JP7308162B2 - 電力変換ユニット、および電力変換装置 - Google Patents
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Description
また、高高度の航空機が遭遇するような低気圧下では、部分放電発生電圧が低下する。例えば、低気圧環境下において部分放電開始電圧は大気圧下に比べ大きく低下する。よって、電圧が印加される面と接地される面においては、空気よりも部分放電開始電圧が10倍程度高い固体もしくは液体を適用する必要がある。ただし、個々の部品に故障が生じた場合に、特に固体で囲まれた部品を補修することが一般的には難しい。
これらの技術に関連して、特許文献1と特許文献2がある。
すなわち、本発明の電力変換ユニットは、スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、を備え、前記冷却路における冷却媒体として液体を用い、前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとが接する箇所において、前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知手段を備え、前記漏液検知手段は、シートの変色によって前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知シートである、ことを特徴とする。
本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100の構成について、図1A、図1B、図2A、図2Bを参照して説明する。
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図1Bは、本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100を、盤内フレーム1001A,1001Bに収納した構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図2Aは、図1Aに示す電力変換ユニット100の外観を鳥瞰図として模式的に示す図である。
図2Bは、図1Aに示す電力変換ユニット100の断面構造を鳥瞰図として模式的に示す図である。
1次側ユニット10Aは、1次側回路体11Aと1次側筐体24Aとを備えて構成されている。
1次側回路体11Aは、1次側回路基板22Aと複数のスイッチング素子21A、および、図1の断面には図示していないコンデンサやリアクトルなどの電気・電子部品を搭載して、電気回路(電子回路)を構成している。なお、図1Aにおいて、複数のスイッチング素子21Aの個数や配列は、表記上の都合により模式的に示したもので、後記する図2Bにおけるスイッチング素子の配列(配置)にそのまま対応するものではない。
また、図1Aにおいて、1次側回路体11Aのスイッチング素子周辺のような電気的ストレスの高い部分においては、シリコーンゲル23Aを用いて封止する。
1次側回路体11Aは、1次側筐体24Aに収納されている。
2次側回路体11Bは、2次側回路基板22Bと複数のスイッチング素子21B、および図示していないコンデンサやリアクトルなどの電気・電子部品を搭載して、電気回路(電子回路)を構成している。
2次側回路体11Bのスイッチング素子周辺のような電気的ストレスの高い部分においては、シリコーンゲル23Bを用いて封止する。
2次側回路体11Bは、2次側筐体24Bに収納されている。
1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bは、冷却路32の中心を中心線40として、対称形を有するように配置される。このように配置することによって、複数のスイッチング素子における温度上昇のばらつきを低減できる。
また、冷却路32を構成する冷却管31は、グラウンド電位(接地電位)とする。冷却路32を構成する冷却管31の構造部材は、アルミ、ステンレス、銅などの金属が適用される。
冷却路(液冷路)32に流れる冷媒は液体とし、その例として、水、鉱油、フロリナート、植物油などが挙げられる。
これらの構造により、絶縁性を高めるとともに、仮に部分放電が発生し固体絶縁が劣化したとしても、流動性のあるシリコーンゲルを取り換えることで容易に絶縁補修することができる。
また、直接、高電圧がかかる部分や接地部と接しないユニット(1次側ユニット10A、2次側ユニット10B)内の領域においては、電気的ストレスが若干低いため、より簡易的な絶縁材を適用することも可能である。簡易的な絶縁材としては、例えば、PPS(Polyphenylenesulfide)樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステルなどある。
電力変換ユニット100を電力変換装置としての盤内フレーム1001A,1001Bに収納し、固定することによって、実際には用いられる。
図1Bが図1Aと異なるのは、盤内フレーム1001A,1001Bを示したことであって、その他は、図1Aと同一であるので、重複する説明は省略する。
図2Aにおいて、電力変換ユニット100は、1次側ユニット10A、2次側ユニット10Bが合わさって構成されている。継手(液冷チューブ内蔵継手)61は、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bを接合する役目をするとともに、内部に冷却路32(図1)に繋がり冷却媒体を通す液冷チューブ(不図示)を有している。
なお、電力変換ユニット100が複数台ある場合には、複数の電力変換ユニット100間を継手(液冷チューブ内蔵継手)61と冷却管路(62:図3)を介して、複数の電力変換ユニット100を併せて冷却する。
また、図2Aにおいて、IA-IA軸は、図1Aの断面を示し、IIB-IIB軸は、後記する図2Bの断面を示している。
図2Bにおいて、冷却管31による冷却路32は、1次側ユニット10A、2次側ユニット10Bの上下対称な分割面に設けられている。
また、複数のスイッチング素子21Aは、1次側筐体24Aに収納されている。また、1次側筐体24Aには、1次側ユニット10Aの外部からの電気配線を通す配線孔71が設けられている。
なお、前記したように、複数のスイッチング素子21Aの個数や配列は、表記上の都合により模式的に示したもので、前記した図1Aにおけるスイッチング素子の配列(配置)にそのまま対応していない。
このような構造をとることによって、電力変換ユニット100(電力変換装置)の高出力密度化のための冷却性向上と低気圧下での絶縁信頼性を確保する。例えば、電力変換ユニット100(電力変換装置)の出力密度は10[kW/cc]以上、定格電圧は1[kV]以上を満たすための電力変換ユニット100(電力変換装置)の構成となる。
図3は、電力変換ユニット100の冷却管31(図1A)による冷却路(液冷路)32に冷却媒体(冷却液)を流す装置構成の概略を模式的に示す図である。なお、図3においては、盤内フレーム1001A,1001B(図1B)は図示していない。
図3において、電力変換ユニット100の継手(液冷チューブ内蔵継手)61を冷却管路(冷却管接続部)62の一方に接続する。また、冷却管路62の他方をポンプ65に接続する。ポンプ65は、冷却管路63を介して、熱交換器66に冷却媒体(冷却液)を送る。熱交換器66は、冷却媒体を冷却し、冷却管路64を介して、電力変換ユニット100の他方の継手(液冷チューブ内蔵継手)61から冷却媒体を電力変換ユニット100の内部に送る。
なお、図3においては、電力変換ユニット100は、1台の場合を示している。電力変換ユニット100が複数(複数台)ある場合には、複数の電力変換ユニット100間を継手(液冷チューブ内蔵継手)61と冷却管路(62,64)を介して、複数の電力変換ユニット100を併せて冷却する。
図1Aで示した第1実施形態の電力変換ユニット100においては、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bとの間に、冷却路(液冷路)32を設けて、電力変換ユニット100を冷却する。また、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bの境界面において断面積がもっとも広くなる平面に冷却路32を設けている。この構成により、冷却媒体が満たされる面積を最大限に確保することが可能となる。
このような構造をとることによって、電力変換ユニット100(電力変換装置)の高出力密度化のための冷却性向上と低気圧下での絶縁信頼性を担保する。また、複数存在するスイッチング素子21A,21Bにおける温度上昇のばらつきを低減できる。
絶縁信頼性を確保できるので、電力変換ユニットの基板が配置される空間内での部分放電を抑え、信頼性の高い電力変換ユニット、および電力変換装置が実現する。
また、前記のような構成には、冷却路32を共有化して電力変換装置の出力密度を向上させて、重量を低減する効果がある。
また、冷却路32を含んだ断面においてユニットに分割面を設けているので、仮にスイッチング素子が不良となっても、分割されたユニットの片方のみを交換することができ、すべて取り換えた場合に比べてロスコストを減らすことができる。また、スイッチング素子以外の部品検査や、故障部品の交換が容易である。
また、スイッチング素子21A,21Bの周辺のような電気的ストレスの高い部分においては、シリコーンゲル23A,23Bを用いているので、仮に部分放電が発生し固体絶縁が劣化したとしても、流動性のあるシリコーンゲルを取り換えることで容易に絶縁補修することができる。
本発明の第1実施形態の電力変換ユニットによれば、1次側ユニットと2次側ユニットとの間に、冷却路(液冷路)を設けているので、高出力密度化のための冷却性向上と低気圧下での絶縁信頼性を担保できるとともに、電力変換ユニットの出力密度が向上する。
また、複数のスイッチング素子における温度上昇のばらつきを低減できる。
絶縁信頼性を確保できるので、電力変換ユニットの基板が配置される空間内での部分放電を抑え、信頼性の高い電力変換ユニット、および電力変換装置を提供できる。
また、冷却路(液冷路)を共有化して電力変換装置の出力密度を向上させて、重量を低減する効果がある。
また、冷却路(液冷路)に分割面を設けているため、冷却媒体と接する冷却路面の腐食状態の監視や補修することができる。
また、仮にスイッチング素子が不良となっても、分割されたユニットの片方のみを交換することができ、すべて取り換えた場合に比べロスコストを減らすことができる。また、部品検査や、補修や、故障部品の交換が容易である。
本発明の第2実施形態に係る電力変換ユニット200の構成について、図4A、図4B、図5A、図5Bを参照して説明する。
図4Aは、本発明の第2実施形態に係る電力変換ユニット200の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図4Bは、本発明の第2実施形態に係る電力変換ユニット200を、盤内フレーム1001A,1001Bに収納した構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図5Aは、図4Aに示す電力変換ユニット200の外観を鳥瞰図として模式的に示す図である。
図5Bは、図4Aに示す電力変換ユニット200の断面構造を鳥瞰図として模式的に示す図である。
移動体などに搭載される電力変換装置は、負荷変動による振動や離発着時における衝撃により、防水機構が機械的に壊れてしまい、漏液する可能性がある。
そのため、漏液センサ(漏液検知手段)51を備えることで、早期に異常を検知し、メンテナンスすることが可能になる。
また、漏液センサ(漏液検知手段)51を挟んで2つのOリングを配置している。Oリングを2重に配置することで、漏液のリスクを低減している。
電力変換ユニット200を電力変換装置としての盤内フレーム1001A,1001Bに収納し、固定することによって用いられる。
図4Bが図4Aと異なるのは、盤内フレーム1001A,1001Bを示したことであって、その他は、図4Aと同一であるので、重複する説明は省略する。
図5Aにおける電力変換ユニット200が図2Aにおける電力変換ユニット100と異なるのは、図5Aにおいて漏液センサ(漏液検知手段)51が表記されていることである。なお、Oリング52は、電力変換ユニット200の内部に配置され、外部からは見えないので、図5Aには表記されていない。
また、図5Aにおいて、IVA-IVA軸は、図4Aの断面を示し、VB-VB軸は、後記する図5Bの断面を示している。
その他は、図2Aと同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第2実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え、漏液センサ(漏液検知手段)を備えることで、早期に異常を検知し、メンテナンスすることが可能になる。
また、Oリングを2重に配置することで、漏液のリスクを低減している。
図6は、本発明の第3実施形態に係る電力変換ユニット300の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図6における第3実施形態の電力変換ユニット300が、図1B(図1A)における第1実施形態の電力変換ユニット100と異なるのは、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bとの境界(分割面)がユニット(1次側ユニット10Aと2次側ユニット10B)外部の側面において、図6に示す漏液検知シート(漏液検知手段)53を備えたことである。
漏液検知シート53は、電力変換ユニット300の冷却管31からなる冷却路32の冷却媒体の漏液を、シートの変色、もしくは、その他の変化として検知する。
また、図6に示すような電力変換ユニット300においては、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bとの分割面(境界)が広いので、一部分で漏液が発生すれば、分割面全面で漏液し検知できる。そのため、漏液検知シート53は、分割面の一部に設ければ機能を発揮する。
その他は、図1B(図1A)と同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第3実施形態の漏液検知シート(漏液検知手段)によれば、設置が比較的に容易であり、日常的に定期点検を実施するようなアプリケーションにおいては作業の一環として行うことができる。
また、漏液検知シート53は、分割面の一部に設ければ機能を発揮する効果がある。
図7は、本発明の第4実施形態に係る電力変換ユニット400の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図7における第4実施形態の電力変換ユニット400が、図6における第3実施形態の電力変換ユニット300と異なるのは、漏液検知手段として、漏液検知シート53の代わりにICタグ型漏液検知器54を備えたことである。
ICタグ型漏液検知器54は、IC(Integrated Circuit)を内蔵して無線機能を有している。また、漏れた液の電離作用を利用して電池を不要とすることも可能である。電池を不要とする構造の場合には、電池交換の手間を省くことが可能となる。
また、前記のようにICタグ型漏液検知器は、ICを内蔵して無線機能を有しているので、常時監視が可能である。また、電源や配線工事なども不要であることから、設置コストも低減が可能である。
その他は、図1B(図1A)と同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第4実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え、ICタグ型漏液検知器54を備えることで、漏液の常時監視が可能である。また、電源や配線工事なども不要であることから、設置コストも低減が可能である。
図8は、本発明の第5実施形態に係る電力変換ユニットの漏液検知の構成例を、鳥瞰図として模式的に示す図である。
図8において、音聴棒55を電力変換ユニット(例えば電力変換ユニット100)の継手(液冷チューブ内蔵継手)61に取り付け、音聴棒55の検知する信号を、音波もしくは電波で音聴分析部56に伝達する。
すなわち、漏液検知手段(漏液検知手法)として音聴棒55を用いた診断を行うものである。
音聴棒55で入手した音に対して、音聴分析部56が機械学習などを適用することで、わずかな音の変化を検知することが可能であり、漏液が発生する前に生じる液冷路の微妙な亀裂の検知も可能である。
その他は、図2Aと同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第5実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え、音聴棒55および音聴分析部56を備えることで、漏液の監視が可能である。さらには、音聴分析部56が機械学習などを適用することで、漏液が発生する前に生じる液冷路の微妙な亀裂の検知も可能である。
図9は、本発明の第6実施形態に係る電力変換ユニット500の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図9における第6実施形態の電力変換ユニット500が、図4B(図4A)における第2実施形態の電力変換ユニット200と異なるのは、図9において、電力変換ユニット500が分割可能となる分割可能構造面81A,81Bを有していることである。
図9に示す電力変換ユニット500においては、ユニット(電力変換ユニット500)内に存在する複数のスイッチング素子(21A,21B)と、それに付随する部材(例えば後記する図11の銅板、熱伝導層や周辺の絶縁物)の単位で分割可能な構造とする。
この構造により、スイッチング素子が一つ壊れても、部品を取り換える範囲を最小限とすることが可能となり、ロスコストを最小限に抑えることが可能になる。
その他は、図4B(図4A)と同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第6実施形態によれば、第2実施形態の効果に加え、ユニット内に存在する複数のスイッチング素子とそれに付随する部材の単位で分割可能な構造としたことによって、スイッチング素子が一つ壊れても、部品を取り換える範囲を最小限とすることが可能となり、ロスコストを最小限に抑えることが可能になる。
図10は、本発明の第7実施形態に係る電力変換ユニット600の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図10における第7実施形態の電力変換ユニット60が、図4B(図4A)における第2実施形態の電力変換ユニット200と異なるのは、図10において、冷却路(32)を構成する冷却管31の内面において、冷却フィン(冷却管突起部)31B、あるいは冷却フィン31Bによる凹凸の構造を設けることにより、液冷する冷却管31の内部の表面積を広くとるものである。
この構造によって、冷却路(32)を構成する冷却管31の冷却機能が向上する。
その他は、図4B(図4A)と同一であるので、重複する説明は省略する。
本発明の第7実施形態によれば、第2実施形態の効果に加え、冷却管の内面において、冷却フィンによる凹凸の構造を設けることにより、液冷する冷却管の内部の表面積を広くして、冷却路を構成する冷却管の冷却機能が向上する。
図11は、本発明の第8実施形態に係る電力変換ユニット700の構成例を、側面の断面構造で模式的に示す図である。
図11において、電力変換ユニット700は、1次側ユニット(10A:図4A)と2次側ユニット(10B:図4A)、および冷却管31による冷却路(32:図1A)を備えて構成されている。
1次側ユニット(10A)は、1次側回路体11A9を備えている。また、2次側ユニット(10B)は、2次側回路体11B9を備えている。
電力変換ユニット700は、前記の1次側回路体11A9と2次側回路体11B9に特徴がある。
スイッチング素子21Aの冷却管31側の面に、銅板(第1導体)91Aを設ける。また、銅板91Aと冷却管31との間に絶縁部材で構成される熱伝導層92Aを設ける。
また、冷却管31は、グラウンド電位(接地電位)に接続されている。また、熱伝導層92Aに用いる部材は、0.5[W/mK]以上の熱伝導性を有するものとする。熱伝導層92Aの部材は、例えば、エポキシ樹脂やセラミック板を適用する。
本発明の第8実施形態によれば、複数のスイッチング素子と冷却管との間に、銅板(第1導体、第2導体)と熱伝導層を設けることによって、電力変換ユニットの温度上昇をより軽減する。
図1A、図4Aに、それぞれ電力変換ユニット100、電力変換ユニット200として示したように、電力変換ユニットには、図1B、図4Bに示した盤内フレーム1001A,1001Bは含まれていない。
ただし、電力変換装置として用いる場合には、盤内フレームを設けて、電力変換ユニットを構造的に保護する。また、盤内フレームには、アルミ、ステンレス、鉄などの金属を適用する。このように、盤内フレームに金属を用いることにより、電気的には盤内フレームの電位の固定が可能になる。
なお、電力変換ユニットに盤内フレームを設けた構造を、「電力変換ユニット」として扱ってもよい。
図3において、電力変換ユニット100の冷却管31(図1A)による冷却路(液冷路)32に冷却媒体(冷却液)を流す装置構成の概略を模式的に示した。
図3においては、電力変換ユニット100の継手(液冷チューブ内蔵継手)61を冷却管路(冷却管接続部)62の一方に接続している。
この冷却管路(冷却管接続部)62を構成する金属を、電力変換ユニット100の冷却管31を構成する金属と別の金属を採用する。具体的には、冷却管路(冷却管接続部)62を構成する金属は、冷却管31を構成する金属よりもイオン化傾向が高い金属を適用する。すなわち、冷却管31を構成する金属は、冷却管路(冷却管接続部)62を構成する金属よりもイオン化傾向が低い。
次に、電力変換ユニット100の回路構成例を、次に説明する。
図12は、本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100の第1の回路構成例を示す図である。図12に示す回路構成810は、DC-DCコンバータの機能を有する回路例である。
図12における4個のスイッチング素子21Aと4個のスイッチング素子21Bは、それぞれ図1における1次側回路体11Aの4個のスイッチング素子21Aと、2次側回路体11Bの4個のスイッチング素子21Bとに対応している。
なお、図12において、スイッチング素子21A,21Bのそれぞれには、逆並列にダイオードが接続されている。これらのダイオードは、スイッチング素子21A,21Bの素子の内部構造に寄生するダイオードを利用してもよいし、外付けで備えてもよい。
また、スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードについては、後記する図13、図14においても記載があるが、図13、図14のダイオードに関する重複する説明を省略している。
4個のスイッチング素子21Aは、ブリッジ型に構成され、図示していない制御回路によって4個のスイッチング素子を、それぞれPWM(Pulse Width Modulation)制御をすることによって、直流入力端子12D1P,12D1N間のDC電圧を正弦波に変換してブリッジの端子から出力する。この正弦波の出力電圧は、コンデンサ(共振コンデンサ)1212とリアクトル1213を通り、トランス1201で電圧が変換されて2次側回路に伝達される。
また、出力側のコンデンサ1221と入力側のコンデンサ1211は、ともにリプル電圧を平滑化する平滑コンデンサとして作用する。
なお、スイッチング素子21A,21Bは、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)、スーパージャンクションMOSFETなどの半導体素子のいずれかで構成される。
このように図12に示す回路を構成することによって、直流電圧を変換するDC-DC変換回路(電力変換装置)が構成できる。
なお、回路構成810で回路を構成した電力変換ユニットを電力変換ユニット1810と表記して、後記する図16で用いている。
図13は、本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100の第2の回路構成例を示す図である。図13に示す回路構成820は、単相AC-3相ACコンバータの機能を有する回路例である。
なお、電力変換ユニット100に対応する回路と述べたが、図1に示す電力変換ユニット100におけるスイッチング素子21A,21Bは、4個として表記している。しかし、図1Aでは表記の都合上、4個として表記したものであり、4個に限定される訳ではない。図13においては、スイッチング素子21Bが6個として、説明する。
図13において、4個のスイッチング素子21Aとコンデンサ1313、リアクトル1311,1312を備えて1次側回路(入力側回路)が構成されている。また、6個のスイッチング素子21Bを備えて2次側回路(出力側回路)が構成されている。
リアクトル1311,1312を介して、ブリッジの入力端子に入力した交流電圧は、ブリッジ型の4個のスイッチング素子21Aによって、整流され直流電圧に変換される。
この直流電圧は、コンデンサ1313で平滑化され、2次側回路(出力側回路)の直流電源として供給される。
以上のように、2次側の交流出力端子13A2U,13A2V,13A2Wには、3相交流電圧が出力する。すなわち、電力変換ユニット100を回路構成820として構成することによって、単相交流から3相交流に変換する変換回路(電力変換装置)が構成できる。
図14は、本発明の第1実施形態に係る電力変換ユニット100の第3の回路構成例を示す図である。図14に示す回路構成830は、AC-DCコンバータの機能を有する回路例である。
図14における4個のスイッチング素子21Aと4個のスイッチング素子21Bは、それぞれ図1における1次側回路体11Aの4個のスイッチング素子21Aと、2次側回路体11Bの4個のスイッチング素子21Bとに対応している。
なお、「1次側回路体11Aの4個のスイッチング素子21Aと、2次側回路体11Bの4個のスイッチング素子21B」と表記したが、図14においては、1次側回路と2次側回路との区別はなく、図1における1次側回路体11Aと2次側回路体11Bとにおける回路を並列に用いる。
また、4個のスイッチング素子21Bは、ブリッジ型に構成され、図示していない制御回路によって4個のスイッチング素子をそれぞれ制御することによって、ブリッジの入力端子14AP,14AQ間に入力する正弦波を整流して、直流出力端子14DP,14DN間に直流電圧を出力する。
なお、コンデンサ1411,1421は、直流出力端子14DP,14DN間に接続され、整流した直流電圧を平滑化している。
以上の図14に示した回路構成830により、電力変換ユニット100をAC-DC変換回路(AC-DC電力変換装置)が具現化される。
なお、回路構成830で回路を構成した電力変換ユニットを電力変換ユニット1830と表記して、後記する図15で用いている。
電力変換ユニット100は、1次側回路体11Aと2次側回路体11Bを搭載しているが、これらの1次側回路体11Aと2次側回路体11Bにおける回路構成は、自由度が高い。すなわち、回路基板に様々な素子を搭載し、様々な結線をすることによって、各種の電力変換ユニット(電力変換装置)が構成できる。例えば、前記したように、図12ではDC-DC変換回路、図13では単相AC-3相AC変換回路、図14ではAC-DC変換回路の例を示している。
これらの例のように、素子の選択と配線による回路選択によって、様々な電力変換回路(電力変換ユニット、電力変換装置)が構成できる。
また、図13で示したように、1次側回路体11A、2次側回路体11Bにおいて、スイッチング素子の個数は4個に限定されない。
また、図14で示したように、1次側回路体11A、2次側回路体11Bを入力回路、出力回路として限定する必要はなく、1次側回路体11A、2次側回路体11Bを並列にして用いてもよい。
また、電力変換ユニットを図1に示した電力変換ユニット100として説明したが、図4A、図6、図7、図9、図10、図11で示したそれぞれ電力変換ユニット200,300,400,500,600,700でも同様の回路構成が可能である。
次に、複数の電力変換ユニットによる電力変換装置の回路構成例を、次に説明する。
図15は、本発明の第1~第8実施形態のいずれかに係る電力変換ユニットを、図14で示した回路構成830による複数の電力変換ユニット1830を組み合わせて、3相交流電圧を直流電圧に変換する電力変換装置8000の回路構成例を示す図である。
図15において、電力変換装置8000は、図14で示したAC-DC変換の機能を有する電力変換ユニット(電力変換装置)1830を3台、備えている。
3台の電力変換ユニット1830は、それぞれ交流電圧(交流電力)を直流電圧(直流電力)に変換し、それぞれの直流電圧(直流電力)を出力端子15DP,15DN間に出力している。
図15に示すように、3台の電力変換ユニット1830のそれぞれの出力端子は、互いに並列に接続されている。
以上のように、3相交流の交流電圧が直流電圧として変換され、出力される電力変換装置8000が具現化される。
図16は、本発明の第1~第8実施形態のいずれかに係る電力変換ユニットを、図12で示した回路構成810による複数の電力変換ユニット1810を組み合わせて、異なる電圧の直流電圧に変換する電力変換装置9000の回路構成例を示す図である。
図16において、電力変換装置9000は、図12で示したDC-DC変換の機能を有する電力変換ユニット(電力変換装置)1810を3台、備えている。
また、図16において、直流電源の電圧を入力する入力端子16D1P,16DINから直流電圧を3台の電力変換ユニット1810にそれぞれ入力している。
3台の電力変換ユニット1810は、それぞれ直流電圧(DC1:図12)を異なる電圧の直流電圧(DC2:図12)に変換する。3台の電力変換ユニット1810の出力端子は、直列に接続されていて、直流電圧が合算された電圧(3×DC2)が、電力変換装置9000の出力端子16D2P,16D2N間に出力される。
以上のように、直流電圧が異なる電圧の直流電圧に変換され、出力される電力変換装置9000が具現化される。
複数の電力変換ユニットを組み合わせて様々な電力変換装置が構成できる。
例えば、前記したように、図15ではAC-DC変換回路の電力変換ユニット1830(830:図14)を3台用いて3相AC-DC変換回路が構成できることを示している。
また、図16ではDC-DC変換回路の電力変換ユニット1810(810:図12)を3台用いて、直流電圧DC1を高い電圧の直流電圧DC3に変換するDC-DC変換回路が構成できることを示している。
複数の電力変換ユニットを組み合わせて電力変換装置を前記の例に限定されない。また、図15、図16に示した電力変換装置の例では、電力変換ユニットを3台用いる例であったが、3台に限定されない。4台以上の電力変換ユニットを組み合わせてもよい。
図15に示した複数(3台)の電力変換ユニット1830を組み合わせて構成した電力変換装置8000や、図16に示した複数(3台)の電力変換ユニット1810を組み合わせて構成した電力変換装置9000において、電力変換ユニットの盤内フレーム(例えば1001A,1001B:図1B)が、電力変換ユニット毎に複数あって、互いの盤内フレームのグラウンド電圧が異なることがある。
この場合には、異なる電力変換ユニットの異なる盤内フレームの間に、絶縁を確保するための絶縁板を設けることがある。
なお、本発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものでなく、さらに様々な変形例が含まれる。例えば、前記の実施形態は、本発明を分かりやすく説明するために、詳細に説明したものであり、必ずしも説明したすべての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成の一部で置き換えることが可能であり、さらに、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成の一部または全部を追加・削除・置換をすることも可能である。
以下に、その他の実施形態や変形例について、さらに説明する。
図1Aにおいて、電力変換ユニット100における1次側回路体11A、2次側回路体11Bにおけるスイッチング素子21A,21Bの個数はそれぞれ4個の場合を図示して説明したが、4個に限定されない。3個以下でも、5個以上で構成してもよい。また、配線によって、並列あるいは直列に接続して見かけ上の個数を変化させてもよい。あるいは、スイッチング素子の一部を配線せずに未使用としてもよい。
また、一部のスイッチング素子の開閉信号を所定の電位に固定して、常にオン(ON)状態、あるいはオフ(OFF)状態として用いてもよい。
スイッチング素子の配置は、図1Aや図2Bに一例を示した。しかし、これらは、説明の都合上、模式的に配置を示したものである。前記の図の配置に限定されない。
また、スイッチング素子を含む電力変換ユニット100の構造は、図1Aに示したように、冷却路面の中心を中心線として、対称形を有するものとして示した。対称形であれば複数存在するスイッチング素子における温度上昇のばらつきを低減できるからである。
ただし、スイッチング素子の動作における偏りを考慮している場合は、その限りではなく、非対称の配置としてもよい。
図12の回路構成810において、スイッチング素子は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)、スーパージャンクションMOSFETなどの半導体素子が用いられることを説明した。
さらに、半導体素子の半導体基板について説明すると、前記のスイッチング素子の半導体素子は、GaN(窒化ガリウム)、Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)などの半導体基板が用いられる。
図6において、漏液検知シート53は、1次側ユニット10Aと2次側ユニット10Bの分割面(接合面)の側面に設けた例を示した。これは図6に示す電力変換ユニット300においては、前記の分割面が広いため、一部分で漏液が発生すれば分割面全面で漏液し検知できるためである。
ただし、安全サイドに分割面の全面にシートを施すことも有効である。
図8において、音聴棒55を電力変換ユニット(例えば電力変換ユニット100)の継手(液冷チューブ内蔵継手)61に取り付けて液冷媒体の漏洩を検知していたが、例えば、漏液検知シートを備えた図6の電力変換ユニット300に音聴棒55を取り付け、二重の検知手段を電力変換ユニットに備えてもよい。
この場合には、漏洩検知がより確度が高まる効果がある。
図4Aにおいては、Oリング52は2本に限定されない。1本でもよいし、3本以上でもよい。
図4Aに示したように、2本のOリングの間に、漏液センサ51を配置しているが、この配置に限定されない。例えば、構造的な制約により、2本のOリングの間以外の場所に漏液センサ51を設けてもよい。
また、Oリング52を配置する形状は、円形状に限定されない。構造的な制約や1次側回路体11A、2次側回路体11Bの形状や配置によって、円形以外の形状で配置してもよい。
図11に示した第5実施形態においては、スイッチング素子(21A)の冷却管31側の面に銅板(第1導体)91Aを設けることを説明した。また、スイッチング素子(21B)の冷却管31側の面に銅板(第2導体)91Bを設けることを説明した。
ただし、第1導体(91A)、そして第2導体(91B)は、銅以外の金属でもよい。例えば銀やアルミニウム、あるいは熱伝導率の高い合金でもよい。
また、熱伝導層92A,92Bについては、エポキシ樹脂やセラミック板を例にあげたが、絶縁性と熱伝導性が良好であれば、他の材質でもよい。
なお、銅板91A,91Bと冷却管31との電圧差が小さく、シリコーンゲル23A,23Bで耐圧がもつ場合には、熱伝導層92A,92Bを省略することも可能である。
図1A、図4Aなどにおいては、1次側回路体11Aや2次側回路体11Bの空間部にシリコーンゲルを充填する例を示したが、シリコーンゲルに限定されない。他のゲル状の絶縁性の物質をシリコーンゲルの代わりに充填する物質としてもよい。
また、シリコーンゲルに他の物質を添加する方法もある。
図9に示した第6実施形態については、図4Aに示した電力変換ユニット200について、図9に示す分割可能構造面81A,81Bを設ける構造とした。しかし基となるのは電力変換ユニット200に限定されない。例えば、図1A、図6、図7、図10、図11に示した各電力変換ユニットに対して、それぞれ分割可能構造面81A,81Bを設けてもよい。
図10に示した第7実施形態については、図4Aに示した電力変換ユニット200について、図10に示す冷却フィン31Bによる冷却管31の凹凸構造を設ける構造とした。しかし基となるのは電力変換ユニット200に限定されない。例えば、図1A、図6、図7、図9、図11に示した各電力変換ユニットに対して、それぞれ冷却フィン31Bによる冷却管31の凹凸の構造を設けてもよい。
図1Aにおいて、冷却路32を構成する冷却管31は、分割面(中心線)40で、上側と下側の冷却管31を合わせる構成として説明したが、冷却管31を一体として形成し、電力変換ユニット100の分割部に挿入する方法をとってもよい。この場合には、冷却管31からの冷却媒体の漏洩を低減できる。
図11に示した第7実施形態については、図4Aに示した電力変換ユニット200について、図11に示すスイッチング素子に銅板と熱伝導層を有する構造とした。しかし基となるのは電力変換ユニット200に限定されない。例えば、図1A、図6、図7、図9、図10に示した各電力変換ユニットに対して、それぞれスイッチング素子に銅板と熱伝導層を有する構造を設けてもよい。
電力変換ユニットの回路例については、図12、図13、図14に示したが前記したように、これらに限定されない。例えば、1次側回路体11Aのスイッチング素子の個数を8個にすれば、スイッチング素子4個で整流回路機能によるAC-DC変換をして、そのDC出力を図12の入力端子12D1P、12D1Nに入力すれば、1次側回路体11A(8個のスイッチング素子)と2次側回路体11Bとによって、AC-DC変換の機能を有する電力変換ユニット(電力変換装置)が構成できる。
あるいは、図14に示したAC-DCコンバータの変換機能を有する回路構成830による電力変換ユニット1830と、図12に示したDC-DCコンバータの変換機能を有する回路構成810による電力変換ユニット(100)と、を組み合わせてAC電圧を高い電圧のDC電圧に変換する電力変換装置を構成することができる。
1001A,1001B、1002A,1002B 盤内フレーム
10A 1次側ユニット
10B 2次側ユニット
11A 1次側回路体
11B 2次側回路体
21A,21B スイッチング素子
22A 1次側回路基板
22B 2次側回路基板
23A,23B シリコーンゲル
24A 1次側筐体
24B 2次側筐体
31 冷却管
31B 冷却フィン(冷却管突起部)
32 冷却路(液冷路)
40 分割面(中心線)
51 漏液センサ(漏液検知手段)
52 Oリング
53 漏液検知シート(漏液検知手段)
54 ICタグ型漏液検知器(漏液検知手段)
55 音聴棒(漏液検知手段)
56 音聴分析部
61 継手(液冷チューブ内蔵継手)
62 冷却管路(冷却管接続部)
63,64 冷却管路
8000,9000 電力変換装置
81A,81B 分割可能構造面
810,820,830 回路構成
91A 第1導体(導体、銅板)
91B 第2導体(導体、銅板)
92A,92B 熱伝導層
Claims (13)
- スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、
スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、
前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、
を備え、
前記冷却路における冷却媒体として液体を用い、
前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとが接する箇所において、前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知手段を備え、
前記漏液検知手段は、シートの変色によって前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知シートである、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、
スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、
前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、
を備え、
前記冷却路における冷却媒体として液体を用い、
前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとが接する箇所において、前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知手段を備え、
前記漏液検知手段は、ICを内蔵し、前記冷却媒体の漏洩を検知するICタグ型漏液検知器である、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、
スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、
前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、
を備え、
前記冷却路における冷却媒体として液体を用い、
前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとが接する箇所において、前記冷却媒体の漏洩を検知する漏液検知手段を備え、
前記漏液検知手段は、前記冷却媒体の漏洩を振動によって検出する音聴棒である、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、
スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、
前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、
前記1次側回路体の複数のスイッチング素子の所定の部分に、それぞれ接する複数の接地された第1導体と、
前記2次側回路体の複数のスイッチング素子の所定の部分に、それぞれ接する複数の接地された第2導体と、
を備え、
前記冷却管による冷却路は、複数の前記第1導体と複数の前記第2導体との間に配置される、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項4において、
複数の前記第1導体と前記冷却管との間、および複数の前記第2導体と前記冷却管との間に、絶縁部材で構成される複数の熱伝導層を備える、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - スイッチング素子と回路基板を有する1次側回路体と、前記1次側回路体を収納する1次側筐体とを具備する1次側ユニットと、
スイッチング素子と回路基板を有する2次側回路体と、前記2次側回路体を収納する2次側筐体とを具備する2次側ユニットと、
前記1次側回路体と前記2次側回路体との間に配置される冷却管による冷却路と、
を備え、
前記1次側筐体および前記2次側筐体の外部に前記冷却路に接続する冷却管接続部が設けられ、
前記冷却管接続部を構成する金属に対し、前記冷却管を構成する金属は、イオン化傾向が低い、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1において、
前記漏液検知手段は、前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとの接合面に設置され、
前記1次側ユニットと前記2次側ユニットとの接合面においてOリングが備えられる、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1において、
前記冷却管による冷却路の内側に、冷却管の凹凸の構造を有する、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1において、
前記1次側回路体、および前記1次側筐体と前記1次側回路体の間を、シリコーンゲルを満たして封止され、
前記2次側回路体、および前記2次側筐体と前記2次側回路体の間を、シリコーンゲルを満たして封止されている、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1において、
前記1次側ユニットおよび前記2次側ユニットの内部は、個体もしくは液体もしくはゲルで構成され、空気領域が存在しない、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1において、
前記スイッチング素子は、IGBTまたはMOSFETまたはIEGTで構成され、
前記スイッチング素子を構成する半導体基板は、GaNまたはSiまたはSiCで構成されている、
ことを特徴とする電力変換ユニット。 - 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の電力変換ユニットを備えて構成されている、
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の電力変換ユニットを備え、
複数の前記電力変換ユニットと隣接する面に電力変換装置としての盤内フレームを有し、
異なる電力変換ユニットの異なる盤内フレームの間に絶縁板を設ける、
ことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020025821A JP7308162B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 電力変換ユニット、および電力変換装置 |
PCT/JP2020/042552 WO2021166341A1 (ja) | 2020-02-19 | 2020-11-16 | 電力変換ユニット、および電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020025821A JP7308162B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 電力変換ユニット、および電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021132446A JP2021132446A (ja) | 2021-09-09 |
JP7308162B2 true JP7308162B2 (ja) | 2023-07-13 |
Family
ID=77390591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020025821A Active JP7308162B2 (ja) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 電力変換ユニット、および電力変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7308162B2 (ja) |
WO (1) | WO2021166341A1 (ja) |
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2020
- 2020-02-19 JP JP2020025821A patent/JP7308162B2/ja active Active
- 2020-11-16 WO PCT/JP2020/042552 patent/WO2021166341A1/ja active Application Filing
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WO2019150870A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021166341A1 (ja) | 2021-08-26 |
JP2021132446A (ja) | 2021-09-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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