン１５の配管を洗浄して配管の内部に付着したパーティクルを除去する方途について鋭意検討した。パーティクルを除去する方法としては、純水供給ライン１５に純水を供給し続けるフラッシングが有効と考えられるが、多くの時間を要し、また継手やバルブに蓄積したパーティクルを十分に除去できないおそれがある。そこで、本発明者らは、フラッシング以外の方法について鋭意検討した結果、マイクロナノバブルを含有する純水（以下、「マイクロナノバブル含有水」とも言う。）を供給して純水供給ライン１５の配管の内部を洗浄することに想到した。

マイクロナノバブル含有水は、マイクロメートルサイズおよびナノメートルサイズの微細な気泡を含有する気液混合純水であり、近年、洗浄対象物の表面に付着した付着物を除去する洗浄水として利用されてきている。例えば、特開２０１３－２４８５８２号公報には、ウェーハなどの電子材料を洗浄する洗浄水として利用されている。

ただし、ウェーハリンス工程において、純水供給ライン１５に導入したマイクロナノバブル含有水を純水供給ノズル１３からウェーハＷの表面に供給すると、マイクロナノバブルによって除去された純水供給ライン１５の配管内のパーティクルをウェーハＷの表面に付着させてしまうおそれがある。そこで、本発明者は、純水供給ライン１５にマイクロナノバブル含有水を導入してウェーハＷ以外に向かって供給することによって、短時間でパーティクルを効率的に除去でき、パーティクルの突発的な増加を抑制できることが判明し、本発明を完成させたのである。ここで、「マイクロナノバブル含有水をウェーハＷ以外に向かって供給する」とは、後に詳述するが、例えば、マイクロナノバブル含有水をウェーハＷの表面に接触しないように三方弁を通じて直接廃液ライン１７に供給することや、純水供給ノズル１３の上部ノズル１３ａをウェーハＷ上から退避（後退）させた上でマイクロナノバブル含有水を上部ノズル１３ａに供給して、廃液ライン１７に直接通じた処理カップに供給することなどである。

本発明において、マイクロナノバブル含有水のマイクロナノバブルの径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。マイクロナノバブルの径を上記範囲とすることにより、ウェーハＷの表面に付着したパーティクルを効率的に除去することができる。

また、マイクロナノバブルの密度は１×１０^５個／ｃｍ^３以上１×１０^１０個／ｃｍ^３以下とすることが好ましい。マイクロナノバブルの密度を１×１０^５個／ｃｍ^３以上とすることにより、純水供給ライン１５の配管内部の洗浄効果を高めることができる。また、マイクロナノバブルの密度の上限は洗浄効果の点では限定されないが、マイクロナノバブルを１×１０^１０個／ｃｍ^３超の密度で形成することは困難であるため、密度は１×１０^１０個／ｃｍ^３以下とすることが好ましい。

マイクロナノバブル含有水の流量は、０．５Ｌ／分以上２．０Ｌ／分以下とすることが好ましい。マイクロナノバブル含有水の流量を０．５Ｌ／分以上とすることにより、純水供給ライン１５の配管内部の洗浄効果を高めることができる。また、マイクロナノバブル含有水の流量を２．０Ｌ／分超えとしても洗浄効果は変わらないため、マイクロナノバブル含有水の流量を２．０Ｌ／分以下とすることが好ましい。

マイクロナノバブル含有水の導入時間は、純水供給ノズル１３内の水が置換される時間以上、ウェーハＷの生産性に影響を与えない時間以下において設定すればよい。具体的には、マイクロナノバブル含有水の導入時間は、１０秒以上３０秒以下とすることが好ましい。マイクロナノバブル含有水の導入時間を１０秒以上とすることにより、純水供給ライン１５の配管内部の洗浄効果を高めることができる。また、マイクロナノバブル含有水の導入時間を３０秒超えとしても洗浄効果は変わらないため、マイクロナノバブル含有水の導入時間は３０秒以下とすることが好ましい。

マイクロナノバブルを含有する純水の純度は、製品品質を達成できる純度を有していれば特に限定されない、いわゆる純水レベル（例えば、抵抗率：０．１～１５ＭΩ・ｃｍ）とすることができ、超純水レベル（例えば、抵抗率：１５ＭΩ・ｃｍ超え）の純度とすることもできる。

上記マイクロナノバブル含有水は、図２に示すように、純水供給ライン１５にマイクロナノバブル発生装置１８を接続して、純水供給ライン１５中の純水にマイクロナノバブル発生装置１８によって発生させたマイクロナノバブルを混合させることにより生成することができる。

上述のように生成したマイクロナノバブル含有水を純水供給ライン１５に導入することにより、純水供給ライン１５の配管を洗浄して配管内部に付着したパーティクルを除去することができる。

上記マイクロナノバブル含有水を導入する位置について、各枚葉式ウェーハ洗浄装置１００におけるウェーハリンス工程のタイミングが異なることから、純水供給ライン１５の各枚葉式ウェーハ洗浄装置に分岐する分岐点よりも上流からマイクロナノバブル含有水を導入すると、ウェーハＷ上にマイクロナノバブル含有水を供給してしまう可能性がある。そのため、各洗浄装置の純水供給ライン１５（すなわち、上記分岐点よりも下流）においてマイクロナノバブル含有水を導入することが好ましい。

一方、マイクロナノバブル含有水を排出する位置については、純水供給ライン１５は純水供給ノズル１３に接続されていることから、純水供給ライン１５に導入したマイクロナノバブル含有水は純水供給ノズル１３から噴射される。その際、ステージ１１上にウェーハＷが載置された状態でマイクロナノバブル含有水をウェーハＷに噴射すると、マイクロナノバブル含有水によって除去されたパーティクルがウェーハＷの表面に付着するおそれがある。

一般的な枚葉式ウェーハ洗浄装置においては、図３（ａ）および（ｂ）に模式的に示すように、薬液供給ノズル１２の上部ノズル１２ａおよび純水供給ノズル１３の上部ノズル１３ａをウェーハＷから後退させた際に、上部ノズル１２ａおよび１３ａから落下した薬液および純水を受ける処理カップ１９が受けた薬液および純水がウェーハＷに接触しないように設けられている。また、処理カップ１９の底部には廃液ライン１７に通じる排出口が設けられており、処理カップ１９が受けた薬液および純水が廃液ライン１７に廃液されるように構成されている。処理カップ１９は、上部ノズル１２ａおよび１３ａが後退できる範囲でステージ１１に隣接して配置されており、例えばスピンカップ１６の外側に隣接して配置されている。そこで、図３（ｂ）に示すように、純水供給ノズル１３の上部ノズル１３ａをウェーハＷの径方向に回転させてウェーハＷから後退させた状態で、マイクロナノバブル含有水を純水供給ライン１５に導入して上部ノズル１３ａの噴射口１３ｃから洗浄後の純水を処理カップ１９に排出することによって、マイクロナノバブル含有水をウェーハ表面に接触させることなく、廃液ラインに排出できる。よって、純水供給ライン１５の配管内部から除去されたパーティクルをウェーハＷの表面に付着させることなく、純水供給ライン１５の配管内部を洗浄することができる。なお、処理カップ１９の構成は上記に限定されず、上部ノズル１３ａから受けたマイクロナノバブル含有水をウェーハＷに接触させずに廃液ライン１７に排出できるように構成されていればよい。

また、図４に模式的に示すように、純水供給ライン１５に三方弁２０を設け、２つの出口の一方の出口を純水供給ノズル１３に接続し、他方の出口を廃液ライン１７に接続し、三方弁２０の出口を廃液ライン１７に切り替えた状態で、マイクロナノバブル含有水を純水供給ライン１５に導入することによって、マイクロナノバブル含有水をウェーハＷの表面に接触させることなく、廃液ライン１７に排出できる。よって、純水供給ライン１５の配管内部から除去されたパーティクルをウェーハＷの表面に付着させることなく、純水供給ライン１５の配管内部を洗浄することができる。

また、ウェーハ裏面側の純水供給ノズルである下部ノズル１３ｂと純水供給ライン１５との間に三方弁２０を設置し、２つの出口の一方を下部ノズル１３ｂに接続し、他方を廃液ライン１７に接続し、配管洗浄工程において、三方弁２０の出口を廃液ライン１７側に切り替えた状態でマイクロナノバブル含有水を純水供給ライン１５に導入する一方、ウェーハ表面側の純水供給ノズルである上部ノズル１３ａをウェーハＷから後退させ、ステージ１１に隣接して設置された、廃液ライン１７に接続された処理カップ１９にマイクロナノバブル含有水を供給することもできる。

上記配管洗浄工程は、ウェーハＷ１枚の洗浄処理毎に行うことが好ましい。これにより、ウェーハＷに付着したパーティクルが突発的に増加するのを確実に防止することができる。

ただし、配管洗浄工程は、必ずしもウェーハＷ１枚の洗浄処理毎に行う必要はなく、所定の洗浄処理間隔にて自動で行うように構成してもよい。所定の洗浄処理間隔は、例えばパーティクルが突発的に増加する間隔を予め把握しておき、上記突発的に増加する間隔よりも短い間隔に設定することができる。また、所定の洗浄処理間隔は、品質検査工程におけるウェーハＷ上のパーティクルの個数の評価結果に基づいて自動で設定されるように構成することもできる。さらに、液中のパーティクルをカウントするパーティクルカウンタにより純水供給ノズル１３を通過する純水に含まれるパーティクルをモニタし、モニタしたパーティクルの個数によって所定の洗浄処理間隔が設定されるように構成することもできる。上記純水に含まれるパーティクルのモニタは、マイクロナノバブル含有水を吐出した後に純水供給ライン１５に純水マイクロナノバブルを含有しない純水を供給して純水供給ライン１５の配管内を純水に置換した際、ウェーハ洗浄処理前にマイクロナノバブルを含有しない純水をダミーティスペンスする際などに行うことが好ましい。

また、本発明による配管洗浄工程は、従来のウェーハ洗浄方法（すなわち、ウェーハ製造プロセスにおける洗浄工程）と好適に組み合わせることができる。図５は、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いた一般的なウェーハ洗浄方法に本発明における配管洗浄工程を組み込んだフローチャートを示している。図５に示すように、枚葉式ウェーハを用いた一般的なウェーハ洗浄方法は、薬液をウェーハの表面および／または裏面に噴射して洗浄するウェーハ洗浄工程Ｓ１と、マイクロナノバブルを含有しない純水をウェーハの表面および／または裏面に噴射してリンスするウェーハリンス工程Ｓ２と、ウェーハ表面に薬液および／またはマイクロナノバブルを含有しない純水を噴射せずにウェーハを回転させて乾燥させるウェーハ乾燥工程Ｓ３とを有する。本発明における配管洗浄工程Ｓ４を、上記ウェーハ洗浄方法におけるウェーハ乾燥工程Ｓ３と同時に行うことによって、ウェーハＷにマイクロナノバブル含有水によって配管内から除去されたパーティクルを付着させることなく、ウェーハＷの洗浄と枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄とを同時に行うことができ、好ましい。なお、「マイクロナノバブルを含有しない純水」とは、マイクロナノバブル発生装置によってマイクロナノバブルを混合しておらず、マイクロナノバブルを実質的に含有しない純水を意味する。

上述のように、本発明による配管洗浄工程をウェーハ洗浄方法の工程と組み合わせる際に、マイクロナノバブルを含有した純水を供給する工程（第１工程）の後に、マイクロナノバブルを含有しない純水を供給する工程（第２工程）に切り替えることが好ましい。これにより、マイクロナノバブル含有水の残りがウェーハＷ上に供給されるのを防止することができる。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。

（従来例）
図１に示した枚葉式ウェーハ洗浄装置１００を用いて９００枚のシリコンウェーハを連続的に洗浄した。具体的には、洗浄対象であるシリコンウェーハを枚葉式ウェーハ洗浄装置１００に導入してステージ１１上に載置した。次いで、ステージ１１を回転させながら、薬液供給ノズル１２から１％のフッ酸水溶液とオゾン水とを交互に繰り返し噴射してシリコンウェーハの表裏面を洗浄した（ウェーハ洗浄工程）。続いて、純水供給ライン１５から純水を供給してシリコンウェーハの表裏面をリンスした（ウェーハリンス工程）。その後、シリコンウェーハを高速で回転させてシリコンウェーハを乾燥させた（ウェーハ乾燥工程）。続いて、表面検査装置（KLA-Tencor社製Surfscan SP2）を用いて洗浄後のシリコンウェーハの表面に付着したパーティクルを輝点欠陥（Light Point Defect、ＬＰＤ）として検出した。その際、検出モードはＤＣＯ（Darkfield Composite Oblique）モードとし、サイズが４５ｎｍ以上のＬＰＤの個数をカウントした。得られた結果を図６（ａ）に示す。

（発明例）
従来例と同様に、９００枚のシリコンウェーハを連続的に洗浄した。ただし、図２に示した枚葉式ウェーハ洗浄装置１００を用いてシリコンウェーハの洗浄を行い、その際、図５に示したように、ウェーハ乾燥工程と同時に純水供給ライン１５の配管の洗浄を行った（配管洗浄工程）。配管洗浄工程は、具体的には、一般的なバブル装置を純水に適用可能な形に改造したマイクロナノバブル発生器を純水供給ライン１５に接続し、マイクロナノバブル含有水を純水供給ライン１５に供給した。その他の条件は、従来例と全て同じである。検出されたＬＰＤの個数を図６（ｂ）に示す。

図６（ａ）に示すように、従来例においては、シリコンウェーハ６００枚に１枚程度の頻度でＬＰＤの数、すなわちパーティクルの数が突発的に増加している。これに対して、発明例においては、図６（ｂ）に示すように、９００枚のシリコンウェーハを連続的に洗浄しても、パーティクルの数が突発的に増加していないことが分かる。

本発明によれば、枚葉式ウェーハ洗浄装置を用いてウェーハＷの洗浄を繰り返し行った際にも、ウェーハ表面に検出されるパーティクルの数が突発的に増加するのを抑制することができるため、半導体産業において有用である。

１１ ステージ
１１ａ ウェーハ保持部
１２ 薬液供給ノズル
１２ａ，１３ａ 上部ノズル
１２ｂ，１３ｂ 下部ノズル
１３ 純水供給ノズル
１３ｃ 噴射口
１４ 薬液供給ライン
１５ 純水供給ライン
１６ スピンカップ
１７ 廃液ライン
１８ マイクロナノバブル発生装置
１９ 処理カップ
２０ 三方弁
１００ 枚葉式ウェーハ洗浄装置
Ｗ ウェーハ

Claims (10)

1. ウェーハを載置する回転可能なステージと、
   前記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から薬液を供給する薬液供給ノズルと、
   前記ステージ上に載置されたウェーハにウェーハ表面側および／または裏面側から純水を供給する純水供給ノズルと、
   前記薬液供給ノズルに前記薬液を供給する薬液供給ラインと、
   前記純水供給ノズルに前記純水を供給する純水供給ラインと、
   供給された前記薬液および前記純水を回収して廃液する廃液ラインと、を備える枚葉式のウェーハ洗浄装置の配管を洗浄する方法であって、
   前記純水供給ラインにマイクロナノバブルを含有する純水を導入し、前記純水供給ラインの配管を洗浄する配管洗浄工程を含むことを特徴とする枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
2. 前記純水供給ラインに三方弁が設置され、２つの出口の一方が前記純水供給ノズルに接続され、他方が前記廃液ラインに接続されており、前記配管洗浄工程において、前記三方弁の出口を前記廃液ライン側に切り替えた状態で前記マイクロナノバブルを含有する純水を前記純水供給ラインに導入する、請求項１に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
3. 前記配管洗浄工程において、前記純水供給ノズルを前記ウェーハから後退させ、前記ステージに隣接して設置された、前記廃液ラインに接続された処理カップに前記マイクロナノバブルを含有する純水を供給する、請求項１に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
4. ウェーハ裏面側の前記純水供給ノズルと前記純水供給ラインとの間に三方弁が設置され、２つの出口の一方が前記ウェーハ裏面側の純水供給ノズルに接続され、他方が前記廃液ラインに接続されており、
   前記配管洗浄工程において、前記三方弁の出口を前記廃液ライン側に切り替えた状態で前記マイクロナノバブルを含有する純水を前記純水供給ラインに導入する一方、ウェーハ表面側の前記純水供給ノズルを前記ウェーハから後退させ、前記ステージに隣接して設置された、前記廃液ラインに接続された処理カップに前記マイクロナノバブルを含有する純水を供給する、請求項１に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
5. 前記配管洗浄工程は、ウェーハ１枚の洗浄処理毎に行う、請求項１～４のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
6. 前記配管洗浄工程は、
   前記薬液をウェーハの表面および／または裏面に噴射して洗浄するウェーハ洗浄工程と、
   前記マイクロナノバブルを含有しない純水をウェーハの表面および／または裏面に噴射してリンスするウェーハリンス工程と、
   ウェーハ表面に前記薬液および／または前記マイクロナノバブルを含有しない純水を供給せずにウェーハを回転させて乾燥させるウェーハ乾燥工程と、を含むウェーハの洗浄方法における、前記ウェーハ乾燥工程と同時に行う、請求項１～５のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
7. 前記配管洗浄工程は、
   前記マイクロナノバブルを含有した純水を供給する第１工程と、
   前記第１工程の後にマイクロナノバブルを含有しない純水を供給する第２工程と、を有する、請求項６に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
8. 前記配管洗浄工程は、所定の洗浄処理間隔にて自動で行うように構成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
9. 前記所定の洗浄処理間隔がウェーハ上のパーティクルの個数の評価結果によって自動で設定される、請求項８に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。
10. 液中のパーティクルをカウントするパーティクルカウンタにより前記純水供給ノズルを通過する純水に含まれるパーティクルをモニタし、モニタしたパーティクルの個数によって前記所定の洗浄処理間隔が設定される、請求項８に記載の枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法。

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