JP7304689B2 - 磁化できる基材上の磁化できない層の厚さを測定するための方法および機器 - Google Patents

磁化できる基材上の磁化できない層の厚さを測定するための方法および機器 Download PDF

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Description

本発明は、透磁率が不明の、磁化できる基材上の磁化できない層の厚さを測定するための方法および機器に関する。
薄層の厚さを測定するための測定プローブは、独国特許発明第3331407(C2)号明細書により公知である。そのような測定プローブは、幾何学的軸に対して回転対称に形成された、軟鉄から作られたポットコアを備えるプローブヘッドを有する。ポットコアは、内部コア上で第1および第2のコイルを受け入れる。内部コアは、磁化できる基材から作られた測定すべき層上に軸受け面を有する測定ポールとして、端面上に形成される。この測定用プローブのおかげで、磁気誘導測定法を用いて、磁化できる基材上の磁化できない層の決定が可能になる。
薄層の厚さを測定するための測定プローブはまた、独国特許出願公開第102005054593(A1)号明細書により公知であり、前記測定プローブは、第1および第2のコイルを有するポットコアを受け入れるプローブヘッドを有する。第1および第2のコイルは、共通の幾何学的軸上に置かれたコイル対を表す。さらに、ポットコア上に、かつ幾何学的軸内に、軸受けキャップ(calotte)が提供される。プローブヘッドは、弾性的に回復力があるように形成された保持要素上に、詳細には膜上に、筐体と対向して搭載される。測定すべき層の表面上に測定プローブを配置する間、筐体の長手方向の軸に沿って測定プローブの筐体の中にプローブヘッドを少し沈める。プローブヘッドにより決定された測定信号は、層厚さを決定し、出力するために、評価ユニットに転送される。そのような測定プローブを、磁化できない層の厚さを磁気誘導測定のために使用することができ、これは、磁化できる基材上の磁化できない層の厚さの測定が行われることを意味する。
薄層を測定するための測定機器だけではなく、そのような機器を有する薄層測定方法は、独国特許出願公開第4119903(A1)号明細書により公知である。この機器は、共通のコアに同軸に配列された第1および第2のコイル機器を有するプローブを備える。
さらに、前後に1列に並んだ第1および第2の電磁コイルを受け入れるコアを備える層厚さ測定機器が、独国特許出願公開第4325767(A1)号明細書により公知である。類似の構造は、独国特許出願公開第2410047(A1)号明細書により公知である。
詳細には、そのような磁気誘導測定のために準備として、測定プローブは、磁化できる基材に対して較正される。そのような較正は、較正のためにコーティングしていないで提供される基材上で、かつ層を具備する基材に対して、測定プローブを直接配置することによって行われる。
自動車産業でシート上のラッカーの層厚さを測定するなどの複数の使用状況では、たとえば、一般に使用される基材は、実際は公知であるが、その正確な透磁率は不明である。したがって、このため、測定すべき材料から作られた基材の透磁率が、較正用に使用する基材の透磁率から逸脱する場合、測定が不正確になる可能性がある。
さらに、層厚さを測定および較正する前にコーティングなしの基材上に測定プローブを直接置く可能性なしに、すでにコートされた基材上の層厚さを測定することは、ますます必要になる。
独国特許発明第3331407(C2)号明細書 独国特許出願公開第102005054593(A1)号明細書 独国特許出願公開第4119903(A1)号明細書 独国特許出願公開第4325767(A1)号明細書 独国特許出願公開第2410047(A1)号明細書
本発明の目的は、層厚さ測定で測定誤差をもたらすことなく、透磁率が、較正用に使用する基材から逸脱する、または不明の、コートされた磁化できる基材上の磁化できない層の層厚さを磁気誘導測定するための方法および測定プローブを提案することである。
この目的は、測定プローブを使用する方法により解決され、測定プローブは、ポットコアに対して位置決めされ、かつ共通の幾何学的軸内に置かれた第1および第2のコイルを有する第1のコイル対を有し、第1および第2のコイルを有する第2のコイル対は、ポットコアの外側で第1のコイル対に対して位置決めされ、そこでは、場収束を用いて第1のコイル対により第1の相互作用体積を検出し、場収束なしに第2のコイル対により第2の相互作用体積を検出し、第1および第2の相互作用体積を、詳細には、第1および第2のコイル対の第1および第2の測定信号を、評価機器内にある、コートされた磁性基材の透磁率の補償と比較し、基材の透磁率の影響により補正した層厚さを出力する。この方法により、基材の透磁率を補償した結果として、高度な測定精度が可能になる。さらに、使用する基材に関する正確な知識があらかじめなくても、層厚さ測定を行うことができる。詳細には、磁化できる不明な基材上の磁化できない層の厚さを測定する方法が提供される。また、逸脱する合金成分、または逸脱する製造および処理手順を用いて、たとえば、測定プローブの較正が行われた較正標準と比較して、コートされた基材の透磁率の影響を補償することができる。これにより、校正標準と比較して、測定対象物の、検査すべき基材の透磁率の偏差を除去することが可能になる。測定対象物の、測定すべき基材に関して、測定プローブの較正を必要としない。
測定手順の間に検出した相互作用体積を、好ましくは、評価機器で評価し、次式に従って、補正された層厚さを決定する。
Figure 0007304689000001
式中、サイズdmessは、内部コイル対の第1および第2のコイルの正規化計数率
Figure 0007304689000002
から測定された層厚さである。サイズ
Figure 0007304689000003
は、ポットコア内の第1のコイル対、すなわち内部コイル対の正規化計数率
Figure 0007304689000004
の関数として所定の透磁率に関して検出された、外部および内部のコイル対の層厚さ差分
Figure 0007304689000005
から得られる2次元透磁率補償関数である。詳細には、透磁率の知識はもはや必要ない。その結果、正しい層厚さを出力するために、透磁率補償関数により基材の実際の透磁率の影響を除去することが可能になる。
正規化計数率は、正規化電圧の評価として理解すべきであり、そこでは、
Figure 0007304689000006
が適用される。式中、U0は、プローブが直接基材上に置かれ、かつ測定すべき層が基材上に存在しないときに生じる電圧である。Uは、測定プローブを持ち上げたときに生じる電圧であり、そこでは、間隔は非常に大きいので、測定プローブは、磁化できる基材によりもはや影響を受けない。Uは、基材上で測定すべき層に伴うので、通常の間隔で生じる電圧である。その結果、常に数値0~1の間にある正規化電圧Unが得られる。
あるいは、補正された層厚さが次式に従って決定されるという意味で、測定手順の間に検出された相互作用体積を評価機器で評価することができる。
Figure 0007304689000007
式中、サイズdmessは、内部コイル対の正規化計数率から測定された層厚さである。サイズ
Figure 0007304689000008
は、第1のコイル対の正規化計数率
Figure 0007304689000009
の関数として基材の可変の透磁率に関して検出された、外側および内側のコイル対の正規化計数率
Figure 0007304689000010
の偏差から得られる2次元透磁率補償関数である。したがって、この代替実施形態では、層厚さ偏差、および正規化計数率の偏差に基づき、透磁率補償を行うことができる。詳細には、透磁率の知識をもはや必要としない。
評価機器での測定手順の他の代替評価では、排他的に正規化計数率の偏差に基づき透磁率補償を行うことが提供される。測定手順の間に検出された相互作用体積を評価し、次式に従って、補正された層厚さを決定する。
Figure 0007304689000011
式中、サイズ
Figure 0007304689000012
は、次式に従って決定される。
Figure 0007304689000013
サイズ
Figure 0007304689000014
は、内部コイル対の第1および第2のコイルの、測定された正規化計数率
Figure 0007304689000015
である。サイズ
Figure 0007304689000016
は、外側および内側のコイル対の正規化計数率
Figure 0007304689000017
の偏差に関する2次元透磁率補償関数である。補正された計数率を用いて、最初に行われた製造較正から直接、補正された層厚さを計算することができる。詳細には、透磁率の知識をもはや必要としない。
さらに、第1および第2のコイル対に関する第1の基礎較正が、いくつかの異なる透磁率に関して較正されることが提供されることが好ましい。その結果、層厚さ偏差を基材の透磁率変化により体系的に検出し、較正で使用することができる。内部コイル対に関して確立された層厚さ偏差は、透磁率補償のために必要な第1の情報構成要素を表す。補償に必要な第2の情報構成要素は、層厚さ補償関数に関して透磁率偏差により別様に偽って測定された、第1および第2のコイル対の層厚さの層厚さ差分を表す。これら2つの情報構成要素を結合することにより、層厚さに与える透磁率の影響を除去することができる。
有利には、測定すべき、基材内のそれぞれの相互作用体積を検出するために、すなわち、発生した電圧を検出するために、第1および第2のコイル対を次々と制御し、動作させる。あるいはまた、第1および第2コイル対を同時に動作させることができる。
本発明の基礎となる目的は、共通の幾何学的軸上に置かれ、かつ第1のコイル対を形成する第1および第2のコイルを有し、共通の軸内に配列された軸受けキャップ、およびポットコアの外側に幾何学的軸を一緒に有して配列され、かつ第1および第2のコイルを有する第2のコイル対を有するポットコアを受け入れるプローブヘッドを有する測定プローブを有する、磁化できる基材上の磁化できない層の厚さを測定するための測定プローブによりさらに解決される。そのような測定機器のおかげで、第1のコイル対の電力線は、収束場経路を有することが可能になり、その結果、詳細にはポットコアの領域内に収束し、かつ高い場の密度を有する相互作用体積が基材内に生成される。第2のコイル対を、場を収束させることなく動作させ、その結果、第2のコイル対の相互作用体積はまた、プローブヘッドのはるか外側にあり、したがって、明らかにより大きな、基材の相互作用体積を備える。これにより、第1および第2コイル対により相互作用体積の差分を決定することができ、かつ基材の変化に富む磁気特性を検出し、補償することが可能になる。
本発明、ならびにさらには有利な実施形態およびその展開について、図面に示す例を用いて以下でより詳細に記述し、説明する。本明細書および図面で理解することができる特徴を、個々に、または本発明に従って任意の組合せで複数として、適用することができる。
測定プローブの第1の実施形態の概略断面図である。 図1による測定プローブの、本発明によるプローブヘッドの概略拡大図である。 基材の3つの異なる透磁率に関して、プローブヘッドの内部コイル対の正規化計数率xnの関数として層厚さ経路を提示するための図である。 図3から得られる透磁率μr1およびμr3の層厚さ偏差Δdを提示するための概略図である。 基材の3つの異なる透磁率に関して、層厚さ経路を、内部および外部のコイル対の正規化計数率xnの関数として提示し、透磁率μr1およびμr3に伴って得られる層厚さ偏差Δdiaを提示するための概略図である。 図5による所定の透磁率に関して、2つのコイル対間の層厚さ差分Δdiaを、第1のコイル対の正規化計数率の関数として提示するための概略図である。
図1に、測定プローブ11の断面図を概略的に示す。この測定プローブ11の構造は原理上、全部参照される独国特許出願公開第102005054593(A1)号明細書により公知である。測定プローブ11は、測定対象物20の基材52上の層51の厚さを非破壊測定するために使用される。この測定プローブ11は、少なくとも1つの接続線または制御線12を介して評価機器13に接続されるように構成され、前記評価機器13は、検出した測定信号を処理し、さらにまた表示装置に出力することができる。測定プローブ11は、たとえば円筒形に形成された筐体14を有する。プローブヘッド17は、磁化できない筐体14の長手方向の軸16内に配列され、保持要素18により支持される。この保持要素18は、弾性的に回復力がある保持要素として、詳細には、膜として、もしくはばね要素として形成される。プローブヘッド17を、長手方向の軸16に沿って案内要素23により移動可能に案内することができ、その結果、プローブヘッド17は、測定プローブ11を測定対象物20の上に置いたとき、筐体14の中に少し沈むことができる。好ましくは、筐体に固定された台24上で、案内要素23により傾きのない手法で、プローブヘッド17を案内する。プローブヘッド17の電線25を線12の取付具27に接続し、好ましくは、前記取付具27もまた台24に固定する。
プローブヘッド17は、長手方向の軸16内にあり、かつ測定対象物20のほうを向く軸受けキャップ21を有する。
また、プローブヘッド17を測定プローブ11のさらに逸脱する構造設計に導入することができる。
図2には、図1による測定プローブ11のプローブヘッド17の概略拡大図を示す。このプローブヘッド17は、ポットコア31を備える。このポットコア31は、好ましくは軟鉄材料から形成される。ポットコア31では、固定されていない端部上に軸受けキャップ21が配置されるコア33は、ポットコア31の基部32から伸長する。軸受けキャップ21は、硬化したピン34を有することができる。
第1および第2のコイル36、37は、ポットコア31内に配列される。第1および第2のコイル36、37は、共通の長手方向の軸16上に同軸に整列し、第1のコイル対38を形成する。第1のコイル対38はまた、内部コイル対とも呼ばれる。
さらにまた、第1および第2のコイル42、43をポットコア31の半径方向の周囲の壁41の外側に提供する。第1および第2のコイル42、43を、互いに同軸に配列し、好ましくは長手方向の軸16に対して整列させる。第1および第2のコイル42、43は、外部コイル対とも呼ばれる第2のコイル対44を形成する。
外部コイル対44およびポットコア31は、筐体14により取り囲まれる。筐体14は、外部コイル対44の磁界に影響を及ぼさない。
コイル36、37、42、43は、いくつかの巻線を備え、かつコイル本体に巻きつけられた、少なくとも1つの導電体を備える。
プローブヘッド17は、測定を行うために軸受けキャップ21と共に、コートされた測定対象物20の上に載る。軸受けキャップ21は、磁化できる基材52上の磁化できない層51に接触する。第1のコイル対38が発生させた電力線は、ポットコア31のおかげで場収束を有し、それにより、基材52内に第1の好ましくは集中した相互作用体積46が発生する。第2のコイル対44は、電力線の場収束をまったく受けず、それにより、第1の相互作用体積46と比較して拡大した、基材52の相互作用体積47が発生する。
層厚さの測定を行うために、第1のコイルシステムの第1のコイル36に、たとえば低周波電流を用いて周期的に通電する。この第1のコイル36はまた、1次コイルとも呼ばれる。その結果、第2のコイル37、すなわち、2次コイルに電圧が誘起され、電圧の大きさは、第1のコイル36の通電電流の周波数および振幅に、ならびに第1および第2のコイル36、37の相互作用体積に応じた結合に依存する。次に、第1および第2のコイル36、37の結合は、2つのコイル36、37を貫通する磁気の流れBに依存する。次に、磁気の流れはまた、通電電流と共に、コイル36、37の周囲の材料の磁気抵抗により規定される。磁化できる基材52の上に測定プローブ11を置いた場合、磁界Bは、基材52が、場の経路と比較して、プローブヘッド17を基材52から持ち上げたときの状況と比較して空気よりも明らかに低い磁気抵抗に対抗するので、増大する。これにより、第1および第2のコイル36、37の結合係数が増大することになり、その結果、誘起電圧が増大することになる。プローブヘッド17と基材52の間の距離が増大した場合、2次コイルの誘起電圧は低減する。その結果、測定できる誘起電圧は、基材52までの距離に、すなわち、層51の層厚さに依存し、較正を介して層厚さ測定のために使用されることができる。同じことはまた、第2のコイル対44にも類似して当てはまる。
第1のコイル対38を用いて場収束が提供され、かつ第2のコイル対44を用いて場収束が得られない結果、基材52のさまざまな相互作用体積46、47が検出される。第1および第2のコイル対38、44で得られるこれらの差分を、基材52の、変化に富む磁化できる特性に関する測定をするときに検出することができ、基材52の透磁率を補償するために使用することができる。層51でコートされた基材52の透磁率に関する実際の知識を用いて、層51の厚さを決定することができる。このことについては、以下で論じる。
図3は、規定された基材に応じて、層厚さdに関してさまざまな特性曲線55、56、57を正規化測定信号xnの関数としてプロットした図を示す。特性曲線55は、規定された基材に対して測定プローブ11を較正することにより、たとえばμr3により決定され、係数の形で測定プローブ11または評価機器13に記憶される。規定された基材から逸脱する透磁率を有する基材52上で測定するために、この測定プローブ11を今後使用する場合、特性曲線経路は変化する。たとえば、透磁率μr1については、特性曲線56が得られ、透磁率μr2については、特性曲線57が得られる。この場合、μr1はμr2よりも小さく、μr2はμr3よりも小さいということが当てはまる。対象となる層厚さdsollが、較正された基材52上で70μmに等しい場合、その結果は、たとえば測定値0.48である。基材52の透磁率が透磁率μr1に変化した結果、代わりに測定値0.56が決定される。しかしながらその結果、使用した較正特性曲線55を用いた厚さの計算は、dmessが100μmに等しいという、正しくない層厚さをもたらす。したがって、記述した層厚さ偏差Δd(μr)は、基材の透磁率が変化した結果である。これを体系的に決定し、所定のさまざまな透磁率を用いて較正で検出することができる。その結果、補正された層厚さの決定に伴い、透磁率の補償のために必要な第1の情報構成要素が検出される。
図4に、正規化測定信号xnの関数として層厚さ偏差Δdをプロットした図を示す。これらの層厚さ偏差を、図3の透磁率μr1およびμr2に関して示す。その結果、特性曲線55による最初の較正の場合、X軸上に位置する線が得られ、一方、透磁率μr2については、特性曲線57が得られ、μr1については、特性曲線56が得られる。この図は、第1のコイル対38に伴う層厚さを示す。この図から、透磁率μr1に関して、値0.56から始まり、図3によれば、たとえば28μmの層厚さ偏差が得られ、μr2の場合、たとえば11μmの層厚さ偏差が得られる。これは補正されるべきである。
次に、第1および第2のコイル対38、44を別個に考慮する場合、図5による線図に示すように、異なる特性曲線進路が得られる。第1のコイル対38、すなわち内部コイル対38に関する特性曲線55、56、および57はさらにまた、第2のコイル対44、すなわち外部コイル対の、対応する特性曲線65、66、および67から逸脱する。このことから、たとえば、コイル対44については0.35のxnを用い、かつコイル対38については0.56のxnを用いて、2つの異なる測定ポイントを比較した結果、内部コイル対38と外部コイル対44の間で決定された層厚さは、たとえば38μmのΔdiaの差分をもたらす(図6のポイント68を参照のこと)こともまた得られる。
第1のコイル対38および第2のコイル対44の異なる依存関係から透磁率を規定するために、第1のコイル対38および第2のコイル対44の差分Δdiaを、図6に従って第1のコイル対38の正規化計数率の関数として考えることができる。基材52の透磁率に関するこの依存関係Δdiaは、透磁率の補償のために必要な第2の情報構成要素に対応し、たとえば内部コイル対38内の正規化計数率xnの関数として(この場合、次式に従う)
Figure 0007304689000018
と記述することができる。μrに従ってこの関数を解くことができ、層厚さ偏差の関数に挿入することができる。その結果、透磁率のパラメータを除去することができ、所望の層厚さ偏差Δdは依然として、利用できるパラメータΔdiaおよび
Figure 0007304689000019
だけの関数である。このことから、2パラメータ透磁率補償関数
Figure 0007304689000020
が得られる。
次いで、このことから、補正された層厚さ
Figure 0007304689000021
が得られる。したがって、補正された層厚さは、透磁率の影響により修正された層厚さであり、基材52の正確な透磁率を知ることも、測定する必要もなく、前記層厚さを測定することができる。
測定信号をそのように評価および検出する結果、所定の透磁率に対して較正された測定プローブ11を、不明の層厚さおよび不明の基材52を有する測定対象物20の上に置くことができるようになる。評価機器13は、第1のコイル対38および第2のコイル対44の正規化計数率xnを決定する。このことから、測定プローブ11の層厚さ較正関数を介して、対応する正しくない層厚さdlまたはdaを計算し、このことから、層厚さ差分Δdiaの内部サイズを計算する。次いで、2次元透磁率補償関数
Figure 0007304689000022
から、測定値に必要な補正を追加することができ、その結果、透磁率の影響が補償される。
11 測定プローブ
12 接続線または制御線
13 評価機器
14 筐体
16 長手方向の軸
17 プローブヘッド
18 保持要素
20 測定対象物
21 軸受けキャップ
23 案内要素
24 台
27 取付具
31 ポットコア
32 基部
33 コア
34 硬化したピン
36 第1のコイル、1次コイル
37 第2のコイル、2次コイル
38 第1のコイル対、内部コイル対
41 半径方向の周囲の壁
42 第1のコイル
43 第2のコイル
44 第2のコイル対、外部コイル対
46、47 相互作用体積
51 磁化できない層
52 磁化できる基材
55、56、57、65、66、67 特性曲線
B 磁気の流れ、磁界
d、dsoll、dmess 層厚さ
n 正規化測定信号
Δd、Δd(μr) 層厚さ偏差
μr1、μr2、μr3 透磁率

Claims (10)

  1. 共通の幾何学的軸(16)を中心に置かれた、第1のコイル対(38)を形成する第1および第2のコイル(36、37)を有するポットコア(31)を備え、かつ前記共通の軸(16)内に軸受けキャップ(calotte)(21)を有するプローブヘッド(17)を有する測定プローブ(11)を有する、透磁率が不明な、磁化できる基材(52)上の磁化できない層(51)の厚さを測定する方法であって、
    -前記基材(52)上の前記層(51)の前記厚さを測定するために、前記プローブヘッド(17)は、前記層(51)の上に置かれる方法であって、
    -前記ポットコア(31)により引き起こされた場収束を用いて、前記第1のコイル対(38)により第1の相互作用体積を検出し、
    -前記ポットコア(31)による前記場収束なしに、前記ポットコア(31)の外側に、前記幾何学的軸(16)を共有して配置された第1および第2のコイル(42、43)を有する第2のコイル対(44)により第2の相互作用体積を検出し、
    -検出した前記第1および第2の相互作用体積を評価機器(13)で処理し、互いに比較して、測定すべき前記層(51)が適用された前記基材(52)の前記透磁率を補償し、前記基材(52)の前記透磁率の影響により補正された、前記層(51)に関する測定された層厚さを出力して、補正された層厚さを提供する、
    ことを特徴とする方法。
  2. -次式に従って、前記補正された層厚さを決定し、
    Figure 0007304689000023
    -式中、前記サイズdmessは、前記第1のコイル対(38)の前記第1および第2のコイル(36、37)の正規化計数率から得られた前記測定された層厚さであり、前記
    Figure 0007304689000024
    は、前記第1のコイル対(38)の前記正規化計数率
    Figure 0007304689000025
    の関数として前記基材(52)の可変の透磁率に関して使用される、前記コイル対(38)と(44)の間の層厚さ偏差Δdiaから得られる、2次元透磁率関数である
    ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 前記基材(52)の透磁率の知識を必要としないことを特徴とする、請求項2に記載の方法。
  4. -次式に従って、前記補正された層厚さを決定し、
    Figure 0007304689000026
    -式中、前記サイズdmessは、前記第1のコイル対(38)の前記第1および第2のコイル(36、37)の正規化計数率から得られた前記測定された層厚さであり、前記
    Figure 0007304689000027
    は、前記第1のコイル対(38)の前記正規化計数率
    Figure 0007304689000028
    の関数として前記基材(52)の可変の透磁率に関して使用される、前記コイル対(38)と(44)の間の正規化計数率の偏差
    Figure 0007304689000029
    から得られる、2次元透磁率関数である
    ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  5. 前記基材(52)の透磁率の知識を必要としないことを特徴とする、請求項4に記載の方法。
  6. -次式に従って、前記補正された層厚さを決定し、
    Figure 0007304689000030
    -式中、前
    Figure 0007304689000031
    は、次式に従って決定され、
    Figure 0007304689000032

    Figure 0007304689000033
    は、前記第1および第2のコイル(36、37)の前記測定された正規化計数率であり、前記
    Figure 0007304689000034
    は、前記第1のコイル対(38)の前記正規化計数率
    Figure 0007304689000035
    の関数として前記基材(52)の変の透磁率に関して使用される、前記正規化計数率の偏差
    Figure 0007304689000036
    から得られる、2次元透磁率補償関数である
    ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  7. 前記基材(52)の透磁率の知識を必要としないことを特徴とする、請求項6に記載の方法。
  8. 前記第1および第2のコイル対(38、44)に関する第1の基礎較正を行い、その後、測定を行って、前記基材(52)のいくつかの異なる透磁率に対して層厚さを決定することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  9. 前記第1および第2のコイル対(38、44)を交互に、または同時に制御することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  10. 共通の長手方向の軸(16)を中心に置かれ、第1のコイル対(38)を形成する第1および第2のコイル(36、37)と、前記共通の長手方向の軸(16)内に配列された軸受けキャップ(21)とを有するポットコア(31)を有するプローブヘッド(17)を有する測定プローブ(11)を有する、請求項1に記載の前記方法を達成するための、磁化できる基材(52)上の磁化できない層(51)の厚さを測定するための測定機器であって、第1および第2のコイル(42、43)を有する第2のコイル対(44)は、前記ポットコア(31)の外側に、前記長手方向の軸(16)を共有して提供され、前記コイル(42、43)は、前記長手方向の軸(16)に同軸に整列されることを特徴とする測定機器。
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