JP7341742B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
発光ダイオード層が形成された第1部材と、駆動回路層が形成された第2部材とが積層されて接合されている発光素子において、
前記発光ダイオード層と前記駆動回路層が、電極によって電気的に接続されており、
前記第2部材は、前記電極とは異なる遮光部を含み、
前記遮光部は、前記発光ダイオード層に設けられた分離構造により画定される第1画素と第2画素の少なくとも一部を覆うように配されており、
前記遮光部は、前記駆動回路層に含まれる配線によって構成されており、
前記第1画素の前記発光ダイオード層を構成する層と、前記第2画素の前記発光ダイオード層を構成する層が共有されており、
前記第2部材には、前記駆動回路層を貫通する遮光壁が設けられており、
平面視で、前記遮光壁は、前記分離構造と重複して配されている、
ことを特徴とする発光素子である。
まず、以下にて、先行技術である非特許文献2に係る光検出素子を、発光素子として用いる場合の課題について、図7を用いて詳細に説明する。なお、非特許文献2に用いる化合物半導体を有するフォトダイオードと、本発明に用いる発光ダイオードとでは、各層の厚さやキャリア濃度など、設計上で異なる部分も多いが、基本的な構造は共通する。
まず、先行技術に係る光検出素子の構成について図7が示す断面図を用いて説明する。先行技術に係る素子は、第1チップ101と第2チップ102とを有する。
13との間に挟まれている。第1導電層111と第2導電層113との間に電圧が印加されることによって、第1チップ101は、フォトダイオードとして動作する。第1導電層111は、共通電極(不図示)を介して、一方の電圧供給源に接続される。
続いて、光検出素子を発光素子として用いるために、各画素のダイオードを、発光ダイオードに置き換えて構成する画像表示装置における課題を述べる。
[画像表示装置の断面構成]
以下では、本発明の実施形態1に係る積層型の画像表示装置(発光素子)の断面構成について、図1が示す画像表示装置の断面図を用いて説明する。画像表示装置は、第1チップ101と第2チップ102とを有する。なお、以下では、第1チップ101に対して、第2チップ102が位置する方向を「上」と称して説明する。従って、2つのチップの積層方向を上下方向とする。
路層)には、画素駆動トランジスタのゲート電極が形成されている。また、配線層115の下に、発光ダイオードが形成されている第1チップ101が配される。
続いて、実施形態1に係る画像表示装置の平面構成について、図2が示す画像表示装置の平面図(透視図)を用いて説明する。つまり、図2は、実施形態1に係る画像表示装置を上部から透視(平面視)した図を示す。なお、図2は、2行2列の行列状(アレイ状)に配された4つの発光画素121を示している。なお、図2において、図1と同じ構成には同じ符号を付している。
選択トランジスタ507が形成されている。ここで、発光画素121を駆動するためのトランジスタのソース領域およびドレイン領域などの各種の半導体領域は、第2チップ102に形成されている。
次に、図1に示す画像表示装置の製造方法の一例について、図3が示すフローチャートと、図1と図4(A)と図4(B)が示す断面図を用いて説明する。
S201において、第1チップ101が形成される。なお、第1チップ101は必ずしも、本工程において形成される必要はなく、予め形成された第1チップ101が準備(用意)されてもよい。
よって、発光画素121のそれぞれが分離される。このような工程を経て、S201における第1チップ101が形成される。
S202において、シリコン基板116と配線層115とを有する第2チップ102が形成される。具体的には、4インチのシリコン基板であるシリコン基板116表面にMOSトランジスタが形成され、MOSトランジスタが配線層115において配線接続されたCMOS画素回路が構成される。シリコン基板116は、例えば、結晶シリコンである。なお、本実施形態では、S202において、配線108aおよび、遮光層である配線108bが形成される。なお、第2チップ102は必ずしも、本工程において形成される必要はなく、予め形成された第2チップ102が準備(用意)されてもよい。また、配線108a,108bが形成されていない第2チップ102が準備されており、S202では、この第2チップ102に対して配線108a,108bが形成されてもよい。
S203において、第1チップ101と第2チップ102とが、図4(A)が示すように接合される。より詳細には、第2チップ102における配線層115と、第1チップ101における第2導電層113とを対向させて、チップの接合がされる。チップの接合には、本実施形態では、接着剤を用いた接着剤接合が適用されるものとするが、酸化膜表面を介したプラズマ活性化接合や、薄い金属層を介した拡散接合なども好適である。従って、本実施形態では、チップの接合によって、接着剤により構成される接合面114が形成される。
S204において、図4(B)が示すように、第1チップ101と第2チップ102の2枚のチップが接合している状態において、第2チップ102のシリコン基板116が薄く研磨される。より詳細には、第2チップ102が、バックグラインド装置によって研磨されて、厚さ10μmまで薄くされる。その後、第2チップ102におけるバックグラインド装置による切削キズを、CMP研磨装置が除去する。
S205において、図1が示すように、第2チップ102を薄く研磨した面に表面保護層117が形成されて、貫通電極105が形成され、その後、メタル層107が形成される。ここで、S205の工程を、S2051~S2055に細かく分割して詳細に説明する。
まず、第2チップ102のシリコン基板116の研磨面に、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜によって表面保護層117が形成される。
次に、貫通電極105および共通電極109を形成するために、シリコン基板116と配線層115がドライエッチングされる。ここで、貫通電極105については、さらに接合面114にある接着剤がエッチングされて、第1チップ101の第2導電層113が露出すると、適宜、エッチングが停止される。共通電極109については、さらに接合面114にある接着剤および共通電極溝104の絶縁体がドライエッチングされて、第1チップ101の第1導電層111が露出すると、適宜、エッチングが停止される。
コンタクト電極106を形成するために、シリコン基板116と配線層115がドライエッチングされることによってホール(開口)が形成されて、配線層115にある配線108aにおいてエッチングが停止される。
貫通電極105とコンタクト電極106と共通電極109を形成するために、スパッタ法やめっき法などにより、アルミニウム、チタン、チタン化合物(チタン合金)、タンタル、銅などで構成される金属がエッチングされた部分に埋め込まれる。当該金属の埋め込みによって、貫通電極105、コンタクト電極106、共通電極109が形成される。このとき、貫通電極105と第2導電層113が電気的に接続され、共通電極109と第1導電層111が電気的に接続され、コンタクト電極106と配線108aが電気的に接続される。
最後に、メタル層107が形成される。メタル層107によって、貫通電極105とコンタクト電極106が電気的に接続し、もしくは、コンタクト電極106および共通電極109が電気的に接続する。なお、この後、メタル層107の腐食防止のため、絶縁膜による保護層が形成されてもよい。以上の工程により、図1に示す画像表示装置が製造される。
以下にて、本発明の実施形態2に係る画像表示装置(発光素子)について図5が示す断面図を用いて説明する。なお、実施形態1と同様の構成については、説明を省略する。本実施形態に係る画像表示装置は、以下の点が実施形態1と異なる。
ード層からの光を遮光する。このため、遮光壁118が設けられていない場合に比べて、駆動回路の誤動作を抑制することができるので、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本実施形態に係る画像表示装置を製造するために、実施形態1と同様にS201~S2051の工程が行われる。なお、S202において、配線108bは形成されない。
以下にて、本発明の実施形態3に係る画像表示装置(発光素子)について図6が示す断面図を用いて説明する。なお、実施形態2と同様の構成については、説明を省略する。本実施形態に係る画像表示装置は、以下の点が実施形態2と異なる。
本実施形態に係る画像表示装置の製造方法は、まず、実施形態1と同様にS201~S204の工程が実施される。
以上に説明した本発明の各実施形態に記載された構成や処理は、互いに任意に組み合わせて利用できる。
121:発光画素
Claims (5)
- 発光ダイオード層が形成された第1部材と、駆動回路層が形成された第2部材とが積層されて接合されている発光素子において、
前記発光ダイオード層と前記駆動回路層が、電極によって電気的に接続されており、
前記第2部材は、前記電極とは異なる遮光部を含み、
前記遮光部は、前記発光ダイオード層に設けられた分離構造により画定される第1画素と第2画素の少なくとも一部を覆うように配されており、
前記遮光部は、前記駆動回路層に含まれる配線によって構成されており、
前記第1画素の前記発光ダイオード層を構成する層と、前記第2画素の前記発光ダイオード層を構成する層が共有されており、
前記第2部材には、前記駆動回路層を貫通する遮光壁が設けられており、
平面視で、前記遮光壁は、前記分離構造と重複して配されている、
ことを特徴とする発光素子。 - 前記遮光部は、前記駆動回路層に含まれる第2配線と前記第1部材との間に形成されており、
前記第2配線は、前記電極と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記第1部材における前記第2部材と接合する面と反対の面から、発光された光を取り出す構造である、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子。 - 前記遮光部および前記遮光壁は、アルミニウム、チタン、チタン合金、銅の少なくともいずれかによって構成されている、
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子。 - 前記第1部材は、第1導電型領域と第2導電型領域とを有し、
前記第1部材には、複数の画素が形成されており、
前記第1導電型領域は、前記複数の画素において電気的に共通に、第1電極に接続され
ており、
前記第2導電型領域は、第2電極によって、画素ごとに、前記画素を駆動する前記駆動回路層と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子。
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CN115188752A (zh) * | 2022-06-30 | 2022-10-14 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板、显示装置及控制方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009282368A (ja) | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
WO2017094461A1 (ja) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子 |
CN108933153A (zh) | 2018-07-27 | 2018-12-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
WO2019053923A1 (ja) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | シャープ株式会社 | Ledユニット、画像表示素子およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012081536A1 (ja) | 2010-12-16 | 2012-06-21 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、電子機器及び照明装置 |
TW201824220A (zh) | 2016-09-30 | 2018-07-01 | 半導體能源硏究所股份有限公司 | 顯示面板、顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置 |
US10331263B2 (en) * | 2016-11-23 | 2019-06-25 | Superc-Touch Corporation | OLED display panel with touch sensing electrodes |
WO2018169968A1 (en) | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Invensas Corporation | Direct-bonded led arrays and applications |
JP2020134716A (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP7289681B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-06-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2019
- 2019-06-17 JP JP2019112140A patent/JP7341742B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-15 US US16/901,348 patent/US11410979B2/en active Active
-
2023
- 2023-08-29 JP JP2023139232A patent/JP7551873B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009282368A (ja) | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 表示装置 |
WO2017094461A1 (ja) | 2015-12-01 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子 |
WO2019053923A1 (ja) | 2017-09-13 | 2019-03-21 | シャープ株式会社 | Ledユニット、画像表示素子およびその製造方法 |
CN108933153A (zh) | 2018-07-27 | 2018-12-04 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
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