JP7328944B2 - リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 - Google Patents
リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7328944B2 JP7328944B2 JP2020134511A JP2020134511A JP7328944B2 JP 7328944 B2 JP7328944 B2 JP 7328944B2 JP 2020134511 A JP2020134511 A JP 2020134511A JP 2020134511 A JP2020134511 A JP 2020134511A JP 7328944 B2 JP7328944 B2 JP 7328944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- feature
- location
- camera
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 133
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 141
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 73
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 47
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 14
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012567 pattern recognition method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N tacrine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=C(CCCC3)C3=NC2=C1 YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001685 tacrine Drugs 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32963—End-point detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
- H01J37/228—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object whereby illumination or light collection take place in the same area of the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32926—Software, data control or modelling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
- H01J37/32972—Spectral analysis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
チャンバと、
そのチャンバ内に配置された基板支持器であり、プラズマエッチングされるべき基板を支持する基板支持器と、
プラズマエッチングプロセス中にその基板の一領域を照明する白色光照明源であり、法線に対し約10°未満の入射角を有する入射光ビームで以てその基板領域を照明するよう実装された照明源と、
その照明源により照明された領域の連続画像を撮るよう配列されたカメラと、
それら画像を対象に画像処理技術を実行することで、基板上の少なくとも1個のフィーチャの所在個所を識別しその個所にてそのフィーチャからの反射率信号を計測するよう、構成されたプロセッサと、
を備え、そのプロセッサが、前記個所にて計測された反射率信号に応じプラズマエッチングプロセスを修正するよう構成された装置である。
(a)白色光照明源を用い、プラズマエッチングされるべき基板の一領域を、法線に対し10°未満の入射角を有する入射光ビームで以て照明するステップと、
(b)カメラを用い、プラズマエッチングプロセス中に、照明されている領域の連続画像を撮るステップと、
(c)それら画像に画像処理技術を適用することで、基板上の少なくとも1個のフィーチャの所在個所を識別しその個所での反射率信号を計測するステップと、
(d)前記個所にて計測された反射率信号に応じプラズマエッチングプロセスを修正するステップと、
を有する方法である。
専ら例として、図2Aに、プラズマエッチング前における一例基板34の断面概要を示す。基板34は、バルクシリコンカーバイド(SiC)層38を部分的に覆うマスク層36を備えている。SiC層38の厚みは約100μmである。マスク層は銅製で約5μmの厚みを有している。マスク層における開エリア40の比率は約0.2%である。基板34は、更に、金層44上に形成されていてエッチング停止層として働く砒化ガリウム(GaAs)層42を備えている。SiC層の反射率特性は、光の特定諸波長にて、そのGaAs停止層と異なっている。SiC層の反射率特性は特定の諸波長にてマスク層と異なっている。GaAs停止層の反射率特性は特定の諸波長にてマスク層と異なっている。
図4Aに、プラズマエッチング前における一例シリコン基板56の模式的断面外観を示す。この基板56はマスク層を備えていない。その一方で、基板56はトレンチ60内に2個の埋入フィーチャ58を備えている。それら埋入フィーチャ58は銅製のスルーシリコンビア(TSV)プラグであり、通常は薄い誘電体層例えばSiO2でくるまれている。
図5は基板確認方法のフロー図である。エッチングされるべき基板が基板支持器上に位置決めされ、所定の位置にてクランプされる。エッチングされるべき基板には可視な参照パターン、例えばマスク層の開エリアからなるパターンが備わる。その基板のうち参照パターンが備わる領域が照明源により照明され、その照明領域の画像がカメラにより撮られる。プロセッサでは、画像パターン認識及び/又は画像パターンマッチング技術を用いその参照パターンが識別される。参照パターンがある場合、即ち正しい基板であると確認された場合には、次の基板処理段階に進むことができる。参照パターンがない場合、即ち不正な基板が本装置にロードされている場合には、そのプロセスをアボートすることができる。
図6は基板確認方法のフロー図である。本方法も、エッチング終了点を判別するのに用いることができる。エッチングされるべき基板は、実施例3と同じやり方で位置決め及びクランプされる。エッチングされるべき基板には埋入参照パターン、例えば埋入フィーチャが備わっているので、エッチングが進めばそのパターンが出現する。その基板の一領域が照明源により照明され、その照明領域の連続画像がカメラにより撮られる。チャンバ内でプラズマが生成され、プラズマエッチングプロセスが始まる。プロセス中に参照パターンが露呈してくるため、プロセッサにて画像パターン認識又は画像パターンマッチングを用いることで、その参照パターン(例.埋入フィーチャ)を識別することができる。その参照パターンの所在個所における反射率信号の変化が閾値超えの変化であったときに、プロセッサはそのプラズマエッチングプロセスを修正する。この変化は終了点信号を示している。例えば、参照パターンの所在個所における反射率信号の変化に応じ、プロセッサが、ある絶対オーバエッチング時間に亘る、或いは終了点信号への到達に必要な時間の百分率で以て、オーバエッチングプロセスを開始させることができる。その後、そのエッチングプロセスを停止させること、或いはそのエッチングプロセスの次工程に進めることができる。
図7は終了点判別方法を示すフロー図である。エッチングされるべき基板(マスク層を備えるもの)が、実施例3と同じやり方で位置決め及びクランプされる。エッチングされるべき基板には可視な参照パターン、例えばダイシングレーンと隣り合うダイのエッジが備わる。その可視参照パターンを、マスク層における開エリアのパターンとすることができる。その基板の一領域が照明源により照明され、その照明領域の連続画像がカメラにより撮られる。プロセッサでは、画像パターン認識又は画像パターンマッチング技術を用いその参照パターンが識別される。参照パターンがなければ、不正な基板が本装置にロードされたことがプロセッサにて検出されることとなり、そのプロセスをアボートすることができる。
図8は終了点判別方法を示すフロー図である。エッチングされるべき基板は、実施例3と同じやり方で位置決め及びクランプされる。マスク付の基板が、エッチング停止層に到達するまでプラズマエッチングされる。そのプラズマエッチングプロセスでは、基板の一領域が照明源により照明され、その照明領域の連続画像がカメラにより撮られる。
Claims (20)
- 基板をプラズマエッチングする装置であって、
チャンバと、
そのチャンバ内に配置された基板支持器でありプラズマエッチングされるべき基板を支持する支持面を有する基板支持器と、
プラズマエッチングプロセス中に前記基板の一領域を照明する白色光照明源であり、前記基板支持器の前記支持面の法線に対し約10°未満の入射角を有する入射光ビームで以てその基板領域を照明するよう実装された白色光照明源と、
その照明源により照明された領域の連続画像を撮るよう配列されたカメラであり、前記白色光照明源とカメラは前記支持面から前記チャンバと反対側に配置されて前記支持面に対向し、カメラで受光する光は前記入射角で前記基板の領域に照射される全てである、カメラと、
それら画像を対象に画像処理技術を実行することで、前記基板上の少なくとも1個のフィーチャの所在個所に対応する前記画像内の1つ以上の画素を識別し前記1つ以上の画素からの反射率信号を計測するよう、構成されたプロセッサと、
を備え、そのプロセッサが、前記個所にて計測された反射率信号に応じ前記プラズマエッチングプロセスを修正するよう構成され、前記1つ以上の画素は前記基板上のフィーチャのサイズよりも小さい領域を有する装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記プロセッサが、前記個所にて計測された反射率信号の変化に応じ前記プラズマエッチングプロセスを修正するよう構成された装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記入射角は、前記基板支持器の前記支持面の法線に対し約5°未満である装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記照明源により放射された光を前記基板上及び/又は前記カメラ内に集束させるよう配列された光学配列を備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、更に、
前記カメラに入る光のうち諸指定波長をフィルタリングするよう位置決めされた光学フィルタを備える装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記画像処理技術が画像パターン認識及び/又は画像パターンマッチングを含む装置。 - 基板をプラズマエッチングする方法であって、
(a)白色光照明源を用い、プラズマエッチングされるべき基板の一領域を、前記基板の前記領域の照明に用いる全ての光が前記基板の前面の法線に対し10°未満の入射角を有する入射光ビームで以て照明するステップと、
(b)カメラを用い、プラズマエッチングプロセス中に、照明される領域の連続画像を撮るステップと、
(c)それら画像に画像処理技術を適用することで、前記基板上の少なくとも1個のフィーチャの所在個所に対応する前記画像内の1つ以上の画素を識別し前記1つ以上の画素での反射率信号を計測し、前記1つ以上の画素は前記基板上のフィーチャのサイズよりも小さい領域を有するステップと、
(d)前記個所にて計測された反射率信号に応じ前記プラズマエッチングプロセスを修正するステップと、
を有する方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記照明される領域が、0.75~100mm2の範囲内の面積を有する方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記入射角が、前記基板の前記前面の法線に対し5°未満の入射角である方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記入射光ビームが前記基板の前記前面に対しほぼ垂直な方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記カメラが、前記基板で反射された光をある検出波長にて検出し、前記照明源により放射される光が、その検出波長にて前記プラズマエッチングプロセスのプラズマにより放射される光よりも、その検出波長にて高い強度を有する方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記画像処理技術が画像パターン認識及び/又は画像パターンマッチングを含む方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記プラズマエッチングプロセス前の前記基板の前記前面に、相異なる反射率特性を有する少なくとも2個のエリアが備わる方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記基板が、エッチングされるべき素材を部分的に覆うマスク層を備え、そのマスク層が、エッチングされるべき素材とは異なる反射率特性を有する方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記マスク層が、エッチングされるべき素材のうち少なくとも90%を覆う方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
ステップ(c)にて、前記カメラにより撮られた参照画像に画像処理技術を適用することで前記少なくとも1個のフィーチャの所在個所を識別し、その参照画像における当該少なくとも1個のフィーチャの所在個所にて参照反射率信号を計測し、そして連続画像上での当該少なくとも1個のフィーチャの所在個所にて計測された反射率信号とその参照反射率信号とを比較する方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記少なくとも1個のフィーチャの所在個所を識別する際に、参照パターンを所在特定し、その参照パターンの所在個所との関連で当該少なくとも1個のフィーチャの所在個所を判別する方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記反射率信号が輝度信号、強度及び/又は反射光の色である方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
ステップ(d)にて、前記個所での反射率信号の変化に応じ前記プラズマエッチングプロセスを終結させる方法。 - 請求項7に記載の方法であって、
前記少なくとも1個のフィーチャが、ビア、シリコン基板に埋入された銅プラグ、或いはトレンチであり、前記基板がウェハ、キャリア構造上のウェハ、或いはテープでフレームに装着されたウェハである方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1916079.5 | 2019-11-05 | ||
GBGB1916079.5A GB201916079D0 (en) | 2019-11-05 | 2019-11-05 | Apparatus and method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021077859A JP2021077859A (ja) | 2021-05-20 |
JP2021077859A5 JP2021077859A5 (ja) | 2023-07-04 |
JP7328944B2 true JP7328944B2 (ja) | 2023-08-17 |
Family
ID=68807187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020134511A Active JP7328944B2 (ja) | 2019-11-05 | 2020-08-07 | リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11710670B2 (ja) |
EP (1) | EP3819927B1 (ja) |
JP (1) | JP7328944B2 (ja) |
KR (1) | KR20210054447A (ja) |
CN (1) | CN112786423A (ja) |
GB (1) | GB201916079D0 (ja) |
TW (1) | TW202131374A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022144774A1 (en) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 3M Innovative Properties Company | Metallic nanohole arrays on nanowells with controlled depth and methods of making the same |
US11908716B2 (en) | 2021-05-14 | 2024-02-20 | Applied Materials, Inc. | Image-based in-situ process monitoring |
US12046522B2 (en) * | 2022-02-18 | 2024-07-23 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection in low open area and/or high aspect ratio etch applications |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006186221A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
JP2006528428A (ja) | 2003-07-22 | 2006-12-14 | ラム リサーチ コーポレーション | スペクトル反射率計の光信号の電子空間フィルタリングのための方法および装置 |
JP2015532544A (ja) | 2012-10-17 | 2015-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 多変量解析を用いたプラズマエンドポイント検出 |
JP2017168625A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
JP2018026558A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御 |
JP2020510311A (ja) | 2017-03-13 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 反射終点検出を有するエッチング処理システム |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59147433A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
JPH066797B2 (ja) * | 1985-03-11 | 1994-01-26 | 株式会社日立製作所 | エツチングの終点検出方法 |
JP2595083B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 配線形成方法及びその装置 |
JPH03283615A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | エッチング・モニタ方式 |
US5450205A (en) | 1993-05-28 | 1995-09-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and method for real-time measurement of thin film layer thickness and changes thereof |
JP4444428B2 (ja) | 2000-01-28 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング深さの検出方法並びにエッチングモニター装置及びエッチング装置 |
EP1623457B1 (en) | 2003-05-09 | 2008-11-26 | Unaxis USA Inc. | Endpoint detection in time division multiplexed processes using an envelope follower algorithm |
JP2006186222A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
US8709268B2 (en) | 2011-11-14 | 2014-04-29 | Spts Technologies Limited | Etching apparatus and methods |
GB201119598D0 (en) | 2011-11-14 | 2011-12-28 | Spts Technologies Ltd | Etching apparatus and methods |
US9543225B2 (en) | 2014-04-29 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for detecting endpoint for through-silicon via reveal applications |
US10438825B2 (en) | 2016-08-29 | 2019-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Spectral reflectometry for in-situ process monitoring and control |
JP6808596B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-01-06 | キオクシア株式会社 | センシングシステム |
US20180286643A1 (en) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | Tokyo Electron Limited | Advanced optical sensor, system, and methodologies for etch processing monitoring |
-
2019
- 2019-11-05 GB GBGB1916079.5A patent/GB201916079D0/en not_active Ceased
-
2020
- 2020-05-12 CN CN202010396811.3A patent/CN112786423A/zh active Pending
- 2020-08-07 JP JP2020134511A patent/JP7328944B2/ja active Active
- 2020-08-21 US US17/000,243 patent/US11710670B2/en active Active
- 2020-10-05 TW TW109134345A patent/TW202131374A/zh unknown
- 2020-10-05 KR KR1020200128389A patent/KR20210054447A/ko unknown
- 2020-10-16 EP EP20202400.6A patent/EP3819927B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006528428A (ja) | 2003-07-22 | 2006-12-14 | ラム リサーチ コーポレーション | スペクトル反射率計の光信号の電子空間フィルタリングのための方法および装置 |
JP2006186221A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
JP2015532544A (ja) | 2012-10-17 | 2015-11-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 多変量解析を用いたプラズマエンドポイント検出 |
JP2017168625A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザを作製する方法 |
JP2018026558A (ja) | 2016-08-03 | 2018-02-15 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御 |
JP2020510311A (ja) | 2017-03-13 | 2020-04-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 反射終点検出を有するエッチング処理システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB201916079D0 (en) | 2019-12-18 |
KR20210054447A (ko) | 2021-05-13 |
TW202131374A (zh) | 2021-08-16 |
EP3819927B1 (en) | 2022-06-15 |
US11710670B2 (en) | 2023-07-25 |
EP3819927A1 (en) | 2021-05-12 |
US20210134684A1 (en) | 2021-05-06 |
JP2021077859A (ja) | 2021-05-20 |
CN112786423A (zh) | 2021-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7328944B2 (ja) | リフレクトメトリ終了点イメージング装置及び方法 | |
US4479848A (en) | Etching method and apparatus | |
KR100932574B1 (ko) | 포토마스크 에칭을 위한 엔드포인트 검출 | |
US9140539B2 (en) | Optical system and method for measurement of one or more parameters of via-holes | |
JP4925507B2 (ja) | スペクトル干渉法を用いる膜厚制御 | |
US20090014409A1 (en) | Endpoint detection for photomask etching | |
US20050280807A1 (en) | Method and system for inspecting a wafer | |
US7697146B2 (en) | Apparatus and method for optical interference fringe based integrated circuit processing | |
WO2017130365A1 (ja) | オーバーレイ誤差計測装置、及びコンピュータープログラム | |
KR20030063199A (ko) | 패턴검사장치 | |
US20080165367A1 (en) | Roughness evaluation method and system | |
US20170138868A1 (en) | Optical method and system for defects detection in three-dimensional structures | |
JP2021077859A5 (ja) | ||
US9640370B2 (en) | Etching apparatus and methods | |
KR20040035553A (ko) | 고장 해석 방법 | |
CN113646878B (zh) | 检查装置及检查方法 | |
KR20070113655A (ko) | 박막의 두께 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
US20150168132A1 (en) | Method and system for use in optical measurements in deep three-dimensional structures | |
US7369254B2 (en) | System and method for measuring dimension of patterns formed on photomask | |
JP3803677B2 (ja) | 欠陥分類装置及び欠陥分類方法 | |
US20230377121A1 (en) | Method and a system for characterising structures through a substrate | |
JP3681321B2 (ja) | 薄膜の開口比測定方法及びその装置 | |
JP2019027864A (ja) | 測距装置およびオートフォーカス機構 | |
JP2000259829A (ja) | 画像認識方法 | |
KR20040054049A (ko) | 반도체 소자의 개구부 검사방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230626 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230626 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230626 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230711 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7328944 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |