JP7328104B2 - Grinding equipment - Google Patents

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Description

本発明は、研削装置に関する。 The present invention relates to grinding equipment.

特許文献1、2に開示のように、砥石を用いてウェーハを研削する研削装置は、チャックテーブルに保持された研削加工後のウェーハの上面を搬送パッドを用いて吸引保持して、搬送パッドを上昇させることによりウェーハをチャックテーブルから離間させてから、スピンナテーブルに搬送して洗浄して、カセットに収納している。ウェーハを搬送する搬送手段は、ウェーハを保持する搬送パッドが吊持されたアームと、アームを上下方向に移動させる上下手段とを備えている。上下手段は搬送パッドの下面がウェーハの上面に接触するようにアームの高さ位置を調整している。 As disclosed in Patent Documents 1 and 2, a grinding apparatus that grinds a wafer using a grindstone sucks and holds the upper surface of a ground wafer held on a chuck table using a transfer pad, and lifts the transfer pad. After separating the wafer from the chuck table by raising it, the wafer is transported to the spinner table, cleaned, and housed in a cassette. The transport means for transporting the wafer comprises an arm from which a transport pad for holding the wafer is suspended, and a vertical means for vertically moving the arm. The vertical means adjusts the height position of the arm so that the lower surface of the transfer pad contacts the upper surface of the wafer.

ウェーハを保持する保持面を有するポーラス板を備えたチャックテーブルにおいては、その保持面の内部にウェーハの研削時に生じた研削屑が進入して保持面の吸引力が低下することがある。そのため、砥石を用いて保持面を研削するいわゆるセルフグラインドを定期的に実施して新たな保持面を露出させることにより、保持面の吸引力を復活させている。
ウェーハの研削加工はウェーハの厚みを測定しながら、予め設定した厚みになるまで実施される。ウェーハの厚みの測定においては、ハイトゲージを用いて保持面の高さと保持面に保持されたウェーハの上面の高さとをそれぞれ測定して、測定された値の差をウェーハの厚みとして算出している。
In a chuck table provided with a porous plate having a holding surface for holding a wafer, grinding debris generated during grinding of the wafer may enter the inside of the holding surface, reducing the suction force of the holding surface. Therefore, the suction force of the holding surface is restored by periodically performing so-called self-grinding of the holding surface using a whetstone to expose a new holding surface.
Grinding of the wafer is performed until a preset thickness is achieved while measuring the thickness of the wafer. In measuring the thickness of the wafer, a height gauge is used to measure the height of the holding surface and the height of the upper surface of the wafer held by the holding surface, and the difference between the measured values is calculated as the thickness of the wafer. .

特開2008-073785号公報JP 2008-073785 A 特開2015-039755号公報JP 2015-039755 A

上記のようにチャックテーブルの保持面のセルフグラインドをした後は保持面の高さが下がるため、上下手段を用いて予定されていた高さ位置に搬送パッドを下降させても搬送パッドの下面をウェーハの上面に接触させることができない場合がある。
また、ハイトゲージが故障した場合、研削装置に認識されたウェーハの厚みとチャックテーブルに保持され研削加工されたウェーハの実際の厚みとが異なってしまうおそれがある。
したがって、研削装置の搬送手段においては、セルフグラインド後に搬送パッドを用いてウェーハを吸引保持すること、また、予め設定した厚みとは異なる厚みで研削された事を検知するために研削されたウェーハの厚みを知ることという解決すべき課題がある。
After self-grinding the holding surface of the chuck table as described above, the height of the holding surface is lowered. It may not be possible to contact the top surface of the wafer.
Further, if the height gauge fails, the thickness of the wafer recognized by the grinder may differ from the actual thickness of the wafer held on the chuck table and ground.
Therefore, in the conveying means of the grinding apparatus, the wafer is sucked and held using a conveying pad after self-grinding, and the ground wafer is detected to have a thickness different from the preset thickness. There is a problem of knowing the thickness to be solved.

本発明は、保持面にウェーハを保持するチャックテーブルと、砥石を用いて該保持面に保持されたウェーハを研削する研削手段と、該チャックテーブルに保持されているウェーハの上面を吸引保持して該保持面からウェーハを搬出させる搬出手段と、を備える研削装置であって、該搬出手段は、該ウェーハの上面を吸引保持する吸引面を下面に有するパッドと、該パッドを上下自在に吊持するアームと、該アームを該吸引面に垂直な方向に移動させる上下手段と、該アームと該パッドとが近づいたことを検知する接近検知部と、該上下手段は、該アームの高さを認識する高さ認識部を備え、該上下手段を用いて該アームを下降させて該パッドの下面が該保持面に接触してからさらに該アームを下降させ、該アームと該パッドとが所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときの該アームの高さを該チャックテーブルに保持されたウェーハを吸引保持するときの該アームの高さとして設定する高さ設定部を備える研削装置である。
上記の研削装置は、該砥石を用いて研削されたウェーハが予め設定された厚みか否かを判断する判断手段を備え、該判断手段は、該上下手段を用いてアームを下降させて該吸引面を該保持面に接触させて、さらに該アームを下降させて該アームと該パッドとが所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときに該高さ認識部によって認識された該アームの高さを記憶する保持面高さ記憶部と、該上下手段を用いて該アームを下降させて該吸引面を該保持面の保持されたウェーハの上面に接触させて、さらに該アームを下降させて該アームと該パッドとが所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときに該高さ認識部によって認識された該アームの高さをウェーハの上面高さとして、該ウェーハ上面高さから該保持面高さ記憶部に記憶されている該保持面高さを差し引き、ウェーハの厚みとして算出する厚み算出部と、該厚み算出部によって算出された厚みが、予め設定された厚み許容範囲に入っているか否かを判断する判断部と、を備えていることが望ましい。
上記の研削装置の該上下手段は、該アームを、最上位位置から該高さ設定部に設定された高さ位置より所定距離上の高さ位置まで高速で下降させ、該高さ設定部に設定された高さ位置より所定距離上の高さ位置から該高さ設定部に設定された高さ位置まで低速で下降させることが望ましい。
The present invention comprises a chuck table that holds a wafer on a holding surface, a grinding means that grinds the wafer held on the holding surface using a grindstone, and a chuck that holds the upper surface of the wafer held on the chuck table by suction. A grinding apparatus comprising carrying-out means for carrying out the wafer from the holding surface, wherein the carrying-out means comprises a pad having a suction surface on the bottom surface for sucking and holding the top surface of the wafer, and the pad being vertically suspended. an arm for moving the arm, a vertical means for moving the arm in a direction perpendicular to the suction surface, an approach detector for detecting that the arm and the pad have approached each other, and the vertical means for adjusting the height of the arm. The arm is lowered using the up-and-down means so that the lower surface of the pad comes into contact with the holding surface, and then the arm is further lowered so that the arm and the pad are separated by a predetermined distance. A grinding apparatus comprising a height setting unit for setting the height of the arm when the proximity detection unit detects the approach as the height of the arm when sucking and holding the wafer held on the chuck table. be.
The above-described grinding apparatus comprises a judgment means for judging whether or not the wafer ground by the grindstone has a predetermined thickness, and the judgment means lowers the arm using the vertical means to suck the wafer. The arm recognized by the height recognition section when the approach detection section detects that the surface is brought into contact with the holding surface, the arm is further lowered, and the arm and the pad come closer to each other by a predetermined distance. and a holding surface height storage unit for storing the height of the holding surface, and the lifting means to lower the arm to bring the suction surface into contact with the upper surface of the wafer held by the holding surface, and then lower the arm. The height of the arm recognized by the height recognizing section when the approach detecting section detects that the arm and the pad approach each other by a predetermined distance is taken as the top surface height of the wafer. A thickness calculation unit that calculates the thickness of the wafer by subtracting the holding surface height stored in the holding surface height storage unit from the thickness, and the thickness calculated by the thickness calculation unit is a preset thickness tolerance. and a judgment unit for judging whether or not it is within the range.
The vertical means of the grinding apparatus lowers the arm from the uppermost position at high speed to a height position a predetermined distance above the height position set in the height setting section. It is desirable to descend at a low speed from a height position a predetermined distance above the set height position to the height position set in the height setting section.

保持面にウェーハが載置されていない状態で保持面にパッドの下面を押し下げていった際にアームとパッドとが上下方向に所定距離近づいたことを接近検知部が検知したときにアームの高さ位置として予め設定した高さまで、ウェーハが保持面に載置されている状態でアームを下降させることによって、ウェーハの上面にパッドの下面を確実に接触させることができ、ウェーハをパッドに吸引保持することができる。
研削加工後のウェーハの上面の高さを測定するとともに、測定されたウェーハの上面の高さから、保持面高さ記憶部に記憶されている保持面の高さを差し引いてウェーハの厚みとして算出することができる。これにより、例えば厚み測定手段の保持面ハイトゲージや上面ハイトゲージ等が故障した際に、予め設定した厚みとは異なる厚みにウェーハが研削されたことを知ることができる。
加えて、アームを下降させる際に、アームの最上位位置から、例えばウェーハの上面から僅かに上にパッドの下面が位置付けられるときのアームの高さ位置まで、アームを高速で下降させるため、この間のアームの上下移動に要する時間を短縮でき、ウェーハの研削加工にかかる時間的コストを削減できる。
そして、ウェーハの上面から僅かに上にパッドの下面が位置付けられるときのアームの高さ位置から、高さ設定部に設定された高さ位置まで、アームを比較的低速で下降させるため、ウェーハがパッドの下面と保持面とに挟まれて上下方向から押圧されるときに、ウェーハが破損するのを防止できる。
When the approach detection unit detects that the arm and the pad approach each other in the vertical direction by a predetermined distance when the lower surface of the pad is pushed down to the holding surface with no wafer placed on the holding surface, the height of the arm is detected. By lowering the arm with the wafer placed on the holding surface to a height set in advance as the height position, the lower surface of the pad can be reliably brought into contact with the upper surface of the wafer, and the wafer is suction-held on the pad. can do.
The height of the upper surface of the wafer after grinding is measured, and the thickness of the wafer is calculated by subtracting the height of the holding surface stored in the holding surface height storage unit from the measured upper surface height of the wafer. can do. This makes it possible to know that the wafer has been ground to a thickness different from the preset thickness when, for example, the holding surface height gauge or upper surface height gauge of the thickness measuring means fails.
In addition, in lowering the arm, since the arm is lowered at high speed from the uppermost position of the arm to, for example, the height of the arm when the lower surface of the pad is positioned slightly above the upper surface of the wafer, It is possible to shorten the time required for the vertical movement of the arm, and reduce the time cost required for wafer grinding.
Since the arm is lowered at a relatively low speed from the height position of the arm when the lower surface of the pad is positioned slightly above the upper surface of the wafer to the height position set in the height setting section, the wafer is lowered. It is possible to prevent the wafer from being damaged when it is sandwiched between the lower surface of the pad and the holding surface and pressed from above and below.

研削装置の全体を表す斜視図である。It is a perspective view showing the whole grinding device. 搬出手段とチャックテーブルとを側方から見た断面図である。FIG. 4 is a side cross-sectional view of the carrying-out means and the chuck table; 搬出手段を用いてチャックテーブルの保持面の高さを記憶する様子を側方から見た断面図である。FIG. 10 is a side cross-sectional view showing how the carry-out means is used to store the height of the holding surface of the chuck table; 搬出手段を用いてウェーハの厚みの測定、及びウェーハの搬出を行う様子を側方から見た断面図である。FIG. 4 is a side cross-sectional view showing how the wafer thickness is measured and the wafer is unloaded using unloading means;

1 研削装置の構成
図1に示す研削装置1は、砥石340を用いてウェーハWを研削する研削装置である。以下、研削装置の構成について説明する。
1 Configuration of Grinding Apparatus A grinding apparatus 1 shown in FIG. 1 is a grinding apparatus that grinds a wafer W using a grindstone 340 . The configuration of the grinding apparatus will be described below.

図1に示すように、研削装置1は、Y軸方向に延設されたベース10と、ベース10の+Y方向側に立設されたコラム11とを備えている。
ベース10の上における+Y方向側の領域はウェーハWの搬入出が行われる搬入出領域Aとなっており、ベース10の上における-Y方向側の領域はウェーハWの研削加工が行われる研削領域Bとなっている。
As shown in FIG. 1, the grinding apparatus 1 includes a base 10 extending in the Y-axis direction and a column 11 standing on the +Y direction side of the base 10 .
The region on the +Y direction side on the base 10 is the loading/unloading region A where the wafer W is loaded and unloaded, and the region on the -Y direction side on the base 10 is the grinding region where the wafer W is ground. It is B.

ベース10の上には、チャックテーブル2が配設されている。チャックテーブル2は円板状の吸引部20と吸引部20を支持する環状の枠体21とを備えている。吸引部20の上面はウェーハWが保持される保持面20aとなっている。保持面20aと枠体21の上面21aとは面一となっている。
保持面20aには図示しない吸引手段等が接続されている。保持面20aにウェーハWが載置されている状態で、図示しない吸引手段等を用いて吸引力を発揮させることにより、生み出された吸引力が保持面20aに伝達されて、保持面20aにウェーハWが吸引保持されることとなる。
A chuck table 2 is arranged on the base 10 . The chuck table 2 includes a disk-shaped suction portion 20 and an annular frame 21 that supports the suction portion 20 . The upper surface of the suction unit 20 serves as a holding surface 20a on which the wafer W is held. The holding surface 20a and the upper surface 21a of the frame 21 are flush with each other.
A suction means (not shown) or the like is connected to the holding surface 20a. In a state where the wafer W is placed on the holding surface 20a, a suction means or the like (not shown) is used to exert a suction force, whereby the generated suction force is transmitted to the holding surface 20a, and the wafer is held on the holding surface 20a. W is attracted and held.

チャックテーブル2は、図示しない回転手段等により、チャックテーブル2の中心を通るZ軸方向の回転軸25を軸にして回転可能である。 The chuck table 2 is rotatable about a rotation axis 25 passing through the center of the chuck table 2 in the Z-axis direction by rotating means or the like (not shown).

ベース10の内部には、チャックテーブル2をY軸方向に水平移動させる水平移動手段が配設されている。
また、チャックテーブル2の周囲にはカバー27及びカバー27に伸縮自在に連結された蛇腹28が配設されている。例えば、水平移動手段等によってチャックテーブル2がY軸方向に移動すると、カバー27がチャックテーブル2と共にY軸方向に移動して蛇腹28が伸縮することとなる。
Horizontal movement means for horizontally moving the chuck table 2 in the Y-axis direction is provided inside the base 10 .
Further, a cover 27 and a bellows 28 connected to the cover 27 so as to extend and contract are provided around the chuck table 2 . For example, when the chuck table 2 is moved in the Y-axis direction by horizontal movement means or the like, the cover 27 moves in the Y-axis direction together with the chuck table 2, and the bellows 28 expands and contracts.

ベース10の上には、例えば厚み測定手段100が配設されている。厚み測定手段100は、保持面ハイトゲージ101を備えている。例えば保持面ハイトゲージ101のプローブを枠体21の上面21aの上に接触させることにより、枠体21の上面21aに面一な吸引部20の保持面20aの高さを測定することができる。
厚み測定手段100は、上面ハイトゲージ102を備えている。例えば保持面20aにウェーハWが保持されている状態で、上面ハイトゲージ102のプローブをウェーハWの上面Waに接触させることにより、ウェーハWの上面Waの高さを測定することができる。
保持面ハイトゲージ101により測定された保持面20aの高さと、上面ハイトゲージ102により測定されたウェーハWの上面Waの高さとを図示しない厚み算出手段により差し引くことによってウェーハWの厚みを算出することができる。
For example, a thickness measuring means 100 is arranged on the base 10 . The thickness measuring means 100 has a holding surface height gauge 101 . For example, by bringing the probe of the holding surface height gauge 101 into contact with the upper surface 21a of the frame 21, the height of the holding surface 20a of the suction unit 20 flush with the upper surface 21a of the frame 21 can be measured.
The thickness measuring means 100 has an upper surface height gauge 102 . For example, the height of the upper surface Wa of the wafer W can be measured by bringing the probe of the upper surface height gauge 102 into contact with the upper surface Wa of the wafer W while the wafer W is held on the holding surface 20a.
The thickness of the wafer W can be calculated by subtracting the height of the holding surface 20a measured by the holding surface height gauge 101 and the height of the upper surface Wa of the wafer W measured by the upper surface height gauge 102 using thickness calculating means (not shown). .

コラム11の-Y方向側の側面には、研削手段3を昇降可能に支持する研削送り手段4が配設されている。研削手段3は、Z軸方向の回転軸35を有するスピンドル30と、スピンドル30を回転可能に支持するハウジング31と、回転軸35を軸にしてスピンドル30を回転駆動するスピンドルモータ32と、スピンドル30の下端に接続された円環状のマウント33と、マウント33の下面に着脱可能に装着された研削ホイール34とを備えている。
研削ホイール34は、ホイール基台341と、ホイール基台341の下面に環状に配列された略直方体形状の複数の砥石340とを備えており、砥石340の下面はウェーハWを研削する研削面340aとなっている。
Grinding feed means 4 for supporting the grinding means 3 so as to move up and down is arranged on the side surface of the column 11 in the -Y direction. The grinding means 3 includes a spindle 30 having a rotating shaft 35 in the Z-axis direction, a housing 31 rotatably supporting the spindle 30, a spindle motor 32 rotating the spindle 30 about the rotating shaft 35, and the spindle 30. It has an annular mount 33 connected to the lower end thereof, and a grinding wheel 34 detachably attached to the lower surface of the mount 33 .
The grinding wheel 34 includes a wheel base 341 and a plurality of substantially rectangular parallelepiped grindstones 340 annularly arranged on the lower surface of the wheel base 341. The lower surface of the grindstone 340 is a grinding surface 340a for grinding the wafer W. It has become.

研削送り手段4は、Z軸方向の回転軸45を有するボールネジ40と、ボールネジ40に対して平行に配設された一対のガイドレール41と、回転軸45を軸にしてボールネジ40を回転させるZ軸モータ42と、内部のナットがボールネジ40に螺合して側部がガイドレール41に摺接する昇降板43と、昇降板43に連結され研削手段3を支持するホルダ44とを備えている。 The grinding feed means 4 includes a ball screw 40 having a rotating shaft 45 extending in the Z-axis direction, a pair of guide rails 41 arranged parallel to the ball screw 40, and a Z-rotor rotating the ball screw 40 around the rotating shaft 45. It comprises a shaft motor 42 , an elevating plate 43 having an internal nut screwed onto the ball screw 40 and having side portions in sliding contact with the guide rails 41 , and a holder 44 connected to the elevating plate 43 and supporting the grinding means 3 .

Z軸モータ42によってボールネジ40が駆動されて、ボールネジ40が回転軸45を軸にして回転すると、これに伴って、昇降板43がガイドレール41に案内されてZ軸方向に昇降移動するとともに、ホルダ44に保持されている研削手段3がZ軸方向に移動することとなる。 When the ball screw 40 is driven by the Z-axis motor 42 and rotates about the rotating shaft 45, the elevator plate 43 is guided by the guide rail 41 and moves up and down in the Z-axis direction. The grinding means 3 held by the holder 44 moves in the Z-axis direction.

ベース10の-Y方向側には、カセット載置部12が設けられている。
カセット載置部12には、カセット70が載置されている。カセット70には、研削加工前のウェーハWが収容されている。また、カセット70には、研削加工後のウェーハWを収容することができる。
A cassette mounting portion 12 is provided on the -Y direction side of the base 10 .
A cassette 70 is mounted on the cassette mounting portion 12 . The cassette 70 contains wafers W before grinding. Further, the cassette 70 can accommodate the wafer W after grinding.

カセット70の+Y方向側には、ロボット71が配設されている。ロボット71は、ロボットハンド710とロボットハンド710を旋回可能に支持する軸部711とを備えている。ロボットハンド710を用いてカセット70に収容されているウェーハWをカセット70から取り出して、軸部711を軸にしてロボットハンド710を旋回させることにより、ウェーハWを搬送することができる。 A robot 71 is arranged on the +Y direction side of the cassette 70 . The robot 71 includes a robot hand 710 and a shaft portion 711 that rotatably supports the robot hand 710 . The wafer W stored in the cassette 70 is taken out from the cassette 70 using the robot hand 710, and the wafer W can be transported by turning the robot hand 710 around the shaft portion 711. FIG.

ロボットハンド710の可動域における+X方向側には、研削加工前のウェーハWが仮置きされる仮置き領域13が配設されており、同ロボットハンド710の可動域における-X方向側には、研削加工後のウェーハWを洗浄する洗浄領域14が設けられている。 On the +X direction side of the movable range of the robot hand 710, there is provided a temporary placement area 13 in which the wafer W before grinding is temporarily placed. A cleaning area 14 is provided for cleaning the wafer W after grinding.

仮置き領域13には、位置合わせ手段72が配設されている。カセット70から搬出されて仮置き領域13に載置されたウェーハWは、位置合わせ手段72によって所定の位置に位置合わせされることとなる。 Positioning means 72 are arranged in the temporary placement area 13 . The wafer W unloaded from the cassette 70 and placed on the temporary placement area 13 is aligned at a predetermined position by the alignment means 72 .

洗浄領域14には、スピンナ洗浄手段73が配設されている。スピンナ洗浄手段73は、ウェーハWを保持して回転するスピンナテーブル730と、スピンナテーブル730に保持されたウェーハWに向けて洗浄水を噴出する洗浄水供給ノズル731とを備えている。
スピンナテーブル730に研削加工後のウェーハWが載置されている状態で、洗浄水供給ノズル731から洗浄水を供給することによりウェーハWを洗浄することができる。
A spinner cleaning means 73 is provided in the cleaning area 14 . The spinner cleaning means 73 includes a spinner table 730 that holds and rotates the wafer W, and a cleaning water supply nozzle 731 that jets cleaning water toward the wafer W held on the spinner table 730 .
The wafer W can be cleaned by supplying cleaning water from the cleaning water supply nozzle 731 while the wafer W after grinding is placed on the spinner table 730 .

仮置き領域13に隣接する位置には、位置合わせ手段72によって位置合わせされたウェーハWをチャックテーブル2に搬入する搬入手段74が配設されている。搬入手段74はウェーハWを吸引保持する搬入パッド740と、搬入パッド740に端部が連結された搬入アーム741と、搬入パッド740に連結されていない側の端部に連結され搬入アーム741を旋回可能に支持する軸部742とを備えている。
軸部742は、図示しない回転手段等により駆動されてZ軸方向の回転軸745を軸にして回転可能となっている。軸部742が回転することによって、搬入アーム741及び搬入パッド740が、搬入出領域Aと研削領域Bとの間を旋回移動することとなる。
搬入パッド740にウェーハWが吸引保持されている状態で、軸部742が回転すると、搬入アーム741及び搬入アーム741に連結されている搬入パッド740が回転軸745を軸に旋回して、ウェーハWをチャックテーブル2の保持面20aに搬入することができる。
At a position adjacent to the temporary placement area 13, a loading means 74 for loading the wafer W aligned by the alignment means 72 onto the chuck table 2 is provided. The loading means 74 includes a loading pad 740 for sucking and holding the wafer W, a loading arm 741 whose end is connected to the loading pad 740, and a loading arm 741 connected to the end not connected to the loading pad 740 to rotate. and a shank 742 for possible support.
The shaft portion 742 is driven by a rotating means or the like (not shown) and is rotatable about a rotating shaft 745 in the Z-axis direction. The loading arm 741 and the loading pad 740 pivotally move between the loading/unloading area A and the grinding area B by rotating the shaft portion 742 .
When the shaft portion 742 rotates in a state where the wafer W is sucked and held by the loading pad 740, the loading arm 741 and the loading pad 740 connected to the loading arm 741 rotate about the rotating shaft 745, thereby causing the wafer W to rotate. can be carried into the holding surface 20 a of the chuck table 2 .

搬入手段74の-X方向側の近傍には、搬出手段5が配設されている。
搬出手段5は、円板状のパッド50及びパッド50を上下自在に吊持するアーム51を備えている。アーム51の端部51aには、Z軸方向の回転軸55を有する筒状の軸部510が連結されている。例えば、軸部510には、回転軸55を軸にして軸部510を回転させる図示しない回転手段等が接続されている。
The carry-out means 5 is arranged near the -X direction side of the carry-in means 74 .
The carry-out means 5 includes a disk-shaped pad 50 and an arm 51 that vertically suspends the pad 50 . A tubular shaft portion 510 having a rotating shaft 55 in the Z-axis direction is connected to the end portion 51a of the arm 51 . For example, the shaft portion 510 is connected to rotating means (not shown) for rotating the shaft portion 510 about the rotating shaft 55 .

アーム51の軸部510に連結されていない側の端部51bには、環状部材52が連結されている。環状部材52には、例えば3つの貫通孔520が円周上に等間隔に貫通形成されている。図1においては1つの貫通孔520のみが図示されており、他の2つの貫通孔520は省略されている。 An annular member 52 is connected to the end portion 51 b of the arm 51 that is not connected to the shaft portion 510 . For example, three through holes 520 are formed through the annular member 52 at equal intervals on the circumference. Only one through-hole 520 is illustrated in FIG. 1, and the other two through-holes 520 are omitted.

図2に示すように、パッド50は、多数の細孔を有する吸引部500と吸引部500を支持する枠体501とを備えている。吸引部500の下面は、ウェーハWの上面Waを吸引保持する吸引面500bとなっている。パッド50の下面50bは、吸引部500の吸引面500bと、吸引面500bに面一な枠体501の下面501bとを有している。 As shown in FIG. 2 , the pad 50 includes a suction portion 500 having many pores and a frame 501 supporting the suction portion 500 . The lower surface of the suction unit 500 serves as a suction surface 500b for holding the upper surface Wa of the wafer W by suction. The lower surface 50b of the pad 50 has a suction surface 500b of the suction portion 500 and a lower surface 501b of the frame 501 flush with the suction surface 500b.

搬出手段5は、環状部材52の貫通孔520の数に対応する数(例えば3つであり、図2においては2つが示されている)の吊持部56を備えている。吊持部56は、パッド50と環状部材52とを連結する機能を有している。
吊持部56は、貫通孔520の直径よりも僅かに小さな直径を有する軸部560と、軸部560の上端に形成されたツバ部561とを備えている。
軸部560は、それぞれの貫通孔520に貫通して遊嵌しており、軸部560の下端はパッド50の枠体501の上面501aに連結されている。吊持部56は、例えばストリッパボルト等であり、例えばパッド50の枠体501の上面501aに形成されている図示しないネジ穴に、軸部560の下部に形成されている図示しないネジ切りが螺合して、吊持部56がパッド50に締結されているものとする。
ツバ部61は、貫通孔520よりも大径に形成されており、吊持部56の下降範囲を制限している。
The carry-out means 5 has a number of suspension parts 56 corresponding to the number of through-holes 520 of the annular member 52 (for example, three, and two are shown in FIG. 2). The suspension portion 56 has a function of connecting the pad 50 and the annular member 52 .
The suspension portion 56 includes a shaft portion 560 having a diameter slightly smaller than the diameter of the through hole 520 and a flange portion 561 formed at the upper end of the shaft portion 560 .
The shafts 560 are loosely fitted through the respective through holes 520 , and the lower ends of the shafts 560 are connected to the upper surface 501 a of the frame 501 of the pad 50 . The suspending portion 56 is, for example, a stripper bolt or the like. For example, a screw hole (not shown) formed in the upper surface 501a of the frame 501 of the pad 50 is threaded with a threaded portion (not shown) formed at the bottom of the shaft portion 560. Together, it is assumed that the suspending portion 56 is fastened to the pad 50 .
The flange portion 61 is formed to have a larger diameter than the through hole 520 and limits the lowering range of the suspension portion 56 .

吊持部56の軸部560の周りにはバネ562が巻きつけられている。バネ562の上端562aは環状部材52の下面52bに接触しており、バネ562の下端562bはパッド50の枠体501の上面501aに接触している。 A spring 562 is wound around the shaft portion 560 of the suspension portion 56 . The upper end 562 a of the spring 562 contacts the lower surface 52 b of the annular member 52 , and the lower end 562 b of the spring 562 contacts the upper surface 501 a of the frame 501 of the pad 50 .

図示しない回転手段等により軸部510が回転軸55を軸にして回転すると、アーム51、アーム51に連結されている環状部材52、及び環状部材52に吊持部56を介して連結されているパッド50が、回転軸55を軸にして一体的に旋回することとなる。 When the shaft portion 510 rotates about the rotation shaft 55 by rotating means or the like (not shown), the arm 51 , the annular member 52 connected to the arm 51 , and the annular member 52 are connected via the suspending portion 56 . The pad 50 rotates integrally around the rotating shaft 55 .

搬出手段5は配管57を備えている。配管57は、例えばパッド50の枠体501を貫通するように配設され、その下端が吸引部500に接続されている。配管57は、分岐点aにおいてエア流路581と吸引路591とに分岐している。
吸引部500は、配管57及びエア流路581を通じてエア供給源58に接続されている。エア流路581には、エア供給源58と吸引部500との連通状態を切り替えるエアバルブ580が配設されている。
また、吸引部500は、配管57及び吸引路591を通じて吸引源59に接続されている。吸引路591には、吸引源59と吸引部500との連通状態を切り替える吸引バルブ590が配設されている。
The carry-out means 5 has a pipe 57 . The pipe 57 is arranged, for example, so as to pass through the frame 501 of the pad 50 , and its lower end is connected to the suction portion 500 . The pipe 57 branches into an air flow path 581 and a suction path 591 at a branch point a.
The suction part 500 is connected to the air supply source 58 through the pipe 57 and the air flow path 581 . An air valve 580 for switching the state of communication between the air supply source 58 and the suction portion 500 is arranged in the air flow path 581 .
Also, the suction unit 500 is connected to the suction source 59 through a pipe 57 and a suction path 591 . A suction valve 590 for switching the state of communication between the suction source 59 and the suction section 500 is arranged in the suction path 591 .

例えば、吸引部500の吸引面500bにウェーハWの上面Waが接触している状態で、吸引バルブ590を開くとともに吸引源59を作動させて吸引力を発揮させることにより、生み出された吸引力が吸引路591及び配管57を通じて吸引部500の吸引面500bに伝達されて、吸引部500の吸引面500bにウェーハWを吸引保持されることとなる。 For example, in a state in which the upper surface Wa of the wafer W is in contact with the suction surface 500b of the suction unit 500, the suction valve 590 is opened and the suction source 59 is operated to generate a suction force. It is transmitted to the suction surface 500b of the suction unit 500 through the suction path 591 and the pipe 57, and the wafer W is suction-held on the suction surface 500b of the suction unit 500. FIG.

また、例えば、ウェーハWの研削加工によって生じた研削屑等がパッド50の吸引部500の吸引面500bに付着したり、加工屑等が吸引部500の多数の細孔の内部に入り込んだりすると、吸引部500が詰まってしまい、吸引部500に作用する吸引力が損なわれていく。そこで、例えばウェーハWの研削加工後等には、パッド50の吸引面500bにウェーハWが吸引保持されていない状態で、エアバルブ580を開くとともにエア供給源58を作動させて、エア流路581及び配管57を通じて吸引部500にエアを供給し、吸引面500bからエアを噴出して、吸引部500の内部及び吸引面500bの洗浄を行うこととなる。 Further, for example, if grinding debris or the like generated by the grinding process of the wafer W adheres to the suction surface 500b of the suction portion 500 of the pad 50, or if processing debris or the like enters the many pores of the suction portion 500, The suction unit 500 is clogged, and the suction force acting on the suction unit 500 is impaired. Therefore, for example, after grinding the wafer W, the air valve 580 is opened and the air supply source 58 is operated while the wafer W is not suction-held on the suction surface 500b of the pad 50, so that the air flow path 581 and Air is supplied to the suction unit 500 through the pipe 57 and jetted from the suction surface 500b to clean the inside of the suction unit 500 and the suction surface 500b.

搬出手段5は、上下手段6を備えている。上下手段6は、Z軸方向の回転軸65を有するボールネジ60と、ボールネジ60に螺合され軸部510に連結されているナット部66と、ボールネジ60に対して平行に配設された一対のガイドレール61と、ボールネジ60の上端に配設され回転軸65を軸にしてボールネジ60を回転させるモータ62とを備えている。モータ62を用いて、回転軸65を軸にしてボールネジ60を回転させることにより、軸部510及びアーム51を吸引面500bに垂直な方向(Z軸方向)に昇降移動させることができる。 The unloading means 5 is equipped with a vertical means 6 . The vertical means 6 includes a ball screw 60 having a rotation shaft 65 extending in the Z-axis direction, a nut portion 66 screwed onto the ball screw 60 and connected to a shaft portion 510, and a pair of vertical shafts arranged parallel to the ball screw 60. A guide rail 61 and a motor 62 arranged at the upper end of the ball screw 60 for rotating the ball screw 60 around a rotating shaft 65 are provided. By using the motor 62 to rotate the ball screw 60 about the rotary shaft 65, the shaft portion 510 and the arm 51 can be vertically moved in the direction (Z-axis direction) perpendicular to the suction surface 500b.

例えば、ウェーハWが保持面20aに載置されているチャックテーブル2が搬出手段5の下方に位置付けられている状態で、上下手段6を用いてアーム51を-Z方向に下降させることにより、アーム51に吊持されているパッド50を下降させて、その下面50bをウェーハWの上面Waに接触させることができる。
また、パッド50の下面50bがウェーハW等に接触している状態で、さらに、上下手段6を用いてアーム51を-Z方向に下降させると、パッド50の吸引部500の吸引面500bによってウェーハW等が-Z方向に押され、その押力の反作用の力として、パッド50の吸引面500bがウェーハW等から+Z方向の押力を受ける。これにより、パッド50と吊持部56とが一体的に+Z方向に上昇して、ツバ部561が環状部材52の上面52aの上方に浮き上がった状態になるとともに、バネ562がパッド50とアーム51との間で収縮することとなる。
For example, in a state where the chuck table 2 on which the wafer W is placed on the holding surface 20a is positioned below the carry-out means 5, the arm 51 is lowered in the -Z direction using the up-and-down means 6, whereby the arm The pad 50 suspended from 51 can be lowered so that the lower surface 50b thereof contacts the upper surface Wa of the wafer W. As shown in FIG.
When the lower surface 50b of the pad 50 is in contact with the wafer W or the like and the arm 51 is further lowered in the -Z direction using the vertical means 6, the suction surface 500b of the suction portion 500 of the pad 50 lifts the wafer. W and the like are pushed in the -Z direction, and as a reaction force to the pushing force, the suction surface 500b of the pad 50 receives a pushing force in the +Z direction from the wafer W and the like. As a result, the pad 50 and the suspension portion 56 are integrally lifted in the +Z direction, and the flange portion 561 is lifted above the upper surface 52a of the annular member 52, and the spring 562 is moved between the pad 50 and the arm 51. will contract between

上下手段6は、アーム51を、高さ設定部9において設定された高さ位置から所定距離上の高さ位置まで低速で移動させて、該設定された高さから所定距離上の高さ位置から最上位位置まで高速で移動させる機能を有している。
高さ設定部9において設定された高さ位置から所定距離上の高さ位置は、例えば、保持面20aに保持されたウェーハWの上面Waから僅かに上にパッド50の下面50bが位置付けられているときのアーム51の高さ位置等とする。
The vertical means 6 moves the arm 51 at a low speed to a height position a predetermined distance above the height set in the height setting section 9, and moves the arm 51 to a height position a predetermined distance above the set height. to the highest position at high speed.
The height position above a predetermined distance from the height position set in the height setting unit 9 is, for example, the lower surface 50b of the pad 50 positioned slightly above the upper surface Wa of the wafer W held on the holding surface 20a. and the height position of the arm 51 when it is

上下手段6は高さ認識部63を備えている。高さ認識部63は、例えばエンコーダ等であり、モータ62の上に取り付けられている。
高さ認識部63は、上記のエンコーダのかわりに、例えばガイドレール61に配設された図示しないスケール及び読み取り部を備えるものであってもよい。
The up-and-down means 6 has a height recognition part 63 . The height recognition unit 63 is, for example, an encoder or the like, and is mounted on the motor 62 .
The height recognizing section 63 may have a scale and a reading section (not shown) arranged on the guide rail 61 instead of the encoder.

搬出手段5は、投受光センサ53を備えている。投受光センサ53は、アーム51またはパッド50に配設される。投受光センサ53は、例えばアーム51に連結されている環状部材52の下面52bに配設されている。投受光センサ53は、光を投光する投光部530と、投光部530に対向配置され投光部530から投光された光を受光する受光部531とを備えている。 The carry-out means 5 includes a light projecting/receiving sensor 53 . A light emitting/receiving sensor 53 is arranged on the arm 51 or the pad 50 . The light emitting/receiving sensor 53 is arranged on the lower surface 52b of the annular member 52 connected to the arm 51, for example. The light projecting/receiving sensor 53 includes a light projecting section 530 that projects light, and a light receiving section 531 that is arranged opposite to the light projecting section 530 and receives the light projected from the light projecting section 530 .

搬出手段5は、遮光性を有する板状のドグ54を備えている。ドグ54は、例えばパッド50の枠体501の上面501aに、投受光センサ53に向かい合うように配設されている。 The carry-out means 5 includes a plate-shaped dog 54 having a light shielding property. The dog 54 is arranged, for example, on the upper surface 501 a of the frame 501 of the pad 50 so as to face the light emitting/receiving sensor 53 .

搬出手段5における投受光センサ53とドグ54との位置関係は、図示の例に限定されない。例えば、投受光センサ53がパッド50の枠体501の上面501aに配設されており、ドグ54がアーム51に有する環状部材52の下面52bに、投受光センサ53に向かい合うように配設されていてもよい。 The positional relationship between the light emitting/receiving sensor 53 and the dog 54 in the carry-out means 5 is not limited to the illustrated example. For example, the light emitting/receiving sensor 53 is arranged on the upper surface 501a of the frame 501 of the pad 50, and the dog 54 is arranged on the lower surface 52b of the annular member 52 of the arm 51 so as to face the light emitting/receiving sensor 53. may

例えば、保持面20a等にパッド50の下面50bが接触している状態で、上下手段6に駆動されてアーム51が-Z方向へと下降すると、アーム51に吊持されているパッド50が保持面20a等から+Z方向への押力を受けて+Z方向へと上昇していき、パッド50の枠体501の上面501aに立設されているドグ54が、アーム51に対して+Z方向へと上昇する。
これにより、ドグ54の上端54aが投受光センサ53の投光部530と受光部531とを結ぶ直線状の光軸Lの高さ位置まで上昇すると、ドグ54により光軸Lが遮られる。
投受光センサ53の光軸Lがドグ54によって遮られて、受光部531が投光部530からの光を受光しなくなると、投受光センサ53から高さ認識部63に電気信号が送信されて、そのときのアーム51の高さが高さ認識部63において認識されることとなる。
このように、投受光センサ53及びドグ54は、パッド50とアーム51とが上下方向であるZ軸方向に近づいたことを検知する接近検知部を構成している。
For example, when the lower surface 50b of the pad 50 is in contact with the holding surface 20a or the like and the arm 51 is driven by the vertical means 6 to descend in the -Z direction, the pad 50 suspended by the arm 51 is held. The dog 54 erected on the upper surface 501a of the frame body 501 of the pad 50 moves upward in the +Z direction with respect to the arm 51. Rise.
As a result, when the upper end 54 a of the dog 54 rises to the height of the linear optical axis L connecting the light projecting portion 530 and the light receiving portion 531 of the light projecting/receiving sensor 53 , the dog 54 blocks the optical axis L.
When the optical axis L of the light projecting/receiving sensor 53 is blocked by the dog 54 and the light receiving portion 531 no longer receives light from the light projecting portion 530, an electric signal is transmitted from the light projecting/receiving sensor 53 to the height recognition portion 63. , the height of the arm 51 at that time is recognized by the height recognition unit 63 .
In this manner, the light emitting/receiving sensor 53 and the dog 54 constitute an approach detection section that detects that the pad 50 and the arm 51 approach in the Z-axis direction, which is the vertical direction.

研削装置1は、高さ設定部9を備えている。高さ設定部9は、例えば、保持面20aにウェーハW等が保持されていない状態で、上記のように上下手段6を用いてアーム51を-Z方向に下降させることにより、ドグ54が光軸Lを遮ったときのアーム51の高さを、チャックテーブル2に保持されたウェーハWをパッド50に吸引保持するときのアーム51の高さとして設定することができる。 The grinding device 1 has a height setting section 9 . The height setting unit 9 lowers the arm 51 in the -Z direction using the up-and-down means 6 as described above in a state in which the wafer W or the like is not held on the holding surface 20a, so that the dog 54 moves toward the light beam. The height of the arm 51 when the axis L is interrupted can be set as the height of the arm 51 when the wafer W held on the chuck table 2 is held on the pad 50 by suction.

研削装置1は、砥石340を用いて研削されたウェーハWが予め設定された厚みか否かを判断する判断手段8を備えている。判断手段8は、例えばCPU、メモリ等を有している。 The grinding apparatus 1 includes a judgment means 8 for judging whether or not the wafer W ground by the grindstone 340 has a preset thickness. The determination means 8 has, for example, a CPU, a memory, and the like.

判断手段8は、保持面高さ記憶部80を備えている。保持面高さ記憶部80は、上下手段6を用いてアーム51を下降させることにより吸引面500bを保持面20aに接触させてから、さらにアーム51を下降させることにより、ドグ54が光軸Lを遮ったときに高さ認識部63によって認識されたアーム51の高さを記憶することができる。 The determination means 8 has a holding surface height storage section 80 . In the holding surface height storage unit 80, the arm 51 is lowered using the up-and-down means 6 to bring the suction surface 500b into contact with the holding surface 20a. It is possible to store the height of the arm 51 recognized by the height recognition unit 63 when the is interrupted.

判断手段8は、厚み算出部81を備えている。
例えば、上下手段6を用いてアーム51を下降させることにより、パッド50の吸引面500bが保持面20aに保持されたウェーハWの上面Waに接触する。パッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waに接触してから、さらにアーム51を下降させることにより、光軸Lをドグ54が遮ると、そのときのアーム51の高さが、ウェーハWの上面Waの高さとして高さ認識部63によって認識される。厚み算出部81は、ウェーハWの上面Waの高さから保持面高さ記憶部80に記憶されている保持面20aの高さを差し引き、ウェーハWの厚みとして算出することができる。
The determination means 8 has a thickness calculator 81 .
For example, by lowering the arm 51 using the vertical means 6, the suction surface 500b of the pad 50 contacts the upper surface Wa of the wafer W held on the holding surface 20a. After the suction surface 500b of the pad 50 contacts the upper surface Wa of the wafer W, the arm 51 is further lowered so that the dog 54 blocks the optical axis L. It is recognized by the height recognition unit 63 as the height of the upper surface Wa. The thickness calculator 81 can calculate the thickness of the wafer W by subtracting the height of the holding surface 20a stored in the holding surface height storage unit 80 from the height of the upper surface Wa of the wafer W.

判断手段8は、判断部82を備えている。判断部82は、厚み算出部81によって算出された厚みが予め設定された厚み許容範囲に入っているか否かを判断することができる。 The determination means 8 has a determination section 82 . The determination unit 82 can determine whether or not the thickness calculated by the thickness calculation unit 81 is within a preset allowable thickness range.

2 研削装置の動作
以下、上記の研削装置1を用いてウェーハWを研削加工する際の研削装置1の動作について説明する。
2 Operation of Grinding Device The operation of the grinding device 1 when the wafer W is ground using the grinding device 1 will be described below.

まず、図1に示すように、予め、チャックテーブル2にウェーハWが吸引保持されていない状態で、図示しない水平移動手段等を用いてチャックテーブル2を-Y方向に移動させて搬出手段5の下方に位置付ける。そして、上下手段6を用いてアーム51を-Z方向に下降させることにより、図3に示すように、パッド50の吸引面500bをチャックテーブル2の保持面20aに接触させる。 First, as shown in FIG. 1, in a state in which the chuck table 2 is not holding the wafer W by suction, the chuck table 2 is moved in the -Y direction by using horizontal movement means (not shown) or the like, and the unloading means 5 is moved. Position downwards. Then, by lowering the arm 51 in the -Z direction using the vertical means 6, the suction surface 500b of the pad 50 is brought into contact with the holding surface 20a of the chuck table 2, as shown in FIG.

吸引面500bと保持面20aとが接触している状態で、さらにアーム51を-Z方向に下降させていく。これにより、吸引面500bが保持面20aから+Z方向の押力を受けて、パッド50、吊持部56、及びパッド50の枠体501の上面501aに配設されているドグ54がアーム51に対して+Z方向に上昇していく。
ドグ54がアーム51に対して上昇していき、図3に示すようにドグ54の上端54aの高さ位置が投受光センサ53の光軸Lの高さ位置に一致すると、ドグ54によって光軸Lが遮られる。ドグ54に光軸Lが遮られて投光部350から投光された光が受光部351に受光されなくなると、そのときのアーム51の高さが、高さ認識部63において認識される。このようにして、パッド50とアーム51とがZ軸方向に所定距離近づいたことが、投受光センサ53とドグ54とからなる接近検知部によって検知される。
While the suction surface 500b and the holding surface 20a are in contact with each other, the arm 51 is further lowered in the -Z direction. As a result, the suction surface 500 b receives a +Z-direction pressing force from the holding surface 20 a , and the pad 50 , the suspension portion 56 , and the dog 54 provided on the upper surface 501 a of the frame 501 of the pad 50 are attached to the arm 51 . On the other hand, it rises in the +Z direction.
As the dog 54 rises with respect to the arm 51, as shown in FIG. L is blocked. When the dog 54 blocks the optical axis L and the light projected from the light projecting portion 350 is no longer received by the light receiving portion 351 , the height of the arm 51 at that time is recognized by the height recognition portion 63 . In this manner, the approach detection unit comprising the light projecting/receiving sensor 53 and the dog 54 detects that the pad 50 and the arm 51 have come closer to each other by a predetermined distance in the Z-axis direction.

高さ認識部63に認識されたアーム51の高さは、高さ設定部9において、チャックテーブル2の保持面20aに保持されたウェーハWをパッド50に吸引保持するときのアーム51の高さとして予め設定される。
このように、パッド50の吸引面500bを保持面20aに接触させさらにアームを下降させてからアーム51の高さを設定することにより、セルフグラインドにより保持面20aの高さが低くなった場合においても、ウェーハWを確実に保持することが可能となる。
The height of the arm 51 recognized by the height recognition unit 63 is the height of the arm 51 when the wafer W held on the holding surface 20a of the chuck table 2 is sucked and held by the pad 50 in the height setting unit 9. is preset as
By setting the height of the arm 51 after bringing the suction surface 500b of the pad 50 into contact with the holding surface 20a and lowering the arm in this manner, even if the height of the holding surface 20a is lowered by self-grinding, Also, the wafer W can be reliably held.

また、高さ認識部63において認識されたアーム51の高さは保持面高さ記憶部80において、保持面20aの高さとして記憶される。
保持面高さ記憶部80に記憶された保持面20aの高さは、厚み算出部81に例えば電気信号として送信される。
Further, the height of the arm 51 recognized by the height recognition unit 63 is stored in the holding surface height storage unit 80 as the height of the holding surface 20a.
The height of the holding surface 20a stored in the holding surface height storage unit 80 is transmitted to the thickness calculation unit 81, for example, as an electric signal.

上記のように保持面20aの高さを記憶した後、図1に示したロボット71を用いてカセット70に収容されているウェーハWを一枚取り出して、仮置き領域13に載置する。仮置き領域13に載置されたウェーハWは、位置合わせ手段72によって所定の位置に位置合わせされる。 After storing the height of the holding surface 20a as described above, one wafer W stored in the cassette 70 is taken out using the robot 71 shown in FIG. The wafer W placed in the temporary placement area 13 is aligned at a predetermined position by the alignment means 72 .

次に、仮置き領域13において位置合わせがなされたウェーハWを搬入手段74の搬入パッド740を用いて保持して、軸部742を軸に搬入アーム741及び搬入パッド740を旋回させることにより、搬入パッド740に保持されているウェーハWを仮置き領域13からチャックテーブル2の保持面20aに移動する。 Next, the wafer W aligned in the temporary storage area 13 is held by the loading pad 740 of the loading means 74, and the loading arm 741 and the loading pad 740 are rotated about the shaft portion 742, thereby loading the wafer W. The wafer W held on the pad 740 is moved from the temporary placement area 13 to the holding surface 20 a of the chuck table 2 .

保持面20aにウェーハWが載置されている状態で、保持面20aに接続されている図示しない吸引手段を用いて吸引力を発揮させる。これにより、生み出された吸引力が保持面20aに伝達されて、ウェーハWが保持面20aに吸引保持される。 While the wafer W is placed on the holding surface 20a, suction means (not shown) connected to the holding surface 20a is used to exert a suction force. As a result, the generated suction force is transmitted to the holding surface 20a, and the wafer W is held by suction on the holding surface 20a.

保持面20aにウェーハWが吸引保持されている状態で、図示しない水平移動手段を用いてチャックテーブル2を+Y方向に移動させて、チャックテーブル2及びチャックテーブル2の保持面20aに吸引保持されているウェーハWを研削手段3の下方に位置付ける。 While the wafer W is being sucked and held on the holding surface 20a, the chuck table 2 is moved in the +Y direction using horizontal movement means (not shown) so that the chuck table 2 and the holding surface 20a of the chuck table 2 are sucked and held. The wafer W is positioned below the grinding means 3 .

チャックテーブル2及びチャックテーブル2の保持面20aに吸引保持されているウェーハWが研削手段3の下方に位置付けられている状態で、図示しない回転手段等を用いて回転軸25を軸にしてチャックテーブル2を回転させる。これにより、保持面20aに吸引保持されているウェーハWが回転軸25を軸にして回転する。 With the chuck table 2 and the wafer W suction-held on the holding surface 20a of the chuck table 2 positioned below the grinding means 3, the chuck table is rotated around the rotary shaft 25 by rotating means (not shown) or the like. Rotate 2. As a result, the wafer W sucked and held on the holding surface 20a rotates around the rotating shaft 25. As shown in FIG.

さらに、スピンドルモータ32を用いて、回転軸35を軸にスピンドル30を回転させる。これにより、回転軸35を軸にして砥石340が回転する。 Further, the spindle motor 32 is used to rotate the spindle 30 around the rotating shaft 35 . As a result, the grindstone 340 rotates around the rotating shaft 35 .

保持面20aに吸引保持されているウェーハWが回転軸25を軸にして回転しており、回転軸35を軸にして砥石340が回転している状態で、研削送り手段4を用いて、砥石340を-Z方向に下降させる。 The wafer W sucked and held on the holding surface 20a is rotating about the rotating shaft 25, and the grindstone 340 is rotating about the rotating shaft 35. 340 is lowered in the -Z direction.

研削送り手段4に駆動されて砥石340が-Z方向に移動していくと、砥石340の研削面340aが保持面20aに保持されているウェーハWの上面Waに当接する。砥石340の研削面340aがウェーハWの上面Waに当接している状態で、研削送り手段4を用いて、さらに砥石340を-Z方向に下降させることによってウェーハWの上面Waが研削される。 When the grindstone 340 is driven by the grinding feed means 4 to move in the -Z direction, the grinding surface 340a of the grindstone 340 comes into contact with the upper surface Wa of the wafer W held by the holding surface 20a. With the grinding surface 340a of the grindstone 340 in contact with the upper surface Wa of the wafer W, the grindstone 340 is further lowered in the -Z direction using the grinding feed means 4, thereby grinding the upper surface Wa of the wafer W.

ウェーハWの研削加工中には、厚み測定手段100においてウェーハWの厚みを測定する。具体的には、保持面ハイトゲージ101を枠体21の上面21aに、上面ハイトゲージ102をウェーハWの上面Waにそれぞれ接触させて、両者の高さの差をウェーハWの厚みとして算出する。
研削加工により、ウェーハWの厚みが所定の厚みになったら、研削送り手段4を用いて砥石340を+Z方向に上昇させて、砥石340をウェーハWの上面Waから離間させるとともに、図示しない回転手段等を制御してチャックテーブル2の回転を停止させる。
During the grinding process of the wafer W, the thickness of the wafer W is measured by the thickness measuring means 100 . Specifically, the holding surface height gauge 101 and the upper surface height gauge 102 are brought into contact with the upper surface 21a of the frame 21 and the upper surface Wa of the wafer W, respectively, and the difference in height between the two is calculated as the thickness of the wafer W.
When the thickness of the wafer W reaches a predetermined thickness by grinding, the grindstone 340 is lifted in the +Z direction using the grinding feed means 4 to separate the grindstone 340 from the upper surface Wa of the wafer W, and a rotating means (not shown). etc. to stop the rotation of the chuck table 2 .

次いで、図示しない水平移動手段等を用いてチャックテーブル2及びチャックテーブル2の保持面20aに保持されているウェーハWを-Y方向に移動させて、保持面20aに保持されているウェーハWを搬出手段5のパッド50の可動域に位置付ける。 Next, the chuck table 2 and the wafer W held on the holding surface 20a of the chuck table 2 are moved in the -Y direction using a horizontal moving means or the like (not shown), and the wafer W held on the holding surface 20a is unloaded. Positioned in the range of motion of pad 50 of means 5 .

そして、図4に示すように、上下手段6を用いてアーム51を予め高さ設定部9に設定された高さ位置まで-Z方向に下降させる。 Then, as shown in FIG. 4, the arm 51 is lowered in the -Z direction to a height position previously set in the height setting section 9 by using the up-and-down means 6 .

アーム51を予め高さ設定部9に設定された高さ位置まで下降させる際には、まず、アーム51の最上位位置から、高さ設定部9に設定された高さ位置より所定の距離上の高さ位置、すなわち、例えばパッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waから僅かに上に位置付けられるときのアーム51の高さ位置まで、アーム51を高速で-Z方向に移動させる。
そして、パッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waから僅かに上に位置付けられるときのアーム51の高さ位置から、高さ設定部9に設定された高さ位置まで、アーム51を比較的低速で-Z方向に移動させる。そうすると、やがて、パッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waに接触する。
When lowering the arm 51 to the height position set in the height setting section 9 in advance, the uppermost position of the arm 51 is first lowered by a predetermined distance above the height position set in the height setting section 9. , that is, the height of the arm 51 when the suction surface 500b of the pad 50 is positioned slightly above the upper surface Wa of the wafer W, the arm 51 is moved at high speed in the -Z direction.
Then, the arm 51 is relatively moved from the height position of the arm 51 when the suction surface 500b of the pad 50 is positioned slightly above the upper surface Wa of the wafer W to the height position set in the height setting unit 9. Move in the -Z direction at low speed. Then, the suction surface 500b of the pad 50 comes into contact with the upper surface Wa of the wafer W before long.

上記のようにパッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waに接触してからもなお、アーム51を下降させていくと、吸引面500bがウェーハWの上面Waから+Z方向の押力を受けて、パッド50、吊持部56、及びパッド50の枠体501の上面501aに配設されているドグ54がアーム51に対して+Z方向に上昇していく。
ドグ54がアーム51に対して所定の高さ上昇すると、ドグ54により投受光センサ53の光軸Lが遮られる。光軸Lが遮られて、投光部350から投光された光が受光部351に受光されなくなると、高さ認識部63においてそのときのアーム51の高さが認識される。そして、このときのアーム51の高さも、図示しない記憶部に記憶させておくことが望ましい。このようにして、パッド50とアーム51とがZ軸方向に所定距離近づいたことが、投受光センサ53とドグ54とからなる接近検知部によって検知される。
Even after the suction surface 500b of the pad 50 comes into contact with the upper surface Wa of the wafer W as described above, when the arm 51 is lowered, the suction surface 500b receives a pressing force in the +Z direction from the upper surface Wa of the wafer W. As a result, the pad 50, the suspension portion 56, and the dog 54 provided on the upper surface 501a of the frame 501 of the pad 50 rise in the +Z direction with respect to the arm 51. As shown in FIG.
When the dog 54 rises by a predetermined height with respect to the arm 51 , the dog 54 blocks the optical axis L of the light projecting/receiving sensor 53 . When the optical axis L is blocked and the light projected from the light projecting section 350 is no longer received by the light receiving section 351, the height recognition section 63 recognizes the height of the arm 51 at that time. The height of the arm 51 at this time is also desirably stored in a storage unit (not shown). In this manner, the approach detection unit comprising the light projecting/receiving sensor 53 and the dog 54 detects that the pad 50 and the arm 51 have come closer to each other by a predetermined distance in the Z-axis direction.

高さ認識部63において認識されたアーム51の高さは、ウェーハWの上面Waの高さとして厚み算出部81に送信される。そして、厚み算出部81により、ウェーハWの上面Waの高さとして受信したアーム51の高さから、ウェーハWの研削加工前に予め受信した保持面20aの高さとしてのアーム51の高さを差し引いて、ウェーハWの厚みが算出される。 The height of the arm 51 recognized by the height recognition unit 63 is transmitted to the thickness calculation unit 81 as the height of the upper surface Wa of the wafer W. FIG. Then, the thickness calculator 81 calculates the height of the arm 51 as the height of the holding surface 20a received in advance before grinding the wafer W from the height of the arm 51 received as the height of the upper surface Wa of the wafer W. By subtracting, the thickness of the wafer W is calculated.

さらに、厚み算出部81において算出されたウェーハWの厚みが予め設定された厚みの許容範囲に入っているか否かが判断部82において判断される。 Further, the determination unit 82 determines whether the thickness of the wafer W calculated by the thickness calculation unit 81 is within a preset allowable thickness range.

判断部82において、厚み算出部81により算出された厚みが予め設定された厚みの許容範囲に入っていると判断された場合にはウェーハWを搬出する。 When the judgment unit 82 judges that the thickness calculated by the thickness calculation unit 81 is within the preset allowable thickness range, the wafer W is unloaded.

ウェーハWの搬出の際には、まず、チャックテーブル2に接続されている図示しない吸引手段を停止させて、保持面20aに作用している吸引力を除去する。 When unloading the wafer W, first, the suction means (not shown) connected to the chuck table 2 is stopped to remove the suction force acting on the holding surface 20a.

そして、上下手段6を用いてアーム51を予め設定された高さ位置まで下降させる。ここで、予め設定された高さ位置は、上記のように、保持面20aにウェーハWが載置されていない状態で保持面20aにアーム51を押し下げていった際にドグ54に光軸Lが遮られるときのアーム51の高さ位置であるため、保持面20aにウェーハWが載置されている状態で、該予め設定された高さ位置までアーム51を下降させていくと、パッド50の下面50bがウェーハWの上面Waに確実に接触する。
アーム51が予め設定された高さ位置に位置付けられて、パッド50の下面50bがウェーハWの上面Waに接触している状態で、吸引バルブ590を開いて吸引源59を作動させることによって、生み出された吸引力が吸引路591及び配管57を通じてパッド50の吸引部500に伝達され、パッド50の吸引面500bにウェーハWの上面Waが吸引保持される。
Then, the arm 51 is lowered to a preset height position using the up-and-down means 6 . Here, as described above, the preset height position is such that when the arm 51 is pushed down onto the holding surface 20a with no wafer W placed on the holding surface 20a, the dog 54 is aligned with the optical axis L. is the height position of the arm 51 when the pad 50 is interrupted. The lower surface 50b of the is in contact with the upper surface Wa of the wafer W reliably.
With the arm 51 positioned at a preset height position and the lower surface 50b of the pad 50 in contact with the upper surface Wa of the wafer W, the suction valve 590 is opened and the suction source 59 is operated. The suction force applied is transmitted to the suction portion 500 of the pad 50 through the suction path 591 and the pipe 57, and the upper surface Wa of the wafer W is suction-held on the suction surface 500b of the pad 50. FIG.

そして、パッド50にウェーハWが吸引保持されている状態でアーム51を上昇及び旋回させて、ウェーハWをチャックテーブル2の保持面20aから、図1に示した洗浄領域14に移動する。そして、洗浄領域14においてスピンナ洗浄手段73を用いてウェーハWの上面Waを洗浄する。その後、ロボット71を用いてウェーハWをカセット70へと収容する。 Then, the arm 51 is lifted and rotated while the wafer W is held by the pad 50 by suction, and the wafer W is moved from the holding surface 20a of the chuck table 2 to the cleaning area 14 shown in FIG. Then, the upper surface Wa of the wafer W is cleaned using the spinner cleaning means 73 in the cleaning area 14 . After that, the wafer W is accommodated in the cassette 70 using the robot 71 .

研削装置1によるウェーハWの研削加工においては、保持面20aにウェーハWが載置されていない状態で保持面20aにパッド50の下面50bを押し下げていった際にドグ54に光軸Lが遮られるときのアーム51の高さ位置を、ウェーハWをパッド50に吸引保持するときのアーム51の高さ位置としている。そのため、ウェーハWを搬出する際に、保持面20aにウェーハWが載置されている状態で該予め設定された高さ位置までアーム51を下降させると、ウェーハWの上面Waにパッド50の下面50bを確実に接触させることができる。
従って、例えば保持面20aのセルフグラインド等がなされて、保持面20aの高さ位置が所定の位置よりも低い位置であったとしても、パッド50の吸引面500bにウェーハWの上面Waを吸引保持できる。
In the grinding process of the wafer W by the grinding apparatus 1, when the lower surface 50b of the pad 50 is pushed down onto the holding surface 20a in a state where the wafer W is not placed on the holding surface 20a, the dog 54 blocks the optical axis L. The height position of the arm 51 when the wafer W is held on the pad 50 is defined as the height position of the arm 51 when the wafer W is held by suction on the pad 50 . Therefore, when the wafer W is unloaded, when the arm 51 is lowered to the preset height position while the wafer W is placed on the holding surface 20a, the upper surface Wa of the wafer W and the lower surface of the pad 50 are brought into contact with each other. 50b can be reliably brought into contact.
Therefore, for example, even if the holding surface 20a is self-grinded and the height position of the holding surface 20a is lower than the predetermined position, the suction surface 500b of the pad 50 sucks and holds the upper surface Wa of the wafer W. can.

また、搬出手段5によれば、研削加工後のウェーハWの上面Waの高さを測定するとともに、測定されたウェーハWの上面Waの高さから、保持面高さ記憶部80に記憶されている保持面20aの高さを差し引いてウェーハWの厚みとして算出することができる。
これにより、例えば厚み測定手段100の保持面ハイトゲージ101や上面ハイトゲージ102等が故障した際に、予め設定した厚みとは異なる厚みにウェーハが研削されたことを知ることができる。
Further, according to the carry-out means 5, the height of the upper surface Wa of the wafer W after grinding is measured, and the measured height of the upper surface Wa of the wafer W is stored in the holding surface height storage unit 80. The thickness of the wafer W can be calculated by subtracting the height of the holding surface 20a.
As a result, when, for example, the holding surface height gauge 101 or the upper surface height gauge 102 of the thickness measuring means 100 fails, it can be known that the wafer has been ground to a thickness different from the preset thickness.

さらには、上下手段6を用いて高さ設定部9に設定された高さ位置までアーム51を下降させる際に、アーム51の最上位位置から、例えばパッド50の下面50bがウェーハWの上面Waから僅かに上に位置付けられるときのアーム51の高さ位置まで、アーム51を高速で-Z方向に移動させるため、この間のアーム51の上下移動に要する時間を短縮することができ、ウェーハWの研削加工にかかる時間的コストを削減できる。
そして、パッド50の吸引面500bがウェーハWの上面Waから僅かに上に位置付けられるときのアーム51の高さ位置から、高さ設定部9に設定された高さ位置まで、アーム51を比較的低速で-Z方向に移動させるため、ウェーハWがパッド50の下面50bに接触する際、及びウェーハWがパッド50の下面50bに接触してからパッド50の下面50bと保持面20aとに挟まれて上下方向から押圧される際に、ウェーハWが破損するのを防止できる。
Furthermore, when the arm 51 is lowered to the height position set in the height setting unit 9 using the up-and-down means 6, for example, the lower surface 50b of the pad 50 is moved from the uppermost position of the arm 51 to the upper surface Wa of the wafer W. Since the arm 51 is moved at high speed in the -Z direction to the height position of the arm 51 when positioned slightly above from the Time cost for grinding can be reduced.
Then, the arm 51 is relatively moved from the height position of the arm 51 when the suction surface 500b of the pad 50 is positioned slightly above the upper surface Wa of the wafer W to the height position set in the height setting unit 9. Since the wafer W is moved in the -Z direction at a low speed, it is sandwiched between the lower surface 50b of the pad 50 and the holding surface 20a when the wafer W contacts the lower surface 50b of the pad 50 and after the wafer W contacts the lower surface 50b of the pad 50. It is possible to prevent the wafer W from being damaged when it is pressed from above and below.

なお、本実施形態では、接近検知部として投受光センサ53とドグ54とで構成されるものを挙げたが、接近検知部は、この構成には限られない。 In the present embodiment, the approach detection unit is composed of the light emitting/receiving sensor 53 and the dog 54, but the approach detection unit is not limited to this configuration.

1:研削装置 10:ベース 11:コラム
100:厚み算出手段 101:保持面ハイトゲージ 102:上面ハイトゲージ
12:カセット載置部 13:仮置き領域 14:洗浄領域
2:チャックテーブル 20:吸引部 20a:保持面 21:枠体 21:枠体上面
25:回転軸 27:カバー 28:蛇腹
3:研削手段 30:スピンドル 31:ハウジング 32:スピンドルモータ
33:マウント 34:研削ホイール 340:砥石 340a:研削面
341:ホイール基台 35:回転軸
4:研削送り手段 40:ボールネジ 41:ガイドレール 42:Z軸モータ
43:昇降板 44:ホルダ 45:回転軸
5:搬出手段 50:パッド 50b:パッドの下面
500:吸引部 500b:吸引面 501:枠体 501a:枠体の上面
501b:枠体の下面 51:アーム 51a:アームの一端 51b:アームの他端
510:軸部 52:環状部材 52a:環状部材の上面 52b:環状部材の下面
520:貫通孔 521:開口
53:投受光センサ 530:投光部 531:受光部
54:ドグ 54a:ドグの上端 55:回転軸
56:吊持部 560:軸部 561:ツバ部 562:バネ 562a:バネの上端
562b:バネの下端 57:配管 a:分岐点
58:エア供給源 580:エアバルブ 581:エア流路
59:吸引源 590:吸引バルブ 591:吸引路
6:上下手段 60:ボールネジ 61:ガイドレール 62:モータ
63:高さ認識部 65:回転軸 66:ナット
70:カセット 71:ロボット 710:ロボットハンド 711:軸部
72:位置合わせ手段 73:スピンナ洗浄手段 730:スピンナテーブル
731:洗浄水供給ノズル 74:搬入手段 740:搬入パッド
741:搬入アーム 742:軸部 745:回転軸
8:判断手段 80:保持面高さ記憶部 81:厚み算出部 82:判断部
9:高さ設定部
W:ウェーハ Wa:ウェーハの上面 A:搬入出領域 B:加工領域 L:光軸
1: Grinding Device 10: Base 11: Column 100: Thickness Calculating Means 101: Holding Surface Height Gauge 102: Upper Surface Height Gauge 12: Cassette Mounting Section 13: Temporary Placement Area 14: Washing Area 2: Chuck Table 20: Suction Unit 20a: Holding Surface 21: Frame 21: Upper surface of frame 25: Rotating shaft 27: Cover 28: Bellows 3: Grinding means 30: Spindle 31: Housing 32: Spindle motor 33: Mount 34: Grinding wheel 340: Grindstone 340a: Grinding surface 341: Wheel base 35: Rotating shaft 4: Grinding feeding means 40: Ball screw 41: Guide rail 42: Z-axis motor 43: Elevating plate 44: Holder 45: Rotating shaft 5: Carrying out means 50: Pad 50b: Lower surface of pad 500: Suction Part 500b: Suction surface 501: Frame 501a: Upper surface of frame 501b: Lower surface of frame 51: Arm 51a: One end of arm 51b: Other end of arm 510: Axle 52: Annular member 52a: Upper surface of annular member 52b : Lower surface of annular member 520: Through hole 521: Opening 53: Light emitting/receiving sensor 530: Light emitting part 531: Light receiving part 54: Dog 54a: Upper end of dog 55: Rotating shaft 56: Hanging part 560: Shaft part 561: Collar Part 562: Spring 562a: Upper end of spring 562b: Lower end of spring 57: Piping a: Branch point 58: Air supply source 580: Air valve 581: Air flow path 59: Suction source 590: Suction valve 591: Suction passage 6: Vertical means 60: Ball screw 61: Guide rail 62: Motor 63: Height recognition part 65: Rotating shaft 66: Nut 70: Cassette 71: Robot 710: Robot hand 711: Shaft part 72: Positioning means 73: Spinner cleaning means 730: Spinner Table 731: Cleaning water supply nozzle 74: Carrying-in means 740: Carrying-in pad 741: Carrying-in arm 742: Axle 745: Rotating shaft 8: Judging means 80: Holding surface height storage unit 81: Thickness calculator 82: Judging unit 9: Height setting part W: Wafer Wa: Upper surface of wafer A: Loading/unloading area B: Processing area L: Optical axis

Claims (3)

保持面にウェーハを保持するチャックテーブルと、砥石を用いて該保持面に保持されたウェーハを研削する研削手段と、該チャックテーブルに保持されているウェーハの上面を吸引保持して該保持面からウェーハを搬出させる搬出手段と、を備える研削装置であって、
該搬出手段は、該ウェーハの上面を吸引保持する吸引面を下面に有するパッドと、該パッドを上下自在に吊持するアームと、該アームを該吸引面に垂直な上下方向に移動させる上下手段と、該アームと該パッドとが該上下方向に近づいたことを検知する接近検知部と、を備え、
該上下手段は、該アームの高さを認識する高さ認識部を備え、
該上下手段を用いて該アームを下降させることによって該パッドの下面が該保持面に接触してからさらに該アームを下降させ、該アームと該パッドとが該上下方向に所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときの該アームの高さを該チャックテーブルに保持されたウェーハを吸引保持するときの該アームの高さとして設定する高さ設定部を備える研削装置。
a chuck table for holding a wafer on a holding surface; a grinding means for grinding the wafer held on the holding surface using a grindstone; A grinding apparatus comprising a carrying-out means for carrying out a wafer,
The unloading means includes a pad having a suction surface on the bottom surface for sucking and holding the top surface of the wafer, an arm for vertically suspending the pad, and vertical means for moving the arm in a vertical direction perpendicular to the suction surface. and an approach detection unit that detects that the arm and the pad approach in the vertical direction,
The up-and-down means includes a height recognition unit that recognizes the height of the arm,
By lowering the arm using the vertical means, the lower surface of the pad comes into contact with the holding surface, and then the arm is further lowered so that the arm and the pad approach each other in the vertical direction by a predetermined distance. A grinding apparatus comprising a height setting unit for setting the height of the arm when the proximity detection unit detects the height of the arm when the wafer held on the chuck table is sucked and held.
該砥石を用いて研削されたウェーハが予め設定された厚みか否かを判断する判断手段を備え、
該判断手段は、
該上下手段を用いてアームを下降させて該吸引面を該保持面に接触させ、さらに該アームを下降させて該アームと該パッドとが該上下方向に所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときに該高さ認識部によって認識された該アームの高さを記憶する保持面高さ記憶部と、
該上下手段を用いて該アームを下降させて該吸引面を該保持面に保持されたウェーハの上面に接触させ、さらに該アームを下降させて該アームと該パッドとが該上下方向に所定距離近づいたことを該接近検知部が検知したときに該高さ認識部によって認識された該アームの高さをウェーハの上面高さとして、該ウェーハ上面高さから該保持面高さ記憶部に記憶されている該保持面高さを差し引き、ウェーハの厚みとして算出する厚み算出部と、
該厚み算出部によって算出された厚みが、予め設定された厚み許容範囲に入っているか否かを判断する判断部と、を備える請求項1記載の研削装置。
Determining means for determining whether the wafer ground using the grindstone has a preset thickness,
The determination means is
The arm is lowered using the vertical means to bring the suction surface into contact with the holding surface, and the arm is further lowered to detect that the arm and the pad have approached each other in the vertical direction by a predetermined distance. a holding surface height storage unit that stores the height of the arm recognized by the height recognition unit when the is detected;
The arm is lowered using the vertical means to bring the suction surface into contact with the upper surface of the wafer held by the holding surface, and the arm is further lowered so that the arm and the pad are separated in the vertical direction by a predetermined distance. The height of the arm recognized by the height recognition unit when the approach detection unit detects the approach is set as the top surface height of the wafer, and stored in the holding surface height storage unit from the wafer top surface height. a thickness calculation unit that calculates the thickness of the wafer by subtracting the holding surface height that has been set,
2. The grinding apparatus according to claim 1, further comprising a judgment section for judging whether the thickness calculated by said thickness calculation section is within a preset thickness tolerance range.
該上下手段は、該アームを、最上位位置から該高さ設定部に設定された高さ位置より所定距離上の高さ位置まで高速で下降させ、該高さ設定部に設定された高さ位置より所定距離上の高さ位置から該高さ設定部に設定された高さ位置まで低速で下降させる
請求項1又は2記載の研削装置。
The raising/lowering means lowers the arm from the uppermost position at high speed to a height position higher than the height position set in the height setting section by a predetermined distance. It is lowered at a low speed from a height position above the position by a predetermined distance to the height position set in the height setting section.
3. The grinding apparatus according to claim 1 or 2.
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