JP7302791B2 - 複合ターゲット、複合ターゲットの製造方法及び窒化物半導体膜の形成方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態は、窒化ガリウム膜の形成に好適な複合ターゲットに関する。図1Aは、第1の実施形態に係る複合ターゲットを示す平面図である。図1Bは、第1の実施形態に係る複合ターゲットを示す断面図である。図1Bは、図1A中のI-I線に沿った断面図に相当する。
第2の実施形態は、第1の実施形態に係る複合ターゲットを用いた窒化ガリウム膜の形成方法に関する。
ステップS105のスパッタ処理では、ウェハWの温度を窒化インジウムが熱分解する温度以上とする。ウェハWの温度が窒化インジウムが熱分解する温度未満では、ウェハW上に窒化インジウムが残存し、窒化ガリウム膜に取り込まれてしまう。窒化インジウムが熱分解する温度は、約550℃である。また、ステップS105のスパッタ処理では、好ましくはウェハWの温度を560℃以上650℃以下とする。ウェハWの温度が560℃未満では、ウェハWの表面に供給されたガリウムの蒸発量が減少し相対的に堆積量は増加する。過剰なガリウムに対して窒化が不足することで未窒化のガリウム元素が残留し、表面拡散によりウェハW上で凝集しやすい。ガリウムの凝集が生じると、窒化ガリウム膜中で窒素が相対的に不足する。すなわち、窒化ガリウム膜に窒素欠損による点欠陥が生じやすい。この結果、結晶性が低く、十分な光学特性が得られないことがある。従って、好ましくはウェハWの温度は560℃以上とし、より好ましくは570℃以上とする。一方、ウェハWの温度が650℃超では、ウェハW上で窒化ガリウムの熱分解が促進され、窒化ガリウム膜の表面に荒れが生じやすい。この結果、十分な平坦性が得られないことがある。また、窒化ガリウムの熱分解に伴って成膜速度が低下することもある。従って、ウェハWの温度は好ましくは650℃以下とし、より好ましくは630℃以下とし、更に好ましくは610℃以下とする。
ターゲットTに含まれる不純物として、酸素(O)及び炭素(C)が挙げられる。これらのうちの少なくとも一方の濃度が2.0×1018原子/cm3超であると、形成される窒化ガリウム膜中の不純物濃度も高くなり、イエローバンド波長帯のフォトルミネッセンス強度が高くなる。従って、ターゲットTの酸素及び炭素の濃度は、各々好ましくは2.0×1018原子/cm3以下であり、より好ましくは1.0×1017原子/cm3以下であり、更に好ましくは1.0×1016原子/cm3以下である。
真空チャンバ11としては、成長温度において1×10-5Pa以下の真空度が達成できるものを用いることが好ましい。真空チャンバ11内で発生する不純物の窒化ガリウム膜への混入を抑制するためである。
ウェハWとしては、窒化ガリウム膜が形成される面に、単結晶の窒化ガリウム層を備えるものを用いることが好ましい。結晶性が良好な窒化ガリウム膜を形成するためである。このようなウェハWとしては、例えば、窒化ガリウムの単結晶基板、窒化ガリウム単結晶テンプレート付きサファイア基板又は窒化ガリウム単結晶テンプレート付きシリコン基板を用いることができる。
11 真空チャンバ
12 ウェハホルダ
13 カソード
14 ヒータ
15 高周波電源
21、22 供給ライン
23 排気ライン
V21、V22 バルブ
P ポンプ
30 制御部
100 複合ターゲット
102 窒化ガリウム粉末
103 埋め込み材
104 焼結体
Claims (8)
- 複数の窒化ガリウム材と、
前記複数の窒化ガリウム材の間の隙間を埋める金属インジウムの埋め込み材と、
を有し、
前記窒化ガリウム材は、窒化ガリウムの単結晶体である、複合ターゲット。 - 酸素及び炭素の濃度が、各々1×10 17 原子/cm 3 以下である、請求項1に記載の複合ターゲット。
- 複数の窒化ガリウム材と、
前記複数の窒化ガリウム材の間の隙間を埋める金属インジウムの埋め込み材と、
を有し、
酸素及び炭素の濃度が、各々1×10 17 原子/cm 3 以下である、複合ターゲット。 - 前記複数の窒化ガリウム材は、焼結により焼結体を構成し、
前記埋め込み材は、金属インジウムが前記焼結体に含浸して形成されている、請求項3に記載の複合ターゲット。 - 焼結により複数の窒化ガリウム材の焼結体を形成する工程と、
前記焼結体の空隙に金属インジウムを含浸させる工程と、
を有し、
酸素及び炭素の濃度が、各々1×10 17 原子/cm 3 以下である、複合ターゲットの製造方法。 - 窒素及びアルゴンを含む真空チャンバ内で請求項1乃至4のいずれか1項に記載の複合ターゲットをスパッタする工程と、
前記真空チャンバ内で前記複合ターゲットから飛散した窒化ガリウムのスパッタ粒子を、温度が窒化インジウムが熱分解する温度以上の対象物上に堆積させる工程と、
を有する、窒化物半導体膜の形成方法。 - 前記スパッタ粒子を堆積させる際の前記対象物の温度を560℃以上とする、請求項6に記載の窒化物半導体膜の形成方法。
- 前記対象物は、前記複合ターゲットと対向する面に単結晶の窒化ガリウム層を有する、請求項6又は7に記載の窒化物半導体膜の形成方法。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
JPH0254760A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Hitachi Metals Ltd | ターゲットの製造方法 |
EP0834594B1 (en) * | 1995-05-18 | 2004-11-10 | Asahi Glass Company Ltd. | Process for producing sputtering target |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JP2012144424A (ja) | 2010-12-20 | 2012-08-02 | Tosoh Corp | 窒化ガリウム焼結体または窒化ガリウム成形体ならびにそれらの製造方法 |
JP2012219348A (ja) | 2011-04-12 | 2012-11-12 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2014091852A (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Tosoh Corp | 窒化ガリウムターゲット |
WO2016158651A1 (ja) | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 東ソー株式会社 | 窒化ガリウム系焼結体及びその製造方法 |
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