JP7342551B2 - 磁性体コアおよびインダクタとインダクタの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁性体コアおよびインダクタとインダクタの製造方法に関する。

特開平４－９２８２１号公報（特許文献１）には、高透磁率を有するＭｎ－Ｚｎ系ソフトフェライトの粒子表面に、高絶縁性を有するＮｉ－Ｚｎ系ソフトフェライトの被覆層を形成して、複合ソフトフェライト組成物を成形し、さらに、この複合ソフトフェライト組成物をエポキシ樹脂と混合してプラスチックフェライト組成物を成形し、このプラスチックフェライト組成物をトランスコア材等に利用することが開示されている。

特開平４－９２８２１号公報

ところで、特許文献１のようなソフトフェライト粒子の粒径を小さくしていくと、微粒子内を流れる渦電流を低減できるため、高周波でも渦電流損失を抑制することができることが知られている。そのため、ソフトフェライト粒子は、所定サイズ以下で、かつ、磁束の偏りを防ぐために、粒径バラつきが小さいことが望ましいが、この場合、ソフトフェライト粒子の充填率が低下してしまい、透磁率が高められない問題があった。

そこで、ソフトフェライト粒子の粒径バラつきを大きくすることで、ソフトフェライト粒子の充填率を向上させることができるが、ソフトフェライト粒子の粒径の大きい部分を優先して磁束が通過して、磁束の通り道に偏りができるため、飽和磁束密度が低下する問題があった。

そこで、本開示は、透磁率を高めつつ、飽和磁束密度の低下を抑制した磁性体コアと、その磁性体コアを備えたインダクタと、インダクタの製造方法を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様である磁性体コアは、
少なくとも第１方向に隣り合う複数の磁性体粒子と、
前記複数の磁性体粒子を個別に被覆すると共に絶縁性を有し磁性材料を含む被覆体と
を備え、
前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内であり、かつ、前記磁性体粒子および前記被覆体の充填率は、６０％以上である。

前記態様によれば、磁性体粒子の粒径のばらつきを所定範囲に抑制し、かつ、磁性体粒子および被覆体の充填率を６０％以上にすることで、飽和磁束密度の低下を抑制でき、かつ、透磁率を向上できる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記第１方向の透磁率は、前記第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きい。

前記実施形態によれば、第１方向の透磁率を第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。これにより、コイルを磁性体コアの第１方向に沿って巻回する場合、コイルの磁界方向と一致する磁性体コアの第１方向の透磁率を磁性体コアの第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、
前記被覆体は、磁性材料を含み、
前記被覆体内には、空隙が存在し、
前記磁性体コアの前記第１方向に対して直交する方向における断面の単位面積あたりの前記磁性体粒子、前記被覆体の面積は、
前記磁性体コアの前記第１方向に沿った方向における断面の単位面積あたりの前記磁性体粒子および前記被覆体の面積よりも小さい。

前記実施形態によれば、磁性体コアの第１方向に対して直交する方向の磁性材料の量を、磁性体コアの第１方向の磁性材料の量よりも少なくできるので、磁性体コアの第１方向の反磁界係数を小さくでき、磁性体コアの第１方向の透磁率を大きくできる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、
前記被覆体は、磁性材料を含み、
前記被覆体内には、空隙が存在し、
前記磁性体コアの前記第１方向に対して直交する方向における断面において、前記空隙の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ａ１とし、Ｌ_Ａ１に相当する直線の垂直二等分線における前記空隙の大きさをＬ_Ａ２としたとき、アスペクト比α_Ａ＝Ｌ_Ａ１／Ｌ_Ａ２とし、
前記磁性体コアの前記第１方向に沿った方向における断面において、前記空隙の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ｂ１とし、Ｌ_Ｂ１に相当する直線の垂直二等分線における前記空隙の大きさをＬ_Ｂ２としたとき、アスペクト比α_Ｂ＝Ｌ_Ｂ１／Ｌ_Ｂ２とすると、
α_Ａ＜α_Ｂを満たす。

前記実施形態によれば、空隙は、磁性体コアの第１方向に直交する方向の断面よりも磁性体コアの第１方向に沿った方向の断面において、細長いものとなり、複数の磁性体粒子を第１方向に直交する方向よりも第１方向に沿って強く磁気的に結合することができ、第１方向の透磁率を第１方向に直交する方向の透磁率よりもより大きくできる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記磁性体粒子は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）の金属、若しくは、これらの金属を主成分とする合金または超合金から構成される。

前記実施形態によれば、透磁率をより向上でき、かつ、飽和磁束密度の低下をより抑制できる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記磁性体粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。

ここで、「磁性体粒子の平均粒径」は、メジアン径Ｄ５０である。

前記実施形態によれば、磁性体粒子内部を流れる渦電流を抑制できることから、動作上限周波数を向上できる。動作上限周波数とは、複素透磁率の実部が最大値から減少に転じる周波数をいう。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±５％以内である。

前記実施形態によれば、磁性体粒子の粒径のばらつきをより抑制することで、磁束の偏りを抑制し、飽和磁束密度を向上できる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、
前記被覆体は、第１被覆体と第２被覆体を含み、
前記第１被覆体は、前記複数の磁性体粒子を個別に被覆し、
前記第２被覆体は、第１方向に隣り合う前記磁性体粒子の各第１被覆体の間を結合して複数の前記磁性体粒子を前記第１方向に沿って連結する。

前記実施形態によれば、複数の磁性体粒子を第２被覆体により第１方向に沿って連結することができ、第１方向の透磁率を他の方向の透磁率よりも大きくできる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記第２被覆体は、磁性材料を含む。

前記実施形態によれば、透磁率を向上でき、飽和磁束密度の低下を抑制できる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記第１被覆体と前記第２被覆体とは、共有結合している。

前記実施形態によれば、第１被覆体と第２被覆体の結合が強固になる。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記第１被覆体は、酸化物磁性被膜、または、フェライトから構成される。

好ましくは、磁性体コアの一実施形態では、前記第２被覆体は、酸化物磁性被膜、または、フェライトから構成される。

好ましくは、インダクタの一実施形態では、
前記磁性体コアと、
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを含む基板と、
前記磁性体コアに前記第１方向に沿って巻回したコイルと
を備え、
前記基板には、少なくとも前記第１主面に開口する開口部が設けられ、
前記磁性体コアは、前記開口部に埋設されている。

前記実施形態によれば、コイルの磁界方向と一致する磁性体コアの第１方向の透磁率を磁性体コアの第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。

好ましくは、インダクタの一実施形態では、前記基板の前記第１主面および前記第２主面の内の少なくとも前記第１主面側において、前記磁性体コアと前記コイルとの間に、絶縁体が設けられている。

前記実施形態によれば、磁性体コアとコイルの導通を防止できる。

好ましくは、インダクタの一実施形態では、前記絶縁体は、樹脂材料からなる。

好ましくは、インダクタの製造方法の一実施形態では、
第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを含む基板に、少なくとも前記第１主面に開口する開口部を設ける工程と、
第１被覆体で被覆された磁性体粒子を、前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内となるように、前記基板の前記開口部に詰める工程と、
ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法により前記磁性体粒子に磁性を有する第２被覆体を成膜し、前記磁性体粒子、前記第１被覆体および前記第２被覆体の充填率が、６０％以上となるようにして、磁性体コアを前記基板の前記開口部に埋設する工程と、
前記磁性体コアの第１方向に沿ってコイルを巻回する工程と
を備える。

前記実施形態によれば、磁性体粒子の粒径のばらつきを所定範囲に抑制し、かつ、磁性体粒子および被覆体の充填率を６０％以上にすることで、透磁率を向上でき、かつ、飽和磁束密度の低下を抑制できる。

好ましくは、インダクタの製造方法の一実施形態では、
前記磁性体コアを前記基板の前記開口部に埋設する工程では、
前記磁性体粒子に対して前記第１方向に磁界を印加しながら、ＡＬＤ法により前記磁性体粒子に前記第２被覆体を成膜して、前記第１方向に隣り合う前記磁性体粒子の各第１被覆体の間を結合して複数の前記磁性体粒子を前記第１方向に沿って連結する。

前記実施形態によれば、コイルの磁界方向と一致する磁性体コアの第１方向の透磁率を磁性体コアの第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。

本開示の一態様である磁性体コアおよびインダクタとインダクタの製造方法によれば、透磁率を高めつつ、飽和磁束密度の低下を抑制できる。

インダクタの第１実施形態を示す平面図である。 図１のＥ－Ｅ断面図である。 磁性体コアのＸＺ断面の拡大図である。 磁性体コアのＹＺ断面の拡大図である。 磁性体コアのＸＺ断面の拡大図である。 図４ＡのＡ部の拡大図である。 図４ＢのＢ部の拡大図である。 第１被覆体と第２被覆体の結合状態を示す模式図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの製造方法について説明する説明図である。 インダクタの第２実施形態を示す平面図である。 図８ＡのＥ－Ｅ断面図である。 インダクタの第３実施形態を示すＹＺ断面図である。 インダクタの第４実施形態を示すＹＺ断面図である。 第５実施形態に係るインダクタを含む半導体パッケージを示すＹＺ断面図である。 図１１ＡのＡ部の拡大図である。

以下、本開示の一態様である磁性体コアおよびインダクタを図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

（第１実施形態）
図１は、インダクタの第１実施形態を示す平面図である。図２は、図１のＥ－Ｅ断面図である。図示するように、インダクタ１の長さ方向（Ｌ方向）をＸ方向とし、インダクタ１の幅方向（Ｗ方向）をＹ方向とし、インダクタ１の高さ方向（Ｔ方向）をＺ方向とする。

図１と図２に示すように、インダクタ１は、基板５と、基板５に設けられた磁性体コア１０と、磁性体コア１０に巻回したコイル２０とを有する。インダクタ１は、例えば、電圧変換回路のチョークコイルとして用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクス、医療用・産業用機械などの電子機器に用いられる。ただし、インダクタ１の用途はこれに限られず、例えば、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。インダクタ１のサイズは、例えば、Ｘ方向が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｙ方向が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｚ方向が０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下（または０．２ｍｍ以下）である。

基板５は、第１主面５ａと、第１主面５ａに対向する第２主面５ｂとを含む。第１主面５ａと第２主面５ｂは、Ｚ方向に対向する。順Ｚ方向を上側とし、逆Ｚ方向を下側とすると、第１主面５ａは、上面となり、第２主面５ｂは、下面となる。基板５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）またはガラスなどの材料からなる。基板５には、第１主面５ａおよび第２主面５ｂに開口する開口部５０が設けられている。基板５には、開口部５０に対して、Ｙ方向の両側に、基板５をＺ方向に貫通する複数のビア部５１が設けられている。ビア部５１は、第１主面５ａおよび第２主面５ｂに開口する。

磁性体コア１０は、基板５の開口部５０に埋設されている。磁性体コア１０は、基板５の開口部５０から露出している。ここで、露出とは、磁性体コア１０が基板５に覆われていない部分を有することを意味し、当該部分はインダクタ１の外部へ露出していてもよいし、他の部材へ露出していてもよい。

磁性体コア１０は、略直方体に形成されている。磁性体コア１０の長手方向に平行な中心軸１０ａが、Ｘ方向と平行になるように、磁性体コア１０は、基板５に配置されている。ここで、磁性体コア１０の中心軸１０ａ方向（Ｘ方向）を、本願の磁性体コア１０の第１方向の一例とする。

コイル２０は、磁性体コア１０の中心軸１０ａ方向（第１方向）に沿って巻回されている。つまり、コイル２０の中心軸は、磁性体コア１０の中心軸１０ａに一致する。コイル２０の中心軸は、コイル２０の螺旋形状の中心軸をいう。コイル２０は、例えば、Ａｇ，ＣｕまたはＡｕなどのめっきにより形成される。

コイル２０は、第１導体部２１、第２導体部２２、第３導体部２３および第４導体部２４を有する。第１導体部２１は、基板５の第１主面５ａの上方に配置されている。第２導体部２２は、基板５のＹ方向の一方側のビア部５１を貫通している。第３導体部２３は、基板５の第２主面５ｂの下方に配置されている。第４導体部２４は、基板５のＹ方向の他方側のビア部５１を貫通している。第１導体部２１、第２導体部２２、第３導体部２３および第４導体部２４は、順に直列に接続されて、コイル２０の１ターンを構成する。

基板５の第１主面５ａ側および第２主面５ｂ側において、磁性体コア１０とコイル２０との間に、絶縁体６が設けられている。つまり、基板５の第１主面５ａ側の絶縁体６は、コイル２０の第１導体部２１と磁性体コア１０との間に位置する。基板５の第２主面５ｂ側の絶縁体６は、コイル２０の第３導体部２３と磁性体コア１０との間に位置する。絶縁体６は、例えば、樹脂材料からなる。絶縁体６は、磁性体コア１０とコイル２０の導通を防止できる。なお、ビア部５１において、第２導体部２２と基板５との間、および、第４導体部２４と基板５との間にも、絶縁体６が存在しているが、ビア部５１において、絶縁体６が存在しないで、第２導体部２２および第４導体部２４のみが存在していてもよい。

図３は、磁性体コア１０のＸＺ断面の拡大図である。図３に示すように、磁性体コア１０は、複数の磁性体粒子１５と、複数の磁性体粒子１５を個別に被覆する第１被覆体１１と、Ｘ方向（第１方向の一例）に隣り合う磁性体粒子１５の各第１被覆体１１の間を結合して複数の磁性体粒子１５をＸ方向に沿って連結する第２被覆体１２とを備える。第１被覆体１１および第２被覆体１２は、絶縁性を有する。ここで、「Ｘ方向に沿って」とは、完全にＸ方向に沿っていることのみならず、実質的にＸ方向に沿っていることを含む。ここで、第２被覆体１２は、Ｘ方向に直交する方向において隣り合う磁性体粒子１５の間も結合するが、第２被覆体１２が複数の磁性体粒子１５をＸ方向に沿って連結するとは、複数の磁性体粒子１５が、Ｘ方向に直交する方向よりも、Ｘ方向に沿って多く連結していることをいう。言い換えると、Ｘ方向に直交する方向よりも、Ｘ方向に沿った方向において、複数の磁性体粒子１５が結合していない部分（例えば、空隙）が少ない。

これによれば、複数の磁性体粒子１５を第２被覆体１２によりＸ方向に沿って連結することができ、Ｘ方向の透磁率を他の方向の透磁率よりも大きくできる。要するに、磁性体コア１０のＸ方向の透磁率は、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向の透磁率よりも大きい。これにより、コイル２０を磁性体コア１０の中心軸１０ａ方向（Ｘ方向）に沿って巻回することで、コイル２０の磁界方向と一致する磁性体コア１０のＸ方向の透磁率を磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。これに対して、磁性体コアを加圧焼結により製造すると、複数の磁性体粒子があらゆる方向において結合し、これにより、磁性体コア１０のＸ方向の透磁率だけを上げることができない。

磁性体粒子１５は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）の金属、若しくは、これらの金属を主成分とする合金または超合金から構成される。磁性体粒子１５は、好ましくは、Ｆｅ、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｏ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、ＦｅＣｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ａｌ－Ｓｉ合金から構成される。

第１被覆体１１および第２被覆体１２は、例えば、酸化物磁性被膜、または、フェライトから構成される。第１被覆体１１および第２被覆体１２は、好ましくは、フェライトからなり、ＭｎＺｎフェライト、ＮｉＺｎフェライト、Ｃｏフェライト、Ｍｇフェライト，ＣｏＺｎフェライトあるいはこれらのフェライトを主成分とする複合フェライトからなる。第１被覆体１１および第２被覆体１２は、同一材料から構成されてもよく、または、異なる材料から構成されてもよい。

磁性体コア１０には、樹脂がほとんど含まれておらず、例えば、樹脂の含有量は、磁性体コア１０中に１％未満である。つまり、磁性体コア１０は、複数の磁性体粒子１５が樹脂の中に含まれた構造でない。

磁性体コア１０のＸ方向に沿った方向における断面において、第２被覆体１２内には、Ｘ方向に沿って延在する空隙１６が存在する。例えば、磁性体コア１０の中心軸１０ａを通過するＸＺ断面において観測する。これによれば、複数の磁性体粒子１５を他の方向よりもＸ方向に沿って強く磁気的に結合することができ、Ｘ方向の透磁率を他の方向の透磁率よりもより大きくできる。このように、Ｘ方向に沿って延在する空隙１６が存在する理由は、第２被覆体１２が複数の磁性体粒子１５をＸ方向に沿って連結するため、Ｘ方向に沿って延在する空隙１６が形成され易くなるからである。

図４Ａは、磁性体コア１０のＹＺ断面の拡大図であり、図４Ｂは、磁性体コア１０のＸＺ断面の拡大図である。図４Ａと図４Ｂに示すように、第１被覆体１１および第２被覆体１２は、磁性材料を含み、第２被覆体１２内には、空隙１６が存在する。磁性体コア１０のＸ方向に対して直交する方向におけるＹＺ断面の単位面積あたりの磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の面積（図４Ａ）は、好ましくは、磁性体コア１０のＸ方向に沿った方向におけるＸＺ断面の単位面積あたりの磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の面積（図４Ｂ）よりも小さい。

ここで、面積の計測は、３次元ＳＥＭ画像を用いて行う。具体的に述べると、磁性体コア１０の中心部において、ＦＩＢ－ＳＥＭを用いて、３次元ＳＥＭ画像を取得する。観察領域は、磁性体粒子１５のＤ５０径の１０倍を１辺の長さとする立方体領域とする。そして、構築した３次元ＳＥＭ画像を用いて、磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向に、それぞれ、画像を１００等分にスライスする。各々の画像に対して、「磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の面積」を計算する。磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向のそれぞれに対して、１００枚分の画像データから得た「磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の面積」の平均値を計算する。

これによれば、磁性体コア１０のＸ方向に対して直交する方向の磁性材料の量を、磁性体コア１０のＸ方向の磁性材料の量よりも少なくできるので、磁性体コア１０のＸ方向の反磁界係数を小さくでき、磁性体コア１０のＸ方向の透磁率を大きくすることができる。

図５Ａは、図４ＡのＡ部の拡大図であり、図５Ｂは、図４ＢのＢ部の拡大図である。図５Ａに示すように、磁性体コア１０のＸ方向に対して直交する方向におけるＹＺ断面において、空隙１６の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ａ１とし、Ｌ_Ａ１に相当する直線の垂直二等分線における空隙１６の大きさをＬ_Ａ２としたとき、アスペクト比α_Ａ＝Ｌ_Ａ１／Ｌ_Ａ２とする。ＹＺ断面における空隙１６の形状は、略三角形である。つまり、Ｌ_Ａ１は、三角形の一辺の長さに相当し、Ｌ_Ａ２は、三角形の高さに相当する。なお、空隙１６の三角形の形状において、実際、三角形の辺は、わずかに湾曲しているが、近似的に直線として測定する。

図５Ｂに示すように、磁性体コア１０のＸ方向に沿った方向におけるＸＺ断面において、空隙１６の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ｂ１とし、Ｌ_Ｂ１に相当する直線の垂直二等分線における空隙１６の大きさをＬ_Ｂ２としたとき、アスペクト比α_Ｂ＝Ｌ_Ｂ１／Ｌ_Ｂ２とする。ＸＺ断面における空隙１６の形状は、略台形である。つまり、Ｌ_Ｂ１は、台形の上底または下底の長い方に相当し、Ｌ_Ｂ２は、台形の高さに相当する。なお、空隙１６の台形の形状において、実際、台形の辺は、わずかに湾曲しているが、近似的に直線として測定する。

ここで、アスペクト比の計測は、３次元ＳＥＭ画像を用いて行う。具体的に述べると、磁性体コア１０の中心部において、ＦＩＢ－ＳＥＭを用いて、３次元ＳＥＭ画像を取得する。観察領域は、磁性体粒子１５のＤ５０径の１０倍を１辺の長さとする立方体領域とする。そして、構築した３次元ＳＥＭ画像を用いて、磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向に、それぞれ、画像を１００等分にスライスする。各々の画像に対して、「空隙１６のアスペクト比」を計算する。磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向のそれぞれに対して、１００枚分の画像データから得た「空隙１６のアスペクト比」の平均値を計算する。

そして、α_Ａ＜α_Ｂを満たすことが好ましい。これによれば、空隙１６は、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向の断面よりも磁性体コア１０のＸ方向に沿った方向の断面において、細長いものとなり、複数の磁性体粒子１５をＸ方向に直交する方向よりもＸ方向に沿って強く磁気的に結合することができ、Ｘ方向の透磁率をＸ方向に直交する方向の透磁率よりもより大きくできる。

図６は、第１被覆体１１と第２被覆体１２の結合状態を示す模式図である。図６に示すように、第１被覆体１１と第２被覆体１２とは、化学吸着によって、共有結合している。これによれば、第１被覆体１１と第２被覆体１２の結合が強固になる。第２被覆体１２は、後述するが、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法により形成される。

ここで、共有結合の判別は、ＸＰＳ分析を用いて行う。具体的に述べると、第１被覆体１１と第２被覆体１２の界面をＸＰＳで測定し分析した際に、第１被覆体１１に含まれる元素と第２被覆体１２に含まれる元素が結合した場合に生じる、固有の結合エネルギーが観測される。

具体的に述べると、第１被覆体１１がＦｅ_３Ｏ_４からなり、第２被覆体１２がＣｏ_３Ｏ_４からなる場合、第１被覆体１１と第２被覆体１２の界面付近では、Ｆｅ_３－ｘＣｏ_ｘＯ_４のような組成となる。そのため、ＸＰＳ分析によって、界面付近を測定することで、Ｆｅ_３－ｘＣｏ_ｘＯ_４に相当する結合エネルギーが、Ｆｅ、Ｃｏそれぞれの電子軌道において観測される。

次に、磁性体粒子１５の粒径のばらつきと、磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の充填率について説明する。

磁性体粒子１５の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内であり、かつ、磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の磁性体コア１０の全体積に対する充填率は、６０％以上である。なお、第１被覆体１１または第２被覆体１２の一方が磁性を有さない場合、磁性体コア１０の磁性を有する部分（磁性部分）の充填率、つまり、磁性体粒子１５、および、第１被覆体１１または第２被覆体１２の他方の充填率が、６０％以上であればよい。

ここで、「磁性体粒子１５の粒径」の計測は、３次元ＳＥＭ画像を用いて行う。具体的に述べると、磁性体コア１０の中心部において、ＦＩＢ－ＳＥＭを用いて、３次元ＳＥＭ画像を取得する。構築した３次元ＳＥＭ画像を用いて、所定領域内の全ての磁性体粒子１５の体積を計測する。各磁性体粒子１５の体積から各磁性体粒子１５の球相当径（ヘイウッド径）を求める。ヘイウッド径を「磁性体粒子１５の粒径」とする。各磁性体粒子１５の球相当径を用いて累積分布を作成し、メジアン径Ｄ５０を「磁性体粒子１５の平均粒径」とする。Ｄ１０とは、これ以下の粒子の比率が１０％である粒径をいい、Ｄ９０とは、これ以下の粒子の比率が９０％である粒径をいう。

また、「磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の充填率」は、３次元ＳＥＭ画像を用いて行う。具体的に述べると、磁性体コア１０の中心部において、ＦＩＢ－ＳＥＭを用いて、３次元ＳＥＭ画像を取得する。観察領域は、磁性体粒子１５のＤ５０径の１０倍を１辺の長さとする立方体領域とする。そして、構築した３次元ＳＥＭ画像を用いて、磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向に、それぞれ、画像を１００等分にスライスする。各々の画像に対して、「磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の充填率」を計算する。磁性体コア１０のＸ方向、および、磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向のそれぞれに対して、１００枚分の画像データから得た「磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の充填率」の平均値を計算する。

これによれば、磁性体粒子１５の粒径のばらつきを所定範囲に抑制し、かつ、磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の充填率を６０％以上にすることで、飽和磁束密度の低下を抑制でき、透磁率を向上できる。これに対して、磁性体粒子の粒径のばらつきが大きいと、磁性体粒子の粒径の大きい部分を優先的に磁束が通過して、磁束の通り道に偏りができるため、飽和磁束密度が低下する。また、磁性体コアの磁性を有する部分（磁性体粒子、第１被覆体および第２被覆体）の充填率が小さいと、透磁率を向上できない。

好ましくは、磁性体粒子１５の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。ここで、「磁性体粒子の平均粒径」は、メジアン径Ｄ５０である。これによれば、渦電流を抑制できることから、動作上限周波数を向上できる。動作上限周波数とは、複素透磁率の実部が最大値から減少に転じる周波数をいう。

好ましくは、磁性体粒子１５の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±５％以内である。これによれば、磁性体粒子１５の粒径のばらつきをより抑制することで、磁束の偏りを抑制し、飽和磁束密度を向上できる。

次に、インダクタ１の製造方法について説明する。

図７Ａは、基板５のＹＺ断面である。図７Ａに示すように、例えばサンドブラスト加工により、基板５の第１主面５ａ側から開口部５０およびビア部５１を形成する。開口部５０は、第１主面５ａに開口し、ビア部５１は、第１主面５ａおよび第２主面５ｂに開口する。

図７Ｂに示すように、スキージ１００により、第１被覆体１１で被覆された磁性体粒子１５を基板５の開口部５０に詰める。予め、磁性体粒子１５を、例えば、溶液反応プロセスにより、第１被覆体１１で被覆しておく。このとき、磁性体粒子１５の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内となるようにしておく。

図７Ｃに示すように、磁性体粒子１５に対してＸ方向（第１方向）に磁界を印加しながら、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法により磁性体粒子１５に磁性を有する第２被覆体１２を成膜する。そして、第２被覆体１２は、Ｘ方向に隣り合う磁性体粒子１５の各第１被覆体１１の間を結合して複数の磁性体粒子１５をＸ方向に沿って連結する。これにより、磁性体コア１０を基板５の開口部５０に埋設する。このとき、磁性体粒子１５、第１被覆体１１および第２被覆体１２の磁性体コア１０の全体積に対する充填率が、６０％以上となるようにしておく。

図７Ｄに示すように、例えばグラインド加工により、基板５の第２主面５ｂ側を削り、基板５を薄くする。このとき、開口部５０は、第１主面５ａに加えて第２主面５ｂにも開口し、磁性体コア１０は、第１主面５ａに加えて第２主面５ｂにも露出する。

図７Ｅに示すように、基板５の第１主面５ａおよび第２主面５ｂに、樹脂フィルムをラミネートして絶縁体６を設ける。絶縁体６は、基板５のビア部５１にも充填されるが、ビア部５１に充填された絶縁体６をレーザ加工により開口する。なお、ビア部５１において、絶縁体６の一部が存在しているが、絶縁体６を完全に除去してもよい。

図７Ｆに示すように、磁性体コア１０のＸ方向に沿って磁性体コア１０の周りにコイル２０を巻回する。コイル２０は、例えば、ＳＡＰ工法により形成される。つまり、第１導体部２１を基板５の第１主面５ａの上方に形成し、第２導体部２２を基板５のＹ方向の一方側のビア部５１に形成し、第３導体部２３を基板５の第２主面５ｂの下方に形成し、第４導体部２４を基板５のＹ方向の他方側のビア部５１に形成する。

これにより、インダクタ１を製造する。この製造方法によれば、コイル２０の磁界方向と一致する磁性体コア１０のＸ方向の透磁率を磁性体コア１０のＸ方向に直交する方向の透磁率よりも大きくできる。また、磁性体コア１０をＡＬＤ法により製造したので、加圧焼結法での製造が困難である小型サイズ（例えば、Ｘ方向が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｙ方向が０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、Ｚ方向が０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下（または０．２ｍｍ以下）である）のインダクタ１を製造できる。

（第２実施形態）
図８Ａは、インダクタの第２実施形態を示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのＥ－Ｅ断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、コイルの位置が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図８Ａと図８Ｂに示すように、第２実施形態のインダクタ１Ａでは、コイル２０は、基板５でなく、磁性体コア１０を貫通している。つまり、コイル２０の第２導体部２２および第４導体部２４は、磁性体コア１０のビア部１７を貫通している。これにより、磁性体コア１０をＸＹ平面方向に大きくすることができ、透磁率を大きくすることができる。なお、個々の磁性体粒子１５は第１被覆体１１によって絶縁されており、また、第２被覆体１２自体も絶縁性を有するので、第２導体部２２および第４導体部２４同士が磁性体粒子１５を伝わって導通することを防ぐことができる。

第２実施形態のインダクタ１Ａの製造方法について説明すると、磁性体コア１０にビア部１７を形成した後に、ビア部１７内にＳＡＰ工法によりめっきを充填して第２導体部２２および第４導体部２４を形成する。

（第３実施形態）
図９は、インダクタの第３実施形態を示すＹＺ断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、磁性体コアのビア部内の構造が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図９に示すように、第３実施形態のインダクタ１Ｂでは、磁性体コア１０のビア部１７において、第２導体部２２と磁性体コア１０との間、および、第４導体部２４と磁性体コア１０との間に、絶縁体６が存在している。これにより、第２導体部２２および第４導体部２４同士が磁性体粒子１５を伝わって導通することを確実に防ぐことができる。

第３実施形態のインダクタ１Ｂの製造方法について説明すると、磁性体コア１０にビア部１７を形成した後に、ビア部１７内に絶縁体６を充填し、その後、ビア部１７内に絶縁体６の一部を残すようにビア部１７を再度開口し、この開口にＳＡＰ工法によりめっきを充填して第２導体部２２および第４導体部２４を形成する。

（第４実施形態）
図１０は、インダクタの第４実施形態を示すＹＺ断面図である。第４実施形態は、第１実施形態とは、基板の開口部の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図１０に示すように、第４実施形態のインダクタ１Ｃでは、基板５の開口部５０は、第１主面５ａに開口し、第２主面５ｂに開口していない。つまり、磁性体コア１０は、第１主面５ａに露出しているが、第２主面５ｂに露出していない。このため、基板５の第２主面５ｂ側において、磁性体コア１０とコイル２０との間に、絶縁体６を設けなくても、基板５の第２主面５ｂ側において、磁性体コア１０とコイル２０の導通を防止できる。

（第５実施形態）
図１１Ａは、第５実施形態に係るインダクタを含む半導体パッケージを示すＹＺ断面図である。図１１Ｂは、図１１ＡのＡ部の拡大図である。第５実施形態は、第１実施形態とは、インダクタの構造が相違し、インダクタを半導体パッケージに適用した点が異なる。

図１１Ａに示すように、半導体パッケージ２００は、再配線層２０１と、再配線層２０１上に配置されたＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）２０２と、ＩＣ２０２を覆うモールド樹脂２０３とを備える。再配線層２０１の下面には、半田ボール２０５が設けられている。半導体パッケージ２００は、半田ボール２０５側において、図示しない実装基板に実装される。

図１１Ｂに示すように、再配線層２０１は、インダクタ１Ｄを備える。インダクタ１Ｄは、基板５Ｄと、基板５Ｄに設けられた磁性体コア１０およびコイル２０とを備える。基板５Ｄは、樹脂から構成され、この樹脂は、例えば、感光性樹脂である。磁性体コア１０およびコイル２０は、基板５Ｄ内に埋め込まれている。第１導体部２１および第３導体部２３は、基板５Ｄ内に埋め込まれ、第３導体部２３および第４導体部２４は、ビア導体として、第１導体部２１および第３導体部２３を電気的に接続する。磁性体コア１０とコイル２０の間には、磁性体コア１０とコイル２０の絶縁性を確保可能な程度の厚みで、樹脂から構成される基板５Ｄが存在する。

基板５Ｄの上面および下面のそれぞれに、複数の配線２１１が設けられている。インダクタ１Ｄは、ビア導体２１０を介して、上下の配線２１１に電気的に接続されている。下側の配線２１１は、半田ボール２０５に接続されている。上側の配線２１１は、ＩＣ２０２に接続されている。これにより、実装基板、インダクタ１ＤおよびＩＣ２０２が、電気的に接続される。なお、基板５Ｄには、複数の磁性体コア１０およびコイル２０を設けてもよく、また、基板５Ｄには、インダクタ以外のコンデンサなどの電子部品を設けてもよい。

（実施例）
次に、表１に実施例１－６と比較例１－４を示す。

［表１］

実施例１－６では、磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内となり、かつ、磁性体粒子、第１被覆体および第２被覆体の充填率は、６０％以上となった。以下に、具体的に述べる。

実施例１では、磁性体粒子の平均粒径（Ｄ５０）として、１５μｍとし、粒径ばらつき（Ｄ１０およびＤ９０のＤ５０に対する割合）として、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１０．５μｍ／１９．５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、アルミナを用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率、つまり、磁性体粒子および第１被覆体の充填率は、６０％となった。透磁率は、１０Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性、つまり、磁性体コアのＸ方向の透磁率が他の方向の透磁率よりも大きくなる特性は、無かった。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、実施例１では、バインダーが不要なため、磁性体粒子をまず充填することが可能となり、この結果、磁性体粒子のランダム最密充填によって６０％を超える充填が可能となり、透磁率を向上することができた。さらに、飽和磁束密度も高いものであった。

実施例２では、磁性体粒子の平均粒径として、１５μｍとし、粒径ばらつきとして、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１０．５μｍ／１９．５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４を用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率、つまり、磁性体粒子、第１被覆体および第２被覆体の充填率は、７０％となった。透磁率は、１５Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性は、無かった。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、実施例２では、実施例１と比べて、さらに、第２被覆体として、磁性材料を用いることで、磁性体コアの磁性部分の充填率を向上でき、透磁率がより向上した。

実施例３では、磁性体粒子の平均粒径として、１５μｍとし、粒径ばらつきとして、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１０．５μｍ／１９．５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４を用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率は、７０％となった。透磁率は、４５Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性を有していた。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、実施例３では、実施例２と比べて、さらに、磁性体粒子に対してＸ方向に磁界を印加しながら第２被覆体を成膜したので、複数の磁性体粒子をＸ方向に沿って連結し、透磁率異方性を有する磁性体コアとなった。

実施例４では、磁性体粒子の平均粒径として、１５μｍとし、粒径ばらつきとして、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１０．５μｍ／１９．５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＦｅＣｏを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４を用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率は、７０％となった。透磁率は、８０Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性を有していた。飽和磁束密度は、１．７Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、実施例４では、実施例３と比べて、さらに、磁性体粒子として、より透磁率と飽和磁束密度が高いＦｅＣｏを用いたので、透磁率および飽和磁束密度が向上した。

実施例５では、磁性体粒子の平均粒径として、１．５μｍとし、粒径ばらつきとして、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１．０５μｍ／１．９５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＦｅＣｏを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４を用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率は、７０％となった。透磁率は、８５Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性を有していた。飽和磁束密度は、１．７Ｔであった。動作上限周波数は、７５ＭＨｚであった。

このように、実施例５では、実施例４と比べて、さらに、磁性体粒子の粒径を小さくしたので、渦電流を抑制し、動作周波数を向上できた。

実施例６では、磁性体粒子の平均粒径として、１μｍとし、粒径ばらつきとして、±５％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、０．９５μｍ／１．９５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＦｅＣｏを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、フェライトおよび樹脂を用いていない。第２被覆体として、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４を用いた。磁性体コアの磁性を有する部分の充填率は、７０％となった。透磁率は、８５Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性を有していた。飽和磁束密度は、１．９Ｔであった。動作上限周波数は、１００ＭＨｚであった。

このように、実施例６では、実施例５と比べて、さらに、磁性体粒子の粒径のバラつきを抑えたので、磁束の偏りを抑制でき、飽和磁束密度を向上できた。また、磁性体粒子の平均粒径を小さくできたので、動作周波数を向上できた。

比較例１では、磁性体粒子の平均粒径として、２５μｍとし、粒径ばらつきとして、±９５％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１．２５μｍ／４８．８μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、エポキシ樹脂を用いた。第２被覆体を用いなかった。磁性体コアの磁性を有する部分（つまり、磁性体粒子）の充填率は、８０％となった。透磁率は、１５Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性は無かった。飽和磁束密度は、０．４Ｔであった。動作上限周波数は、５０ＭＨｚであった。

このように、比較例１では、大小の磁性体粒子を混合したため、充填率は高いが、磁性体粒子の粒径がバラつき、これにより、磁束の偏りが発生して、磁束飽和密度が低下した。

比較例２では、磁性体粒子の平均粒径として、１．５μｍとし、粒径ばらつきとして、±３０％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、１０．５μｍ／１９．５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、エポキシ樹脂を用いた。第２被覆体を用いなかった。磁性体コアの磁性を有する部分（つまり、磁性体粒子）の充填率は、５５％となった。透磁率は、７Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性は無かった。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、７５ＭＨｚであった。

このように、比較例２では、比較例１と比べて、磁性体粒子の粒径のバラつきが小さいため、磁性部分の充填率が低くなり、これにより、透磁率が低下した。

比較例３では、磁性体粒子の平均粒径として、１．５μｍとし、粒径ばらつきとして、±５％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、０．９５μｍ／１．０５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、エポキシ樹脂を用いた。第２被覆体を用いなかった。磁性体コアの磁性を有する部分（つまり、磁性体粒子）の充填率は、５５％となった。透磁率は、７Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性は無かった。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、比較例３では、比較例２と比べて、磁性体粒子の粒径が大きいため、動作上限周波数が低下した。

比較例４では、磁性体粒子の平均粒径として、１．５μｍとし、粒径ばらつきとして、±５％とし、Ｄ１０／Ｄ９０として、０．９５μｍ／１．０５μｍとし、磁性体粒子の材料として、ＮｉＺｎを用いた。磁性体粒子を結合するバインダーとして、Ｃｏ_０．２Ｆｅ_２．８Ｏ_４のフェライトを用いた。第２被覆体を用いなかった。磁性体コアの磁性を有する部分（つまり、磁性体粒子とバインダー）の充填率は、９０％となった。透磁率は、２０Ｈ／ｍとなった。透磁率異方性は無かった。飽和磁束密度は、０．６Ｔであった。動作上限周波数は、６０ＭＨｚであった。

このように、比較例４では、加圧焼結により製造されため、透磁率異方性は無かった。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第５実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

前記実施形態では、絶縁体は、基板の第１主面および第２主面の内の少なくとも第１主面側において、磁性体コアとコイルとの間に、設けられているが、絶縁体を設けなくてもよい。

前記実施形態では、第２被覆体は、第１方向に隣り合う磁性体粒子の各第１被覆体の間を結合して複数の磁性体粒子をＸ方向（第１方向）に沿って連結しているが、他の方向に連結するようにしてもよい。

前記実施形態では、第１被覆体および第２被覆体は、明確に区別されているが、明確に区別されずに連続していてもよく、この場合、第１被覆体および第２被覆体は、一体として、被覆体として構成される。

１，１Ａ，１Ｂ インダクタ
５ 基板
５ａ 第１主面
５ｂ 第２主面
５０ 開口部
５１ ビア部
６ 絶縁体
１０ 磁性体コア
１０ａ 中心軸
１１ 第１被覆体
１２ 第２被覆体
１５ 磁性体粒子
１６ 空隙
２０ コイル
２１ 第１導体部
２２ 第２導体部
２３ 第３導体部
２４ 第４導体部
１００ スキージ

Claims (17)

1. 少なくとも第１方向に隣り合う複数の磁性体粒子と、
   前記複数の磁性体粒子を個別に被覆すると共に絶縁性を有し磁性材料を含む被覆体と
   を備え、
   前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内であり、かつ、前記磁性体粒子および前記被覆体の充填率は、６０％以上である、磁性体コア。
2. 前記第１方向の透磁率は、前記第１方向に直交する方向の透磁率よりも大きい、請求項１に記載の磁性体コア。
3. 前記被覆体は、磁性材料を含み、
   前記被覆体内には、空隙が存在し、
   前記磁性体コアの前記第１方向に対して直交する方向における断面の単位面積あたりの前記磁性体粒子、前記被覆体の面積は、
   前記磁性体コアの前記第１方向に沿った方向における断面の単位面積あたりの前記磁性体粒子および前記被覆体の面積よりも小さい、請求項１または２に記載の磁性体コア。
4. 前記被覆体は、磁性材料を含み、
   前記被覆体内には、空隙が存在し、
   前記磁性体コアの前記第１方向に対して直交する方向における断面において、前記空隙の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ａ１とし、Ｌ_Ａ１に相当する直線の垂直二等分線における前記空隙の大きさをＬ_Ａ２としたとき、アスペクト比α_Ａ＝Ｌ_Ａ１／Ｌ_Ａ２とし、
   前記磁性体コアの前記第１方向に沿った方向における断面において、前記空隙の大きさの内の最も長い距離をＬ_Ｂ１とし、Ｌ_Ｂ１に相当する直線の垂直二等分線における前記空隙の大きさをＬ_Ｂ２としたとき、アスペクト比α_Ｂ＝Ｌ_Ｂ１／Ｌ_Ｂ２とすると、
   α_Ａ＜α_Ｂを満たす、請求項１から３の何れか一つに記載の磁性体コア。
5. 前記磁性体粒子は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）またはニッケル（Ｎｉ）の金属、若しくは、これらの金属を主成分とする合金または超合金から構成される、請求項１から４の何れか一つに記載の磁性体コア。
6. 前記磁性体粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から５の何れか一つに記載の磁性体コア。
7. 前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±５％以内である、請求項１から６の何れか一つに記載の磁性体コア。
8. 前記被覆体は、第１被覆体と第２被覆体を含み、
   前記第１被覆体は、前記複数の磁性体粒子を個別に被覆し、
   前記第２被覆体は、第１方向に隣り合う前記磁性体粒子の各第１被覆体の間を結合して複数の前記磁性体粒子を前記第１方向に沿って連結する、請求項１に記載の磁性体コア。
9. 前記第２被覆体は、磁性材料を含む、請求項８に記載の磁性体コア。
10. 前記第１被覆体と前記第２被覆体とは、共有結合している、請求項８または９に記載の磁性体コア。
11. 前記第１被覆体は、酸化物磁性被膜、または、フェライトから構成される、請求項８から１０の何れか一つに記載の磁性体コア。
12. 前記第２被覆体は、酸化物磁性被膜、または、フェライトから構成される、請求項８から１１の何れか一つに記載の磁性体コア。
13. 請求項１から１２の何れか一つに記載の磁性体コアと、
    第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを含む基板と、
    前記磁性体コアに前記第１方向に沿って巻回したコイルと
    を備え、
    前記基板には、少なくとも前記第１主面に開口する開口部が設けられ、
    前記磁性体コアは、前記開口部に埋設されている、インダクタ。
14. 前記基板の前記第１主面および前記第２主面の内の少なくとも前記第１主面側において、前記磁性体コアと前記コイルとの間に、絶縁体が設けられている、請求項１３に記載のインダクタ。
15. 前記絶縁体は、樹脂材料からなる、請求項１４に記載のインダクタ。
16. 第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面とを含む基板に、少なくとも前記第１主面に開口する開口部を設ける工程と、
    第１被覆体で被覆された磁性体粒子を、前記磁性体粒子の粒径において、Ｄ１０およびＤ９０が、Ｄ５０に対して±３０％以内となるように、前記基板の前記開口部に詰める工程と、
    ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法により前記磁性体粒子に磁性を有する第２被覆体を成膜し、前記磁性体粒子、前記第１被覆体および前記第２被覆体の充填率が、６０％以上となるようにして、磁性体コアを前記基板の前記開口部に埋設する工程と、
    前記磁性体コアの第１方向に沿ってコイルを巻回する工程と
    を備える、インダクタの製造方法。
17. 前記磁性体コアを前記基板の前記開口部に埋設する工程では、
    前記磁性体粒子に対して前記第１方向に磁界を印加しながら、ＡＬＤ法により前記磁性体粒子に前記第２被覆体を成膜して、前記第１方向に隣り合う前記磁性体粒子の各第１被覆体の間を結合して複数の前記磁性体粒子を前記第１方向に沿って連結する、請求項１６に記載のインダクタの製造方法。

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