JP7318206B2 - 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品 - Google Patents

感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品 Download PDF

Info

Publication number
JP7318206B2
JP7318206B2 JP2018551885A JP2018551885A JP7318206B2 JP 7318206 B2 JP7318206 B2 JP 7318206B2 JP 2018551885 A JP2018551885 A JP 2018551885A JP 2018551885 A JP2018551885 A JP 2018551885A JP 7318206 B2 JP7318206 B2 JP 7318206B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
photosensitive resin
resin composition
film
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018551885A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019065562A1 (ja
Inventor
斉 荒木
充史 諏訪
優 荘司
真佐夫 富川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of JPWO2019065562A1 publication Critical patent/JPWO2019065562A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7318206B2 publication Critical patent/JP7318206B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/22Polybenzoxazoles
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜およびその製造方法に関する。より詳しくは、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いられる感光性樹脂組成物およびその硬化膜並びにその製造方法に関する。
半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、有機電解素子の絶縁層やTFT基板の平坦化膜の代表的な材料として、耐熱性や電気絶縁性等に優れたポリイミド系樹脂が挙げられる。さらに、その生産性向上のために感光性を付与した感光性ポリイミドおよびその前躯体の検討も行われている。この感光性樹脂組成物は、パターンの形成方法によってポジ型材料とネガ型材料の2つに分類される。前者のポジ型は、露光部が現像液に可溶になることで、パターンを得る方法であり、後者のネガ型は、露光部が現像液に不溶となることで、パターンを得る方法である。
ネガ型感光性ポリイミド系材料としては、エチレン性不飽和基を有するポリアミド酸エステルをベースポリマーとする「エステル型」と(特許文献1)、イオン結合を介してエチレン性不飽和結合を有するポリアミド酸を用いた「イオン型」に大別される(特許文献2)。これらの技術を元にした材料がいずれも現在、様々な電子部品を作製する上で採用されている。これらは有機溶剤を現像液とするため、VOC(Volatile Organic Compounds)などの環境負荷が大きい反面、硬化膜は優れた特性を有する。また、アルカリ水溶液を現像液とするネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物の提案もなされている(特許文献3)。こちらは、有機溶媒の現像に比べて環境負荷が小さいという特徴がある。
ポジ型感光性ポリイミド材料としては、ヒドロキシスチレン樹脂とポリアミド酸、キノンジアジド化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物(特許文献4)が提案されている。この樹脂組成物において、未露光部では、ヒドロキシスチレン樹脂のフェノール性水酸基とキノンジアジド化合物との相互作用が強いため、現像液であるアルカリ溶液に対する溶解性が抑制される。一方、露光部ではキノンジアジド化合物が光により酸を発生することでアルカリ溶液に対する溶解性が著しく向上する。この未露光部と露光部のアルカリ溶液に対する溶解性の差により、ポジ型のレリーフパターンを作成することができる。
特開昭51-40922号公報 特開昭54-145794号公報 国際公開2004/109403号 特開2007-156243号公報
近年は、半導体の用途拡大、性能向上に伴い、製造工程の効率化によるコスト削減および高集積化の取り組みながされている。そこで、多層の金属再配線を形成する半導体デバイスに注目が集められている。金属再配線間の絶縁膜には、耐薬品性としてレジスト剥離液への耐性が求められる。また、多層にすることで材料へのストレスが従来のものよりも増大しているため、高いストレスでも破断点を迎えない伸度の高い材料が求められる。また、後のバンプ電極形成工程において、下地の半導体素子を保護するために十分な硬さ、すなわち高い弾性率を有する必要がある。しかしながら、上記の材料では、良好な加工性を有しながら、硬化した硬化膜がレジスト剥離液耐性、高弾性率および高伸度いずれをも高いレベルで備えるものではなかった。これは、ネガ型、ポジ型にかかわらず、耐薬品性や弾性率を高めるために多量の架橋剤を導入すると、伸度低下を招くトレードオフ関係があるためであった。
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し、一般的なフォトリソグラフィー工程によって良好なパターンを形成可能であり、硬化した硬化膜が高弾性率、高伸度である感光性樹脂組成物を提供するものである。
上記課題を解決するため、本発明は次のものに関する。
すなわち、(A)主鎖に分岐を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびそれらの前駆体から選択される1種類以上の樹脂、(B)光重合開始剤および(C)2以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物を含有し、該(A)樹脂中の主鎖の分岐点となる構造単位が、全構造単位中0.05mol%以上12mol%以下の割合である、感光性樹脂組成物に関する。
また、前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、あるいは前記感光性シートを基板上にラミネートし、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光する工程と、露光後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程と、熱処理後の感光性樹脂膜を現像する工程と、現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程とを含む、硬化膜の製造方法に関する。
さらに、前記硬化膜が配置された層間絶縁膜または半導体保護膜、電子部品に関する。
本発明の感光性樹脂組成物および感光性シートは、良好なパターン加工性を有し、それを硬化した硬化膜は、高い伸度および弾性率を有する。また、本発明の電子部品は、接着性と耐薬品性に優れた絶縁膜のパターンを有し、信頼性の高いものである。
バンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面を示した図である。 バンプを有する半導体装置の詳細な作製方法を示した図である。 シリコンウエハ上に形成した中空構造体の断面図である。 シリコンウエハ上への中空構造体の作製方法を示した図である。
本発明は、(A)主鎖に分岐を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびそれらの前駆体から選択される1種類以上の樹脂、(B)光重合開始剤および(C)2以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物を有する、感光性樹脂組成物を提供する。以下に、各成分について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)主鎖に分岐を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールまたはそれらの前駆体から選択される一種類以上の樹脂を含有する。また、該(A)樹脂中の主鎖の分岐点となる構造単位は、末端および分子内の繰り返し単位からなる全構造単位中0.05mol%以上12mol%以下の割合である(以下、(A)成分と省略する場合がある。)。(A)成分がかかる範囲で分岐を有することで、伸度および弾性率の高い硬化膜が得られる。その理由としては、分岐を有することで、ポリマー同士の絡み合いが増えることが推定される。かかる範囲を超える場合、弾性率は向上するが伸度が向上しにくく、下回る場合、伸度および弾性率を向上させる効果が十分に得られない。
ここで、ポリイミド前駆体としては、例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド又はポリイソイミドが挙げられる。テトラカルボン酸残基とジアミン残基とを有するポリアミド酸は、テトラカルボン酸又は対応するテトラカルボン酸二無水物若しくはテトラカルボン酸ジエステルジクロリドと、ジアミン又は対応するジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンとを反応させて得ることができる。主鎖の分岐の導入方法としては、酸成分としてさらに三価以上の多価酸無水物若しくは多価エステルクロリド化合物を用いる方法、アミン成分として三価以上のアミン又は対応するイソシアネート化合物若しくはメチルシリル化アミン化合物を用いる方法、またはその両方を同時に行う方法が挙げられる。ポリイミドは、ポリアミド酸を加熱処理又は酸や塩基等での化学処理により脱水閉環して得ることができる。より具体的には、m-キシレン等の水と共沸する溶媒を加えて加熱処理しても構わないし、弱酸性のカルボン酸化合物を加えて100℃以下で加熱処理しても構わない。上記の化学処理に用いられる閉環触媒としては、例えば、カルボン酸無水物若しくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤又はトリエチルアミン等の塩基等が挙げられる。
ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、例えば、ポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド又はポリアミドイミドが挙げられるが、ポリヒドロキシアミドが好ましい。ジカルボン酸残基とビスアミノフェノール残基とを有するポリヒドロキシアミドは、ビスアミノフェノールと、ジカルボン酸又は対応するジカルボン酸クロリド若しくはジカルボン酸活性エステル等を反応させて得ることができる。主鎖の分岐の導入方法としては、酸成分としてさらに三価以上の多価カルボン酸または対応する多価カルボン酸クロリド若しくは多価カルボン酸活性エステル等を用いる方法、アミノフェノール成分としてさらに三価以上のアミノフェノール又は対応するイソシアネートフェノール化合物を用いる方法、またはその両方を同時に行う方法が挙げられる。ポリベンゾオキサゾールは、ポリヒドロキシアミドを、加熱処理又は化学処理により脱水閉環して得ることができる。より具体的には、m-キシレン等の水と共沸する溶媒を加えて加熱処理しても構わないし、酸性化合物を加えて200℃以下で加熱処理しても構わない。上記の化学処理に用いられる閉環触媒としては、例えば、無水リン酸、塩基又はカルボジイミド化合物が挙げられる。
(A)成分としては、下記一般式(1)または一般式(2)に表される構造単位を含む樹脂が好ましい。また、これらの構造単位を有する2種以上の樹脂を含有しても構わないし、2種以上の構造単位を共重合したものであっても構わない。ただし、(A)成分は一般式(1)中のl+m≧1となる構造単位または、一般式(2)中のh+i≧1となる構造単位から選択される1以上の式で表される構造単位を、樹脂の構造単位中0.05mol%以上12mol%以下、好ましくは10mol%以下の割合で有する。中でも0.5mol%以上5mol%以下が好ましい。0.05mol%未満の場合、伸度と弾性率の向上効果が小さく、12mol%を超えると伸度および弾性率を向上させる効果が十分に得られない。また製造時のゲル化抑制が難しくなる場合がある。
Figure 0007318206000001
(式中、Xは2個以上の炭素原子を有する2価~16価の有機基、Yは2個以上の炭素原子を有する2価~14価の有機基、R、Rはそれぞれ独立に水素、または炭素数1~20の有機基のいずれかを示す。p、q、sはそれぞれ独立に0~4の整数、rはそれぞれ独立に0~6の整数を示す。l、mは主鎖の分岐の数を示し、それぞれ独立に0~4の整数を示す。ただし、l+m≧1である。また、l、m、p、q、r、sについては、値が0の場合には、括弧内の官能基はそれぞれ水素原子を示す。)
Figure 0007318206000002
(式中、Xは2個以上の炭素原子を有する4価~16価の有機基、Yは2個以上の炭素原子を有する2価~10価の有機基、R、Rはそれぞれ独立に水酸基または炭素数1~20の有機基のいずれかを示す。t、uはそれぞれ独立に0~4の整数を示す。h、iは主鎖の分岐の数を表し、それぞれ独立に0~4の整数を示す。ただし、h+i≧1である。また、h,i,t,uについては、値が0の場合には、括弧内の官能基はそれぞれ水素原子を示す。)
一般式(1)中、Xはジ-、トリ-、テトラ-、ペンタ-、ヘキサ-、ヘプタ-、オクタ-またはデカカルボン酸残基またはその誘導体の残基に由来する。一般式(2)中、Xはテトラ-、ヘキサ-、オクタ-またはデカカルボン酸残基またはその誘導体の残基を示す(以下、これらを合わせて「酸残基」という)。また、この酸残基に対応する酸成分を重合時に用いることによって、これらの酸残基を構造単位に含ませることができる。Xを酸残基とする酸成分としては例えば、シクロブタンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ-n-ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、2,2-ジメチルスクシン酸、2,3-ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、2-メチルグルタル酸、3-メチルグルタル酸、2,2-ジメチルグルタル酸、3,3-ジメチルグルタル酸、3-エチル-3-メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、3-メチルアジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、ピメリン酸、2,2,6,6-テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、1,9-ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸などの脂肪族ジカルボン酸や、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸若しくはトリフェニルジカルボン酸などの芳香族ジカルボン酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸若しくはビフェニルトリカルボン酸等のトリカルボン酸あるいはピロメリット酸、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸若しくは3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸又はブタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.1.]ヘプタンテトラカルボン酸、ビシクロ[3.3.1.]テトラカルボン酸、ビシクロ[3.1.1.]ヘプト-2-エンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2.]オクタンテトラカルボン酸若しくはアダマタンテトラカルボン酸等の脂肪族テトラカルボン酸等が挙げられる。また、5価以上の酸成分としては、以下のような化合物があげられる。
Figure 0007318206000003
Figure 0007318206000004
(式中、複数のRは以下の構造のいずれかを示す。)
Figure 0007318206000005
一般式(2)中、Xを酸残基とする酸成分としては、前述したXを酸残基とする酸成分の具体例の中の、テトラカルボン酸類および5価以上のカルボン酸化合物が挙げられる。
これらの酸は、そのまま、又は、酸無水物、酸クロリド若しくは活性エステルとして使用できる。活性化エステル基としては以下の構造が挙げられるが、これらに限定されない。
Figure 0007318206000006
(式中、A及びBは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t-ブチル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン基、フェノキシ基、ニトロ基などが挙げられるが、これらに限定されない。)
また、XおよびXの酸残基の好ましい構造としては、例えば、下記のような構造又はこれら構造における1~4個の水素原子を炭素数1~20のアルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシル基、エステル基、ニトロ基、シアノ基、フッ素原子若しくは塩素原子により置換した構造が挙げられる。
Figure 0007318206000007
Figure 0007318206000008
Figure 0007318206000009
ただし、Jは直接結合、-COO-、-CONH-、-CH-、-C-、-O-、-C-、-SO-、-S-、-Si(CH-、-O-Si(CH-O-、-C-、-C-O-C-、-C-C-C-又は-C-C-C-を示す。
また、ジメチルシランジフタル酸又は1,3-ビス(フタル酸)テトラメチルジシロキサン等のシリコン原子含有テトラカルボン酸を用いることにより、基板に対する接着性や、洗浄等に用いられる酸素プラズマ、UVオゾン処理に対する耐性を高めることができる。これらシリコン原子含有のジカルボン酸又はテトラカルボン酸は、全酸成分の1~30mol%用いることが好ましい。
(A)成分がポリベンゾオキサゾールまたはその前駆体の場合、3価以上のカルボン酸またはその誘導体を重縮合することで主鎖に分岐を導入することができる。この導入方法は、上記一般式(1)においてl≧1となる構造単位を導入する方法を意味する。分岐点となる酸成分としては、前述したXを酸残基とする酸成分の具体例の中の、3価以上のカルボン酸化合物が挙げられるが、中でも、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、ビフェニルトリカルボン酸、ピロメリット酸、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテルなどが伸度と弾性率を高度に保てるため好ましい。(A)成分がポリイミドまたはその前駆体の場合、6価以上のカルボン酸化合物またはその無水物を重付加または重縮合することで主鎖に分岐を導入することができる。この導入方法は、上記一般式(1)においてl≧1かつr≧3となる構造単位を導入する方法または、上記一般式(2)においてh≧1となる構造単位を導入する方法を意味する。分岐点となる酸成分の具体例としては、前述したXを酸残基とする酸成分の具体例の中の、6価以上のカルボン酸化合物が挙げられるが、中でも、以下の化合物が伸度と弾性率を高度に保てるため好ましい。さらに、これらを無水物として用いることが、副生成物が少なく好ましい。
Figure 0007318206000010
(式中、複数のRは以下の構造のいずれかを示す。)
Figure 0007318206000011
一般式(1)中、Rは水素、または炭素数1~20の有機基のいずれかを示す。炭素数1~20の有機基としては、エチレン性不飽和結合を有する有機基が、露光の感度を向上させるため好ましい。エチレン性不飽和結合を有する有機基の導入方法は、例えば、テトラカルボン酸二無水物とエチレン性不飽和結合を有するアルコール類を反応させてテトラカルボン酸ジエステルを生成後、これと後述するYまたはYの構造を有するアミン化合物とのアミド重縮合反応によって得られる。また、ヘキサカルボン酸三無水物、オクタカルボン酸四無水物、デカカルボン酸五無水物を用いた場合も、同様にして得られる。
前述のテトラカルボン酸ジエステルの生成方法としては、そのまま前述の酸二無水物およびアルコールを溶媒中にて反応させることもできるが、反応性の観点から反応活性化剤を用いることが好ましい。反応活性化剤としてはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミンなどの3級アミンがあげられる。反応活性化剤の添加量としては、テトラカルボン酸二無水物に対して50mol%以上300mol%以下が望ましく、より好ましくは100mol%以上150mol%以下である。また、反応中にエチレン性不飽和結合部位が架橋することを防ぐ目的で、重合禁止剤を少量用いてもよい。これにより一般的に反応性が低い2以上のエチレン性不飽和結合を有するアルコール類とテトラカルボン酸二無水物との反応において、120℃以下の範囲で加熱することができる。重合禁止剤としては、ハイドロキノン、4-メトキシフェノール、t-ブチルピロカテコール、ビス-t-ブチルヒドロキシトルエンなどのフェノール化合物があげられる。重合禁止剤の添加量としては、アルコール類のエチレン性不飽和結合に対して、重合禁止剤のフェノール性水酸基が0.1mol%以上5mol%以下が好ましい。
前述のアミド重縮合反応としては種々の方法があげられる。テトラカルボン酸ジエステルを酸クロライド化した後にジアミンと反応させる方法、カルボジイミド系脱水縮合剤を用いる方法、および活性化エステル化した後にジアミンと反応させる方法が挙げられる。
前述のエチレン性不飽和結合を有するアルコール類としては、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、1-(メタ)アクリロイルオキシ-2-プロピルアルコール、2-(メタ)アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、2-ヒドロキシエチルビニルケトン、2-ヒドロキシ-3-メトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-t-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシルアルコキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-(メタ)アクリロキシエチル-2-ヒドロキシプロピルフタレートなどの、エチレン性不飽和結合と水酸基を1ずつ有するアルコール、グリセリン-1、3-ジ(メタ)アクリレート、グリセリン-1、2-ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-3-メタクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-2-メタクリレート、2―エチル-2-(ヒドロキシメチル)プロパン-1、3-ジイルビス(2-メタクリレート)、2-((アクリロイロキシ)-2-(ヒドロキシメチル)ブチルメタクリレートなどの、エチレン性不飽和結合を2以上と水酸基を1有するアルコールなどが挙げられる。ここで、「(メタ)アクリレート」とは、メタクリレートまたはアクリレートを表す。類似の表記についても同様である。酸無水物とエチレン性不飽和結合を有するアルコール類を反応させる際に、その他のアルコールを同時に用いてもよい。その他のアルコールは、露光感度の調整、有機溶媒への溶解性の調整など様々な目的に合わせて適宜選択できる。具体的にはメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、i-ブタノール、t-ブタノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、i-ペンタノールなどの脂肪族アルコールまたは、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキレンオキサイド由来のモノアルコールなどが挙げられる。
一般式(1)または(2)中、YおよびYはジ-、トリ-、テトラ-、ペンタアミン残基または対応するイソシアネート残基(以下、これらをあわせて「アミン残基」という)を示す。また、このアミン残基に対応するアミン成分またはイソシアネート成分を重合時に用いることによって、これらのアミン残基を構造単位に含ませることができる。YおよびYをアミン残基とするアミン成分としては、例えば、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,5-ジアミノ安息香酸、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、9,10-アントラセンジアミン、2,7-ジアミノフルオレン、4,4’-ジアミノベンズアニリド、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3-カルボキシ-4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3-スルホン酸-4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4-アミノ安息香酸4-アミノフェニルエステル、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン、1,3-ビス(4-アニリノ)テトラメチルジシロキサン、4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2-(4-アミノフェニル)-5-アミノベンゾオキサゾール、2-(3-アミノフェニル)-5-アミノベンゾオキサゾール、2-(4-アミノフェニル)-6-アミノベンゾオキサゾール、2-(3-アミノフェニル)-6-アミノベンゾオキサゾール、1,4-ビス(5-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,4-ビス(6-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,3-ビス(5-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,3-ビス(6-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、2,6-ビス(4-アミノフェニル)ベンゾビスオキサゾール、2,6-ビス(3-アミノフェニル)ベンゾビスオキサゾール、ビス[(3-アミノフェニル)-5-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(4-アミノフェニル)-5-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(3-アミノフェニル)-6-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(4-アミノフェニル)-6-ベンゾオキサゾリル]などの芳香族ジアミン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ)ビフェニル、4,4’-ジアミノ-6,6’-ビス(トリフルオロメチル)-[1,1’-ビフェニル]-3,3’-ジオール、9,9-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、2,2’-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2’-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2’-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2’-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、9,9-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、9,9-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-4,4’-ジアミノ-3,3-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニルなどのビスアミノフェノール、これらの芳香族環の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基やフルオロアルキル基、ハロゲン原子などで置換した化合物、および下記に示す構造を有するジアミンなどを挙げることができるが、これらに限定されない。これらの中から、耐熱性の観点から、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニルが好ましく、伸度の観点から、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3-スルホン酸-4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノベンゾフェノンが好ましい。共重合させる他のジアミンは、そのまま、あるいは対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして使用できる。また、これら2種以上のジアミン成分を組み合わせて用いてもよい。
Figure 0007318206000012
Figure 0007318206000013
前述の芳香族ジアミン以外では、脂肪族ジアミンまたはシロキサン構造を有するジアミンが挙げられる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、2-メチル-1,3-プロパンジアミン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、2-メチル-1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-シクロヘキサンジアミン、1,3-シクロヘキサンジアミン、1,4-シクロヘキサンジアミン、1,2-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、4,4’-メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、4,4’-メチレンビス(2-メチルシクロヘキシルアミン)、KH-511、ED-600、ED-900、ED-2003、EDR-148、EDR-176、D-200、D-400、D-2000、THF-100、THF-140、THF-170、RE-600、RE-900、RE-2000、RP-405、RP-409、RP-2005、RP-2009、RT-1000、HE-1000、HT-1100、HT-1700、(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)などが挙げられるが、アルキレンオキシド構造を含むことがより柔軟性が増し高伸度化できる点で好ましい。また、前記エーテル基の存在により、金属と錯形成や水素結合することができ、金属との高い密着性を得ることができる。また、―S―、―SO―、―SO―、―NH―、―NCH―、―N(CHCH)―、―N(CHCHCH)―、―N(CH(CH)―、―COO―、―CONH―、―OCONH―、―NHCONH―などの結合を含んでもよい。
シロキサン構造を有するジアミンとしては、ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p-アミノフェニル)オクタメチルペンタシロキサンが、基板との接着性を向上させることができるため、好ましい。
前述のジアミン成分以外には、(a-1)3価以上のアミン化合物が挙げられる。3価以上のアミン化合物を共重合することで主鎖に分岐を導入することができる。この導入方法は、上記一般式(1)においてm≧1となる構造単位を導入する方法または、上記一般式(2)においてi≧1となる構造単位を導入する方法を意味する。アミン成分により分岐を導入するほうが、酸成分により導入する場合と比べ弾性率、伸度を高いレベルで向上させることができるため好ましい。その理由は定かではないが、アミン成分は酸成分よりも有機溶媒への溶解性が高く、重合時に生成される分岐部位の偏りが小さいためと推察される。(a-1)3価以上のアミン化合物の具体例としては、トリス(4―アミノフェニル)アミン、1,3,5-トリス(4―アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5-トリス(4―アミノフェニル)ベンゼン、2,4,4‘-トリアミノジフェニルエーテル、3,4,4‘-トリアミノジフェニルエーテル、2,4,4’-トリアミノジフェニルスルホン、3,4,4’-トリアミノジフェニルスルホン、2,4,4’-トリアミノジフェニルスルフィド、3,4,4’-トリアミノジフェニルスルフィド、2,4,4’-トリアミノベンゾフェノン、3,4,4’-トリアミノベンゾフェノン、トリス(4―アミノフェニル)メタン、1,1,1―トリス(4―アミノフェニル)エタン、2,4,6-トリアミノ-1,3,5-トリアジン、2,4,6-トリス(4―アミノフェノキシ)-1,3,5-トリアジン、N,N,N-トリス(4―アミノフェニル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6トリアミン、トリス(ヘキシルアミノ)イソシアヌレート、および下記構造を有するトリアミン、テトラアミンまたはペンタアミンが挙げられるが、これに限定されない。
Figure 0007318206000014
これらの中でも、トリアミン化合物が弾性率、伸度および重合時の反応制御の点で好ましく、さらに好ましくは、下記一般式(3)で表される構造を有するトリアミンである。
Figure 0007318206000015
(Zはベンゼン環、トリアジン環、炭素数1~5の脂肪族基およびそれらの誘導体由来の3価の有機基、または窒素原子を示す。)
一般式(3)で表される構造を有するトリアミンとしては、トリス(4―アミノフェニル)アミン、1,3,5-トリス(4―アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3,5-トリス(4―アミノフェニル)ベンゼン、トリス(4―アミノフェニル)メタン、1,1,1―トリス(4―アミノフェニル)エタン、2,4,6-トリス(4―アミノフェノキシ)-1,3,5-トリアジン、N,N,N-トリス(4―アミノフェニル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6トリアミンが挙げられる。
およびYのアミン残基は、イソシアネート化合物を用いても導入することができる。イソシアネート化合物は1級アミンとトリホスゲンを反応させることで得ることが出来、1級アミンとしては前述のジ-、トリ-、テトラ-、ペンタアミン化合物で例示したアミン化合物を用いることができる。
本発明における(A)成分は、重量平均分子量5,000以上100,000以下であることが好ましい。重量平均分子量は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算で5,000以上とすることにより、硬化後の伸度、破断点強度、弾性率といった機械特性を向上させることができる。一方、重量平均分子量を100,000以下とすることにより、現像性を向上させることができる。機械特性を得るため、20,000以上がより好ましい。また、(A)成分が2種以上の樹脂を含有する場合、少なくとも1種の重量平均分子量が上記範囲であればよい。
また、本発明の感光性樹脂組成物の保存安定性向上や様々な機能を発現させるため、(A)成分は主鎖末端を末端封止剤で封止してもよい。末端封止剤としては、モノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などが挙げられる。また、前述のアミド重縮合の反応後期において、モノアルコールを末端封止剤として用いることもできる。また、樹脂の末端を水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、ビニル基、エチニル基またはアリル基を有する末端封止剤により封止することで、樹脂のアルカリ溶液に対する溶解速度、露光感度、得られる硬化膜の機械特性などを好ましい範囲に容易に調整することができる。
末端封止剤の導入割合は、現像液への溶解性および得られる硬化膜の機械特性の観点から、全重合モノマー中0.1mol%以上60mol%以下が好ましく、特に好ましくは5mol%以上50mol%以下である。複数の末端封止剤を反応させ、複数の異なる末端基を導入してもよい。
末端封止剤に用いるモノアミンとしては、M-600,M-1000,M-2005,M-2070(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)、アニリン、2-エチニルアニリン、3-エチニルアニリン、4-エチニルアニリン、5-アミノ-8-ヒドロキシキノリン、1-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-4-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-カルボキシ-7-アミノナフタレン、1-カルボキシ-6-アミノナフタレン、1-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-カルボキシ-7-アミノナフタレン、2-カルボキシ-6-アミノナフタレン、2-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-アミノ安息香酸、3-アミノ安息香酸、4-アミノ安息香酸、4-アミノサリチル酸、5-アミノサリチル酸、6-アミノサリチル酸、2-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノベンゼンスルホン酸、4-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノ-4,6-ジヒドロキシピリミジン、2-アミノフェノール、3-アミノフェノール、4-アミノフェノール、2-アミノチオフェノール、3-アミノチオフェノール、4-アミノチオフェノールなどが好ましい。これらを2種以上用いてもよい。
酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3-ヒドロキシフタル酸無水物などの酸無水物、3-カルボキシフェノール、4-カルボキシフェノール、3-カルボキシチオフェノール、4-カルボキシチオフェノール、1-ヒドロキシ-7-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-6-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-5-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-7-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-6-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-5-カルボキシナフタレン、3-カルボキシベンゼンスルホン酸、4-カルボキシベンゼンスルホン酸などのモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、1,5-ジカルボキシナフタレン、1,6-ジカルボキシナフタレン、1,7-ジカルボキシナフタレン、2,6-ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の一方のカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とN-ヒドロキシベンゾトリアゾールやイミダゾール、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物などが好ましい。これらを2種以上用いてもよい。
末端封止剤に用いるモノアルコールとしては、前述の酸無水物と反応するアルコール類として例示したものが挙げられる。
また、本発明に用いる(A)成分に導入された分岐モノマーおよび末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、分岐モノマーおよび末端封止剤が導入された樹脂を、酸性溶液に溶解し、構造単位であるアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー(GC)や、NMR測定することにより、本発明に使用の分岐モノマーまたは末端封止剤を容易に検出できる。また、GC測定を各成分とピークの重ならない外部標準物質と同時に測定を行い、クロマトグラムの各ピークの積分値を外部標準物質と比較することで、分岐モノマーおよび末端封止剤を含めた各モノマーのモル比を見積もることができる。これとは別に、分岐モノマーおよび末端封止剤が導入された樹脂成分を直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトル、H-NMRスペクトル、13C-NMRスペクトルおよび2次元NMRスペクトルで測定することによっても、容易に検出可能である。この場合、赤外スペクトル、H-NMRスペクトルまたは2次元NMRの積分値より各モノマーのモル比を分析可能である。
また、本発明に用いる(A)成分は溶媒を用いて重合することが好ましい。重合溶媒は、原料モノマーである酸成分、アミン成分、アルコール類、触媒が溶解できればよく、その種類は特に限定されない。例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N-ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドのアミド類、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、ε-カプロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類、トリエチレングリコールなどのグリコール類、m-クレゾール、p-クレゾールなどのフェノール類、アセトフェノン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシドなどを挙げることができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(B)光重合開始剤を含有する。(B)光重合開始剤を含有することにより、レリーフパターンを形成することができる。(B)光重合開始剤としては、光(紫外線及び電子線を含む)により分解及び/又は反応し、ラジカルを発生させるものが好ましい。光により分解及び/又は反応し、ラジカルを発生させる(B)光重合開始剤としては、例えば、2-メチル-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1、2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-(2,4,4-トリメチルペンチル)-フォスフィンオキサイド、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-2-(ベンゾイルオキシムイミノ)-1-プロパノン、2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、1-フェニル-1,2-ブタジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1,3-ジフェニルプロパントリオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、エタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(0-アセチルオキシム)、4,4-ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、p-ジメチルアミノ安息香酸エチル、2-エチルヘキシル-p-ジメチルアミノベンゾエート、p-ジエチルアミノ安息香酸エチル、ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、ベンジルジメチルケタール、1-(4-イソプロピルフェニル)-2-ヒドロキシ-2-メチルプロパン-1-オン、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル-(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、1-ヒドロキシシクロヘキシル-フェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、4-フェニルベンゾフェノン、4,4-ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、4-ベンゾイル-4’-メチル-ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、3,3’,4,4’-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4-ベンゾイル-N,N-ジメチル-N-[2-(1-オキソ-2-プロペニルオキシ)エチル]ベンゼンメタナミニウムブロミド、(4-ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、2-ヒドロキシ-3-(4-ベンゾイルフェノキシ)-N,N,N-トリメチル-1-プロペンアミニウムクロリド一水塩、2-イソプロピルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントン、2-ヒドロキシ-3-(3,4-ジメチル-9-オキソ-9H-チオキサンテン-2-イロキシ)-N,N,N-トリメチル-1-プロパナミニウムクロリド、2,2’-ビス(o-クロロフェニル)-4,5,4’,5’-テトラフェニル-1,2-ビイミダゾール、10-ブチル-2-クロロアクリドン、2-エチルアンスラキノン、ベンジル、9,10-フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η5-シクロペンタジエニル-η6-クメニル-アイアン(1+)-ヘキサフルオロフォスフェイト(1-)、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス(η5-2,4-シクロペンタジエン-1-イル)-ビス(2,6-ジフルオロ-3-(1H-ピロール-1-イル)-フェニル)チタニウム、チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、4-ベンゾイル-4-メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,3-ジエトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニル-2-フェニルアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、p-t-ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、2-t-ブチルアントラキノン、2-アミノアントラキノン、β-クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、4-アジドベンザルアセトフェノン、2,6-ビス(p-アジドベンジリデン)シクロヘキサン、2,6-ビス(p-アジドベンジリデン)-4-メチルシクロヘキサノン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N-フェニルチオアクリドン、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイル又はエオシン若しくはメチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。また、これらを2種以上含有しても構わない。硬化膜の硬度をより高くするためには、α-アミノアルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物、アミノ基を有するベンゾフェノン化合物又はアミノ基を有する安息香酸エステル化合物が好ましい。
α-アミノアルキルフェノン化合物としては、例えば、2-メチル-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オン又は2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1が挙げられる。アシルホスフィンオキサイド化合物としては、例えば、2,4,6-トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルフォスフィンオキサイド又はビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-(2,4,4-トリメチルペンチル)-フォスフィンオキサイドが挙げられる。オキシムエステル化合物としては例えば、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-フェニル-2-(ベンゾイルオキシムイミノ)-1-プロパノン、1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、1-フェニル-1,2-ブタジオン-2-(o-メトキシカルボニル)オキシム、1,3-ジフェニルプロパントリオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム又はエタノン,1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(0-アセチルオキシム)が挙げられる。アミノ基を有するベンゾフェノン化合物としては、例えば、4,4-ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン又は4,4-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン等が挙げられる。アミノ基を有する安息香酸エステル化合物としては、例えば、p-ジメチルアミノ安息香酸エチル、2-エチルヘキシル-p-ジメチルアミノベンゾエート又はp-ジエチルアミノ安息香酸エチルが挙げられる。
(B)光重合開始剤の含有量としては、(A)成分と後述の(C)成分の和を100質量部とした場合、0.5質量部以上20質量部以下が、十分な感度が得られ、かつ熱硬化時の脱ガス量が抑えられるため、好ましい。中でも、1.0質量部以上10質量部以下がより好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、(B)光重合開始剤の機能を高める目的で増感剤を含んでもよい。増感剤を含有することで、感度の向上や感光波長の調整が可能となる。増感剤としては、ミヒラーズケトン、ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ジエチルチオキサントン、N-フェニルジエタノールアミン、N-フェニルグリシン、7-ジエチルアミノ-3-ベンゾイルクマリン、7-ジエチルアミノ-4-メチルクマリン、N-フェニルモルホリンおよびこれらの誘導体などが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の感光性樹脂組成物は、(C)2以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物(以下、(C)成分と省略する場合がある。)を含有する。(C)成分を含有することで、露光時の架橋密度が向上するため露光感度がさらに向上する。また、硬化した硬化膜の耐薬品性がさらに向上する。さらに、後述のように目的に応じた分子構造を選択することで、疎水性や伸度などの様々な機能を付加することができる。
(C)成分としては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、1,3-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジメタクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10-デカンジオールジ(メタ)アクリレート、ジメチロール-トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタ(メタ)アクリレート、トリペンタエリスリトールオクタ(メタ)アクリレート、テトラペンタエリスリトールノナ(メタ)アクリレート、テトラペンタエリスリトールデカ(メタ)アクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカ(メタ)アクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカ(メタ)アクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、9,9-ビス[4-(2-(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、(2-(メタ)アクリロイルオキシプロポキシ)-3-メチルフェニル]フルオレンまたは9,9-ビス[4-(2-(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)-3、5-ジメチルフェニル]フルオレンが挙げられるが、露光感度をより向上させたい場合は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート又はトリペンタエリスリトールオクタアクリレートが好ましく、疎水性向上による現像時密着性を向上させたい場合は、ジメチロール-トリシクロデカンジアクリレート、ジメチロール-トリシクロデカンジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールAジアクリレート又は9,9-ビス[4-(2-アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレンが好ましく硬化膜の伸度を向上させたい場合は、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートが好ましい。
その他の(C)成分の化合物としては、例えば、多官能エポキシ化合物と(メタ)アクリル酸とを反応して得られるエポキシ(メタ)アクリレートが挙げられる。エポキシ(メタ)アクリレートは親水性を付加するため、アルカリ現像性の向上目的で用いることができる。多官能エポキシ化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。これらの多官能エポキシ化合物は耐熱性、耐薬品性に優れるため好ましい。
Figure 0007318206000016
Figure 0007318206000017
(C)成分の分子量としては5000以下が好ましく、2000以下がより好ましい。5000以下であれば、(A)成分との相溶性が維持され、膜の白化などの現象が生ずることを低減できるため好ましい。
(C)成分の添加量としては、好ましくは(A)成分100質量部に対し、5質量部以上100質量部以下が好ましく、10質量部以上50質量部以下がより好ましい。かかる範囲である場合に、露光感度と硬化膜の耐薬品性の向上効果が得やすくなる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(D)オルトカルボン酸エステル化合物(以下、(D)成分と省略する場合がある。)を有してもよい。(D)成分を含有することで、感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させることが出来る。(D)成分の具体例としては、オルトギ酸メチル、オルトギ酸エチル、オルトギ酸イソプロピル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸イソプロピルが挙げられる。中でも、オルトギ酸メチル、オルトギ酸エチルが保存安定性向上効果が高く、好ましい。
(D)成分の添加量としては、(A)成分100質量部に対し、5質量部以上1000質量部以下が好ましく、20質量部以上500質量部以下がより好ましく、50質量部以上300質量部以下がより好ましい。かかる範囲である場合に、保存安定性向上効果が得やすくなる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(E)酸化防止剤を有してもよい。(E)酸化防止剤を含有することで、後工程の加熱処理における硬化膜の黄変および伸度などの機械特性の低下を抑えられる。また、金属材料への防錆作用により、金属材料の酸化を抑制することができるため、好ましい。
(E)酸化防止剤としてはヒンダードフェノール系酸化防止剤またはヒンダードアミン系酸化防止剤が好ましい。また、1分子中のフェノール基又はアミノ基の数としては、酸化防止効果が得やすいことから2以上が好ましく、4以上がより好ましい。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例として以下のものが挙げられるが、下記構造に限らない。
Figure 0007318206000018
Figure 0007318206000019
Figure 0007318206000020
Figure 0007318206000021
Figure 0007318206000022
Figure 0007318206000023
ヒンダードフェノール化合物は、ラジカルの拡散を抑制するため解像度向上の効果も合わせ持つ。さらに、アルカリ水溶液で現像可能な場合、溶解促進剤として作用し残渣抑制効果も併せ持つ。
ヒンダードアミン化合物としては、例えば、ビス(1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル)[[3,5-ビス(1,1-ジメチルエチル)-4-ヒドロキシフェニル]メチル]ブチルマロネート、ビス(1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジル)セバケート、メチル-1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルセバケート、1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピペリジルメタクリレート、2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリジルメタクリレート、デカン二酸ビス(2,2,6,6-テトラメチル-1-(オクチルオキシ)-4-ピペリジニル)エステルと1,1-ジメチルエチルヒドロペルオキシドとオクタンの反応生成物、テトラキス(1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピリジル)ブタン-1,2,3,4-テトラカルボキシレート又はテトラキス(2,2,6,6-テトラメチル-4-ピリジル)ブタン-1,2,3,4-テトラカルボキシレートが挙げられる。
(E)酸化防止剤の添加量としては、好ましくは(A)成分100質量部に対し、0.1質量部以上10.0質量部以下が好ましく、0.3質量部以上5.0質量部以下がより好ましい。かかる範囲である場合に、現像性および加熱処理による変色抑制効果を適度に保つことができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、(F)窒素原子を含む複素環化合物を有してもよい。(F)窒素原子を含む複素環化合物を有することで、銅、アルミ、銀などの酸化されやすい金属の下地において高い密着性が得られる。そのメカニズムは明らかでないが、窒素原子の金属配位能により金属表面と相互作用し、複素環の嵩高さによりその相互作用が安定化するためと推測される。
(F)窒素原子を含む複素環化合物としてはイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、カルバゾール、ピラゾリン、ピラゾリジン、トリアゾール、テトラゾール、ピリジン、ピペリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、シアヌル酸、イソシアヌル酸およびこれらの誘導体が挙げられる。
(F)窒素原子を含む複素環化合物としてより具体的には、1H-イミダゾール、1H-ベンゾイミダゾール、1H-ピラゾール、インダゾール、9H-カルバゾール、1-ピラゾリン、2-ピラゾリン、3-ピラゾリン、ピラゾリジン、1H-トリアゾール、5-メチル-1H-トリアゾール、5-エチル-1H-トリアゾール、4,5-ジメチル-1H-トリアゾール、5-フェニル-1H-トリアゾール、4-t-ブチル-5-フェニル-1H-トリアゾール、5-ヒドロキシフェニル-1H-トリアゾール、フェニルトリアゾール、p-エトキシフェニルトリアゾール、5-フェニル-1-(2-ジメチルアミノエチル)トリアゾール、5-ベンジル-1H-トリアゾール、ヒドロキシフェニルトリアゾール、1,5-ジメチルトリアゾール、4,5-ジエチル-1H-トリアゾール、1H-ベンゾトリアゾール、2-(5-メチル-2-ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2-[2-ヒドロキシ-3,5-ビス(α,α―ジメチルベンジル)フェニル]-ベンゾトリアゾール、2-(3,5-ジ-t-ブチル-2-ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(3-t-ブチル-5-メチル-2-ヒドロキシフェニル)-ベンゾトリアゾール、2-(3,5-ジ-t-アミル-2-ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-t-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール、4-メチル-1H-ベンゾトリアゾール、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾール、5-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾール、1H-テトラゾール、5-メチル-1H-テトラゾール、5-フェニル-1H-テトラゾール、5-アミノ-1H-テトラゾール、1-メチル-1H-テトラゾール、ピリジン、1H-ピペリジン、ジメチルピペリジン、ピリミジン、チミン、ウラシル、ピラジン、1,3,5-トリアジン、メラミン、2,4,6-トリ(2-ピリジル)-1,3,5-トリアジン、2-(2,4-ジヒドロキシフェニル)-4,6-ビス-(2,4-ジメチルフェニル)-1,3,5-トリアジン、2,4-ビス(2-ヒドロキシ-4-ブトキシフェニル)-6-(2,4-ジブトキシフェニル)-1,3,5-トリアジン、2-(4,6-ビス(2,4-ジメチルフェニル)-1,3,5-トリアジン-2-イル)-5-ヒドロキシフェニル、トリス((メタ)アクリロイロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(グリシジロイルオキシエチル)イソシアヌレートなどがあげられる。これらの中でも、合成の容易さ、金属との反応性などの観点から、1H-ベンゾトリアゾール、4-メチル-1H-メチルベンゾトリアゾール、5-メチル-1H-メチルベンゾトリアゾール、4-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾール、5-カルボキシ-1H-ベンゾトリアゾール、1H-テトラゾール、5-メチル-1H-テトラゾール、5-フェニル-1H-テトラゾールなどが好ましい。
(F)窒素原子を含む複素環化合物の添加量としては、好ましくは(A)成分100質量部に対し、0.01質量部以上5.0質量部以下が好ましく、0.05質量部以上3.0質量部以下がより好ましい。かかる範囲である場合に、現像性および下地金属の安定化効果を適度に保つことができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N‐ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドなどの極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテートなどのエステル類、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、3-メチル-3-メトキシブタノールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。
溶剤の含有量は、(A)成分100質量部に対して、組成物を溶解させるため、100質量部以上含有することが好ましく、膜厚1μm以上の塗布膜を形成させるため、1,500質量部以下含有することが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて基板との濡れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ-テル類を含有してもよい。
また、基板との接着性を高めるために、保存安定性を損なわない範囲で本発明の感光性樹脂組成物にシリコン成分として、シランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤としては、トリメトキシアミノプロピルシラン、トリメトキシシクロヘキシルエポキシエチルシラン、トリメトキシビニルシラン、トリメトキシチオールプロピルシラン、トリメトキシグリシジルオキシプロピルシラン、トリス(トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレート、トリエトキシアミノプロピルシラン、トリエトキシシクロヘキシルエポキシエチルシラン、トリエトキシビニルシラン、トリエトキシチオールプロピルシラン、トリエトキシグリシジルオキシプロピルシラン、トリス(トリエトキシシリルプロピル)イソシアヌレートおよび、トリメトキシアミノプロピルシランまたはトリエトキシアミノプロピルシランと酸無水物との反応物が挙げられる。該反応物は、アミド酸の状態またはイミド化した状態で用いることができる。反応させる酸無水物としては、無水コハク酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3-ヒドロキシフタル酸無水物、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、4,4’-オキシジフタル酸二無水物が挙げられる。シランカップリング剤の好ましい含有量は、(A)成分100質量部に対して0.01~10質量部である。
次に、本発明の感光性樹脂組成物の形状について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物は、前記(A)成分、(B)光重合開始剤および(C)成分が含まれていればその形状に制限はなく、例えばペースト状であってもシート状であってもよい。
また、本発明の感光性シートとは、本発明の感光性樹脂組成物を支持体上に塗布し、溶媒を揮発させることが可能な範囲の温度および時間で乾燥することで得られる、完全に硬化されていないシート状のもので、有機溶媒またはアルカリ水溶液に可溶である状態のものを指す。
支持体は特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリイミドフィルムなど、通常市販されている各種のフィルムが使用可能である。支持体と感光性樹脂組成物との接合面には、密着性と剥離性を向上させるために、シリコーン、シランカップリング剤、アルミキレート剤、ポリ尿素などの表面処理を施してもよい。また、支持体の厚みは特に限定されないが、作業性の観点から、10~100μmの範囲であることが好ましい。さらに塗布で得られた感光性組成物の膜表面を保護するために、膜表面上に保護フィルムを有してもよい。これにより、大気中のゴミやチリ等の汚染物質から感光性樹脂組成物の表面を保護することができる。
感光性樹脂組成物を支持体に塗布する方法としてはスピンナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーター、ロールコーター、コンマロールコーター、グラビアコーター、スクリーンコーター、スリットダイコーターなどの方法が挙げられる。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、塗膜均一性などの観点から0.5μm以上100μm以下であることが好ましい。
乾燥には、オーブン、ホットプレート、赤外線などを使用することができる。乾燥温度および乾燥時間は、溶媒を揮発させることが可能な範囲であればよく、感光性樹脂組成物が未硬化または半硬化状態となるような範囲を適宜設定することが好ましい。具体的には、40℃から150℃の範囲で1分から数十分行うことが好ましい。また、これらの温度を組み合わせて段階的に昇温してもよく、例えば、80℃、90℃で各2分ずつ熱処理してもよい。
次に、本発明の感光性樹脂組成物または感光性シートを用いて硬化膜のレリーフパターンを形成する方法について説明する。
本発明の感光性樹脂組成物を基板に塗布する、または前記感光性シートを基板にラミネートする。基板としては金属銅めっき基板、シリコンウエハ、また材質としてはセラミックス類、ガリウムヒ素、などが用いられるが、これらに限定されない。塗布方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティングなどの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1~150μmになるように塗布される。
基板と感光性樹脂組成物との接着性を高めるために、基板を前述のシランカップリング剤で前処理することもできる。例えば、シランカップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に0.5~20質量%溶解させた溶液を、スピンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などにより表面処理をする。場合によっては、その後50℃~300℃までの熱処理を行い、基板とシランカップリング剤との反応を進行させる。
次に感光性樹脂組成物を塗布、または本発明の感光性シートをラミネートした基板を乾燥して、感光性樹脂組成物被膜を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃~150℃の範囲で1分間~数時間行うことが好ましい。なお、感光性シートの場合は必ずしも乾燥工程を経なくてもよい。
次に、この感光性樹脂組成物被膜上に所望のパターンを有するマスクを通して化学線を照射し、露光する。露光に用いられる化学線としては紫外線、可視光線、電子線、X線などがあるが、本発明では水銀灯のi線(365nm)、h線(405nm)、g線(436nm)を用いることが好ましい。
次に、この露光された感光性樹脂組成物被膜を、必要に応じて露光後ベーク(PEB)工程を経てもよい。PEB工程はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃~150℃の範囲で1分間~数時間行うことが好ましい。
樹脂のパターンを形成するには、露光後、現像液を用いて未露光部を除去する。現像に使用される現像液としては、感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との組合せが好ましい。例えばアルカリ水溶液に溶解しない感光性樹脂組成物の場合、良溶媒としては、N-メチルピロリドン、N-シクロヘキシル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ-ブチロラクトン、α-アセチル-γ-ブチロラクトン等が好ましく、貧溶媒としてはトルエン、キシレン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート及び水等が好ましい。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。また、各溶媒を2種以上、例えば数種類組合せて用いることもできる。一方、アルカリ水溶液に溶解する感光性樹脂組成物の場合、現像に使用される現像液は、アルカリ水溶液可溶性重合体を溶解除去するものであり、典型的にはアルカリ化合物を溶解したアルカリ性水溶液である。アルカリ化合物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどが挙げられる。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にN-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、ジメチルアクリルアミドなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを添加してもよい。現像後は、有機溶媒または水にてリンス処理をすることが好ましい。有機溶媒を用いる場合、上記の現像液に加え、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどが挙げられる。水を用いる場合、ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
現像後、150℃~320℃の温度を加えて熱架橋反応を進行させ、硬化させる。この加熱処理は温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら5分間~5時間実施する。一例としては、130℃、200℃で各30分ずつ熱処理する。本発明においてのキュア条件の下限としては170℃以上が好ましいが、十分に硬化を進行させるために180℃以上であることがより好ましい。また、キュア条件の上限としては、280℃以下が好ましいが、本発明は特に低温硬化性において優れた硬化膜を提供するものであるため、250℃以下がより好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物により形成した硬化膜は、電子部品を構成する絶縁膜、保護膜として使用することができる。
ここで、電子部品としては、トランジスタ、ダイオード、集積回路(IC)、メモリなどの半導体を有する能動部品、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動部品が挙げられる。また、半導体を用いた電子部品を半導体装置とも称する。
電子部品内の硬化膜の具体例としては、半導体のパッシベーション膜、半導体素子、TFT(Thin Film Transistor)などの表面保護膜、2~10層の高密度実装用多層配線における再配線間の層間絶縁膜などの層間絶縁膜、タッチパネルディスプレーの絶縁膜、保護膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられるが、これに制限されず、様々な構造をとることができる。
また、硬化膜を形成する基板表面は用途、工程によって適宜選択できるが、シリコン、セラミックス、ガラス、金属、エポキシ樹脂などが挙げられ、同一面内にこれらが複数配置されていても良い。
次に、本発明の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜を用いた、バンプを有する半導体装置への応用例について図面を用いて説明する。図1は、本発明のバンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面図である。図1に示すように、シリコンウエハ1には入出力用のアルミニウム(以下、Alと略す)パッド2上にパッシベーション膜3が形成され、そのパッシベーション膜3にビアホールが形成されている。この上に本発明の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜によるパターンとして絶縁膜4が形成され、更に、金属(Cr、Ti等)膜5がAlパッド2と接続されるように形成され、電解めっき等で金属配線(Al、Cu等)6が形成されている。金属膜5はハンダバンプ10の周辺をエッチングして、各パッド間を絶縁する。絶縁されたパッドにはバリアメタル8とハンダバンプ10が形成されている。絶縁膜7の感光性樹脂組成物を硬化した硬化膜はスクライブライン9において、厚膜加工を行うことができる。
また、本発明の硬化膜は伸度と弾性率に優れるため、実装時も封止樹脂からの応力を緩和することできるため、low-k層のダメージを防ぎ、高信頼性の半導体装置を提供できる。
次に、半導体装置の詳細な作製方法について図2に記す。図2の2aに示すように、シリコンウエハ1に入出力用のAlパッド2、さらにパッシベーション膜3を形成させ、本発明の感光性樹脂組成物硬化した硬化膜によるパターンとして絶縁膜4を形成させる。続いて、図2の2bに示すように、金属(Cr、Ti等)膜5をAlパッド2と接続されるように形成させ、図2の2cに示すように、金属配線6をメッキ法で成膜する。次に、図2の2d’に示すように、本発明の硬化前の感光性樹脂組成物を塗布し、フォトリソ工程を経て図2の2dに示すようなパターンとして絶縁膜7を形成する。この際に、絶縁膜7の硬化前の感光性樹脂組成物はスクライブライン9において、厚膜加工を行うことになる。3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
次いで、図2の2eおよび2fに示すように、バリアメタル8、ハンダバンプ10を形成する。そして、最後のスクライブライン9に沿ってダイシングしてチップ毎に切り分ける。絶縁膜7がスクライブライン9においてパターンが形成されていない場合または残渣が残っていた場合は、ダイシングの際クラック等が発生しチップの信頼性評価に影響する。このため、本発明のように、厚膜加工に優れたパターン加工を提供できることは、半導体装置の高信頼性を得るために非常に好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物および/または感光性シートを硬化した硬化膜は、中空構造体を形成することが出来る。中でも、ミクロンレベルの中空構造体を形成するのに適している。図3に、具体例としてシリコンウエハ上に形成した中空構造体の断面図を示す。図3はシリコンウエハ11上に1層目(柱層)12が形成され、その上に2層目(屋根層)13が形成されている様子を示す断面図である。図4に、中空構造体の形成方法について上面図で説明する。シリコンウエハ11上に1層目(柱層)12を感光性樹脂組成物または感光性シートを用いて形成し、硬化した後(図4の4a)、2層目(屋根層)13を、感光性シートを用いて形成し、硬化することで得られる(図4の4b)。図4の4bは2層目(屋根層)13の大きさを1層目(柱層)12の外周より少し小さく形成した例である。必要に応じて2層目(屋根層)13を1層目(柱層)12より大きく形成し、廂部位を形成してもよい。また、2層目(屋根層)13にビアホールやスリットなどを形成することもできる。この中空構造は、それを必要とする電子部品に好適に用いることが出来る。
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法について説明する。評価には、あらかじめ平均孔径1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過した硬化前の感光性樹脂組成物(以下ワニスと呼ぶ)を用いた。
(1)分子量測定
(A)成分の重量平均分子量(Mw)は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)装置Waters2690-996(日本ウォーターズ(株)製)を用いて確認した。展開溶媒をN-メチル-2-ピロリドン(以降NMPと呼ぶ)として測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)及び分散度(PDI=Mw/Mn)を計算した。
(2)パターン加工性
(2)-1 感度
ワニスをシリコンウエハにスピンコーター(ミカサ(株)製1H-360S)を用いてスピンコートした後、ホットプレート(大日本スクリーン製造(株)製SCW-636)を用いて120℃で3分間プリベークし、膜厚11μmのプリベーク膜を作製した。得られたプリベーク膜に、パラレルライトマスクアライナー(以下PLAという)(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて超高圧水銀灯を光源として、感度測定用のグレースケールマスク(2~50μmの、1:1のライン&スペースのパターンを有する)を介してコンタクトで露光した。その後、120℃で1分間露光後ベークをし、塗布現像装置MARK-7を用いて、ポリマーがアルカリ水溶液に溶解しない場合は現像液としてシクロペンタノンを用いて2分間シャワー現像し、ついでプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで30秒間リンスした。ポリマーがアルカリ水溶液に溶解する場合は、現像液として2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム(以下、「TMAH」と略す)水溶液(商品名「ELM-D」、三菱ガス化学(株)製)で90秒間パドル現像し、次いで水で30秒間リンスした。
現像後に膜厚を測定し、露光部の残膜率が90%を超える最小露光量を感度とした。露光量はI線照度計で測定した。
なお、膜厚は大日本スクリーン製造(株)製ラムダエースSTM-602を用いて屈折率1.629で測定した。以下に記載する膜厚も同様である。
(2)-2 解像度
(2)-1で定義した感度での露光量における現像後の最小パターン寸法を測定した。
(3)耐薬品性の評価
ワニスを、シリコンウエハ上に120℃で3分間プリベークを行った後の膜厚が10μmとなるように塗布現像装置MARK-7を用いてスピンコート法で塗布し、プリベークした後、PLAを用いて塗膜全面に300mJ/cmを露光し、イナートオーブンCLH-21CD-Sを用いて、窒素気流下において酸素濃度20ppm以下で毎分3.5℃の昇温速度で230℃まで昇温し、230℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、その硬化膜を有機薬液(ジメチルスルホキシド:25%TMAH水溶液=92:2)に40℃で10分間浸漬させ、パターンの剥がれや溶出の有無を観察した。その結果が、パターンの剥がれや溶出なしの場合は良好として2、パターンの剥がれや溶出が観測された場合は不良として1、と評価した。
(4)伸度および弾性率の測定
ワニスを6インチ(15.24cm)のシリコンウエハ上に、120℃で3分間のプリベーク後の膜厚が11μmとなるように塗布現像装置ACT-8を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、PLAを用いて全面に300mJ/cmを露光し、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で230℃まで昇温し、230℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、45質量%のフッ化水素酸に5分間浸漬することで、ウエハより樹脂組成物の硬化膜を剥がした。この膜を幅1.5cm、長さ9cmの短冊状に切断し、テンシロンRTM-100((株)オリエンテック製)を用いて、室温23.0℃、湿度45.0%RH下で引張速度50mm/分で引っ張り(チャック間隔=2cm)、破断点伸度および弾性率の測定を行なった。測定は1検体につき10枚の短冊について行ない、結果から上位5点の平均値を求めた(有効数字=2桁)。
(5)銅基板密着性評価
次の方法にて金属銅との密着性評価を行なった。
まず、厚さ約3μmの金属銅めっき基板上にワニスをスピンコート法で塗布し、次いでホットプレート(大日本スクリーン製造(株)製D-SPIN)を用いて120℃のホットプレートで3分ベークし、最終的に厚さ8μmのプリベーク膜を作製した。PLAを用いて全面に300mJ/cmを露光し、この膜をイナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で230℃まで昇温し、230℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところで基板を取り出し、基板を2分割し、それぞれの基板についてキュア後の膜に片刃を使用して2mm間隔で10行10列の碁盤目状の切り込みをいれた。このうち一方のサンプル基板を用い、“セロテープ”(登録商標)による引き剥がしによって100マスのうち何マス剥がれたかで金属材料/樹脂硬化膜間の接着特性の評価を行なった。また、もう一方のサンプル基板については、プレッシャークッカー試験(PCT)装置(タバイエスペエック(株)製HAST CHAMBER EHS-211MD)を用いて121℃、2気圧の飽和条件で400時間PCT処理を行なった後、上記の引き剥がしテストを行なった。いずれの基板についても引き剥がしテストで剥がれ個数が0を極めて良好として4、1以上20未満を良好として3、20以上50未満を可として2、50以上を不良として1とした。
(6)信頼性評価
次の方法にて信頼性評価を行なった。
(6)-1.高温保存(High Temperature Strage、HTS)後の機械特性評価
ワニスを6インチ(15.24cm)のシリコンウエハ上に、120℃で3分間のプリベーク後の膜厚が11μmとなるように塗布現像装置MARK-7を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、PLAを用いて全面に300mJ/cmを露光し、PLAを用いてイナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で230℃まで昇温し、230℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでウエハを取り出し、次に、高温保存試験機を用いて、150℃で500時間処理を行った。ウエハを取り出し、前述の「(4)伸度および弾性率の測定」記載の、フッ化水素酸処理以降の手順に従い伸度および強度の評価を実施した。
(6)-2.高温保存(HTS)後の密着性評価
厚さ約3μmの金属銅めっき基板上にワニスをスピンナ(ミカサ(株)製)を用いてスピンコート法で塗布し、次いでホットプレート(大日本スクリーン製造(株)製D-SPIN)を用いて120℃のホットプレートで3分ベークし、最終的に厚さ8μmのプリベーク膜を作製した。PLAを用いて全面に300mJ/cmを露光し、この膜をイナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で220℃まで昇温し、220℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところで基板を取り出し、キュア後の膜に片刃を使用して2mm間隔で10行10列の碁盤目状の切り込みをいれた。このサンプル基板について、高温保存試験機を用いて150℃で500時間加熱保存処理を行なった後、上記の引き剥がしテストを行なった。いずれの基板についても引き剥がしテストで剥がれ個数が0を極めて良好として4、1以上20未満を良好として3、20以上50未満を可として2、50以上を不良として1とした。
(7)ワニスの保存安定性
調製後のワニスの粘度および23℃下で2週間放置した後の粘度を測定し、放置前後の粘度の変化率を計算した。
放置前後の粘度の変化率が小さいほど保存安定性が良好であることを示す。
[合成例1]三酸無水物(酸-1)の合成
乾燥窒素気流下、3,4,4’-トリアミノジフェニルエーテル(東京化成工業(株)製)7.1g(0.033モル)とアリルグリシジルエーテル34.2g(0.3モル)をテトラヒドロフラン(THF)100gに溶解させ、-15℃に冷却した。ここにTHF50gに溶解させた無水トリメリット酸クロリド22.1g(0.11モル)を反応液の温度が0℃を越えないように滴下した。滴下終了後、0℃で4時間反応させた。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、トルエン1Lに投入し、濾別、乾燥を経て酸無水物(酸-1)を得た。
Figure 0007318206000024
[合成例2]三酸無水物(酸-2)の合成
乾燥窒素気流下、TrisP-PA(商品名、本州化学工業(株)製)14.1g(0.033モル)と無水トリメリット酸クロリド22.1g(0.11モル)をTHF150gに溶解させ、5℃に冷却した。ここにTHF50gで希釈したトリエチルアミン11.1g(0.11モル)を反応液の温度が30℃を越えないように滴下した。滴下終了後、室温で4時間反応させた。この溶液を濾過しトリエチルアミンの塩酸塩を除去、濾液をロータリーエバポレーターで濃縮して、トルエン1Lに投入し、濾別、乾燥を経て酸無水物(酸-2)を得た。
Figure 0007318206000025
[合成例3 ポリイミド前駆体(P-1)の合成]
4,4’-オキシジフタル酸二無水物(ODPA)31.02g(0.10mol)を500ml容量のセパラブルフラスコに入れ、2-ヒドロキシエチルメタクリレート(HEMA)を26.03g(0.20mol)とγ―ブチロラクトン76mlを入れて室温下で、撹拌しながらピリジン16.22g(0.21mol)を加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、16時間放置した。
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)41.27g(0.2mol)をγ-ブチロラクトン40mLに溶解した溶液を撹拌しながら20分かけて反応混合物に加え、続いて4,4‘-ジアミノジフェニルエーテル(DAE)17.72g(0.0885mol)と1,3,5-トリス(4―アミノフェノキシ)ベンゼン(TAPOB)0.40g(0.001mol)をγ-ブチロラクトン100mlに懸濁したものを撹拌しながら20分かけて加えた。更に室温で2時間撹拌した後、エチルアルコール(EtOH)6mlを加えて1時間撹拌し、次に、γ-ブチロラクトン65mLを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
得られた反応液を800mlのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン300mLに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を6Lの水に滴下してポリマーを沈殿させ、この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗浄した後、真空乾燥して粉末状のポリイミド前駆体(P-1)を得た。ポリイミド前駆体(P-1)の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー(標準ポリスチレン換算)で測定したところ、重量平均分子量(Mw)は29000、PDIは2.5であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-1中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例4 ポリイミド前駆体(P-2)の合成]
DAE仕込み量を16.52g(0.0825mol)、TAPOB仕込み量を2.00(0.005mol)に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-2を得た。重量平均分子量(Mw)は35000、PDIは3.0であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-2中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で4.7mol%であった。
[合成例5 ポリイミド前駆体(P-3)の合成]
DAE仕込み量を15.02g(0.075mol)、TAPOB仕込み量を3.99(0.010mol)に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-3を得た。重量平均分子量(Mw)は45000、PDIは4.0であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-3中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で9.5mol%であった。
[合成例6 ポリイミド前駆体(P-4)の合成]
TAPOBを、トリス(4―アミノフェニル)アミン(TAPA)0.29g(0.001mol)、に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-4を得た。重量平均分子量(Mw)は28000、PDIは2.8であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-4中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例7 ポリイミド前駆体(P-5)の合成]
TAPOBを、2,4,6-トリス(4―アミノフェノキシ)-1,3,5-トリアジン(TAPT)0.40g(0.001mol)、に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-5を得た。重量平均分子量(Mw)は26000、PDIは2.7であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-5中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例8 ポリイミド前駆体(P-6)の合成]
TAPOBを、3,4,4‘-トリアミノジフェニルエーテル(TADPE)0.22g(0.001mol)、に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-6を得た。重量平均分子量(Mw)は27000、PDIは2.7であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-6中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例9 ポリイミド前駆体(P-7)の合成]
ODPAを、ODPA30.55g(0.0985mol)および合成例1で合成した「酸-1」0.74g(0.001mol)の混合物に替え、DAE仕込み量を18.02g(0.09mol)に替え、TAPOBを用いない変更を行い、合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-7を得た。重量平均分子量(Mw)は35000、PDIは2.9であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-7中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例10 ポリイミド前駆体(P-8)の合成]
ODPAを、ODPA30.55g(0.0985mol)および合成例2で合成した「酸-2」0.95g(0.001mol)の混合物に替え、DAE仕込み量を18.02g(0.09mol)に替え、TAPOBを用いない変更を行い、合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-8を得た。重量平均分子量(Mw)は27000、PDIは2.7であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-8中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例11 ポリイミド(P-9)の合成]
ODPAを、ODPA30.55g(0.0985mol)および合成例2で合成した「酸-2」0.95g(0.001mol)の混合物に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-9を得た。重量平均分子量(Mw)は27000、PDIは2.7であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-9中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で1.8mol%であった。
[合成例12 ポリイミド前駆体(P-10)の合成]
DAEを2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(BAHF)32.39g(0.0885mol)に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-10を得た。P-10はアルカリ水溶液に溶解するポリイミド前駆体である。重量平均分子量(Mw)は29000、PDIは2.5であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-10中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例13 ポリイミド(P-11)の合成]
乾燥窒素気流下、BAHF30.56g(0.0835mol)、TAPOB0.4g(0.001mol)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)1.24g(0.005mol)、末端封止剤として、3-アミノフェノール(MAP)(東京化成工業(株)製)2.18g(0.02mol)をNMP100gに溶解させた。ここにODPA31.02g(0.1mol)をNMP30gとともに加えて、20℃で1時間反応させ、次いで50℃で4時間反応させた。その後、180℃5時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿を集めた。この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の通風乾燥機で3日間乾燥して粉末状のポリイミド(P-11)を得た。重量平均分子量(Mw)は26000、PDIは2.6であった。P-11はアルカリ水溶液に溶解するポリイミドである。P-11のイミド化率(イミド閉環率)を下記に示す公知の方法で測定したところ、100%であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-11中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
<イミド化率の測定>
上記のイミド化率(RIM(%))は、以下の方法で容易に求めることができる。まず、ポリマーの赤外吸収スペクトルを測定し、ポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピーク(1780cm-1付近、1377cm-1付近)の存在を確認し、1377cm-1付近のピーク強度(X)を求める。次に、そのポリマーを350℃で1時間熱処理し、赤外吸収スペクトルを測定し、1377cm-1付近のピーク強度(Y)を求める。これらのピーク強度比が熱処理前ポリマー中のイミド基の含量、すなわちイミド化率に相当する(RIM=X/Y×100(%))。
[合成例14 ポリヒドロキシアミド(P-12)の合成]
乾燥窒素気流下、BAHF34.25g(0.0935mol)、TAPOB0.4g(0.001mol)をNMP210gに溶解させた。ここに、1,1’-(4,4’-オキシベンゾイル)ジイミダゾール(PBOM)32.25g(0.09mol)をNMP20gとともに加えて、85℃で3時間反応させた。続いて、SiDA1.24g(0.0050mol)をNMP10gとともに加えて、85℃で1時間反応させた。さらに、末端封止剤として、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物(NA)3.28g(0.02モル)をNMP10gとともに加えて、85℃で30分反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸(54.02g、0.90モル)をNMP50gとともに加えて、室温で1時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水3Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の通風乾燥機で3日間乾燥し、ポリヒドロキシアミド(P-12)の粉末を得た。重量平均分子量は40,000、PDIは2.2であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-12中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で0.9mol%であった。
[合成例15 ポリイミド前駆体(P-13)の合成]
DAE仕込み量を10.01g(0.05mol)、TAPOB仕込み量を7.99g(0.02mol)に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-13を得た。重量平均分子量(Mw)は55000、PDIは5.0であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-13中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で18.2mol%であった。
[合成例16 ポリイミド前駆体(P-14)の合成]
DAE仕込み量を18.02g(0.09mol)に替え、TAPOBを添加しない以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-14を得た。重量平均分子量(Mw)は25000、PDIは2.2であった。
[合成例17 ポリイミド(P-15)の合成]
BAHF仕込み量を31.11g(0.085mol)に替え、TAPOBを添加しない以外は合成例13と同様にしてポリイミドP-15を得た。重量平均分子量(Mw)は25000、PDIは2.2であった。
[合成例18 ポリヒドロキシアミド(P-16)の合成]
BAHF仕込み量を34.79g(0.095mol)に替え、TAPOBを添加しない以外は合成例14と同様にしてポリヒドロキシアミドP-16を得た。重量平均分子量(Mw)は35000、PDIは2.4であった。
[合成例19 ポリイミド前駆体(P-17)の合成]
DAE仕込み量を14.42g(0.072mol)、TAPOB仕込み量を4.27(0.012mol)に替えた以外は合成例1と同様にしてポリイミド前駆体P-17を得た。重量平均分子量(Mw)は40000、PDIは4.2であった。H-および13C-2次元NMRより算出されたP-17中の、主鎖の分岐点となる構造単位は、全構造単位中で11.5mol%であった。
合成例3~19の構成成分(mol比)を表1に示す。
Figure 0007318206000026
[実施例1]
黄色灯下にて、ポリイミド前駆体(P-1)10.00g、1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)](「イルガキュアOXE-01(商品名)」BASF製)(OXE-01)0.50g、NKエステル 4G(商品名)(新中村化学工業(株)製、化学名:テトラエチレングリコールジメタクリレート)(4G)2.00g、N-フェニルジエタノールアミン1.00g、3-トリメトキシシリルフタルアミド酸0.30gを、N-メチルピロリドン(NMP)15.15gおよび乳酸エチル(EL)3.81gに溶解させ、アクリル系界面活性剤である「ポリフロー77(商品名)」(共栄社化学(株)製)(ポリフロー77)の1質量%EL溶液0.10gを加え、撹拌してワニスを得た。得られたワニスの特性を上記評価方法により測定した。
[実施例2]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-2)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例3]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-3)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例4]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-4)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例5]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-5)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例6]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-6)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例7]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-7)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例8]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-8)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例9]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-9)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例10]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-10)に替え、N-フェニルジエタノールアミンを添加しない以外は実施例1と同様に実施した。
[実施例11]
黄色灯下にて、ポリイミド(P-11)10.00g、OXE-01 0.50g、ライトアクリレート DCP-A(商品名)(共栄社化学(株)製、化学名:ジシクロペンタジエンジアクリレート)2.00g、ライトアクリレート BP-6EM(商品名)(共栄社化学(株)製、化学名:ビスフェノールAのエチレンオキサイド付加物ジアクリレート)(BP-6EM)2.00g、ビニルトリメトキシシラン0.30gを、NMP16.25gおよびEL4.08gに溶解させ、ポリフロー77の1質量%EL溶液0.10gを加え、撹拌してワニスを得た。得られたワニスの特性を上記評価方法により測定した。
[実施例12]
ポリイミド(P-11)をポリヒドロキシアミド(P-12)に替えた以外は実施例11と同様に実施した。
[実施例13]
ヒンダードフェノール化合物IRGANOX245(商品名)(BASF製)(IRGANOX245)0.3gをさらに加える以外は、実施例1と同様に実施した。
[実施例14]
5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール0.02gをさらに加える以外は、実施例1と同様に実施した。
[実施例15]
IRGANOX2450.3gおよび5-メチル-1H-ベンゾトリアゾール0.02gをさらに加える以外は、実施例1と同様に実施した。
[実施例16]
オルトギ酸エチル2.0gをさらに加える以外は、実施例1と同様に実施した。
[実施例17]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-17)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[比較例1]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-13)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。ただし、現像不良のため感度および解像度については評価しなかった。
[比較例2]
ポリイミド前駆体(P-1)をポリイミド前駆体(P-14)に替えた以外は実施例1と同様に実施した。
[比較例3]
ポリイミド(P-11)をポリイミド(P-15)に替えた以外は実施例11と同様に実施した。
[比較例4]
ポリイミド(P-11)をポリヒドロキシアミド(P-16)に替えた以外は実施例11と同様に実施した。
実施例1~15および比較例1~4の結果を表2、表3に示す。
Figure 0007318206000027
Figure 0007318206000028
1 シリコンウエハ
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 絶縁膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 金属配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 スクライブライン
10 ハンダバンプ
11 シリコンウエハ
12 1層目(柱層)
13 2層目(屋根層)

Claims (14)

  1. (A)主鎖に分岐を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールおよびそれらの前駆体から選択される1種類以上の樹脂、(B)光重合開始剤および(C)2以上のエチレン性不飽和結合を有する化合物を含有し、該(A)樹脂中の主鎖の分岐点となる構造単位が、全構造単位中0.05mol%以上12mol%以下の割合であり、前記(A)樹脂の重量平均分子量が5,000以上100,000以下である、感光性樹脂組成物。
  2. 前記(A)樹脂の主鎖の分岐点となる構造単位として、下記一般式(1)および(2)から選ばれる少なくとも1種類以上の構造単位を含有する、請求項1記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 0007318206000029
    (式中、Xは2個以上の炭素原子を有する2~16価の有機基、Yは2個以上の炭素原子を有する2価~14価の有機基、R、Rはそれぞれ独立に水素、または炭素数1~20の有機基のいずれかを示す。p、q、sはそれぞれ独立に0~4の整数、rは0~6の整数を示す。l、mは主鎖の分岐の数を示し、それぞれ独立に0~4の整数を示す。ただし、l+m≧1である。また、l、m、p、q、r、sについては、値が0の場合には、括弧内の官能基はそれぞれ水素原子を示す。)
    Figure 0007318206000030
    (式中、Xは2個以上の炭素原子を有する4~16価の有機基、Yは2個以上の炭素原子を有する2価~10価の有機基、R、Rはそれぞれ独立に水酸基または炭素数1~20の有機基のいずれかを示す。t、uはそれぞれ独立に0~4の整数を示す。h、iは主鎖の分岐の数を表し、それぞれ独立に0~4の整数を示す。ただし、h+i≧1である。また、h,i,t,uについては、値が0の場合には、括弧内の官能基はそれぞれ水素原子を示す。)
  3. 前記(A)樹脂の主鎖の分岐点となる構造単位が、(a-1)3価以上のアミン化合物由来の構造単位を含有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記(A)樹脂の主鎖の分岐点となる構造単位が、一般式(3)で表されるトリアミン由来の構造単位を含有する、請求項1~3のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
    Figure 0007318206000031
    (Zはベンゼン環、トリアジン環、炭素数1~5の脂肪族基およびそれらの誘導体由来の3価の有機基、または窒素原子を示す。)
  5. さらに、(D)オルトカルボン酸エステル化合物を含有する請求項1~4のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  6. さらに、(E)酸化防止剤を含有する請求項1~5のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  7. さらに、(F)窒素原子を含む複素環化合物を含有する請求項1~6のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
  8. 請求項1~7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物から形成された感光性シート。
  9. 請求項1~7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物、または請求項8に記載の感光性シートを硬化した硬化膜。
  10. 請求項1~7のいずれかに記載の感光性樹脂組成物、または請求項8に記載の感光性シートを用いて硬化膜を製造する方法であって、
    前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、または前記感光性シートを基板上にラミネートし、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜を露光する工程と、露光後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程と、熱処理後の感光性樹脂膜を現像する工程と、現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程とを含む、硬化膜の製造方法。
  11. 請求項9に記載の硬化膜を有する中空構造体。
  12. 請求項11記載の中空構造体を有する電子部品。
  13. 請求項9に記載の硬化膜のレリーフパターン層を有する、電子部品。
  14. 請求項9に記載の硬化膜が再配線間の層間絶縁膜として配置された、電子部品。
JP2018551885A 2017-09-28 2018-09-25 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品 Active JP7318206B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017188112 2017-09-28
JP2017188112 2017-09-28
PCT/JP2018/035276 WO2019065562A1 (ja) 2017-09-28 2018-09-25 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019065562A1 JPWO2019065562A1 (ja) 2020-09-10
JP7318206B2 true JP7318206B2 (ja) 2023-08-01

Family

ID=65901449

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018551885A Active JP7318206B2 (ja) 2017-09-28 2018-09-25 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7318206B2 (ja)
TW (1) TWI773833B (ja)
WO (1) WO2019065562A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114621437B (zh) * 2022-04-01 2023-08-18 吉林奥来德光电材料股份有限公司 用于制备感光树脂薄膜的化合物、其制备方法和应用
WO2024141320A1 (en) * 2022-12-29 2024-07-04 Basf Se Radiation curable liquid composition, process of forming 3d-printed object and 3d-printed object

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154643A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Tamura Kaken Co Ltd 活性エネルギー線硬化型アルカリ可溶性イミド樹脂、活性エネルギー線硬化型アルカリ可溶性イミド樹脂組成物、ソルダーレジスト用組成物、プリント配線板および感光性ドライフィルム
JP2009175358A (ja) 2008-01-23 2009-08-06 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂前駆体組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2014106326A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Toray Ind Inc 感光性樹脂シートおよびそれを用いた中空構造体の製造方法ならびに得られた中空構造体を有する電子部品

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11282159A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、これを用いたパターン製造法及び半導体装置
JP2001139806A (ja) * 1999-11-16 2001-05-22 Toray Ind Inc 耐熱性感光性樹脂組成物
JP5034269B2 (ja) * 2005-03-31 2012-09-26 大日本印刷株式会社 パターン形成材料、及びポリイミド前駆体樹脂組成物
CN102471664A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 日立化成工业株式会社 感光性粘接剂、以及使用该粘接剂的膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、带有粘接剂层的半导体晶片和半导体装置
KR20150135824A (ko) * 2014-05-26 2015-12-04 주식회사 동진쎄미켐 3개의 관능기를 가지는 감광성 수지, 이를 포함하는 조성물 및 이를 이용한 고분자막 형성방법
JP6688875B2 (ja) * 2016-03-14 2020-04-28 富士フイルム株式会社 組成物、膜、硬化膜、光学センサおよび膜の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005154643A (ja) 2003-11-27 2005-06-16 Tamura Kaken Co Ltd 活性エネルギー線硬化型アルカリ可溶性イミド樹脂、活性エネルギー線硬化型アルカリ可溶性イミド樹脂組成物、ソルダーレジスト用組成物、プリント配線板および感光性ドライフィルム
JP2009175358A (ja) 2008-01-23 2009-08-06 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂前駆体組成物、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2014106326A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Toray Ind Inc 感光性樹脂シートおよびそれを用いた中空構造体の製造方法ならびに得られた中空構造体を有する電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019065562A1 (ja) 2020-09-10
WO2019065562A1 (ja) 2019-04-04
TWI773833B (zh) 2022-08-11
TW201921111A (zh) 2019-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7552360B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、硬化膜の製造方法、層間絶縁膜および電子部品
EP3267254A1 (en) Photosensitive resin composition, method for manufacturing cured resin film, and semiconductor device
KR101966678B1 (ko) 적층체, 적층체의 제조 방법, 반도체 디바이스, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP7003771B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜およびその製造方法
WO2012098734A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、樹脂フィルム及び配線板
JP7409087B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜およびその製造方法、電子部品
KR102489060B1 (ko) 내열성 수지 조성물, 내열성 수지막의 제조 방법, 층간 절연막 또는 표면 보호막의 제조 방법, 및 전자 부품 또는 반도체 부품의 제조 방법
WO2021187355A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、硬化膜、硬化膜の製造方法、電子部品、アンテナ素子、半導体パッケージおよび表示装置
TW201741772A (zh) 積層體的製造方法及半導體元件的製造方法
KR20230110590A (ko) 수지 조성물, 경화물, 적층체, 경화물의 제조 방법, 및, 반도체 디바이스
JP7318206B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性シート、ならびにそれらの硬化膜、その製造方法、それを用いた中空構造体および電子部品
JP2008038141A (ja) 耐熱性樹脂組成物およびそれを用いた金属樹脂複合体
JP2010006947A (ja) ポリマー、感光性樹脂組成物
TW202319451A (zh) 樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法、積層體的製造方法、半導體裝置的製造方法及半導體裝置、以及化合物
TW202234158A (zh) 樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物之製造方法及半導體元件
TWI855121B (zh) 感光性樹脂組成物、感光性片、硬化膜、硬化膜的製造方法、層間絕緣膜及電子零件
TWI852213B (zh) 感光性樹脂組合物、硬化浮凸圖案之製造方法及半導體裝置
JP5630636B2 (ja) 感光性樹脂組成物、永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、表面保護膜並びに層間絶縁膜
WO2024219463A1 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び硬化膜
TW202305016A (zh) 硬化物的製造方法、積層體的製造方法、半導體裝置的製造方法、樹脂組成物、硬化物、積層體及半導體裝置
WO2023032821A1 (ja) 樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、積層体の製造方法、半導体デバイスの製造方法、及び、半導体デバイス
TW202305040A (zh) 硬化物的製造方法、積層體的製造方法、半導體裝置的製造方法、樹脂組成物、硬化物、積層體及半導體裝置
CN116256946A (zh) 感光性树脂组合物、固化浮雕图案的制造方法和半导体装置
TW202244129A (zh) 樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法及半導體裝置、以及環化樹脂的前驅物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230313

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230620

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230703

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7318206

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151