JP2024017100A - Washing device - Google Patents
Washing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024017100A JP2024017100A JP2022119517A JP2022119517A JP2024017100A JP 2024017100 A JP2024017100 A JP 2024017100A JP 2022119517 A JP2022119517 A JP 2022119517A JP 2022119517 A JP2022119517 A JP 2022119517A JP 2024017100 A JP2024017100 A JP 2024017100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- workpiece
- cleaning brush
- suction
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005406 washing Methods 0.000 title abstract description 16
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 122
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、湾曲したワークの下面を洗浄するための洗浄装置に関する。 The present invention relates to a cleaning device for cleaning the lower surface of a curved workpiece.
例えば、ウェーハなどのワークを加工する加工装置においては、ワークがその上面を吸引パッドによって吸引保持されて所定の位置へと搬送されるが、このワークの下面は、洗浄装置によって洗浄されている。このような洗浄装置としては、ワークを吸引保持する吸引パッドとワークの下面に接触する洗浄ブラシとを水平方向に相対的に移動させることによってワークの下面を洗浄するものが知られている(例えば、特許文献1,2参照)。
For example, in a processing device that processes a workpiece such as a wafer, the upper surface of the workpiece is suction-held by a suction pad and transported to a predetermined position, while the lower surface of the workpiece is cleaned by a cleaning device. As such a cleaning device, one is known that cleans the lower surface of the workpiece by horizontally moving a suction pad that sucks and holds the workpiece and a cleaning brush that contacts the lower surface of the workpiece (for example, , see
ところで、ワークがウェーハである場合、ワークを研削する前に該ワークの一方の面に樹脂層を形成することがあり、このような樹脂層が形成されたウェーハは、その外周部分が強い力によって反り上がって湾曲しているため、その全面を吸引パッドによって吸引保持することができない。このため、ウェーハの平坦な中央部分のみを吸引パッドで吸引保持するようにしている。 By the way, when the workpiece is a wafer, a resin layer may be formed on one side of the workpiece before the workpiece is ground.The wafer on which such a resin layer is formed has its outer periphery damaged by strong force. Since it is warped and curved, the entire surface cannot be suctioned and held by a suction pad. For this reason, only the flat central portion of the wafer is suctioned and held by the suction pad.
ところが、中央部分のみが吸引パッドによって吸引保持された湾曲したウェーハにあっては、その下面全面に洗浄ブラシを接触させて該ウェーハの下面全面を洗浄することができない。このため、湾曲したウェーハの洗浄ブラシが接触し得ない下面外周部分にエアと水との2流体を噴射して該下面外周部分を洗浄しているが、この洗浄には多くの時間を要するために効率が悪いという問題がある。 However, in the case of a curved wafer whose central portion is suctioned and held by a suction pad, it is not possible to clean the entire lower surface of the wafer by bringing the cleaning brush into contact with the entire lower surface of the wafer. For this reason, two fluids, air and water, are injected onto the outer periphery of the lower surface of the curved wafer, where the cleaning brush cannot come into contact with, to clean the outer periphery of the lower surface, but this cleaning takes a lot of time. The problem is that it is inefficient.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、湾曲したワークの下面全面を短時間で効率よく洗浄することができる洗浄装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a cleaning device that can efficiently clean the entire lower surface of a curved workpiece in a short time.
上記目的を達成する本発明は、湾曲したワークの下面に洗浄ブラシを接触させて該ワークを洗浄する洗浄装置であって、ワークの上面中央部分を吸引面で吸引保持する吸引パッドと、該吸引面が吸引保持したワークの下面に接触する洗浄ブラシと、該吸引パッドと該洗浄ブラシとを該保持面に平行な方向に相対的に水平移動させる水平移動機構と、該吸引パッドと該洗浄ブラシとを該吸引面に垂直な方向に相対的に昇降させる昇降機構と、制御部と、を備え、該制御部は、該吸引パッドと該洗浄ブラシとを相対的に水平移動させ、該洗浄ブラシに対する該ワークの水平方向位置に対して予め設定された該ワークの下面高さ情報に基づいて、該吸引パッドと該洗浄ブラシとを相対的に昇降させることによって、湾曲したワークの下面に該洗浄ブラシを接触させ続けて該ワークの下面を洗浄することを特徴とする。 The present invention, which achieves the above object, is a cleaning device that cleans a curved workpiece by bringing a cleaning brush into contact with the lower surface of the workpiece, which comprises: a suction pad that suctions and holds a central portion of the upper surface of the workpiece with a suction surface; a cleaning brush whose surface contacts the lower surface of the workpiece held by suction; a horizontal movement mechanism that relatively horizontally moves the suction pad and the cleaning brush in a direction parallel to the holding surface; and the suction pad and the cleaning brush. a lifting mechanism for relatively raising and lowering the suction pad and the cleaning brush in a direction perpendicular to the suction surface; By relatively raising and lowering the suction pad and the cleaning brush based on the lower surface height information of the workpiece set in advance with respect to the horizontal position of the workpiece, the lower surface of the curved workpiece is cleaned. The method is characterized in that the lower surface of the workpiece is cleaned by keeping the brush in contact with the workpiece.
本発明によれば、予め設定されたワークの下面高さ情報に基づいて、吸引パッド(ワーク)と洗浄ブラシとを相対的に昇降させながら両者を相対的に水平移動させるようにしたため、湾曲したワークの下面全面に洗浄ブラシを接触させ続けて該ワークの下面を洗浄することができ、湾曲したワークの下面全面を短時間で効率よく洗浄することができるという効果が得られる。 According to the present invention, the suction pad (workpiece) and the cleaning brush are moved relatively horizontally while being relatively raised and lowered based on preset lower surface height information of the workpiece. The lower surface of the workpiece can be cleaned by keeping the cleaning brush in contact with the entire lower surface of the workpiece, and the entire lower surface of the curved workpiece can be efficiently cleaned in a short time.
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below based on the accompanying drawings.
<第1実施形態>
先ず、本発明の第1実施形態に係る洗浄装置を備える研削装置の構成を図1に基づいて以下に説明する。なお、以下においては、図1に示す矢印方向をそれぞれX軸方向(左右方向)、Y軸方向(前後方向)、Z軸方向(上下方向)として説明する。
<First embodiment>
First, the configuration of a grinding device including a cleaning device according to a first embodiment of the present invention will be described below based on FIG. In the following, the arrow directions shown in FIG. 1 will be described as the X-axis direction (left-right direction), the Y-axis direction (front-back direction), and the Z-axis direction (up-down direction), respectively.
[研削装置の構成]
図1に示す研削装置1は、ワーク(被加工物)である円板状のウェーハWの裏面(図1においては、上面)を研削するものであって、次の構成要素を備えている。
[Configuration of grinding device]
The
すなわち、研削装置1は、ウェーハWを吸引保持するチャックテーブル10と、該チャックテーブル10の保持面10aに保持されたウェーハWの裏面(図1においては、上面)を研削する研削ユニット20と、ウェーハWを洗浄するスピンナ洗浄手段30と、カセット2に対してウェーハWを搬出入するロボット40と、位置合わせテーブル4で位置合わせされたウェーハWを吸引保持してチャックテーブル10へと搬送する第1搬送手段50と、研削されたウェーハWを吸引保持してチャックテーブル10からスピンナ洗浄手段30へと搬送する第2搬送手段60と、第2搬送手段60によって吸引保持されたウェーハWの下面を洗浄する洗浄装置70を主要な構成要素として備えている。
That is, the
ここで、ウェーハWは、単結晶のシリコン母材で構成されており、一方の面(図1に示す状態において下面)には、樹脂層Fが形成されている。なお、樹脂層Fは、シリコン母材の上面に配置したデバイスチップを封止していて、研削砥石で、研削された樹脂層Fの被研削面には、デバイスチップの電極が露出している。 Here, the wafer W is made of a single crystal silicon base material, and a resin layer F is formed on one surface (the lower surface in the state shown in FIG. 1). Note that the resin layer F seals the device chip placed on the top surface of the silicon base material, and the electrodes of the device chip are exposed on the ground surface of the resin layer F that is ground with a grinding wheel. .
次に、研削装置1の主要な構成要素であるチャックテーブル10、研削ユニット20、スピンナ洗浄手段30、ロボット40、第1搬送ユニット50と第2搬送ユニット60及び本発明に係る洗浄装置70の構成についてそれぞれ説明する。
Next, the configuration of the chuck table 10, the
(チャックテーブル)
チャックテーブル10は、円板状の部材であって、その中央部には、多孔質のセラミックなどで構成された円板状のポーラス部材10Aが組み込まれている。ここで、ポーラス部材10Aは、その上面が円板状のウェーハWを吸引保持する保持面10aを構成しており、保持面10aは、不図示の吸引源に選択的に接続される。
(Chuck table)
The chuck table 10 is a disc-shaped member, and a disc-shaped porous member 10A made of porous ceramic or the like is incorporated in the center thereof. Here, the upper surface of the porous member 10A constitutes a
そして、チャックテーブル10は、その下方に設けられた駆動源である電動モータを含む不図示の回転機構によって軸中心回りに所定の速度で回転駆動されるが、その下方に設けられた不図示の水平移動機構によって加工位置P1と受け渡し位置P2との間をY軸方向(前後方向)に往復移動することができる。なお、不図示の水平移動機構は、公知のボールネジ機構などによって構成されている。 The chuck table 10 is rotated around the axis at a predetermined speed by a rotation mechanism (not shown) including an electric motor as a drive source provided below the chuck table 10. The horizontal movement mechanism allows reciprocating movement in the Y-axis direction (back and forth direction) between the processing position P1 and the delivery position P2. Note that the horizontal movement mechanism (not shown) is constituted by a known ball screw mechanism or the like.
そして、基台1A上の加工位置P1に位置するチャックテーブル10の近傍には、厚み測定器5が配置されている。この厚み測定器5は、ハイトゲージであって、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの上面に接触する第1の接触子5aと、チャックテーブル10の外周部上面に接触する第2の接触子5bを備えている。したがって、第1の接触子5aによって測定されるウェーハWの上面高さから第2の接触子5bによって測定されるチャックテーブル10の上面高さを差し引くことによって、研削加工中のウェーハWの厚みを測定することができる。
A
(研削ユニット)
研削ユニット20は、図1に示すように、上方が開口するホルダ21と、該ホルダ21に縦置き状態で固定された回転駆動源であるスピンドルモータ22と、該スピンドルモータ22によって回転駆動されるスピンドル23と、該スピンドル23の下端に取り付けられた円板状のマウント24と、該マウント24の下面に着脱可能に装着された研削ホイール25とを備えている。ここで、研削ホイール25には、加工具である矩形ブロック状の複数の砥石25aが円環状に取り付けられている。
(Grinding unit)
As shown in FIG. 1, the
ところで、研削ユニット20は、垂直移動機構11によってチャックテーブル10の保持面10aに対して垂直な方向(Z軸方向)に沿って昇降動することができ、この垂直移動機構11は、図1に示すように、基台1Aの上面の+Y軸方向端部(後端部)上に垂直に立設された矩形ボックス状のコラム12の-Y軸方向端面(前面)に配置されている。この垂直移動機構11は、ホルダ21の背面に取り付けられた矩形プレート状の昇降板13を、ホルダ21及び該ホルダ21に保持されたスピンドルモータ22や研削ホイール25などと共に左右一対のガイドレール14に沿ってZ軸方向に昇降動させるものである。ここで、左右一対のガイドレール14は、コラム12の前面に垂直且つ互いに平行に配設されている。
By the way, the
また、左右一対のガイドレール14の間には、回転可能なボールネジ軸15がZ軸方向(上下方向)に沿って垂直に立設されており、該ボールネジ軸15の上端は、駆動源である正逆転可能な電動モータ16に連結されている。ここで、電動モータ16は、コラム12の上面に取り付けられた矩形プレート状のブラケット17を介して縦置き状態で取り付けられている。また、ボールネジ軸15の下端は、コラム12に回転可能に支持されており、このボールネジ軸15には、昇降板13の背面に後方(+Y軸方向)に向かって水平に突設された不図示のナット部材が螺合している。
Further, between the pair of left and
したがって、電動モータ16を駆動してボールネジ軸15を正逆転させれば、このボールネジ軸15に螺合する不図示のナット部材が取り付けられた昇降板13が研削ユニット20と共にZ軸方向に沿って上下動する。
Therefore, when the
(スピンナ洗浄手段)
スピンナ洗浄手段30は、裏面(図1においては、上面)の研削が終了したウェーハWの裏面を洗浄するものであって、研削加工後のウェーハWを保持して回転するスピンナテーブル31と、ウェーハWの裏面に向けて洗浄水を噴射する洗浄水ノズル32と、これらのスピンナテーブル31と洗浄水ノズル32を覆う昇降動可能な多角筒状のカバー33を備えている。なお、洗浄水には、純水が好適に使用される。
(Spinner cleaning means)
The spinner cleaning means 30 is for cleaning the back surface of the wafer W whose back surface (in FIG. 1, the top surface) has been ground, and includes a spinner table 31 that holds and rotates the wafer W after the grinding process, and a wafer It includes a
(ロボット)
ロボット40は、多関節ロボットであって、矩形ボックス状の装着部41の先端には、ホルダ42を介してプレート状のロボットハンド43が装着されている。そして、ロボット40には、装着部41とロボットハンド43を水平方向に移動させる水平移動機構44と、装着部41とロボットハンド43を昇降させる昇降機構45が設けられている。
(robot)
The
(第1及び第2搬送手段)
第1搬送手段50と第2搬送手段60の基本構成は同じであり、第1搬送手段50は、垂直な回転軸51の上端に水平に取り付けられたアーム52の先端に円板状の搬送パッド53を水平に支持して構成されており、同様に第2搬送手段60も、垂直な回転軸61の上端に水平に取り付けられたアーム62の先端に円板状の搬送パッド63を水平に支持して構成されている。なお、これらの第1搬送手段50と第2搬送手段60の各回転軸51,61が不図示の回転機構によって所定角度だけ回転することによって、各アーム52,62の先端に取り付けられた各搬送パッド53,63が各回転軸51,61を中心として円弧を描きながら水平方向に移動する。
(First and second conveyance means)
The basic configuration of the first conveyance means 50 and the second conveyance means 60 is the same, and the first conveyance means 50 has a disk-shaped conveyance pad at the tip of an
(洗浄装置)
本発明に係る洗浄装置70の構成を図2に基づいて説明すると、この洗浄装置70は、ウェーハWの上面中央部分を吸引面64aで吸引保持する第2搬送手段60の吸引パッド64と、該吸引パッド64が吸引保持したウェーハWの下面に接触する洗浄ブラシ71と、吸引パッド64と洗浄ブラシ71とを相対的に水平移動させる水平移動機構80と、吸引パッド64と洗浄ブラシ71とを垂直な方向に相対的に昇降させる昇降機構90と、ウェーハWの下面の高さを測定する高さ測定器72と、制御部100を備えている。
(Cleaning equipment)
The configuration of the
上記吸引パッド64は、円板状のプレート65の下面中央部に固定されており、その外径は、ウェーハWの外径よりも小さく設定されており、図2に示すように、ウェーハWの上面中央部を吸引保持する。ここで、下面に樹脂層Fが形成されたウェーハWは、その上面中央部が吸引パッド64によって吸引保持された状態では、図2に示すように、その外周部が垂れ下がるように上に凸の円弧曲面状に湾曲している。
The
吸引パッド64が下面中央部に固着されたプレート65は、3本のピン(図2には2本のみ図示)66によって水平に支持されており、このプレート66は、支柱67を介してアーム62の先端に支持されている。
A
ここで、吸引パッド64の下部中央部には、多孔質のセラミックなどで構成された円板状のポーラス部材64Aが組み込まれており、このポーラス部材10Aの下面が吸引面64aを構成している。そして、ポーラス部材64Aには、アーム62、支柱67、搬送パッド63とプレート65との間に介設された支柱68、プレート65及び吸引パッド63に縦方向に形成された吸引路6が開口している。
Here, a disc-shaped
そして、吸引路6には、配管7が接続されており、配管7から分岐する分岐管7a,7bは、エアコンプレッサなどのエア供給源8、真空ポンプなどの吸引源9がそれぞれ接続されており、分岐管7a,7bの中間には、電磁開閉弁V1,V2がそれぞれ取り付けられている。なお、電磁開閉弁V1,V2は、制御部100に電気的に接続されており、その開閉動作が制御部100によって制御される。
A
洗浄ブラシ71は、吸引パッド64の吸引面64aに平行に延在する回転可能なロールスポンジで構成されており、図1に示すように、吸引パッド64の円弧状の移動軌跡に直交するよう基台1Aに斜めに配置されている。この洗浄ブラシ71は、電動モータ73によって回転駆動されるが、電動モータ73は、制御部100に電気的に接続されてその動作が制御部100によって制御される。
The cleaning
水平移動機構80は、吸引パッド64を図1に示す回転軸61を中心として水平に旋回させる機構であるが、説明の便宜上、図2に示すように、吸引パッド64を水平なガイドレール81に沿って水平移動させるものとする。ここで、ガイドレール81には、該ガイドレール81に沿って水平移動するスライダ82が嵌合しており、このスライダ82には、昇降機構90を構成する縦方向のガイドレール91が取り付けられている。
The
また、昇降機構90は、前記ガイドレール91に昇降可能に嵌合するスライダ92を備えており、スライダ92は、第2搬送手段60のアーム62に連結されている。
Further, the elevating
したがって、吸引パッド64とこれに吸引保持されたウェーハWは、水平移動機構80によって洗浄ブラシ71に対して水平方向に移動可能であるとともに、昇降機構90によって洗浄ブラシ71に対して上下方向(Z軸方向)に昇降可能である。なお、水平移動機構80と昇降機構90は、制御部100に電気的に接続されており、その動作が制御部100によって制御される。
Therefore, the
前記高さ測定器72は、基台1A(図1参照)上の洗浄ブラシ71の近傍(具体的には、吸引パッド64とウェーハWの水平移動方向(図2の矢印方向)上流側(図2において洗浄ブラシ71の右側)に設置されている。本実施の形態では、高さ測定器72として、光学的に高さを測定するものが使用されており、この光学式の高さ測定器72は、ウェーハWの下面に向けて光を投光する不図示の投光器と、ウェーハWの下面で反射した光を受光する不図示の受光器を備えている。ここで、この高さ測定器72は、制御部100に電気的に接続されており、測定によって得られる高さ信号を制御部100に送信する。なお、本実施の形態では、高さ測定器72として光学式のものを用いたが、超音波式のものを用いてもよい。
The
制御部100は、制御プログラムにしたがって演算処理を行うCPU(Central Processing Unit)と、ROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などのメモリなどを備えている。この制御部80は、高さ測定器72によって測定されたウェーハWの下面の高さ情報に基づいて昇降機構90を制御して吸引パッド64とこれに保持されたウェーハWを洗浄ブラシ71に対して昇降させる機能を果たす。
The
[研削装置の作用]
次に、以上のように構成された研削装置1の作用を図1に基づいて説明する。
[Action of grinding device]
Next, the operation of the grinding
ウェーハWを研削加工する際には、ロボット40によって研削加工前のウェーハWがカセット2から取り出される。そして、カセット2から取り出されたウェーハWは、位置合わせテーブル4において位置合わせされた後、第1搬送手段50によって吸引保持されて受け渡し位置P2において待機するチャックテーブル10へと搬送される。
When grinding the wafer W, the
チャックテーブル10においては、ウェーハWがチャックテーブル10の保持面10a上にその表面を下にして載置される。すると、不図示の吸引源によってポーラス部材10Aが真空引きされるため、該ポーラス部材10Aに負圧が発生し、ポーラス部材10Aの保持面10a上に載置されているウェーハWが負圧によって保持面10a上に吸引保持される。
On the chuck table 10, the wafer W is placed on the holding
上記状態から不図示の水平移動機構を駆動してチャックテーブル10を+Y軸方向に加工位置P1へと移動させ、該チャックテーブル10に吸引保持されているウェーハWを研削ユニット20の研削ホイール25の下方に位置決めする。そして、不図示の回転機構を駆動してチャックテーブル10を所定の速度で回転させる。これと同時に、スピンドルモータ22を起動して研削ホイール25を所定の速度で回転させておく。
From the above state, a horizontal movement mechanism (not shown) is driven to move the chuck table 10 in the +Y-axis direction to the processing position P1, and the wafer W, which is suctioned and held by the chuck table 10, is moved to the
上述のように、ウェーハWと研削ホイール25が回転している状態で、垂直移動機構11を駆動して研削ホイール25を-Z軸方向に下降させる。すなわち、電動モータ16が駆動されてボールネジ軸15が回転すると、このボールネジ軸15に螺合する不図示のナット部材が設けられた昇降板13がホルダ21や研削ホイール25などと共に-Z軸方向に下降する。すると、研削ホイール25の砥石25aの下面(加工面)がウェーハWの上面(裏面)に接触する。このように、砥石25aの下面がウェーハWの上面に接触している状態から、研削ホイール25をさらに-Z軸方向に所定量(研削代)だけ下降させると、ウェーハWの上面が砥石25aによって所定量だけ研削される。なお、研削加工中のウェーハWの厚みは、厚み測定器5によって測定される。
As described above, while the wafer W and the
上述のウェーハWに対する研削加工が終了すると、チャックテーブル10のポーラス部材10Aの真空引きが停止されてウェーハWの吸引保持が解除される。すると、第2搬送手段60によって研削加工後のウェーハWがスピンナ洗浄手段30へと搬送されるが、その搬送過程でウェーハWの下面が洗浄装置70によって洗浄される。
When the above-described grinding process on the wafer W is completed, the evacuation of the porous member 10A of the chuck table 10 is stopped, and the suction holding of the wafer W is released. Then, the wafer W after the grinding process is transported by the second transport means 60 to the spinner cleaning means 30, and during the transport process, the lower surface of the wafer W is cleaned by the
すなわち、図2に示すように、水平移動機構80によって吸引パッド64とこれに保持された湾曲したウェーハWが洗浄ブラシ71に対して図示矢印方向(左方)に水平移動すると、高さ測定器72は、ウェーハWの外周端から径方向に沿って該ウェーハWの下面に高さを光学的に測定し、その測定結果を制御部100に送信する。すると、制御部100は、メモリに高さ測定結果を測定データとして順次記憶する。
That is, as shown in FIG. 2, when the
そして、図2(a)に示すように、水平移動機構80によってウェーハWが図示や図示矢印方向に洗浄ブラシ71に対して相対的に水平移動し、ウェーハWの外周端(始端)が洗浄ブラシ71に接触すると、制御部100は、該ウェーハWの外周端における下面高さをメモリから読み出し、洗浄ブラシ71がウェーハWの下面に接触するように昇降機構90によってウェーハWの高さを制御する。
Then, as shown in FIG. 2(a), the wafer W is horizontally moved relative to the cleaning
同様に、図2(b)に示すように、ウェーハWがその中間部に洗浄ブラシ71が接触する位置まで水平移動した状態では、その位置における該ウェーハWの下面高さが制御部100のメモリから読み出され、制御部100は、洗浄ブラシ71がウェーハWの下面に接触するように昇降機構90によってウェーハWの高さを制御する。
Similarly, as shown in FIG. 2B, when the wafer W has moved horizontally to a position where the cleaning
そして、図2(c)に示すように、ウェーハWの外周端(終端)に洗浄ブラシ71が接触する位置まで該ウェーハWが水平移動した状態では、その位置における該ウェーハWの下面高さが制御部100のメモリから読み出され、制御部100は、洗浄ブラシ71がウェーハWの下面に接触するように昇降機構90によってウェーハWの高さを制御する。
As shown in FIG. 2(c), when the wafer W is horizontally moved to a position where the cleaning
以上のように、本実施の形態では、ウェーハWを水平移動機構80によって水平移動させつつ、高さ測定器72によってウェーハWの下面の高さを測定しながら昇降機構90を制御し、洗浄ブラシ71がウェーハWの下面に接触し続けるようにしたため、湾曲したウェーハWの下面全面を洗浄ブラシ71によって短時間で効率よく洗浄することができる。
As described above, in this embodiment, while the wafer W is horizontally moved by the
以上は上に凸に湾曲したウェーハWの洗浄装置70による洗浄について説明したが、下に凸に湾曲したウェーハWに対しても図3(a)~(c)に示す過程を経て洗浄することができる。
The above description has been about cleaning a wafer W that is curved upward in a convex manner using the
なお、以上の実施の形態では、高さ測定器72が洗浄ブラシ71から水平方向に離れた位置に配置されているため、該高さ測定器によって測定されたウェーハWの下面の高さを制御部100のメモリに記憶させるようにしたが、洗浄ブラシ71のウェーハWへの接触点におけるウェーハWの下面に高さを高さ測定器72によって測定するようにすれば、測定結果を制御部100のメモリに一旦記憶させておく必要がなく、ウェーハWの下面の洗浄ブラシ71との接触点における高さを高さ測定器72によって測定すると同時に、ウェーハWの下面を洗浄ブラシ71によってリアルタイムに洗浄することができる。
In addition, in the above embodiment, since the
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る洗浄装置を図4及び図5に基づいて説明する。なお、図4においては、図2及び図3において示したものと同一要素には同一符号を付しており、以下、それらについての再度の説明は省略する。
<Second embodiment>
Next, a cleaning device according to a second embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 4 and 5. Note that in FIG. 4, the same elements as those shown in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and a redundant explanation of them will be omitted below.
本実施に形態に係る洗浄装置70’は、吸引パッド64とウェーハWを垂直な軸中心回りに回転させ、洗浄ブラシ71’を固定する構成を採用したものであって、他の構成は、前記実施の形態1に係る洗浄装置70のそれと同じである。
The cleaning device 70' according to the present embodiment has a configuration in which the
すなわち、本実施の形態に係る洗浄装置70’においては、アーム62に回転駆動源である電動モータ74と、該電動モータ74の回転数や回転方向を検出するエンコーダ75、回転側と固定側とを連結するロータリジョイント76が設置されている。そして、電動モータ74からは回転軸77がアーム62を貫通して垂直下方に延びており、この回転軸77の下端に搬送パッド63が取り付けられている。
That is, in the cleaning device 70' according to the present embodiment, the
また、ロータリジョイント76と回転軸77、搬送パッド63、支柱68及びプレート65を貫通する吸引路6は、吸引パッド64のポーラス部材64Aに開口している。
Further, the
本実施の形態に係る洗浄装置1’においては、洗浄ブラシ71’は、図5に示すように、円柱状のスポンジによって構成されており、この洗浄ブラシ71’は、回転することなく固定されている。そして、この洗浄ブラシ71’の近傍(具体的には、ウェーハWの水平移動方向上流側(図4の矢印方向))に高さ測定器72が配置されている。
In the cleaning device 1' according to the present embodiment, the cleaning brush 71' is composed of a cylindrical sponge, as shown in FIG. 5, and the cleaning brush 71' is fixed without rotating. There is. A
以上のように構成された洗浄装置70’においては、電動モータ74によって吸引パッド64とこれに保持されたウェーハWを垂直な中心軸回りに図4の矢印方向(反時計方向)に回転させつつ、これらの吸引パッド64とウェーハWを水平移動機構80によって洗浄ブラシ71’に対して水平移動させる。また、同時に、ウェーハWの下面の高さを高さ測定器72によって測定し、その測定データに基づいて吸引パッド64とウェーハWを昇降機構90によって洗浄ブラシ71’に対して昇降させ、洗浄ブラシ71’をウェーハWの下面に接触させ続けながら該洗浄ブラシ71’によってウェーハWの下面を洗浄する。
In the cleaning apparatus 70' configured as described above, the
ここで、図4(a)は洗浄ブラシ71’が上に凸に湾曲したウェーハWの下面中央部を洗浄している状態を示し、図4(b)は洗浄ブラシ71’がウェーハWの外周端(終端)を洗浄している状態を示している。なお、図4は上に凸に湾曲するウェーハWを洗浄している状態を示しているが、本実施形態に係る洗浄装置70’においても、下に凸に湾曲するウェーハWを同様に洗浄することができる。 Here, FIG. 4(a) shows a state in which the cleaning brush 71' is cleaning the central part of the lower surface of the wafer W that is curved upward, and FIG. The state in which the end (terminus) is being cleaned is shown. Although FIG. 4 shows a state in which a wafer W that is curved convexly upward is being cleaned, the cleaning apparatus 70' according to this embodiment also similarly cleans a wafer W that is curved convexly downwardly. be able to.
したがって、本実施形態に係る洗浄装置70’によっても、前記第1実施形態に係る洗浄装置70と同様に、ウェーハWを水平移動機構80によって水平移動させつつ、高さ測定器72によってウェーハWの下面の高さを測定しながら昇降機構90を制御し、洗浄ブラシ71がウェーハWの下面に接触し続けるようにしたため、前記第1実施形態に係る洗浄装置70と同様に、湾曲したウェーハWの下面全面を洗浄ブラシ71’によって短時間で効率よく洗浄することができる。
Therefore, similarly to the
以上のように、洗浄装置70または70’によって下面が洗浄されたウェーハWは、第2搬送手段60によって図1に示すスピンナ洗浄手段30へと搬送されてスピンナテーブル31へと受け渡される。
As described above, the wafer W whose lower surface has been cleaned by the
スピンナ洗浄手段30においては、スピナテーブル31とその上に吸引保持されたウェーハWが所定の速度で回転し、回転するウェーハWに向かって洗浄水が洗浄水ノズル32から噴射されるため、ウェーハWの上面が洗浄水によって洗浄され、該ウェーハWの上面に付着した研削屑などの異物が除去される。このようにして洗浄が終了したウェーハWは、ロボット40のロボットハンド43によって吸引保持されて図1に示すカセット3へと搬送されて該カセット3に収納され、ウェーハWに対する一連の研削加工が終了する。
In the spinner cleaning means 30, the spinner table 31 and the wafer W suction-held thereon rotate at a predetermined speed, and cleaning water is sprayed from the cleaning
なお、以上説明した第1及び第2実施形態に係る洗浄装置70,70’おいては、吸引パッド64とこれに保持されたウェーハWを洗浄ブラシ71,71’に対して相対的に水平移動及び昇降させる構成を採用したが、逆に洗浄ブラシ71,71’を搬送パッド64とウェーハWに対して相対的に水平移動及び昇降させる構成を採用しても良い。
In the
また、以上はウェーハWを研削する研削装置1に設けられた洗浄装置70,70’に対して本発明を適用した形態について説明したが、本発明は、ウェーハW以外の任意のワークを加工する他の任意の加工装置に設けられた洗浄装置に対しても同様に適用することができる。つまり、ワークは、四角形の基板であってもよい。また、ワークは、チャックテーブルの保持面に接触する下面に保護テープが貼着され、洗浄装置では、保護テープを洗浄してもよい。
Moreover, although the embodiment in which the present invention is applied to the
その他、本発明は、以上説明した実施の形態に適用が限定されるものではなく、特許請求の範囲及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。 In addition, the application of the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the technical ideas described in the claims, specification, and drawings. Of course.
1:研削装置、1A:基台、2,3:カセット、4:位置合わせテーブル、
5:厚み測定器、6:吸引路、7:配管、7a,7b:分岐管、8:エア供給源、
9:吸引源、10:チャックテーブル、10A:ポーラス部材、10a:保持面、
11:垂直移動機構、12:コラム、13:昇降板、14:ガイドレール、
15:ボールネジ軸、16:電動モータ、17:ブラケット、20:研削ユニット、
21:ホルダ、22:スピンドルモータ、23:スピンドル、24:マウント、
25:研削ホイール、25a:砥石、30:スピンナ洗浄手段、
31:スピンナテーブル、32:洗浄水ノズル、33:カバー、40:ロボット、
41:装着部、42:ホルダ、43:ロボットハンド、44:水平移動機構、
45:昇降機構、50:第1搬送手段、51:回転軸、52:アーム、
53:搬送パッド、60:第2搬送手段、61:回転軸、62:アーム、
63:搬送パッド、64:吸引パッド、64A:ポーラス部材、64a:吸引面、
65:プレート、66:ピン、67,68:支柱、70,70’:洗浄装置、
71,71’:洗浄ブラシ、72:高さ測定器、73,74:電動モータ、
75:エンコーダ、76:ロータリエンコーダ、77:回転軸、80:水平移動機構、
81:ガイドレール、82:スライダ、90:昇降機構、
91:ガイドレール、92:スライダ、100:制御部、
F:樹脂層、P1:加工位置、P2:受け渡し位置、V1,V2:電磁開閉弁、
W:ウェーハ
1: Grinding device, 1A: Base, 2, 3: Cassette, 4: Positioning table,
5: Thickness measuring device, 6: Suction path, 7: Piping, 7a, 7b: Branch pipe, 8: Air supply source,
9: Suction source, 10: Chuck table, 10A: Porous member, 10a: Holding surface,
11: Vertical movement mechanism, 12: Column, 13: Elevating plate, 14: Guide rail,
15: ball screw shaft, 16: electric motor, 17: bracket, 20: grinding unit,
21: Holder, 22: Spindle motor, 23: Spindle, 24: Mount,
25: Grinding wheel, 25a: Grindstone, 30: Spinner cleaning means,
31: spinner table, 32: cleaning water nozzle, 33: cover, 40: robot,
41: Mounting part, 42: Holder, 43: Robot hand, 44: Horizontal movement mechanism,
45: Lifting mechanism, 50: First conveyance means, 51: Rotating shaft, 52: Arm,
53: Transport pad, 60: Second transport means, 61: Rotating shaft, 62: Arm,
63: conveyance pad, 64: suction pad, 64A: porous member, 64a: suction surface,
65: Plate, 66: Pin, 67, 68: Support, 70, 70': Cleaning device,
71, 71': Cleaning brush, 72: Height measuring device, 73, 74: Electric motor,
75: encoder, 76: rotary encoder, 77: rotation axis, 80: horizontal movement mechanism,
81: Guide rail, 82: Slider, 90: Lifting mechanism,
91: Guide rail, 92: Slider, 100: Control unit,
F: resin layer, P1: processing position, P2: delivery position, V1, V2: electromagnetic on-off valve,
W: Wafer
Claims (3)
ワークの上面中央部分を吸引面で吸引保持する吸引パッドと、
該吸引面が吸引保持したワークの下面に接触する洗浄ブラシと、
該吸引パッドと該洗浄ブラシとを該保持面に平行な方向に相対的に水平移動させる水平移動機構と、
該吸引パッドと該洗浄ブラシとを該吸引面に垂直な方向に相対的に昇降させる昇降機構と、
制御部と、
を備え、
該制御部は、
該吸引パッドと該洗浄ブラシとを相対的に水平移動させ、該洗浄ブラシに対する該ワークの水平方向位置に対して予め設定された該ワークの下面高さ情報に基づいて、該吸引パッドと該洗浄ブラシとを相対的に昇降させることによって、湾曲したワークの下面に該洗浄ブラシを接触させ続けて該ワークの下面を洗浄する洗浄装置。 A cleaning device that cleans a curved workpiece by bringing a cleaning brush into contact with the lower surface of the workpiece,
A suction pad that suctions and holds the center part of the upper surface of the workpiece with a suction surface,
a cleaning brush whose suction surface contacts the lower surface of the workpiece held by suction;
a horizontal movement mechanism that relatively horizontally moves the suction pad and the cleaning brush in a direction parallel to the holding surface;
an elevating mechanism that relatively raises and lowers the suction pad and the cleaning brush in a direction perpendicular to the suction surface;
a control unit;
Equipped with
The control section is
The suction pad and the cleaning brush are moved horizontally relative to each other, and the suction pad and the cleaning brush are moved based on the lower surface height information of the workpiece, which is preset with respect to the horizontal position of the workpiece with respect to the cleaning brush. A cleaning device that cleans the lower surface of a curved work by keeping the cleaning brush in contact with the lower surface of the work by moving the brush up and down relative to the work.
該制御部は、該吸引パッドと該高さ測定器とを相対的に水平移動させ、該高さ測定器によってワークの水平方向位置に対する該ワークの下面高さを測定するとともに、測定したワークの水平方向位置に対する下面高さに基づいて該吸引パッドと該洗浄ブラシとを相対的に昇降させる請求項1記載の洗浄装置。 Equipped with a height measuring device that measures the height of the lower surface of the workpiece from below the workpiece,
The control unit moves the suction pad and the height measuring device relatively horizontally, and measures the lower surface height of the workpiece with respect to the horizontal position of the workpiece using the height measuring device, and also measures the height of the lower surface of the workpiece with respect to the horizontal position of the workpiece. The cleaning device according to claim 1, wherein the suction pad and the cleaning brush are moved up and down relative to each other based on the height of the lower surface with respect to the horizontal position.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022119517A JP2024017100A (en) | 2022-07-27 | 2022-07-27 | Washing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022119517A JP2024017100A (en) | 2022-07-27 | 2022-07-27 | Washing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024017100A true JP2024017100A (en) | 2024-02-08 |
Family
ID=89807018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022119517A Pending JP2024017100A (en) | 2022-07-27 | 2022-07-27 | Washing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024017100A (en) |
-
2022
- 2022-07-27 JP JP2022119517A patent/JP2024017100A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6409576B1 (en) | Polishing apparatus | |
JP2008155292A (en) | Method and apparatus for machining substrate | |
JP2018140450A (en) | Grinding apparatus | |
KR20120040104A (en) | Wafer transfer mechanism | |
JP5184242B2 (en) | Semiconductor wafer processing equipment | |
JP2011143516A (en) | Machining device | |
JP2017204606A (en) | Manufacturing method of wafer | |
JP2024017100A (en) | Washing device | |
TWI813837B (en) | touch panel | |
JP3401706B2 (en) | Surface grinding equipment | |
TW202132046A (en) | Processing apparatus | |
JP4824883B2 (en) | Substrate polishing apparatus and substrate polishing / cleaning / drying method | |
JPH11195693A (en) | Work alignment device of surface grinder | |
JP2011066198A (en) | Grinding processing device | |
JP4477974B2 (en) | Polishing equipment | |
JP2010005717A (en) | Machining apparatus | |
JP4850666B2 (en) | Wafer processing equipment | |
JP3465074B2 (en) | Grinding method and grinding system | |
JP4336085B2 (en) | Polishing equipment | |
JP2024017102A (en) | suction table | |
JP3401705B2 (en) | Surface grinding equipment | |
JP7328104B2 (en) | Grinding equipment | |
JP2010010267A (en) | Working device for semiconductor wafer | |
JP2024006601A (en) | Processing device | |
TW202342191A (en) | Wafer processing apparatus, washing apparatus and washing method characterized by preventing the adhesion of processing dust to the outer periphery part of a wafer and the damage of the outer peripheral part of the wafer |