JP7312264B2 - 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 - Google Patents
動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7312264B2 JP7312264B2 JP2021546253A JP2021546253A JP7312264B2 JP 7312264 B2 JP7312264 B2 JP 7312264B2 JP 2021546253 A JP2021546253 A JP 2021546253A JP 2021546253 A JP2021546253 A JP 2021546253A JP 7312264 B2 JP7312264 B2 JP 7312264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- data
- placement
- pattern elements
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 186
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 4
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 claims description 2
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 claims description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 23
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 22
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 2
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 235000021251 pulses Nutrition 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004643 material aging Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000005329 nanolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
- G02B21/0016—Technical microscopes, e.g. for inspection or measuring in industrial production processes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/32—Fiducial marks and measuring scales within the optical system
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/32—Micromanipulators structurally combined with microscopes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/16—Microscopes adapted for ultraviolet illumination ; Fluorescence microscopes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/24—Base structure
- G02B21/241—Devices for focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ここで、Mは、EUVスキャナの投影光学ユニットの拡大係数を表す。EUVマスク400のパターン要素350の変位650の方向および大きさは、EUVマスク400の湾曲により、局所的湾曲
ここで、Δxは、式(3)における2次当てはめの格子点の間隔を表す。局所勾配は、通常、μrad単位で示される。代替的に、局所勾配に、選択された格子間隔を乗算することによって、表面凹凸を定義することも可能である。
ここで、変数は上記で紹介した意味を有し、φはマスクの後面の局所勾配(local slopeback)315を表す。
Claims (20)
- 動作環境(450)における反射フォトリソグラフィマスク(400)のパターン要素(350)の配置を決定するためのデバイス(1000)であって、
a. 前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記動作環境(450)と対応しない測定環境(150)において、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の後面(315)の表面凹凸データ(420)、および/または前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の載置部(900)の表面凹凸データ(930)を決定するように構成された少なくとも1つの第1の手段(1010、1100、1200、1500)と、
b. 前記測定環境(150)において前記パターン要素(350)の配置データを決定するように構成された少なくとも1つの第2の手段(1020、1200)と、
c. 前記後面(315)および/または前記載置部(900)の前記決定された表面凹凸データ(420、930)、ならびに前記決定された配置データから、前記動作環境(450)における前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記パターン要素(350)の配置を計算するように構成された少なくとも1つの計算ユニット(1040)と、
を備え、
前記少なくとも1つの第1の手段(1010、1100、1200)は、前記動作環境(450)に対応しない環境(150)において前記後面(315)の表面凹凸データ(420)を確認するように構成された第1の測定ユニット(1100)を備え、
前記少なくとも1つの第2の手段(1020、1200)は、前記動作環境(450)に対応しない環境(150)において前記パターン要素(350)の配置データを確認するように構成された第2の測定ユニット(1200)を備え、
前記第2の測定ユニット(1200)は、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前面(325)上に実質的に垂直に放射するように構成され、前記第1の測定ユニット(1100)は、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記後面(315)上に実質的に垂直に放射するように構成される、
デバイス(1000)。 - 前記少なくとも1つの第2の手段(1020、1200)は、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記前面(325)の表面凹凸データを決定するように更に構成され、前記計算ユニット(1040)は、前記パターン要素(350)の配置を計算するとき、前記前面(325)の前記決定された表面凹凸データを考慮するように更に構成される、請求項1に記載のデバイス(1000)。
- 前記少なくとも1つの第1の手段(1010)および/または少なくとも1つの第2の手段(1020)は、1つまたは複数の外部測定デバイスから、前記後面(315)、前記前面(325)、および/または前記載置部(900)の前記表面凹凸データ(420、930)、ならびにまた前記パターン要素の配置を取得するように構成される、請求項1または2に記載のデバイス(1000)。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記動作環境(450)における前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記載置部(430)に対する前記パターン要素(350)の配置を決定するように構成される、請求項1~3のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記動作環境(450)における設計データに対する前記パターン要素(350)の配置の少なくとも1つのずれを決定するように構成される、請求項1~4のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記少なくとも1つのずれおよび/または前記後面(315)の表面凹凸データ(420)を補正するピクセルの少なくとも1つの配列を前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の基板(310)に導入するように構成されたレーザシステムを更に備え、前記計算ユニット(1040)は、前記パターン要素(350)の配置の前記少なくとも1つのずれ、および/または前記決定された表面凹凸データ(420)から、前記ピクセルの少なくとも1つの配列を決定するように更に構成される、請求項5に記載のデバイス。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記動作環境(450)において理想的には平坦であると仮定される表面を有する静電チャック(430)に対する前記フォトリソグラフィマスク(400)の前記パターン要素(350)の配置を決定するように構成される、請求項1~6のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記第1の測定ユニット(1100)は、可視波長範囲のための第1の光源(1110)、および/または深紫外波長範囲のための第2の光源(1110)を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記第2の測定ユニット(1200)は、可視波長範囲のための第3の光源(1210)、および/または深紫外波長範囲のための第4の光源(1210)を含む、請求項1~8のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の位置を変えることなく、前記第1の測定ユニット(1100)は前記後面(315)の前記表面凹凸データ(420)を取得し、前記第2の測定ユニット(1200)は前記パターン要素(350)の前記配置データを取得する、請求項9に記載のデバイス(1000)。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記測定環境(150)における前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の保持による前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の変形を考慮するように構成される、請求項10に記載のデバイス(1000)。
- 前記デバイス(1000)は、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)を保持するための3点載置部(140)を備える、請求項1~11のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記少なくとも1つの第1の手段(1010)は、共焦点技法、レーザ表面形状測定、および白色光干渉分光法の少なくとも1つの技法を用いることができる表面形状測定装置を含む少なくとも1つの第3の測定ユニット(1500)を備える、請求項1~12のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記動作環境(450)における前記パターン要素(350)の配置を、前記動作環境(450)における前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記載置部(430)の平坦な表面(460)に関係付けるように構成される、請求項1~13のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 前記計算ユニット(1040)は、前記配置データを確認するプロセス中、および/または前記表面凹凸データ(420)を確認するプロセス中に、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の重力効果を決定するように構成される、請求項1~14のいずれか1項に記載のデバイス(1000)。
- 動作環境(450)における反射フォトリソグラフィマスク(400)のパターン要素(350)の配置を決定するための方法(1600)であって、前記方法(1400)は、以下のステップ、すなわち、
a. 前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記動作環境(450)と対応しない測定環境(150)において、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の後面(315)の表面凹凸データ(420)、および/または前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の載置部(900)の表面凹凸データ(930)を決定するステップ(1620)と、
b. 前記測定環境(150)において前記パターン要素(350)の配置データを決定するステップ(1630)と、
c. 前記後面(315)および/または前記載置部(900)の前記決定された表面凹凸データ(420、930)、ならびに前記決定された配置データから、前記動作環境(450)における前記パターン要素(350)の配置を計算するステップ(1640)と、
を含み、
前記表面凹凸データ(420)を決定することは、前記動作環境(450)に対応しない環境(150)において前記後面(315)の表面凹凸データ(420)を確認するために前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前記後面(315)上に実質的に垂直に放射することを含み、
前記パターン要素(350)の配置データを決定することは、前記動作環境(450)に対応しない環境(150)において前記パターン要素(350)の配置データを確認するために前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の前面(325)上に実質的に垂直に放射することを含む、
方法(1600)。 - 前記表面凹凸データ(420)を決定することは、第1の測定ユニット(1100)によって前記表面凹凸データ(420)を取得することを含み、前記配置データを決定することは、第2の測定ユニット(1200)によって前記パターン要素(350)の前記配置データを取得することを含み、前記表面凹凸データ(420)および前記配置データは、共通測定プロセスにおいて確認される、請求項16に記載の方法(1600)。
- 前記表面凹凸データ(420)を決定することは、前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の温度調節段階において実行される、請求項16または17に記載の方法(1600)。
- レーザを用いて、前記動作環境(450)における前記パターン要素(350)の配置および/または前記後面(315)の表面凹凸データ(420)の少なくとも1つのずれを補正するピクセルの少なくとも1つの配列を前記反射フォトリソグラフィマスク(400)の基板(310)に導入するステップを更に含む、請求項16~18のいずれか1項に記載の方法(1600)。
- コンピュータシステムによって実行されると、前記コンピュータシステムに、請求項16~19のいずれか1項に記載の方法を実行させる命令を含むコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019201497.6 | 2019-02-06 | ||
DE102019201497.6A DE102019201497B3 (de) | 2019-02-06 | 2019-02-06 | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen von Platzierungen von Pattern-Elementen einer reflektiven fotolithographischen Maske in deren Betriebsumgebung |
PCT/EP2020/052984 WO2020161235A1 (en) | 2019-02-06 | 2020-02-06 | Device and method for determining placements of pattern elements of a reflective photolithographic mask in the operating environment thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022520760A JP2022520760A (ja) | 2022-04-01 |
JP7312264B2 true JP7312264B2 (ja) | 2023-07-20 |
Family
ID=69528830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021546253A Active JP7312264B2 (ja) | 2019-02-06 | 2020-02-06 | 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210364908A1 (ja) |
JP (1) | JP7312264B2 (ja) |
KR (1) | KR20210124399A (ja) |
CN (1) | CN113631983B (ja) |
DE (1) | DE102019201497B3 (ja) |
TW (1) | TWI754889B (ja) |
WO (1) | WO2020161235A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7198731B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-01-04 | レーザーテック株式会社 | 撮像装置、及びフォーカス調整方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031954A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びeuv露光装置 |
JP2007150286A (ja) | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置、位置ずれ量計測方法及び位置計測装置 |
JP2008103512A (ja) | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2007150287A5 (ja) | 2006-11-01 | 2009-07-16 | ||
JP2009253119A (ja) | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法 |
JP2010152031A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク |
US20110255065A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Sergey Oshemkov | Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask |
JP2015513223A (ja) | 2012-03-29 | 2015-04-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光系のチャネルの欠陥を補償するための装置及び方法 |
JP2017517759A (ja) | 2014-03-25 | 2017-06-29 | カール ツァイス エスエムエス リミテッド | 光学構成要素及び/又はウェーハの予め決められた3次元輪郭を発生させる方法及び装置 |
WO2018153654A1 (en) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for transforming measurement data of a photolithographic mask for the euv range from first surroundings into second surroundings |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3393947B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2003-04-07 | 株式会社東芝 | 半導体回路パターンの評価方法と評価システム及び描画方法及び描画システム |
JP3793147B2 (ja) * | 2002-12-04 | 2006-07-05 | 株式会社東芝 | レチクルセット、レチクルセットの設計方法、露光モニタ方法、レチクルセットの検査方法及び半導体装置の製造方法 |
DE102004010002B4 (de) | 2004-03-01 | 2007-10-31 | Infineon Technologies Ag | Maskenhalter zum Halten einer lithografischen Reflexionsmaske und Verfahren |
US7643130B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-01-05 | Nuflare Technology, Inc. | Position measuring apparatus and positional deviation measuring method |
JP4634992B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2011-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 位置計測装置及び位置ずれ量計測方法 |
US7554107B2 (en) * | 2005-11-04 | 2009-06-30 | Nuflare Technology, Inc. | Writing method and writing apparatus of charged particle beam, positional deviation measuring method, and position measuring apparatus |
US7894038B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program |
NL2003673A (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods for compensating substrate unflatness, determining the effect of patterning device unflatness, and determing the effect of thermal loads on a patterning device. |
US8553207B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-10-08 | Asml Holdings N.V. | Optically compensated unidirectional reticle bender |
DE102011078927B4 (de) | 2010-07-12 | 2019-01-31 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Korrigieren von Fehlern einer photolithographischen Maske |
DE102011083774B4 (de) | 2010-10-04 | 2019-06-13 | Carl Zeiss Sms Ltd. | Verfahren zum Bestimmen von Laser korrigierenden Tool-Parametern |
JP2012244043A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | 反射型露光用マスクのパターン補正方法、反射型露光用マスクの製造方法およびプログラム |
CN103424985A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 中国科学院微电子研究所 | 极紫外光刻掩模缺陷检测系统 |
US9146458B2 (en) * | 2013-01-09 | 2015-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | EUV mask |
JP6277645B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2018-02-14 | 凸版印刷株式会社 | パターン位置計測方法、パターン位置計測装置、及びフォトマスク |
DE102016204535A1 (de) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messmikroskop zur Vermessung von Masken für lithographische Verfahren sowie Messverfahren und Kalibrierverfahren hierfür |
DE102018206330A1 (de) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Globalfoundries Inc. | Verfahren zum Berechnen einer nicht korrigierbaren Ebenheit von EUV-Rohlingen zur Rohlingsdisposition |
-
2019
- 2019-02-06 DE DE102019201497.6A patent/DE102019201497B3/de active Active
-
2020
- 2020-02-03 TW TW109103223A patent/TWI754889B/zh active
- 2020-02-06 JP JP2021546253A patent/JP7312264B2/ja active Active
- 2020-02-06 WO PCT/EP2020/052984 patent/WO2020161235A1/en active Application Filing
- 2020-02-06 KR KR1020217028502A patent/KR20210124399A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-02-06 CN CN202080024131.7A patent/CN113631983B/zh active Active
-
2021
- 2021-08-05 US US17/394,464 patent/US20210364908A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004031954A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 収差補正システム、収差補正方法、変形レチクルチャック及びeuv露光装置 |
JP2007150286A (ja) | 2005-11-04 | 2007-06-14 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置、位置ずれ量計測方法及び位置計測装置 |
JP2008103512A (ja) | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2007150287A5 (ja) | 2006-11-01 | 2009-07-16 | ||
JP2009253119A (ja) | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法 |
JP2010152031A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク |
US20110255065A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Sergey Oshemkov | Method and apparatus for modifying a substrate surface of a photolithographic mask |
JP2015513223A (ja) | 2012-03-29 | 2015-04-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光系のチャネルの欠陥を補償するための装置及び方法 |
JP2017517759A (ja) | 2014-03-25 | 2017-06-29 | カール ツァイス エスエムエス リミテッド | 光学構成要素及び/又はウェーハの予め決められた3次元輪郭を発生させる方法及び装置 |
WO2018153654A1 (en) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for transforming measurement data of a photolithographic mask for the euv range from first surroundings into second surroundings |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210124399A (ko) | 2021-10-14 |
WO2020161235A1 (en) | 2020-08-13 |
DE102019201497B3 (de) | 2020-06-18 |
US20210364908A1 (en) | 2021-11-25 |
CN113631983A (zh) | 2021-11-09 |
TWI754889B (zh) | 2022-02-11 |
JP2022520760A (ja) | 2022-04-01 |
TW202030549A (zh) | 2020-08-16 |
CN113631983B (zh) | 2023-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4352042B2 (ja) | オーバレイを減少させるための基板テーブルまたはマスクテーブルの表面平坦度情報の使用 | |
JP4157486B2 (ja) | 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法 | |
JP5069601B2 (ja) | マスク | |
KR100776479B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 방법, 하전 입자빔 묘화 장치, 위치오차량 계측 방법 및 위치 계측장치 | |
JP3251362B2 (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
KR20120031916A (ko) | Euv 마스크 평평함을 평가하기 위한 방법 및 시스템 | |
TWI480704B (zh) | 投射輻射光束至目標之投射系統,微影裝置,方法及器件製造方法 | |
US9354048B2 (en) | Method for measuring a lithography mask or a mask blank | |
JP3950082B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法 | |
TW200848958A (en) | Device manufacturing method, a lithographic apparatus and a computer program medium | |
US11243464B2 (en) | Method and apparatus for transforming measurement data of a photolithographic mask for the EUV range from first surroundings into second surroundings | |
JP7312264B2 (ja) | 動作環境における反射フォトリソグラフィマスクのパターン要素の配置を決定するためのデバイスおよびその方法 | |
JP2021533369A (ja) | 重力誘発誤差を減らしたフォトマスク平面度測定システム及び方法 | |
EP3255493A1 (en) | Method of determining pellicle compensation corrections for a lithographic process, metrology apparatus and computer program | |
US20120078561A1 (en) | Method for Calibrating a Target Surface of a Position Measurement System, Position Measurement System, and Lithographic Apparatus | |
TW500983B (en) | Lithographic projection apparatus, method of reducing a measured optical distortion in the projection system of a lithographic projection apparatus, integrated circuit device and the method of making same, and method of manufacturing a vitreous optical | |
JP2004214415A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
JP5489849B2 (ja) | 位置計測装置及び方法、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
WO2013174646A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TWI627497B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
Yoshitake et al. | Correction technique of EBM-6000 prepared for EUV mask writing | |
US20230408911A1 (en) | Method and apparatus for optimizing a defect correction for an optical element used in a lithographic process | |
JP2010185807A (ja) | 表面形状計測装置、表面形状計測方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
Yoshitake et al. | Desired IP control methodology for EUV mask in current mask process | |
CN114514475A (zh) | 用于表征图案形成装置的测量系统和方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220810 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20221109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230509 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7312264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |