JP7327691B2 - 多層基板及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、多層基板及び電子機器に関する。

近年、多層基板の高周波化が望まれている。従来の高周波化を目的とした多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の多層基板が知られている。この多層基板は、積層体、信号導体層及びグランド導体層を備える。積層体は、複数の絶縁体層を積層することにより形成される。信号導体層及びグランド導体層は、積層体に設けられる。

また、積層体には中空部が設けられている。中空部は、信号導体層とグランド導体層との間に設けられている。中空部は、複数の絶縁体層によって密閉される空間である。この場合、中空部は、空気により形成される。空気の誘電率は、低い。このように、信号導体層の周囲に低い誘電率を有する中空部が配置されることにより、信号導体層を伝送される高周波信号に生じる誘電損失が減る。従って、多層基板において高周波信号の伝送ロスが低減される。

特開２０１８－１２１０７６公報

しかし、特許文献１に記載の多層基板に圧力等が加わった場合、中空部の形状が変化する可能性がある。中空部の形状が変化した場合、信号が流れる信号導体層とグランド導体層との位置関係が変化する可能性がある。この場合、信号導体層とグランド導体層との距離が変化する可能性がある。結果、多層基板において特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれる虞がある。

本発明の目的は、信号導体層を伝送される高周波信号の高周波化を可能とし、且つ、多層基板の特性インピーダンスのずれの抑制を可能とする多層基板を提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、
積層体上下方向に積層されている複数の層を備えており、
前記複数の層は、
１以上の絶縁体層と、
第１スペーサと、
積層体上下方向において第１スペーサよりも上に位置する第１グランド導体層と、
積層体上下方向に見て、第１グランド導体層と重なる信号導体層であって、第１スペーサよりも下に位置する信号導体層と、
を含んでおり、
第１スペーサには、第１スペーサを積層体上下方向に貫通する複数の第１貫通孔が設けられ、
積層体上下方向から見て、第１直線に平行な第１方向を第１スペーサ上に定義し、
積層体上下方向から見て、第１直線と平行ではない第２直線に平行な第２方向を第１スペーサ上に定義し、
複数の第１貫通孔は、積層体上下方向から見て第１方向に沿って並び、
積層体上下方向から見て、第１方向において隣り合う複数の第１貫通孔の重心間の距離は、均一であり、
第１スペーサには、複数の第１貫通孔の組が、複数組設けられており、
複数の第１貫通孔の組は、第２方向に沿って並び、
積層体上下方向から見て、第２方向において隣り合う複数の第１貫通孔の重心間の距離は、均一であり、
第１貫通孔の少なくとも１つは、中空である第１中空貫通孔であって、積層体上下方向から見て、信号導体層と重なる第１中空貫通孔である。

本発明に係る多層基板によれば、信号導体層を伝送される高周波信号の高周波化が可能であり、且つ、多層基板の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。

図１は、実施例１の実施形態に係る多層基板１０の斜視図である。 図２は、多層基板１０の分解斜視図である。 図３は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。 図４は、スペーサ２０ａの上面図である。 図５は、スペーサ２０ａ、信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌ及び導電材Ｃの上面図である。 図６は、導電材Ｃ及び貫通孔Ｈ１の包含関係を示す図である。 図７は、多層基板１０を備える電子機器１の側面図である。 図８は、多層基板１０を備える電子機器１の上面図である。 図９は、多層基板１００を備える電子機器１ａの上面図である。 図１０は、実施例１の変形例１に係る多層基板１１が備えるスペーサ２０ａ１を示す図である。 図１１は、実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａのＡ－Ａにおける断面図である。 図１２は、実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａ２のＡ－Ａにおける断面図である。 図１３は、実施例３の実施形態に係る多層基板１０ｂのＡ－Ａにおける断面図である。 図１４は、実施例４の実施形態に係る多層基板１０ｃのＡ－Ａにおける断面図である。 図１５は、実施例４の変形例１に係る多層基板１０ｃ２のＡ－Ａにおける断面図である。 図１６は、実施例５の実施形態に係る多層基板１０ｄの分解斜視図である。 図１７は、実施例５の実施形態に係る多層基板１０ｄの側面図である。 図１８は、実施例５の変形例１に係る多層基板１０ｄ２の側面図である。 図１９は、実施例６の実施形態に係る多層基板１０ｅを備える電子機器２の側面図である。 図２０は、実施例６の実施形態に係る多層基板１０ｅを備える電子機器２の上面図である。 図２１は、実施例６の実施形態に係る多層基板１００ｅを備える電子機器２ａの上面図である。 図２２は、実施例７の実施形態に係る多層基板１０ｆのＡ－Ａにおける断面図である。 図２３は、実施例８の実施形態に係る多層基板１０ｇのＡ－Ａにおける断面図である。 図２４は、スペーサ２０ａの変形例１に係るスペーサ２１ａの上面図である。 図２５は、スペーサ２１ａの変形例に係るスペーサ２２ａの上面図である。 図２６は、スペーサ２２ａ、信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの上面図である。 図２７は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２３ａの上面図である。 図２８は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２４ａの上面図である。 図２９は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２５ａの上面図である。 図３０は、スペーサ２０ａの変形例３に係るスペーサ２６ａの上面図である。 図３１は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｈのＡ－Ａにおける断面図である。 図３２は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｉのＡ－Ａにおける断面図である。 図３３は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｋのＡ－Ａにおける断面図である。 図３４は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｍのＡ－Ａにおける断面図である。 図３５は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｎのＡ－Ａにおける断面図である。 図３６は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｐのＡ－Ａにおける断面図である。 図３７は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｑのＡ－Ａにおける断面図である。 図３８は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｒのＡ－Ａにおける断面図である。

（実施例１の実施形態）
［多層基板１０の構造］
以下、本発明の実施形態に係る多層基板１０について説明する。本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の積層方向を積層体上下方向と定義する。信号導体層ＳＬの延びる方向を積層体左右方向と定義する。積層体上下方向と積層体左右方向とは、直交している。積層体上下方向及び積層体左右方向に直交する方向を積層体前後方向と定義する。なお、本明細書における方向及び積層方向の定義は、一例である。従って、多層基板１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。

以下では、Ｘは、多層基板１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。

Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

まず、図１、図２、図３及び図４を参照しながら、多層基板１０について説明する。図１は、実施例１の実施形態に係る多層基板１０の斜視図である。図２は、多層基板１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ－Ａにおける多層基板１０の断面図である。図４は、スペーサ２０ａの上面図である。

多層基板１０は、板形状を有している。具体的には、図１に示すように、多層基板１０は、積層体上下方向に見て、積層体前後方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、多層基板１０の積層体前後方向の長さは、多層基板１０の積層体左右方向の長さよりも長い。

多層基板１０は、図１に示すように、実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２及び中間区間ＣＰを有している。中間区間ＣＰは、実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２以外の区間である。実装電極部ＥＰ１は、中間区間ＣＰよりも前に位置する。従って、実装電極部ＥＰ１は、多層基板１０の前端部に位置する。実装電極部ＥＰ２は、中間区間ＣＰよりも後に位置する。従って、実装電極部ＥＰ２は、多層基板１０の後端部に位置する。実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２の積層体左右方向における幅の長さは、中間区間ＣＰの積層体左右方向における幅の長さよりも長い。なお、多層基板１０の形状は、図１に示した形状に限定されない。

次に、図２及び図３を参照しながら、多層基板１０の構造について説明する。多層基板１０は、複数の層を積層することによって作られる。従って、多層基板１０は、積層体上下方向に積層されている複数の層を備えている。具体的には、多層基板１０は、図２及び図３に示すように絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂと、グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１４Ｒ，１４Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌと、信号導体層ＳＬと、スペーサ２０ａ，２０ｂと、層間接続導体ｖ１，ｖ２，ｖ３，ｖ４と、を備えている。この場合、複数の層は、例えば、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂと、グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１４Ｒ，１４Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌと、信号導体層ＳＬと、スペーサ２０ａ，２０ｂと、を含んでいる。従って、本実施形態において、多層基板１０は、複数の層以外に、層間接続導体ｖ１，ｖ２，ｖ３，ｖ４を備えている。また、本実施形態において、多層基板１０は、１以上の絶縁体層を備えている。そして、１以上の絶縁体層は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂを備えている。なお、図２において多層基板１０の前端部と後端部の記載は省略している。

図２及び図３に示すように、絶縁体層１３ｂと、グランド導体層１４ｂと、スペーサ２０ｂと、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌと、絶縁体層１２ｃと、絶縁体層１２ｂと、信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１４Ｒ，１４Ｌと、絶縁体層１２ａと、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌと、スペーサ２０ａと、グランド導体層１４ａと、絶縁体層１３ａとは、積層体上方向に向かってこの順に積層される。言い換えると、グランド導体層１４ａは、積層体上下方向においてスペーサ２０ａよりも上に位置している。また、信号導体層ＳＬは、積層体上下方向においてスペーサ２０ａよりも下に位置している。

絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂは、積層体前後方向に延びる長辺を有する形状である。絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂは、図２に示すように、積層体上下方向に見て、積層体前後方向に延びる形状を有している。従って、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの積層体左右方向の長さは、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの積層体前後方向の長さより短い。絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料は、熱可塑性樹脂や、フッ素系樹脂等である。絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料として用いられる熱可塑性樹脂は、具体的には、ポリイミド、液晶ポリマー等である。また、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料として用いられるフッ素系樹脂は、具的には、ＰＴＦＥ等である。

グランド導体層１４ａは、積層体上下方向に見て、前後方向に延びる長辺を有する形状を有している。グランド導体層１４ａは、絶縁体層１３ａの下主面の積層体左右方向の中央に配置されている。グランド導体層１４ａの積層体左右方向の幅の位置は、積層体上下方向に見て絶縁体層１３ａと略一致する。ただし、グランド導体層１４ａの積層体左右方向の幅は、積層体上下方向に見て、絶縁体層１３ａより小さい。なお、図２及び図３に示していないが、グランド導体層１４ａには、グランドが接続される。

グランド導体層１４ｂは、積層体上下方向に見て、前後方向に延びる長辺を有する形状を有している。グランド導体層１４ｂは、絶縁体層１３ｂの上主面の積層体左右方向の中央に配置されている。グランド導体層１４ｂの積層体左右方向の幅の位置は、積層体上下方向に見て絶縁体層１３ｂと略一致する。ただし、グランド導体層１４ｂの積層体左右方向の幅は、積層体上下方向に見て、絶縁体層１３ｂより小さい。なお、図２及び図３に示していないが、グランド導体層１４ｂには、グランドが接続される。

信号導体層ＳＬは、図２に示すように、積層体前後方向に延びる線形状を有している。

信号導体層ＳＬは、スペーサ２０ａよりも下に位置する。信号導体層ＳＬは、絶縁体層１２ｂの上主面の積層体左右方向の中央に配置されている。図２及び図３に示すように、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さは、積層体上下方向に見て、絶縁体層１２ｂの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さは、例えば、１７０μｍ程度である。

また、信号導体層ＳＬは、積層体上下方向においてグランド導体層１４ａと重なる位置に位置する。更に、信号導体層ＳＬは、積層体上下方向においてグランド導体層１４ｂと重なる位置に位置する。これにより、信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１４ａ，１４ｂは、マイクロストリップライン構造を有している。信号導体層ＳＬは、回路パターンの一種である。信号導体層ＳＬは、積層体左右方向においてグランド導体層１４Ｒ，１４Ｌに重ならない位置に位置する。

グランド導体層１３Ｒは、図２に示すように、積層体前後方向に延びる線形状を有している。グランド導体層１３Ｒは、絶縁体層１２ａの上主面の積層体左右方向の右部に配置されている。図２に示すように、グランド導体層１３Ｒの積層体左右方向における幅の長さは、積層体上下方向に見て、絶縁体層１２ａの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。なお、グランド導体層１３Ｌは、絶縁体層１２ａの上主面の積層体左右方向の左部に配置されている以外、グランド導体層１３Ｒと同様の構成であるため説明を省略する。

グランド導体層１４Ｒは、図２に示すように、積層体前後方向に延びる線形状を有している。グランド導体層１４Ｒは、絶縁体層１２ｂの上主面の積層体左右方向の右部に配置されている。従って、グランド導体層１４Ｒは、積層体左右方向において信号導体層ＳＬよりも右に配置されている。図２及び図３に示すように、グランド導体層１４Ｒの積層体左右方向における幅の長さは、積層体上下方向に見て、絶縁体層１２ｂの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。グランド導体層１４Ｒは、積層体左右方向において信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１４Ｌに重ならない位置に位置する。

グランド導体層１４Ｌは、図２に示すように、積層体前後方向に延びる線形状を有している。グランド導体層１４Ｌは、絶縁体層１２ｂの上主面の積層体左右方向の左部に配置されている。従って、グランド導体層１４Ｌは、積層体左右方向において信号導体層ＳＬよりも左に配置されている。図２及び図３に示すように、グランド導体層１４Ｌの積層体左右方向における幅の長さは、積層体上下方向に見て、絶縁体層１２ｂの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。グランド導体層１４Ｌは、積層体左右方向において信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１４Ｒに重ならない位置に位置する。

グランド導体層１５Ｒは、図２に示すように、積層体前後方向に延びる線形状を有している。グランド導体層１５Ｒは、絶縁体層１２ｃの下主面の積層体左右方向の右部に配置されている。図２及び図３に示すように、グランド導体層１５Ｒの積層体左右方向における幅の長さは、積層体上下方向に見て、絶縁体層１２ｃの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。なお、グランド導体層１５Ｌは、絶縁体層１２ｃの下主面の積層体左右方向の左部に配置されている以外、グランド導体層１５Ｒと同様の構成であるため説明を省略する。

グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌ，１４Ｒ，１４Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌの積層体左右方向における幅の長さは、例えば、３００μｍ程度である。

層間接続導体ｖ１，ｖ４は、図２に示すように信号導体層ＳＬよりも右に位置する。層間接続導体ｖ１は、層間接続導体ｖ４よりも前に位置する。層間接続導体ｖ１，ｖ４の上端は、グランド導体層１３Ｒに接続されている。層間接続導体ｖ１，ｖ４の下端は、グランド導体層１５Ｒに接続されている。これにより、層間接続導体ｖ１，ｖ４は、グランド導体層１３Ｒと、グランド導体層１４Ｒと、グランド導体層１５Ｒとを電気的に接続している。

層間接続導体ｖ２，ｖ３は、図２に示すように信号導体層ＳＬよりも左に位置する。層間接続導体ｖ２は、層間接続導体ｖ３よりも前に位置する。層間接続導体ｖ２，ｖ３の上端は、グランド導体層１３Ｌに接続されている。層間接続導体ｖ２，ｖ３の下端は、グランド導体層１５Ｌに接続されている。これにより、層間接続導体ｖ２，ｖ３は、グランド導体層１３Ｌと、グランド導体層１４Ｌと、グランド導体層１５Ｌとを電気的に接続している。

層間接続導体ｖ１～ｖ４は、スルーホール導体である。スルーホール導体は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃに形成された貫通孔にめっきを施すことにより形成される。なお、層間接続導体ｖ１～ｖ４は、ビアホール導体であってもよい。ビアホール導体は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃに形成された貫通孔Ｈ１に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼結されることにより形成される。

なお、層間接続導体ｖ１が、ビアホール導体である場合、各層の間に形成された層間接続導体ｖ１のそれぞれの部分は、積層体上下方向から見て必ずしも重ならなくてよい。具体的には、層間接続導体ｖ１がビアホールである場合、絶縁体層１２ａと絶縁体層１２ｂとの間に形成される層間接続導体ｖ１の位置は、積層体上下方向から見て絶縁体層１２ｂと絶縁体層１２ｃとの間に形成される層間接続導体ｖ１の位置と異なっていてもよい。なお、層間接続導体ｖ２～ｖ４が、ビアホール導体である場合も、層間接続導体ｖ１がビアホール導体である場合と同様である。そのため、層間接続導体ｖ２～ｖ４がビアホール導体である場合の説明は省略する。

スペーサ２０ａ，２０ｂは、前後方向に延びる長辺を有する板形状である。スペーサ２０ａ，２０ｂは、図２に示すように、積層体上下方向に見て、積層体前後方向に延びる形状を有している。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体左右方向の長さは、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体前後方向の長さより短い。

スペーサ２０ａは、グランド導体層１４ａよりも下に位置する。また、スペーサ２０ａは、信号導体層ＳＬよりも上に位置する。

スペーサ２０ａ，２０ｂは、誘電率及び誘電正接が低い材料（例えば、ＬＣＰ，ＰＴＦＥ等）により作製されている。これにより、多層基板１０を流れる高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料と同じ（ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂）である。言い換えると、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料と、信号導体層ＳＬよりも下に位置する絶縁体層１２ｂ，１２ｃ及び１３ｂの材料とが同一であり、且つ、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料と、信号導体層ＳＬよりも上に位置する絶縁体層１２ａ，１３ａの材料とが、同一である。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの熱膨張率は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの熱膨張率と同じになる。これにより、例えば、スペーサ２０ａ，２０ｂのみが熱により変形する等の現象が発生しにくい。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料と、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料とを同じにすることによって、スペーサ２０ａ，２０ｂが反る等の不良の発生を防ぐことが可能である。

図２及び図３に示すように、スペーサ２０ａは、スペーサ２０ａを積層体上下方向に貫通する複数の貫通孔Ｈ１を有する。

図３及び図４に示すように、本実施形態において、貫通孔Ｈ１の径の長さは、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みよりも長い。換言すれば、積層体上下方向に見て、貫通孔Ｈ１の最大径の長さは、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みの長さよりも長い。例えば、積層体上下方向に見て貫通孔Ｈ１の形状が円形である場合、貫通孔Ｈ１の直径が、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みよりも長い。また、例えば、積層体上下方向に見て貫通孔Ｈ１の形状が楕円形である場合、楕円である貫通孔Ｈ１の最大径が、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みよりも長い。なお、図４では、１つの貫通孔にのみ符号を付している。そのため、図４において全ての貫通孔にはＨ１の符号を付していない。なお、スペーサ２０ｂは、グランド導体層１４ｂよりも上に位置し、且つ、信号導体層ＳＬよりも下に位置する以外、スペーサ２０ａと同様の構成である。そのため、スペーサ２０ｂの説明は省略する。

図２、図３及び図４に示すように、それぞれの貫通孔Ｈ１の形状は同一である。本実施形態では、貫通孔Ｈ１の形状は、積層体上下方向に見て、円形状を有している。

図２及び図４に示すように、複数の貫通孔Ｈ１は、スペーサ２０ａの全体に亘って形成されている。具体的には、まず、図４に示すように、第１直線Ｌ１に平行となる方向ＦＤをスペーサ２０ａ上に定義する。複数の貫通孔Ｈ１は、方向ＦＤに沿って並ぶ。例えば、図４に示すように、方向ＦＤに沿って１３個の貫通孔Ｈ１が並ぶ。方向ＦＤは、例えば、信号導体層ＳＬの延びる方向と一致する。しかし、信号導体層ＳＬの延びる方向と方向ＦＤとは、必ずしも一致しなくてよい。

多層基板１０は、複数の貫通孔Ｈ１の組を、複数組有する。例えば、図４に示すスペーサ２０ａの場合、方向ＦＤに沿って１３個並ぶ貫通孔Ｈ１の組が、３組存在する。以下では、３組は、組ＧＬ，ＧＣ，ＧＲを含んでいる（図４参照）。また、組ＧＬに属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＬと呼ぶ。組ＧＣに属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＣと呼ぶ。組ＧＲに属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＲと呼ぶ。

また、図４に示すように、第１直線Ｌ１と平行でない第２直線Ｌ２に平行となる方向ＳＤをスペーサ２０ａ上に定義する。複数の貫通孔Ｈ１の組ＧＲ，ＧＣ，ＧＬは、方向ＦＤと異なる方向ＳＤに沿って並ぶ。方向ＳＤは、例えば、信号導体層ＳＬの幅方向と一致する。しかし、信号導体層ＳＬの幅方向と方向ＳＤとは、必ずしも一致しなくてよい。これにより、複数の貫通孔Ｈ１は、スペーサ２０ａに行列状に設けられている。なお、方向ＦＤと方向ＳＤとは直交している。しかしながら、方向ＦＤと方向ＳＤとは直交していなくてもよい。

ここで、複数の貫通孔Ｈ１の配列についてより詳細に説明する。図４に示すように、積層体上下方向から見て、方向ＦＤにおいて隣り合う複数の貫通孔Ｈ１の間隔は均一である。換言すれば、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、均一である。例えば、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、２５０μｍ程度である。例えば、図４に示すように、方向ＦＤに沿って並ぶ３つの貫通孔Ｈ１のそれぞれの重心を重心Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３と定義する。重心Ｇ１を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ２を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。重心Ｇ２を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ３を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。この場合、図４に示すように重心Ｇ１と重心Ｇ２との距離Ｄ１の長さと、重心Ｇ２と重心Ｇ３との距離Ｄ２の長さとが等しくなる。

積層体上下方向から見て、方向ＳＤにおいて隣り合う複数の貫通孔Ｈ１の間隔は、均一である。換言すれば、方向ＳＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は均一である。例えば、方向ＳＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、４０５μｍ程度である。具体的には、図４に示すように、方向ＳＤに沿って並ぶ３つの貫通孔Ｈ１のそれぞれの重心を重心Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６と定義する。重心Ｇ４を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ５を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。重心Ｇ５を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ６を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。この場合、図４に示すように、重心Ｇ４と重心Ｇ５との距離Ｄ３の長さと、重心Ｇ５と重心Ｇ６との距離Ｄ４の長さとが等しくなる。

以下、スペーサ２０ａと、信号導体層ＳＬと、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒと、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌとの位置関係について図５を参照して説明する。図５は、スペーサ２０ａ、信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌ及び導電材Ｃの上面図である。なお、図５は、信号導体層ＳＬとグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒとグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌとを透視した図である。図６は、導電材Ｃ及び貫通孔Ｈ１の包含関係を示す図である。

複数の貫通孔Ｈ１の径の長さは、信号導体層ＳＬとグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒとの間の幅の長さよりも短い。具体的には、図５に示すように、複数の貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの右端とグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒの左端との積層体左右方向における距離の長さＲ４よりも短い。長さＲ４は、例えば、１７０μｍ程度の長さである。

同様にして、図５に示すように、複数の貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの左端とグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの右端との積層体左右方向における距離の長さＲ５よりも短い。長さＲ５は、例えば、１７０μｍ程度の長さである。

図５に示すように、複数の貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て、信号導体層ＳＬに重なる複数の貫通孔ＨＣＣ（第１中空貫通孔）を含んでいる。図５に示す例の場合、複数の貫通孔ＨＣＣは、方向ＦＤに沿って並んでいる。複数の貫通孔ＨＣＣの少なくとも１つは、中空である。但し、図５に示す例では、全ての貫通孔ＨＣＣが、中空である。本実施形態において、複数の貫通孔ＨＣＣの径の長さＲ１は、図５に示すように、積層体上下方向に見て、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さＲ２よりも短い。例えば、積層体上下方向に見て貫通孔Ｈ１の形状が円形である場合、貫通孔Ｈ１の直径が長さＲ２よりも短い。また、例えば、積層体上下方向に見て貫通孔Ｈ１の形状が楕円形である場合、楕円である貫通孔Ｈ１の最大径が長さＲ２よりも短い。これにより、貫通孔ＨＣＣは、積層体上下方向から見て、信号導体層ＳＬに内包される。

また、図５に示すように、複数の貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒと重なる複数の貫通孔ＨＲＲを含んでいる。複数の貫通孔ＨＲＲの径の長さＲ１は、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒの積層体左右方向における幅の長さＲ３よりも短い。これにより、貫通孔ＨＲＲは、積層体上下方向から見てグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒに内包される。

また、図５に示すように、複数の貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌと重なる複数の貫通孔ＨＬＬを含んでいる。複数の貫通孔ＨＬＬの径の長さＲ１は、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの積層体左右方向における幅の長さＲ３よりも短い。これにより、貫通孔ＨＬＬは、積層体上下方向から見てグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌに内包される。

なお、貫通孔Ｈ１は、必ずしも、積層体上下方向から見て信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ若しくはグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌに内包されていなくてよい。例えば、積層体上下方向から見て、貫通孔Ｈ１の一部が、積層体上下方向から見て信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ若しくはグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌに重なっていてもよい。

複数の貫通孔Ｈ１の一部には、複数の導電材Ｃが設けられている。導電材Ｃは、例えば、半田又は導電接着剤等である。導電材Ｃとして半田を用いた場合、半田において吸湿等が発生しにくい。従って。接続の信頼性を高めることが可能である。導電材Ｃとして、導電接着剤を用いた場合、リフローが不要である。従って、多層基板１０に、耐熱性の低い材料を使用することが可能である。

複数の導電材Ｃは、複数の導電材ＣＬ及び複数の導電材ＣＲを含んでいる。以下、導電材ＣＬ，ＣＲについて説明する。図５では、信号導体層ＳＬと、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒと、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌと、導電材Ｃとをドットパターンで示している。

図５に示すように、複数の導電材ＣＲは、複数の貫通孔ＨＲＲの一部に設けられる。導電材ＣＲにより、グランド導体層１３Ｒとグランド導体層１４ａとが電気的に接続される。以下、貫通孔ＨＲＲにおいて導電材ＣＲが設けられた貫通孔を貫通孔ＨＧＲと称す（図６参照）。以下、貫通孔ＨＲＲにおいて導電材ＣＲが設けられてない貫通孔を貫通孔ＮＨＧＲと称す（図６参照）。

複数の貫通孔ＨＧＲは、信号導体層ＳＬの延びる方向ＳＬＤに沿って並ぶ（図５参照）。同様にして、複数の貫通孔ＮＨＧＲは、方向ＳＬＤに沿って並ぶ。なお、図５に示す例では、方向ＳＬＤと、方向ＦＤとが一致している。しかし、方向ＳＬＤと、方向ＦＤとが必ずしも一致する必要はない。

図５に示す例では、なお、貫通孔ＨＧＲと貫通孔ＮＨＧＲとが方向ＳＬＤに沿って交互に並ぶ。しかし、必ずしも貫通孔ＨＧＲと貫通孔ＮＨＧＲとが、交互に並ばなくてもよい。複数の導電材ＣＲは、積層体前後方向において貫通孔ＨＲＲに連続して設けてもよい（貫通孔ＨＧＲが連続して並んでいてもよい）。例えば、方向ＳＬＤに連続して並ぶ３つの貫通孔ＨＲＲのそれぞれに、導電材ＣＲを設けてもよい。この場合、導電材ＣＲを密となるように設けることができる。そのため、多層基板１０の強度が高まり、且つ、信号導体層ＳＬに対するシールド性を高めることができる。

複数の導電材ＣＲと同様にして、複数の導電材ＣＬは、図５に示すように、複数の貫通孔ＨＬＬの一部に設けられる。導電材ＣＬによって、グランド導体層１３Ｌとグランド導体層１４ａとが電気的に接続される。以下、貫通孔ＨＬＬにおいて導電材ＣＬが設けられた貫通孔を貫通孔ＨＧＬと称す。以下、貫通孔ＨＬＬにおいて導電材ＣＬが設けられていない貫通孔を貫通孔ＮＨＧＬと称す。

図５に示すように、貫通孔ＨＧＲと同様にして、複数の貫通孔ＨＧＬは、方向ＳＬＤに沿って並ぶ。また、複数の貫通孔ＮＨＧＬは、方向ＳＬＤに沿って並ぶ。

図５に示す例では、なお、貫通孔ＨＧＬと貫通孔ＮＨＧＬとが方向ＳＬＤに沿って交互に並ぶ。しかし、貫通孔ＨＧＲと同様にして、貫通孔ＨＧＬが連続して並んでいてもよい。この場合、導電材ＣＬを密集させて設けることができる。そのため、多層基板１０の強度が高まり、且つ、信号導体層ＳＬに対するシールド性を高めることができる。

スペーサ２０ａには、積層体上下方向から見て、隣り合う導電材Ｃを設けられた貫通孔Ｈ１の組が、少なくとも１組設けられる。そして、少なくとも１組の隣り合う導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１の組において、導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１の間隔が均一となる。換言すれば、少なくとも１組の隣り合う導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１の組において、導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１の重心間の距離が均一となる。

例えば、図５に示すように、スペーサ２０ａにおいて、隣り合う３つの貫通孔ＨＧＲ７，ＨＧＲ８，ＨＧＲ９の組を定義する。この場合、貫通孔ＨＧＲ７，ＨＧＲ８，ＨＧＲ９が、１組の貫通孔ＨＧＲの組となる。

そして、隣り合う貫通孔ＨＧＲ７，ＨＧＲ８，ＨＧＲ９の組のそれぞれに、重心Ｇ７，Ｇ８，Ｇ９を定義する。この場合、図５に示すように重心Ｇ７と重心Ｇ８との距離Ｄ５の長さと、重心Ｇ８と重心Ｇ９との距離Ｄ６の長さとが等しくなる。

貫通孔ＨＧＲの組と同様にして、スペーサ２０ａに、間隔が均一となる貫通孔ＨＧＬの組が設けられていてもよい。換言すれば、貫通孔ＨＧＲの組と同様にして、スペーサ２０ａに、重心間の距離が均一となる貫通孔ＨＧＬの組が設けられていてもよい。

なお、スペーサ２０ａには、少なくとも１組の間隔が均一となる貫通孔ＨＧＲの組、又は、少なくとも１組の間隔が均一となる貫通孔ＨＧＬの組の少なくとも一方が設けられていればよい。換言すれば、スペーサ２０ａには、少なくとも１組の重心間の距離が均一となる貫通孔ＨＧＲの組、又は、少なくとも１組の重心間の距離が均一となる貫通孔ＨＧＬの組の少なくとも一方が設けられていればよい。

なお、スペーサ２０ｂにおける貫通孔Ｈ１の配列は、スペーサ２０ａと同じであるため説明を省略する。

［多層基板１０を備える電子機器１］
以下、多層基板１０を備える電子機器１について図を参照して説明する。図７は、多層基板１０を備える電子機器１の側面図である。図８は、多層基板１０を備える電子機器１の上面図である。

多層基板１０は、高周波信号を伝送する。従って、図７及び図８に示すように、多層基板１０は、電子機器１において回路基板２００及び回路基板２０１を接続するために用いられる。多層基板１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの回路基板を接続するために用いられる。

回路基板２００には、図７に示すように、コネクタ３０１が実装されている。また、回路基板２０１には、図７に示すように、コネクタ３０３が実装されている。

図７及び図８に示すように、多層基板１０より上には上レジスト層１８ａが存在する。上レジスト層１８ａは、絶縁体層１３ａの上主面の略全面を覆っている。

図７及び図８に示すように、多層基板１０より下には下レジスト層１８ｂが存在する。下レジスト層１８ｂは、絶縁体層１３ｂの下主面の略全面を覆っている。

下レジスト層１８ｂには、図８に示すように、開口ｈ１１～ｈ１８が設けられる。開口ｈ１１～ｈ１４は、積層体上下方向に見て、実装電極部ＥＰ１に重なる。開口ｈ１５～ｈ１８は、積層体上下方向に見て実装電極部ＥＰ２に重なる。

図８に示すように、多層基板１０は、外部電極３０ａ，３０ｂを備える。外部電極３０ａ，３０ｂは、信号導体層ＳＬに電気的に接続されている。なお、図７においては、外部電極３０ａ，３０ｂの記載を省略している。

図８に示すように、外部電極３０ａは、積層体上下方向において開口ｈ１１と重なる。外部電極３０ａは、開口ｈ１１から露出している。また、外部電極３０ｂは、積層体上下方向において開口ｈ１５と重なる。外部電極３０ｂは、開口ｈ１５から露出している。

なお、図７及び図８に記載していないが、グランド導体層１４ｂは、開口ｈ１２～ｈ１４及び開口ｈ１６～ｈ１８と重なる。グランド導体層１４ｂは、開口ｈ１１～ｈ１３及び開口ｈ１６～ｈ１８から露出している。

図７に示すように、実装電極部ＥＰ１における多層基板１０の下主面には、コネクタ３００が実装される。より詳細には、コネクタ３００は、開口ｈ１１から露出している外部電極３０ａ及びグランド導体層１４ｂに実装される。また、図７に示すように、実装電極部ＥＰ２における多層基板１０の下主面には、コネクタ３０２が実装される。より詳細には、コネクタ３０２は、開口ｈ１５から露出している外部電極３０ｂ及びグランド導体層１４ｂに実装される。

コネクタ３００，３０２のそれぞれは、コネクタ３０１，３０３に接続される。これにより、図７及び図８に示すように、多層基板１０の信号導体層ＳＬは、外部電極３０ａを介して回路基板２００と電気的に接続される。また、多層基板１０の信号導体層ＳＬは、外部電極３０ｂを介して回路基板２０１と電気的に接続される。

多層基板１０は、可撓性を有する。そのため、多層基板１０を曲げることが可能である。従って、多層基板１０を、電子機器内において曲がった状態で、用いることが可能である。以下、曲がった状態の多層基板１０について、より詳細に説明する。

多層基板１０が曲げられる場合、図７及び図８に示すように、多層基板１０は、非湾曲区間Ａ１，Ａ３及び湾曲区間Ａ２を有している。以下、多層基板１０におけるｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向を以下の様に定義する。ｘ軸方向は、非湾曲区間Ａ１での積層体左右方向である。ｙ軸方向は、非湾曲区間Ａ１での積層体前後方向である。ｚ軸方向は、非湾曲区間Ａ１での積層体上下方向である。非湾曲区間Ａ１，Ａ３は、多層基板１０の曲がっていない区間である。湾曲区間Ａ２は、多層基板１０が、曲がっている区間である。本実施形態では、湾曲区間Ａ２において多層基板１０が、ｚ軸方向に折り曲げられている。非湾曲区間Ａ１，Ａ３は、湾曲区間Ａ２と隣接している。非湾曲区間Ａ１は、湾曲区間Ａ２の前に位置する。非湾曲区間Ａ３は、湾曲区間Ａ２の後に位置する。なお、本明細書において、折れ曲がるとは、外力を受けて曲がることを意味する。

多層基板１０が、ｚ軸方向に折り曲げられた湾曲区間Ａ２を有する場合、積層体上下方向及び積層体前後方向は、図７に示すように、多層基板１０の位置によって異なる。ｚ軸方向に折り曲げられていない非湾曲区間Ａ１（例えば、図７の（１）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれと一致する。一方、多層基板１０が、ｚ軸方向に折り曲げられている湾曲区間Ａ２（例えば、図７の（２）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれと一致しない。

なお、曲がった多層基板１０も可撓性を有する。従って、ｚ軸方向に折れ曲がった状態の多層基板１０を、更にｚ軸方向に曲げることも可能である。

ところで、本発明に係る多層基板は、ｘ軸方向に弧状に曲がっている多層基板１００であってもよい。以下、多層基板１００について図を参照して詳細に説明する。図９は、多層基板１００を備える電子機器１ａの上面図である。なお、本明細書において弧状に曲がるとは、外力を受けていない状態で曲がった形状を有していることである。

図９に示すように、多層基板１００は、電子機器内においてｘ軸方向に弧状に曲がる状態で、回路基板２００と、回路基板２０１とを接続することができる。図９に示すように、多層基板１００は、電子機器１ａにおいて回路基板２００及び回路基板２０１を接続するために用いられる。

多層基板１００は、図９に示すように、非湾曲区間Ｂ１，Ｂ３及び湾曲区間Ｂ２を有している。非湾曲区間Ｂ１，Ｂ３は、多層基板１００がｘ軸方向に弧状に曲がっていない区間である。湾曲区間Ｂ２は、多層基板１００が、ｘ軸方向に弧状に曲がる部分を含む区間である。非湾曲区間Ｂ１，Ｂ３は、湾曲区間Ｂ２と隣接している。非湾曲区間Ｂ１は、湾曲区間Ｂ２の前に位置する。非湾曲区間Ｂ３は、湾曲区間Ｂ２の後に位置する。

ｘ軸方向に弧状に曲がる湾曲区間Ｂ２を有する多層基板１００の場合、積層体上下方向及び積層体前後方向は、図９に示すように、多層基板１００の位置によって異なる。ｘ軸方向に弧状に曲がっていない非湾曲区間Ｂ１（例えば、図９の（１）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれと一致する。一方、多層基板１００が、ｘ軸方向に弧状に曲がる湾曲区間Ｂ２（例えば、図９の（２）の位置）では、積層体上下方向及び積層体前後方向のそれぞれは、ｚ軸方向及びｙ軸方向のそれぞれと一致しない。

図９に示すように、多層基板１００は、電子機器１ａにおいてｘ軸方向に弧状に曲がる状態で、回路基板２００と、回路基板２０１とを接続することが可能である。

多層基板１００の湾曲区間Ｂ２に、スペーサ２０ａ，２０ｂを備えることによって、多層基板の湾曲区間Ｂ２において貫通孔Ｈ１が一様に設けられる。従って、湾曲区間Ｂ２を有する多層基板においても、信号導体層ＳＬのインピーダンスが所定のインピーダンスからずれる可能性を低減できる。

多層基板１００は、例えば、１枚の基板をｘ軸状に弧状に曲がる形状に切断加工することによって製造する。

なお、ｘ軸方向に弧状に曲がった多層基板１００も可撓性を有する。従って、ｘ軸方向に弧状に曲がった状態の多層基板１００を、更にｚ軸方向に折り曲げることが可能である。

なお、多層基板１００の構成は、ｘ軸方向に弧状に曲がっていること以外、多層基板１０の構成と同じであるため、説明を省略する。

［効果］
多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬを伝送する高周波信号の高周波化が可能である。より詳細には、多層基板１０は、複数の貫通孔Ｈ１の設けられたスペーサ２０ａ，２０ｂを備える。これにより、誘電率が低い領域（貫通孔Ｈ１）が、スペーサ２０ａ，２０ｂに一様に形成される。その結果、多層基板１０におけるスペーサ２０ａ，２０ｂが設けられている領域では、信号導体層ＳＬを伝送される高周波信号の誘電損失が減る。従って、高周波信号の伝送ロスが低減される。結果、信号導体層ＳＬを伝送される高周波信号の高周波化が可能となる。

また、多層基板１０によれば、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。より詳細には、積層体上下方向に見て、方向ＦＤにおいて隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、均一である。また、積層体上下方向に見て、方向ＳＤにおいて隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、均一である。これにより、誘電率が低い領域が、スペーサ２０ａ，２０ｂに一様に形成される。その結果、多層基板１０におけるスペーサ２０ａ，２０ｂが設けられている領域では、多層基板１０の誘電率を一様に低くすることが可能となる。従って、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能となる。

特に、複数の貫通孔Ｈ１のうち、中空である少なくとも１つの貫通孔Ｈ１が、積層体上下方向に見て、信号導体層ＳＬと重なる。中空である貫通孔Ｈ１内には空気が存在するため、中空である貫通孔Ｈ１内の誘電率は、低くなる。従って、多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの周囲の誘電率を低くすることが可能である。

また、多層基板１０によれば、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。以下、多層基板１０と、スペーサ２０ａ，２０ｂを備えない多層基板（以下、比較例１と称す）とを比較して説明する。

比較例１の場合、信号導体層とグランド導体層との間に、空気により形成される中空部が形成される。中空部は、複数の絶縁体層と、信号導体層とグランド導体層とにより囲まれる領域である。言い換えると、空気により形成される大きな領域（中空部）が、多層基板に形成される。これにより、中空部の中心方向に力が加わった場合（例えば、多層基板を折り曲げた場合等）に、大きな空気の領域を形成している中空部が潰れる可能性が高い。中空部が潰れた場合、積層体上下方向に見て信号導体層とグランド導体層との位置関係（距離等である）が変化する可能性がある。これにより、多層基板の特性インピーダンスがずれる虞がある。

一方、多層基板１０は、複数の貫通孔Ｈ１が設けられたスペーサ２０ａ，２０ｂを備える。複数の貫通孔Ｈ１は、空気により形成される領域である。言い換えると、空気により形成される小さな領域（貫通孔Ｈ１）が、多層基板１０に形成される。換言すれば、貫通孔Ｈ１の周囲には、スペーサ２０ａ，２０ｂの一部が位置している。このとき、例えば、多層基板１０を折り曲げた場合、スペーサ２０ａの一部が、グランド導体層１４ａと絶縁体層１２ａとを支持する。この場合、グランド導体層１４ａと絶縁体層１２ａとの間に位置する貫通孔Ｈ１が潰れにくくなる。同様にして、スペーサ２０ｂの一部によって、グランド導体層１４ｂと絶縁体層１２ｃとの間に位置する貫通孔Ｈ１が潰れにくくなる。換言すれば、上記の構成によって、多層基板１０を折り曲げた場合等であっても、貫通孔Ｈ１が潰れる可能性が低い。従って、貫通孔Ｈ１が潰れることによって、積層体上下方向に見て信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ａとの位置関係（距離等）が変化する可能性が低い。上記のように、多層基板１０は、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。

多層基板１０において、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は均一である。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂに応力が加わった場合、スペーサ２０ａ，２０ｂに加わる応力は、均一となりやすい。このため、スペーサ２０ａ，２０ｂには局所的な変形が生じにくい。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂに局所的な変形が発生することによって貫通孔Ｈ１が潰れる可能性が低い。従って、層体上下方向に見て信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ａとの位置関係（距離等）が変化する可能性が低い。結果、多層基板１０は、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。

また、多層基板１０によれば、多層基板１０は、折れ曲がりやすくなる。より詳細には、多層基板１０において、複数の貫通孔Ｈ１は、方向ＦＤに沿って並ぶ。また、多層基板１０は、複数の貫通孔Ｈ１の組を、複数組有する。上記の構成によって、多層基板１０の有する貫通孔Ｈ１の数が増える。すなわち、空気により形成される空間（貫通孔Ｈ１）が増える。従って、スペーサ２０ａが折れ曲がりやすくなる。結果、多層基板１０が折れ曲がりやすくなる。

また、多層基板１０によれば、多層基板１０は、折れ曲がりやすくなる。より詳細には、積層体上下方向から見て、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は均一である。また、積層体上下方向から見て、方向ＳＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は均一である。これにより、スペーサ２０ａを折り曲げた場合に、スペーサ２０ａにおいて角となる部分と貫通孔Ｈ１とが積層体上下方向から見て重なりやすくなる。従って、スペーサ２０ａが折れ曲がりやすくなる。結果、多層基板１０が折れ曲がりやすくなる。

同様にして、多層基板１０を備える電子機器１によれば、信号導体層ＳＬを伝送される高周波信号の高周波化が可能であり、且つ、電子機器１の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。

また、多層基板１０によれば、層間接続導体を用いなくても、グランド導体層１４ａとグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとを接続できる。より詳細には、多層基板１０は、積層体上下方向においてスペーサ２０ａよりも上に位置するグランド導体層１４ａを備える。また、多層基板１０は、積層体上下方向においてスペーサ２０ａよりも下に位置するグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌを備える。そして、多層基板１０は、複数の導電材Ｃを備える。複数の導電材Ｃは、スペーサ２０ａを介してグランド導体層１４ａと、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとを接続する。上記のように、スペーサ２０ａの複数の導電材Ｃにより、層間接続導体を用いなくても、グランド導体層１４ａと、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとを接続できる。

また、多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスが変化しにくい。

より詳細には、積層体上下方向に見て、導電材Ｃが設けられた複数の貫通孔Ｈ１は、方向ＳＬＤに沿って並ぶ。スペーサ２０ａ，２０ｂには、積層体上下方向から見て、隣り合う導電材Ｃを設けられた貫通孔Ｈ１の組が、少なくとも１組設けられる。そして、少なくとも１組の隣り合う導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１の組において、導電材Ｃが設けられた複数の貫通孔Ｈ１の重心間の距離が均一となる。この場合、導電材Ｃが、等間隔に並ぶ。従って、信号導体層ＳＬと、導電材Ｃとの間に発生する電気の容量にムラが発生しにくい。従って、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスが変動しにくい。

また、スペーサ２０ａによれば、スペーサ２０ａを容易に製造可能である。より詳細には、複数の貫通孔Ｈ１の形状が、同一である。これにより、複数の貫通孔Ｈ１の形成を、同じ加工方法によって連続して行うことが可能である。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂを作製する工程を簡易化できる。従って、スペーサ２０ａを容易に製造することが可能である。

また、多層基板１０によれば、多層基板１０に反りが発生しにくい。より詳細には、多層基板１０のスペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの材料と、同じである。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの熱膨張率と絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの熱膨張率とが、同じになる。従って、加熱時（多層基板１０の積層時における加熱プレス時等である）に、多層基板１０に反りが発生しにくい。

また、湾曲区間Ａ２を有する多層基板１０において、スペーサ２０ａ，２０ｂを備えることによって、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。以下、湾曲区間Ａ２を有する多層基板１０であって、スペーサ２０ａ，２０ｂを備える多層基板１０と、ｚ軸方向に折れ曲がる湾曲区間を有する多層基板であって、スペーサ２０ａ，２０ｂを備えない多層基板（以下、比較例２と称す）と、を比較して説明する。

比較例２の場合、信号導体層とグランド導体層との間に、空気により形成される中空部が形成される。そして、多層基板をｚ軸方向に曲げて湾曲区間を形成したときに、ｚ軸方向に曲がる湾曲区間に位置する中空部に圧力が加わる。このとき、ｚ軸方向に曲がる湾曲区間において、大きな空気の領域を形成している中空は、潰れる可能性が高い。中空部が潰れた場合、積層体上下方向から見て信号導体層とグランド導体層との位置関係（距離等である）が変化する可能性がある。これにより、多層基板の特性インピーダンスがずれる虞がある。

一方、湾曲区間Ａ２を有する多層基板１０の場合は、湾曲区間Ａ２の位置に複数の貫通孔Ｈ１が設けられたスペーサ２０ａ，２０ｂを形成する。すなわち、空気により形成される小さな領域（貫通孔Ｈ１）が、湾曲区間Ａ２において多層基板１０に形成される。上記の構成によって、多層基板１０を曲げた場合であっても、貫通孔Ｈ１が潰れる可能性が低い。従って、貫通孔Ｈ１が潰れることによって、積層体上下方向に見て信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ａとの位置関係（距離等）が変化する可能性が低い。結果、多層基板１０は、スペーサ２０ａ，２０ｂを備えることによって、多層基板１０の特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。

スペーサ２０ａを備える多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスが、ずれる可能性を低減できる。より詳細には、貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さＲ２よりも短い。この場合、積層体上下方向に見て信号導体層ＳＬに重なる貫通孔ＨＣＣと積層体上下方向に見てグランド導体層１３Ｒに重なる貫通孔ＨＧＲとの距離が長くなる。従って、積層体上下方向に見て貫通孔ＨＣＣと貫通孔ＨＧＲに設けられた導電材ＣＲとの距離が長くなる。これにより、例えば、貫通孔ＨＧＲから導電材ＣＲが漏れた場合に、漏れた導電材ＣＲが、貫通孔ＨＣＣに入り込む可能性が低減される。同様にして、貫通孔ＨＧＬから導電材ＣＬが漏れた場合に、漏れた導電材ＣＬが、貫通孔ＨＣＣに入り込む可能性が低減される。従って、貫通孔ＨＧＲから漏れた導電材ＣＲ及び貫通孔ＨＧＬから漏れた導電材ＣＬによって、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスがずれる可能性を低減できる。

多層基板１０によれば、貫通孔Ｈ１の形状が変化する可能性を低減できる。貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みの長さよりも長い。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの厚みに対する、貫通孔Ｈ１の大きさが、大きい。従って、多層基板１０を折り曲げた場合等において、貫通孔Ｈ１がふさがりにくくなる。

多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。より詳細には、貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの右端とグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒの左端との積層体左右方向における距離の長さＲ４よりも短い。また、貫通孔Ｈ１の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの左端とグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの右端との積層体左右方向における距離の長さＲ５よりも短い。これにより、貫通孔Ｈ１には、積層体上下方向から見て、信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌの両方に重なる貫通孔Ｈ１が形成されない。従って、導電材Ｃは、積層体上下方向から見て、信号導体層ＳＬに重ならないように形成される。これにより、多層基板１０は、導電材Ｃによって発生する信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれの抑制を可能とする。

［多層基板１０の製造方法］
以下、多層基板１０の製造方法について説明する。

まず、第１の工程において、下主面に金属箔層が張り付けられた絶縁体層１３ａと、上主面に金属箔層が張り付けられた絶縁体層１３ｂと、上主面に金属箔層が張り付けられた絶縁体層１２ａと、上主面に金属箔層が張り付けられた絶縁体層１２ｂと、上主面に金属箔層が張り付けられた絶縁体層１２ｃと、を用意する。

次に、第２の工程において、絶縁体層１３ａの下主面に貼り付けられた金属箔層をエッチング加工することで、グランド導体層１４ａを形成する。また、絶縁体層１３ｂの上主面に貼り付けられた金属箔層をエッチング加工することで、グランド導体層１４ｂを形成する。更に、絶縁体層１２ａに上主面に張り付けられた金属箔層をエッチング加工することで、グランド導体層１３Ｒ、１３Ｌを形成する。また、絶縁体層１２ｂの上主面に張り付けられた金属箔層をエッチング加工することで、信号導体層ＳＬ、グランド導体層１４Ｒ，１４Ｌ及び外部電極３０ａ，３０ｂを形成する。更に、絶縁体層１２ｃの上主面に張り付けられた金属箔層をエッチング加工することでグランド導体層１５Ｒ，１５Ｌを形成する。

グランド導体層１４ａにおいて絶縁体層１３ａと接する面は、粗化されている。従って、グランド導体層１４ａにおいて絶縁体層１３ａと接する面の表面粗さは、グランド導体層１４ａにおいて絶縁体層１３ａと接しない面の表面粗さよりも粗い。これにより、グランド導体層１４ａと絶縁体層１３ａとが剥がれにくい。同様にして、グランド導体層１４ｂと絶縁体層１３ｂとは、剥がれにくい。

次に、第３の工程において、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃに貫通孔を形成する。そして、めっき処理により貫通孔内に導体を形成することによって、層間接続導体ｖ１～ｖ４を形成する。貫通孔を形成する処理とは、例えば、レーザービームの照射による形成や、ドリルによる形成等である。

次に、第４の工程においてポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂により作られた板状の絶縁体を用意する。そして、板状の絶縁体に貫通孔Ｈ１を形成する加工を行う。これにより、貫通孔Ｈ１が設けられたスペーサ２０ａ，２０ｂを作成する。貫通孔Ｈ１を形成する加工とは、例えば、ドリルでの加工又は薬剤によるエッチング加工である。貫通孔Ｈ１の形状は全て同じであり、且つ、隣り合う貫通孔Ｈ１同士の距離は等間隔である。これにより、複数の貫通孔Ｈ１を、同じ加工によって連続して行うことが可能である。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂを作成する工程を簡易化できる。

次に、第５の工程においてグランド導体層１４ａ及びグランド導体層１４ｂに、導電材Ｃを塗布する。

次に、第６の工程において、絶縁体層１３ｂの上にスペーサ２０ｂを積層する。このとき、グランド導体層１４ｂに、塗布された導電材Ｃがスペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１に充填される。

次に、第７の工程において、スペーサ２０ｂの上に絶縁体層１２ｃを積層する。このとき、スペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１に充填された導電材Ｃが、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌに接続される。言い換えると、導電材Ｃによって、グランド導体層１４ｂと、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌとが、接続される。

次に、第８の工程において、絶縁体層１２ｃの上に絶縁体層１２ｂを積層する。また、絶縁体層１２ｂの上に絶縁体層１２ａを積層する。

次に、第９の工程において、絶縁体層１２ａの上にスペーサ２０ａを積層する。

最後に、第１０の工程において、スペーサ２０ａの上に絶縁体層１３ａを積層する。このとき、グランド導体層１４ａに塗布された導電材Ｃが、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１に充填される。スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１に充填された導電材Ｃが、グランド導体層１３Ｒ、１３Ｌに接続される。言い換えると、導電材Ｃによって、グランド導体層１４ａと、グランド導体層１３Ｒ、１３Ｌとが、接続される。

以上の工程を得て多層基板１０が完成する。

以上の工程を得て完成した多層基板１０では、グランド導体層１４ａの表面粗さが粗くない面とグランド導体層１４ｂの表面粗さが粗くない面とが向かい合う。そして、グランド導体層１４ａの表面粗さが粗くない面とグランド導体層１４ｂの表面粗さが粗くない面とで信号導体層ＳＬを挟む。これにより、信号導体層ＳＬを流れる高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

多層基板１０の完成後、上レジスト層１８ａ及び下レジスト層１８ｂを用意する。用意された下レジスト層１８ｂには、開口ｈ１１～ｈ１８が設けられている。そして、上レジスト層１８ａを多層基板１０の上に積層する。また、下レジスト層１８ｂを多層基板１０の下に積層する。

上記の工程における積層の方法は、例えば、加熱プレスによる積層である。

なお、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及びスペーサ２０ａ，２０ｂの積層の順番は、第６の工程から第１０の工程に示す積層の順番に限定されない。例えば、最初に、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを加熱プレス等により積層（一体化）する。そして、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの積層後に、スペーサ２０ａ，２０ｂを積層してもよい。

なお、貫通孔Ｈ１へ導電材Ｃを設ける方法は、導電材Ｃが塗布されたグランド導体層１４ａ及びグランド導体層１４ｂを積層する方法に限定されない。例えば、絶縁体層１３ａ，１３ｂ，１２ａ，１２ｃに導電材Ｃを塗布する。そして、スペーサ２０ａを導電材Ｃが塗布された絶縁体層１３ａ，１２ａに積層し、スペーサ２０ｂを導電材Ｃが塗布された絶縁体層１３ｂ，１２ｃに積層することによって、スペーサ２０ａ，２０ｂに導電材Ｃを設けてもよい。

（実施例１の変形例１）
以下、実施例１の変形例１に係る多層基板１１について図面を参照しながら説明する。図１０は、実施例１の変形例１に係る多層基板１１が備えるスペーサ２０ａ１を示す図である。なお、図１０は、信号導体層ＳＬとグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒとグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌとを透視した図である。

多層基板１１は、スペーサ２０ａと異なる形状のスペーサ２０ａ１を備える点で多層基板１０と異なる。具体的には、図１０に示すように、スペーサ２０ａ１の複数の貫通孔ＨＣＣ（複数の貫通孔Ｈ１）の径の長さＲ１は、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さＲ２よりも長い。この場合、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１の体積と比較して、スペーサ２０ａ１の貫通孔の体積が大きくなる。従って、信号導体層ＳＬの周囲に存在する空気の量が増える。結果、信号導体層ＳＬの周囲の誘電率を低くすることが可能である。

（実施例２の実施形態）
［多層基板１０ａの構造］
以下、本発明の実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１１は、実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａのＡ－Ａにおける断面図である。図１２は、実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａ２のＡ－Ａにおける断面図である。

実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａは、スペーサ２０ａ，２０ｂと異なる形状のスペーサ２０ａ２，２０ｂ２を備える点で多層基板１０と異なる。具体的には、スペーサ２０ａ２，２０ｂ２の貫通孔Ｈ１の形状が、スペーサ２０ａ，２０ｂの貫通孔Ｈ１の形状と異なる。

図１１に示すように、スペーサ２０ａ２の上面（グランド導体層１４ａと接する面）における貫通孔Ｈ１の径の大きさは、スペーサ２０ａ２の下面（グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌと接する面）における貫通孔Ｈ１の径の大きさよりも小さい。言い換えると、積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ａ２の貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬに近づくにつれて大きくなる。スペーサ２０ａ２と同様にして、積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ｂ２の貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬに近づくにつれて大きくなる。以下、本実施形態において積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ａ２，２０ｂ２の貫通孔Ｈ１の断面積が、信号導体層ＳＬに近づくに順って大きくなる形状を、テーパ形状と称す。

［多層基板１０ａの製造方法］
多層基板１０ａは、例えば、以下のように作製する。まず、多層基板１０と同様にして、第１の工程から第３の工程を行うことによって、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂを作製する。

次に、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂により作られた板状の絶縁体を用意する。そして、板状の絶縁体エッチング加工等を行うことによってテーパ形状の貫通孔Ｈ１を形成する。これにより、テーパ形状の貫通孔Ｈ１が設けられたスペーサ２０ａ２，２０ｂ２を作製できる。

なお、スペーサ２０ａ２，２０ｂ２の作製後の多層基板１０ａの製造の工程は、多層基板１０と同様であるため、説明を省略する。

［実施例２の実施形態の効果］
多層基板１０ａによれば、信号導体層ＳＬを伝送される高周波信号の誘電損失が減る。

より詳細には、積層体上下方向と直交する平面における貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬに近づくに順って大きくなる。上記の構成によって、信号導体層ＳＬに近づくにつれて、スペーサを形成する樹脂の割合に対する空気の割合が増える。これにより。誘電率が低い領域が、信号導体層ＳＬに沿って一様に形成されやすい。従って、信号導体層ＳＬを伝送する高周波信号の誘電損失が減る。

また、多層基板１０ａのスペーサ２０ａ２，２０ｂ２は破損しにくくなる。より詳細には、積層体上下方向と直交する平面における貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬから遠ざかるに順って小さくなる。上記の構成によって、信号導体層ＳＬから遠ざかるにつれて、空気（貫通孔Ｈ１内の領域）の割合に対するスペーサを形成する樹脂の割合が増える。樹脂の割合が増えることによって、スペーサ２０ａ２，２０ｂ２の強度が高まる。結果、スペーサ２０ａ２，２０ｂ２は破損しにくくなる。また、この場合、グランド導体層１４ａ，１４ｂに近づくに順って、樹脂の割合が増える。言い換えると、割合が増えた樹脂によってスペーサ２０ａ２，２０ｂ２のグランド導体層１４ａ，１４ｂへの保持力が増える。従って、グランド導体層１４ａ，１４ｂが変形しにくくなる。そのため、信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ａ，１４ｂとの間の電気容量が変化しにくい。

［多層基板１０ａ２の構造］
図１２に示すように、実施例２の実施形態に係る多層基板１０ａ２は、スペーサ２０ａ２，２０ｂ２と異なる形状のスペーサ２０ａ３，２０ｂ３を備える点で多層基板１０ａと異なる。図１２に示すように、多層基板１０ａ２において、積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ａ３，２０ｂ３の貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬから離れるに順って大きくなる。この場合、積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ａ３，２０ｂ３の貫通孔Ｈ１の断面積は、信号導体層ＳＬに近づくに順って小さくなる。

［多層基板１０ａ２の製造方法］
多層基板１０ａ２は、例えば、以下の方法により製造する。まず、多層基板１０と同様にして、第１の工程から第３の工程を行うことによって、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂを作製する。

次に、絶縁体層１２ｃ，１２ｂ，１２ａをこの順に積層体上方向に積層する。

次に、積層体上下方向において絶縁体層１２ａの上に熱可塑性樹脂（ポリイミドや液晶ポリマー等である）により作られた板状の絶縁体を積層する。また、積層体上下方向において絶縁体層１２ｃの下に熱可塑性樹脂（ポリイミドや液晶ポリマー等である）により作られた板状の絶縁体を積層する。

次に、積層体上下方向において絶縁体層１２ａの上に積層された絶縁体及び絶縁体層１２ｃの下に積層された板状の絶縁体に、エッチング加工を施す。これにより、貫通孔Ｈ１が設けられたスペーサ２０ａ３，２０ｂ３が形成される。すなわち、多層基板１０ａ２の製造において、スペーサ２０ａ３，２０ｂ３の貫通孔Ｈ１は、スペーサ２０ａ３，２０ｂ３及び絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを積層した状態で、エッチング加工等により設けられる。このとき、積層体上下方向と直交する平面におけるスペーサ２０ａ３，２０ｂ３の貫通孔Ｈ１の断面積が、信号導体層ＳＬに近づくに順って小さくなるように形成される。

次に、スペーサ２０ａ３の上に絶縁体層１３ａを積層する。また、スペーサ２０ｂ３の下に絶縁体層１３ｂを積層する。

以上の工程を得て、多層基板１０ａ２が完成する。

［多層基板１０ａ２の効果］
多層基板１０ａ２によれば、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの位置に合わせてスペーサ２０ａ３，２０ｂ３の貫通孔Ｈ１を設けることが可能となる。より詳細には、多層基板１０ａ２では、スペーサ２０ａ３，２０ｂ３及び絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃを積層した後に、貫通孔Ｈ１を設ける。従って、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの位置に合わせて、スペーサ２０ａ３，２０ｂ３に設ける貫通孔Ｈ１の位置を調整することが可能となる。

（実施例３の実施形態）
［多層基板１０ｂの構造］
以下に、本発明の実施例３の実施形態に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１３は、実施例３の実施形態に係る多層基板１０ｂのＡ－Ａにおける断面図である。

多層基板１０ｂは、図１３に示すように、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの代わりに絶縁体層６０を備える点で、多層基板１０と異なる。言い換えると、多層基板１０ｂは、スペーサ２０ａとスペーサ２０ｂとの間に位置する３つの絶縁体層（絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）の代わりに、スペーサ２０ａとスペーサ２０ｂとの間に位置する１つの絶縁体層（絶縁体層６０）を備える。

絶縁体層６０は、信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌよりも下に位置する。また、絶縁体層６０は、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌよりも上に位置する。言い換えると、絶縁体層６０は、絶縁体層６０の上面及び下面のそれぞれに接する導体層を有する。

なお、図１３には図示していないが、グランド導体層１３Ｒと、グランド導体層１５Ｒとは、層間接続導体を用いて電気的に接続される。また、グランド導体層１３Ｌと、グランド導体層１５Ｌとは、層間接続導体を用いて電気的に接続される。

［実施例３の実施形態の効果］
多層基板１０ｂによれば、多層基板１０ｂの作製で用いる材料の量を低減可能である。

具体的には、多層基板１０ｂでは、積層体上下方向における２つのスペーサ（スペーサ２０ａ，２０ｂ）の間に位置する絶縁体層の数が１つ（絶縁体層６０）である。従って、最低限の絶縁体層のみで多層基板１０ｂを作製可能である。結果、多層基板１０ｂは、少ない量の材料で作製可能となる。

また、多層基板１０ｂによれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれを抑制可能である。具体的には、多層基板１０ｂは、多層基板１０と比較して絶縁体層の数が少ない。つまり、多層基板１０ｂは、少ない積層数で作製可能である。従って、複数の絶縁体層を積層したときに、絶縁体層同士がずれる可能性が低い。結果、絶縁体層の積層時のずれに伴う信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれが発生しにくい。

更に、多層基板１０ｂによれば、信号導体層ＳＬの上面とスペーサ２０ａとが接する。

従って、信号導体層ＳＬの上に中空である貫通孔Ｈ１が位置する。結果、信号導体層ＳＬを流れる信号の特性が向上する。

（実施例４の実施形態）
［多層基板１０ｃの構造］
以下に、本発明の実施例４の実施形態に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１４は、実施例４の実施形態に係る多層基板１０ｃのＡ－Ａにおける断面図である。

多層基板１０ｃは、図１４に示すように、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃの代わりに絶縁体層７０を備える点で、多層基板１０と異なる。また、多層基板１０ｃは、積層体上下方向においてスペーサ２０ａとスペーサ２０ｂとの間に位置するグランド導体層の数が２つ（グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌ）である点で多層基板１０と異なる。

以下、より詳細に説明する。絶縁体層７０は、積層体上下方向においてスペーサ２０ａよりも下に位置し、且つ、積層体上下方向においてスペーサ２０ｂよりも上に位置する。

また、絶縁体層７０の上面は、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌの下面と接する。

図１４に示すように、絶縁体層７０には、積層体上下方向に貫通する複数の貫通孔Ｈ２が設けられている。具体的には、複数の貫通孔Ｈ２は、積層体上下方向から見てグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌと重なる。また、図１４に示すように、複数の貫通孔Ｈ１の内の１つの貫通孔により形成される領域と、複数の貫通孔Ｈ２の内の１つの貫通孔により形成される領域とは、互いに接している。言い換えると、絶縁体層７０には、貫通孔Ｈ１と、貫通孔Ｈ２とにより形成される複数の領域が設けられる。１つの貫通孔Ｈ１と１つの貫通孔Ｈ２とにより形成される１つの領域は、１つの貫通孔Ｈ１の領域よりも大きい。また、１つの貫通孔Ｈ１と１つの貫通孔Ｈ２とにより形成される１つの領域は、１つの貫通孔Ｈ２の領域よりも大きい。

貫通孔Ｈ２には、導電材Ｃが設けられる。従って、図１４に示すように、導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ１及び導電材Ｃが設けられた貫通孔Ｈ２によって、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ｂとが接続される。

［実施例４の実施形態の効果］
多層基板１０ｃによれば、層間接続導体の数を減らすことが可能である。より詳細には、絶縁体層７０に設けられた貫通孔Ｈ２に導電材Ｃが形成されることによって、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ｂとが電気的に接続される。従って、層間接続導体ｖ１～ｖ４を用いなくても、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ｂとを電気的に接続することが可能である。これにより、多層基板１０ｃには、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ｂとを接続する層間接続導体ｖ１～ｖ４を形成しなくてよい。従って、多層基板１０ｃは、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ｂとを接続する層間接続導体ｖ１～ｖ４の分、層間接続導体の数を減らすことが可能である。

（実施例４の変形例１）
以下、実施例４の変形例１に係る多層基板１０ｃ２について図面を参照しながら説明する。図１５は、実施例４の変形例１に係る多層基板１０ｃ２のＡ－Ａにおける断面図である。

多層基板１０ｃ２は、絶縁体層７０と形状の異なる絶縁体層７０ｃ２を備える点で多層基板１０ｃと異なる。具体的には、図１５に示すように、絶縁体層７０ｃ２には、絶縁体層７０ｃ２を積層体上下方向に貫通する１以上の貫通孔Ｈ３が設けられている。複数の貫通孔Ｈ２は、１以上の貫通孔Ｈ３を含んでいる。１以上の貫通孔Ｈ３は、積層体上下方向に見て、信号導体層ＳＬに重なる複数の貫通孔ＨＣＣ（第１中空貫通孔）と重なる。換言すれば、積層体上下方向に見て、複数の貫通孔Ｈ２の内の少なくとも１つは、第１中空貫通孔と重なる。上記の構成の場合、多層基板１０と比較して、信号導体層ＳＬの周囲に存在する空気の量が増える。従って、信号導体層ＳＬの周囲の誘電率を低くすることができる。

貫通孔Ｈ３の径の長さは、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長い。この場合、貫通孔Ｈ３の体積は、貫通孔Ｈ３の径の長さが信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも短い場合と比較して、大きい。従って、信号導体層ＳＬの周囲に存在する空気の量が増える。結果、信号導体層ＳＬの周囲の誘電率を低くすることができる。なお、貫通孔Ｈ３の径の長さは、必ずしも、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長くなくてよい。但し、貫通孔Ｈ３の径の長さは、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長い方が好ましい。

本実施形態の変形例１において、信号導体層ＳＬに重なる複数の貫通孔ＨＣＣ（第１中空貫通孔）の径の長さは、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長い。この場合、第１中空貫通孔の体積は、第１中空貫通孔の径の長さが信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも短い場合と比較して、大きい。従って、信号導体層ＳＬの周囲に存在する空気の量が増える。結果、信号導体層ＳＬの周囲の誘電率を低くすることができる。なお、第１中空貫通孔の径の長さは、必ずしも、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長くなくてよい。但し、第１中空貫通孔の径の長さは、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも長い方が好ましい。

（実施例５の実施形態）
［多層基板１０ｄの構造］
以下に、本発明の実施例５の実施形態に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１６は、実施例５の実施形態に係る多層基板１０ｄの分解斜視図である。図１７は、実施例５の実施形態に係る多層基板１０ｄの側面図である。なお、図１７は、グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌを透視した図である。

多層基板１０ｄは、積層体前後方向の長さが短いスペーサ２０ａを備える点において、多層基板１０と異なる。なお、多層基板１０ｄのその他の構成に関しては、多層基板１０と同様の構成であるため、説明を省略する。

図１６及び図１７に示すように、多層基板１０ｄにおいて、スペーサ２０ａ，２０ｂの積層体前後方向の長さは、絶縁体層１３ａ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ｂの積層体前後方向の長さよりも短い。言い換えると、スペーサ２０ａ，２０ｂは、多層基板１０ｄの積層体前後方向における一部に設けられる。

以下、多層基板１０ｄが、非湾曲区間Ａ１，Ａ３及び湾曲区間Ａ２を有する場合を例に説明する（図１６及び図１７参照）。但し、図１６及び図１７は、多層基板１０ｄをｚ軸方向に折り曲げる前の図である。そのため、図１６及び図１７において、湾曲区間Ａ２は、ｚ軸方向に折れ曲がっていない。なお、図１６及び図１７において、非湾曲区間Ａ１の前端部及び非湾曲区間Ａ３の後端部は記載を省略している。

上記のように、積層体前後方向における長さが短いスペーサ２０ａ，２０ｂは、例えば、図１６及び図１７に示すように、湾曲区間Ａ２に設けられる。このとき、スペーサ２０ａ，２０ｂは、図１６及び図１７に示すように非湾曲区間Ａ１、Ａ３には設けない。

この場合、図１７に示すように、非湾曲区間Ａ１，Ａ３では、絶縁体層１３ａよりも下に位置し、且つ、絶縁体層１２ａよりも上に位置する領域には、空気により形成される中空部ＵＦＨＰ，ＵＢＨＰが設けられる。

中空部ＵＦＨＰは、積層体前後方向においてスペーサ２０ａよりも前に位置する。すなわち、仮にスペーサ２０ａを積層体前方向に延伸させた場合、積層体前方向に延伸させたスペーサ２０ａと重なる空間に中空部ＵＦＨＰが形成される。つまり、非湾曲区間Ａ１に複数の絶縁体層（絶縁体層１３ａ，１２ａ）によって密閉される部分である中空部ＵＦＨＰが形成される。

中空部ＵＢＨＰは、積層体前後方向においてスペーサ２０ａよりも後に位置する。つまり、仮にスペーサ２０ａを積層体後方向に延伸させた場合、積層体後方向に延伸させたスペーサ２０ａと重なる空間に中空部ＵＢＨＰが形成される。つまり、非湾曲区間Ａ３に複数の絶縁体層（絶縁体層１３ａ，１２ａ）によって密閉される部分である中空部ＵＢＨＰが形成される。

中空部ＵＦＨＰ，ＵＢＨＰと同様にして、図１７に示すように、非湾曲区間Ａ１，Ａ３では、絶縁体層１２ｃよりも下に位置し、且つ、絶縁体層１３ｂよりも上に位置する領域に、空気により形成される中空部ＤＦＨＰ，ＤＢＨＰが設けられる。

中空部ＤＦＨＰは、積層体前後方向においてスペーサ２０ｂよりも前に位置する。すなわち、仮にスペーサ２０ｂを積層体前方向に延伸させた場合、積層体前方向に延伸させたスペーサ２０ｂと重なる空間に中空部ＤＦＨＰが形成される。つまり、非湾曲区間Ａ１に複数の絶縁体層（絶縁体層１３ｂ，１２ｃ）によって密閉される部分である中空部ＤＦＨＰが形成される。

中空部ＤＢＨＰは、積層体前後方向においてスペーサ２０ｂよりも後に位置する。つまり、仮にスペーサ２０ｂを積層体後方向に延伸させた場合、積層体後方向に延伸させたスペーサ２０ｂと重なる空間に中空部ＤＢＨＰが形成される。つまり、非湾曲区間Ａ３に複数の絶縁体層（絶縁体層１３ｂ，１２ｃ）によって密閉される部分である中空部ＤＢＨＰが形成される。

これにより、多層基板１０ｄには、誘電率の低い空気により形成される中空部ＵＦＨＰ，ＵＢＨＰ，ＤＦＨＰ，ＤＢＨＰが設けられる。これにより、信号の誘電損失が減る。

図１６及び図１７に示すように、多層基板１０ｄの非湾曲区間Ａ１，Ａ３では、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌとグランド導体層１４ｂとの間に複数の球状導体ＳＢが設けられる。同様にして、多層基板１０ｄの非湾曲区間Ａ１，Ａ３では、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ａとの間に球状導体ＳＢが設けられる。球状導体ＳＢとグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとは、半田により接続される。なお、本実施例において、球状導体ＳＢとは、具体的には、球状の導体の周囲を半田で覆ったものである。球状導体ＳＢは、一定の直径を有する。球状導体は、半田よりも高融点である。

図１７に示すように、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌとグランド導体層１４ｂとの間に設けられた球状導体ＳＢの積層体上下方向における高さは、スペーサ２０ｂの積層体上下方向における高さと同じである。これにより、非湾曲区間Ａ１，Ａ３において、多層基板１０ｄが、積層体上下方向に曲がる可能性が低減される。従って、球状導体ＳＢを設けることによって、積層体前後方向に亘ってグランド導体層１４ｂと絶縁体層１２ｃとの間の距離が一定の距離で維持される。

同様にして、図１７に示すように、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌとグランド導体層１４ａとの間に設けられた球状導体ＳＢによって、積層体前後方向に亘ってグランド導体層１４ａと絶縁体層１２ａとの間の距離が一定の距離で維持される。

［実施例５の実施形態の効果］
多層基板１０ｄによれば、多層基板１０ｄを作製するコストを低減できる。より詳細には、多層基板１０ｄにおいてスペーサ２０ａ，２０ｂは、圧力の加わる部分である湾曲区間Ａ２に配置され、且つ、非湾曲区間Ａ１，Ａ３には配置されない。言い換えると、多層基板１０ｄの破損の原因になり得る湾曲区間Ａ２以外は、スペーサ２０ａ，２０ｂを配置しない。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂの量を減らすことが可能である。従って、多層基板１０ｄを作製するコストが低減できる。

また、多層基板１０ｄによれば、信号導体層ＳＬを伝送される高周波信号に生じる誘電損失が減る。より詳細には、多層基板１０ｄにおいて、非湾曲区間Ａ１，Ａ３には、空気により形成される中空部が設けられる。言い換えると、多層基板１０ｄにおいて、多層基板１０ｄの破損の原因になり得る湾曲区間Ａ２以外は、中空部を設けることが可能である。従って、中空部が設けられるぶん、誘電率の低い空気により形成される多層基板１０ｄの領域が増える。従って、多層基板１０ｄは、信号の誘電損失を低減可能である。

なお、多層基板１０ｄにおいて、湾曲区間Ａ２（スペーサ２０ａ，２０ｂが配置される区間）の信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さは、非湾曲区間Ａ１，Ａ３（スペーサ２０ａ，２０ｂが配置されない区間）の積層体左右方向における幅の長さよりも短いことが好ましい。これにより、スペーサ２０ａ、２０ｂの位置する区間と、スペーサ２０ａ、２０ｂの位置しない区間との間で、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれが生じる可能性を低減できる。

（実施例５の変形例１）
以下、実施例５の変形例１に係る多層基板１０ｄ２について図面を参照しながら説明する。図１８は、実施例５の変形例１に係る多層基板１０ｄ２の側面図である。なお、図１８は、グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌを透視した図である。

多層基板１０ｄ２は、中空部ＵＦＨＰ，ＵＢＨＰ，ＤＦＨＰ，ＤＢＨＰに半田Ｓｄが設けられている点で、多層基板１０ｄと異なる。半田Ｓｄは、半田Ｓｄ１と半田Ｓｄ２とを有している。半田Ｓｄ１は、絶縁体層１３ａと絶縁体層１２ａとの間に位置する。半田Ｓｄ１は、絶縁体層１３ａ及び絶縁体層１２ａと接する。この場合、半田Ｓｄ１によって絶縁体層１３ａと絶縁体層１２ａとの接合強度が高くなる。また、半田Ｓｄ１によって、絶縁体層１３ａと絶縁体層１２ａとの距離が一定の距離で維持される。従って、信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ａとの間の電気容量が変化しにくい。

半田Ｓｄ２は、絶縁体層１３ｂと絶縁体層１２ｃとの間に位置する。半田Ｓｄ２は、絶縁体層１３ｂ及び絶縁体層１２ｃと接する。この場合、半田Ｓｄ１と同様にして、半田Ｓｄ２によって絶縁体層１３ｂと絶縁体層１２ｃとの接合強度が高くなる。そして、信号導体層ＳＬとグランド導体層１４ｂとの間の電気容量が変化しにくい。

（実施例６の実施形態）
［多層基板１０ｅの構造］
以下に、本発明の実施例６の実施形態に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１９は、実施例６の実施形態に係る多層基板１０ｅを備える電子機器２の側面図である。図２０は、実施例６の実施形態に係る多層基板１０ｅを備える電子機器２の上面図である。図２１は、実施例６の実施形態に係る多層基板１００ｅを備える電子機器２ａの上面図である。

多層基板１０ｅは、実装電極部ＥＰ１及びＥＰ２のそれぞれに位置するスペーサ２０ａ，２０ｂを有する点で、多層基板１０と異なる。

以下、より詳細に説明する。図１９及び図２０に示すように、多層基板１０ｅの外部電極３０ａは、積層体上下方向に見て実装電極部ＥＰ１に位置するスペーサ２０ａ，２０ｂと重なる。また、図１９及び図２０に示すように、電子機器２において外部電極３０ｂは、積層体上下方向に見て実装電極部ＥＰ２に位置するスペーサ２０ａ，２０ｂと重なる。この場合、電子機器２は、実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２にスペーサ２０ａ，２０ｂが配置された多層基板１０ｅを備える。

なお、図１９及び図２０に示すように多層基板１０ｅは、ｚ軸方向に折れ曲がっていてもよい。

なお、多層基板１０ｅは、スペーサ２０ａ，２０ｂを更に湾曲区間Ａ２に備えてもよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂは、積層体上下方向から見て、外部電極３０ａ，３０ｂと重なる位置のみに配置してもよい。

また、図２１に示すように、ｘ軸方向に弧状に曲がっている多層基板１００ｅが、外部電極３０ａ，３０ｂと重なるスペーサ２０ａ，２０ｂを備えていてもよい。この場合、多層基板１００ｅを備える電子機器２ａは、実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２にスペーサ２０ａ，２０ｂが配置された多層基板１００ｅを備える。

なお、多層基板１００ｅを、更にｚ軸方向に折り曲げることも可能である。

なお、多層基板１００ｅは、スペーサ２０ａ，２０ｂを更に湾曲区間Ｂ２に備えてもよい。

［実施例６の実施形態の効果］
多層基板１０ｅ又は多層基板１００ｅによれば、回路基板２００又は回路基板２０１への多層基板１０ｅ又は多層基板１００ｅの実装時に、実装不良が発生する可能性を低減できる。一般的に、外部電極に回路基板を接続する場合、外部電極及び外部電極を有する実装電極部に、圧力が発生する。このとき、圧力によって、実装電極部が変形する可能性がある。一方、多層基板１０ｅ又は多層基板１００ｅにおいて、スペーサ２０ａ，２０ｂは、積層体上下方向から見て外部電極３０ａに重なる。同様にして，スペーサ２０ａ，２０ｂは、積層体上下方向から見て外部電極３０ｂに重なる。言い換えると、スペーサ２０ａ，２０ｂにより、実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２の強度が高まる。従って、外部電極３０ａ，３０ｂへの回路基板２００，２０１の接続時に発生する圧力によって実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２が変形する可能性を低減できる。結果、多層基板１０ｅ又は多層基板１００ｅは、回路基板２００又は回路基板２０１への多層基板１０ｅ又は多層基板１００ｅの実装時に、実装不良が発生する可能性を低減できる。

（実施例７の実施形態）
［多層基板１０ｆの構造］
以下に、本発明の実施例７の実施形態に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図２２は、実施例７の実施形態に係る多層基板１０ｆのＡ－Ａにおける断面図である。

多層基板１０ｆは、複数のスペーサが重なっている点で多層基板１０と異なる。

以下、より詳細に説明する。多層基板１０ｆは、スペーサ２０ａよりも下に位置し、且つ、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌよりも上に位置するスペーサ２０ｃを備える。言い換えると、多層基板１０ｆは、絶縁体層１２ａよりも上に位置する複数のスペーサ（スペーサ２０ａ，２０ｃ）を備える。この場合、スペーサ２０ａとスペーサ２０ｃとは、互いに隣接している。

同様にして、多層基板１０ｆは、スペーサ２０ｂよりも上に位置し、且つ、グランド導体層１５Ｒ，１５Ｌよりも下に位置するスペーサ２０ｄを備える。言い換えると、多層基板１０ｆは、絶縁体層１２ｃよりも下に位置する複数のスペーサ（スペーサ２０ｂ，２０ｄ）を備える。この場合、スペーサ２０ｂとスペーサ２０ｄとは、互いに隣接している。

なお、多層基板１０ｆのその他の構成に関しては、多層基板１０と同様の構成であるため、説明を省略する。

（実施例７の実施形態の効果）
多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｆが破損する可能性を低減できる。より詳細には、多層基板１０ｆは、積層体上下方向において互いに隣接する複数のスペーサ（スペーサ２０ａ，２０ｃ及びスペーサ２０ｂ，２０ｄ）を備えている。これにより、多層基板１０ｆの強度が高まる。従って、多層基板１０ｆが、破損する可能性を低減できる。

（実施例８の実施形態）
［多層基板１０ｇの構造］
以下、本発明の実施例８の実施形態に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図２３は、実施例８の実施形態に係る多層基板１０ｇのＡ－Ａにおける断面図である。

図２３に示すように、多層基板１０ｇは、スペーサ２０ａとスペーサ２０ｂの配置が異なる点で、多層基板１０と異なる。

以下、より詳細に説明する。積層体上下方向から見て、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１（スペーサ２０ａを積層体上下方向に貫通する貫通孔）の重心の位置は、スペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１（スペーサ２０ｂを積層体上下方向に貫通する貫通孔）の重心の位置と異なる。言い換えると、積層体上下方向から見て、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１と、スペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１とが重ならない（積層体上下方向から見て、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１の位置と、スペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１の位置とがずれている）。

具体的には、図２３に示すように、信号導体層ＳＬよりも上に位置するスペーサ２０ａにおいて貫通孔Ｈ１の重心を通る直線Ｏ１であって、積層体上下方向に延びる直線Ｏ１を定義する。次に、信号導体層ＳＬよりも下に位置するスペーサ２０ｂにおいて貫通孔Ｈ１の重心を通る直線Ｏ２であって、積層体上下方向に延びる直線Ｏ２を定義する。そして、多層基板１０ｇは、積層体左右方向から見て、直線Ｏ１の位置と直線Ｏ２の位置とが異なる。この場合、積層体上下方向から見て、スペーサ２０ａのそれぞれの貫通孔Ｈ１の重心の位置は、スペーサ２０ｂのそれぞれ貫通孔Ｈ１の重心の位置と異なる状態となる。

［実施例８の実施形態の効果］
多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ｇの破損の可能性を低減できる。より詳細には、積層体上下方向から見て、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１の位置と、スペーサ２０ｂの貫通孔Ｈ１の位置とがずれている。これにより、スペーサ２０ａに発生する圧力が、積層体上下方向における同じ軸上（例えば、直線Ｏ１上）に集中しない。言い換えると、多層基板１０ｇに掛かる圧力を分散させることが可能である。従って、多層基板１０ｇの破損の可能性を低減できる。

（スペーサ２０ａ，２０ｂの変形例１）
以下、スペーサ２０ａの変形例１について図面を参照しながら説明する。図２４は、スペーサ２０ａの変形例１に係るスペーサ２１ａの上面図である。スペーサ２１ａは、方向ＦＤに沿って並ぶ貫通孔Ｈ１の組の数が異なる点で、スペーサ２０ａと相違する。また、スペーサ２１ａの貫通孔Ｈ１は、方向ＦＤと異なる方向であり、且つ、方向ＳＤと異なる方向ＴＤに沿って並ぶ点で、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１と異なる。

図２４に示すように、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の間隔は、均一である。換言すれば、方向ＦＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は、均一である。例えば、図２４に示すように、方向ＦＤに沿って並ぶ３つの貫通孔Ｈ１のそれぞれの重心を重心Ｇ１１，Ｇ１２，Ｇ１３と定義する。重心Ｇ１１を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ１２を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。重心Ｇ１２を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ１３を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。この場合、図２４に示すように重心Ｇ１１と重心Ｇ１２との距離Ｄ１１の長さと、重心Ｇ１２と重心Ｇ１３との距離Ｄ１２の長さとが等しくなる。

図２４に示すように、スペーサ２１ａの場合、方向ＦＤに沿って並ぶ貫通孔の組が、５組存在する。以下では、５組は、組ＧＬ２，ＧＬＣ２，ＧＣ２，ＧＲＣ２，ＧＲ２を含んでいる。図２４に示すように、組ＧＲ２，ＧＲＣ２，ＧＣ２，ＧＬＣ２，ＧＬ２は、右から左へとこの順に並んでいる。また、組ＧＬ２に属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＬ２と呼ぶ。組ＧＬＣ２に属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＬＣ２と呼ぶ。組ＧＣ２に属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＣ２と呼ぶ。組ＧＲＣ２に属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＲＣ２と呼ぶ。組ＧＲ２に属する複数の貫通孔Ｈ１を複数の貫通孔ＨＲ２と呼ぶ。このように、複数の貫通孔Ｈ１は、スペーサ２１ａに行列上に設けられている。

図２４に示すように、複数の貫通孔Ｈ１の組は、方向ＦＤと異なる方向に沿って並ぶ。例えば、図２４に示すように、複数の貫通孔Ｈ１は、左後方向又は右前方向である方向ＴＤに沿って並ぶ。すなわち、方向ＴＤは、方向ＦＤの方向ベクトル成分と、方向ＳＤの方向ベクトル成分を含む。この場合、方向ＴＤに沿って貫通孔Ｈ１が並ぶ場合、方向ＴＤと方向ＦＤのなす鋭角θ１が定義できる。また、組ＧＲ２，ＧＲＣ２，ＧＣ２，ＧＬＣ２，ＧＬ２におけるそれぞれの貫通孔Ｈ１は、方向ＴＤに沿って並ぶ。なお、図２４に示した方向ＴＤの延びる方向は一例である。そのため、方向ＴＤは、必ずしも方向ＦＤに沿って延びる方向であって、方向ＳＤに沿って延びる方向でなくてよい。

この場合、方向ＴＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の間隔は、均一である。換言すれば、方向ＴＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１において隣り合う貫通孔Ｈ１の重心間の距離は均一である。具体的には、図２４に示すように、方向ＴＤに沿って並ぶ３つの貫通孔Ｈ１のそれぞれの重心を重心Ｇ１４，Ｇ１５，Ｇ１６と定義する。重心Ｇ１４を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ１５を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。重心Ｇ１５を定義した貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ１６を定義した貫通孔Ｈ１とは隣り合う。この場合、図２４に示すように、重心Ｇ１４と重心Ｇ１５との距離Ｄ１３の長さと、重心Ｇ１５と重心Ｇ１６との距離Ｄ１４の長さとが等しくなる。

［スペーサ２１ａの効果］
スペーサ２１ａによれば、スペーサ２１ａは、折れ曲がりやすくなる。より詳細には、スペーサ２１ａは、方向ＴＤに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１の組を、複数組有する。上記の構成によって、スペーサ２１ａに設けられる貫通孔Ｈ１の数が増える。これにより、スペーサ２１ａを折り曲げた場合に、スペーサ２１ａにおいて角となる部分と貫通孔Ｈ１とが積層体上下方向において重なりやすくなる。従って、スペーサ２１ａが折れ曲がりやすくなる。

（スペーサ２１ａの変形例）
以下、スペーサ２１ａの変形例について図面を参照しながら説明する。図２５は、スペーサ２１ａの変形例に係るスペーサ２２ａの上面図である。図２６は、スペーサ２２ａ、信号導体層ＳＬ、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒ、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの上面図である。なお、図２６では、信号導体層ＳＬとグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒとグランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌとを透視した。

スペーサ２２ａは、方向ＦＤに沿って並ぶ貫通孔の配列が異なる点で、スペーサ２１ａと異なる。具体的には、スペーサ２２ａにおいて方向ＦＤに沿って並ぶ貫通孔Ｈ１の組を複数組定義する。そして、所定の組（以下、第１の組と称す）に属する貫通孔Ｈ１は、積層体前後方向（方向ＦＤ）から見て、第１の組とは異なる組に属する貫通孔Ｈ１と重なる。

以下、より詳細に説明する。図２５に示すように、スペーサ２２ａでは、積層体前後方向に沿って並ぶ貫通孔の組が複数組定義できる。例えば、図２５に示すように、スペーサ２２ａでは、積層体左右方向に並ぶ貫通孔の組ＧＲ３０，ＧＲ４０，ＧＲ５０を定義できる。組ＧＲ３０，ＧＲ４０，ＧＲ５０は、積層体左方向にこの順に並ぶ。以下、組ＧＲ３０に属する複数の貫通孔を貫通孔ＨＲ３０と呼ぶ。また、組ＧＲ４０に属する複数の貫通孔を貫通孔ＨＲ４０と呼ぶ。更に、組ＧＲ５０に属する複数の貫通孔を貫通孔ＨＲ５０と呼ぶ。

この場合、貫通孔ＨＲ４０は、図２５に示すように、積層体前後方向から見て貫通孔ＨＲ３０及び貫通孔ＨＲ５０と重なる。同様にして、貫通孔ＨＲ３０は、図２５に示すように、積層体前後方向から見て貫通孔ＨＲ４０と重なる。同様にして、貫通孔ＨＲ５０は、図２５に示すように、積層体前後方向から見て貫通孔ＨＲ４０と重なる。

［スペーサ２２ａの効果］
スペーサ２２ａによれば、多層基板において特性インピーダンスが所望の特性インピーダンスからずれる可能性を低減できる。より詳細には、積層体上下方向から見て信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌと重なる貫通孔Ｈ１の数が増える。具体的には、図２６に示すスペーサ２２ａでは、組ＧＲ３０に属する複数の貫通孔ＨＲ３０と組ＧＲ４０に属する複数の貫通孔ＨＲ４０と組ＧＲ５０に属する複数の貫通孔ＨＲ５０とが、積層体上下方向から見てグランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒに重なる。同様にして、図２６に示すスペーサ２２ａでは、信号導体層ＳＬと重なる複数の貫通孔Ｈ１を有する組が複数組存在する。同様にして、図２６に示すスペーサ２２ａでは、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌと重なる複数の貫通孔Ｈ１を有する組が複数存在する。これにより、絶縁体層１３ａにスペーサ２２ａを積層したときに、絶縁体層１３ａに対してスペーサ２２ａの積層位置がずれた場合であっても、積層体上下方向から見て信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌと重なる貫通孔Ｈ１の面積の総和が変化しにくい。従って、スペーサ２２ａを備える多層基板において特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれる可能性を低減できる。

（スペーサ２０ａの変形例２）
以下、スペーサ２０ａの変形例２について図面を参照しながら説明する。図２７は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２３ａの上面図である。図２８は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２４ａの上面図である。図２９は、スペーサ２０ａの変形例２に係るスペーサ２５ａの上面図である。なお、図２７、図２８及び図２９では、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａをドットパターンで示している。

スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａは、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１と異なる形状の貫通孔Ｈ１が設けられている点で、スペーサ２０ａと異なる。具体的には、スペーサ２０ａの貫通孔Ｈ１を積層体上下方向から見た形状は円形である。一方、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの貫通孔Ｈ１を、積層体上下方向から見た形状は正多角形である。言い換えると、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの上面及び下面における貫通孔Ｈ１の形状は、対称性を有する正多角形である。

例えば、図２７に示すように、スペーサ２３ａの貫通孔Ｈ１を積層体上下方向から見た形状は、正三角形である。言い換えると、スペーサ２３ａの上面及び下面における貫通孔Ｈ１の形状は、正三角形である。

同様にして、図２８に示すように、スペーサ２４ａの貫通孔Ｈ１を積層体上下方向から見た形状は、正四角形である。言い換えると、スペーサ２４ａの上面及び下面における貫通孔Ｈ１の形状は、正四角形である。

同様にして、図２９に示すように、スペーサ２５ａの貫通孔Ｈ１を積層体上下方向から見た形状は、正六角形である。言い換えると、スペーサ２５ａの上面及び下面における貫通孔Ｈ１の形状は、正六角形である。

貫通孔Ｈ１の形状が、正多角形であるスペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの貫通孔Ｈ１の辺の長さ（多角形の一辺の長さ）は、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さよりも短い。

更に、貫通孔Ｈ１の形状が、正多角形であるスペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの貫通孔Ｈ１の辺の長さは、スペーサ２２ａ，２３ａ，２４ａの前記積層体上下方向における厚みよりも長い。

正多角形の形状である貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て対称性を有する。具体的には、正多角形は、線対称、又は、点対称である。

以下、正多角形が線対称である場合を、より詳細に説明する。例えば、図２７に示すように、スペーサ２３ａの正三角形の形状の貫通孔Ｈ１は、対称軸Ｓ１に関して、線対称である。また、図２７に示すように、対称軸Ｓ１は、正三角形の頂点ＶＴ１と頂点の対辺Ｅ１とを結んでいる。図２７に示すように、スペーサ２３ａにおいて、信号導体層ＳＬに沿って延びる線ＡＳ１を定義する。この場合、信号導体層ＳＬに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１の対称軸Ｓ１は、線ＡＳ１上に位置する。

また、図２７に示す例のように、線ＡＳ１上に位置する三角形の向く方向は、同一でなくてよい。例えば、図２７に示すように、線ＡＳ１上に位置する貫通孔Ｈ１は、三角形の頂点ＶＴ１が、積層体前後方向において頂点の対辺Ｅ１よりも前に位置する貫通孔ＦＨと、三角形の頂点ＶＴ２が、積層体前後方向において頂点の対辺Ｅ２よりも後に位置する貫通孔ＢＨとを含む。

なお、全ての貫通孔Ｈ１の三角形の向く方向が同一であってもよい。具体的には、線ＡＳ１上に位置する貫通孔Ｈ１が、貫通孔ＦＨのみを含んでいてもよい。同様にして、線ＡＳ１上に位置する貫通孔Ｈ１が、貫通孔ＢＨのみを含んでいてもよい。

また、図２９に示すように、スペーサ２５ａの貫通孔Ｈ１の積層体上下方向から見た形状が正六角形である場合も、貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て線対称である。具体的には、図２９に示すように、正六角形の形状の貫通孔Ｈ１は、対称軸Ｓ３に関して線対称である。

この場合、スペーサ２５ａにおいて信号導体層ＳＬに沿って延びる直線ＡＳ３を定義できる。このとき、信号導体層ＳＬに沿って並ぶ複数の貫通孔Ｈ１の対称軸Ｓ３は、信号導体層ＳＬに沿って延びる直線ＡＳ３上に位置する。

なお、図２９において対称軸Ｓ３は、正六角形の向かい合う２つの頂点上に位置する。しかし、貫通孔Ｈ１の形状が正六角形の場合、対称軸Ｓ３が、正六角形の互いに平行な２つの辺の中点上に位置していてもよい。

以下、正多角形が、点対称である場合をより詳細に説明する。例えば、図２８に示すように、スペーサ２４ａの正四角形の形状の貫通孔Ｈ１は、対称点Ｐ１（又はＰ２）に関して点対称である。この場合、図２８に示すように、それぞれの貫通孔Ｈ１の対称点Ｐ１，Ｐ２は、信号導体層ＳＬに沿って延びる線ＡＳ２上に位置する。なお、図２８において、線ＡＳ２は、積層体左右方向に沿って延びる直線である。

そして、積層体上下方向から見て、正多角形の辺のうち、線ＡＳ２と交わる辺と、線ＡＳ２とでなされる９０°以下の角度で形成される角を定義する。このとき、１つの貫通孔Ｈ１において線ＡＳ２と交わる辺と線ＡＳ２とでなされる角の角度は、別の貫通孔Ｈ１において線ＡＳ２と交わる辺と線ＡＳ２とでなされる各の角度と、同一となる。

例えば、図２８に示すように、積層体上下方向から見て、点対称となる点Ｐ１が定義された貫通孔Ｈ１において線ＡＳ２と交わる辺と、直線ＡＳ２とでなされる角θ２を定義する。また、積層体上下方向から見て、点対称となる点Ｐ２が定義された貫通孔Ｈ１における直線ＡＳ２と交わる辺と、直線ＡＳ２とでなされる角θ３を定義する。このとき、角θ２，θ３の角度は、９０°以下である。そして、角θ２の角度と、角θ３の角度とが、同一となる。

（スペーサ２０ａの変形例２の効果）
スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａによれば、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの破損の可能性を低減できる。より詳細には、貫通孔Ｈ１の形状は積層体上下方向から見て、対称性を有する正多角形である。この場合、それぞれの貫通孔Ｈ１の間に形成されているスペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの幅が一定になる。従って、部分ごとにスペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの強度がばらつかない。結果、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの破損の可能性が低減できる。

また、貫通孔の形状が正多角形であるスペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａでは、スペーサ２０ａ（形状が円形）よりも貫通孔Ｈ１同士を近接して配置できる。これにより、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの空孔率は、スペーサ２０ａの空孔率と比較して、高くなりやすい。

以上の構成により、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの空孔率とスペーサ２０ａの空孔率とが同じ場合であっても、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの強度は、スペーサ２０ａの強度よりも強くなる。

スペーサ２５ａによれば、スペーサ２５ａは破損する可能性を低くできる。より詳細には、貫通孔の形状が、正六角である場合、貫通孔Ｈ１の角は鈍角となる。これにより、貫通孔Ｈ１の角となる部分に圧力が加わった場合に、貫通孔Ｈ１の角となる部分に破損が発生する可能性を低くすることができる。結果、スペーサ２５ａの破損する可能性を低くできる。

また、スペーサ２５ａによれば、スペーサ２５ａは空孔率を、高めやすい。以下、貫通孔Ｈ１の形状が正六角形であるスペーサ２５ａと、貫通孔Ｈ１の形状が正五角形（角が鈍角となる正多角形）であるスペーサ（以下、比較例３と称す）とを比較して説明する。正五角形の角は鈍角である比較例３は、スペーサ２５ａと同様に、破損する可能性を低くすることができる。しかし、比較例３の場合、貫通孔Ｈ１同士を近接して配置することができない。一方、貫通孔Ｈ１の形状が正六角形である場合、貫通孔Ｈ１同士を近接して配置することができる。従って、スペーサ２５ａの空孔率をスペーサ２５ａの全体に亘って高めることが可能である。また、この場合、スペーサ２５ａの全体に亘って、高い空孔率となる。そのため、スペーサ２５ａの部分によって、スペーサ２５ａの空孔率が変化する可能性が低い。従って、スペーサ２５ａを備える多層基板は、空孔率の変化幅が小さくなる（変化幅が安定する）。

スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａによれば、貫通孔Ｈ１がふさがる可能性を低減できる。より詳細には、貫通孔Ｈ１の正多角形の辺の長さは、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの積層体上下方向における厚みよりも長い。これにより、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａの厚みに対して、貫通孔Ｈ１の大きさを大きくすることができる。従って、スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａを折り曲げた場合等において、貫通孔Ｈ１が、ふさがる可能性を低減できる。

スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａを備える多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスがずれる可能性を低減できる。より詳細には、貫通孔Ｈ１の正多角形の辺の長さは、信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さＲ２よりも短い。この場合、積層体上下方向に見て信号導体層ＳＬに重なる貫通孔ＨＣＣと積層体上下方向に見てグランド導体層１３Ｒに重なる貫通孔ＨＧＲとの距離が長くなる。従って、積層体上下方向に見て貫通孔ＨＧＲに設けられた導電材ＣＲと貫通孔ＨＣＣとの距離が長くなる。これにより、例えば、貫通孔ＨＧＲから導電材ＣＲが漏れた場合に、漏れた導電材ＣＲが、貫通孔ＨＣＣに入り込む可能性が低減される。同様にして、貫通孔ＨＧＬから導電材ＣＬが漏れた場合に、漏れた導電材ＣＬが、貫通孔ＨＣＣに入り込む可能性が低減される。従って、貫通孔ＨＧＲから漏れた導電材ＣＲ及び貫通孔ＨＧＬから漏れた導電材ＣＬによって、多層基板１０の信号導体層ＳＬの特性インピーダンスがずれる可能性を低減できる。

スペーサ２３ａ，２４ａ，２５ａを備える多層基板１０によれば、信号導体層ＳＬの特性インピーダンスのずれの抑制が可能である。より詳細には、貫通孔Ｈ１の正多角形の辺の長さは、信号導体層ＳＬの右端と、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒの左端との積層体左右方向における距離の長さよりも短い。また、貫通孔Ｈ１の正多角形の辺の長さは、信号導体層ＳＬの左端と、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの右端との積層体左右方向における距離の長さよりも短い。上記の構成により、貫通孔Ｈ１は、積層体上下方向から見て、信号導体層ＳＬ及びグランド導体層１３Ｒ，１３Ｌの両方と、に重ならない。従って、グランド導体層１３Ｒ又はグランド導体層１３Ｌに接続された導電材Ｃと信号導体層ＳＬとが、接近しにくくなる。結果、多層基板１０は、信号導体層ＳＬのインピーダンスのずれの抑制を可能とする。

（スペーサ２０ａの変形例３）
以下、スペーサ２０ａの変形例について図面を参照しながら説明する。図３０は、スペーサ２０ａの変形例３に係るスペーサ２６ａの上面図である。

スペーサ２６ａは、貫通孔Ｈ１と異なる形状の貫通孔が設けられている点でスペーサ２０ａと相違する。

図３０に示すように、スペーサ２６ａには、貫通孔Ｈ１の形状と異なる形状の貫通孔（以下、サブ貫通孔ＳＨと称す）が設けられている。サブ貫通孔ＳＨは、スペーサ２６ａを積層体上下方向に貫通する。

図３０に示すように、サブ貫通孔ＳＨの径の大きさは、貫通孔Ｈ１の径の大きさよりも小さい。

また、スペーサ２６ａのサブ貫通孔ＳＨは、スペーサ２６ａの貫通孔Ｈ１と重ならない位置に存在する。例えば、図３０において、スペーサ２６ａのサブ貫通孔ＳＨは、積層体上下方向から見て４つの貫通孔Ｈ１に囲まれた位置に存在する。

図３０に示すように、複数のサブ貫通孔ＳＨは、方向ＳＤに沿って並ぶ。貫通孔Ｈ１と同様にして、複数のサブ貫通孔ＳＨにおいて隣り合うサブ貫通孔ＳＨの間隔は、均一である。換言すれば、複数のサブ貫通孔ＳＨにおいて隣り合うサブ貫通孔ＳＨの重心間の距離は、均一である。

なお、スペーサ２６ａのサブ貫通孔ＳＨの形状は、円形以外の形状(例えば、多角形等)であってもよい。

（スペーサ２０ａの変形例３の効果）
スペーサ２６ａによれば、多層基板１０を流れる高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。より詳細には、スペーサ２６ａは、貫通孔Ｈ１と異なる形状のサブ貫通孔ＳＨを有する。すなわち、サブ貫通孔ＳＨによって、空気により形成される貫通孔を更にスペーサへ形成できる。従って、スペーサ２６ａを備える多層基板１０において、空孔率が増加する。多層基板１０の空孔率が増加することによって、多層基板１０を流れる高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅに限らず、その要旨の範囲内で変更可能である。また、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅの構成を任意に組み合わせてもよい。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｈに関して図３１を参照して説明する。図３１は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｈのＡ－Ａにおける断面図である。

例えば、図３１に示すように、多層基板１０ｈは、複数の多層基板を積層体上下方向に重ねた構造であってもよい。多層基板１０ｈでは、２つの多層基板が重ねられている。しかし、多層基板１０ｈにおいて、３個以上の多層基板が重ねられていてもよい。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｉに関して図３２を参照して説明する。図３２は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｉのＡ－Ａにおける断面図である。

例えば、図３２に示すように、多層基板は、導電材Ｃをスペーサ２０ｂの代わりとして用いた多層基板１０ｉでもよい。この場合、多層基板１０ｉは、導電材Ｃの積層体上下方向における厚みぶん、積層体上下方向に厚くなる。これにより、多層基板１０ｉは、図３２に示すように空気により形成される中空部ＨＰ１を備える。なお、スペーサ２０ｂの代わりに用いる導電材Ｃは、例えば半田である。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｋに関して図３３を参照して説明する。図３３は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｋのＡ－Ａにおける断面図である。

例えば、図３３に示すように、多層基板は、信号導体層ＳＬ３を更に備えた多層基板１０ｋでもよい。すなわち、多層基板１０ｋは、信号導体層ＳＬ及び信号導体層ＳＬ３を備える。信号導体層ＳＬ及び信号導体層ＳＬ３は、グランド導体層１４Ｌよりも右に位置する。また、信号導体層ＳＬ及び信号導体層ＳＬは、グランド導体層１４Ｒよりも左に位置する。そして、信号導体層ＳＬと、信号導体層ＳＬ３とは、積層体左右方向において順に並ぶ。言い換えると、多層基板１０ｋは、信号導体層ＳＬ及び信号導体層ＳＬ３の差動線路を有している。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｍに関して、図３４を参照して説明する。図３４は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｍのＡ－Ａにおける断面図である。

例えば、図３４に示すように、多層基板は、積層体左右方向に、更に伝送線路を備えた多層基板１０ｍでもよい。この場合、多層基板１０ｍは、多層基板１０と比較して積層体左右方向に長くなる。このとき、多層基板１０ｍは、信号導体層ＳＬ４、グランド導体層１３Ｍ，１４Ｍ，１５Ｍを更に備える。そして、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ、１５Ｌと、信号導体層ＳＬと、グランド導体層１３Ｍ，１４Ｍ，１５Ｍと、信号導体層ＳＬ４と、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒとが、積層体左右方向においてこの順に並ぶ。言い換えると。多層基板１０ｍは、高周波信号を伝送する積層体左右方向に並ぶ複数の線路を有する。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｎに関して、図３５を参照して説明する。図３５は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｎのＡ－Ａにおける断面図である。

例えば、図３５に示す多層基板１０ｎのように、グランド導体層１４ａとグランド導体層１４ｂとによりシールドされた領域外に、回路を構成する任意の配線パターン層を設けてもよい。例えば、図３５に示すように、多層基板１０ｎは、絶縁体層１３ａよりも上に位置する配線パターン層ＵＳＬ１，ＵＳＬ２，ＵＳＬ３と、絶縁体層１３ｂよりも下に位置する配線パターン層ＤＳＬ１，ＤＳＬ２と、を備える。図３５において、配線パターン層ＵＳＬ１，ＵＳＬ２，ＵＳＬ３は、積層体右方向にこの順に並ぶ。また、図３５において、配線パターン層ＤＳＬ１，ＤＳＬ２は、積層体右方向に、この順に並ぶ。なお、多層基板１０ｎにおいて、配線パターン層の数、配線パターン層の積層体左右方向における幅、配線パターン層の積層体上下方向における高さ等も任意である。配線パターン層とは、例えば、グランドパターンや、信号パターンや、アンテナパターン等である。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｐに関して、図３６を参照して説明する。図３６は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｐのＡ－Ａにおける断面図である。

図３６に示すように、多層基板は、絶縁体層１３ａ，１３ｂを備えない多層基板１０ｐでもよい。これにより、多層基板１０ｐは、絶縁体層１３ａ，１３ｂを備えないぶん、低コストで製造可能である。なお、多層基板１０ｐにおいて、スペーサ２０ａ及びグランド導体層１４ａは、例えば、キャリアフィルムに張り付けられた銅箔を転写する方法等により製造する。

以下、その他の実施形態に係る多層基板１０ｑ，１０ｒに関して、図３７及び図３８を参照して説明する。図３７は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｑのＡ－Ａにおける断面図である。多層基板１０ｑは、多層基板１０の変形例である。図３８は、その他の実施形態に係る多層基板１０ｒのＡ－Ａにおける断面図である。多層基板１０ｒ、多層基板１０ｂの変形例である。

図３７に示すように、多層基板の電極層（グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１４Ｒ，１４Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌ及び信号導体層ＳＬ）は、絶縁体層に埋め込まれていなくてもよい。具体的には、図３７に示すように、多層基板１０ｑにおいて電極層は、絶縁体層１３ａ，１３ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃに埋め込まれていない。言い換えると、多層基板１０ｑにおいて電極層の右端及び左端から延びる方向に、絶縁体層１３ａ，１３ｂ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃが設けられていない。例えば、グランド導体層１３Ｒ，１３Ｌの右端及び左端から延びる方向に、絶縁体層１２ａが設けられていない。

多層基板１０ｑの場合、空気により形成される領域が増える。例えば、グランド導体層１３Ｒとグランド導体層１３Ｌとの間に、空気により形成される中空部ＨＰ１０が形成される。同様にして、グランド導体層１５Ｒとグランド導体層１５Ｌとの間に、中空部ＨＰ１３が形成される。

これにより、多層基板１０ｑにおいて、誘電率の低い空気により形成される領域（例えば、中空部ＨＰ１０，ＨＰ１３である）が増える。従って、多層基板１０ｑは、信号の誘電損失を低減可能である。

多層基板１０ｑと同様にして、図３８に示すように、多層基板１０ｒにおいて電極層（グランド導体層１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ，１３Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌ及び信号導体層ＳＬ）は、絶縁体層１３ａ，６０に埋め込まれていなくてよい。この場合、多層基板１０ｑと同様にして、多層基板１０ｒには、中空部ＨＰ１１，ＨＰ１２，ＨＰ１３が形成される。グランド導体層１３Ｌと信号導体層ＳＬとの間に中空部ＨＰ１１が形成される。グランド導体層１３Ｒと信号導体層ＳＬとの間に中空部ＨＰ１２が形成される。従って、多層基板１０ｒにおいて中空部の領域が増えるため、多層基板１０ｒにおける信号の誘電損失を低減可能である。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの上主面及び下主面には、接着性のある材料から作られる接着材が塗布されていてもよい（又は貼り付けられていてもよい）。この場合、貫通孔Ｈ１を有するスペーサ２０ａと絶縁体層１３ａ，１２ａとが接着剤により接着される。これにより、スペーサ２０ａと絶縁体層１３ａ，１２ａとが剥がれにくくなる。同様にして、貫通孔Ｈ１を有するスペーサ２０ｂと絶縁体層１３ｂ，１２ｃとが接着材により接着される。これにより、スペーサ２０ｂと絶縁体層１３ｂ，１２ｃとが剥がれにくくなる。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅでは、貫通孔Ｈ１の径及び辺の長さは、必ずしも信号導体層ＳＬの積層体左右方向における幅の長さより短くなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅは、スペーサ２０ａ，２０ｂのいずれか一方を備えていればよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅは、グランド導体層１４Ｒ，１４Ｌを必ずしも備えなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅでは、貫通孔Ｈ１の積層体左右方向における径の長さは、必ずしもスペーサ２０ａ，２０ｂの積層体上下方向における厚みの長さよりも短くなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいて、貫通孔Ｈ１の径及び辺の長さは、信号導体層ＳＬの右端と、グランド導体層１３Ｒ，１４Ｒ，１５Ｒの左端との積層体左右方向における距離の長さＲ４よりも必ずしも短くなくてよい。また、貫通孔Ｈ１の径及び辺の長さは、信号導体層ＳＬの左端と、グランド導体層１３Ｌ，１４Ｌ，１５Ｌの右端との積層体左右方向における距離の長さＲ５よりも必ずしも短くなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいて、信号導体層ＳＬの延びる方向に沿って並ぶ複数の導電材Ｃにおいて隣り合う導電材Ｃの重心間の距離は、必ずしも均一でなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいて、積層体上下方向と直交する平面における貫通孔Ｈ１の断面積は、必ずしも信号導体層ＳＬに近づくに順って大きくなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいてスペーサ２０ａ，２０ｂの材料と、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料とが必ずしも同じでなくてよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、必ずしもポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂でなくてよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料よりも誘電率又は誘電正接の低い材料でもよい。例えば、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ、１３ｂの材料が、ポリイミドである場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、液晶ポリマーやＰＴＦＥ等のフッ素樹脂等でもよい。この場合、多層基板１０，１０ａ～１０ｎを流れる高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料よりも弾性率の高い材料（例えば、ＦＲ－４やガラス入りのＰＴＦＥ等である）でもよい。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの強度が向上する。従って、貫通孔Ｈ１の形状の変化が生じにくい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂの材料よりも弾性率の低い材料でもよい。例えば、絶縁体層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ、１３ｂの材料が、ポリイミドである場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの材料は、液晶ポリマーやＰＴＦＥ等のフッ素樹脂等でもよい。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂの柔軟性が高まる。従って、スペーサ２０ａ，２０ｂを破損することなく折り曲げること等が可能となる。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅの備える絶縁体層は、必ずしも貫通孔を有さなくてよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ａ１，２０ｂ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａが、貫通孔Ｈ１の形状と異なる形状のサブ貫通孔ＳＨを有していてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅは、湾曲区間Ａ２を必ずしも有していなくてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅが、湾曲区間Ａ２を有している場合に、スペーサ２０ａ，２０ｂが、必ずしも湾曲区間Ａ２に位置しなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅは、湾曲区間Ｂ２を必ずしも有していなくてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅが、湾曲区間Ｂ２を有している場合に、スペーサ２０ａ，２０ｂが、必ずしも湾曲区間Ｂ２に位置しなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいて、スペーサ２０ａ，２０ｂは、必ずしも実装電極部ＥＰ１，ＥＰ２に位置しなくてよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅにおいて、複数のスペーサが、積層体上下方向において必ずしも互いに隣接していなくてよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂの上面及び下面における貫通孔Ｈ１の形状は、必ずしも円形又は正多角形でなくてよい。

なお、方向ＦＤに沿って並ぶ貫通孔Ｈ１の組は、３組又は５組に限定されない。

なお、スペーサ２０ａには、必ずしも複数の貫通孔ＨＧＲを設けなくてよい。同様にして、スペーサ２０ａには、必ずしも複数の貫通孔ＨＧＬを設けなくてよい。

なお、本明細書において、重心とは、幾何学的重心である。具体的には、本明細書における重心とは、二次元平面における図形の重心である。従って、貫通孔Ｈ１の重心とは、例えば、以下である。積層体上下方向に直交する平面であって、スペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの上面と下面との間に位置する平面（以下、平面Ｘと称す）を定義する。例えば、スペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの上面と下面との中心（以下、中心Ｙと称す）に位置する平面Ｘを定義する。このとき、貫通孔Ｈ１において平面Ｘ上に位置する部分を、二次元平面上における図形Ｚと定義する。この場合、貫通孔Ｈ１の重心は、図形Ｚの重心である。従って、例えば、積層体上下方向に見て、貫通孔Ｈ１の形状が円形である場合、貫通孔Ｈ１において平面Ｘ上に位置する部分は、円形である。この場合、貫通孔Ｈ１の重心は、平面Ｘ上の円形の重心である。

このため、例えば、以下の方法によって、貫通孔Ｈ１の重心間の距離を測定する。中心Ｙにおいてスペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａを積層体上下方向と直交する方向に切断する。この場合、スペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの切断面が、平面Ｘである。従って、切断面において隣り合う複数の貫通孔Ｈ１の重心を測定する。複数の貫通孔Ｈ１の重心の測定後、隣り合う複数の貫通孔Ｈ１の重心間の距離を測定する。

なお、平面Ｘは、必ずしもスペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの上面と下面との中心に位置しなくてよい。平面Ｘは、スペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａの上面と下面との間であれば、どこに位置してもよい。

なお、スペーサ２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａにおいて隣り合う複数の貫通孔Ｈ１の重心間距離は、均一であるが、製造誤差の範囲でばらついていてもよい。例えば、図４において、距離Ｄ１と距離Ｄ２とは、均一であるが、製造誤差の範囲でばらついていてもよい。同様にして、図４において、Ｄ３と距離Ｄ４とは、均一であるが、製造誤差の範囲でばらついていてもよい。

製造誤差とは、例えば、以下である。隣り合う３つの貫通孔Ｈ１のそれぞれを貫通孔Ｐ、貫通孔Ｑ及び貫通孔Ｒと定義する。貫通孔Ｐ、貫通孔Ｑ及び貫通孔Ｒは、例えば、方向ＦＤにこの順に並んでいる。この場合、貫通孔Ｐと貫通孔Ｑとの距離を第１距離と定義し、且つ、貫通孔Ｑと貫通孔Ｒとの間の距離を第２距離と定義する。このとき、製造誤差は、第１距離及び第２距離の平均の２０％以下である。例えば、図４において、重心Ｇ１を有する貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ２を有する貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ３を有する貫通孔Ｈ１とが、方向ＦＤにこの順に並んでいる。この場合、例えば、重心Ｇ１を有する貫通孔Ｈ１の後端と重心Ｇ２を有する貫通孔Ｈ１の前端との間の距離が、第１距離である。また、例えば、重心Ｇ２を有する貫通孔Ｈ１の後端と重心Ｇ３を有する貫通孔Ｈ１の前端との間の距離が、第２距離である。従って、図４において、製造誤差は、重心Ｇ１を有する貫通孔Ｈ１の後端と重心Ｇ２を有する貫通孔Ｈ１の前端との間の距離、及び、重心Ｇ２を有する貫通孔Ｈ１の後端と重心Ｇ３を有する貫通孔Ｈ１の前端との間の距離の平均の２０％以下である。

なお、製造誤差は、例えば、方向ＳＤに並んでいる貫通孔Ｐ、貫通孔Ｑ及び貫通孔Ｒに基づいた値でもよい。例えば、図４において、重心Ｇ６を有する貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ５を有する貫通孔Ｈ１と、重心Ｇ４を有する貫通孔Ｈ１とが、方向ＳＤにこの順に並んでいる。この場合、例えば、重心Ｇ６を有する貫通孔Ｈ１の左端と重心Ｇ５を有する貫通孔Ｈ１の右端との間の距離が、第１距離である。また、例えば、重心Ｇ５を有する貫通孔Ｈ１の左端と重心Ｇ４を有する貫通孔Ｈ１の右端との間の距離が、第２距離である。この場合、図４において、製造誤差は、重心Ｇ６を有する貫通孔Ｈ１の左端と重心Ｇ５を有する貫通孔Ｈ１の右端との間の距離、及び、重心Ｇ５を有する貫通孔Ｈ１の左端と重心Ｇ４を有する貫通孔Ｈ１の右端との間の距離の平均の２０％以下でもよい。

１０，１０ａ～１０ｒ，１０ａ２，１０ｃ２，１０ｄ２，１１，１００，１００ｅ：多層基板
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂ，６０，７０：絶縁体層
１４ａ，１４ｂ，１３Ｒ、１３Ｌ，１４Ｒ，１４Ｌ，１５Ｒ，１５Ｌ，１３Ｍ，１４Ｍ，１５Ｍ：グランド導体層
ＳＬ，ＳＬ３，ＳＬ４：信号導体層
２０ａ，２０ｂ，２０ａ１，２０ａ２，２０ｂ２，２０ａ３，２０ｂ３，２０ｃ，２０ｄ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａ，２６ａ：スペーサ
Ｈ１，Ｈ２，ＨＣＣ，ＨＲＲ，ＨＧＲ，ＮＨＧＲ，ＨＬＬ，ＨＧＬ，ＮＨＧＬ：貫通孔
Ｃ，ＣＲ，ＣＬ：導電材
Ｇ１～Ｇ１６：貫通孔の重心
ＧＲ，ＧＣ，ＧＬ，ＧＲ２，ＧＲＣ２，ＧＣ２，ＧＬＣ２，ＧＬ２，ＧＲ３０，ＧＲ４０，ＧＲ５０：貫通孔の組
Ｌ１：第１直線
Ｌ２：第１直線Ｌ１と平行でない第２直線
ＦＤ：第１直線Ｌ１に平行となる方向
ＳＤ：第２直線Ｌ２に平行となる方向

Claims (23)

1. 積層体上下方向に積層されている複数の層を備えており、
   前記複数の層は、
   １以上の絶縁体層と、
   絶縁体の第１スペーサと、
   前記積層体上下方向において前記第１スペーサよりも上に位置する第１グランド導体層と、
   前記積層体上下方向に見て、前記第１グランド導体層と重なる信号導体層であって、前記第１スペーサよりも下に位置する前記信号導体層と、
   を含んでおり、
   前記第１スペーサには、前記第１スペーサを前記積層体上下方向に貫通する複数の第１貫通孔が設けられ、
   前記積層体上下方向から見て、第１直線に平行な第１方向を前記第１スペーサ上に定義し、
   前記積層体上下方向から見て、前記第１直線と平行ではない第２直線に平行な第２方向を前記第１スペーサ上に定義し、
   複数の前記第１貫通孔は、前記積層体上下方向から見て前記第１方向に沿って並び、
   前記積層体上下方向から見て、前記第１方向において隣り合う複数の前記第１貫通孔の重心間の距離は、均一であり、
   前記第１スペーサには、前記複数の第１貫通孔の組が、複数組設けられており、
   複数の前記第１貫通孔の組は、前記第２方向に沿って並び、
   前記積層体上下方向から見て、前記第２方向において隣り合う複数の前記第１貫通孔の重心間の距離は、均一であり、
   前記第１貫通孔の少なくとも１つは、中空である第１中空貫通孔であって、前記積層体上下方向から見て、前記信号導体層と重なる前記第１中空貫通孔である、
   多層基板。
2. 前記積層体上下方向において前記第１スペーサよりも下に位置する第２グランド導体層を備え、
   前記第１スペーサの複数の前記第１貫通孔に設けられ、且つ、前記第１グランド導体層と前記第２グランド導体層とを電気的に接続する複数の第１導電材を備える、
   請求項１に記載の多層基板。
3. 前記第１貫通孔は、前記第１導電材が設けられた複数の第２貫通孔を含み、
   複数の前記第２貫通孔は、前記信号導体層の延びる方向に沿って並び、
   前記第１スペーサには、前記積層体上下方向に見て、隣り合う前記第２貫通孔の組が、少なくとも１組設けられており、
   少なくとも１組の前記第２貫通孔の組において、複数の前記第２貫通孔の重心間の距離が、均一となる、
   請求項２に記載の多層基板。
4. 複数の前記第１貫通孔の形状は、同一である、
   請求項１から請求項３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記積層体上下方向と直交する平面における前記第１貫通孔の断面積は、前記信号導体層に近づくに順って大きくなる、
   請求項１から請求項４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記多層基板は、２以上の絶縁体層を備えており、
   前記２以上の絶縁体層は、
   前記積層体上下方向において前記信号導体層よりも上に位置する第１絶縁体層であって、前記第１スペーサよりも下に位置する第１絶縁体層と、
   前記積層体上下方向において前記信号導体層よりも下に位置する第２絶縁体層と、
   を備え、
   前記第１スペーサの材料と、前記第１絶縁体層の材料又は前記第２絶縁体層の材料とが、同じである、
   請求項１から請求項５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記１以上の絶縁体層は、前記積層体上下方向において前記信号導体層及び第２グランド導体層よりも下に位置する第３絶縁体層を備え、
   前記第３絶縁体層には、前記第３絶縁体層を前記積層体上下方向に貫通する複数の第３貫通孔が設けられている、
   請求項２から請求項６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記積層体上下方向に見て、前記複数の第３貫通孔の内の少なくとも１つは、前記第１中空貫通孔と重なる、
   請求項７に記載の多層基板。
9. 前記第１スペーサには、前記第１貫通孔の形状と異なる形状のサブ貫通孔が設けられている、
   請求項１から請求項８のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記多層基板は、曲がっていない非湾曲区間と、折り曲げられている又は弧状に曲がる湾曲区間とを有し、
    前記積層体上下方向に直交し、且つ、前記信号導体層の延びる方向に直交する方向を積層体左右方向と定義し、
    前記非湾曲区間における前記積層体上下方向を上下方向と定義し、
    前記非湾曲区間における前記積層体左右方向を左右方向と定義し、
    前記多層基板は、前記湾曲区間において前記上下方向に折り曲げられる、又は、前記湾曲区間において前記左右方向に弧状に曲がる、
    請求項１から請求項９のいずれかに記載の多層基板。
11. 前記第１スペーサは、前記湾曲区間に位置する、
    請求項１０に記載の多層基板。
12. 前記非湾曲区間に、複数の絶縁体層によって密閉される部分である中空部が形成される、
    請求項１１に記載の多層基板。
13. 前記多層基板は、前記信号導体層と電気的に接続されている外部電極を更に備え、
    前記外部電極は、前記多層基板の外部に設けられている回路基板との電気的な接続に用いられ、
    前記第１スペーサは、前記積層体上下方向に見て前記外部電極と重なる、
    請求項１から請求項１２のいずれかに記載の多層基板。
14. 前記多層基板は、複数の前記第１スペーサを備え、
    複数の前記第１スペーサは、前記積層体上下方向において互いに隣接する、
    請求項１から請求項１３のいずれかに記載の多層基板。
15. 前記積層体上下方向において前記信号導体層よりも下に位置する絶縁体の第２スペーサを備え、
    前記第２スペーサには、前記積層体上下方向に貫通する複数の第４貫通孔が設けられ、
    前記複数の第４貫通孔は、前記信号導体層の延びる方向に沿って並び、
    前記信号導体層の延びる方向に沿って並ぶ複数の前記第４貫通孔において隣り合う前記第４貫通孔の重心間の距離は均一であり、
    積層体上下方向から見て、前記第１貫通孔の重心の位置は、前記第４貫通孔の重心の位置と異なる、
    請求項１から請求項１４のいずれかに記載の多層基板。
16. 前記第１スペーサの上面及び下面における前記第１貫通孔の形状は、円形又は正多角形である、
    請求項１から請求項１５のいずれかに記載の多層基板。
17. 前記円形又は前記正多角形は、線対称となる対称軸を中心に対称性を有する、又は、点対称となる点を中心に対称性を有する、
    請求項１６に記載の多層基板。
18. 前記信号導体層に沿って延びる第１線を定義し、
    前記円形又は正多角形が、線対称である場合、前記第１線に沿って並ぶ複数の前記第１貫通孔のそれぞれの前記対称軸が、前記第１線上に位置し、
    前記正多角形が、点対称である場合に、前記第１線に沿って並ぶ複数の前記第１貫通孔のそれぞれの前記点対称となる点が、前記第１線上に位置し、
    前記正多角形が、点対称である場合に、前記積層体上下方向から見て、前記正多角形の辺のうち前記第１線と交わる辺と、前記第１線とでなされる９０度以下の角度を定義し、
    前記正多角形が、点対称である場合、それぞれの前記正多角形において前記角度が同一である、
    請求項１７に記載の多層基板。
19. 前記第１貫通孔の径の長さは、積層体上下方向に見て前記信号導体層の積層体左右方向における幅の長さよりも短く、
    前記第１スペーサの上面及び下面における前記第１貫通孔の形状が正多角形である場合、前記第１貫通孔の正多角形の辺の長さは、積層体上下方向に見て前記信号導体層の積層体左右方向における幅の長さよりも短い、
    請求項１から請求項１８のいずれかに記載の多層基板。
20. 前記第１貫通孔の径の長さは、前記第１スペーサの前記積層体上下方向における厚みよりも長く、
    前記第１スペーサの上面及び下面における前記第１貫通孔の形状が正多角形である場合、前記第１貫通孔の正多角形の辺の長さは、前記第１スペーサの前記積層体上下方向における厚みよりも長い、
    請求項１から請求項１９のいずれかに記載の多層基板。
21. 前記積層体上下方向及び前記信号導体層の延びる方向に直交する方向を積層体左右方向と定義し、
    前記第１貫通孔の径の長さは、前記信号導体層の右端と前記第２グランド導体層の左端との前記積層体左右方向における距離の長さ及び前記信号導体層の左端と前記第１グランド導体層の右端との積層体左右方向における距離の長さ、よりも短く、
    前記第１スペーサの上面及び下面における前記第１貫通孔の形状が正多角形である場合、前記第１貫通孔の正多角形の辺の長さは、前記信号導体層の右端と前記第２グランド導体層の左端との前記積層体左右方向における距離の長さ及び前記信号導体層の左端と前記第１グランド導体層の右端との積層体左右方向における距離の長さ、よりも短い、
    請求項２から請求項２０のいずれかに記載の多層基板。
22. 前記第１スペーサの上面及び下面における前記第１貫通孔の形状は、正六角形である、
    請求項１から請求項２１のいずれかに記載の多層基板。
23. 請求項１から請求項２２のいずれかの多層基板を備える
    電子機器。

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