JP7318718B2 - レーザダイオード駆動回路 - Google Patents

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Description

本開示は、レーザダイオード駆動回路に関する。
近年、自動車システムや気象観測システムなどにLiDAR(Light Detection and Ranging)が用いられることがある。LiDARは、パルス状に発光するレーザダイオードからの光(光パルス)を照射し、それに対する散乱光を測定することで、遠距離にある対象までの距離やその対象の性質を分析するシステムである。
このLiDARに用いることが可能なレーザダイオード駆動回路については、さまざま開発されている(特許文献1,2)。特許文献1では、直流電源、インダクタ、電流逆流防止素子、コンデンサ、および当該コンデンサの放流電流により発光するレーザダイオードを直列に接続した直列回路と、スイッチング素子と、制御回路とを含む、レーザダイオード駆動回路が開示されている。特許文献1のスイッチング素子は、一端が、電流逆流防止素子とコンデンサとの間に接続され、制御回路が制御しているオン・オフの状態によってインダクタに流れる電流をスイッチングしている。
特許文献2では、各レーザダイオードのアノード側に充電用のスイッチング素子のドレイン電極がそれぞれ接続され、充電用のスイッチング素子のソース電極が電源に接続した構成が開示されている。さらに、特許文献2では、各レーザダイオードのカソード側に、駆動用のスイッチング素子のドレイン電極が接続され、各レーザダイオードのアノードとGND配線との間にコンデンサがそれぞれ接続されている。
特開2016-152336号公報 特開2009-170870号公報
しかし、特許文献1の構成では、複数のレーザダイオードを駆動させる場合、複数のレーザダイオードを順番に発光させて短パルスの光パルスを照射することができず、複数のレーザダイオードをそれぞれ個別に制御する回路構成を採用することができない。
また、特許文献2の構成では、あるレーザダイオードを駆動するために、それに対応するスイッチング素子のオン・オフの状態を切り替えると、スイッチング素子のドレイン電極とソース電極との間に存在する寄生容量を介して、他のレーザダイオードにも電流が流れてしまい、発光してしまう。そのため、特許文献2の構成では、発光させたくないタイミングでレーザダイオードが発光することがあった。
そこで、本開示の目的は、発光させたいタイミングで、発光させたいレーザダイオードのみを個別に発光させることができるレーザダイオード駆動回路を提供することである。
本開示の一形態に係るレーザダイオード駆動回路は、少なくとも1つのレーザダイオードと、レーザダイオードのアノード側に対して直列に接続され、レーザダイオードに電流を供給するON状態と電流を供給しないOFF状態とを切り替える駆動用スイッチング素子と、一端が駆動用スイッチング素子に接続され、レーザダイオードに電流を供給する駆動用コンデンサと、駆動用スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、ドライブ回路に駆動用スイッチング素子の駆動に必要な電圧を供給するブートストラップ回路と、を備える。ブートストラップ回路は、一端が駆動用スイッチング素子のソース電極に接続され、他端が駆動用スイッチング素子のゲート電極に接続されたドライブ回路に接続され、所定の電荷を充電するコンデンサと、コンデンサの一端に接続され、コンデンサの充電時に、コンデンサに流れる電流が並列に接続されたレーザダイオードに流れることを抑制する電流抑制素子と、を含む。
本開示の一形態によれば、カソードが接続されたレーザダイオードを駆動させる際、発光させたくないタイミングでレーザダイオードが発光することを防ぐことができる。
実施の形態1におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 実施の形態2におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 スイッチング素子と駆動用スイッチング素子とのスイッチングのタイミングを示すタイミングチャートである。 実施の形態2の変形例におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。 実施の形態2の変形例におけるレーザダイオード駆動回路を示す回路図である。
以下、各実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中の同一または相当部分については、同一符号を付してその説明は繰り返さない。
[実施の形態1]
図1を参照して、実施の形態1におけるレーザダイオード駆動回路について説明する。図1は、実施の形態1におけるレーザダイオード駆動回路10を示す回路図である。レーザダイオード駆動回路10は、LiDAR(Light Detection and Ranging)など短パルスの光パルスを出力するシステムに採用され、レーザダイオードLD1,LD2を駆動する。なお、以下の実施の形態では、2つのレーザダイオードを駆動するレーザダイオード駆動回路について説明するが、これに限られず、レーザダイオード駆動回路は、1つのレーザダイオード、または3つ以上のレーザダイオードを駆動する構成でもよい。
レーザダイオード駆動回路10は、レーザダイオードLD1,LD2、駆動用電源Vd、駆動用コンデンサCd、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2、ドライブ回路Dr1,Dr2、ブートストラップ回路Cr1,Cr2、およびドライブ回路用電源Vaを備える。
レーザダイオードLD1、駆動用スイッチング素子Swd1、ドライブ回路Dr1、およびブートストラップ回路Cr1はアームAr1を構成し、レーザダイオードLD2、駆動用スイッチング素子Swd2、ドライブ回路Dr2、およびブートストラップ回路Cr2はアームAr2を構成する。なお、レーザダイオード駆動回路10には2つのレーザダイオード(レーザダイオードLD1,LD2)が接続されているが、少なくとも1つのレーザダイオードが接続されていればよく、アームは接続されるレーザダイオード毎に設けられる。
レーザダイオードLD1,LD2は、駆動用コンデンサCdから供給される電流によって発光する。レーザダイオードLD1,LD2の発光タイミングは、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2によって制御される。駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2は、ON状態とOFF状態とを高速に切り替えることにより、レーザダイオードLD1,LD2から短パルスの光パルスを発光させることができる。レーザダイオードLD1,LD2のアノードは駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2のソース電極に接続され、レーザダイオードLD1,LD2のカソードはグランドに接続される。
駆動用電源Vdは、直流電源である。駆動用電源Vdは、駆動用コンデンサCdに電流を供給する。
駆動用コンデンサCdは、駆動用電源Vdから供給される電荷を蓄え、レーザダイオードLD1,LD2に電流を供給する。駆動用コンデンサCdは、駆動用電源Vdとグランドとの間に設けられている。また、駆動用コンデンサCdの一端は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の一端に接続されている。
駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2は、レーザダイオードLD1,LD2に電流を供給するON状態と電流を供給しないOFF状態とを切り替える。駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2は、MOSFETやGaNFET等のN型のスイッチング素子であり、レーザダイオードLD1,LD2のアノード側に対して直列に接続される。なお、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2は、P型のスイッチング素子でもよいが、N型のスイッチング素子を採用することでレーザダイオードLD1,LD2に流す大電流を高速にスイッチングすることが可能となる。
ドライブ回路Dr1,Dr2は、レーザダイオード駆動回路10を用いるLiDARから入力される制御信号に基づいて、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2のON状態とOFF状態との切り替えを制御する。ドライブ回路Dr1,Dr2は、ON信号を受信した場合に駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をON状態に切り替え、OFF信号を受信した場合に駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をOFF状態に切り替える。
ブートストラップ回路Cr1,Cr2は、ドライブ回路用電源Va(直流電源)から供給される電荷を蓄え、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の駆動に必要な電圧をドライブ回路Dr1,Dr2に供給する。これにより、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2が駆動する。ブートストラップ回路Cr1,Cr2は、電流逆流防止素子Da1,Da2、コンデンサCa1,Ca2、およびインダクタLa1,La2を含む。
電流逆流防止素子Da1,Da2は、ドライブ回路用電源Vaに向かって電流が流れることを防止するためのダイオードである。
コンデンサCa1,Ca2は、ドライブ回路用電源Vaから供給される電荷を蓄え、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の駆動に必要な電圧をドライブ回路Dr1,Dr2に供給する。コンデンサCa1,Ca2は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態の時に充電される。コンデンサCa1,Ca2は、一端が駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2のソース電極に接続され、他端が駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2のゲート電極に接続されたドライブ回路Dr1,Dr2に接続される。
レーザダイオードLD1,LD2で短パルスの光パルスを発光させる場合、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2でON状態とOFF状態との切り替えを高速で行うため、レーザダイオードLD1,LD2には、高い周波数の電圧および電流が印加されることになる。しかし、高い周波数の電流を遮断する作用を持つインダクタLa1,La2により、レーザダイオードLD1,LD2で短パルスの光パルスを発光させるときには、インダクタLa1,La2に電流が流れない。一方、コンデンサCa1,Ca2の充電時にコンデンサCa1,Ca2に流れる電流は、低い周波数の電流であるため、インダクタLa1,La2に電流が流れ、レーザダイオードLD1,LD2に流れない。つまり、インダクタLa1,La2は、コンデンサCa1,Ca2の充電時にコンデンサCa1,Ca2に流れる電流がレーザダイオードLD1,LD2に流れることを抑制する電流抑制素子として動作している。インダクタLa1,La2は、一端がコンデンサCa1,Ca2の一端に接続され、レーザダイオードLD1,LD2に対して並列に接続される。
具体的に、レーザダイオード駆動回路10において、レーザダイオードLD1,LD2に流れる電流の周波数(パルス周波数)は100MHz以上から1GHz以下の範囲であり、コンデンサCa1,Ca2に流れる電流の周波数(発光周波数)は500kHz以下である。レーザダイオード駆動回路10では、レーザダイオードLD1,LD2のパルス周波数においては、レーザダイオードLD1,LD2のインピーダンス(接続点A1,A2と接続点B1,B2との間でレーザダイオードLD1,LD2を含む経路のインピーダンス)の絶対値はインダクタLa1,La2のインピーダンスの値より小さくなるように構成される。なお、インダクタLa1,La2のインダクタンスLは、コンデンサCa1,Ca2から放電された電荷量を発光周波数fsw(光パルスを発光する周期の逆数)の1周期分の時間内で充電することができる範囲内の値である。また、インダクタLa1,La2のインダクタンスLは、コンデンサCa1,Ca2の充電時にレーザダイオードLD1,LD2に流れる電流がレーザダイオードLD1,LD2の発光に必要な電流量より小さくなるような値である。
さらに詳しく、インダクタLa1,La2のインダクタンスをL、レーザダイオードLD1,LD2で発光する光パルスのパルス周波数をfld、レーザダイオードLD1,LD2で光パルスを発光する発光周波数をfsw、およびレーザダイオードLD1,LD2のインピーダンスをZldとする。ここで、パルス周波数fldは、レーザダイオードLD1,LD2で発光する光パルスsin波の1/2周期として定義する。発光周波数fswは、レーザダイオードLD1,LD2で発光する光パルスの間隔を1周期として定義する。インピーダンスZldは、図1に示す接続点A1,A2と接続点B1,B2との間でレーザダイオードLD1,LD2を含む経路のインピーダンスとして定義する。もちろん、レーザダイオードLD1,LD2自体のインピーダンスが、他の部分のインピーダンスより大きければ、レーザダイオードLD1,LD2自体のインピーダンスをインピーダンスZldとしてもよい。
インダクタLa1,La2のインダクタンスLと、レーザダイオードLD1,LD2のインピーダンスZldとの関係は、以下の式1を満たす。
|Zld|<2πfld×L・・・(式1)
このようなインダクタLa1,La2の周波数特性により、コンデンサCa1,Ca2の充電時には、電流I1,I2はドライブ回路用電源Vaから電流逆流防止素子Da1,Da2、コンデンサCa1,Ca2、およびインダクタLa1,La2を経てグランドに流れ、レーザダイオードLD1,LD2には流れない。
また、このようなインダクタLa1,La2の周波数特性により、レーザダイオードLD1,LD2の駆動時には、電流は駆動用コンデンサCdから駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2を経てレーザダイオードLD1,LD2に流れ、インダクタLa1,La2には流れない。
このように、コンデンサCa1,Ca2の充電時(駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態の場合)には、電流はインダクタLa1,La2に流れ、レーザダイオードLD1,LD2のアノード-カソード間にはほとんど電圧がかからないため、レーザダイオードLD1,LD2は発光しない。これにより、発光させたくないタイミングでレーザダイオードLD1,LD2が発光してしまうことを抑制することができる。
また、コンデンサCa1,Ca2の充電時(駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態の場合)には、電流はインダクタLa1,La2に流れ、レーザダイオードLD1,LD2のアノード-カソード間にはほとんど電圧がかからないため、コンデンサCa1,Ca2の両端にはドライブ回路用電源Vaとほぼ等しい電圧がかかる。これにより、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の駆動に必要な高電圧を確保することができるので、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をON状態にした場合に、レーザダイオードLD1,LD2に大電流を急峻に流すことができる。
また、レーザダイオードLD1,LD2の駆動時(駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態の場合)には、電流は駆動用コンデンサCdから駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2を経てレーザダイオードLD1,LD2に流れ、インダクタLa1,La2には流れない。
また、レーザダイオードLD1,LD2は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をOFF状態からON状態に切り替えることによって発光する。これにより、発光させたいタイミングで発光させたいレーザダイオードに対応する駆動用スイッチング素子をOFF状態からON状態に切り替えることにより、発光させたいタイミングで発光させたいレーザダイオードを個別に発光させることができる。
図2~図4を参照して、実施の形態1の変形例について説明する。なお、実施の形態1と同様の構成については同じ符号を付して、その説明は繰り返さない。
図2は、実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路11を示す回路図である。レーザダイオード駆動回路11は、抵抗素子Rdを備える点でレーザダイオード駆動回路10と異なる。抵抗素子Rdは、レーザダイオードLD1,LD2のパルス駆動中に、駆動用電源Vdから駆動用コンデンサCdに供給される電荷量を小さく抑える。抵抗素子Rdは、一端が駆動用電源Vdに接続され、他端が駆動用コンデンサCdに接続される。
これにより、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態となり、駆動用コンデンサCdに蓄積された電荷がレーザダイオードLD1,LD2に供給される際に駆動用電源Vdから駆動用コンデンサCdへ流れる電流を制限することができ、レーザダイオードLD1,LD2を短パルスで駆動させることができる。
図3は、実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路12を示す回路図である。アームAr1,Ar2毎に駆動用コンデンサCd1,Cd2および電流逆流防止素子Dd1,Dd2を備える点でレーザダイオード駆動回路10と異なる。
駆動用コンデンサCd1は、駆動用電源Vdから供給される電荷を蓄え、レーザダイオードLD1に電流を供給する。駆動用コンデンサCd2は、駆動用電源Vdから供給される電荷を蓄え、レーザダイオードLD2に電流を供給する。駆動用コンデンサCd1,Cd2は、駆動用電源Vdとグランドとの間に設けられている。また、駆動用コンデンサCd1,Cd2の一端は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の一端に接続されている。
電流逆流防止素子Dd1,Dd2は、駆動用コンデンサCd1,Cd2に蓄えられている電流(電荷)がレーザダイオードLD1,LD2に流れる時に、当該電流が他のアームに接続されるレーザダイオードに流れることを防止するためのダイオードである。電流逆流防止素子Dd1,Dd2のアノード側に駆動用電源Vdが接続され、電流逆流防止素子Dd1,Dd2のカソード側に駆動用コンデンサCd1,Cd2が接続される。
レーザダイオードLD1,LD2の駆動時(駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態の場合)には、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2、レーザダイオードLD1,LD2、または部品間配線の寄生容量、寄生インダクタンス、または寄生抵抗により、発光させたいレーザダイオード以外のレーザダイオードにも電流が流れる虞がある。しかしながら、レーザダイオード駆動回路12では、アームAr1,Ar2毎に駆動用コンデンサCd1,Cd2および電流逆流防止素子Dd1,Dd2が設けられているため、駆動用コンデンサCd1,Cd2から放出される電流が異なるアームのレーザダイオード(発光させたくないレーザダイオード)へ流れることを抑制することができる。なお、電流逆流防止素子Dd1,Dd2は、駆動用コンデンサCd1,Cd2から放出される電流が異なるアームに流れることを抑制できればよいので、抵抗素子であってもよいし、インダクタであってもよい。
図4は、実施の形態1の変形例におけるレーザダイオード駆動回路13を示す回路図である。レーザダイオード駆動回路13は、アームAr1,Ar2毎に抵抗素子Ra1,Ra2を備える点でレーザダイオード駆動回路10と異なる。
抵抗素子Ra1,Ra2は、コンデンサCa1,Ca2とグランドとの間で、コンデンサCa1,Ca2に対して直列に接続される。レーザダイオード駆動回路13において、レーザダイオードLD1,LD2のパルス周波数は100MHz以上から1GHz以下の範囲であり、レーザダイオードLD1,LD2の発光周波数は500kHz以下である。レーザダイオード駆動回路13では、レーザダイオードLD1,LD2のパルス周波数においては、レーザダイオードLD1,LD2のインピーダンス(接続点A1,A2と接続点B1,B2との間でレーザダイオードLD1,LD2を含む経路のインピーダンス)の絶対値はインダクタLa1,La2のインピーダンスと抵抗素子Ra1,Ra2のインピーダンスの合算の値より小さくなるように構成される。
具体的には、抵抗素子Ra1,Ra2の抵抗値をR、インダクタLa1,La2のインダクタンスをL、レーザダイオードLD1,LD2のパルス周波数をfld、レーザダイオードLD1,LD2の発光周波数をfsw、およびレーザダイオードLD1,LD2のインピーダンス(接続点A1,A2と接続点B1,B2との間でレーザダイオードLD1,LD2を含む経路のインピーダンス)をZldと定義した場合、レーザダイオード駆動回路13は、以下の式2を満たす。
|Zld|<2πfld×L+R・・・(式2)
コンデンサCa1,Ca2の充電時には、コンデンサCa1,Ca2とインダクタLa1,La2との間でリンギング(ノイズ)が発生する場合がある。しかしながら、レーザダイオード駆動回路13では、コンデンサCa1,Ca2とインダクタLa1,La2との間に抵抗素子Ra1,Ra2を設けることによって、コンデンサCa1,Ca2の充電時に発生するリンギング(ノイズ)を抑制することができる。
なお、抵抗素子Ra1,Ra2は、コンデンサCa1,Ca2に対して直列に接続されていればよく、接続位置はコンデンサCa1,Ca2とグランドとの間でなくてもよい。
[実施の形態2]
実施の形態2におけるレーザダイオード駆動回路について説明する。実施の形態1では、コンデンサCa1,Ca2の充電時に電流がレーザダイオードLD1,LD2に流れることを抑制するためにインダクタLa1,La2を備えていた。これに対し、実施の形態2では、コンデンサの充電時における電流の流れをスイッチング素子で制御する。なお、実施の形態1と同様の構成については同じ符号を付して、その説明は繰り返さない。
図5は、実施の形態2におけるレーザダイオード駆動回路20を示す回路図である。図6は、スイッチング素子Swf1,Swf2と駆動用スイッチング素子Swd1、Swd2とのスイッチングのタイミングを示すタイミングチャートである。
図5を参照して、レーザダイオード駆動回路20には、実施の形態1で示したインダクタLa1,La2に替えてスイッチング素子Swf1,Swf2が接続されている。スイッチング素子Swf1,Swf2は、電流抑制素子の一例である。スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態のときには、スイッチング素子Swf1,Swf2に電流が流れ、スイッチング素子Swf1,Swf2がOFF状態のときには、スイッチング素子Swf1,Swf2に電流が流れない。スイッチング素子Swf1,Swf2のONとOFFとの切り替えは、ドライブ回路Drf1,Drf2によって行われる。スイッチング素子Swf1,Swf2は、コンデンサCa1,Ca2の充電時にON状態に制御され、コンデンサCa1,Ca2の充電が完了するとOFF状態に制御される。
図5および図6を参照して、スイッチング素子Swf1,Swf2(図6では「Swf(i)」と記載(iは整数))は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2(図6では「Swd(i)」と記載(iは整数))のOFF状態の期間のいずれかのタイミングでON状態に制御される。スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態に制御されると、電流I1,I2はドライブ回路用電源Vaから電流逆流防止素子Da1,Da2、コンデンサCa1,Ca2、およびスイッチング素子Swf1,Swf2を経てグランドに流れ、コンデンサCa1,Ca2が充電される。このとき、電流は、レーザダイオードLD1,LD2には流れない。コンデンサCa1,Ca2の充電が完了する十分な時間が経過した後、スイッチング素子Swf1,Swf2はOFF状態に制御される。その後、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2が必要な時間だけON状態に制御され、レーザダイオードLD1,LD2に電流が流れる。
図6に示すタイミング(a)およびタイミング(c)は、コンデンサCa1,Ca2の充電が完了したタイミング(スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態からOFF状態に切り替わるタイミング)を示し、図6に示すタイミング(b)およびタイミング(d)は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態からON状態に切り替わるタイミングを示している。このように、スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態からOFF状態に切り替わるタイミングと駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態からON状態に切り替わるタイミングとが重ならないように制御される。スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態に制御される期間は、コンデンサCa1,Ca2の充電に十分な期間であればよい。駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態に制御される期間は、レーザダイオードLD1,LD2を発光させるために十分な期間であればよい。なお、図6では、駆動用スイッチング素子Swd(i)がON状態からOFF状態に切り替わるタイミング(e)の後に、スイッチング素子Swf(i)がOFF状態からON状態に切り替わるタイミング(f)が来るように、レーザダイオード駆動回路20は駆動用スイッチング素子Swd(i)およびスイッチング素子Swf(i)を制御している。しかし、駆動用スイッチング素子Swd(i)がON状態に制御される期間よりも短い光パルスをレーザダイオードLD(i)(iは整数)で発光させたい場合、レーザダイオード駆動回路20はタイミング(f)の後に、タイミング(e)が来るように駆動用スイッチング素子Swd(i)およびスイッチング素子Swf(i)を制御してもよい。つまり、レーザダイオード駆動回路20は、駆動用スイッチング素子Swd(i)がON状態に制御される期間の途中で、スイッチング素子Swf(i)をON状態にして、強制的に駆動用コンデンサCdの電荷をグランドに逃がすことで、駆動用スイッチング素子Swd(i)がON状態に制御される期間よりも短い光パルスを実現することができる。
このように、コンデンサCa1,Ca2を充電する場合(スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態、かつ、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態の場合)には、電流はスイッチング素子Swf1,Swf2に流れ、レーザダイオードLD1,LD2のアノード-カソード間にはほとんど電圧がかからないため、レーザダイオードLD1,LD2は発光しない。これにより、発光させたくないタイミングでレーザダイオードLD1,LD2が発光してしまうことを抑制することができる。
コンデンサCa1,Ca2を充電する場合(スイッチング素子Swf1,Swf2がON状態、かつ、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がOFF状態の場合)には、電流はスイッチング素子Swf1,Swf2に流れ、レーザダイオードLD1,LD2のアノード-カソード間にはほとんど電圧がかからないため、コンデンサCa1,Ca2の両端にはドライブ回路用電源Vaとほぼ等しい電圧がかかる。これにより、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の駆動に必要な高電圧を確保することができるので、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をON状態にした場合に、レーザダイオードLD1,LD2に大電流を急峻に流すことができる。
また、レーザダイオードLD1,LD2の駆動時(スイッチング素子Swf1,Swf2がOFF状態、かつ、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態の場合)には、電流は駆動用コンデンサCdから駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2を経てレーザダイオードLD1,LD2に流れ、スイッチング素子Swf1,Swf2には流れない。
また、レーザダイオードLD1,LD2は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2をOFF状態からON状態に切り替えることによって発光する。これにより、発光させたいタイミングで発光させたいレーザダイオードに対応する駆動用スイッチング素子をOFF状態からON状態に切り替えることにより、発光させたいタイミングで発光させたいレーザダイオードを個別に発光させることができる。
なお、レーザダイオード駆動回路20には2つのレーザダイオード(レーザダイオードLD1,LD2)が接続されているが、少なくとも1つのレーザダイオードが接続されていればよく、アームは接続されるレーザダイオード毎に設けられる。
図7および図8を参照して、実施の形態2の変形例について説明する。実施の形態1または実施の形態2と同様の構成については同じ符号を付して、その説明は繰り返さない。
図7は、実施の形態2の変形例におけるレーザダイオード駆動回路21を示す回路図である。レーザダイオード駆動回路21は、抵抗素子Rdを備える点でレーザダイオード駆動回路20と異なる。抵抗素子Rdは、レーザダイオードLD1,LD2のパルス駆動中に、駆動用電源Vdから駆動用コンデンサCdに供給される電荷量を小さく抑える。抵抗素子Rdは、一端が駆動用電源Vdに接続され、他端が駆動用コンデンサCdに接続される。
これにより、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態となり、駆動用コンデンサCdに蓄積された電荷がレーザダイオードLD1,LD2に供給される際に駆動用電源Vdから駆動用コンデンサCdへ流れる電流を制限することができ、レーザダイオードLD1,LD2を短パルスで駆動させることができる。
図8は、実施の形態2の変形例におけるレーザダイオード駆動回路22を示す回路図である。アームAr1,Ar2毎に駆動用コンデンサCd1,Cd2および電流逆流防止素子Dd1,Dd2を備える点でレーザダイオード駆動回路20と異なる。
駆動用コンデンサCd1は、駆動用電源Vdから供給される電荷を蓄え、レーザダイオードLD1に電流を供給する。駆動用コンデンサCd2は、駆動用電源Vdから供給される電荷を蓄え、レーザダイオードLD2に電流を供給する。駆動用コンデンサCd1,Cd2は、駆動用電源Vdとグランドとの間に設けられている。また、駆動用コンデンサCd1,Cd2の一端は、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2の一端に接続されている。
電流逆流防止素子Dd1,Dd2は、駆動用コンデンサCd1,Cd2に蓄えられている電流(電荷)がレーザダイオードLD1,LD2に流れる時に、当該電流が他のアームに接続されるレーザダイオードに流れることを防止するためのダイオードである。電流逆流防止素子Dd1,Dd2のアノード側に駆動用電源Vdが接続され、電流逆流防止素子Dd1,Dd2のカソード側に駆動用コンデンサCd1,Cd2が接続される。
レーザダイオードLD1,LD2の駆動時(駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2がON状態の場合)には、駆動用スイッチング素子Swd1,Swd2、レーザダイオードLD1,LD2、または部品間配線の寄生容量、寄生インダクタンス、または寄生抵抗により、発光させたいレーザダイオード以外のレーザダイオードにも電流が流れる虞がある。しかしながら、レーザダイオード駆動回路22では、アームAr1,Ar2毎に駆動用コンデンサCd1,Cd2および電流逆流防止素子Dd1,Dd2が設けられているため、駆動用コンデンサCd1,Cd2から放出される電流が異なるアームのレーザダイオード(発光させたくないレーザダイオード)へ流れることを抑制することができる。なお、電流逆流防止素子Dd1,Dd2は、駆動用コンデンサCd1,Cd2から放出される電流が異なるアームに流れることを抑制できればよいので、抵抗素子であってもよいし、インダクタであってもよい。
[その他の変形例]
これまで説明したレーザダイオード駆動回路では、2つのレーザダイオードLD1,LD2を発光させる構成について説明したが、3つ以上のレーザダイオードを発光させる構成についても同様に適用することができる。例えば、n個のレーザダイオードLD1,LD2,・・・,LDnを駆動するレーザダイオード駆動回路では、各々の接続点A1,A2,・・・,Anと接続点B1,B2,・・・,Bnとの間にインダクタLa1,La2,・・・,Lanを接続する。そして、各々のインダクタのインダクタンスと、各々のレーザダイオードのインピーダンスとの関係は、以下の式3を満たす。ここで、各々のインダクタLa(i)のインダクタンスをL(i)と、各々のレーザダイオードLD(i)のインピーダンスをZld(i)と定義する。ただし、iは1からnまでの整数とする。
|Zld(i)|<2πfld×L(i)・・・(式3)
また、インダクタLa(i)のインダクタンスL(i)は、コンデンサCa(i)の充電時にレーザダイオードLD(i)に流れる電流がレーザダイオードLD(i)の発光に必要な電流量より小さくなるような値である。
また、レーザダイオード駆動回路は、インダクタLa1,La2,・・・,Lanの各々に抵抗素子を直列に接続する構成についても同様に適用することができる。この場合、各々のインダクタのインダクタンスと、各々のレーザダイオードのインピーダンスとの関係は、以下の式4を満たす。ここで、各々の抵抗素子Ra(i)の抵抗値をR(i)と定義する。ただし、iは1からnまでの整数とする。
|Zld(i)|<2πfld×L(i)+R(i)・・・(式4)
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10,11,12,13,20,21,22 レーザダイオード駆動回路、Ar1,Ar2 アーム、Ca1,Ca2 コンデンサ、Cd,Cd1,Cd2 駆動用コンデンサ、Cr1,Cr2 ブートストラップ回路、Da1,Da2,Dd1,Dd2 電流逆流防止素子、Dr1,Dr2,Drf1,Drf2 ドライブ回路、LD1,LD2 レーザダイオード、La1,La2 インダクタ、Ra1,Ra2,Rd 抵抗素子、Swd1,Swd2 駆動用スイッチング素子、Swf1,Swf2 スイッチング素子、Va ドライブ回路用電源、Vd 駆動用電源。

Claims (11)

  1. レーザダイオード駆動回路であって、
    複数のレーザダイオードと、
    前記複数のレーザダイオードの各々に対して設けられ、前記レーザダイオードのアノード側に対して直列に接続され、前記レーザダイオードに電流を供給するON状態と電流を供給しないOFF状態とを切り替える駆動用スイッチング素子と、
    前記複数のレーザダイオードの各々に対して、または、前記複数のレーザダイオードに対して共通に設けられ、一端が前記駆動用スイッチング素子のドレイン電極に接続され、他端が前記レーザダイオードのカソード側と接続され、前記レーザダイオードに電流を供給する駆動用コンデンサと、
    前記複数のレーザダイオードの各々に対して設けられ、一端が前記駆動用スイッチング素子のソース電極に接続され、他端が前記駆動用スイッチング素子のゲート電極に接続され、前記駆動用スイッチング素子を駆動するドライブ回路と、
    前記複数のレーザダイオードの各々に対して設けられ、前記ドライブ回路に前記駆動用スイッチング素子の駆動に必要な電圧を供給するブートストラップ回路と、を備え、
    前記駆動用スイッチング素子の前記ソース電極は、前記レーザダイオードのアノード側と接続され、
    前記ブートストラップ回路は、
    記ドライブ回路に並列に接続され、所定の電荷を充電するコンデンサと、
    前記ブートストラップ回路の前記コンデンサに直列に接続され、前記レーザダイオードに並列に接続され、前記ブートストラップ回路の前記コンデンサの充電時に、前記ブートストラップ回路の前記コンデンサに流れる電流が前記レーザダイオードに流れることを抑制する電流抑制素子と、を含む、レーザダイオード駆動回路。
  2. 前記電流抑制素子は、インダクタである、請求項1に記載のレーザダイオード駆動回路。
  3. 前記レーザダイオードのインピーダンスの絶対値は、前記レーザダイオードに流れる電流の周波数での前記インダクタのインピーダンスの値より小さい、請求項2に記載のレーザダイオード駆動回路。
  4. 前記レーザダイオードに流れる電流の周波数は、100MHz以上から1GHz以下の範囲で、前記ブートストラップ回路の前記コンデンサに流れる電流の周波数は、500kHz以下である、請求項2または請求項3に記載のレーザダイオード駆動回路。
  5. 前記ブートストラップ回路は、前記ブートストラップ回路の前記コンデンサと前記インダクタとの間に直列に接続され、前記ドライブ回路と前記駆動用スイッチング素子との各々と直列に接続される抵抗素子をさらに備える、請求項2~請求項4のいずれか1項に記載のレーザダイオード駆動回路。
  6. 前記レーザダイオードのインピーダンスの絶対値は、前記レーザダイオードに流れる電流の周波数での前記インダクタのインピーダンスと前記抵抗素子のインピーダンスの合算の値より小さい、請求項5に記載のレーザダイオード駆動回路。
  7. 前記レーザダイオードに流れる電流の周波数は、100MHz以上から1GHz以下の範囲で、前記ブートストラップ回路の前記コンデンサに流れる電流の周波数は、500kHz以下である、請求項5または請求項6に記載のレーザダイオード駆動回路。
  8. 前記電流抑制素子は、スイッチング素子である、請求項1に記載のレーザダイオード駆動回路。
  9. 前記駆動用コンデンサは、前記複数のレーザダイオードのそれぞれに対して電流を供給する共通に設けたコンデンサである、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のレーザダイオード駆動回路。
  10. 前記駆動用コンデンサは、前記複数のレーザダイオードのそれぞれに対して電流を供給する個別に設けたコンデンサである、請求項1~請求項8のいずれか1項に記載のレーザダイオード駆動回路。
  11. 前記駆動用コンデンサは、前記複数のレーザダイオードの各々に対して設けられ、
    前記複数のレーザダイオードの各々に対して設けられ、一端が前記駆動用コンデンサに接続され、他端が当該駆動用コンデンサに対応するレーザダイオードとは異なる他のレーザダイオードに接続されている配線に接続され、前記駆動用コンデンサに蓄えられている電流が当該駆動用コンデンサに対応する前記レーザダイオードに流れる時に、当該電流が前記のレーザダイオードに流れることを防止する電流逆流防止素子をさらに備える、請求項1~請求項10のいずれか1項に記載のレーザダイオード駆動回路。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021114250A1 (de) 2021-06-02 2022-12-08 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Aktives optisches Sensorsystem mit verbesserter Augensicherheit
JP2023065273A (ja) * 2021-10-27 2023-05-12 京セラ株式会社 電磁波放射装置、測距装置、及び移動体

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030016711A1 (en) 2001-07-19 2003-01-23 Crawford Ian D. High-power pulsed laser diode driver
JP2009170870A (ja) 2007-12-20 2009-07-30 Denso Corp レーザアレイ駆動回路
JP2016127214A (ja) 2015-01-08 2016-07-11 株式会社リコー 光源駆動装置、光源装置、距離測定装置、移動体装置、レーザ加工機及び光源駆動方法
JP2016152336A (ja) 2015-02-18 2016-08-22 株式会社豊田中央研究所 レーザダイオード駆動回路及びレーザレーダ装置
JP2017028235A (ja) 2015-07-27 2017-02-02 株式会社トリマティス 短パルスレーザ発光駆動回路
US20170085057A1 (en) 2015-09-22 2017-03-23 Analog Devices, Inc. Pulsed laser diode driver
JP2017139704A (ja) 2016-02-05 2017-08-10 パイオニア株式会社 発光部の駆動装置
JP2018004426A (ja) 2016-07-01 2018-01-11 株式会社リコー 物体検出装置、センシング装置及び移動体装置
JP2018054415A (ja) 2016-09-28 2018-04-05 株式会社トプコン 測距装置
JP2018059839A (ja) 2016-10-06 2018-04-12 株式会社デンソー 距離測定装置
US20180323576A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Ian D. Crawford Pulsed laser diode drivers and methods
JP2020096169A (ja) 2018-11-30 2020-06-18 株式会社リコー 駆動回路、発光装置、距離測定装置、及び移動体

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445270Y2 (ja) * 1985-08-15 1992-10-23
JP4123791B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-23 富士ゼロックス株式会社 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム
JP5318063B2 (ja) * 2004-04-28 2013-10-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 レーザーダイオードの駆動回路及び半導体装置
JP2012209501A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 補正回路、駆動回路、発光装置、および電流パルス波形の補正方法
US9368936B1 (en) * 2013-09-30 2016-06-14 Google Inc. Laser diode firing system
US10361536B2 (en) * 2015-04-15 2019-07-23 Mitsubishi Electric Corporation Power supply apparatus for driving laser diode provided with power supply for supplying power to laser oscillator
US11240894B2 (en) * 2018-11-30 2022-02-01 Ricoh Company, Ltd. Drive circuit, light emitting device, distance measurement apparatus, and mobile body

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030016711A1 (en) 2001-07-19 2003-01-23 Crawford Ian D. High-power pulsed laser diode driver
JP2009170870A (ja) 2007-12-20 2009-07-30 Denso Corp レーザアレイ駆動回路
JP2016127214A (ja) 2015-01-08 2016-07-11 株式会社リコー 光源駆動装置、光源装置、距離測定装置、移動体装置、レーザ加工機及び光源駆動方法
JP2016152336A (ja) 2015-02-18 2016-08-22 株式会社豊田中央研究所 レーザダイオード駆動回路及びレーザレーダ装置
JP2017028235A (ja) 2015-07-27 2017-02-02 株式会社トリマティス 短パルスレーザ発光駆動回路
US20170085057A1 (en) 2015-09-22 2017-03-23 Analog Devices, Inc. Pulsed laser diode driver
JP2017139704A (ja) 2016-02-05 2017-08-10 パイオニア株式会社 発光部の駆動装置
JP2018004426A (ja) 2016-07-01 2018-01-11 株式会社リコー 物体検出装置、センシング装置及び移動体装置
JP2018054415A (ja) 2016-09-28 2018-04-05 株式会社トプコン 測距装置
JP2018059839A (ja) 2016-10-06 2018-04-12 株式会社デンソー 距離測定装置
US20180323576A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Ian D. Crawford Pulsed laser diode drivers and methods
JP2020096169A (ja) 2018-11-30 2020-06-18 株式会社リコー 駆動回路、発光装置、距離測定装置、及び移動体

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