JP7318857B2 - 負荷操作性の有する及び有しないヒューズステータス診断 - Google Patents

負荷操作性の有する及び有しないヒューズステータス診断 Download PDF

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Description

本開示は一般に回路保護デバイスの分野に関連し、より具体的には、電気障害中に電気障害インジケータの操作性を維持することに関連する。
ヒューズは一般的に回路保護デバイスとして使用され、通常は、電力源と保護されるべき回路内のコンポーネントとの間に設置される。従来のヒューズは、電気絶縁ハウジングを通じて延在する可融性素子によって互いに接続された一対の導電性端子を含む。過電流状態などの障害状態が発生すると、可融性素子は融解、切断、又は別様に分離され、電力源と保護された構成要素との間の電流の流れを遮断する。それによりヒューズは、過電流状態が持続可能であれば別様の結果をもたらす電源と保護された構成要素とに対する電気的損傷を防止又は緩和する。
ヒューズの可融性素子が過電流状態又は他の障害発生中に融解した場合、補修技術者などの観察者にとっては、可融性素子が融解したことを視覚的に決定可能であることが望ましい。そのために、発光ダイオード(LED)などの電気障害インジケータが、ヒューズで保護された回路に接続され得、回路内のヒューズの可融性素子が融解した場合にアクティブ化(すなわち、発光)するよう構成され得る。したがって、電気障害インジケータの信頼性の高い動作は、ヒューズで保護された回路の状態を観察者によって確実に決定することを可能にするにあたり重要である。
本改善が有用になり得るのは、これら及び他の考慮事項に対してである。
この概要は、詳細な説明において以下にさらに説明されている概念の選択を簡略化した形態で導入するために提供される。この概要は、特許請求される主題の重要な特徴又は本質的な特徴を特定することを意図するものではなく、また、特許請求される主題の範囲を決定するにあたり、その支援を行うことを意図するものでもない。
本開示の1つの態様は、負荷ステータスに関わらず電気障害デバイスの適切な動作を維持する回路を含む。回路は、電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する1又は複数の導電路と、ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する第1回路素子と、電気障害インジケータであって、i)ヒューズ及び第1回路素子と少なくとも1つの共通ノードを共有する、又は、ii)ヒューズと第1回路素子との間の少なくとも1つの共通ノードとは異なる別の共通ノードを第1回路素子と共有する電気障害インジケータとを含み、ここで、電気障害の結果としてヒューズが開放される場合、電気障害が発生したことを観察者に示すのに十分な電流が電気障害インジケータを通じて流れ、ここで、第1回路素子に対する共通ノード接続は、負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる電流の流れに対して個別の放電ループを生成する。
様々な実施形態において、回路は、電気障害インジケータがヒューズ及び第1回路素子と少なくとも1つの共通ノードを共有するように存在し得、ここで第1回路素子は第1抵抗器であり、ここで1又は複数の導電路は第2抵抗器と直列に電気障害インジケータを含む単一導電路で構成され、ここで単一導電路はヒューズと並列である。様々な実施形態において、i)負荷障害の状態の結果として回路から負荷が切断され、ii)電気障害の結果としてヒューズが開放された場合、第1抵抗器、第2抵抗器及び電気障害インジケータは直列である。様々な実施形態において、電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、電気障害及び負荷障害は互いに異なる。
様々な実施形態において、回路は、電気障害インジケータが第1回路素子と別の共通ノードを共有するように存在し得、ここで第1回路素子は第1ダイオードであり、ここで1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと直列である第2ダイオードを含む導電路を含み、ここで回路はさらに、電気障害インジケータと直列である抵抗器と、トランジスタのドレイン又はソースとを含む。様々な実施形態において、電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、電気障害及び負荷障害は互いに異なる。
様々な実施形態において、回路は、電気障害インジケータが第1回路素子と別の共通ノードを共有するように存在し得、ここで第1回路素子は第1抵抗器であり、ここで1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと直列である第2抵抗器を含む導電路を含み、ここで回路はさらに、電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、トランジスタのドレイン又はソースとを含む。様々な実施形態において、電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、電気障害及び負荷障害は互いに異なる。
様々な実施形態において、回路は、電気障害インジケータが第1回路素子と別の共通ノードを共有するように存在し得、ここで第1回路素子は第1抵抗器であり、ここで1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと直列に第2抵抗器を含む導電路を含み、ここで回路はさらに、電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、トランジスタのドレイン又はソースとを含む。様々な実施形態において、電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、電気障害及び負荷障害は互いに異なる。
様々な実施形態において、回路は、電気障害インジケータが第1回路素子と別の共通ノードを共有するように存在し得、ここで電気障害インジケータは、第1回路素子と別の共通ノードを共有しており、ここで第1回路素子は第1抵抗器であり、ここで1又は複数の導電路はi)第2抵抗器を含む第1導電路と、ii)ダイオードを含む第2導電路と、iii)トランジスタを含む第3導電路とを含み、ここで第2抵抗器はヒューズとダイオードとが並列であり、ここで回路はさらに、電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、トランジスタのドレイン又はソースとを含む。様々な実施形態において、共通ノードは、ダイオード、ヒューズ及び第2抵抗器の接続を含む接続点であり、さらに別の共通ノードは、ヒューズ、第2抵抗器、ダイオード、及びトランジスタのソース又はドレインのいずれかの接続を含むさらに別の接続点である。様々な実施形態において、ダイオードはツェナーダイオードであり、トランジスタは電界効果トランジスタ(FET)である。
本開示の別の態様は、負荷ステータスに関わらず電気障害デバイスの適切な動作を維持する回路を接続する方法を含む。方法は、電圧源と回路の負荷との間に配置された2つの点の間において接続されたヒューズを提供する段階と、ヒューズと、第1回路素子と、電気障害インジケータと、回路の1又は複数の導電路とを共通ノードにおいて接続し、その結果、電気障害の結果としてヒューズが開放された場合、ユーザに電気障害が発生したことを示すのに十分な電流が電気障害インジケータを通じて流れる段階とを含み、ここで第1回路素子に対する共通ノード接続は、負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる電流の流れに対して個別の放電ループを生成する。様々な実施形態において、第1回路素子は第1抵抗器であり、1又は複数の導電路は第2抵抗器と直列に電気障害インジケータを含む単一導電路で構成され、単一導電路はヒューズと並列であり、i)負荷障害の状態の結果として回路から負荷が切断され、ii)電気障害の結果としてヒューズが開放された場合、第1抵抗器、第2抵抗器及び電気障害インジケータは直列である。様々な実施形態において、電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、電気障害及び負荷障害は互いに異なる。
本開示のさらに別の態様は、負荷ステータスに関わらず電気障害デバイスの適切な動作を維持する別の回路を含む。回路は、電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、抵抗器及び電気障害インジケータと直列であるスイッチを含む少なくとも1つの導電路であって、ここでスイッチはヒューズとノードを共有する、少なくとも1つの導電路と、別のノードを介してヒューズに接続された中継デバイスとを含み、ヒューズが通常状態で動作している場合、中継デバイスは、第1状態に従って通電され、スイッチに少なくとも1つの導電路に対する開回路を生成させ、電気障害インジケータをオフ状態にして、ヒューズが電気障害の結果として切断される場合、中継デバイスは第2状態に従って電源が切られ、電気障害インジケータをオン状態にして、負荷によって終結する任意の経路接続と異なる回路電流の流れに対する個別の放電ループを生成する。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に電気障害インジケータの操作性を維持するための少なくとも1つの回路素子を含む回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に図1Aの回路の1又は複数の特徴を示す回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に電気障害インジケータの操作性を維持するための少なくとも1つの回路素子を含む回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に図2Aの回路の1又は複数の特徴を示す回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に電気障害インジケータの操作性を維持するための少なくとも1つの回路素子を含む回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に図3Aの回路の1又は複数の特徴を示す回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に電気障害インジケータの操作性を維持するための少なくとも1つの回路素子を含む回路概略図である。
本開示の少なくとも1つの実施形態に係る負荷障害中に図4Aの回路の1又は複数の特徴を示す回路概略図である。
一般に、本開示は、ヒューズがトリップしたこと、例えばヒューズ内の可融性素子が、ヒューズが接続されていた回路における電気障害の結果として融解、切断又は別様に開放したことを観察者に表示することを意図している、例えば発光ダイオード(LED)などの電気障害インジケータの操作性を維持するように適合された様々な回路の実施形態を提供する。本開示の様々な実施形態において、電圧源は、回路に取り付けられた負荷が、例えば過度な抵抗又はインピーダンス及び/又は短絡状態障害と関連付けられているときであっても、回路内の電気障害インジケータに電流を供給し得る。多くの従来の技術が、電気障害インジケータの適切な機能を保証するために負荷において適切な条件が存在することを必要とすることに対して、本開示の様々な実施形態は、その経路において電気障害インジケータを含む回路ループに独立した放電経路を提供し、したがって、負荷障害の状態が存在するときであっても電気障害インジケータの適切な機能を可能とさせる。
様々な回路図は以下に説明され、エネルギー源、電流、電圧、導電路及び回路素子が参照される。全ての導電路がラベル付けされ回路概略図を参照して説明されるわけではなく、全ての電流、電圧、回路素子又は他の回路値が説明又はラベル付けされない場合もある。これは、本開示の様々な回路設定及び実施形態によって提供された固有の機能又は特徴を制限することを意図するものではない。特定の電圧源、電流値及び回路素子はラベル付けされ、その一方、例えばラベル付けされた回路素子のために選択された設計選択値に応じて、回路内に存在し得る他の電流又は電圧はラベル付けされない。これは図を含む本開示と整合性のある実施形態に対する制限として意図するものではなく、単に本開示に関連付けられた様々な実施形態の簡潔な説明を提供することを意図している。
本開示に提供された様々な回路及び実施形態は、様々な用途において有用であり、そのうちの1つは、自動車の動作に関連付けられた電気的故障を防止及び/又は検出し、故障が起こったことを観察する方法を自動車のユーザ又は例えば補修などの様々な目的のために自動車を検査する技術者に提供するのに有用であり得る、自動車に関連付けられたヒューズボックスであり得る。
図1Aは、ヒューズ10aが電気障害の結果としてトリップ又は切断した場合、電気障害インジケータ12の操作性を維持するために有用な回路100Aの回路概略図を示す。様々な実施形態において、電気障害インジケータ12は発光ダイオード(LED)であり得る。回路100Aは、ヒューズ10aが標準の、非トリップ又は切れ目のない状態にある状態で示される。示されるように、ヒューズ10a(及び電気障害インジケータ12)は、回路内の2つの点P1とP2との間に配置され、ここでP1は電圧源V1の正端子との接続に対応し、P2は第1抵抗R1及び負荷L1への接続点として機能する。示されるように、電圧源はDCソースであるが、電圧がACソースである他の実施形態が考えられ、本開示と一致する。
様々な実施形態において、示されるように、P1及びP2はそれぞれノードN1及びN2に対応し、それは本明細書においてより詳細に説明される。電気障害インジケータ12は、電圧源V1の正端子において始まり、電気障害インジケータ12と直列である第2抵抗器R2を含む導電路20の一部である。ヒューズ10aは平常動作中であり、導電路15の一部である。導電路15及び導電路20はノードN2及びN1で接続され、N2及びN1は様々な実施形態において点P1及びP2に対応する。導電路15と20との接続は、R2と電気障害インジケータ12との直列接続がヒューズ10aと並列になるようになっている。導電路15と20とはノードN2において接続され、これは電気障害インジケータ12、ヒューズ10a、抵抗器R1及び負荷L1に共通接続ノードを提供する。(様々な実施形態において、用途に応じて、抵抗器R2は省略されてよく、電圧源V1の端子は電気障害インジケータ12に直接接続されてよい。)抵抗器R1はノードN1からノードN3までを接続し、これは、負荷障害(図1Bを参照してより詳細に説明される)の場合における回路を閉じるための個別の放電経路又はループを提供する。様々な実施形態において、ノードN3は接地に対応し得る。
図1Aに示されるように、電流I2は最小値又はゼロ値であり、ヒューズ10aが通常状態で動作しているので、ヒューズ10aは、最小若しくはゼロインピーダンス及び/又は抵抗を有する回路素子、例えば短絡として機能する。したがって、電圧源V1によって生成された電流の流れの大部分又は全部は導電路15を通じて流れ得、負荷L1と抵抗器R1との間で分割され得る。電流I1は、負荷L1へと流れ得る電流の部分を指しており、R1を通じて流れる電流は明確に示されていない。電流の分布は設計選択上の問題であり、抵抗器R1及び負荷L1の値に依存する。用途に応じて、標準的操作又は動作中に(及び異常を想定して)、回路100Aの適切な機能を保証するために値が選択され得る。
図1Bは、電気障害及び負荷障害が生じて、結果として回路100Bとなる場合の回路100Aを示す。様々な実施形態において、電気障害と負荷障害とは異なり得、様々な実施形態において、負荷障害と電気障害とは同一であり得る。示されるように、回路100Aにおける機能不全、例えば過電流又は他の電気障害は、ヒューズ10aをトリップ又は切断させ、結果としてトリップ又は切断したヒューズ10bをもたらす。この状態において、ヒューズ10bは、導電路20を通じて流れる電圧源V1に関連付けられた電流の大部分又は全部に対して非常に高い抵抗又はインピーダンスを有する回路素子、例えば開回路として動作し得る。したがって、電流I2は、回路100Aの平常動作とは対照的に、大きな値を有し得る。
電流I2は抵抗器R2を通じて流れ得、これは、電気障害インジケータ12をアクティブ化し得る電圧降下を発生させ得、例えば、電気障害インジケータ12がLEDである一実施形態において、電気障害インジケータ12に順バイアスをかけ得る電圧を適用し得る。R2及び電気障害インジケータ12の特定値及び設定、例えば、LEDの閾値電圧及び/又はR2の抵抗値は、設計選択上の問題であり、求められる特定の用途に応じて変更を受ける。様々な実施形態において、抵抗器R2は省略されてよく、電圧源V1の端子は電気障害インジケータ12に直接接続されてよい。様々な実施形態において、抵抗器R2の値は、例えば、回路100Aの平常動作に大きい電圧源V1が必要とされる場合に、過度な電流が電気障害インジケータ12を通じて流れないことを保証するために、選択され得る。
上記のように、電流の大部分は、トリップ又は切断したヒューズ10bに鑑みて、導電路20を通じて流れ得る。したがって、電流I2は、例えば電気障害インジケータ12はアクティブ状態にあるとき、抵抗器R2及び電気障害インジケータ12を通じて流れ、例えば電気障害インジケータ12がLEDであるとき、電気障害インジケータ12は順バイアスをかけられ得、発光し得、したがって、技術者などの観察者に、電気障害が起こったことを示し得る。
様々な実施形態において、抵抗器R1は、負荷L1が過度に高い抵抗又は開回路LF1aなどの負荷障害を有する場合、又は負荷L1が負荷短絡LF1bを有する場合、個別の放電経路又はループをノードN3に提供する。エリア50は、回路内の任意の位置において、負荷障害が発生し得るエリアを定義するが、他のエリアは、本開示と整合性のある負荷障害に潜在的に関連付けられると考えられる。様々な実施形態において、図1Bに関して及び任意の他の実施形態及び関連付けられた図又は複数の図に関して、用語「負荷障害」は、負荷がそれを実際に意図された動作と異なる機能を果たさせる障害を体験することを意味し得、ここで障害は、ヒューズ10bをトリップ又は切断させた電気障害とは異なり得る。他の実施形態において、用語「負荷障害」は、ヒューズ10aを切断又はトリップさせて電気障害インジケータ12をアクティブ化させた電気障害により影響されなくてもよい平常動作及び状態における負荷が、ヒューズ10aがトリップ又は切断状態にある場合、例えばトリップ又は切断したヒューズ10bの場合、電流の放電経路として動作できないことを意味し得る。どのシナリオを適用しても、抵抗器R1を含めることにより、導電路22を介する放電経路がノードN3に提供され、その結果、負荷が放電経路として機能できないときであっても、電気障害インジケータ12が適切に機能し得る。様々な実施形態において、抵抗器R1(又は経路を提供するための別の適切な回路素子)なしで、例えばLF1a又はLF1bなどの負荷障害が発生した場合、且つトリップ又は切断したヒューズ10bが発生した場合、電気障害インジケータ12は操縦不能であり得る。
したがって、抵抗器R1を含む回路100Aの設定は、負荷状態が不良であるときであっても、電気障害インジケータ12の適切な動作を可能とさせる。抵抗器R1の抵抗値は、例えば回路100Aの特定の動作上の必要性を考慮した、且つ電気障害インジケータ12の適切な機能に対する要求も考慮した、特定の用途において好ましい場合があるように調整又は選択され得る。
図2Aは、ヒューズ10aが電気障害の結果としてトリップ又は切断した場合、電気障害インジケータ12の操作性を維持するために有用な別の回路200Aの回路概略図を示す。回路200AがMOSFETトランジスタQ1を含む、より具体的にはP-FETトランジスタQ1を含むことを予め留意されたい。用途に応じて、例えばn-FETのような異なるMOSFET、又は例えばPNP、BJTなどのような異なるトランジスタデバイスは、まとめてFETデバイスの代わりに使用され得、本開示の教示と整合性のあるようにされた回路200Aの残りの部分に対して適切な調整を行い、それらに関する適切な機能を保証する。
様々な実施形態において、回路200Aは、2つの点P1とP2との間で接続されたヒューズ10aを含み、ここでヒューズ10aは、回路内の2つの点であるP1とP2との間に配置されており、ここでP1は電圧源V1の正端子との接続に対応し、P2は第1抵抗R1及び負荷L1への接続点として機能する。様々な実施形態において、示されるように、P1及びP2はそれぞれノードN1及びN2に対応し、それは本明細書においてより詳細に説明される。示されるように、電圧源V1はDCソースであるが、電圧がACソースである他の実施形態が考えられ、本開示と一致する。
様々な実施形態において、示されるように、P1及びP2はそれぞれノードN1及びN2に対応し、それは本明細書においてより詳細に説明される。ヒューズ10aは、導電路30の一部であり、ノードN2における導電路35、37及び40と、ノードN1における導電路35、37、40、23、及び負荷L1とに接続されており、ここでノードN1は、ヒューズ10a、抵抗器R3、ツェナーダイオードZ1及び負荷L1に共通接続ノードを提供する。導電路35は、ツェナーダイオードZ1と並列である抵抗器R3を含み、ここでツェナーダイオードZ1は導電路37の一部である。様々な実施形態において、導電路37及びツェナーダイオードZ1は回路200Aから(且つ、以下に説明される拡張回路200Bから)除去され得る。様々な実施形態において、抵抗器R3を含む導電路35は、回路200Aから(且つ、以下に説明される拡張回路200Bにより)除去され得る。様々な実施形態において、導電路37及び導電路35は回路200Aから(且つ、以下に説明される拡張回路200Bにより)除去され得る。
P-FETトランジスタQ1は導電路40に関連付けられ、示されるように、ここで、トランジスタQ1のソースは、ノードN2において、抵抗器R3と、ヒューズ10aと、ツェナーダイオードZ1とに接続され、ここでトランジスタQ1のゲートは導電路40の一部であり、トランジスタQ1のソースは、ノードN1においてツェナーダイオードZ1と、抵抗器R3と、抵抗器R1と、ヒューズ10aと、負荷L1とに接続され、ここでトランジスタQ1のドレインは導電路27に接続されている(本明細書においてより詳細に説明される)。導電路23は抵抗器R1を含み、ノードN1においてツェナーダイオードZ1と、抵抗器R3と、ヒューズ10aとに接続されており、ノードN1及びN3において上述され図2Aに示された回路素子に接続することによって負荷障害L1が発生した場合に放電ループを提供し、ここで様々な実施形態においてノードN3は接地に対応する。
様々な実施形態において、上述のように、トランジスタQ1は、例えばn-FETのような異なるタイプのFETであり得、ここで、ソース/ドレイン及びゲート変更は、他の回路変更に加えて、本開示教示と整合性のあるように、回路200Aの操作性を保証するために行われ得る。様々な実施形態において、トランジスタQ1は非FETデバイスであり得、ここで本開示の教示と整合性のある回路変更が、回路200Aの操作性を保証するために行われ得る。
導電路27は、トランジスタQ1のドレインにおいて始まり、導電路27は、例えばLEDのような電気障害インジケータ12と直列に抵抗器R2を含み、ここで電気障害インジケータ12は、負荷L1及び抵抗器R1と共通接続を共有するノードN3において接続される。
図2Aは、ヒューズ10aが完全且つ非トリップ状態である回路200Aの平常動作を示す。したがって、電圧源V1に関連付けられた電流の流れの大部分又は全部が低抵抗又はインピーダンス状態にあるヒューズ10aを通じて流れるので、電流I2は最小値又はゼロ値を有し得、I1は、負荷L1に流れる電流の一部であり、ここで電流の残りの部分(不図示)は、抵抗器R1を通じて流れ、例えば負荷L1と抵抗器R1との間で分割され得る。ツェナーダイオードZ1及び抵抗器R3の片方又は両方が回路200Aに含まれる様々な実施形態において、トランジスタQ1は、回路の電圧及び/又は電流サージから保護され、これは図2Bに関してより詳細に説明される。
図2Bは、電気障害及び負荷障害が生じて、結果として回路200Bとなる場合の回路200Aを示す。様々な実施形態において、電気障害と負荷障害とは異なり得、様々な実施形態において、負荷障害と電気障害とは同一であり得る。示されるように、回路200Aにおける機能不全、例えば過電流又は他の電気障害は、ヒューズ10aをトリップ又は切断させ、結果としてトリップ又は切断したヒューズ10bをもたらす。この状態において、ヒューズ10bは、例えば導電路35のような、導電路30以外の導電路を通じて流れる電圧源V1に関連付けられた電流の大部分又は全部に対して非常に高い抵抗又はインピーダンスを有する回路素子、例えば開回路として動作し得る。したがって、電流I2は、回路200Aの平常動作とは対照的に、大きな値を有する。
電流I2の一部は、抵抗器R3及び抵抗器R1を通じて流れ得、例えば、電圧入力V1(及び関連付けられた電流I2)は、抵抗器R3と抵抗器R1との間で分割され得る。抵抗器R1はトランジスタQ1のゲートに関連付けられ、R3の抵抗はトランジスタQ1のソースに関連付けられ、ここで、ゲートの電圧とソースの電圧との間の差がトランジスタQ1(示されるように、P-FETである)に関連付けられた閾値電圧より少ない場合、次いでトランジスタQ1はアクティブ化される。トランジスタQ1のアクティブ化は、結果として抵抗器R2を通じてトランジスタQ1のドレインから電流が流れさせ、電気障害インジケータ12の延長によって、電気障害インジケータ12をアクティブ化させ得、例えば、電気障害インジケータ12がLEDであるとき、それは順バイアスをかけられ得、発光し得る。回路200Aの平常動作中を含む、ゲート電圧とソースとの間の差がトランジスタQ1の閾値電圧より大きいシナリオでは、次いでトランジスタQ1は非アクティブとなり、電気障害インジケータ12も非アクティブとなる。
様々な実施形態において、抵抗器R1及びR3の値は、トランジスタQ1に関連付けられた閾値電圧の考慮を含め、特定の用途利用回路200Bの様々な目的を実現するために選択され得る。異なる閾値及び/又はアクティブ化の特性を有する異なるトランジスタデバイスが利用される場合、V1と、抵抗器R2及びR1(と他の回路素子)との値も調整され得る。
様々な実施形態において、抵抗器R3は、他の目的の機能に加えて、入力電圧V1と、他の回路素子に関連付けられた電流とを分割することによってトランジスタQ1への保護として機能し、したがって、電圧V1が大き過ぎる(又は別の過電圧若しくは過電流状態が発生する)場合、トランジスタQ1が損傷することを防止する。同様に、ツェナーダイオードZ1は、ソース及び/又はゲート(使用された特定の設定に応じて)における電圧が大き過ぎる場合に、ツェナーダイオードZ1がバイアスをかけられ、移動のための代替的な電流経路として機能し得ることを保証することによって、トランジスタQ1を過電圧又は過電流状態から保護するように動作し、トランジスタQ1の損傷を回避する。ツェナーダイオードZ1の特性は、閾値電圧を含めて、求められる特定の用途及び/又は回路200Aの回路素子の他の値に応じて調整され得る。
様々な実施形態において、トランジスタQ1を含めることにより、電気障害インジケータ12をアクティブ化するという観点でより良い制御及び安定化が提供され、これは、例えば急激な電圧変化のような一定の条件が他の用途より一般的である用途においてより大きい値を提供し得る。様々な実施形態において、ツェナーダイオードZ1及び抵抗器R3の両方のうち1又は複数を含めることにより、少なくとも本明細書に記載の理由により、トランジスタQ1を過電圧又は過電流の影響から保護することを含めて、この安定化をさらに高める。
様々な実施形態において、抵抗器R1は、負荷L1が過度に高い抵抗又は開回路LF1aなどの負荷障害を有する場合、又は負荷L1が負荷短絡LF1bを有する場合、個別の放電経路又はループをノードN3に提供する。エリア50は、回路内の任意の位置において、負荷障害が発生し得るエリアを定義するが、他のエリアは、本開示と整合性のある負荷障害に潜在的に関連付けられると考えられる。抵抗器R1を含めることにより、ノードN3に導電路23を介して放電経路が提供され、その結果、電気障害インジケータ12が適切に機能できる。抵抗器R1(又は経路を提供するための別の適切な回路素子)なしで、例えばLF1a又はLF1bなどの負荷障害が発生した場合、且つヒューズ10bがトリップ又は切断した場合、電気障害インジケータ12は操縦不能であり得る。
したがって、抵抗器R1を含む回路200Aの設定は、負荷状態が不良であるときであっても、電気障害インジケータ12の適切な動作を可能とさせる。抵抗器R1の抵抗値は、例えば回路200Aの特定の動作上の必要性を考慮した、且つ電気障害インジケータ12の適切な機能に対する要求も考慮した、特定の用途において好ましい場合があるように調整又は選択され得る。
図3Aは、ヒューズ10aが電気障害の結果としてトリップ又は切断した場合、電気障害インジケータ12の操作性を維持するために有用な別の回路300Aの回路概略図を示す。回路300AがMOSFETトランジスタQ1を含む、より具体的にはP-FETトランジスタQ1を含むことを予め留意されたい。用途に応じて、例えばn-FETのような異なるMOSFET、又は例えばPNP、BJTなどのような異なるトランジスタデバイスは、まとめてFETデバイスの代わりに使用され得、本開示の教示と整合性のあるようにされた回路300Aの残りの部分に対して適切な調整を行い、それらに関する適切な機能を保証する。
様々な実施形態において、回路300Aは、2つの点P1とP2との間で接続されたヒューズ10aを含み、ここでヒューズ10aは、回路内の2つの点であるP1とP2との間に配置されており、ここでP1は電圧源V1の正端子との接続に対応し、P2は第1ダイオードD1及び負荷L1への接続点として機能する。様々な実施形態において、示されるように、P1及びP2はそれぞれノードN1及びN2に対応し、それは本明細書においてより詳細に説明される。示されるように、電圧源V1はDCソースであるが、電圧がACソースである他の実施形態が考えられ、本開示と一致する。
様々な実施形態において、示されるように、P1及びP2はそれぞれノードN1及びN2に対応し、それは本明細書においてより詳細に説明される。ヒューズ10aは導電路42の一部であり、N2においてトランジスタQ1のソースに接続されており、導電路42は、ヒューズ10aをダイオードD2のアノードとダイオードD1のカソードに接続することを含め、ノードN1において導電路45および49に接続されており、ヒューズ10a及びダイオードD1に対する共通接続点を負荷L1に提供する。様々な実施形態において、不図示であるが、ダイオードD1及びダイオードD2はそれぞれ、1又は複数の抵抗器又は抵抗素子により置き換られ得る。
P-FETトランジスタQ1は、示されるように、導電路42に関連付けられ、ここでトランジスタQ1のソースはノードN2において抵抗器R3及びツェナーダイオードZ1に接続されており、ここでトランジスタQ1のゲートは導電路45の一部でありダイオードD2のカソードに接続されており、ここで導電路45の一部でもあるダイオードD2のアノードは、ノードN1においてダイオードD1のカソードと負荷L1とに接続されている。導電路49はダイオードD1を含み、ここでダイオードD1は導電路49に沿ってノードN1及びノードN3に接続されており、ノードN1及びN3において上述され図3Aに示された回路素子に接続することによって負荷障害L1が発生した場合に放電ループを提供し、ここで様々な実施形態においてノードN3は接地に対応する。導電路47は、トランジスタQ1のドレインにおいて始まり、導電路47は、例えばLEDのような電気障害インジケータ12と直列に抵抗器R1を含み、ここで電気障害インジケータ12は、負荷L1及びダイオードD1と共通接続を共有するノードN3において接続される。
様々な実施形態において、上述のように、トランジスタQ1は、例えばn-FETのような異なるタイプのFETであり得、ここで、ソース/ドレイン及びゲート変更は、他の回路変更に加えて、本開示教示と整合性のあるように、回路300Aの操作性を保証するために行われ得る。様々な実施形態において、トランジスタQ1は非FETデバイスであり得、ここで本開示の教示と整合性のある回路変更が、回路300Aの操作性を保証するために行われ得る。
図3Aは、ヒューズ10aが完全且つ非トリップ状態である回路300Aの平常動作を示す。したがって、電圧源V1に関連付けられた電流の流れの大部分又は全部はヒューズ10aを通じて流れ得、ここでヒューズ10aは低抵抗又は低インピーダンス状態にあり、I1は負荷L1に流れる電流の一部である。様々な実施形態において、電流I1はトランジスタQ1、ダイオードD1、ダイオードD2、負荷L1、及び他の回路値、例えばトランジスタQ1、ダイオードD1、ダイオードD2及び負荷L1の抵抗の閾値電圧に対する電圧V1の値のために選択された特性に応じて、電圧V1によって生成された電流の全部、一部又は大部分を示し得る。様々な実施形態において、通常動作状態下で、例えばヒューズ10が非トリップ状態の場合、Q1のゲートの電圧及びトランジスタQ1のソース電圧は、ダイオードD1及びダイオードD2のダイオード設定の結果として同等でとなり、トランジスタQ1はオフ状態となり、したがって、(P-FET)トランジスタQ1の閾値条件は、ゲート電圧とソース電圧との間の差がトランジスタQ1をアクティブ化する閾値電圧より少なくなければならないので、結果として電気障害インジケータ12もオフ状態となる。
図3Bは、電気障害及び負荷障害が生じて、結果として回路300Bとなる場合の回路300Aを示す。様々な実施形態において、電気障害と負荷障害とは異なり得、様々な実施形態において、負荷障害と電気障害とは同一であり得る。示されるように、回路300Aにおける機能不全、例えば過電流又は他の電気障害は、ヒューズ10aをトリップ又は切断させ、結果としてトリップ又は切断したヒューズ10bをもたらし、エリア50は、1又は複数の負荷障害、例えば過度に高い抵抗を有する負荷若しくは開回路LF1a及び/又は短いLF1bを有する負荷を含み得るエリアを定義する。電気障害(上述のように、負荷障害とは異なり得る)の結果として、ヒューズ10bは非常に高い抵抗又はインピーダンスを有する回路素子、例えば開回路として動作し得る。したがって、電流はトリップしたヒューズ10bを通じて移動しなくてよい。
ヒューズ10bがトリップされた、切断された又は別様に開状態である場合、ダイオードD1は、(P-FET)トランジスタQ1のゲートの電圧を十分に低いレベルに駆動し、その結果、ゲート電圧とトランジスタQ1の電圧のソースとの間の差がトランジスタQ1の閾値電圧より少なくなり、次いでトランジスタQ1はアクティブ状態になり得る。その後、様々な実施形態において、電流は例えば抵抗器R1と電気障害インジケータ12とに供給され得、例えば電気障害インジケータ12がLEDであるとき、それはトランジスタQ1のドレインにおいて順バイアスをかけられ得、発光し得、これは電気障害インジケータ12をアクティブ化し得る。回路300Aの平常動作中を含む、ゲート電圧とソースとの間の差がトランジスタQ1の閾値電圧より大きいシナリオでは、次いでトランジスタQ1は非アクティブとなり、電気障害インジケータ12も非アクティブとなる。
様々な実施形態において、ダイオードD1及びD2の特性、例えば閾値電圧は、トランジスタQ1に関連付けられた閾値電圧の考慮を含め、特定の用途利用回路300Bの様々な目的を実現するために選択され得る。異なる閾値及び/又はアクティブ化の特性を有する異なるトランジスタデバイスが利用される場合、V1と、ダイオードD1及びダイオードD2(と他の回路素子)との特性の値も調整され得る。様々な実施形態において、抵抗器は、ダイオードD1及びダイオードD2を、例えばトランジスタQ1のような様々な素子において必要なバイアスを実現するために選択された適切な抵抗値に、回路300A及び回路300Bの特定の用途のために求められる他の要求に応じて、置き換え得る。
様々な実施形態において、ダイオードD1は、負荷L1が過度に高い抵抗又は開回路LF1aなどの負荷障害を有する場合、又は負荷L1が負荷短絡LF1bを有する場合、ノードN1、N2及びN3に対して回路を完了するための個別の放電経路又はメカニズムを提供する。エリア50は、回路内の任意の位置において、負荷障害が発生し得るエリアを定義するが、他のエリアは、本開示と整合性のある負荷障害に潜在的に関連付けられると考えられる。ダイオードD1(又は経路を提供するための別の適切な回路素子)なしで、例えばLF1a又はLF1bなどの負荷障害が発生した場合、且つトリップ又は切断したヒューズ10bが発生した場合、電気障害インジケータ12は操縦不能であり得る。
様々な実施形態において、トランジスタQ1を含めることにより、電気障害インジケータ12をアクティブ化するという観点でより良い制御及び安定化が提供され、これは、例えば急激な電圧変化のような一定の条件が他の用途より一般的である用途においてより大きい値を提供し得る。様々な実施形態において、ダイオードD1及びD2の両方のうち1又は複数を含めることによって、トランジスタQ1の日付に関連付けて電圧スパイクを制御することと、当業者にとって明らかである他の理由とにより、この安定化をさらに高める。
したがって、ダイオードD1を含め、回路300Aの設定は、負荷状態が不良なときであっても、電気障害インジケータ12の適切な動作を可能とさせ、ダイオードD1の特性は、例えば回路300Aの特定の動作上の必要を考慮した、且つ電気障害インジケータ12の適切な機能に対する要求も考慮した、特定の用途に好ましい可能性があるものとして調整又は選択される。
図4Aは、ヒューズ10aが電気障害の結果としてトリップ又は切断した場合、電気障害インジケータ12の操作性を維持するために有用な回路400Aの回路概略図を示す。様々な実施形態において、電気障害インジケータ12は発光ダイオード(LED)であり得る。回路400Aは、ヒューズ10aが標準の、非トリップ又は切れ目のない状態にある状態で示される。示されるように、ヒューズ10aは、回路内の2つの点P1とP2との間に配置され、ここでP1は電圧源V1の正端子との接続に対応し、P2は第1抵抗R1及び負荷L1への接続点として機能する。示されるように、電圧源はDCソースであるが、電圧がACソースである他の実施形態が考えられ、本開示と一致する。
図4Aに示されるように、導電路52と導電路55との少なくとも2つの導電路が示されている。導電路52は、抵抗器R1及び例えばLEDのような電気障害インジケータ12と直列にスイッチs1を含む。導電路55は、スイッチs1を制御する中継デバイスK1を含む。ヒューズ10aはN2において導電路52に接続され、ヒューズはノードN1において導電路55に接続され、ここで両方の導電路はノードN3において終結し、ここで、様々な実施形態では、ノードN3は接地に対応する。ノードN1は、中継デバイスK1、負荷L1及びヒューズ10aに共通接続ノードを提供する。
回路400Aは、ヒューズ10aが正常に動作し、したがってそれが低抵抗及び低インピーダンス状態において動作する回路400の平常動作を示す。電圧源V1によって生成された電流(明確に図示はしない)の一部は中継デバイスK1を充電し得、電流I1の一部は負荷L1に移動し得る。平常動作中に、中継デバイスK1は、完全に充電されて、スイッチs1を開状態にさせて、電流が導電路52を下に移動することを防止し、電気障害インジケータ12のアクティブ化を無効にし、したがって、電流I2は最小値又はゼロ値となり得る。
図4Bは、電気障害及び負荷障害が生じて、結果として回路400Bとなる場合の回路400Aを示す。様々な実施形態において、電気障害と負荷障害とは異なり得、様々な実施形態において、負荷障害と電気障害とは同一であり得る。示されるように、回路400Aにおける機能不全、例えば過電流又は他の電気障害は、ヒューズ10aをトリップ又は切断させ、結果としてトリップ又は切断したヒューズ10bをもたらし、エリア50は、1又は複数の負荷障害、例えば過度な抵抗LF1aを有する負荷及び/又は短絡LF1bを有する負荷を含み得るエリアを定義する。電気障害(上述のように、負荷障害とは異なり得る)の結果として、ヒューズ10bは非常に高い抵抗又はインピーダンスを有する回路素子、例えば開回路として動作し得る。したがって、トリップ又は切断したヒューズ10bを通じて電流が流れない又は最小限の電流のみが流れ得、電流I1は最小値又はゼロ値を有し得る。同様に、中継デバイスK1を通じて電流は流れない又は最小限の電流のみが流れることで、それを放電状態にさせ、したがって、スイッチs1を閉じ得る。スイッチs1を閉じると、電流I2は、電圧V1によって生成された電流の全部又は大部分であり得、これは例えば抵抗器R1の電圧降下を発生させて電気障害インジケータ12をアクティブ化させ得、例えば電気障害インジケータ12がLEDであるとき、順バイアスをかけられ得、発光し得る。したがって、負荷L1の状態に関わらず、且つ、過度な抵抗LF1aを有する負荷又は負荷短絡LF1bのような負荷障害があるかどうかに関わらず、電気障害インジケータ12はアクティブ化状態であり得る。これは、ヒューズ10bが切断又はトリップした場合に、スイッチs1が回路の残りの部分から導電路52を分離したことによる負荷状態によって導電路52が影響されなかったからである。
本明細書において説明された他の実施形態と同様に、回路素子400A及び400Bの特定値及び設定は、回路400A及び/又は回路400Bを実装する特定の用途の設計選択及び必要に応じて、調整され得る。
したがって、スイッチs1及び中継デバイスK1のスキームを含む回路400Aの設定は、負荷状態が不良であるときであっても、電気障害インジケータ12の適切な動作を可能とさせ、これは、中継デバイスK1及びスイッチs1が、負荷状態に関わらず、電気障害インジケータ12をアクティブ化するための個別の経路を提供するからである。
本明細書に使用されたように、「一実施形態」、「一実装」、「一例」及び/又は均等物に対する参照は、記載の特徴をも組み込む追加の実施形態の存在を排除するものとして解釈されることを意図するものではない。
本開示は特定の実施形態を参照してきたが、添付の請求項において定義されるように、現在の実施形態の領域及び範囲から逸脱することなく、説明した実施形態に対する多数の修正、変形及び変更が可能である。したがって、本開示は説明した実施形態に限定されず、むしろ以下の請求項の文言及びそれらの均等物によって定義される全体の範囲を有する。

Claims (15)

  1. 電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、
    前記ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する1又は複数の導電路と、
    前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有する第1回路素子と、
    電気障害インジケータであって、i)前記ヒューズ及び前記第1回路素子と前記少なくとも1つの共通ノードを共有する、又は、ii)前記ヒューズと前記第1回路素子との間の前記少なくとも1つの共通ノードとは異なる別の共通ノードを前記第1回路素子と共有する電気障害インジケータと
    を備え、
    電気障害の結果として前記ヒューズが開放される場合、前記電気障害が発生したことを観察者に示すのに十分な電流が前記電気障害インジケータを通じて流れ、前記第1回路素子に対する共通ノード接続は、前記負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる前記電流の流れに対して個別の放電ループを生成
    前記電気障害インジケータは前記第1回路素子と前記別の共通ノードを共有し、前記第1回路素子は第1ダイオードであり、前記1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと直列である第2ダイオードを含む導電路を含み、
    前記電気障害インジケータと直列である抵抗器と、前記トランジスタのドレイン又はソースとをさらに備え、
    前記第1ダイオードのカソードは、前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有し、前記第1ダイオードのアノードは、前記電気障害インジケータと前記別の共通ノードを共有し、
    前記第2ダイオードのカソードは、前記トランジスタの前記ゲートに接続され、前記第2ダイオードのアノードは、前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有する、
    回路。
  2. 前記電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、前記トランジスタは電界効果トランジスタ(FET)である、請求項に記載の回路。
  3. 電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、
    前記ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する1又は複数の導電路と、
    前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有する第1回路素子と、
    電気障害インジケータであって、i)前記ヒューズ及び前記第1回路素子と前記少なくとも1つの共通ノードを共有する、又は、ii)前記ヒューズと前記第1回路素子との間の前記少なくとも1つの共通ノードとは異なる別の共通ノードを前記第1回路素子と共有する電気障害インジケータと
    を備え、
    電気障害の結果として前記ヒューズが開放される場合、前記電気障害が発生したことを観察者に示すのに十分な電流が前記電気障害インジケータを通じて流れ、前記第1回路素子に対する共通ノード接続は、前記負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる前記電流の流れに対して個別の放電ループを生成し、
    前記電気障害インジケータは前記第1回路素子と前記別の共通ノードを共有し、前記第1回路素子は第1抵抗器であり、前記1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと並列である第2抵抗器を含む導電路を含み
    記電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、前記トランジスタのドレイン又はソースとをさらに備える、回路。
  4. 前記電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、前記トランジスタは電界効果トランジスタ(FET)である、請求項に記載の回路。
  5. 電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、
    前記ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する1又は複数の導電路と、
    前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有する第1回路素子と、
    電気障害インジケータであって、i)前記ヒューズ及び前記第1回路素子と前記少なくとも1つの共通ノードを共有する、又は、ii)前記ヒューズと前記第1回路素子との間の前記少なくとも1つの共通ノードとは異なる別の共通ノードを前記第1回路素子と共有する電気障害インジケータと
    を備え、
    電気障害の結果として前記ヒューズが開放される場合、前記電気障害が発生したことを観察者に示すのに十分な電流が前記電気障害インジケータを通じて流れ、前記第1回路素子に対する共通ノード接続は、前記負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる前記電流の流れに対して個別の放電ループを生成し、
    前記電気障害インジケータは前記第1回路素子と前記別の共通ノードを共有し、前記第1回路素子は第1抵抗器であり、前記1又は複数の導電路は、i)第2抵抗器のみを含む第1導電路と、ii)トランジスタデバイスのみを含む第2導電路とを含み、前記第2抵抗器は前記ヒューズと並列であり、前記第2抵抗器はトランジスタのゲートと共通ノードを共有するとともに前記トランジスタのソース又はドレインのいずれかと共通ノードを共有し
    前記電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、前記トランジスタの前記ドレイン又は前記ソースとをさらに含む、回路。
  6. 前記電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、前記トランジスタは電界効果トランジスタ(FET)である、請求項に記載の回路。
  7. 電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、
    前記ヒューズと少なくとも1つの共通ノードを共有する1又は複数の導電路と、
    前記ヒューズと前記少なくとも1つの共通ノードを共有する第1回路素子と、
    電気障害インジケータであって、i)前記ヒューズ及び前記第1回路素子と前記少なくとも1つの共通ノードを共有する、又は、ii)前記ヒューズと前記第1回路素子との間の前記少なくとも1つの共通ノードとは異なる別の共通ノードを前記第1回路素子と共有する電気障害インジケータと
    を備え、
    電気障害の結果として前記ヒューズが開放される場合、前記電気障害が発生したことを観察者に示すのに十分な電流が前記電気障害インジケータを通じて流れ、前記第1回路素子に対する共通ノード接続は、前記負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる前記電流の流れに対して個別の放電ループを生成し、
    前記電気障害インジケータは前記第1回路素子と前記別の共通ノードを共有し、前記第1回路素子は第1抵抗器であり、前記1又は複数の導電路は、i)第2抵抗器を含む第1導電路と、ii)ダイオードを含む第2導電路と、iii)トランジスタを含む第3導電路とを有し、前記第2抵抗器、前記ヒューズ及び前記ダイオードは並列であり
    記電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、前記トランジスタのドレイン又はソースとをさらに備える、回路。
  8. 前記共通ノードは、前記ダイオード、前記ヒューズ及び前記第2抵抗器の接続を含む接続点であり、さらに別の共通ノードは、前記ヒューズ、前記第2抵抗器、前記ダイオード、及び前記トランジスタのソース又はドレインのいずれかの接続を含むさらに別の接続点である、請求項に記載の回路。
  9. 前記ダイオードはツェナーダイオードであり、前記トランジスタは電界効果トランジスタ(FET)である、請求項に記載の回路。
  10. 電圧源と回路の負荷との間に配置された2つの点の間において接続されたヒューズを提供する段階と、
    ヒューズと、第1回路素子と、電気障害インジケータと、前記回路の1又は複数の導電路とを共通ノードにおいて接続し、その結果、電気障害の結果として前記ヒューズが開放された場合、ユーザに前記電気障害が発生したことを示すのに十分な電流が前記電気障害インジケータを通じて流れる段階と
    を備え、
    前記第1回路素子に対する共通ノード接続は、前記負荷によって終結する任意の経路接続とは異なる前記電流の流れに対して個別の放電ループを生成
    前記電気障害インジケータは前記第1回路素子と、前記共通ノードとは異なる別の共通ノードを共有し、前記第1回路素子は第1抵抗器であり、前記1又は複数の導電路はトランジスタのゲートと並列である第2抵抗器を含む導電路を含み、
    前記電気障害インジケータと直列である第3抵抗器と、前記トランジスタのドレイン又はソースとを提供する段階をさらに備える方法。
  11. 前記1又は複数の導電路は第2抵抗器と直列に前記電気障害インジケータを含む単一導電路で構成される、請求項10に記載の方法。
  12. 前記単一導電路は前記ヒューズと並列である、請求項11に記載の方法。
  13. i)負荷障害の状態の結果として前記回路から前記負荷が切断され、ii)前記電気障害の結果として前記ヒューズが開放された場合、前記第1抵抗器、前記第2抵抗器及び前記電気障害インジケータは直列である、請求項12に記載の方法。
  14. 前記電気障害インジケータは発光ダイオード(LED)であり、前記電気障害及び前記負荷障害は互いに異なる、請求項13に記載の方法。
  15. 電圧源と負荷との間に配置された2つの回路点間において接続されたヒューズと、
    抵抗器及び電気障害インジケータとドレインまたはソースのうちの一方が直列であるトランジスタを含む少なくとも1つの導電路であって、前トランジスタの前記ドレインまたは前記ソースのうちの他方は前記ヒューズと共通ノードを共有する、少なくとも1つの導電路と、
    前記共通ノードとは異なる別のノードを介して、アノードが前記ヒューズに接続された第1ダイオードであって、カソードが前記トランジスタのゲートに接続された第1ダイオードと、
    前記別のノードを介して、カソードが前記ヒューズに接続された第2ダイオードであって、アノードが前記電気障害インジケータに接続された第2ダイオードと、
    を備え、
    前記ヒューズが通常状態で動作している場合、前記電気障害インジケータをオフ状態にして、
    電気障害の結果として前記ヒューズが開放される場合、前記トランジスタの前記ソース及び前記ドレインの間に流れる電流は、前記電気障害インジケータをオン状態にして、前記負荷によって終結する任意の経路接続と異なる回路電流の流れに対する個別の放電ループを生成する、回路。
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